DE102019005700A1

DE102019005700A1 - Elektronische Vorrichtung

Info

Publication number: DE102019005700A1
Application number: DE102019005700.7A
Authority: DE
Inventors: Tobias Großmann; Teresa Mujica-Fernaud; Rémi Manouk Anémian; Jens ENGELHART
Original assignee: Merck Patent GmbH
Current assignee: Merck Patent GmbH
Priority date: 2019-08-15
Filing date: 2019-08-15
Publication date: 2021-02-18
Also published as: KR20220047812A; JP2022544596A; CN114270555A; DE112020003872A5; TW202113031A; US20230108986A1; JP2025179047A; WO2021028513A1; CN114270555B; JP7721502B2

Abstract

Die vorliegende Anmeldung betrifft eine elektronische Vorrichtung, enthaltend eine Verbindung einer bestimmten Formel in einer Schicht zwischen Anode und emittierender Schicht, und enthaltend eine Verbindung einer bestimmten anderen Formel in einer Schicht zwischen emittierender Schicht und Kathode.

Description

Die vorliegende Anmeldung betrifft eine elektronische Vorrichtung, die bestimmte Aminverbindungen in einer lochtransportierenden Schicht enthält, und die Verbindungen eines bestimmten Strukturtyps in einer elektronentransportierenden Schicht enthält.
Unter elektronischen Vorrichtungen im Sinne dieser Anmeldung werden sogenannte organische elektronische Vorrichtungen verstanden (organic electronic devices), welche organische Halbleitermaterialien als Funktionsmaterialien enthalten. Insbesondere werden darunter OLEDs (organische Elektrolumineszenzvorrichtungen) verstanden. Unter der Bezeichnung OLEDs werden elektronische Vorrichtungen verstanden, die eine oder mehrere Schichten enthaltend organische Verbindungen aufweisen und unter Anlegen von elektrischer Spannung Licht emittieren. Der Aufbau und das allgemeine Funktionsprinzip von OLEDs sind dem Fachmann bekannt.
Bei elektronischen Vorrichtungen, insbesondere OLEDs, besteht unverändert großes Interesse an einer Verbesserung der Leistungsdaten.
Als Materialien für lochtransportierende Schichten in elektronischen Vorrichtungen sind eine Vielzahl unterschiedlicher Materialien bekannt, von denen die meisten zur Stoffklasse der Triarylamine gehören, wie beispielsweise N,N '-Di-(1-Naphthyl)- N,N ‚diphenyl-(1,1‘-biphenyl)-4,4'-diamin (NPD) oder Tris-(4-carbazolyl-9-ylphenyl)-Amin (TCTA). Weiterhin sind in neuerer Zeit Spirobifluorenyl-Monoamine und Fluorenyl-Monoamine als Materialien für lochtransportierende Schichten bekannt.
Als elektronentransportierende Verbindungen in elektronischen Vorrichtungen sind ebenfalls eine Vielzahl unterschiedlicher Verbindungen bekannt. Vielfach werden hierfür Verbindungen mit einem elektronenarmen stickstoffhaltigen Sechsring-Heteroaromaten verwendet, insbesondere Triazinderivate.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wurde nun gefunden, dass die Kombination von bestimmten Spirobifluorenyl-Aminen oder Fluorenyl-Aminen in einer lochtransportierenden Schicht mit bestimmten elektronenarmen stickstoffhaltigen Sechsring-Heteroaromaten in der elektronentransportierenden Schicht zu besonders guten Eigenschaften der elektronischen Vorrichtung führt, insbesondere langer Lebensdauer, hoher Effizienz und niedriger Betriebsspannung.
Gegenstand der vorliegenden Anmeldung ist damit eine elektronische Vorrichtung, enthaltend Anode, Kathode, und zwischen Anode und Kathode angeordnete emittierende Schicht, dadurch gekennzeichnet, dass

- zwischen Anode und emittierender Schicht eine oder mehrere Schichten enthaltend eine Verbindung einer Formel (H) vorliegen

Ar^H1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H1 substituiert sind; und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H1 substituiert sind;
R^H1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, (=0)R^H2, CN, Si(R^H2)₃, N(R^H2)₂, P(=O)(R^H2)₂, OR^H2, S(=O)R^H2, S(=O)₂R^H2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^H1 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H2 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch - R^H2C=CR^H2-, -C=C-, Si(R^H2)₂, C=O, C=NR^H2, -C(=O)O-, -C(=O)NR^H2-, _NR ^H2, P(=O)(R^H2), -O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können;
R^H2 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=0)R^H3, CN, Si(R^H3)₃ N(R^H3)₂ , P(=O)(R^H3)₂, OR^H3, S(=O)R^H3, S(=O)₂R^H3, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^H2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H3 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch - R^H3C=CR^H3-, -C≡C-, Si(R^H3)₂, C=O, C=NR^H3, -C(=O)O-, -C(=O)NR^H3-, NR^H3, P(=O)(R^H3), -O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können;
R^H3 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^H3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können; und

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Im Fall von n=0 ist die Gruppe Ar¹ nicht vorhanden und die beiden Gruppen, die in Formel (E) an die Gruppe Ar¹ binden, sind direkt miteinander verbunden. Im Fall von n=2, 3, bzw. 4 sind 2, 3, bzw. 4 Gruppen Ar¹ hintereinander gebunden.
Unter der Bezeichnung „größeres“ oder „höheres“ HOMO wird im Rahmen der vorliegenden Anmeldung verstanden, dass der Wert weniger negativ ist, beispielsweise ist ein HOMO von -5.2 eV größer/höher als ein HOMO von -5.3 eV.
Die folgenden Definitionen gelten für die chemischen Gruppen, die in der vorliegenden Anmeldung verwendet werden. Sie gelten, soweit keine spezielleren Definitionen angegeben sind.
Unter einer Arylgruppe im Sinne dieser Erfindung wird entweder ein einzelner aromatischer Cyclus, also Benzol, oder ein kondensierter aromatischer Polycyclus, beispielsweise Naphthalin, Phenanthren oder Anthracen, verstanden. Ein kondensierter aromatischer Polycyclus besteht im Sinne der vorliegenden Anmeldung aus zwei oder mehr miteinander kondensierten einzelnen aromatischen Cyclen. Unter Kondensation zwischen Cyclen ist dabei zu verstehen, dass die Cyclen mindestens eine Kante miteinander teilen. Eine Arylgruppe im Sinne dieser Erfindung enthält 6 bis 40 aromatische Ringatome. Weiterhin enthält eine Arylgruppe kein Heteroatom als aromatisches Ringatom, sondern nur Kohlenstoffatome.
Unter einer Heteroarylgruppe im Sinne dieser Erfindung wird entweder ein einzelner heteroaromatischer Cyclus, beispielsweise Pyridin, Pyrimidin oder Thiophen, oder ein kondensierter heteroaromatischer Polycyclus, beispielsweise Chinolin oder Carbazol, verstanden. Ein kondensierter heteroaromatischer Polycyclus besteht im Sinne der vorliegenden Anmeldung aus zwei oder mehr miteinander kondensierten einzelnen aromatischen oder heteroaromatischen Cyclen, wobei wenigstens einer der aromatischen und heteroaromatischen Cyclen ein heteroaromatischer Cyclus ist. Unter Kondensation zwischen Cyclen ist dabei zu verstehen, dass die Cyclen mindestens eine Kante miteinander teilen. Eine Heteroarylgruppe im Sinne dieser Erfindung enthält 5 bis 40 aromatische Ringatome, von denen mindestens eines ein Heteroatom darstellt. Die Heteroatome der Heteroarylgruppe sind bevorzugt ausgewählt aus N, O und S.
Unter einer Aryl- oder Heteroarylgruppe, die jeweils mit den oben genannten Resten substituiert sein kann werden insbesondere Gruppen verstanden, welche abgeleitet sind von Benzol, Naphthalin, Anthracen, Phenanthren, Pyren, Dihydropyren, Chrysen, Perylen, Triphenylen, Fluoranthen, Benzanthracen, Benzphenanthren, Tetracen, Pentacen, Benzpyren, Furan, Benzofuran, Isobenzofuran, Dibenzofuran, Thiophen, Benzothiophen, Isobenzothiophen, Dibenzothiophen, Pyrrol, Indol, Isoindol, Carbazol, Pyridin, Chinolin, Isochinolin, Acridin, Phenanthridin, Benzo-5,6-chinolin, Benzo-6,7-chinolin, Benzo-7,8-chinolin, Phenothiazin, Phenoxazin, Pyrazol, Indazol, Imidazol, Benzimidazol, Benzimidazolo[1,2-ajbenzimidazol, Naphthimidazol, Phenanthrimidazol, Pyridimidazol, Pyrazinimidazol, Chinoxalinimidazol, Oxazol, Benzoxazol, Naphthoxazol, Anthroxazol, Phenanthroxazol, Isoxazol, 1,2-Thiazol, 1,3-Thiazol, Benzothiazol, Pyridazin, Benzopyridazin, Pyrimidin, Benzpyrimidin, Chinoxalin, Pyrazin, Phenazin, Naphthyridin, Azacarbazol, Benzocarbolin, Phenanthrolin, 1,2,3-Triazol, 1,2,4-Triazol, Benzotriazol, 1,2,3-Oxadiazol, 1,2,4-Oxadiazol, 1,2,5-Oxadiazol, 1,3,4-Oxadiazol, 1,2,3-Thiadiazol, 1,2,4-Thiadiazol, 1,2,5-Thiadiazol, 1,3,4-Thiadiazol, 1,3,5-Triazin, 1,2,4-Triazin, 1,2,3-Triazin, Tetrazol, 1,2,4,5-Tetrazin, 1,2,3,4-Tetrazin, 1,2,3,5-Tetrazin, Purin, Pteridin, Indolizin und Benzothiadiazol.
Ein aromatisches Ringsystem im Sinne dieser Erfindung ist ein System, welches nicht notwendigerweise nur Arylgruppen enthält, sondern welches zusätzlich einen oder mehrere nicht-aromatische Ringe enthalten kann, die mit wenigstens einer Arylgruppe kondensiert sind. Diese nicht-aromatischen Ringe enthalten ausschließlich Kohlenstoffatome als Ringatome. Beispiele für Gruppen, die von dieser Definition umfasst sind, sind Tetrahydronaphthalin, Fluoren und Spirobifluoren. Weiterhin umfasst der Begriff aromatisches Ringsystem Systeme, die aus zwei oder mehr aromatischen Ringsystemen bestehen, die über Einfachbindungen miteinander verbunden sind, beispielsweise Biphenyl, Terphenyl, 7-Phenyl-2-fluorenyl, Quaterphenyl und 3,5-Diphenyl-1-phenyl. Ein aromatisches Ringsystem im Sinne dieser Erfindung enthält 6 bis 40 C-Atome und keine Heteroatome im Ringsystem. Die Definition von „aromatisches Ringsystem“ umfasst nicht Heteroarylgruppen.
Ein heteroaromatisches Ringsystem entspricht der oben genannten Definition eines aromatischen Ringsystems, mit dem Unterschied dass es mindestens ein Heteroatom als Ringatom enthalten muss. Wie es beim aromatischen Ringsystem der Fall ist, muss das heteroaromatische Ringsystem nicht ausschließlich Arylgruppen und Heteroarylgruppen enthalten, sondern es kann zusätzlich einen oder mehrere nicht-aromatische Ringe enthalten, die mit wenigstens einer Aryl- oder Heteroarylgruppe kondensiert sind. Die nicht-aromatischen Ringe können ausschließlich C-Atome als Ringatome enthalten, oder sie können zusätzlich ein oder mehrere Heteroatome enthalten, wobei die Heteroatome bevorzugt gewählt sind aus N, O und S. Ein Beispiel für ein derartiges heteroaromatisches Ringsystem ist Benzopyranyl. Weiterhin werden unter dem Begriff „heteroaromatisches Ringsystem“ Systeme verstanden, die aus zwei oder mehr aromatischen oder heteroaromatischen Ringsystemen bestehen, die miteinander über Einfachbindungen verbunden sind, wie beispielsweise 4,6-Diphenyl-2-triazinyl. Ein heteroaromatisches Ringsystem im Sinne dieser Erfindung enthält 5 bis 40 Ringatome, die gewählt sind aus Kohlenstoff und Heteroatomen, wobei mindestens eines der Ringatome ein Heteroatom ist. Die Heteroatome des heteroaromatischen Ringsystems sind bevorzugt ausgewählt aus N, O und S.
Die Begriffe „heteroaromatisches Ringsystem“ und „aromatisches Ringsystem“ gemäß der Definition der vorliegenden Anmeldung unterscheiden sich damit dadurch voneinander, dass ein aromatisches Ringsystem kein Heteroatom als Ringatom aufweisen kann, während ein heteroaromatisches Ringsystem mindestens ein Heteroatom als Ringatom aufweisen muss. Dieses Heteroatom kann als Ringatom eines nicht-aromatischen heterocyclischen Rings oder als Ringatom eines aromatischen heterocyclischen Rings vorliegen.
Entsprechend der obenstehenden Definitionen ist jede Arylgruppe vom Begriff „aromatisches Ringsystem“ umfasst, und jede Heteroarylgruppe ist vom Begriff „heteroaromatisches Ringsystem“ umfasst.
Unter einem aromatischen Ringsystem mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen oder einem heteroaromatischen Ringsystem mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, werden insbesondere Gruppen verstanden, die abgeleitet sind von den oben unter Arylgruppen und Heteroarylgruppen genannten Gruppen sowie von Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl, Fluoren, Spirobifluoren, Dihydrophenanthren, Dihydropyren, Tetrahydropyren, Indenofluoren, Truxen, Isotruxen, Spirotruxen, Spiroisotruxen, Indenocarbazol, oder von Kombinationen dieser Gruppen.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung werden unter einer geradkettigen Alkylgruppe mit 1 bis 20 C-Atomen bzw. einer verzweigten oder cyclischen Alkylgruppe mit 3 bis 20 C-Atomen bzw. einer Alkenyl- oder Alkinylgruppe mit 2 bis 40 C-Atomen, in der auch einzelne H-Atome oder CH₂-Gruppen durch die oben bei der Definition der Reste genannten Gruppen substituiert sein können, bevorzugt die Reste Methyl, Ethyl, n-Propyl, i-Propyl, n-Butyl, i-Butyl, s-Butyl, t-Butyl, 2-Methylbutyl, n-Pentyl, s-Pentyl, Cyclopentyl, neoPentyl, n-Hexyl, Cyclohexyl, neo-Hexyl, n-Heptyl, Cycloheptyl, n-Octyl, Cyclooctyl, 2-Ethylhexyl, Trifluormethyl, Pentafluorethyl, 2,2,2-Trifluorethyl, Ethenyl, Propenyl, Butenyl, Pentenyl, Cyclopentenyl, Hexenyl, Cyclohexenyl, Heptenyl, Cycloheptenyl, Octenyl, Cyclooctenyl, Ethinyl, Propinyl, Butinyl, Pentinyl, Hexinyl oder Octinyl verstanden.
Unter einer Alkoxy- oder Thioalkylgruppe mit 1 bis 20 C-Atomen, in der auch einzelne H-Atome oder CH₂-Gruppen durch die oben bei der Definition der Reste genannten Gruppen substituiert sein können, werden bevorzugt Methoxy, Trifluormethoxy, Ethoxy, n-Propoxy, i-Propoxy, n-Butoxy, i-Butoxy, s-Butoxy, t-Butoxy, n-Pentoxy, s-Pentoxy, 2-Methylbutoxy, n-Hexoxy, Cyclohexyloxy, n-Heptoxy, Cycloheptyloxy, n-Octyloxy, Cyclooctyloxy, 2-Ethylhexyloxy, Pentafluorethoxy, 2,2,2-Trifluorethoxy, Methylthio, Ethylthio, n-Propylthio, i-Propylthio, n-Butylthio, i-Butylthio, s-Butylthio, t-Butylthio, n-Pentylthio, s-Pentylthio, n-Hexylthio, Cyclohexylthio, n-Heptylthio, Cycloheptylthio, n-Octylthio, Cyclooctylthio, 2-Ethylhexylthio, Trifluormethylthio, Pentafluorethylthio, 2,2,2-Trifluorethylthio, Ethenylthio, Propenylthio, Butenylthio, Pentenylthio, Cyclopentenylthio, Hexenylthio, Cyclohexenylthio, Heptenylthio, Cycloheptenylthio, Octenylthio, Cyclooctenylthio, Ethinylthio, Propinylthio, Butinylthio, Pentinylthio, Hexinylthio, Heptinylthio oder Octinylthio verstanden.
Unter der Formulierung, dass zwei oder mehr Reste miteinander einen Ring bilden können, soll im Rahmen der vorliegenden Anmeldung unter anderem verstanden werden, dass die beiden Reste miteinander durch eine chemische Bindung verknüpft sind. Weiterhin soll unter der oben genannten Formulierung aber auch verstanden werden, dass für den Fall, dass einer der beiden Reste Wasserstoff darstellt, der zweite Rest unter Bildung eines Rings an die Position, an die das Wasserstoffatom gebunden war, bindet.
Die Verbindung der Formel (H) weist bevorzugt ein HOMO von größer oder gleich -4.72 eV und kleiner oder gleich -4.55 eV auf. Das HOMO wird gemessen wie in den Beispielen, Abschnitt 1, angegeben.
Weiterhin weist die Verbindung der Formel (H) bevorzugt eine Lochbeweglichkeit von 2*10^-4 bis 8*10^-4 cm²/Vs , bevorzugt 3*10^-4 cm²/Vs bis 6*10^-4 cm²/Vs auf. Die Lochbeweglichkeit wird bestimmt wie in den Beispielen, Abschnitt 2), angegeben.
Bevorzugt treten die oben genannten bevorzugten Werte für die Lochbeweglichkeit und das HOMO bei der Verbindung der Formel (H) in Kombination miteinander auf.
In der Verbindung der Formel (H) ist bevorzugt mindestens eine Gruppe Ar^H1 , besonders bevorzugt sind mindestens zwei Gruppen Ar^H1 gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H1 substituiert sind.
Bevorzugt ist Ar^H1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus Phenyl, Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl, Naphthyl, Fluorenyl, insbesondere 9,9'-Dimethylfluorenyl und 9,9'-Diphenylfluorenyl, Benzofluorenyl, Spirobifluorenyl, Indenofluorenyl, Dibenzofuranyl, Dibenzothiophenyl, Carbazolyl, Benzofuranyl, Benzothiophenyl, benzokondensiertes Dibenzofuranyl, benzokondensiertes Dibenzothiophenyl, Naphthyl-substituiertes Phenyl, Fluorenyl-substituiertes Phenyl, Spirobifluorenyl-substituiertes Phenyl, Dibenzofuranyl-substituiertes Phenyl, Dibenzothiophenyl-substituiertes Phenyl, Carbazolyl-substituiertes Phenyl, Pyridyl- substituiertes Phenyl, Pyrimidyl- substituiertes Phenyl, und Triazinyl-substituiertes Phenyl, die jeweils mit Resten R^H1 substituiert sind.
Bevorzugt enthält mindestens eine Gruppe Ar^H1, unter Einschluss der Reste R^H1, mit denen sie substituiert ist, eine Spirofluorenyl- oder FluorenylGruppe, besonders bevorzugt eine 2-Spirofluorenyl- oder 2-FluorenylGruppe. Besonders bevorzugt ist mindestens eine Gruppe Ar^H1 gewählt aus Spirofluorenyl und Fluorenyl, die jeweils mit Resten R^H1 substituiert sind, besonders bevorzugt aus Spirobifluorenyl, das mit Resten R^H1 substituiert ist. Bevorzugt sind 2-Spirobifluorenyl und 2-Fluorenyl, die jeweils mit Resten R^H1 substituiert sind.
Bevorzugt ist mindestens ein R^H1 in der Verbindung der Formel (H) vorhanden, insbesondere ein R^H1, das an eine Spirobifluorenylgruppe oder Fluorenylgruppe als Ar^H1 gebunden ist, das gewählt ist aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind. Besonders bevorzugt sind 1, 2, 3 oder 4 gleiche oder verschiedene Gruppen R^H1 in der Verbindung der Formel (H) vorhanden, die gewählt sind aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, und die restlichen Gruppen R^H1 sind gleich H.
R^H1 ist bevorzugt bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(RH2)3, N(R^H2)₂, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H2 substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CH₂-Gruppen durch -C=C-, -R^H2C=CR^H2-, Si(R^H2)₂, C=O, C=NR^H2, -NR^H2-, -O-, S-, -C(=O)O- oder -C(=O)NR^H2- ersetzt sein können. Besonders bevorzugt ist R^H1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H2 substituiert sind. Ganz besonders bevorzugt ist R^H1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H2 substituiert sind.
R^H2 ist bevorzugt bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H3 substituiert sind. Besonders bevorzugt ist R^H2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H3 substituiert sind.
R^H3 ist bevorzugt bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen.
Bevorzugte Ausführungsformen der Verbindung der Formel (H) entsprechen einer Formel (H-1) oder (H-2)

wobei Index m=0, 1, 2 oder 3 ist, die auftretenden Gruppen definiert sind wie oben und bevorzugt ihren oben angegebenen bevorzugten Ausführungsformen entsprechen, und wobei die Spirobifluorenylgruppe, die Fluorenylgruppe und die optional vorhandene Phenylgruppe in den Formeln an allen freien Positionen jeweils mit einem Rest R^H1 substituiert ist. Besonders bevorzugt unter den beiden Formeln ist die Formel (H-1). Bevorzugt sind die Gruppen Ar^H1 in den oben genannten Formeln bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus Phenyl, Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl, Naphthyl, Fluorenyl, insbesondere 9,9'-Dimethylfluorenyl und 9,9'-Diphenylfluorenyl, Benzofluorenyl, Spirobifluorenyl, Indenofluorenyl, Dibenzofuranyl, Dibenzothiophenyl, Carbazolyl, Benzofuranyl, Benzothiophenyl, benzokondensiertes Dibenzofuranyl, benzokondensiertes Dibenzothiophenyl, Naphthyl-substituiertes Phenyl, Fluorenyl-substituiertes Phenyl, Spirobifluorenyl-substituiertes Phenyl, Dibenzofuranyl-substituiertes Phenyl, Dibenzothiophenyl-substituiertes Phenyl, Carbazolyl-substituiertes Phenyl, Pyridyl- substituiertes Phenyl, Pyrimidyl- substituiertes Phenyl, und Triazinyl-substituiertes Phenyl, die jeweils mit Resten R^H1 substituiert sind. Bevorzugt ist weiterhin Index m = 0 oder 1. Zur Klarstellung bedeutet Index m=0, dass die Aminogruppe und die Spirobifluorenylgruppe bzw. Fluorenylgruppe direkt miteinander verbunden sind. Index m=2 bzw. 3 bedeutet, dass 2 bzw. 3 Phenylgruppen direkt hintereinander angeordnet sind.
Bevorzugt ist in den Formeln (H-1) und (H-2) mindestens ein R^H1 vorhanden, das an die aromatischen Ringe der Spirobifluorenylgruppe bzw. der Fluorenylgruppe gebunden ist, und das gewählt ist aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind.
Weiterer Gegenstand der vorliegenden Anmeldung ist damit eine elektronische Vorrichtung, enthaltend Anode, Kathode, und zwischen Anode und Kathode angeordnete emittierende Schicht, dadurch gekennzeichnet, dass

- zwischen Anode und emittierender Schicht eine oder mehrere Schichten enthaltend eine Verbindung einer Formel (H-1) oder (H-2) vorliegen

^H1

Ar^H1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H1 substituiert sind; und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H1 substituiert sind;
R^H1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^H2, CN, Si(R^H2)₃, N(R^H2)₂, P(=O)(R^H2)₂, OR^H2, S(=O)R^H2, S(=O)₂R^H2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^H1 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H2 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch - R^H2C=CR^H2-, -C=C-, Si(R^H2)₂, C=O, C=NR^H2, -C(=O)O-, -C(=O)NR^H2-, NR^H2, P(=O)(R^H2), -O-, S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können;
R^H2 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^H3, CN, Si(R^H3)₃, N(R^H3)₂, P(=O)(R^H3)₂, OR^H3, S(=O)R^H3, S(=O)₂R^H3, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^H2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H3 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch - R^H3C=CR^H3-, -C≡C-, Si(R^H3)₂, C=O, C=NR^H3, -C(=O)O-, -C(=O)NR^H3-, NR^H3, P(=O)(R^H3), -O-, S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können;
R^H3 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^H3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können; und

^H1

^H2

- zwischen emittierender Schicht und Kathode eine oder mehrere Schichten enthaltend eine Verbindung einer Formel (E) vorliegen

²

⁴

¹

³

²

⁵

¹

⁶

₃

⁶

₂

⁶

₂

⁶

¹

⁶

₂

⁶

₂

⁶

₂

²

⁶

₃

⁶

₂

⁶

₂

⁶

²

⁶

₂

⁶

₂

⁶

^6-,

⁶

₂

³

⁶

₃

⁶

₂

⁶

₂

⁶

₂

⁶

³

⁶

₂

⁶

₂

⁶

^6-,

⁶

₂

⁴

⁶

₃

⁶

₂

⁶

₂

⁶

₂

⁶

⁴

⁶

₂

⁶

₂

⁶

₂

⁵

⁶

₃

⁶

₂

⁶

₂

⁶

₂

⁶

⁵

⁶

₂

⁶

₂

⁶

^6-,

⁶

₂

⁶

⁷

₃

⁷

₂

⁷

₂

⁷

₂

⁷

⁶

⁷

₂

⁷

₂

⁷

^7-

⁷

₂

⁷

Für die oben genannte Ausführungsform ist es bevorzugt, wenn anstelle der Verbindung der Formel (H-1) oder (H-2) andere bevorzugte Ausführungsformen der Verbindung der Formel (H), wie weiter unten definiert, in der elektronischen Vorrichtung vorliegen.
Besonders bevorzugt sind in den Formeln (H-1) und (H-2) 1, 2, 3 oder 4 gleiche oder verschiedene Gruppen R^H1 vorhanden, die an die aromatischen Ringe der Spirobifluorenylgruppe bzw. der Fluorenylgruppe gebunden sind, und die gewählt sind aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, und die restlichen Gruppen R^H1, die an die aromatischen Ringe der Spirobifluorenylgruppe bzw. der Fluorenylgruppe gebunden sind, sind gleich H.
Bevorzugte Ausführungsformen der Formel (H-1) entsprechen den folgenden Formeln (H-1-a) bis (H-1-p)

wobei R^H1-1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H2 substituiert sind; und wobei die sonstigen Variablen wie oben definiert sind und bevorzugt ihren oben genannten bevorzugten Ausführungsformen entsprechen, und wobei die Spirobifluorenylgruppe und die Phenylengruppe an allen freien Positionen jeweils mit einem Rest R^H1 substituiert ist, der bevorzugt H ist. Besonders bevorzugt unter den oben genannten Formeln sind die Formeln (H-1-a), (H-1-d), (H-1-i) und (H-1-1), besonders die Formeln (H-1-d) und (H-1-I), insbesondere die Formel (H-1-d). Die Phenylengruppe kann eine para-Phenylengruppe, eine meta-Phenylengruppe oder eine ortho-Phenylengruppe sein.
Allgemein bevorzugt ist R^H1-1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus Methyl, iso-Propyl, tert-Butyl, Phenyl, Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl, und Naphthyl.
Bevorzugte Ausführungsformen der Formeln (H-1) und (H-2) entsprechen den Formeln (H-1-1) und (H-2-1)

wobei die auftretenden Gruppen und Indices definiert sind wie oben und bevorzugt ihren oben angegebenen bevorzugten Ausführungsformen entsprechen, und wobei die Spirobifluorenylgruppe, die Fluorenylgruppe und die optional vorhandene Phenylengruppe in den Formeln an allen freien Positionen jeweils mit einem Rest R^H1 substituiert ist. Besonders bevorzugt unter den beiden Formeln ist die Formel (H-1-1).
Besonders bevorzugte Ausführungsformen der Formel (H-1-1) entsprechen den Formeln (H-1-1-a) bis (H-1-1-p)

wobei R^H1-1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H2 substituiert sind; und wobei die sonstigen Variablen wie oben definiert sind und bevorzugt ihren oben genannten bevorzugten Ausführungsformen entsprechen, und wobei die Spirobifluorenylgruppe und die Phenylengruppe an allen freien Positionen jeweils mit einem Rest R^H1 substituiert ist, der bevorzugt H ist. Besonders bevorzugt unter den oben genannten Formeln sind die Formeln (H-1-1-a), (H-1-1-d), (H-1-1-i) und (H-1-1-1), besonders die Formeln (H-1-1-d) und (H-1-1-I), insbesondere die Formel (H-1-1-d). Die Phenylengruppe kann eine para-Phenylengruppe, eine meta-Phenylengruppe oder eine ortho-Phenylengruppe sein.
Ganz besonders bevorzugt entspricht die Verbindung der Formel (H) einer der folgenden Formeln
wobei R^H1-1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H2 substituiert sind; und wobei die sonstigen Variablen wie oben definiert sind und bevorzugt ihren oben genannten bevorzugten Ausführungsformen entsprechen, und wobei die Spirobifluorenylgruppe an allen freien Positionen jeweils mit einem Rest R^H1 substituiert ist, der bevorzugt H ist.
Bevorzugte konkrete Ausführungsformen von Verbindungen der Formel (H) sind in der folgenden Tabelle gezeigt:
Bevorzugt ist A in der Verbindung der Formel (E-1) gleich
, wobei die gestrichelten Bindungen die Bindungen von A zum Rest der Formel kennzeichnen. Bevorzugt ist Z gleich CR², wenn keine Gruppe
daran gebunden ist, und ist gleich C, wenn eine solche Gruppe daran gebunden ist.
Bevorzugt sind zwei Gruppen X im Ring in Formel (E) gleich N, und die dritte Gruppe X ist gleich CR⁴, oder es sind alle drei Gruppen X im Ring in Formel (E) gleich N. Besonders bevorzugt sind alle drei Gruppen X im Ring in Formel (E) gleich N.
Bevorzugt entspricht die Gruppe
der folgenden Formel:
wobei die gestrichelte Linie die Bindung an den Rest der Formel darstellt.
Bevorzugt ist Ar² bei jedem Auftreten gleich oder verschieden, bevorzugt gleich, gewählt aus Gruppen abgeleitet von Benzol, Cyanobenzol, Biphenyl, Terphenyl, Naphthalin, Phenanthren, Triphenylen, Fluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Spirobifluoren, Dibenzofuran, Dibenzofuranyl-substituiertes Benzol, Dibenzothiophen, Dibenzothiophenyl-substituiertes Benzol, Carbazol, Carbazolyl-substituiertes Benzol, Bis-N-Carbazolyl-substituiertes Benzol, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R⁵ substituiert sind, besonders bevorzugt Benzol, Cyanobenzol, Biphenyl, Terphenyl, Naphthalin, Phenanthren, Triphenylen, Dibenzofuran, Dibenzofuranyl-substituiertes Benzol, Dibenzothiophen, Dibenzothiophenyl-substituiertes Benzol und Carbazol, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R⁵ substituiert sind. Ganz besonders bevorzugt ist Ar² Benzol, das jeweils mit einem oder mehreren Resten R⁵ substituiert ist, wobei in diesem Fall R⁵ insbesondere gewählt ist aus H und CN. Am stärksten bevorzugt ist unsubstituiertes Benzol.
Ar¹ ist bevorzugt gleich oder verschieden gewählt aus divalenten Gruppen abgeleitet von Benzol, Biphenyl, Terphenyl, Naphthalin, Fluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Spirobifluoren, Dibenzofuran, Dibenzothiophen und Carbazol, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R³ substituiert sein können. Ganz besonders bevorzugt ist Ar¹ eine divalente Gruppe abgeleitet von Benzol, Biphenyl und Naphthyl, das jeweils mit einem oder mehreren Resten R³ substituiert sein kann und bevorzugt unsubstituiert ist, insbesondere p-Phenylen, o-Phenylen oder m-Phenylen, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R³ substituiert sein können und bevorzugt unsubstituiert sind, am stärksten bevorzugt p-Phenylen, das mit einem oder mehreren Resten R³ substituiert sein kann und bevorzugt unsubstituiert ist.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist Index n gleich 0. Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform ist Index n gleich 1, 2 oder 3, bevorzugt gleich 1 oder 2, besonders bevorzugt gleich 1.
Bevorzugte Gruppen -(Ar¹)_n-, insbesondere -Ar¹-, entsprechen den folgenden Formeln:

wobei die gestrichelten Linien die Bindungen an den Rest der Formel darstellen. Besonders bevorzugt sind darunter die Formeln (Ar¹-1) bis (Ar¹-9), (Ar¹-15) und (Ar¹-19).
Bevorzugt ist R¹ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden, bevorzugt gleich gewählt aus H, D, F, CN, Si(R⁶)₃, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CH₂-Gruppen durch -C=C-, -R⁶C=CR⁶-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -NR⁶-, -O-, -S-, -C(=O)O- oder -C(=O)NR⁶- ersetzt sein können. Besonders bevorzugt ist R¹ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden, bevorzugt gleich gewählt aus H, F, geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die aromatischen Ringsysteme und die heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind. Ganz besonders bevorzugt ist R¹ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden, bevorzugt gleich, gewählt aus Methyl und Phenyl.
Bevorzugt ist R² bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(R⁶)₃, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CH₂-Gruppen durch -C=C-, -R⁶C=CR⁶-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -NR⁶-, -O-, - S-, -C(=O)O- oder -C(=O)NR⁶- ersetzt sein können. Besonders bevorzugt ist R² bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind. Ganz besonders bevorzugt ist R² gleich H.
Bevorzugt ist R³ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(R⁶)₃, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CH₂-Gruppen durch -C=C-, -R⁶C=CR⁶-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -NR⁶-, -O-, - S-, -C(=O)O- oder -C(=O)NR⁶- ersetzt sein können.
Bevorzugt ist R⁴ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(R⁶)₃, geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind. Besonders bevorzugt ist R⁴ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R⁶ substituiert sind. Ganz besonders bevorzugt ist R⁴ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, Phenyl, Biphenyl, Terphenyl und Naphthyl, die jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind.
Bevorzugt ist R⁵ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(R⁶)₃, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CH₂-Gruppen durch -C≡C-, -R⁶C=CR⁶-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -NR⁶-, -O-, - S-, -C(=O)O- oder -C(=O)NR⁶- ersetzt sein können.
Bevorzugt ist R⁶ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, CN, Si(R⁷)₃, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁷ substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CH₂-Gruppen durch -C≡C-, -R⁷C=CR⁷-, Si(R⁷)₂, C=O, C=NR⁷, -NR⁷-, -O-, - S-, -C(=O)O- oder -C(=O)NR⁷- ersetzt sein können.
Die Verbindung der Formel (E) entspricht bevorzugt einer der folgenden Formeln:

wobei die auftretenden Symbole und Indices definiert sind wie oben und bevorzugt ihren oben angegebenen bevorzugten Ausführungsformen entsprechen. Insbesondere ist es für die Formeln bevorzugt, dass Z gleich CR² ist, wenn keine Gruppe
bzw.
daran gebunden ist, und Z gleich C ist, wenn eine solche Gruppe daran gebunden ist. Weiterhin ist es bevorzugt, dass R¹ gleich Methyl oder Phenyl ist. Bevorzugt unter den Formeln (E-1) bis (E-4) sind die Formeln (E-1) und (E-2), besonders bevorzugt die Formel (E-1).
Bevorzugte Ausführungsformen der Formeln (E-1) bis (E-4) entsprechen den folgenden Formeln:

wobei die auftretenden Symbole und Indices definiert sind wie oben und bevorzugt ihren oben angegebenen bevorzugten Ausführungsformen entsprechen. Mit der Darstellung -(R²)₃ bzw. -(R²)₄ ist dabei gemeint, dass drei bzw. vier Gruppen R² am betreffenden Benzolring vorliegen, d.h. eine Gruppe R² an jeder freien Position am betreffenden Benzolring. Bevorzugt gelten für die Formeln die oben genannten bevorzugten Ausführungsformen der Gruppen Ar¹, Ar², R¹ und R². Insbesondere bevorzugt ist in den oben genannten Formeln Ar¹ gleich Phenyl oder Biphenyl, inbesondere Phenyl; Ar² ist gleich Phenyl oder Biphenyl, R¹ ist gleich Methyl oder Phenyl, und R² ist gleich H.
Bevorzugt unter den obenstehenden Formeln (E-1-1) bis (E-4-4) sind die Formeln (E-1-1) bis (E-1-4) und (E-2-1) bis (E-2-4), insbesondere die Formeln (E-1-1) bis (E-1-4). Unter den Formeln (E-1-1) bis (E-1-4) und (E-2-1) bis (E-2-4) sind die Formeln (E-1-2), (E-1-4), (E-2-2) und (E-2-4) bevorzugt, insbesondere die Formeln (E-1-2) und (E-1-4).
Insbesondere ist es für die Formeln (E-1-1) bis (E-4-4) bevorzugt, dass

- Ar¹ gleich oder verschieden gewählt ist aus divalenten Gruppen abgeleitet von Benzol, Biphenyl, Terphenyl, Naphthalin, Fluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Spirobifluoren, Dibenzofuran, Dibenzothiophen und Carbazol, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R³ substituiert sein können;
- Ar² bei jedem Auftreten gleich oder verschieden, bevorzugt gleich, gewählt ist aus Gruppen abgeleitet von Benzol, Cyanobenzol, Biphenyl, Terphenyl, Naphthalin, Phenanthren, Triphenylen, Fluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Spirobifluoren, Dibenzofuran, Dibenzofuranyl-substituiertes Benzol, Dibenzothiophen, Dibenzothiophenyl-substituiertes Benzol, Carbazol, Carbazolyl-substituiertes Benzol, Bis-N-Carbazolyl-substituiertes Benzol, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R⁵ substituiert sind;
- R¹ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind;
- R² bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, F, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die aromatischen Ringsysteme und die heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind.

Bevorzugte konkrete Ausführungsformen für Verbindungen der Formel (E) sind gewählt aus den folgenden Verbindungen:
Die Schicht enthaltend die Verbindung der Formel (H) ist bevorzugt eine lochtransportierende Schicht. Die Verbindung der Formel (H) kann in der Schicht in Reinform oder in Mischung mit einem weiteren lochtransportierenden Material vorliegen, oder in Mischung mit einem p-Dotanden vorliegen. Das weitere lochtransportierende Material ist dabei bevorzugt gewählt aus Triarylaminen, besonders bevorzugt Mono-Triarylaminen, insbesondere aus den unten explizit abgebildeten bevorzugten Lochtransportmaterialien.
Als p-Dotanden werden gemäß der vorliegenden Erfindung bevorzugt solche organischen Elektronenakzeptorverbindungen eingesetzt, die eine oder mehrere der anderen Verbindungen der Mischung oxidieren können.
Besonders bevorzugt als p-Dotanden sind Chinodimethanverbindungen, Azaindenofluorendione, Azaphenalene, Azatriphenylene, I₂, Metallhalogenide, bevorzugt Übergangsmetallhalogenide, Metalloxide, bevorzugt Metalloxide enthaltend mindestens ein Übergangsmetall oder ein Metall der 3. Hauptgruppe, und Übergangsmetallkomplexe, bevorzugt Komplexe von Cu, Co, Ni, Pd und Pt mit Liganden enthaltend mindestens ein Sauerstoffatom als Bindungsstelle. Bevorzugt sind weiterhin Übergangsmetalloxide als Dotanden, bevorzugt Oxide von Rhenium, Molybdän und Wolfram, besonders bevorzugt Re₂O₇, MoO₃, WO₃ und ReO₃. Nochmals weiterhin bevorzugt sind Komplexe von Bismut in der Oxidationsstufe (III), insbesondere Bismut(III)-Komplexe mit elektronenarmen Liganden, insbesondere Carboxylat-Liganden.
Die p-Dotanden liegen bevorzugt weitgehend gleichmäßig verteilt in den p-dotierten Schichten vor. Dies kann beispielsweise durch Co-Verdampfung des p-Dotanden und der Lochtransportmaterial-Matrix erreicht werden. Der p-Dotand liegt bevorzugt in einem Anteil von 1 bis 10 % in der p-dotierten Schicht vor.
Bevorzugt sind als p-Dotanden insbesondere die folgenden Verbindungen:

Neben der Schicht enthaltend die Verbindung der Formel (H) kann die elektronische Vorrichtung eine oder mehrere weitere lochtransportierende Schichten, eine Lochinjektionsschicht und eine Elektronenblockierschicht enthalten. Bevorzugt ist ein Schichtaufbau der elektronischen Vorrichtung, bei dem eine Lochinjektionsschicht vorhanden ist, die direkt an die Anode angrenzt und die neben der Schicht enthaltend die Verbindung der Formel (H) angeordnet ist, und eine Elektronenblockierschicht vorhanden ist, die direkt anodenseitig an die emittierende Schicht angrenzt.
Die Lochinjektionsschicht enthält bevorzugt ein lochtransportierendes Material, bevorzugt ein Triarylamin, besonders bevorzugt eine Verbindung gewählt aus den unten angegebenen konkreten Ausführungsformen von Lochtransportmaterialien, sowie einen p-Dotanden, wie oben definiert. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform enthält die Lochinjektionsschicht eine Verbindung gemäß Formel (H), wie oben definiert, und einen p-Dotanden, wie oben definiert.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform enthält die Lochinjektionsschicht ein Hexaazatriphenylenderivat, wie in US 2007/0092755 beschrieben, oder eine andere stark elektronenarme und/oder Lewis-saure Verbindung in Reinform, d.h. nicht in Mischung mit einer anderen Verbindung. Beispiele für derartige Verbindungen sind unter anderem Bismut-Komplexe, insbesondere Bi(III)-Komplexe, insbesondere Bi(III)-carboxylate wie die oben genannte Verbindung D-14.
Bevorzugt enthält die elektronische Vorrichtung eine Elektronenblockierschicht, die direkt anodenseitig an die emittierende Schicht angrenzt. Die Elektronenblockierschicht enthält bevorzugt eine Verbindung gewählt aus Triarylaminen, die eine oder mehrere Fluorenyl- oder Spirobifluorenyl-Gruppen enthalten.
Insbesondere bevorzugt sind Verbindungen gemäß einer Formel (EBM)
wobei gilt:

Y ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus O, S und NR^EBM1;
Ar³ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die jeweils mit Resten R^EBM1 substituiert sind;
k ist gleich 1, 2 oder 3;
i ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus 0, 1, 2 und 3;
und wobei die Formel an freien Positionen jeweils mit einem Rest R^EBM1 substituiert ist, wobei
R^EBM1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^EBM2, CN, Si(R^EBM2)₃, N(R^EBM2)₂, P(=O)(R^EBM2)₂, OR^EBM2, S(=O)R^EBM2, S(=O)₂R^EBM2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^EBM1 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^EBM2 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R^EBM2C=CR^EBM2-, -C≡C-, Si(R^EBM2)₂, C=O, C=NR^EBM2, -C(=O)O-, -C(=O)NR^EBM2-, NR^EBM2, P(=O)(R^EBM2), -O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können;
R^EBM2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^EBM3, CN, Si(R^EBM3)₃, N(R^EBM3)₂, P(=O)(R^EBM3)_2, OR^EBM3 S(=O)R^EBM3, S(=O)₂R^EBM3, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^EBM2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^EBM3 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R^EBM3C=CR^EBM3-, -C=C-, Si(R^EBM3)_2, C=O, C=NR^EBM3, -C(=O)O-, -C(=O)NR^EBM3-, NR^EBM3, P(=O)(R^EBM3), -O-, S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können;
R^EBM3 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, Cl, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^EBM3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können.

Bevorzugt ist in Formel (EBM) Y bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus O und S, besonders bevorzugt gleich O. Weiterhin bevorzugt ist k gleich 1 oder 2. Weiterhin bevorzugt ist i bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus 1 und 2, besonders bevorzugt 1.
Bevorzugt ist mindestens ein Ar³ in Formel (EBM), besonders bevorzugt genau ein Ar³ in Formel (EBM), gewählt aus Phenyl, Biphenyl, Terphenyl, Fluorenyl-substituiertem Phenyl, und Spirobifluorenyl-substituiertem Phenyl, die jeweils mit Resten R^EBM1 substituiert sind.
Bevorzugte Ausführungsformen der Formel (EBM) entsprechen den folgenden Formeln

und wobei die Formel an freien Positionen jeweils mit einem Rest R^EBM1 substituiert ist. In den oben genannten Formeln (EBM-1) bis (EBM-4) ist es bevorzugt, dass die Fluorenyl- bzw. Spirobifluorenyl-Gruppe jeweils in ihrer 1- oder 4-Position gebunden ist, besonders bevorzugt in ihrer 4-Position:
Verbindungen, die als Lochtransportmaterialien in der elektronischen Vorrichtung eingesetzt werden, sind insbesondere Indenofluorenamin-Derivate, Aminderivate, Hexaazatriphenylenderivate, Aminderivate mit kondensierten Aromaten, Monobenzoindenofluorenamine, Dibenzoindenofluorenamine, Spirobifluoren-Amine, Fluoren-Amine, Spiro-Dibenzopyran-Amine, Dihydroacridin-Derivate, Spirodibenzofurane und Spirodibenzothiophene, Phenanthren-Diarylamine, Spiro-Tribenzotropolone, Spirobifluorene mit meta-Phenyldiamingruppen, Spiro-Bisacridine, Xanthen-Diarylamine, und 9,10-Dihydroanthracen-Spiroverbindungen mit Diarylaminogruppen.
Konkrete bevorzugte Verbindungen, die als Lochtransportmaterialien in der elektronischen Vorrichtung eingesetzt werden, sind in der folgenden Tabelle gezeigt:
Die Schicht enthaltend die Verbindung der Formel (E) ist bevorzugt eine Elektronentransportschicht. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform grenzt die Schicht enthaltend die Verbindung der Formel (E) nicht direkt an die emittierende Schicht an, sondern es befindet sich eine Lochblockierschicht, die direkt an die emittierende Schicht angrenzt, zwischen emittierender Schicht und Schicht enthaltend die Verbindung der Formel (E).
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform enthält die elektronische Vorrichtung zwischen emittierender Schicht und Kathode eine Lochblockierschicht, die direkt an die emittierende Schicht angrenzt, und eine Elektronentransportschicht. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist eine Elektroneninjektionsschicht zwischen Elektronentransportschicht und Kathode vorhanden, die direkt an die Kathode angrenzt. Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform ist eine solche Elektroneninjektionsschicht nicht vorhanden. In diesem Fall enthält die Elektronentransportschicht bevorzugt zusätzlich zum Elektronentransportmaterial ein Alkalimetallsalz, besonders bevorzugt ein Lithiumsalz. Das Alkalimetallsalz ist bevorzugt ein Salz mit einem organischen Anion, besonders bevorzugt 8-Hydroxychinolinat. Ganz besonders bevorzugt ist das Alkalimetallsalz Lithium-8-Hydroxychinolinat.
Die Elektronentransportschicht der elektronischen Vorrichtung enthält bevorzugt eine Verbindung der Formel (E).
Bevorzugt enthält die Lochblockierschicht eine Verbindung einer Formel (HBM)
wobei gilt:

Ar^HBM1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^HBM1 substituiert sind, und aus heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^HBM1 substituiert sind;
p is 0 oder 1, wobei für p=0 das Stickstoffatom und die Gruppe Q direkt miteinander verbunden sind;
Q ist gewählt aus elektronenarmen Heteroarylgruppen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mindestens ein Stickstoffatom als aromatisches Ringatom enthalten, und die mit Resten R^HBM2 substituiert sind;
R^HBM1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^HBM3, CN, Si(R^HBM3)₃, N(R^HBM3)₂, P(=O)(R^HBM3)₂, S(=O)R^HBM3, S(=O)₂R^HBM3, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^HBM1 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^HBM3 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -_RHBM ³C=CR^HBM3- , -C≡C-, Si(R^HBM3)₂, C=O, C=NR^HBM3, -C(=O)-, -C(=O)NR^HBM3-, NR^HBM3, P(=O)(R^HBM3), -O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können;
R^HBM2 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^HBM3, CN, Si(R^HBM3)₃, N(R ^HBM3 P(=O)(R^HBM3)_2, OR^HBM3 S(=O)R^HBM3, S(=O)2R^HBM3, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^HBM2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^HBM3 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R^HBM3C=CR^HBM3- , -C≡C-, Si(R^HBM3)₂, C=O, C=NR^HBM3, -C(=O)O-, -C(=O)NR^HBM3-, NR^HBM3, P(=O)(R^HBM3), -O-, -S- SO oder SO₂ ersetzt sein können;
R^HBM3 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^HBM3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können;

^HBM1

Bevorzugt ist Ar^HBM1 gewählt aus einer divalenten Gruppe abgeleitet von Benzol, Biphenyl, Terphenyl, Naphthalin, Fluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Spirobifluoren, Dibenzofuran, Dibenzothiophen und Carbazol, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R^HBM1 substituiert sein können. Ganz besonders bevorzugt ist Ar^HBM1 eine divalente Gruppe abgeleitet von Benzol, Biphenyl und Naphthyl, das jeweils mit einem oder mehreren Resten R^HBM1 substituiert sein kann und bevorzugt unsubstituiert ist, insbesondere p-Phenylen, o-Phenylen oder m-Phenylen, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R^HBM1 substituiert sein können und bevorzugt unsubstituiert sind, am stärksten bevorzugt p-Phenylen, das mit einem oder mehreren Resten R^HBM1 substituiert sein kann und bevorzugt unsubstituiert ist.
Bevorzugte Gruppen Ar^HBM1 entsprechen den oben abgebildeten Gruppen der Formeln Ar¹-1 bis Ar¹-75.
Bevorzugt ist Index p=0.
Bevorzugt ist Q gewählt aus Gruppen enthaltend mindestens einen heteroaromatischen Sechsring, der mindestens ein Stickstoffatom als Ringatom enthält, oder aus Gruppen enthaltend mindestens einen heteroaromatischen Fünfring, der mindestens zwei Stickstoffatome als Ringatome enthält. Der genannte Sechsring bzw. Fünfring kann dabei mit weiteren Ringen kondensiert sein. Der genannte heteroaromatische Sechsring enthaltend mindestens ein Stickstoffatom als Ringatom ist insbesondere gewählt aus Azinen.
Besonders bevorzugt ist Q gewählt aus Triazin, Pyrididin und Chinazolin, die jeweils mit Resten R^HBM2 substituiert sind. Ganz besonders bevorzugt ist Q gewählt aus Triazin und Pyrimidin, die jeweils mit Resten R^HBM2 substituiert sind. Am stärksten bevorzugt ist Q Triazin, das jeweils mit Resten R^HBM2 substituiert ist, wobei die Resten R^HBM2 in diesem Fall bevorzugt gewählt sind aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, insbesondere Phenyl, Naphthyl, Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl und Fluorenyl.
Bevorzugte Ausführungsformen der Gruppe Q sind gewählt aus den Formeln (Q-1) bis (Q-5)
wobei die gestrichelte Linie die Bindung an den Rest der Formel kennzeichnet, und wobei R^HBM2 in den Formeln (Q-1) bis (Q-5) bevorzugt gewählt ist aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, insbesondere Phenyl, Naphthyl, Biphenyl, Terphenyl, Quaterphenyl und Fluorenyl. Unter den Formeln (Q-1) bis (Q-5) sind die Formeln (Q-1) bis (Q-3) besonders bevorzugt, am stärksten die Formel (Q-1).
Bevorzugte Ausführungsformen der Formel (HBM) entsprechen den folgenden Formeln (HBM-1) bis (HBM-4)
wobei das Spirobifluoren an jeder freien Position mit einem Rest R^HBM1 substituiert ist und bevorzugt unsubstituiert ist, und wobei die sonstigen Variablen definiert sind wie oben und bevorzugt ihren oben angegebenen bevorzugten Ausführungsformen entsprechen. Besonders bevorzugt unter den oben genannten Formeln ist die Formel (HBM-1).
Bevorzugte Verbindungen der Formel (HBM) sind in der folgenden Tabelle gezeigt:
Bevorzugt enthält die Elektronentransportschicht enthaltend die Verbindung der Formel (E) zusätzlich ein Alkalimetallsalz, besonders bevorzugt ein Lithiumsalz. Das Alkalimetallsalz ist bevorzugt ein Salz mit einem organischen Anion, besonders bevorzugt 8-Hydroxychinolinat. Ganz besonders bevorzugt ist das Alkalimetallsalz Lithium-8-Hydroxychinolinat (LiQ).
Die Elektroneninjektionsschicht enthält bevorzugt eine oder mehrere, bevorzugt eine Verbindung gewählt aus LiQ, Yb, LiF und CsF. Bevorzugt hat die Elektroneninjektionsschicht eine Dicke von 0.5 bis 5 nm, insbesondere von 1 bis 3 nm.
Als Materialien für die Schichten zwischen emittierender Schicht und Kathode, insbesondere für die Elektronentransportschicht, können alle Materialien verwendet werden, die gemäß dem Stand der Technik als elektronentransportierende Materialien für entsprechende Vorrichtungen verwendet werden. Insbesondere eignen sich Aluminiumkomplexe, beispielsweise Alq₃, Zirkoniumkomplexe, beispielsweise Zrq₄, Lithiumkomplexe, beispielsweise Liq, Benzimidazolderivate, Triazinderivate, Pyrimidinderivate, Pyridinderivate, Pyrazinderivate, Chinoxalinderivate, Chinolinderivate, Oxadiazolderivate, aromatische Ketone, Lactame, Borane, Diazaphospholderivate und Phosphinoxidderivate.
Bevorzugte konkrete Ausführungsformen solcher Verbindungen sind in der folgenden Tabelle gezeigt:
Die elektronische Vorrichtung ist bevorzugt ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus organischen integrierten Schaltungen (OICs), organischen Feld-Effekt-Transistoren (OFETs), organischen Dünnfilmtransistoren (OTFTs), organischen lichtemittierenden Transistoren (OLETs), organischen Solarzellen (OSCs), organischen optischen Detektoren, organischen Photorezeptoren, organischen Feld-Quench-Devices (OFQDs), organischen lichtemittierenden elektrochemischen Zellen (OLECs), organischen Laserdioden (O-Laser) und besonders bevorzugt organischen Elektrolumineszenzvorrichtungen (OLEDs).
Außer Kathode, Anode, emittierender Schicht, Schicht enthaltend eine Verbindung der Formel (H) und Schicht enthaltend eine Verbindung der Formel (E) kann die elektronische Vorrichtung noch weitere Schichten enthalten. Diese sind beispielsweise gewählt aus jeweils einer oder mehreren Lochinjektionsschichten, Lochtransportschichten, Lochblockierschichten, Elektronentransportschichten, Elektroneninjektionsschichten, Elektronenblockierschichten, Excitonenblockierschichten, Zwischenschichten (Interlayers), Ladungserzeugungsschichten (Charge-Generation Layers) und/oder organischen oder anorganischen p/n-Übergängen.
Ein bevorzugter Aufbau der elektronischen Vorrichtung ist folgender:

- Anode
- Lochinjektionsschicht
- Schicht enthaltend die Verbindung der Formel (H) als Lochtransportschicht
- optional weitere Lochtransportschicht(en)
- Elektronenblockierschicht
- emittierende Schicht
- Lochblockierschicht
- Schicht enthaltend die Verbindung der Formel (E) als Elektronentransportschicht
- optional weitere Elektronentransportschicht(en)
- optional Elektroneninjektionsschicht
- Kathode.

Die emittierende Schicht der Vorrichtung kann eine fluoreszierende oder eine phosphoreszierende emittierende Schicht sein. Bevorzugt ist die emittierende Schicht der Vorrichtung eine fluoreszierende emittierende Schicht, insbesondere bevorzugt eine blau fluoreszierende emittierende Schicht. In fluoreszierenden emittierenden Schichten ist der Emitter bevorzugt ein Singulett-Emitter, d.h. eine Verbindung, die beim Betrieb der Vorrichtung aus einem angeregten Singulett-Zustand heraus Licht emittiert. In phosphoreszierenden emittierenden Schichten ist der Emitter bevorzugt ein Triplett-Emitter, d.h. eine Verbindung, die beim Betrieb der Vorrichtung aus einem angeregten Triplett-Zustand heraus oder aus einem Zustand mit einer höheren Spinquantenzahl, beispielsweise einem Quintett-Zustand, heraus Licht emittiert.
Als fluoreszierende emittierende Schichten werden gemäß einer bevorzugten Ausführungsform blau fluoreszierende Schichten eingesetzt.
Als phosphoreszierende emittierende Schichten werden gemäß einer bevorzugten Ausführungsform grün oder rot phosphoreszierende emittierende Schichten eingesetzt.
Als phosphoreszierende Emitter eignen sich insbesondere Verbindungen, die bei geeigneter Anregung Licht, vorzugsweise im sichtbaren Bereich, emittieren und außerdem mindestens ein Atom der Ordnungszahl größer 20, bevorzugt größer 38 und kleiner 84, besonders bevorzugt größer 56 und kleiner 80 enthalten. Bevorzugt werden als phosphoreszierende Emitter Verbindungen, die Kupfer, Molybdän, Wolfram, Rhenium, Ruthenium, Osmium, Rhodium, Iridium, Palladium, Platin, Silber, Gold oder Europium enthalten, verwendet, insbesondere Verbindungen, die Iridium, Platin oder Kupfer enthalten.
Generell eignen sich alle phosphoreszierenden Komplexe, wie sie gemäß dem Stand der Technik für phosphoreszierende OLEDs verwendet werden und wie sie dem Fachmann auf dem Gebiet der organischen Elektrolumineszenzvorrichtungen bekannt sind, zur Verwendung in den erfindungsgemäßen Vorrichtungen.
Bevorzugte fluoreszierende emittierende Verbindungen sind ausgewählt aus der Klasse der Arylamine. Unter einem Arylamin bzw. einem aromatischen Amin im Sinne dieser Erfindung wird eine Verbindung verstanden, die drei substituierte oder unsubstituierte aromatische oder heteroaromatische Ringsysteme direkt an den Stickstoff gebunden enthält. Bevorzugt ist mindestens eines dieser aromatischen oder heteroaromatischen Ringsysteme ein kondensiertes Ringsystem, besonders bevorzugt mit mindestens 14 aromatischen Ringatomen. Bevorzugte Beispiele hierfür sind aromatische Anthracenamine, aromatische Anthracendiamine, aromatische Pyrenamine, aromatische Pyrendiamine, aromatische Chrysenamine oder aromatische Chrysendiamine.
Unter einem aromatischen Anthracenamin wird eine Verbindung verstanden, in der eine Diarylaminogruppe direkt an eine Anthracengruppe gebunden ist, vorzugsweise in 9-Position. Unter einem aromatischen Anthracendiamin wird eine Verbindung verstanden, in der zwei Diarylaminogruppen direkt an eine Anthracengruppe gebunden sind, vorzugsweise in 9,10-Position. Aromatische Pyrenamine, Pyrendiamine, Chrysenamine und Chrysendiamine sind analog dazu definiert, wobei die Diarylaminogruppen am Pyren bevorzugt in 1-Position bzw. in 1,6-Position gebunden sind.
Weitere bevorzugte emittierende Verbindungen sind Indenofluorenamine bzw. -diamine, Benzoindenofluorenamine bzw. -diamine, und Dibenzoindenofluorenamine bzw. -diamine, sowie Indenofluorenderivate mit kondensierten Arylgruppen. Ebenfalls bevorzugt sind Pyren-Arylamine. Ebenfalls bevorzugt sind Benzoindenofluoren-Amine, Benzofluoren-Amine, erweiterte Benzoindenofluorene, Phenoxazine, und Fluoren-Derivate, die mit Furan-Einheiten oder mit Thiophen-Einheiten verbunden sind.
Bevorzugte Verbindungen zur Verwendung als fluoreszierende Emitter sind in der folgenden Tabelle gezeigt:
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform enthält die emittierende Schicht der elektronischen Vorrichtung genau eine Matrixverbindung. Unter einer Matrixverbindung wird eine Verbindung verstanden, die keine emittierende Verbindung ist. Diese Ausführungsform ist insbesondere bevorzugt bei fluoreszierenden emittierenden Schichten.
Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform enthält die emittierende Schicht der elektronischen Vorrichtung genau zwei oder mehr, bevorzugt genau zwei Matrixverbindungen. Diese Ausführungsform, die auch als mixed-Matrix-System bezeichnet wird, ist insbesondere bevorzugt bei phosphoreszierenden emittierenden Schichten.
Der Gesamtanteil aller Matrixmaterialien im Fall einer phosphoreszierenden emittierenden Schicht beträgt bevorzugt zwischen 50.0 und 99.9 %, besonders bevorzugt zwischen 80.0 und 99.5 % und ganz besonders bevorzugt zwischen 85.0 und 97.0 %.
Unter der Angabe des Anteils in % wird dabei im Fall von Schichten, die aus der Gasphase aufgetragen werden, der Anteil in Volumen-% verstanden, und im Fall von Schichten, die aus Lösung aufgetragen werden, der Anteil in Gewichts-% verstanden.
Entsprechend beträgt der Anteil der phosphoreszierenden emittierenden Verbindung bevorzugt zwischen 0.1 und 50.0 %, besonders bevorzugt zwischen 0.5 und 20.0 % und ganz besonders bevorzugt zwischen 3.0 und 15.0 %.
Der Gesamtanteil aller Matrixmaterialien im Fall einer fluoreszierenden emittierenden Schicht beträgt bevorzugt zwischen 50.0 und 99.9 %, besonders bevorzugt zwischen 80.0 und 99.5 % und ganz besonders bevorzugt zwischen 90.0 und 99.0 %.
Entsprechend beträgt der Anteil der fluoreszierenden emittierenden Verbindung zwischen 0.1 und 50.0 %, bevorzugt zwischen 0.5 und 20.0 % und besonders bevorzugt zwischen 1.0 und 10.0 %.
Mixed-Matrix-Systeme umfassen bevorzugt zwei oder drei verschiedene Matrixmaterialien, besonders bevorzugt zwei verschiedene Matrixmaterialien. Bevorzugt stellt dabei eines der beiden Materialien ein Material mit unter anderem lochtransportierenden Eigenschaften und das andere Material ein Material mit unter anderem elektronentransportierenden Eigenschaften dar. Weitere Matrixmaterialien, die in mixed-Matrix-Systemen vorhanden sein können, sind Verbindungen mit großer Energiedifferenz zwischen HOMO und LUMO (Wide-Bandgap-Materialien). Die beiden unterschiedlichen Matrixmaterialien können in einem Verhältnis von 1:50 bis 1:1, bevorzugt 1:20 bis 1:1, besonders bevorzugt 1:10 bis 1:1 und ganz besonders bevorzugt 1:4 bis 1:1 vorliegen. Bevorzugt werden Mixed-Matrix-Systeme in phosphoreszierenden organischen Elektrolumineszenzvorrichtungen eingesetzt.
Bevorzugte Matrixmaterialien für fluoreszierende emittierende Verbindungen sind ausgewählt aus den Klassen der Oligoarylene (z. B. 2,2',7,7'-Tetraphenylspirobifluoren), insbesondere der Oligoarylene enthaltend kondensierte aromatische Gruppen, der Oligoarylenvinylene, der polypodalen Metallkomplexe, der lochleitenden Verbindungen, der elektronenleitenden Verbindungen, insbesondere Ketone, Phosphinoxide, und Sulfoxide; der Atropisomere, der Boronsäurederivate und der Benzanthracene. Besonders bevorzugte Matrixmaterialien sind ausgewählt aus den Klassen der Oligoarylene, enthaltend Naphthalin, Anthracen, Benzanthracen und/oder Pyren oder Atropisomere dieser Verbindungen, der Oligoarylenvinylene, der Ketone, der Phosphinoxide und der Sulfoxide. Ganz besonders bevorzugte Matrixmaterialien sind ausgewählt aus den Klassen der Oligoarylene, enthaltend Anthracen, Benzanthracen, Benzphenanthren und/oder Pyren oder Atropisomere dieser Verbindungen. Unter einem Oligoarylen im Sinne dieser Erfindung soll eine Verbindung verstanden werden, in der mindestens drei Aryl- bzw. Arylengruppen aneinander gebunden sind.
Bevorzugte Matrixmaterialien für fluoreszierende emittierende Verbindungen sind in der folgenden Tabelle gezeigt:
Bevorzugte Matrixmaterialien für phosphoreszierende Emitter sind aromatische Ketone, aromatische Phosphinoxide oder aromatische Sulfoxide oder Sulfone, Triarylamine, Carbazolderivate, z. B. CBP (N,N-Biscarbazolylbiphenyl) oder Carbazolderivate, Indolocarbazolderivate, Indenocarbazolderivate, Azacarbazolderivate, bipolare Matrixmaterialien, Silane, Azaborole oder Boronester, Triazinderivate, Zinkkomplexe, Diazasilol- bzw. Tetraazasilol-Derivate, Diazaphosphol-Derivate, überbrückte Carbazol-Derivate, Triphenylenderivate, oder Lactame.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform enthält die elektronische Vorrichtung genau eine emittierende Schicht.
Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform enthält die elektronische Vorrichtung mehrere emittierende Schichten, bevorzugt 2, 3 oder 4 emittierende Schichten. Dies ist insbesondere bevorzugt für weiß emittierende elektronische Vorrichtungen.
Bevorzugt weisen die Emissionsschichten in diesem Fall insgesamt mehrere Emissionsmaxima zwischen 380 nm und 750 nm auf, so dass insgesamt weiße Emission resultiert, d. h. in den emittierenden Schichten werden verschiedene emittierende Verbindungen verwendet, die fluoreszieren oder phosphoreszieren können und die blaues, grünes, gelbes, orangefarbenes oder rotes Licht emittieren. Insbesondere bevorzugt sind Dreischichtsysteme, also Systeme mit drei emittierenden Schichten, wobei jeweils eine der drei Schichten blaue, jeweils eine der drei Schichten grüne und jeweils eine der drei Schichten orangefarbene oder rote Emission zeigt. Gemäß einer alternativen Ausführungsform kann für die Erzeugung von weißem Licht anstelle mehrerer farbig emittierender Emitterverbindungen auch eine einzeln verwendete Emitterverbindung verwendet werden, welche in einem breiten Wellenlängenbereich emittiert.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthält die elektronische Vorrichtung zwei oder drei, bevorzugt drei, gleiche oder verschiedene Schichtenabfolgen übereinander gestapelt, wobei jede der Schichtenabfolgen jeweils die folgenden Schichten umfasst: Lochinjektionsschicht, lochtransportierende Schicht, Elektronenblockierschicht, emittierende Schicht, und Elektronentransportschicht, und wobei wenigstens eine, bevorzugt alle der Schichtabfolgen mindestens eine emittierende Schicht, eine Schicht enthaltend eine Verbindung der Formel (E), und eine Schicht enthaltend eine Verbindung der Formel (H) enthalten.
Zwischen den Schichtabfolgen ist bevorzugt jeweils eine Doppelschicht aus aneinandergrenzender n-CGL und p-CGL angeordnet, wobei die n-CGL anodenseitig angeordnet ist und die p-CGL entsprechend kathodenseitig. CGL steht dabei für charge generation layer, also Ladungserzeugungsschicht. Materialien zur Verwendung in derartigen Schichten sind dem Fachmann bekannt. Bevorzugt wird in der p-CGL ein p-dotiertes Amin verwendet, besonders bevorzugt ein Material, das gewählt ist aus den oben genannten bevorzugten Strukturklassen von Lochtransportmaterialien.
Als Kathode der elektronischen Vorrichtung sind Metalle mit geringer Austrittsarbeit, Metalllegierungen oder mehrlagige Strukturen aus verschiedenen Metallen bevorzugt, wie beispielsweise Erdalkalimetalle, Alkalimetalle, Hauptgruppenmetalle oder Lanthanoide (z. B. Ca, Ba, Mg, AI, In, Mg, Yb, Sm, etc.). Weiterhin eignen sich Legierungen aus einem Alkali- oder Erdalkalimetall und Silber, beispielsweise eine Legierung aus Magnesium und Silber. Bei mehrlagigen Strukturen können auch zusätzlich zu den genannten Metallen weitere Metalle verwendet werden, die eine relativ hohe Austrittsarbeit aufweisen, wie z. B. Ag oder AI, wobei dann in der Regel Kombinationen der Metalle, wie beispielsweise Ca/Ag, Mg/Ag oder Ba/Ag verwendet werden. Es kann auch bevorzugt sein, zwischen einer metallischen Kathode und dem organischen Halbleiter eine dünne Zwischenschicht eines Materials mit einer hohen Dielektrizitätskonstante einzubringen. Hierfür kommen beispielsweise Alkalimetall- oder Erdalkalimetallfluoride, aber auch die entsprechenden Oxide oder Carbonate in Frage (z. B. LiF, Li₂O, BaF₂, MgO, NaF, CsF, C_S2CO₃, etc.). Weiterhin kann dafür Lithiumchinolinat (LiQ) verwendet werden. Die Schichtdicke dieser Schicht beträgt bevorzugt zwischen 0.5 und 5 nm.
Als Anode sind Materialien mit hoher Austrittsarbeit bevorzugt. Bevorzugt weist die Anode eine Austrittsarbeit größer 4.5 eV vs. Vakuum auf. Hierfür sind einerseits Metalle mit hohem Redoxpotential geeignet, wie beispielsweise Ag, Pt oder Au. Es können andererseits auch Metall/Metalloxid-Elektroden (z. B. Al/Ni/NiO_x, Al/PtO_x) bevorzugt sein. Für einige Anwendungen muss mindestens eine der Elektroden transparent oder teiltransparent sein, um entweder die Bestrahlung des organischen Materials (organische Solarzelle) oder die Auskopplung von Licht (OLED, O-LASER) zu ermöglichen. Bevorzugte Anodenmaterialien sind hier leitfähige gemischte Metalloxide. Besonders bevorzugt sind Indium-ZinnOxid (ITO) oder Indium-Zink Oxid (IZO). Bevorzugt sind weiterhin leitfähige, dotierte organische Materialien, insbesondere leitfähige dotierte Polymere. Weiterhin kann die Anode auch aus mehreren Schichten bestehen, beispielsweise aus einer inneren Schicht aus ITO und einer äußeren Schicht aus einem Metalloxid, bevorzugt Wolframoxid, Molybdänoxid oder Vanadiumoxid.
Bei der Herstellung wird die Vorrichtung entsprechend (je nach Anwendung) strukturiert, kontaktiert und schließlich versiegelt, um schädigende Effekte von Wasser und Luft auszuschließen.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist die elektronische Vorrichtung dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Schichten mit einem Sublimationsverfahren aufgetragen werden. Dabei werden die Materialien in Vakuum-Sublimationsanlagen bei einem Anfangsdruck kleiner 10^-5 mbar, bevorzugt kleiner 10^-6 mbar aufgedampft. Dabei ist es jedoch auch möglich, dass der Anfangsdruck noch geringer ist, beispielsweise kleiner 10^-7 mbar.
Bevorzugt ist ebenfalls eine elektronische Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Schichten mit dem OVPD (Organic Vapour Phase Deposition) Verfahren oder mit Hilfe einer Trägergassublimation aufgetragen werden. Dabei werden die Materialien bei einem Druck zwischen 10^-5 mbar und 1 bar aufgebracht. Ein Spezialfall dieses Verfahrens ist das OVJP (Organic Vapour Jet Printing) Verfahren, bei dem die Materialien direkt durch eine Düse aufgebracht und so strukturiert werden.
Weiterhin bevorzugt ist eine elektronische Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Schichten aus Lösung, wie z. B. durch Spincoating, oder mit einem beliebigen Druckverfahren, wie z. B. Siebdruck, Flexodruck, Nozzle Printing oder Offsetdruck, besonders bevorzugt aber LITI (Light Induced Thermal Imaging, Thermotransferdruck) oder Ink-Jet Druck (Tintenstrahldruck), hergestellt werden.
Weiterhin bevorzugt ist es, dass zur Herstellung einer erfindungsgemäßen elektronischen Vorrichtung eine oder mehrere Schichten aus Lösung und eine oder mehrere Schichten durch ein Sublimationsverfahren aufgetragen werden.
Erfindungsgemäß können die elektronischen Vorrichtungen in Displays, als Lichtquellen in Beleuchtungsanwendungen sowie als Lichtquellen in medizinischen und/oder kosmetischen Anwendungen eingesetzt werden.
Beispiele
Verfahren zur Bestimmung der HOMO-Energie
Die HOMO-Energien werden über quantenchemische Rechnungen bestimmt. Hierzu wird das Programmpaket „Gaussian16 (Rev. B.01)“ (Gaussian Inc.) verwendet. Der neutrale Singulettgrundzustand wird auf dem B3LYP/6-31G(d)-Niveau optimiert. HOMO- und LUMO-Werte werden auf dem B3LYP/6-31 G(d)-Niveau für die mit B3LYP/6-31 G(d) optimierte Grundzustandsenergie bestimmt. Daraufhin werden TD-DFT-Singulett- und Triplettanregungen (vertikale Anregungen) mit der gleichen Methode (B3LYP/6-31G(d)) und der optimierten Grundzustandsgeometrie berechnet. Die Standardeinstellungen für SCF- und Gradientenkonvergenz werden verwendet.
Aus der Energierechnung erhält man das HOMO als das letzte mit zwei Elektronen besetzte Orbital (Alpha occ. eigenvalues) in Hartree-Einheiten, wobei HEh für die HOMO Energie in Hartree-Einheiten steht. Daraus wird der anhand von Cyclovoltammetriemessungen kalibrierte HOMO-Wert in Elektronenvolt wie folgt bestimmt: HOMO(eV) = (HEh*27.212)*0.8308-1.118
Dieser Wert ist im Sinne dieser Anmeldung als HOMO des Materials anzusehen.
Folgende Daten werden für die verwendeten Verbindungen erhalten:

Verbindung HOMO (eV) calc

HTM-Ref -4.73

HTM-1 -4.71

HTM-3 -4.70

HTM-4 -4.66

HTM-5 -4.71
Die HOMO-Werte der Verbindungen, die gemäß der vorliegenden Anmeldung verwendet werden, sind also höher als der HOMO-Wert von HTM-Ref.
Verfahren zur Bestimmung der Lochbeweglichkeit
Glasplättchen, die mit strukturiertem ITO (Indium Zinn Oxid) der Dicke 50 nm beschichtet sind, werden vor der Beschichtung mit einem Sauerstoffplasma, gefolgt von einem Argonplasma, behandelt. Diese mit Plasma behandelten Glasplättchen bilden die Substrate, auf welche eine 20 nm dicke mit F4TCNQ p-dotierte Schicht (Konzentration des p-Dotanden F4TCNQ = 5 Vol.-%) aus dem zu vermessenden Material aufgebracht wird. Auf diese wird eine 100 nm dicke Schicht aus dem zu vermessenden Material und anschließend eine 100 nm dicke Aluminiumschicht gedampft. Dieses Hole-Only-Bauteil (HOD) wird anschließend verkapselt. Die Strom-Spannungskennlinie dieses HOD wird gemessen. Danach kann durch Anpassen der Mott Gurney Formel für raumladungsbegrenzte Ströme an die Strom-Spannungskennlinie die Mobilität bestimmt werden. Dabei ist in untenstehender Formel µ₀ die Lochbeweglichkeit. $J = \frac{9}{8} ε ε_{0} μ_{0} \frac{V^{2}}{L^{3}}$

J -- Stromdichte
V - Spannung, abzüglich der Build-in-Spannung
L - Dicke der undotierten HTM-Schicht
ε₀ - Permittivität des Vakuums
ε - Relative Permittivität des vermessenen Materials
µ₀ - Lochbeweglichkeit

Verbindung	Lochbeweglichkeit in cm²/Vs
HTM-1	2.7E-4
HTM-3	4.0E-4
HTM-4	2.6E-4
HTM-5	4.0E-4

Herstellung und Vermessung von OLED-Bauteilen
Allgemeiner Versuchsaufbau und Messmethode
Glasplättchen, die mit strukturiertem ITO (Indium Zinn Oxid) der Dicke 50 nm beschichtet sind, werden vor der Beschichtung mit einem Sauerstoffplasma, gefolgt von einem Argonplasma, behandelt. Diese mit Plasma behandelten Glasplättchen bilden die Substrate, auf welche die OLEDs aufgebracht werden.
Die OLEDs haben folgenden Schichtaufbau: Substrat / Lochinjektionsschicht (HIL) / Lochtransportschicht (HTL) / Elektronenblockierschicht (EBL) / Emissionsschicht (EML) / optionale Lochblockierschicht (HBL) / Elektronentransportschicht (ETL) und abschließend eine Kathode. Die Kathode wird durch eine 100 nm dicke Aluminiumschicht gebildet. Der genaue Aufbau der OLEDs ist den unten gezeigten Tabellen zu entnehmen. Die zur Herstellung der OLEDs benötigten Materialien sind in Tabelle 5 gezeigt.
Alle Materialien werden in einer Vakuumkammer thermisch aufgedampft. Dabei besteht die Emissionsschicht immer aus einem Matrixmaterial und einem Emitter, der dem Matrixmaterial durch Coverdampfung in einem bestimmten Volumenanteil beigemischt (hinzudotiert) wird. Eine Angabe wie SMB:SEB (95%:5%) bedeutet hierbei, dass das Material SBM in einem Volumenanteil von 95% und das Material SEB in einem Volumenanteil von 5% in der Schicht vorliegt. Analoges gilt für die Elektronentransportschicht.
Die OLEDs werden standardmäßig charakterisiert. Hierfür werden die Elektrolumineszenzspektren, die Stromeffizienz (gemessen in cd/A), sowie die Lebensdauer bestimmt. Die Elektrolumineszenzspektren werden bei einer Leuchtdichte von 1000 cd/m² bestimmt und daraus die CIE 1931 x und y Farbkoordinaten berechnet. Alle vermessenen OLEDs weisen CIE x/y bei 1000 cd/m² von 0.14/0.14 auf. SE1000 bezeichnet die Stromeffizienz, die bei 1000 cd/m² erreicht wird. Als Lebensdauer LD wird die Zeit definiert, nach der die Leuchtdichte bei Betrieb mit konstantem Strom 60mA/cm² von der Startleuchtdichte auf einen Anteil von 95% absinkt.

B) In einem ersten Versuch wird eine OLED enthaltend HTM-Ref in der HTL (OLED V1) mit einer OLED verglichen, die anstelle von HTM-Ref die Verbindung HTM-1 in HIL und HTL aufweist (OLED V2) und ansonsten gleich aufgebaut ist, bzw. die anstelle von HTM-Ref die Verbindung HTM-3 bzw. HTM-4 bzw. HTM-5 in HIL und HTL aufweist (OLED E2, E3 bzw. E4) und ansonsten gleich aufgebaut ist. Tabelle 1: Aufbau der OLEDs

Bsp.	HIL Dicke	HTL Dicke	EBL Dicke	EML Dicke	HBL Dicke	ETL Dicke
V1	HTM-Ref F4TCNQ(5%) 10nm	HTM-Ref 190nm	EBM-1 10nm	SMB:SEB (95%.5%) 20nm	—	ETM-1 :LiQ 30nm
E1	HTM-1: F4TCNQ(5%) 10nm	HTM-1 190nm	EBM-1 10nm	SMB:SEB (95%:5%) 20nm	—	ETM-1:LiQ 30nm
E2	HTM-3: F4TCNQ(5%) 10nm	HTM-3 190nm	EBM-1 10nm	SMB.SEB (95%:5%) 20nm	—	ETM-1.LiQ 30nm
E3	HTM-4. F4TCNQ(5%) 10nm	HTM-4 190nm	EBM-1 10nm	SMB:SEB (95%.5%) 20nm	—	ETM-1 :LiQ 30nm
E4	HTM-5: F4TCNQ(5%) 10nm	HTM-5 190nm	EBM-1 10nm	SMB:SEB (95%:5%) 20nm	—	ETM-1 LiQ 30nm

Dabei wird für die OLED E1 eine deutlich verbesserte Lebensdauer (LD = 60h) verglichen mit OLED V1 (LD = 30 h) erhalten. Für die OLED E2 wird eine verbesserte Lebensdauer (LD = 50 h) erhalten, bei gleich-bleibender Effizienz verglichen mit der OLED V1. Für die OLED E3 wird eine verbesserte Lebensdauer (LD = 40 h) erhalten, bei gleichbleibender Effizienz verglichen mit der OLED V1. Für die OLED E4 wird eine verbesserte Lebensdauer (LD = 45 h) erhalten, bei gleichbleibender Effizienz verglichen mit der OLED V1.

C) In einem zweiten Versuch wird die oben genannte OLED E1 mit einer OLED E5 verglichen, die sich lediglich dadurch von der OLED E1 unterscheidet, dass sie die Verbindung ETM-2 anstelle der Verbindung ETM-1 in der ETL enthält. Tabelle 2: Aufbau der OLEDs

Bsp.	HIL Dicke	HTL Dicke	EBL Dicke	EML Dicke	HBL Dicke	ETL Dicke
E1	HTM-1: F4TCNQ(5%) 10nm	HTM-1 190nm	EBM-1 10nm	SMB.SEB (95%:5%) 20nm	—	ETM-1 :LiQ 30nm
E5	HTM-1: F4TCNQ(5%) 10nm	HTM-1 190nm	EBM-1 10nm	SMB:SEB (95%5%) 20nm	—	ETM-2:LiQ 30nm

Dabei wird für die OLED E5 eine verbesserte Effizienz (SE1000 = 10.5) verglichen mit OLED E1 (SE1000 = 10.1) erhalten. Die Lebensdauer sinkt dabei für E5 leicht ab gegenüber der von E1.
Für die drei anderen HTM-Materialien HTM-3 bis HTM-5 können in diesem Stack vergleichbare Ergebnisse, insbesondere eine Verbesserung der Effizienz, erhalten werden.

D) In einem dritten Versuch wird die oben genannte OLED E5 mit einer OLED E6 verglichen, die sich lediglich dadurch von der OLED E5 unterscheidet, dass sie die Verbindung EBM-2 anstelle der Verbindung EBM-1 in der EBL enthält. Tabelle 3: Aufbau der OLEDs

Bsp.	HIL Dicke	HTL Dicke	EBL Dicke	EML Dicke	HBL Dicke	ETL Dicke
E5	HTM-1 - F4TCNQ(5%) 10nm	HTM-1 190nm	EBM-1 10nm	SMB:SEB (95%:5%) 20nm	—	ETM-2:LiQ 30nm
E6	HTM-1. F4TCNQ(5%) 10nm	HTM-1 190nm	EBM-2 10nm	SMB:SEB (95%:5%) 20nm	—	ETM-2·LIQ 30nm

Dabei wird eine Verdopplung der Lebensdauer bei E6 (LD=80h) erreicht verglichen mit E5 (LD=40h). Die Effizienz ist konstant bis leicht höher, so dass diese OLED bzgl. der Kombination der Eigenschaften Lebensdauer und Effizienz den anderen OLEDs deutlich überlegen ist. Für die drei anderen HTM-Materialien HTM-3 bis HTM-5 können in diesem Stack vergleichbare Ergebnisse, insbesondere eine Verbesserung der Effizienz, erhalten werden.
E) In einem weiteren Versuch wird eine OLED gezeigt, die die Verbindung HBM-1 in der HBL aufweist. Die HTM enthält dabei das Material HTM-3, die EBM enthält das Material EBM-2, und die ETL enthält das Material ETM-3. Tabelle 4: Aufbau der OLEDs

Bsp. HIL Dicke HTL Dicke EBL Dicke EML Dicke HBL Dicke ETL Dicke

E7 HTM-3: F4TCNQ(5%) 10nm HTM-3 190nm EBM-2 10nm SMB:SEB (95%:5%) 20nm HBM-1 5nm ETM-3:LiQ 25nm
In diesem Versuch wird die beste Lebensdauer aller gemessenen OLEDs erhalten (LD=95h), bei ähnlicher Effizienz SE1000 wie bei den anderen gemessenen OLEDs. Dies zeigt die Verbesserung, die durch den Einsatz der Verbindung HBM-1 in der HBL in Kombination mit den Verbindungen der HIL, HTL, EBL und ETL erzielt werden kann.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 2007/0092755 [0067]

Claims

Elektronische Vorrichtung, enthaltend Anode, Kathode, und zwischen Anode und Kathode angeordnete emittierende Schicht, dadurch gekennzeichnet, dass - zwischen Anode und emittierender Schicht eine oder mehrere Schichten enthaltend eine Verbindung einer Formel (H) vorliegen
wobei gilt: Ar^H1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H1 substituiert sind; und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H1 substituiert sind; R^H1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^H2, CN, Si(R^H2)₃, N(R^H2)2, P(=O)(R^H2)₂, OR^H2, S(=O)R^H2, S(=O)₂R^H2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^H1 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H2 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch - R^H2C=CR^H2-, -C≡C-, Si(R^H2)₂, C=O, C=NR^H2, -C(=O)O-, -C(=O)NR^H2-, NR^H2, P(=O)(R^H2), -O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R^H2 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^H3, CN, Si(R^H3)₃, N(R^H3)₂, P(=O)(R^H3)₂, OR^H3, S(=O)R^H3, S(=O)₂R^H3, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^H2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H3 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch - R^H3C=CR^H3-, -C≡C-, Si(R^H3)2, C=O, C=NR^H3, -C(=O)O-, -C(=O)NR^H3-, NR^H3, P(=O)(R^H3), -O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R^H3 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^H3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können; und wobei die Verbindung der Formel (H) ein HOMO von größer oder gleich -4.72 eV, besonders bevorzugt größer oder gleich -4.71 eV aufweist, wobei das HOMO gemäß dem in Abschnitt 1 der Beispiele beschriebenen Verfahren bestimmt wird; und - zwischen emittierender Schicht und Kathode eine oder mehrere Schichten enthaltend eine Verbindung einer Formel (E) vorliegen
wobei gilt: A ist gleich
wobei die gestrichelten Linien die Bindungen an den Rest der Formel kennzeichnen; Z ist gleich C, wenn eine Gruppe
daran gebunden ist, und ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus CR² und N, wenn keine Gruppe
daran gebunden ist; X ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus N und CR⁴, wobei mindestens ein X gleich N ist; Ar¹ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R³ substituiert sind; und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R³ substituiert sind; Ar² ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R⁵ substituiert sind; und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R⁵ substituiert sind; R¹ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R⁶, CN, Si(R⁶)₃, N(R⁶)₂, P(=O)(R⁶)₂, OR⁶, S(=O)R⁶, S(=O)₂R⁶, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R¹ miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R⁶C=CR⁶, -C≡C-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -C(=O)O-, -C(=O)NR^6-, NR⁶, P(=O)(R⁶), - O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R² ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R⁶, CN, Si(R⁶)₃, N(R⁶)₂, P(=O)(R⁶)₂, OR⁶, S(=O)R⁶, S(=O)₂R⁶, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R² miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R⁶C=CR⁶-, -C≡C-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -C(=O)O-, -C(=O)NR^6-, NR⁶, P(=O)(R⁶),-O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R³ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R⁶, CN, Si(R⁶)₃, N(R⁶)₂, P(=O)(R⁶)₂, OR⁶, S(=O)R⁶, S(=O)₂R⁶, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R³ miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R⁶C=CR⁶-, -C≡C-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -C(=O)O-, -C(=O)NR^6-, NR⁶, P(=O)(R⁶), - O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R⁴ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R⁶, CN, Si(R⁶)₃, N(R⁶)₂, P(=O)(R⁶)₂, OR⁶, S(=O)R⁶, S(=O)₂R⁶, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R⁴ miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R⁶C=CR⁶-, -C≡C-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -C(=O)O-, -C(=O)NR⁶-, NR⁶, P(=O)(R⁶), - O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R⁵ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R⁶, CN, Si(R⁶)₃, N(R⁶)₂, P(=O)(R⁶)₂, OR⁶, S(=O)R⁶, S(=O)₂R⁶, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R⁵ miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R⁶C=CR⁶-, -C≡C-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -C(=O)O-, -C(=O)NR⁶-, NR⁶, P(=O)(R⁶), - O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R⁶ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=0)R⁷, CN, Si(R⁷)₃, N(R⁷)₂, P(=O)(R⁷)₂, OR⁷, S(=O)R⁷, S(=O)₂R⁷, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R⁶ miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁷ substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R⁷C=CR⁷-, -C≡C-, Si(R⁷)₂, C=O, C=NR⁷, -C(=O)O-, -C(=O)NR⁷-, NR⁷, P(=O)(R⁷), - O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R⁷ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R⁷ miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können; n ist gleich 0, 1, 2, 3 oder 4.
Elektronische Vorrichtung, enthaltend Anode, Kathode, und zwischen Anode und Kathode angeordnete emittierende Schicht, dadurch gekennzeichnet, dass - zwischen Anode und emittierender Schicht eine oder mehrere Schichten enthaltend eine Verbindung einer Formel (H-1) oder (H-2) vorliegen

wobei die Spirobifluorenylgruppe und die Fluorenylgruppe und die optional vorhandene Phenylengruppe an allen freien Positionen jeweils mit einem Rest R^H1 substituiert ist, und wobei weiterhin gilt: Ar^H1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H1 substituiert sind; und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H1 substituiert sind; R^H1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^H2, CN, Si(R^H2)₃, N(R^H2)₂, P(=O)(R^H2)₂, OR^H2, S(=O)R^H2, S(=O)₂R^H2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^H1 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H2 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch - R^H2C=CR^H2-, -C=C-, Si(R^H2)₂, C=O, C=NR^H2, -C(=O)O-, -C(=O)NR^H2-, NR^H2, P(=O)(R^H2), -O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R^H2 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^H3, CN, Si(R^H3)₃, N(R^H3)₂, P(=O)(R^H3)₂, OR^H3, S(=O)R^H3, S(=O)₂R^H3, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^H2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H3 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch - R^H3C=CR^H3-, -C≡C-, Si(R^H3)₂, C=O, C=NR^H3, -C(=O)O-, -C(=O)NR^H3-, NR^H3, P(=O)(R^H3), -O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R^H3 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^H3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können; und m gleich 0, 1, 2 oder 3 ist; wobei mindestens ein R^H1 vorhanden ist, das an die aromatischen Ringe der Spirobifluorenylgruppe bzw. der Fluorenylgruppe gebunden ist, und das gewählt ist aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind; und - zwischen emittierender Schicht und Kathode eine oder mehrere Schichten enthaltend eine Verbindung einer Formel (E) vorliegen
wobei gilt: A ist gleich
wobei die gestrichelten Linien die Bindungen an den Rest der Formel kennzeichnen; Z ist gleich C, wenn eine Gruppe
daran gebunden ist, und ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus CR² und N, wenn keine Gruppe
daran gebunden ist; X ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus N und CR⁴, wobei mindestens ein X gleich N ist; Ar¹ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R³ substituiert sind; und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R³ substituiert sind; Ar² ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R⁵ substituiert sind; und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R⁵ substituiert sind; R¹ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R⁶, CN, Si(R⁶)₃, N(R⁶)₂, P(=O)(R⁶)₂, OR⁶, S(=O)R⁶, S(=O)₂R⁶, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R¹ miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R⁶C=CR⁶-, -C≡C-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -C(=O)O-, -C(=O)NR⁶-, NR⁶, P(=O)(R⁶), - O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R² ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R⁶, CN, Si(R⁶)₃, N(R⁶)₂, P(=O)(R⁶)₂, OR⁶, S(=O)R⁶, S(=O)₂R⁶, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R² miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R⁶C=CR⁶-, -C≡C-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -C(=O)O-, -C(=O)NR^6-, NR⁶, P(=O)(R⁶), - O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R³ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R⁶, CN, Si(R⁶)₃, N(R⁶)₂, P(=O)(R⁶)₂, OR⁶, S(=O)R⁶, S(=O)₂R⁶, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R³ miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R⁶C=CR⁶-, -C≡C-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -C(=O)O-, -C(=O)NR^6-, NR⁶, P(=O)(R⁶), - O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R⁴ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R⁶, CN, Si(R⁶)₃, N(R⁶)₂, P(=O)(R⁶)₂, OR⁶, S(=O)R⁶, S(=O)₂R⁶, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R⁴ miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R⁶C=CR⁶-, -C≡C-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -C(=O)O-, -C(=O)NR^6-, NR⁶, P(=O)(R⁶), - O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R⁵ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R⁶, CN, Si(R⁶)₃, N(R⁶)₂, P(=O)(R⁶)₂, OR⁶, S(=O)R⁶, S(=O)₂R⁶, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R⁵ miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R⁶C=CR⁶-, -C≡C-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -C(=O)O-, -C(=O)NR⁶-, NR⁶, P(=O)(R⁶), - O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R⁶ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R⁷, CN, Si(R⁷)₃, N(R⁷)₂, P(=O)(R⁷)₂, O⁷, S(=O)R⁷, S(=O)₂R⁷, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R⁶ miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁷ substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R⁷C=CR⁷-, -C≡C-, Si(R⁷)₂, C=O, C=NR⁷, -C(=O)O-, -C(=O)NR⁷, NR⁷, P(=O)(R⁷), - O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R⁷ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R⁷ miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können; n ist gleich 0, 1, 2, 3 oder 4.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung der Formel (H) eine Lochbeweglichkeit von 2*10^-4 bis 8*10^-4 cm²/Vs aufweist, wobei die Lochbeweglichkeit bestimmt wird wie in den Beispielen, Abschnitt 2), angegeben.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Gruppe Ar^H1, unter Einschluss der Reste R^H1, mit denen sie substituiert ist, eine Spirofluorenyl- oder Fluorenyl-Gruppe enthält, bevorzugt eine 2-Spirofluorenyl- oder 2-Fluorenyl-Gruppe.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein R^H1 in der Verbindung der Formel (H) vorhanden ist, das an eine Spirobifluorenylgruppe oder Fluorenylgruppe als Ar^H1 gebunden ist und das gewählt ist aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^H2 substituiert sind.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass R^H1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, CN, geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H2 substituiert sind.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass R^H2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H3 substituiert sind.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass Formel (H) einer der Formeln (H-1-1-a) bis (H-1-1-p) entspricht

wobei R^H1-1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^H2 substituiert sind; und wobei die sonstigen Variablen wie in einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7 definiert sind, und wobei die Spirobifluorenylgruppe und die Phenylengruppe an allen freien Positionen jeweils mit einem Rest R^H1 substituiert ist, der bevorzugt H ist.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass A in der Verbindung der Formel (E-1) gleich
ist, wobei die gestrichelten Bindungen die Bindungen von A zum Rest der Formel kennzeichnen.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurchgekennzeichnet, dass die Gruppe
der folgenden Formel entspricht:
wobei die gestrichelte Linie die Bindung an den Rest der Formel darstellt.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass Ar² gleich Benzol ist, das jeweils mit einem oder mehreren Resten R⁵ substituiert ist, wobei in diesem Fall R⁵ insbesondere gewählt ist aus H und CN.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass Ar¹ eine divalente Gruppe abgeleitet von Benzol, Biphenyl und Naphthyl ist, das jeweils mit einem oder mehreren Resten R³ substituiert sein kann.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass - R¹ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden, bevorzugt gleich, gewählt ist aus H, F, geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die aromatischen Ringsysteme und die heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind, und - R² bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind, und - R³ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, CN, Si(R⁶)₃, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CH₂-Gruppen durch -C=C-, -R⁶C=CR⁶-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -NR⁶-, -O-, - S-, -C(=O)O- oder -C(=O)NR⁶- ersetzt sein können, und - R⁴ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H und aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R⁶ substituiert sind, und - R⁵ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, CN, Si(R⁶)₃, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CH₂-Gruppen durch -C=C-, -R⁶C=CR⁶-, Si(R⁶)₂, C=O, C=NR⁶, -NR⁶-, -O-, - S-, -C(=O)O- oder -C(=O)NR⁶- ersetzt sein können, und - R⁶ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, CN, Si(R¹)₃, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkyl- und Alkoxygruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁷ substituiert sind; und wobei in den genannten Alkyl- oder Alkoxygruppen eine oder mehrere CH₂-Gruppen durch -C=C-, -R⁷C=CR⁷-, Si(R⁷)₂, C=O, C=NR⁷, -NR⁷-, -O-, - S-, -C(=O)O- oder -C(=O)NR⁷- ersetzt sein können.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Formel (E) einer der folgenden Formeln entspricht:

wobei die auftretenden Symbole und Indices definiert sind wie in einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 18.
Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass - Ar¹ gleich oder verschieden gewählt ist aus divalenten Gruppen abgeleitet von Benzol, Biphenyl, Terphenyl, Naphthalin, Fluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Spirobifluoren, Dibenzofuran, Dibenzothiophen und Carbazol, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R³ substituiert sein können; - Ar² bei jedem Auftreten gleich oder verschieden, bevorzugt gleich, gewählt ist aus Gruppen abgeleitet von Benzol, Cyanobenzol, Biphenyl, Terphenyl, Naphthalin, Phenanthren, Triphenylen, Fluoren, Indenofluoren, Indenocarbazol, Spirobifluoren, Dibenzofuran, Dibenzofuranyl-substituiertes Benzol, Dibenzothiophen, Dibenzothiophenyl-substituiertes Benzol, Carbazol, Carbazolyl-substituiertes Benzol, Bis-N-Carbazolyl-substituiertes Benzol, die jeweils mit einem oder mehreren Resten R⁵ substituiert sind; - R¹ bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus geradkettigen Alkylgruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten Alkylgruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die genannten Alkylgruppen, die genannten aromatischen Ringsysteme und die genannten heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind; - R² bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, F, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei die aromatischen Ringsysteme und die heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R⁶ substituiert sind.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht enthaltend die Verbindung der Formel (H) eine lochtransportierende Schicht ist.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass eine Lochinjektionsschicht vorhanden ist, die direkt an die Anode angrenzt und neben der Schicht enthaltend die Verbindung der Formel (H) angeordnet ist, und eine Elektronenblockierschicht vorhanden ist, die direkt anodenseitig an die emittierende Schicht angrenzt.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Elektronenblockierschicht, die direkt anodenseitig an die emittierende Schicht angrenzt, enthält, wobei die Elektronenblockierschicht eine Verbindung gewählt aus Triarylaminen, die eine oder mehrere Fluorenyl- oder Spirobifluorenyl-Gruppen enthalten, enthält.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Elektronenblockierschicht, die direkt anodenseitig an die emittierende Schicht angrenzt, enthält, wobei die Elektronenblockierschicht eine Verbindung gemäß einer Formel (EBM) enthält
wobei gilt: Y ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus O, S und NR^EBM1; Ar³ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die jeweils mit Resten R^EBM1 substituiert sind; k ist gleich 1, 2 oder 3; i ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus 0, 1, 2 und 3; und wobei die Formel an freien Positionen jeweils mit einem Rest R^EBM1 substituiert ist, wobei R^EBM1 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^EBM2, CN, Si(R^EBM2)₃, N(R^EBM2)₂, P(=O)(R^EBM2)₂, OR^EBM2, S(=O)R^EBM2, S(=O)₂R^EBM2, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^EBM1 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^EBM2 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R^EBM2C=CR^EBM2-, -C≡C- , Si(R^Ebm2)₂ , C=O, C=NR^EBM2, -C(=O)O-, -C(=O)NR^EBM2-, NR^EBM2, P(=O)(R^EBM2), -O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R^EBM2 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^EBM3, CN, Si(R^EBM3)₃, N(R^EBM3)₂, P(=O)(R^EBM3)₂, OR^EBM3, S(=O)R^EBM3, S(=O)₂R^EBM3, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^EBM2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^EBM3 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R^EBM3C=CR^EBM3- , -C=C-, Si(R^EBM3)₂, C=O, C=NR^EBM3, -C(=O)O-, -C(=O)NR^EBM3-, NR^EBM3, P(=O)(R^EBM3), -O-, -S-, SO oder SO₂ ersetzt sein können; R^EBM3 bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt ist aus H, D, F, Cl, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^EBM3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass sie zwischen emittierender Schicht und Kathode eine Lochblockierschicht, die direkt an die emittierende Schicht angrenzt, und eine Elektronentransportschicht enthält, wobei die Lochblockierschicht eine Verbindung einer Formel (HBM)
wobei gilt: Ar^HBM1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^HBM1 substituiert sind, und aus heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mit Resten R^HBM1 substituiert sind; p is 0 oder 1, wobei für p=0 das Stickstoffatom und die Gruppe Q direkt miteinander verbunden sind; Q ist gewählt aus elektronenarmen Heteroarylgruppen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die mindestens ein Stickstoffatom als aromatisches Ringatom enthalten, und die mit Resten R^HBM2 substituiert sind; R^HBM1 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^HBM3, CN, Si(R^HBM3)₃, N(R^HBM3)₂, P(=O)(R^HBMJ)₂, OR^HBM3, S(=O)R^HBM3, S(=O)₂R^HBM3, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^HBM1 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^HBM3 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R^HBM3C=CR^HBM3-,-C≡C-, Si(R^HBM3)₂, C=O, C=NR^HBM3, -C(=O)O-, -C(=O)NR^HBM3-, NR^HBM3, P(=O)(R^HBM3), -O- -S- SO oder SO₂ ersetzt sein können; R^HBM2 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R^HBM3, CN, Si(R^HBM3)₃, N(R^HBM3)₂, P(=O)(R^HBM3)₂, OR^HBM3 S(=O)R^HBM3, S(=O)₂R^HBM3, geradkettigen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, verzweigten oder cyclischen Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 3 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen, und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^HBM2 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen und die genannten aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme jeweils mit Resten R^HBM3 substituiert sind; und wobei eine oder mehrere CH₂-Gruppen in den genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen durch -R^HBM3C=CR^HBM3-, -C≡C-, Si(R^HBM3)₂, C=O, C=NR^HBM3, -C(=O)O-,-C(=O)NR^HBM3- NR^HBM3, P(=O)(R^HBM3), -O-,-S- SO oder SO₂ ersetzt sein können; R^HBM3 ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden gewählt aus H, D, F, Cl, Br, I, CN, Alkyl- oder Alkoxygruppen mit 1 bis 20 C-Atomen, Alkenyl- oder Alkinylgruppen mit 2 bis 20 C-Atomen, aromatischen Ringsystemen mit 6 bis 40 aromatischen Ringatomen und heteroaromatischen Ringsystemen mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen; wobei zwei oder mehr Reste R^HBM3 miteinander verknüpft sein können und einen Ring bilden können; und wobei die genannten Alkyl-, Alkoxy-, Alkenyl- und Alkinylgruppen, aromatischen Ringsysteme und heteroaromatischen Ringsysteme mit einem oder mehreren Resten gewählt aus F und CN substituiert sein können;und das Spirobifluoren ist an jeder freien Position mit einem Rest R^HBM1 substituiert.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung ist.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die emittierende Schicht der Vorrichtung eine blau fluoreszierende emittierende Schicht ist.
Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Schichten der Vorrichtung mit einem Sublimationsverfahren aufgetragen werden.