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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Regelung einer Beleuchtungsdosis einer Beleuchtung eines Objektfeldes einer Projektionsbelichtungsanlage. Ferner betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage, mit der das Verfahren durchgeführt werden kann, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils mit Hilfe einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit einem solchen Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil.
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Regelungsverfahren der eingangs genannten Art derart weiterzuverfolgen, dass eine Beleuchtungsdosis mit einer sehr geringen Dosisschwankung geregelt werden kann.
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Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Regelungsverfahren mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
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Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass über eine Messung einer Verteilung von Beleuchtungsintensitäten über Objektfeld-Beleuchtungswinkel, also über die Vermessung von Pupillendaten, an verschiedenen Feldpunkten, eine Fernfeld-Rekonstruktion möglich ist. Der Objektfeld-Beleuchtungswinkel ist der Winkel, unter dem ein betrachteter Einzelstrahl bzw. ein Teilbündel von Beleuchtungslicht zu einer Normalen auf das Objektfeld einfällt. Eine derartige Fernfeld-Rekonstruktion kann Aufschluss geben über das individuelle Fernfeld, welches von der Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage erzeugt wird. Es wurde erkannt, dass die Abweichungen, die ein derartiges individuelles Fernfeld regelmäßig von einem idealen Fernfeld hat und die über den Messschritt des Regelverfahrens der Messung zugänglich sind, einen wesentlichen Beitrag zu Dosisfehlern liefern können. Insbesondere kann eine sich auf das individuelle Fernfeld auswirkende Kollektor-Verunreinigung erfasst werden. Erfindungsgemäß können Dosisschwankungen auf Werte von deutlich unterhalb 10 % reduziert werden. Ein Beispiel für einen anzusteuernden Dosisparameter ist eine Scangeschwindigkeit eines Objektes durch das Objektfeld. Auch Lichtquellenparameter oder andere beleuchtungsoptische Parameter, beispielsweise die Öffnungsweise eines Scanschlitzes, können beeinflusst werden. Die Verteilung der Beleuchtungsintensitäten in Abhängigkeit vom Objektfeld-Beleuchtungswinkel, also die Intensität-/Beleuchtungswinkel-Verteilung, kann an mindestens zwei voneinander beabstandeten Objektfeldpunkten gemessen werden. Dies erhöht den Informationsgehalt einer entsprechenden Pupillenmessung im Bereich des Objektfeldes. Der Abstand zwischen den beiden Objektfeldpunkten, an denen diese Pupillenmessung stattfindet, kann im Bereich von mindestens 25 %, mindestens 40 %, mindestens 50 %, mindestens 60 %, mindestens 70 % oder auch mindestens 80 % einer typischen Objektfelderstreckung liegen. Die Messung der Beleuchtungsintensitätsverteilung abhängig vom Objektfeld-Beleuchtungswinkel kann auch an mehr als zwei voneinander beabstandeten Objektfeldpunkten erfolgen. Alternativ oder zusätzlich zu einer Fernfeld-Rekonstruktion kann das Fernfeld auch einer direkten Sensormessung zugänglich gemacht werden. Hierzu können Sensoranordnungen herangezogen werden, die beispielsweise beschrieben sind in der
DE 10 2011 081 914 A1 . Anstelle der dort beschriebenen Auskoppelfacetten können auch FernfeldSensoren in der Anordnungsebene eines Feldfacettenspiegels, z. B. zwischen Feldfacetten des Feldfacettenspiegels, angeordnet sein. Zusätzlich zu einem Dosiswert kann auch eine Homogenität einer Intensitätsverteilung der Objektfeldbeleuchtung vermessen werden. Eine hierbei bestimmte Messgröße kann die Uniformität einer scanintegrierten Gesamtenergie, gemessen senkrecht zur Scanrichtung über das Objektfeld sein. Dieser Uniformitätswert ist beschrieben in der
WO 2009/132 756 A1 , der
EP 0 952 491 A2 und den dort beschriebenen Referenzen. Über das Regelungsverfahren lässt sich also eine Beleuchtungsdosis und/oder eine Uniformität einer Objektfeldbeleuchtung in Abhängigkeit von Sensormessungen und/oder Rekonstruktions-/Ermittlungsverfahren nachführen. Entsprechendes gilt für eine Verteilung von Objekt-Beleuchtungswinkeln über das Objektfeld, die ebenfalls anhand von Messergebnissen oder Rekonstruktions-/Ermittlungsverfahren bestimmt und hin zu Vorgabewerten nachgeführt werden kann.
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Ein zusätzlicher Messschritt nach Anspruch 2 erhöht die Regelungsgenauigkeit, da zudem zusätzliche Intensitätsdaten am Objektfeldrand berücksichtigt werden können. Die vorgegebenen Soll-Beleuchtungsintensitäten können mit dem vorgegebenen Soll-Dosiswert übereinstimmen oder können zu diesem beitragen. Über eine derartige Messung kann ein Rückschluss auf die jeweilige Belichtungssituation bzw. das jeweilige Beleuchtungssetting erfolgen. Diese Information kann mit derjenigen verknüpft werden, die über die Fernfeld-Rekonstruktion erhalten wurde.
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Gemäß Anspruch 3 kann auch das jeweilige Beleuchtungssetting, also die Soll-Beleuchtungswinkel-Verteilung, bei der Vorgabe der Soll-Beleuchtungsintensitäten herangezogen werden, was die Regelung nochmals verbessert.
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Entsprechendes gilt für das Verfahren nach Anspruch 4.
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Mit dem zusätzlichen Messschritt nach Anspruch 5 können zusätzliche Quell-Einflüsse auf die Beleuchtungsdosis bei der Regelung berücksichtigt werden. Auch die Ergebnisse dieses Messschritts könnten mit denjenigen der sonstigen Messung beim Regelungsverfahren verknüpft werden.
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Eine Gewichtung nach Anspruch 6 verbessert das Regelungsverfahren nochmals.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine Projektionsbelichtungsanlage zu schaffen, mit der ein entsprechendes Regelungsverfahren durchführbar ist.
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Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Projektionsbelichtungsanlage mit den im Anspruch 7 angegebenen Merkmalen.
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Die Pupillen-Sensoreinrichtung kann im Bereich des Objektfeldes und/oder im Bereich des Bildfeldes angeordnet sein. Die Beleuchtungsoptik kann einen Facettenspiegel mit gesteuert kippbaren Facetten aufweisen. Der Objekthalter der Projektionsbelichtungsanlage kann gesteuert angetrieben verlagerbar sein. Hierüber kann die Scangeschwindigkeit des Objektes durch das Objektfeld vorgegeben werden.
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Die Vorteile einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage entsprechen denen, die unter Bezugnahme auf das Regelungsverfahren bereits erläutert wurden.
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Alternativ oder zusätzlich zur Rekonstruktion des Fernfeldes kann das Rechenmodul auch Sensordaten heranziehen, mit denen das Fernfeld direkt vermessen wurde.
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Eine Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 8 erlaubt die Durchführung des Regelungsverfahrens nach Anspruch 2.
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Die Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 9 erlaubt die Durchführung des Regelungsverfahrens nach Anspruch 5.
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Die Vorteile eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 10 sowie eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 11 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das erfindungsgemäße Regelungsverfahren bzw. auf die erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage bereits erläutert wurden.
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Das Bauteil kann mit extrem hoher Strukturauflösung hergestellt sein. Auf diese Weise kann beispielsweise ein Halbleiterchip mit extrem hoher Integrations- bzw. Speicherdichte hergestellt werden.
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Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
- 1 schematisch einen Meridionalschnitt durch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie;
- 2 eine Aufsicht auf einen Feldfacettenspiegel einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Facettenriegeln, die jeweils eine Mehrzahl von den jeweiligen Facettenriegeln zugehörigen, bogenförmigen Feldfacetten aufweisen;
- 3 eine weitere Ausführung eines Feldfacettenspiegels mit rechteckigen Feldfacetten;
- 4 eine Aufsicht auf einen Pupillenfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik;
- 5 schematisch ein Ablaufschema eines Verfahrens zur Regelung einer Beleuchtungsdosis einer Beleuchtung eines Objektfeldes der Projektionsbelichtungsanlage; und
- 6 schematisch und perspektivisch eine Anordnung von Sensoren einer Quellintensitäts-Sensoreinrichtung bei einer alternativen Ausführung einer Kollektor-Gestaltung zum Sammeln von EUV-Strahlung einer Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage; und
- 7 eine Aufsicht auf ein Beleuchtungsfeld der Projektionsbelichtungsanlage mit einer Anordnung zweier in einer Feldebene angeordneten Sensoren einer Feldintensitäts-Sensoreinrichtung, dargestellt am Beispiel eines rechteckigen Objektfeldes.
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1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie. Zur Projektionsbelichtungsanlage 1 gehört eine Licht- bzw. Strahlungsquelle 2. Ein Beleuchtungssystem 3 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines mit einem Objektfeld 5 zusammenfallenden Beleuchtungsfeldes in einer Objektebene 6. Das Beleuchtungsfeld kann auch größer sein als das Objektfeld 5. Belichtet wird hierbei ein Objekt in Form eines im Objektfeld 5 angeordneten Retikels 7, das von einem Objekt- bzw. Retikelhalter 8 gehalten ist. Das Retikel 7 wird auch als Lithografiemaske bezeichnet. Der Objekthalter 8 ist über einen Objektverlagerungsantrieb 9 längs einer Objekt-Verlagerungsrichtung verlagerbar. Eine stark schematisch dargestellte Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 synchronisiert zum Objekthalter 8 parallel zur Objekt-Verlagerungsrichtung verlagerbar.
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Bei der Strahlungsquelle
2 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, insbesondere um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser-produced plasma) handeln. Informationen zu einer derartigen Strahlungsquelle findet der Fachmann beispielsweise aus der
US 6 859 515 B2 und den dort angegebenen Referenzen. EUV-Strahlung
16, die von der Strahlungsquelle
2 ausgeht, insbesondere das das Objektfeld
5 beleuchtende Nutz-Beleuchtungslicht, wird von einem Kollektor
17 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor ist aus der
EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor
17 propagiert die EUV-Strahlung
16 durch eine Zwischenfokusebene
18, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel
19 trifft. Der Feldfacettenspiegel
19 ist ein erster Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik
4. Der Feldfacettenspiegel
19 hat eine Mehrzahl von reflektierenden Feldfacetten, die in der
1 nicht dargestellt ist. Der Feldfacettenspiegel
19 ist in einem Fernfeld in einer Fernfeldebene 19a angeordnet. Diese Fernfeldebene
19a fällt mit einer Feldebene der Beleuchtungsoptik
4 zusammen, die zur Objektebene
6 optisch konjugiert ist.
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Die EUV-Strahlung 16 wird nachfolgend auch als Beleuchtungslicht oder als Abbildungslicht bezeichnet.
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Nach dem Feldfacettenspiegel 19 wird die EUV-Strahlung 16 von einem Pupillenfacettenspiegel 20 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 20 ist ein zweiter Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 4. Der Pupillenfacettenspiegel 20 ist in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Zwischenfokusebene 18 und zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 und der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist oder mit dieser Pupillenebene zusammenfällt. Der Pupillenfacettenspiegel 20 hat eine Mehrzahl von reflektierenden Pupillenfacetten, die in der 1 nicht dargestellt sind. Mit Hilfe der Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels 20 und einer insbesondere nachfolgenden abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 21 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs bezeichneten Spiegeln 22, 23 und 24 werden die Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 19 einander überlagernd in das Objektfeld 5 abgebildet. Je nach Ausgestaltung der abbildenden optischen Baugruppe können Spiegel, über die die Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 19 einander überlagernd in das Objektfeld 5 abgebildet werden, auch im Strahlengang des Beleuchtungslichts 16 zwischen dem Feldfacettenspiegel 19 und dem Pupillenfacettenspiegel 20 angeordnet sein. Grundsätzlich kann bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik auch mindestens ein das Beleuchtungslicht 16 führender Spiegel im Strahlengang vor dem Feldfacettenspiegel 19 angeordnet sein.
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Der letzte Spiegel 24 der Übertragungsoptik 21 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing Incidence-Spiegel“). Je nach Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann auf die Übertragungsoptik 21 auch gänzlich oder teilweise verzichtet werden.
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Eine zentrale Steuereinrichtung 24a steht unter anderem mit Kipp-Aktoren für die Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 19 in Signalverbindung.
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Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der 1 ein kartesisches xyz-Koordinatensystem als globales Koordinatensystem für die Beschreibung der Lageverhältnisse von Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts und parallel zur Verlagerungsrichtung des Objekthalters 8 und des Waferhalters 14. Die z-Achse verläuft in der 1 nach unten, also senkrecht zur Objektebene 6 und zur Bildebene 12.
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Die x-Dimension über das Objektfeld 5 bzw. das Bildfeld 11 wird auch als Feldhöhe oder Feldbreite bezeichnet. Die Objektverlagerungsrichtung verläuft parallel zur y-Achse. Eine typische Erstreckung des Objektfeldes 5 in der x-Richtung beträgt 100 mm.
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Lokale kartesische xyz-Koordinatensysteme, die in den 2 bis 4 gezeigt werden, sind jeweils den dort gezeigten Einzelkomponenten zugeordnet, wobei gilt, dass eine Reflexionsfläche dieser Einzelkomponente von der xy-Ebene dieses lokalen Koordinatensystems aufgespannt wird, so dass die lokale z-Achse eine Normale auf diese Reflexionsfläche darstellt. Die x-Koordinate des jeweiligen lokalen Koordinatensystems verläuft regelmäßig parallel oder nahezu parallel zur x-Achse des globalen kartesischen Koordinatensystems der 1.
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Die
2 zeigt ein Beispiel einer Facettenanordnung für den Feldfacettenspiegel
19. Jede der dort dargestellten Feldfacetten
25 kann als Einzelspiegel-Gruppe aus einer Mehrzahl von Einzelspiegeln aufgebaut sein, wie beispielsweise aus der
WO 2009/100 856 A1 bekannt. Jeweils eine der Einzelspiegel-Gruppen hat dann die Funktion einer Facette eines Feldfacettenspiegels, wie dieser beispielsweise in der
US 6 438 199 B1 oder der
US 6 658 084 B2 offenbart ist.
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Der Feldfacettenspiegel 19 hat eine Vielzahl gebogen ausgeführter Feldfacetten 25. Diese sind gruppenweise in Feldfacetten-Blöcken 26, die auch als Facettenriegel bezeichnet sind, auf einem Feldfacetten-Träger 27 angeordnet. Insgesamt hat der Feldfacettenspiegel 19 nach 2 26 Facettenriegel 26, in denen bis zu zehn der Feldfacetten 25 gruppenweise zusammenfassen. Je nach Ausführung des Feldfacettenspiegels 19 kann die Anzahl der Feldfacetten 25 pro Facettenriegel 26 im Bereich zwischen 2 und 50 und insbesondere im Bereich zwischen 5 und 20, beispielsweise im Bereich von 10, liegen.
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3 zeigt einen alternativen Feldfacettenspiegel 19, der anstelle des Feldfacettenspiegels 19 nach 2 zum Einsatz kommen kann. Der Feldfacettenspiegel 19 nach 3 hat rechteckige Feldfacetten 25, die wiederum gruppenweise in Facettenriegeln 26 angeordnet sind.
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Insgesamt können mehr als 300 Feldfacetten 25 beim Feldfacettenspiegel 19 vorhanden sein.
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4 zeigt schematisch eine Aufsicht auf den Pupillenfacettenspiegel 20. Pupillenfacetten 30 des Pupillenfacettenspiegels 20 sind im Bereich einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet. Die Anzahl der Pupillenfacetten 30 ist in der Realität sehr viel größer als in der 4 dargestellt. In der Realität ist die Anzahl der Pupillenfacetten 30 größer als die Anzahl der Feldfacetten 25 des Feldfacetten-Spiegels 19 und ist z. B. ein Mehrfaches der Anzahl der Feldfacetten 25. Die Pupillenfacetten 30 sind auf einem Pupillenfacetten-Träger 31 des Pupillenfacettenspiegels 20 angeordnet. Eine Verteilung von über die Feldfacetten 25 mit dem Beleuchtungslicht beaufschlagten Pupillenfacetten 30 innerhalb der Beleuchtungspupille gibt eine Ist-Beleuchtungswinkelverteilung im Objektfeld 5 vor.
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Jede der Feldfacetten 25 dient zur Überführung eines Teils des Beleuchtungslichts 16, also eines Beleuchtungslicht-Teilbündels 16i, von der Lichtquelle 2 hin zu einer der Pupillenfacetten 30. Aufgrund der verschiedenen Kipppositionen, die jeweils eine der Feldfacetten 25 einnehmen kann, erreicht diese Feldfacette 25i je nach Kippwinkel wahlweise eine Pupillenfacette 30 von einer Mehrzahl von Pupillenfacetten 30 innerhalb eines Pupillenfacetten-Bereichs 32. Ein Zentrum dieses Pupillenfacettenbereichs 32 ist definiert als der Auftreffpunkt des Beleuchtungslicht-Teilbündels 16i, welches über ein Zentrum der Feldfacette 25i in der Ausgangs-Kippposition hin zum Pupillenfacettenspiegel 20 geführt ist. Der Radius des Pupillenfacetten-Bereichs 32 ist vorgegeben durch die maximalen, über den jeweiligen Kipp-Aktor 29 (vgl. 2) erreichbaren Kippwinkel.
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Zur Messung einer Verteilung von Beleuchtungsintensitäten in Abhängigkeit vom jeweiligen Objektfeld-Beleuchtungswinkel, also zum Messen einer Intensitäts-/Beleuchtungswinkel-Verteilung an mindestens einem Objektfeldpunkt, im dargestellten Fall an mindestens zwei voneinander beabstandeten Objektfeldpunkten, dient eine Pupillen-Sensoreinrichtung 33. Diese umfasst eine Blendenplatte 34, die im Austausch gegen das Retikel 7 und den Retikelhalter 8 am Ort des Objektfeldes 5 angeordnet werden kann. Dieser Wechsel kann angetrieben und gesteuert von der zentralen Steuereinrichtung 24a erfolgen, mit der die Pupillen-Sensoreinrichtung in nicht dargestellter Weise in Signalverbindung steht. Die Blendenplatte 34 hat am Ort der zu vermessenden Objektfeldpunkte jeweils eine Lochblende 35, durch die, sofern die Blendenplatte 34 am Ort des Objektfeldes 5 angeordnet ist, das Beleuchtungslicht 3 hindurchtreten kann. Dies ist in der 1 schematisch dargestellt. Eine Intensitäts-/Beleuchtungswinkel-Verteilung des die jeweilige Lochblende 35 am zu vermessenden Objektfeldpunkt durchtretenden Beleuchtungslicht-Teilbündels ist entsprechend ein Maß für die auf diesen Objektfeldpunkt bei der Retikelbelichtung auftreffende Intensitäts-/Beleuchtungswinkel-Verteilung des Beleuchtungslichts 3.
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Das jeweilige Beleuchtungslicht-Teilbündel, welches die Lochblende 35 durchtritt, trifft auf einen dieser Lochblende 35 zugeordneten ortsauflösenden Sensor 36 der Pupillen-Sensoreinrichtung 33. Der jeweilige Sensor 36 erfasst also die Intensitäts-/Beleuchtungswinkel-Verteilung des Beleuchtungslichts 3 am jeweiligen, dem Ort der Lochblende 35 zugeordnetem Objektfeld. Bei der Ausführung nach 1 sind zwei Lochblenden 35 und zwei zugeordnete Sensoren 36 vorgesehen. Die Anzahl der Lochblenden und entsprechend die Anzahl der Sensoren kann höher sein, kann also mehr als zwei betragen, kann im Bereich von vier liegen, kann im Bereich von sechs liegen, kann im Bereich von acht liegen, kann im Bereich von zehn liegen und kann auch noch größer sein.
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Über Signalleitungen
37 steht mit den Sensoren
36 ein Speicher- und Rechenmodul
38 der Pupillen-Sensoreinrichtung
33 in Signalverbindung. Das Rechenmodul
38 dient zum Rekonstruieren eines Fernfeldes der Beleuchtung aus dem Resultat der Messung der Intensitäts-/Beleuchtungswinkel-Verteilung durch die Pupillen-Sensoreinrichtung 33. Details zu dieser Rekonstruktion des Fernfeldes aus dem Resultat der Messung einer Pupillen-Sensoreinrichtung finden sich in der
US 8 786 849 B2 .
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Weiterhin dient das Rechenmodul 38 zum Ermitteln eines Fernfeld-Einflusses des rekonstruierten Fernfeldes auf die Beleuchtungsdosis und zum Ermitteln eines Ist-Dosiswertes der Beleuchtungsdosis aus dem ermittelten Fernfeld-Einfluss.
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Teil der zentralen Steuereinrichtung 24a ist ein Steuermodul zum Steuern eines Dosisparameters der Projektionsbelichtungsanlage 1 abhängig von einer Differenz des ermittelten Ist-Dosiswertes von einem vorgegebenen Soll-Dosiswert der Beleuchtungsdosis. Die Beleuchtungsdosis auf einen betrachteten Objektfeldpunkt ist das Produkt aus der auftreffenden Beleuchtungsintensität mit der Dauer der Belichtung dieses Objektfeldpunktes.
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Eine entsprechende Pupillen-Sensoreinrichtung 39 kann auch im Austausch gegen den Wafer 13 und den Waferhalter 14 in der Bildebene 12 angeordnet werden, was in der 1 ebenfalls schematisch angedeutet ist. Komponenten der bildebenseitigen Pupillen-Sensoreinrichtung 39, die denjenigen der objektebenseitigen Pupillen-Sensoreinrichtung 33 entsprechen, tragen in der 1 die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
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Weiterhin hat die Projektionsbelichtungsanlage 1 eine Feldintensitäts-Sensoreinrichtung 40. Letztere hat mindestens zwei Sensorkomponenten 41, die in oder nahe der Objektebene 6 angeordnet sind. Mit den Sensorkomponenten 41 erfolgt eine Messung von Ist-Beleuchtungsintensitäten des Beleuchtungslichts 3 an zwei voneinander beabstandeten Positionen im Bereich eines Randes des Objektfeldes 5. Diese Messpositionen der Sensorkomponenten 41 liegen bei der Ausführung nach 1 jeweils knapp außerhalb des Objektfeldes 5. Die Sensorkomponenten 41 stehen mit dem Rechenmodul 38 und der zentralen Steuereinrichtung 24a in nicht dargestellter Weise in Signalverbindung.
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Die Projektionsbelichtungsanlage 1 hat weiterhin eine im Bereich der Lichtquelle 2 angeordnete Quellintensitäts-Sensoreinrichtung 42. Letztere hat eine Mehrzahl von Sensorkomponenten 43, die in Umfangsrichtung um das Beleuchtungslicht-Bündel 16 voneinander beabstandet angeordneten Positionen in einem Strahlengang des Beleuchtungslicht-Bündels 16 im Bereich der Lichtquelle 2 liegen. Die Sensorkomponenten 43 stehen mit dem Rechenmodul 38 sowie mit der zentralen Steuereinrichtung 24a in nicht dargestellter Weise in Signalverbindung.
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Die Quellintensitäts-Sensoreinrichtung 42 dient zum Messen von Ist-Beleuchtungsintensitäten an den jeweiligen Umfangspositionen in Umfangsrichtung um das Beleuchtungslicht-Bündel 16 und können zum einen Intensitätsschwankungen und zum anderen einen Positionsjitter der Lichtquelle 2 erfassen.
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Zur Regelung der Beleuchtungsdosis der Beleuchtung des Objektfeldes 5 der Projektionsbelichtungsanlage wird folgendermaßen vorgegangen:
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Zunächst wird eine Verteilung von Beleuchtungsintensitäten über den Objektfeld-Beleuchtungswinkel, also die Intensitäts-/Beleuchtungswinkel-Verteilung mit der Pupillen-Sensoreinrichtung 33 bzw. 39 an den mindestens zwei voneinander beabstandeten Feldpunkten des Objektfeldes 5 bzw. des Bildfeldes 11 gemessen.
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Anschließend wird im Rechenmodul 38 der Pupillen-Sensoreinrichtung 33 bzw. 39 das Fernfeld der Beleuchtung aus dem Resultat der Messung der Intensitäts-/Beleuchtungswinkel-Verteilung rekonstruiert. Das rekonstruierte Fernfeld gibt beispielsweise Aufschluss über eine mögliche lokale Verschmutzung von das Beleuchtungslicht 3 reflektierenden Komponenten des Kollektors 17. Es wird weiterhin der Fernfeld-Einfluss des rekonstruierten Fernfeldes auf die Beleuchtungsdosis ermittelt.
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Weiterhin wird der Ist-Dosiswert der Beleuchtungsdosis aus dem ermittelten Fernfeld-Einfluss ermittelt. Es kann also bestimmt werden, wie sich eine lokale Beeinträchtigung im Fernfeld auf die Beleuchtungsdosis des zu belichtenden Retikels 7 auswirkt.
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Schließlich wird bei dem Regelungsverfahren ein Dosisparameter der Projektionsbelichtungsanlage 1 abhängig von der Differenz des ermittelten Ist-Dosiswertes von einem vorgegebenen Soll-Dosiswert der Beleuchtungsdosis gesteuert. Beispielsweise wird die Scangeschwindigkeit an den Ist-Dosiswert angepasst, so dass bei zu hohem Ist-Dosiswert schneller gescannt wird oder bei zu geringem Ist-Dosiswert langsamer gescannt wird, damit der vorgegebene Soll-Dosiswert erreicht wird. Diese Ansteuerung des Dosisparameters am dargestellten Beispiel der Scangeschwindigkeit erfolgt über die zentrale Steuereinrichtung 24a.
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Je nach den Regelungsmöglichkeiten wird der Soll-Dosiswert für das gesamte Objektfeld oder für Abschnitte des Objektfeldes oder beispielsweise abhängig von der Objektfeldhöhe, also quer zur Scanrichtung, angegeben.
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Bei einer Variante des Regelungsverfahrens erfolgt zusätzlich ein Messen der Ist-Beleuchtungsintensitäten an den mindestens zwei voneinander beabstandeten Positionen im Bereich des Randes des Objektfeldes 5 über die Sensorkomponenten 41 der Feldintensitäts-Sensoreinrichtung 40. Abhängig von der Differenz der gemessenen Ist-Beleuchtungsintensitäten von vorgegebenen Soll-Beleuchtungsintensitäten erfolgt dann ein entsprechendes Steuern eines Dosisparameters der Projektionsbelichtungsanlage. Es kann beispielsweise eine Umverteilung der Zuordnung der Feldfacetten 25 einerseits und der Pupillenfacetten 30 andererseits zu den jeweiligen Ausleuchtungskanälen so erfolgen, dass sich die gemessenen Ist-Beleuchtungsintensitäten wiederum an die gegebenen Soll-Beleuchtungsintensitäten annähern. Eine derartige Umverteilung kann durch entsprechende Auswahl konkreter Schalt- bzw. Kippstellungen der Feldfacetten 25 erfolgen.
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Bei einer weiteren Variante des Regelungsverfahrens werden die Soll-Beleuchtungsintensitäten abhängig von einer Soll-Beleuchtungswinkelverteilung vorgegeben. Es geht also in die Vorgabe der Soll-Beleuchtungsintensitäten die Information ein, welches Beleuchtungssetting, also welche Beleuchtungswinkel-Verteilung, über die Beleuchtungsoptik 4 eingestellt wird, also beispielsweise ein konventionelles Setting, bei dem das Retikel kontinuierlich aus möglichst vielen Beleuchtungswinkeln bis hin zu einem maximalen Beleuchtungswinkel beleuchtet wird, ein annulares Setting, bei dem das Retikel mit einem absoluten Beleuchtungswinkel zwischen einem vorgegebenen minimalen und einem vorgegebenen maximalen Beleuchtungswinkel aus allen Richtungen (ringförmige Pupille) beleuchtet wird, oder beispielsweise ein Dipol- oder Multipolsetting, bei dem das Retikel 7 aus Richtungen verschiedener Beleuchtungspole beleuchtet wird. Ein weiteres mögliches Beleuchtungssetting ist ein Quasar-Beleuchtungssetting. Je nach dem über die Beleuchtungsoptik 4 vorgegebene Beleuchtungssetting können verschiedene Verteilungen der Soll-Beleuchtungsintensitäten resultieren, die dann beim Regelungsverfahren vorgegebenen werden.
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Die Soll-Beleuchtungsintensitäten können abhängig von einer Kippstellung der Facetten 25 des Feldfacettenspiegels 19 vorgegeben werden, wobei in jeder dieser Kippstellungen jeweils ein Beleuchtungslicht-Teilbündel über einen anderen Ausleuchtungskanal der Objektfeld-Beleuchtung geführt ist, wobei wiederum jeder Ausleuchtungskanal einem bestimmten Beleuchtungswinkel der Objektfeld-Beleuchtung zugeordnet ist. Jeder Ausleuchtungskanal ist über genau ein Beleuchtungslicht-Teilbündel vorgegeben, welches über genau eine Feldfacette 25 und genau eine nachfolgende Pupillenfacette 30 geführt ist.
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Bei einer weiteren Variante des Regelungsverfahrens werden mit der Quellintensitäts-Sensoreinrichtung 42 Ist-Beleuchtungsintensitäten an den Umfangspositionen der Sensorkomponenten 43 gemessen und abhängig von der Differenz der gemessenen Ist-Beleuchtungsintensitäten in Umfangsrichtung um das Beleuchtungslicht-Bündel 16 von vorgegebenen Soll-Beleuchtungsintensitäten ein entsprechender Dosisparameter der Projektionsbelichtungsanlage 1 über die Steuereinrichtung 24a angesteuert. Es kann sich bei dem hierbei angesteuerten Dosisparameter um einen Quellparameter handeln, beispielsweise um die Synchronisierung eines Vor- zu einem Haupt-Laserimpuls des bei der Plasmageneration handeln. Auch die Synchronisierung eines Einschießzeitpunktes eines Plasmamaterial-Tröpfchens kann ein zu steuernder Dosisparameter sein. Auch Pulsparameter, wie beispielsweise Pulsleistung oder Fokusposition des Vor- oder Haupt-Pulses, können zu derartigen anzusteuernden Dosisparamatern gehören.
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Über den vorstehend erläuterten Einsatz verschiedener Sensoren ist die Ermittlung system-individueller Ist-Beleuchtungsdaten möglich, so dass der Einfluss von Komponenten beherrschbar wird, die bei der jeweils zu vermessenden Projektionsbelichtungsanlage beispielsweise aufgrund ihrer individuellen Einsatzsituation oder ihres spezifischen Alterungs- bzw. Verschmutzungsgrades eine entsprechend individuelle optische Wirkung für das Projektionsbelichtungsverfahren haben.
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Bei dem Regelungsverfahren kann eine vorgegebene Gewichtung zwischen verschiedenen Ausrichtungskanälen der Objektfeld-Beleuchtung berücksichtigt werden.
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5 zeigt ein Ablaufschema des Regelungsverfahrens.
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Die Erfassung des Messsignals der Pupillen-Sensoreinrichtung 33 bzw. 39 erfolgt im Messschritt 44. Eine Rekonstruktion des Fernfeldes aus dem Resultat der Messung der Intensitäts-/Beleuchtungswinkel-Verteilung im Messschritt 44 erfolgt im Rekonstruktionsschritt 45. Eine Berechnung einer system-individuellen Asymmetrie des Beleuchtungssettings erfolgt in einem Ermittlungsschritt 46, in dem auch die Ermittlung des Fernfeld-Einflusses des rekonstruierten Fernfeldes auf die Beleuchtungsdosis und die Ermittlung des Ist-Dosis-Wertes der Beleuchtungsdosis aus dem ermittelten Fernfeld-Einfluss erfolgt. In einem Steuerschritt 47 erfolgt wiederum die Steuerung des Dosisparameters der Projektionsbelichtungsanlage abhängig von der Ist-Soll-Differenz des Dosiswertes der Beleuchtungsdosis.
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In einem weiteren Messschritt 48 erfolgt ein Messen der Ist-Beleuchtungsintensitäten über die Feldintensitäts-Sensoreinrichtung 40. Über einen weiteren Messschritt 49 erfolgt die Messung der Ist-Beleuchtungsintensitäten über die Quellintensitäts-Sensoreinrichtung 42. Hieraus wird in einem Ermittlungsschritt 50 auf eine Asymmetrie des Fernfeldes in der Fernfeldebene 19a geschlossen, was wiederum in den Berechnungs-/Ennittlungsschritt 46 eingeht.
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In die Vorgabe der Soll-Beleuchtungsintensitäten der Sensorkomponenten 41 der Feldintensitäts-Sensoreinrichtung 40 kann auch die im Ermittlungsschritt 50 bestimmte Fernfeldasymmetrie aus der Messung der Quellintensitäts-Sensoreinrichtung 42 im Messschritt 49 eingehen.
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Eine Asymmetrie des Fernfeldes kann als vertikale Asymmetrie, also als Asymmetrie über die y-Koordinate, und/oder als horizontale Asymmetrie, also als Asymmetrie über die x-Koordinate, vorliegen. Eine vertikale Fernfeldasymmetrie liegt beispielsweise vor, wenn der Feldfacettenspiegel 19 im Bereich der in der 2 oberen Feldfacetten 25 (große y-Werte) mit größerer Energie des Beleuchtungslichts 3 beaufschlagt wird als im Bereich der in der 2 unteren Feldfacetten 25 (kleine y-Werte). Eine horizontale Fernfeldasymmetrie liegt beispielsweise dann vor, wenn beim Feldfacettenspiegel 19 die in der 2 linken Feldfacetten 25 mit geringerer Energie beaufschlagt werden als die in der 2 rechten Feldfacetten 25.
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Diese Fernfeldasymmetrien können über eine, wie vorstehend beschriebene Rekonstruktion des Fernfeldes und/oder über eine direkte Fernfeldmessung, beispielsweise über eine Sensoranordnung, entsprechend der
DE 10 2011 081 914 A1 oder über Sensorkomponenten erfolgen, die nachfolgend in Bezug auf die
7 noch erläutert werden.
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Nach erfolgter Regelung der Beleuchtungsdosis erfolgt dann die Projektionsbelichtung.
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Anhand der 6 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer Quellintensitäts-Sensoreinrichtung 51 beschrieben, die zusammen mit einem Ellipsoid-Kollektor 52 anstelle der Quellintensitäts-Sensoreinrichtung 42 und des Kollektors 17 der Ausführung nach 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 5 bereits erläutert wurden, tragen ggf. die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
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Die Lichtquelle 2 liegt in einem ersten Brennpunkt und der Zwischenfokus der Zwischenfokusebene 18 in einem zweiten Brennpunkt des Ellipsoid-Kollektors 52. Die Sensorkomponenten 43 der Quellintensitäts-Sensoreinrichtung 51 sind in Umfangsrichtung um das Beleuchtungslicht-Bündel 16 voneinander beabstandet um eine äußere Berandung des Ellipsoid-Kollektors 52 herum angeordnet. Diese Anordnung ist aufgrund der räumlichen Nähe der Sensorkomponenten 43 zur Lichtquelle 2 im Bereich der Lichtquelle 2 lokalisiert.
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Die Sensorkomponenten 43 der Quellintensitäts-Sensoreinrichtung 51 sind radial symmetrisch um den Kollektor 52 angeordnet. Die Sensorkomponenten 43 liegen außerhalb des Strahlengangs des vom Kollektor 52 reflektierten Beleuchtungslicht-Bündels 16. Die Quellintensitäts-Sensoreinrichtung 51 nach 6 hat insgesamt sechs Sensorkomponenten 43. Auch eine geringe Anzahl, z. B. drei Sensoren, die insbesondere in Umfangrichtung im Abstand von jeweils 120° zueinander angeordnet sein können, oder vier Sensoren, die insbesondere in Umfangsrichtung im Abstand von 90° zueinander angeordnet sein können, sind möglich. Auch eine größere Anzahl derartiger Sensorkomponenten 43 ist möglich.
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Soweit genau zwei derartige Sensorkomponenten
43 der Quellintensitäts-Sensoreinrichtung
51 zum Einsatz kommen, sollten diese nahe der yz-Ebene (vgl.
1) angeordnet sein. Über alternativ voneinander in Bezug auf diese yz-(Meridional-)Ebene voneinander beabstandet angeordnete Sensorkomponenten
43 kann bei entsprechender Anordnung dieser Sensorkomponenten
43 eine Abweichung einer Homogenität der Beleuchtungsintensität über die Feldhöhe x mit Hilfe der Sensorkomponenten
43 der Quellintensitäts-Sensoreinrichtung
42 bzw.
51 vennessen werden. Eine entsprechende Inhomogenität der Beleuchtungsintensität kann über eine Feldintensitäts-Korrektureinrichtung verringert oder beseitigt werden, die beispielsweise in der
WO 2009/132 756 A1 und der
EP 0 952 491 A2 beschrieben ist.
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Alternativ oder zusätzlich zur Vermessung von Ist-Beleuchtungsintensitäten über die vorstehend beschriebenen Ausführungen der Quellintensitäts-Sensoreinrichtungen
42 oder
51 kann auf eine Fernfeldasymmetrie im Ermittlungsschritt
50 auch über eine Vermessung des Fernfeldes in der Fernfeldebene
19a mit Hilfe einer im Bereich der Feldfacetten
25 untergebrachten Sensoranordnung vermessen werden. Eine derartige Sensoranordnung ist beispielsweise beschrieben in der
DE 10 2011 081 914 A1 . Einige Facetten des Feldfacettenspiegels
19 können also als Auskoppel-Facetten ausgeführt sein, die Beleuchtungslicht
3, welches in der Fernfeldebene
19a auf den Feldfacettenspiegel
19 trifft, auf Fernfeldsensoren leiten, wobei jeweils einer Auskoppelfacette ein solcher Fernfeldsensor zugeordnet ist. Bei den Fernfeldsensoren kann es sich um Energiesensoren handeln. Derartige Fernfeldsensoren können auch am Ort der in der
DE 10 2011 081 914 A1 beschriebenen Auskoppelfacetten angeordnet sein.
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Eine Auswertung eines Messergebnisses einer solchen Fernfeldmessung kann wiederum im Rechenmodul
38 geschehen. Über derartige, direkt das Fernfeld vermessende Sensoren können insbesondere Fluktuationen der Lichtquelle
2 vermessen werden. Diese Daten können dann im Rechenmodul
38 verarbeitet und dem Steuermodul
24a zum Steuern des Dosisparameters verarbeitet werden. Alternativ oder zusätzlich zu einer derartigen Feldintensitäts-Korrektureinrichtung, die auch als Unicom bezeichnet ist, kann auch eine Korrektureinrichtung unter Einsatz von Korrektur-Pupillenfacetten nach Art der
WO 2016/128 253 A1 herangezogen werden. Wiederum alternativ oder zusätzlich hierzu können Korrektur-Feldfacetten und/oder Korrektur-Mechanismen im Bereich eines Feldfacetten- und/oder Pupillenfacettenspiegels zum Einsatz kommen, die in der
WO 2009/132 756 A1 beschrieben sind.
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Derartige Korrekturkomponenten können abhängig vom Ergebnis der Auswertung des Rechenmoduls 38 über das Steuermodul 24a angesteuert werden.
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Ein Kipp der Uniformität kann beispielsweise durch die gezielte Verschiebung von Bildern der Lichtquelle 2 auf den Pupillenfacetten 30 korrigiert werden. Alternativ oder zusätzlich können die Lichtquellen-Bilder auf den Pupillenfacetten 30 so angeordnet sein, dass Schwankungen der Lichtquelle 2 nicht zu einem unerwünschten Abschneiden von Anteilen der jeweiligen Lichtquellen-Bilder an den Rändern der zugehörigen Pupillenfacette führen.
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Bei der Vorgabe von Positionen der Lichtquellen-Bilder auf den Pupillenfacetten kann, insbesondere abhängig von typischen Dimensionen des abzubildenden Objekts 7, auch die Lage von Beugungsordnungen des Beleuchtungslichts 3 in einer Pupillenebene des optischen Systems der Projektionsbelichtungsanlage 1 berücksichtigt werden. Die Lagebeziehung insbesondere zwischen Rändern einer der jeweiligen Beugungsordnung zugeordneten Beleuchtungslicht-Beaufschlagung und den Lichtquellen-Bildern in der Pupillenebene kann so gewählt werden, dass derartige Ränder nicht durch eine unerwünschte Anzahl derartiger Lichtquellen-Bilder verlaufen.
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Um die Wirkung beispielsweise einer Verkippung des Feldfacettenspiegels 19 insgesamt und/oder einer Verkippung ausgewählter der Feldfacetten 25 und damit einer gezielten Verschiebung von Bildern der Lichtquelle 2 auf den Pupillenfacettenspiegel 30 auf die Beleuchtungsdosis, auf die Uniformität und/oder auf die Beleuchtungswinkelverteilung zu kalibrieren, kann mindestens eines der nachfolgenden Kalibrierverfahren zum Einsatz kommen:
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Es kann eine Kalibrierung durch gemeinsame Verschiebung aller Lichtquellen-Bilder auf den Pupillenfacetten 30 erfolgen, was insbesondere durch Verkippung des Feldfacettenspiegels 19 insgesamt um eine Achse parallel zur x-Achse und/oder eine Achse parallel zur y-Achse erfolgen kann. Abhängig von der jeweiligen Verkippung kann dann, wie vorstehend erläutert, eine Messung z. B. eines Uniformitäts-Kipps, insbesondere abhängig von einer Verkippung des Feldfacettenspiegels 19 um eine Achse parallel zur y-Achse, also abhängig von einer Verschiebung der Lichtquellen-Bilder auf den Pupillenfacettenspiegeln 30 in x-Richtung, oder einer Uniformitätsabweichung, bei der in mittleren Feldhöhen des Objektfeldes 5 eine Abweichung einer Beleuchtungsintensität von den Feldrändern festgestellt wird, insbesondere in Abhängigkeit von einer Verkippung des Feldfacettenspiegels 19 um eine Achse parallel zur x-Achse, also abhängig von einer Verlagerung der Lichtquellen-Bilder auf den Pupillenfacetten 30 längs der y-Koordinate, erfolgen.
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Alternativ oder zusätzlich zu einer solchen gemeinsamen Verschiebung der Lichtquellen-Bilder auf den Pupillenfacetten 30 kann auch die Wirkung einer individuellen Verschiebung der Lichtquellen-Bilder auf den jeweiligen Pupillenfacetten 30 in einem individuellen Kalibrierverfahren vermessen und kalibriert werden. Hierzu kann jedes Lichtquellen-Bild auf der jeweiligen Pupillenfacette 30 in Form eines Rasters mit verschiedenen Auslenkungsamplituden in x- und y-Richtung verlagert werden, wobei die Wirkung dieser jeweiligen Verschiebung dann mit Hilfe der vorstehend erläuterten sensorischen Verfahren, Rekonstruktionsverfahren und Ermittlungsverfahren vermessen wird. Nach Bestimmung entsprechender Informationen für jeden Ausleuchtungskanal kann dann ein Gesamteffekt der Verschiebungswirkung der Lichtquellen-Bilder auf allen Pupillenfacetten 30 ermittelt werden.
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7 zeigt am Beispiel eines rechteckigen Beleuchtungsfeldes 53 die Anordnung von Sensorkomponenten 54 einer weiteren Ausführung einer Feldintensitäts-Sensoreinrichtung 55, die anstelle der Feldintensitäts-Sensoreinrichtung 40 der Ausführung nach 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 6 bereits erläutert wurden, tragen ggf. die gleichen Bezugszeichen und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
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Schraffiert dargestellt ist in der 7 eine ebenfalls rechteckige Erstreckung des Objektfeldes 5. Im Objektfeld 5 überlagern sich Bilder 56 der Feldfacetten 25 (vgl. die rechteckigen Feldfacetten der Ausführungen nach 3). Insgesamt sind in der 7 stellvertretend vier derartige Bilder 56a, 56b, 56c und 56d von vier rechteckigen Feldfacetten 25 dargestellt. In der Praxis überlagern sich die Bilder aller Feldfacetten 25 im Objektfeld 5.
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Einige dieser Bilder, in der Darstellung nach 7 die Bilder 56a, 56b und 56c, erstrecken sich in der x-Dimension über die Feldhöhen-Grenzen des Objektfeldes 5 hinaus, liegen also nicht mehr im Objektfeld 5, aber noch im Beleuchtungsfeld 53. In diesen Abschnitten des Beleuchtungsfeldes 53, die nicht mehr zum Objektfeld 5 gehören, sind die beiden Sensorkomponenten 54 der Feldintensitäts-Sensoreinrichtung 55 angeordnet.
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Das Bild 56a erstreckt sich über beide Sensorkomponenten 54 in der 7 rechts und links vom Objektfeld 5. Das Bild 56b erstreckt sich ausschließlich nach rechts über das Objektfeld 5 und auch über die in der 7 rechte Sensorkomponente 54, die auch als Sensorkomponente 54r bezeichnet ist. Das Bild 56c erstreckt sich nach links über das Objektfeld 5 und auch über die in der 7 links dargestellte Sensorkomponente 54, die auch als Sensorkomponente 541 bezeichnet ist.
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Die Sensorkomponenten 54r, 541 können genau in der Objektebene 6 angeordnet sein. Alternativ ist es möglich, die Sensorkomponenten 54r, 541 in einem geringen Abstand zur Objektebene 6 anzuordnen, beispielsweise in einem Abstand, der kleiner ist als 50 mm.
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Abhängig von der Anordnung des jeweiligen Bildes 56i, also insbesondere abhängig von der jeweiligen Feldfacette 25 bzw. ihrer Kipp- bzw. Schaltstellung, kann das Bild 56i keine der beiden Sensorkomponenten 54, genau eine der beiden Sensorkomponenten 54, und zwar entweder die linke oder die rechte Sensorkomponente 541, 54r, oder beide Sensorkomponenten 54 beleuchten. Die Gesamt-Beleuchtungsintensität, die über die beiden Sensorkomponenten 54r, 541 der Feldintensitäts-Sensoreinrichtung 55 gemessen wird sowie das Verhältnis aus den Beleuchtungsintensitäten, die mit der linken und der rechten Sensorkomponente 541, 54r gemessen werden, erlauben also einen Rückschluss auf die bei der jeweiligen Belichtungssituation bzw. dem jeweiligen Beleuchtungssetting zum Einsatz kommenden Feldfacetten 25 bzw. deren Schaltstellungen. Die Feldintensitäts-Sensoreinrichtung 55 erlaubt also einen Rückschluss auf die jeweilige Belichtungssituation bzw. das jeweilige Beleuchtungssetting.
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Über die Sensorkomponenten 541, 54r kann ein Rückschluss auf einen Kipp der Uniformität der Beleuchtung des Objektfeldes 5 gezogen werden. Hierbei kann die Differenz der Messwerte der Sensorkomponenten 541, 54r herangezogen werden. Diese Differenzmessung kann wiederum über das Rechenmodul 38 ausgewertet und über das Steuermodul 24a verarbeitet werden. Über die Sensorkomponenten 541, 54r kann insbesondere eine horizontale Fernfeldasymmetrie bestimmt werden.
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Über die beschriebenen Verfahren hinaus können auch weitere Kalibrierverfahren zum Einsatz kommen.
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Das Ergebnis dieser individuellen Kalibrierung kann dann herangezogen werden, um insbesondere eine gewichtete Verschiebung der Lichtquellen-Bilder auf den jeweiligen Pupillenfacetten 30 zum Erreichen eines gewünschten Effekts, beispielsweise auf die Beleuchtungsdosis, auf die Uniformität und/oder auf die Beleuchtungswinkelverteilung zu erreichen. Hierbei kann bei jeweils sensitiver auf den zu verändernden Parameter reagierenden Pupillenfacetten 30 eine geringere Verschiebung des dortigen Lichtquellen-Bildes vorgegeben werden als bei weniger sensitiv reagierenden Pupillenfacetten 30.
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Anstelle eines rechteckigen Objektfeldes 5 und eines entsprechend rechteckigen Beleuchtungsfeldes 53 kann auch ein gebogenes Feld, insbesondere ein teilringförmiges Feld zum Einsatz kommen. Auch in diesem Fall liegen die Sensorkomponenten der Feldintensitäts-Sensoreinrichtung bei einer Ausführung entsprechend derjenigen nach 7 außerhalb einer Objektfeldhöhe eines solchen Bogen- bzw. Ringfeldes.
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Bei der Projektionsbelichtung mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird nach Durchführung des vorstehend erläuterten Ausgangs-Kippwinkel-Zuordnungsverfahrens wenigstens ein Teil des Retikels 7 im Objektfeld 5 auf einen Bereich der lichtempfindlichen Schicht auf dem Wafer 13 im Bildfeld 11 zur lithografischen Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauteils, insbesondere eines Halbleiterbauteils, beispielsweise eines Mikrochips, abgebildet. Hierbei werden das Retikel 7 und der Wafer 13 zeitlich synchronisiert in der y-Richtung kontinuierlich im Scanbetrieb verfahren.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- US 2011/0001947 A1 [0002]
- WO 2009/132756 A1 [0002, 0005, 0067, 0069]
- WO 2009/100856 A1 [0002, 0030]
- US 6438199 B1 [0002, 0030]
- US 6658084 B2 [0002, 0030]
- DE 102008011501 A1 [0002]
- WO 2014/000763 A1 [0002]
- DE 102014223326 A1 [0002]
- DE 102011078224 A1 [0002]
- DE 102011081914 A1 [0005, 0062, 0068]
- EP 0952491 A2 [0005, 0067]
- US 6859515 B2 [0022]
- EP 1225481 A [0022]
- US 8786849 B2 [0038]
- WO 2016/128253 A1 [0069]