DE10201782A1

DE10201782A1 - Electronic component with one or more semiconductor chips, includes arrangement of through contacts forming edges of bond channel.

Info

Publication number: DE10201782A1
Application number: DE10201782A
Authority: DE
Inventors: Christian Hauser; Johann Winderl; Thomas Haalboom; Martin Reis
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2002-01-17
Filing date: 2002-01-17
Publication date: 2003-03-27

Abstract

The chip (4) is mounted on a wiring panel (6) with track layers (61, 62). It is connected via bonding wires (8) to contact areas (64). The tracks (63) are connected by through-contacts (vias). These are arranged at a surrounding edge (68) of a bond channel (67), and at least over sections, form the edge of the bond channel. An Independent claim is included for the method of making the corresponding component.

Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit wenigstens einem Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung des elektronischen Bauteils. The invention relates to an electronic component at least one semiconductor chip and a method of manufacture of the electronic component.

Die Dimensionen komplexer elektronischer Bauteile, beispielsweise sogenannter BOC (Board-On-Chip)-Gehäuse, werden zunehmend kleiner, so dass auch die Umverdrahtungen von Halbleiterchips zu Leiterbahnen schwieriger werden. Insbesondere Durchkontakte, sogenannte Vias, zwischen verschiedenen Leiterbahnebenen der Umverdrahtungsplatten benötigen relativ viel Raum, der jedoch aufgrund der nicht definierten Oberfläche der galvanisch gebildeten Durchkontakte nicht zum Kontaktieren von Bonddrähten geeignet ist. Zudem weisen die Bohrungen, die anschließend galvanisch mit Metall aufgefüllt werden und dadurch die Durchkontakte bilden, relativ große Toleranzen auf, so dass bei einem typischen Durchmesser eines Durchkontakts von ca. 100 µm ein gesamter Platzbedarf mit einem Durchmesser von bis zu 200 µm erforderlich ist. The dimensions of complex electronic components, for example, so-called BOC (board-on-chip) packages increasingly smaller, so that the rewiring of Semiconductor chips to conductor tracks are becoming more difficult. In particular Through contacts, so-called vias, between different Conductor levels of the redistribution boards require relatively much space, however due to the undefined Surface of the galvanically formed through contacts not to Contacting bond wires is suitable. In addition, the Bores that are then galvanically filled with metal and thereby form the vias, relatively large Tolerances so that at a typical diameter one Through contact of approx. 100 µm a total space requirement with one Diameter up to 200 µm is required.

Ein Ziel der Erfindung besteht darin, ein elektronisches Bauteil mit wenigstens einem Halbleiterchip sowie einer Umverdrahtungsplatte zur Verfügung zu stellen, das sich durch kompakte Abmessungen auszeichnet, um die Nachteile im Stand der Technik zu überwinden. An object of the invention is an electronic one Component with at least one semiconductor chip and one To provide rewiring plate that stands out compact dimensions distinguishes the disadvantages in the prior art Technology to overcome.

Dieses Ziel der Erfindung wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche erreicht. Merkmale vorteilhafter Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. This object of the invention is the subject of independent claims achieved. Features more advantageous Further developments of the invention result from the dependent Claims.

Dem gemäß weist ein elektronisches Bauteil wenigstens einen Halbleiterchip auf, der auf einer wenigstens zwei Leiterbahnlagen aufweisenden Umverdrahtungsplatte montiert ist und der über Bonddrähte mit Kontaktanschlussflächen der Umverdrahtungsplatte elektrisch leitend verbunden ist. Leiterbahnen der wenigstens zwei Leiterbahnlagen der Umverdrahtungsplatte sind über Durchkontakte elektrisch leitend verbunden. Die Durchkontakte sind zumindest teilweise an einem umlaufenden Rand eines Bondkanals der Umverdrahtungsplatte angeordnet und bilden zumindest abschnittsweise den Rand des Bondkanals. Accordingly, an electronic component has at least one Semiconductor chip on at least two Circuit board layers having rewiring plate is mounted and the via bond wires with contact pads of the Rewiring plate is electrically connected. conductor tracks the at least two interconnect layers of the rewiring plate are electrically connected via vias. The Through contacts are at least partially on a circumferential Edge of a bond channel of the redistribution board arranged and form the edge of the bond channel at least in sections.

Durch die Anordnung der Durchkontakte in dem Randbereich des Bondkanals wird erheblicher Platz eingespart, da die Durchkontakte bei der Herstellung der Substratöffnung des Bondkanals teilweise entfernt werden. Die Herstellung des Bondkanals kann beispielsweise durch Stanzen oder Fräsen erfolgen, wobei nur noch ein Teilstück des ursprünglichen Durchkontakts übrigbleibt. Es muss gerade so viel Material stehen bleiben, um eine elektrische Verbindung zwischen den einzelnen Verdrahtungsebenen aufrecht erhalten zu können. Vorteilhaft ist dabei insbesondere eine wesentliche Reduzierung der benötigten Fläche für die Durchkontakte, womit einerseits mehr verfügbare Fläche für die Umverdrahtung verbleibt, andererseits die Größe des gesamten Bauteils reduziert werden kann. The arrangement of the through contacts in the edge region of the Considerable space is saved because the bond channel Through contacts in the manufacture of the substrate opening Bond channel can be partially removed. The production of the Bond channel can be done for example by punching or milling, with only a portion of the original through contact remains. There just has to be enough material left an electrical connection between the individual To be able to maintain wiring levels. It is advantageous in particular a significant reduction in required area for the vias, which on the one hand more available space for rewiring remains, on the other hand the size of the entire component can be reduced.

Eine Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass erste Durchkontakte zur elektrischen Verbindung von Leiterbahnen der wenigstens zwei Leiterbahnlagen beabstandet vom Bondkanal angeordnet sind. Zudem ist vorgesehen, dass zweite Durchkontakte zur elektrischen Verbindung von Leiterbahnen der wenigstens zwei Leiterbahnlagen am umlaufenden Rand des Bondkanals angeordnet sind und zumindest abschnittsweise den Rand des Bondkanals bilden. Diese Anordnung hat den Vorteil eines erheblich reduzierten Raumbedarfs, da die nicht bondbaren Durchkontakte auf ein Minimum ihrer ansonsten notwendigen Fläche reduziert werden. An embodiment of the invention provides that the first Through contacts for the electrical connection of conductor tracks of the at least two interconnect layers spaced from the bond channel are arranged. It is also envisaged that the second Vias for the electrical connection of conductor tracks at least two interconnect layers on the peripheral edge of the bond channel are arranged and at least in sections the edge of the Form bond channel. This arrangement has the advantage of one considerably reduced space requirements because the non-bondable Through contacts to a minimum of their otherwise necessary Area to be reduced.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass eine vom Halbleiterchip abgewandte ersten Leiterbahnlage Außenkontaktflächen zur elektrischen Kontaktierung des elektronischen Bauteils aufweist. Diese Außenkontaktflächen können beispielsweise mit Außenkontakten in Form von Kontakthöckern bzw. Lötkugeln versehen sein. Diese Kontakthöcker dienen zur elektrischen und mechanischen Verbindung des elektronischen Bauteils mit einer Leiterplatte oder dergleichen. Another embodiment of the invention provides that a first conductor track layer facing away from the semiconductor chip External contact surfaces for electrical contacting of the has electronic component. These external contact areas can for example with external contacts in the form of contact bumps or solder balls. These bumps are used for electrical and mechanical connection of the electronic Component with a circuit board or the like.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind Kontaktanschlussflächen und Außenkontaktflächen der Umverdrahtungsplatte beabstandet von Durchkontakten angeordnet. Die galvanisch gebildeten Durchkontakte eignen sich nicht zur direkten Kontaktierung mit Außenkontakten bzw. Bonddrähten, so dass jeweils ein Mindestabstand zwischen Durchkontakten und Kontaktanschlussflächen bzw. Außenkontaktflächen notwendig ist. According to a further embodiment of the invention Contact pads and external contact areas of the Rewiring plate spaced from vias. The galvanically formed through contacts are not suitable for direct contact with external contacts or bond wires, see above that there is a minimum distance between vias and Contact pads or external contact areas necessary is.

Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils gemäß einer der zuvor beschriebenen Ausführungsformen umfasst folgende Verfahrensschritte. Es wird wenigstens ein Halbleiterchip mit Kontaktflächen auf einer aktiven Chipoberfläche bereitgestellt. Es wird eine Umverdrahtungsplatte aus elektrisch isolierendem Material bereitgestellt, die wenigstens zwei Leiterbahnlagen aufweist. Durch die erste Leiterbahnlage und bis zu einer zweiten Leiterbahnlage werden Bohrungen an Stellen angebracht, die zur Herstellung von Durchkontakten vorgesehen sind. Mittels galvanischem Auffüllen der Bohrungen werden Durchkontakte zwischen ersten und zweiter Leiterbahnlage hergestellt. An inventive method for producing a electronic component according to one of the previously described Embodiments include the following method steps. It will at least one semiconductor chip with contact areas on one active chip surface provided. It will be one Rewiring plate made of electrically insulating material provided that has at least two interconnect layers. By the first conductor path and up to a second Conductor position, holes are made at points that lead to Production of through contacts are provided. By means of galvanic Filling the holes through contacts between the first and the second conductor layer.

In die Umverdrahtungsplatte wird ein Bondkanal eingebracht, wobei jeweils Teile der zweiten Durchkontakte entfernt werden. Anschließend wird der wenigstens eine Halbleiterchip auf der Umverdrahtungsplatte aufgebracht, wonach Bondverbindungen zwischen Kontaktflächen des wenigstens einen Halbleiterchips und Kontaktanschlussflächen der Bondverdrahtungsplatte hergestellt werden. Schließlich erfolgt eine Auskleidung des Bondkanals mit einer elektrisch isolierenden Bondkanalverkleidung unter Einbettung der Bonddrähte. A bonding channel is introduced into the rewiring plate parts of the second vias removed become. The at least one semiconductor chip is then opened applied to the redistribution board, after which bond connections between contact areas of the at least one semiconductor chip and contact pads of the bond wiring board getting produced. Finally, the Bond channel with an electrically insulating bond channel cladding embedding the bond wires.

Mit diesem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich kompakte elektronische Bauteile herstellen, da der notwendige Abstand der Kontaktanschlussflächen zum Bondkanal deutlich reduziert werden kann. Die nicht direkt bondbaren Durchkontakte werden in ihrem Durchmesser erheblich reduziert, so dass die Bondverbindungen näher am Bondkanal platziert werden können, wodurch ggf. auch Außenkontaktflächen näher zum Bondkanal hingerückt werden können. This method according to the invention can be compact Manufacture electronic components because of the necessary distance the contact pads to the bond channel significantly reduced can be. The through contacts that cannot be bonded directly significantly reduced in diameter, so the Bond connections can be placed closer to the bond channel, whereby possibly also external contact surfaces closer to the bond channel can be moved.

Gemäß einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der Bondkanal durch einen Stanzvorgang gebildet, wobei Teile der zweiten Durchkontakte, die unmittelbar am Bondkanal liegen, entfernt werden. Gegebenenfalls kann der Bondkanal auch durch Fräsen oder Bohren hergestellt werden. According to one embodiment of the method according to the invention the bond channel is formed by a stamping process, whereby Parts of the second through contacts that are directly on the bond channel lie, be removed. If necessary, the bond channel can also be produced by milling or drilling.

Der wenigstens eine Halbleiterchip kann mit seiner aktiven Chipoberfläche durch Kleben auf der Umverdrahtungsplatte angebracht werden. Dies sorgt für eine feste, mechanische Verbindung zwischen Umverdrahtungsplatte und Halbleiterchip. Gegebenenfalls kann eine passive Rückseite des wenigstens einen Halbleiterchips mit einer Kunststoffpressmasse bedeckt werden, beispielsweise im Transfermolding-Verfahren. The at least one semiconductor chip can be active with its Chip surface by gluing on the rewiring plate be attached. This ensures a firm, mechanical Connection between rewiring plate and semiconductor chip. If necessary, a passive back of the at least one Semiconductor chips covered with a plastic molding compound be, for example, in the transfer molding process.

Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die beiliegenden Figuren näher erläutert. The invention will now be described with reference to embodiments explained in more detail on the accompanying figures.

Fig. 1 zeigt ein erfindungsgemäßes elektronisches Bauteil in schematischer Teilschnittdarstellung. Fig. 1 shows an inventive electronic device in a schematic partial sectional view.

Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf einen Ausschnitt des elektronischen Bauteils gemäß Fig. 1. FIG. 2 shows a top view of a section of the electronic component according to FIG. 1.

Fig. 3 zeigt eine Draufsicht entsprechend Fig. 2 nach Herstellung eines Bondkanals. FIG. 3 shows a top view corresponding to FIG. 2 after the production of a bond channel.

Fig. 1 zeigt in einem schematischen Teilschnitt ein erfindungsgemäßes elektronisches Bauteil 2, das eine Umverdrahtungsplatte 6 sowie wenigstens einen darauf montierten Halbleiterchip 4 umfasst. Der Halbleiterchip 4 ist mit einer aktiven Chipoberfläche 41 über eine Klebeschicht 12 mit der Umverdrahtungsplatte 6 verbunden. Die Umverdrahtungsplatte 6 kann beispielsweise aus einem bekannten Epoxidmaterial oder auch aus Keramik bestehen. Die Umverdrahtungsplatte 6 weist wenigstens zwei Leiterbahnlagen 61, 62 auf, die an einzelnen Stellen über Durchkontakte 65, 66 miteinander verbunden sein können. Fig. 1 shows in a schematic partial section of an inventive electronic component 2, comprising a rewiring plate 6 and at least one semiconductor chip 4 mounted thereon. The semiconductor chip 4 is connected to an active chip surface 41 via an adhesive layer 12 with the redistribution board 6 . The rewiring plate 6 can consist, for example, of a known epoxy material or also of ceramic. The rewiring plate 6 has at least two conductor track layers 61 , 62 , which can be connected to one another at individual points via vias 65 , 66 .

Eine erste Leiterbahnlage 61 an einer dem Halbleiterchip 4 abgewandten Seite der Umverdrahtungsplatte 6 weist Außenkontaktflächen 69 auf, auf denen Außenkontakte 16 in Form von Lotkugeln oder dergleichen angeordnet sind. Die Umverdrahtungsplatte 6 weist einen Bondkanal 67 auf, der als längliche Aussparung ausgebildet ist. Kontaktflächen 43 des Halbleiterchip 4 sind annähernd mittig in diesem Bondkanal 67 angeordnet und sind über Bonddrähte 8 mit Kontaktanschlussflächen 64 auf der ersten Leiterbahnebene 61 elektrisch leitend verbunden. A first conductor layer 61 side of the rewiring plate 6 to the semiconductor chip 4 at a remote has outer contact surfaces 69 on which external contacts 16 are arranged in the form of solder balls or the like. The rewiring plate 6 has a bonding channel 67 , which is designed as an elongate recess. Contact surfaces 43 of the semiconductor chip 4 are arranged approximately centrally in this bond channel 67 and are electrically conductively connected to contact connection surfaces 64 on the first conductor track level 61 via bond wires 8 .

Die erste Leiterbahnlage 61 ist weiterhin mit einer Lötstoppschicht 14 bedeckt. Der gesamte Bondkanal 67 mit samt den Bonddrähten 8 ist mit einer Bondkanalverkleidung 10 aus Kunststoff ausgekleidet. The first conductor track layer 61 is also covered with a solder stop layer 14 . The entire bond channel 67 together with the bond wires 8 is lined with a bond channel cladding 10 made of plastic.

Wie anhand der Fig. 1 gut erkennbar ist, sind die ersten Durchkontakte 65 in ihren Durchmesser stärker als die zweiten Durchkontakte 66, die an einem Rand 68 des Bondkanals 67 angeordnet sind. As can be clearly seen with reference to FIG. 1, the first contacts 65 in its diameter more than the second contacts 66 that are arranged on an edge 68 of the channel 67. Bond.

Ein typischer Durchmesser eines Durchkontakts 65, 66 beträgt ca. 100 µm. Ein solcher Durchkontakt 65, 66 wird durch Bohren und anschließendes galvanisches Auskleiden der Bohrungswände ausgebildet. Ein typischer Durchmesser eines Leiterbahnanschlusses beträgt aufgrund eines unvermeidlichen Bohrerversatzes ca. 150 bis 200 µm. Eine Leiterbahnbreite beträgt typischerweise ca. 40 µm. Auf die Leiterbahnoberfläche eines galvanisch gebildeten Durchkontakts kann aufgrund der nicht exakt definierten Oberfläche nicht gebondet werden, so dass Durchkontakte in Nähe des Bondkanals einen relativ großen Platzbedarf verursachen, da jeweils auf die Kontaktanschlussflächen 64 Rücksicht zu nehmen ist. A typical diameter of a through contact 65 , 66 is approximately 100 μm. Such a via 65 , 66 is formed by drilling and then galvanically lining the bore walls. A typical diameter of a conductor track connection is approx. 150 to 200 µm due to an unavoidable drill offset. A trace width is typically around 40 µm. Due to the not exactly defined surface, bonding cannot be bonded to the conductor track surface of a galvanically formed through contact, so that through contacts in the vicinity of the bonding channel require a relatively large amount of space, since the contact connection surfaces 64 must be taken into account in each case.

Fig. 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf Leiterbahnen 63, ersten und zweite Durchkontakte 65, 66 und den noch nicht hergestellten Bondkanal 67, der hier durch unterbrochene Linien angedeutet ist. Die typischerweise ca. 150 bis 200 µm im Durchmesser betragenden zweiten Durchkontakte 66 werden durch die Herstellung des Bondkanals 67 (vgl. Fig. 3) in ihrem Durchmesser deutlich reduziert, so dass in unmittelbarer Nähe auf die Leiterbahnen 63 bzw. auf die darauf befindlichen Kontaktanschlussflächen 64 gebondet werden kann. Auf diese Weise können deutlich kompaktere elektronische Bauteile realisiert werden. FIG. 2 shows a schematic plan view of conductor tracks 63 , first and second through contacts 65 , 66 and the bond channel 67 which has not yet been produced, which is indicated here by broken lines. The diameter of the second through contacts 66, which are typically approximately 150 to 200 μm in diameter, is significantly reduced in diameter by the production of the bond channel 67 (cf. FIG. 3), so that in the immediate vicinity of the conductor tracks 63 or of the contact connection areas thereon 64 can be bonded. In this way, significantly more compact electronic components can be realized.

Anhand der Fig. 1 bis 3 wird im folgenden ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung des elektronischen Bauteils 2 beschrieben. Zunächst wird wenigstens ein Halbleiterchip 4 mit Kontaktflächen 43 auf seiner aktiven Chipoberfläche 41 bereitgestellt. Danach wird eine Umverdrahtungsplatte 6 aus elektrisch isolierendem Material bereitgestellt, die wenigstens zwei Leiterbahnlagen 61, 62 aufweist. Durch die erste Leiterbahnlage 61 und bis zur zweiten Leiterbahnlage 62 werden Bohrungen an solchen Stellen hergestellt, die zur Herstellung von Durchkontakten 65, 66 vorgesehen sind. A method according to the invention for producing the electronic component 2 is described below with reference to FIGS. 1 to 3. First, at least one semiconductor chip 4 with contact areas 43 is provided on its active chip surface 41 . Thereafter, a rewiring plate 6 made of electrically insulating material is provided, which has at least two interconnect layers 61 , 62 . Through the first conductor track layer 61 and up to the second conductor track layer 62 , holes are made at those locations which are provided for producing through contacts 65 , 66 .

Mittels galvanischem Auffüllen der Bohrungen werden Durchkontakte 65, 66 zwischen erster und zweiter Leiterbahnlage 61, 62 hergestellt. Danach wird ein Bondkanal 67 in der Umverdrahtungsplatte 6 hergestellt, wobei jeweils Teile der zweiten Durchkontakte 66 entfernt werden. Der Bondkanal kann beispielsweise durch Fräsen oder Stanzen hergestellt werden. Der wenigstens eine Halbleiterchip 4 wird anschließend auf der Umverdrahtungsplatte 6 befestigt, wonach Bondverbindungen zwischen den Kontaktflächen 43 des Halbleiterchips 4 und Kontaktanschlussflächen 64 der Umverdrahtungsplatte 6 hergestellt werden. Schließlich erfolgt das Auskleiden des Bondkanals 67 mit einer elektrisch isolierenden Bondkanalverkleidung 10 aus Kunststoff oder dergleichen, wobei die Bonddrähte 8 vollständig eingebettet werden. Through-plating of the bores through contacts 65 , 66 are made between the first and second interconnect layers 61 , 62 . A bond channel 67 is then produced in the rewiring plate 6 , parts of the second through contacts 66 being removed in each case. The bond channel can be produced, for example, by milling or stamping. The at least one semiconductor chip 4 is then attached to the rewiring plate 6 , after which bond connections are established between the contact areas 43 of the semiconductor chip 4 and contact connection areas 64 of the rewiring plate 6 . Finally, the bonding channel 67 is lined with an electrically insulating bonding channel cladding 10 made of plastic or the like, the bonding wires 8 being completely embedded.

Bei der Herstellung des Bondkanals werden die auf dem umlaufenden Rand 68 des Bondkanals 67 angeordneten zweiten Durchkontakte 66 jeweils wenigstens zur Hälfte entfernt, so dass der Platzbedarf für die nicht bondbaren zweiten Durchkontakte 66 wesentlich reduziert ist. Bezugszeichenliste 2 elektronisches Bauteil
4 Halbleiterchip
41 aktive Chipoberfläche
42 passive Rückseite
43 Kontaktfläche
6 Umverdrahtungsplatte
61 erste Leiterbahnlage
62 zweite Leiterbahnlage
63 Leiterbahn
64 Kontaktanschlussfläche
65 erster Durchkontakt
66 zweiter Durchkontakt
67 Bondkanal
68 Rand
69 Außenkontaktfläche
8 Bonddraht
10 Bondkanalverkleidung
12 Klebeschicht
14 Lötstoppschicht
16 Außenkontakt
During the production of the bond channel, the second through contacts 66 arranged on the peripheral edge 68 of the bond channel 67 are each removed at least in half, so that the space requirement for the non-bondable second through contacts 66 is significantly reduced. REFERENCE SIGNS LIST 2 electronic component
4 semiconductor chip
41 active chip surface
42 passive rear
43 contact surface
6 rewiring plate
61 first conductor position
62 second conductor position
63 conductor track
64 contact pad
65 first via
66 second via
67 bond channel
68 margin
69 external contact surface
8 bond wire
10 bond channel cladding
12 adhesive layer
14 solder stop layer
16 external contact

Claims

1. Electronic component ( 2 ) with at least one semiconductor chip ( 4 ) which is mounted on a rewiring plate ( 6 ) having at least two interconnect layers ( 61 , 62 ) and which has bonding wires ( 8 ) with contact connection areas ( 64 ) of the rewiring plate ( 6 ) is electrically conductively connected, conductor tracks ( 63 ) of the at least two conductor track layers ( 61 , 62 ) of the rewiring plate ( 6 ) being electrically conductively connected via vias ( 65 , 66 ) which are at least partially connected to a circumferential edge ( 68 ) of a bond channel ( 67 ) are arranged and at least in sections form the edge ( 68 ) of the bond channel ( 67 ).

2. Electronic component according to claim 1, characterized in that first through contacts ( 65 ) for the electrical connection of conductor tracks ( 63 ) of the at least two conductor track layers ( 61 , 62 ) are arranged at a distance from the bonding channel ( 67 ).

3. Electronic component according to claim 1 or 2, characterized in that second through contacts ( 66 ) for the electrical connection of conductor tracks ( 63 ) of the at least two conductor track layers ( 61 , 62 ) are arranged on the peripheral edge ( 68 ) of the bonding channel ( 67 ) and at least in sections form the edge ( 68 ) of the bond channel ( 67 ).

4. Electronic component according to one of claims 1 to 3, characterized in that a first conductor track layer ( 61 ) facing away from the semiconductor chip ( 4 ) has external contact surfaces ( 69 ) for making electrical contact with the electronic component ( 2 ).

5. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that contact connection surfaces ( 64 ) and external contact surfaces ( 69 ) of the rewiring plate ( 6 ) are arranged spaced apart from through contacts ( 65 , 66 ).

6. A method for producing an electronic component ( 2 ) with at least one semiconductor chip ( 4 ) which is mounted on a rewiring plate ( 6 ) having at least two interconnect layers ( 61 , 62 ) and which has bond wires ( 8 ) with contact pads ( 64 ) Rewiring plate ( 6 ) is electrically conductively connected, with conductor tracks ( 63 ) of the at least two conductor track layers ( 61 , 62 ) of the rewiring plate ( 6 ) being electrically conductively connected via vias ( 65 , 66 ) which are at least partially connected to a peripheral edge ( 68 ) of a bond channel ( 67 ) are arranged and at least in sections form the edge ( 68 ) of the bond channel ( 67 ), the method having the following method steps:

- Providing at least one semiconductor chip ( 4 ) with contact areas ( 43 ) on an active chip surface ( 41 ),

- Providing a rewiring plate ( 6 ) made of electrically insulating material, which has at least two conductor track layers ( 61 , 62 ),

Producing holes through the first conductor track layer ( 61 ) and up to the second conductor track layer ( 62 ) at locations which are provided for the production of through contacts ( 65 , 66 ),

Producing through contacts ( 65 , 66 ) between the first and second conductor track layers ( 61 , 62 ) by means of galvanically filling the bores,

Producing the bonding channel ( 67 ) in the rewiring plate ( 6 ), parts of the second through contacts ( 66 ) being removed in each case,

- applying the at least one semiconductor chip ( 4 ) to the rewiring board ( 6 ),

- Establishing bond connections between contact areas ( 43 ) of the at least one semiconductor chip ( 4 ) and contact connection areas ( 64 ) of the rewiring plate ( 6 ),

- Lining the bond channel ( 67 ) with an electrically insulating bond channel cladding ( 10 ) while embedding the bond wires ( 8 ).

7. The method according to claim 6, characterized in that the bonding channel ( 67 ) is formed by a stamping process.

8. The method according to claim 7, characterized in that at least half of the second through contacts ( 66 ) arranged on the peripheral edge ( 68 ) of the bonding channel ( 67 ) are removed during the stamping process.

9. The method according to any one of claims 6 to 8, characterized in that the at least one semiconductor chip ( 4 ) with its active chip surface ( 41 ) is glued to the rewiring plate ( 6 ).

10. The method according to any one of claims 6 to 9, characterized in that at least one passive back ( 43 ) of the at least one semiconductor chip ( 4 ) is covered with a plastic molding compound.

11. The method according to any one of claims 6 to 10 for producing an electronic component ( 2 ) according to at least one of claims 1 to 5.