DE102009053903B3

DE102009053903B3 - Verfahren zur Beschichtung eines Substrates in einer Vakuumkammer mit einem Magnetron

Info

Publication number: DE102009053903B3
Application number: DE102009053903A
Authority: DE
Inventors: Volker Dr. Linss
Original assignee: Von Ardenne Anlagentechnik GmbH
Current assignee: Von Ardenne GmbH
Priority date: 2009-10-22
Filing date: 2009-11-20
Publication date: 2011-06-16
Anticipated expiration: 2029-11-21

Abstract

Der Erfindung, die ein Verfahren zur Beschichtung eines Substrates in einer Vakuumkammer mit einem Magnetron betrifft, wobei ein Substrat in einer Substrattransportrichtung an dem Magnetron vorbei geführt und mittels eines aus einem mit dem Magnetron verbundenen Target herausgelösten Materials unter Anlegen einer von einer geregelten Spannungsquelle bereitgestellten Targetspannung zwischen dem Target und einer Gegenelektrode, und unter Einleitung eines Prozessgases in die Vakuumkammer beschichtet wird, liegt die Aufgabe zugrunde, eine durch eine zunehmende Targeterosion während des Beschichtungsprozesses hervorgerufene Veränderung von Schichtparametern durch die Gewährleistung einer Langzeitstabilisierung des Arbeitspunktes zu vermeiden. Dies wird dadurch gelöst, dass eine Regelung des Arbeitspunktes des Beschichtungsprozesses erfolgt, bei der ein aus zwei Spektrallinien gebildeter Intensitätskoeffizient über eine Variation der der Targetspannung oder einer Relativgeschwindigkeit zwischen Target und Substrat konstant gehalten wird.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung eines Substrates in einer Vakuumkammer mit einem Magnetron, das ein Target und ein Magnetsystem umfasst. Sie ist insbesondere auf eine Langzeitstabilisierung der Schichtqualität bei Abscheideprozessen und hierbei insbesondere auf die Entwicklung eines langzeitstabilen reaktiven Prozesses zur Abscheidung von ZnO:Al als TCO gerichtet. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein Substrat mittels eines aus dem mit dem Magnetron verbundenen Target herausgelösten Materials unter Anlegen einer von einer geregelten Spannungsquelle bereitgestellten Targetspannung zwischen dem Target und einer Gegenelektrode, und unter Einleitung eines Prozessgases in die Vakuumkammer beschichtet.
Um die Abscheidung einer Schicht mit gleichbleibenden Parametern zu gewährleisten ist es notwendig, den Arbeitspunkt des Beschichtungsprozesses über eine lange Zeit, während der sich das Targetmaterial verbraucht, konstant zu halten. Die Überprüfung der Langzeitstabilität beruht auf optischer Emissionsspektroskopie (OES) mindestens zweier Linien aus dem Plasma, das sich über der Targetoberfläche bei Anlegen der Targetspannung im Vakuum einstellt. Dazu wird das Plasma beobachtet, und es werden Prozessparameter nachgeführt, um konstante Schichtparameter, insbesondere einen konstanten Schichtwiderstand der wachsenden Schicht zu gewährleisten.
In der DE 103 41 513 A1 ”Verfahren zur Regelung des Reaktivgasflusses in reaktiven plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozessen” wurde bereits eine Beobachtung zweier Linien des OES-Signal beschrieben und eine Lösung zur. Regelung des Reaktivgasflusses in reaktiven plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozessen offenbart, bei der eine Regelgröße, die durch ein Plasma des Vakuumbeschichtungsprozesses bestimmt wird, aus der Vakuumkammer als Regelstrecke mittels optischer Spektroskopie in einem Messglied erfasst wird und die dem Vakuumbeschichtungsprozess zugeführte Menge eines Reaktivgases als Stellgröße eingestellt wird. Dabei wird die Regelgröße als ein Rechenwert aus einem Messwert der Intensität einer Spektrallinie des prozessbeteiligten Beschichtungsmaterials und einem Messwert der Intensität einer Spektrallinie des Reaktivgases oder als ein Rechenwert aus einem zu ermittelnden Wert der entsprechenden Intensitäten eingesetzt. In der darin ebenfalls offenbarten Anordnung enthält das Messglied ein akustisch-optisches Spektrometer mit einem Steuereingang, der mit einem Reglerausgang verbunden ist.
In dieser bekannten Lösung wurden zwar die Intensitäten zweier Linien ins Verhältnis gesetzt und als Regelgröße verwendet, es wurde jedoch der Reaktivgasfluss als Stellgröße eingesetzt, was nicht in ausreichendem Maße eine Konstanz der Schichtparameter, wie beispielweise einen konstanten Schichtwiderstand, der wachsenden Schicht gewährleistet.
In der EP 1 553 206 A1 wird ein Magnetron-Sputter-Verfahren mit einer Arbeitspunktregelung beschrieben. Dabei wird der Quotient zweier Intensitäten von Spektrallinien am Beschichtungsprozess beteiligter Materialien als Regelgröße für die Regelung eingesetzt. Bei dieser Regelung ist die Targetspannung als Stellgröße wirksam.
Die Aufgabe der Erfindung besteht nun darin, eine durch eine zunehmende Targeterosion während des Beschichtungsprozesses hervorgerufene Veränderung von Schichtparametern durch die Gewährleistung einer Langzeitstabilisierung des Arbeitspunktes zu vermeiden.
Die Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, dass eine Regelung des Arbeitspunktes des Beschichtungsprozesses derart erfolgt,

– dass die Intensität einer ersten Spektrallinie eines an dem Beschichtungsprozess beteiligten ersten Materiales und die Intensität einer zweiten Spektrallinie eines an dem Beschichtungsprozess beteiligten zweiten Materiales gemessen und ein Intensitätsquotient aus den Intensitäten der ersten und zweiten Spektrallinie als Regelgröße der Regelung gebildet wird,
– dass eine Geschwindigkeit einer Relativbewegung zwischen Magnetsystem und Target als Stellgröße der Regelung derart geführt wird dass der Intensitätsquotient IQ als Regelgröße der Regelung, auf einen als Führungsgröße eingestellten Soll-Intensitätsquotient IQ_S konstant gehalten wird.

Die Steuerung der Geschwindigkeit der Relativgeschwindigkeit kann mit sehr geringem Aufwand erfolgen. So ist eine Geschwindigkeitsregelung ohnehin vorgesehen, um die Werte im laufenden Betrieb konstant zu halten. Diese Regelungen können dann genutzt werden, um die Geschwindigkeit so einzustellen, dass der Intensitätsquotient auf einem konstantem Wert gehalten wird.
Bevorzugter Weise kann als erste Spektrallinie eine Spektrallinie des Targetmateriales und als zweite Spektrallinie eine Spektrallinie des Reaktivgases ausgewählt werden.
Es ist Bestreben, möglichst signifikante Spektrallienen zu verwenden, um die Genauigkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens zu erhöhen. Hierzu wurden oben die Spektrallinien verschiedener Materialien angegeben. Weiterhin kann die Signifikanz dadurch erhöht werden, dass mindestens eine der Spektrallinien als Emissionslinie, die nicht dem neutralen Materialzustand sondern dem angeregten Materialzustand (beispielsweise eine ionisierte Zinklinie) zuzuordnen ist, ausgewählt wird.
Ausgangpunkt des erfindungsgemäßen Verfahrens ist, dass eine eindeutige Zuordnung von Schichteigenschaften, Spannungswert der Targetspannung, Geschwindigkeit einer Relativbewegung zwischen Magnetsystem und Target, Soll-Intensitätsquotient und Intensität von Spektrallinien festzustellen ist. Dabei ist weiterhin festzustellen, dass durch die Bildung des Quotienten zweier Intensitäten störende Einflüsse auf diese eindeutige Zuordnung ausgeschaltet werden können.
Diese Zuordnung kann nun zweckmäßiger Weise zur Vorgabe des Sollwertes verwendet werden, indem der Intensitätsquotient IQ für einen Wert a_i einer zu erreichenden Schichteigenschaft a aus einer Funktion IQ = f(a) festgelegt wird.
Hierzu kann die Funktion IQ = f(a) während eines Kalibrierbeschichtungsprozesses erfasst werden, indem Werte a_i der Schichteigenschaft gemessen werden, bei Nichtübereinstimmung eines aktuellen Wertes a_n der Werte a_i die Geschwindigkeit der Relativbewegung zwischen Magnetsystem und Target so lange verändert wird, bis ein späterer Wert a_n+x dem Wert der beabsichtigten Schichteigenschaft entspricht und der dabei zu messende Intensitätsquotient IQ als Soll-Intensitätsquotient IQ_S eingesetzt und als Führungsgröße eingestellt wird.
Es ist auch möglich, dass Verfahren so zu konzipieren, dass ein oben dargestellter Kalibrierungsbeschichtungsprozess, der zwar zu gut reproduzierbareren Ergebnissen führt und damit die Genauigkeit des Verfahrens erhöht, der aber umfangreich ist, in seinem Aufwand verringert werden kann. Dabei ist vorgesehen, dass der Soll-Intensitätsquotient für einen Wert a_i einer zu erreichenden Schichteigenschaft a ermittelt wird, indem während eines Beschichtungsprozesses Werte a_i der Schichteigenschaften gemessen werden, bei Nichtübereinstimmung eines aktuellen Wertes an der Werte a_i die Geschwindigkeit der Relativbewegung zwischen Magnetsystem und Target so lange verändert wird, bis ein späterer Wert a_n+x dem Wert der beabsichtigten Schichteigenschaft entspricht und der dabei zu messende Intensitätsquotient IQ als Soll-Intensitätsquotient IQ_S eingesetzt und als Führungsgröße eingestellt wird. Es wird somit kein Kennlinienfeld erzeugt, aus dem verschiedene Parameter ablesbar sind, sondern nur der eine für die Größe des Schichtparameters relevante Sollwert ermittelt.
Wird die Erfindung bei einem Planarmagnetron eingesetzt, kann mit diesem eine Relativbewegung durch eine Bewegung des über dem Target erzeugten Plasmas relativ zur Targetoberfläche realisiert werden. Dies kann beispielsweise durch ein unter dem Target bewegliches Magnetsystem bewerkstelligt werden. Aber auch das Planarmagnetron selbst kann relativ zu dem Substrat bewegt werden. Die Geschwindigkeit dieser beiden Relativbewegungen kann in einer besonderen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens gesteuert werden, um damit den Intensitätsquotienten konstant zu halten.
Die Erfindung eignet sich auch und insbesondere zum Einsatz bei einem Rohrmagnetron. Das Rohrmagnetron weist ein vorzugsweise quer zur Transportrichtung des Substrates liegendes längserstrecktes Magnetsystem auf, um das ein Rohrtarget drehbar angeordnet ist. Damit wird unter anderem ein gleichmäßigerer Targetabtrag erreicht und die Targetstandzeit erhöht. In der vorliegenden Erfindung kann die Drehbewegung als Relativbewegung des Rohrtargets relativ zu dem Substrat betrachtet werden, deren Rotationsgeschwindigkeit gesteuert wird.
In der Praxis hat es sich gezeigt, dass die Intensitäten von Spektrallinien während einer Targetumdrehung schwanken. Um den Einfluss einer derartigen Schwankung auf das erfindungsgemäße Verfahren auszuschließen, ist bevorzugt vorgesehen, dass der Intensitätsquotient als ein Mittelwert über mindestens eine Umdrehung des Rohrmagnetron erzeugt wird.
Das vorstehend dargelegte Verfahren ist vorzugsweise für ein einzelnes Magnetron innerhalb einer Vakuumkammer geeignet. Zwei Magnetrons können sich über das Plasma und unterschiedliche Brennspannungen beeinflussen. Aus diesem Grunde wird in einer bevorzugten Ausführungsform vorgeschlagen, dass bei zwei in einer Vakuumkammer angeordneten Magnetrons die Regelung jeweils für jedes Magnetron separat durchgeführt wird. Unterstützt werden kann die Trennung beider Regelungen und die gegenseitige Beeinflussung minimiert werden, indem für jedes Magnetron mindestens eine Intensität einer zum jeweils anderen Magnetron unterschiedlichen Spektrallinie eingesetzt wird. Damit werden also in beiden Regelungen verschiedene Intensitätsquotienten eingesetzt.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispieles näher beschrieben. In den zugehörigen Zeichnungen zeigt
1 den Verlauf des Flächenwiderstandes der abgeschiedenen Schicht in Abhängigkeit von der Targetspannung,
2 den Verlauf der Flächenwiderstandes der abgeschiedenen Schicht in Abhängigkeit von dem Intensitätsquotienten,
3 den Verlauf der DDR (dynamic deposition rate) in Abhängigkeit von dem Intensitätsquotienten,
4 die Abhängigkeit des Intensitätsquotienten von der Rotationsgeschwindigkeit,
5 das erfindungsgemäße Verfahren, veranschaulicht an einem Regelkreis mit der Targetspannung als Stellgröße und
6 das erfindungsgemäße Verfahren, veranschaulicht an einem Regelkreis mit der Rotationsgeschwindigkeit als Stellgröße.
Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert. Darin wird davon ausgegangen, dass ein in einer Vakuumbeschichtungsanlage in Längsrichtung transportiertes Substrat mit einem quer zur Transportrichtung angeordneten Rohrmagnetron beschichtet wird. Dabei wird eine Schicht abgeschieden, die verschiedene Schichteigenschaften aufweist. Parallel den hier dargestellten erfindungsgemäßen Regelungen regelt eine an sich bekannte Regelung den Sauerstofffluss über die Leistung.
In diesem Ausführungsbeispiel das sich auf einen Reaktivprozess zur Abscheidung von ZnO:Al bezieht, wird – stellvertretend für alle anderen möglichen Schichteigenschaften a – der Flächenwiderstand ρ betrachtet, der einen bestimmten Wert aufweisen soll und insbesondere über die Substratlänge konstant und homogen verlaufen soll.
Üblicherweise wird im Lauf der Zeit die Brennspannung für eine vorgegebene Schichteigenschaft kleiner. Das liegt an der Targeterosion verbunden mit zunehmender Magnetfeldstärke an der Oberfläche des Targets. In 1 ist in diesem Zusammenhang der Flächenwiderstand ρ in Abhängigkeit von der Targetspannung U_T dargestellt. Die Targetspannung U_T wird von einem Generator in Spannungsregelung bereitgestellt, so dass zur Erstellung von Messreihen in einem Kalibrierbeschichtungsprozess verschiedene Spannungswerte eingestellt werden konnten. Hierbei interessieren die Messpunkte, die mit der gepunkteten Linie 1 und die mit der strichpunktierten Linie 2 verbunden sind. Dabei wurden zwei Messreihen aufgenommen, wobei die gepunktete Linie 1 die erste Messreihe und die strichpunktierte Linie 2 die zweite Messreihe repräsentieren. Zwischen beiden Messreihen wurden die Prozessparameter nicht verändert. Allerdings wurde zwischenzeitlich die Vakuumkammer geöffnet. Allein daraus folgt, dass beide Messreihen zwar die selbe Abhängigkeit zeigen, jedoch bei unterschiedlichen Absolutwerten. Damit ist leicht ersichtlich, dass der Einsatz der Targetspannung U_T als eine Regelgröße für die Einstellung des Flächenwiderstandes ungeeignet wäre.
2 zeigt nun aus denselben Messreihen die Abhängigkeit des Flächenwiderstandes ρ von dem Intensitätsquotienten IQ. Dieser Intensitätsquotient IQ wird aus zwei Spektrallinien von am Schichtabscheideprozess beteiligten Materialien, nämlich dem Reaktivgas und dem Targetmaterial ermittelt. In diesem Beispiel wurde Sauerstoff als Reaktivgas eingesetzt und davon die Intensität der Sauerstofflinie bei 777 nm als erste Spektrallinie gemessen. Als zweite Spektrallinie wurde eine Linie des Targetmaterial es verwendet, nämlich die Linie, die mit Zn+ identifiziert wurde und bei 589 nm liegt. Zn+ bedeutet dabei, dass es sich um eine Linie von ionisiertem Zink, also um eine Linie aus dem angeregten Materialzustand handelt.
Wie aus 2 ersichtlich ist, liegen die Messpunkte aus beiden Messreihen im Gegensatz zu 1 näherungsweise alle auf der gestrichelten Linie 3. Es stellt sich somit heraus, dass der Intensitätsquotient IQ der oben genannten Linien die Eigenschaften der Schichten sehr gut beschreibt. Jedem Wert des Flächenwiderstandes ρ ist nämlich ein Wert des Intensitätsquotienten IQ eindeutig zuzuordnen. Da andererseits die Targetspannung U_T eine eindeutige Zuordnung zu dem Intensitätsquotienten IQ aufweist, können die Wertetripel {IQ_i, U_Ti, ρ_i}, die in diesem Kalibrierbeschichtungsprozess ermittelt und abgespeichert wurden, zur Einstellung eine Soll-Intensitätsquotienten IQ_S bei einer regelungstechnischen Betrachtung gemäß 5 verwendet werden Dieses Wertetripel {IQ_i, U_Ti, ρ_i} gilt nur für die Kalibrierbeschichtung, danach sind nur noch IQ_i und ρ_i von Interesse. Eine Abhängkeit von U_Ti kann erfindungsgemäß außer Betracht bleiben.
Wie in 5 gezeigt, werden mittels eines optischen Emissionspektrometers als Messglied 4 die Intensitäten I₁ und I₂ der ersten und der zweiten Spektrallinie gemessen. Daraus wird sodann der Intensitätsquotient IQ berechnet. Aus dem oben geschilderten Kalibrierbeschichtungsprozess liegen nun die Wertepaare {IQ_i, ρ_i} vor. Soll nun ein bestimmter Flächenwiderstand ρ eingestellt werden, so wird aus dem entsprechenden Wertepaar der entsprechende IQ-Wert entnommen und als Soll-Intensitätsquotient IQ_S eingesetzt. Aus dem Istwert IQ und dem Sollwert IQ_S wird sodann die Regelabweichung ΔIQ berechnet und einem Regler 5 zugeführt. Der Regler 5 und die hier dargestellte Berechnung wird in einem Prozessrechner 6 realisiert. Dieser ermittelt auch den entsprechenden Wert einer Steuerspannung U_st, die dem spannungsgeregelten Generator 7 als Stellglied zugeführt wird, woraus sich bei diesem eine Ausgangsspannung als Targetspannung U_T einstellt, die an das Target in der Vakuumkammer 8, die als Regelstrecke betrachtet werden kann, angelegt wird.
Wie in 3 dargestellt, stellt sich bei diesem Verfahren auch heraus, dass durch das Konstanthalten des Intenstitätsquotienten IQ auch die DDR (Dynamic Deposition Rate) in guter Weise konstant gehalten wird.
Die Steuerung der Targetspannung U_T für eine Regelung des Arbeitspunktes ist an sich bekannt.
Die erfindungsgemäße Möglichkeit, das Linienverhältnis konstant zu halten, stellt die Veränderung der Targetrotationsgeschwindigkeit N dar. 4 zeigt das Linienverhältnis über der Targetumdrehungsgeschwindigkeit N.
Wie in 6 gezeigt, werden wiederum mittels eines optischen Emissionspektrometers als Messglied 4 die Intensitäten I₁ und I₂ der ersten und der zweiten Spektrallinie gemessen. Daraus wird sodann der Intensitätsquotient IQ berechnet. Aus dem Kalibrierbeschichtungsprozess liegen nun die Wertetripel {IQ_i, N_i, ρ_i} vor, von denen, ähnlich wie bereits oben dargestellt, nachfolgend nur die Wertepaare {IQ_i, ρ_i} verwendet werden. Soll nun ein bestimmter Flächenwiderstand ρ eingestellt werden, so wird aus dem entsprechenden Wertepaar der entsprechende IQ-Wert entnommen und als Soll-Intensitätsquotient IQ_S eingesetzt. Aus dem Istwert IQ und dem Sollwert IQ_S wird sodann die Regelabweichung ΔIQ berechnet und einem Regler 5 zugeführt. Der Regler 5 und die hier dargestellte Berechnung wird ebenfalls wieder in einem Prozessrechner 6 realisiert. Dieser ermittelt auch den entsprechenden Wert einer Drehzahl n, die dem Targetantrieb 9 als Stellglied zugeführt wird, woraus sich über diese eine Targetrotationsgeschwindigkeit N einstellt, die die Relativgeschwindigkeit zwischen Target und Substrat in der Vakuumkammer 8, die als Regelstrecke betrachtet werden kann, repräsentiert.
Bezugszeichenliste

1: gepunktete Linie
2: strichpunktierte Linie
3: gestrichelte Linie
4: Messglied
5: Regler
6: Prozessrechner
7: Generator
8: Vakuumkammer
9: Targetantrieb

Claims

Verfahren zur Beschichtung eines Substrates in einer Vakuumkammer mit einem Magnetron, das ein Target und ein Magnetsystem umfasst, wobei ein Substrat mittels eines aus dem mit dem Magnetron verbundenen Target herausgelösten Materials unter Anlegen einer von einer geregelten Spannungsquelle bereitgestellten Targetspannung zwischen dem Target und einer Gegenelektrode, und unter Einleitung eines Prozessgases in die Vakuumkammer beschichtet wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine Regelung des Arbeitspunktes des Beschichtungsprozesses derart erfolgt, – dass die Intensität I₁ einer ersten Spektrallinie eines an dem Beschichtungsprozess beteiligten ersten Materiales und die Intensität I₂ einer zweiten Spektrallinie eines an dem Beschichtungsprozess beteiligten zweiten Materiales gemessen und ein Intensitätsquotient IQ aus den Intensitäten I₁, I₂ der ersten und zweiten Spektrallinie als Regelgröße der Regelung gebildet wird, – dass eine Geschwindigkeit einer Relativbewegung zwischen Magnetsystem und Target als Stellgröße der Regelung derart geführt wird, dass der Intensitätsquotient IQ als Regelgröße der Regelung auf einem als Führungsgröße eingestellten Soll-Intensitätsquotient IQ_S konstant gehalten wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als erste Spektrallinie eine Spektrallinie des Targetmateriales und als zweite Spektrallinie eine Spektrallinie des Reaktivgases ausgewählt wird.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Spektrallinien als Emissionslinie, die dem angeregten Materialzustand zuzuordnen ist, ausgewählt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Soll-Intensitätsquotient IQ_S für einen Wert a_i einer zu erreichenden Schichteigenschaft a aus einer Funktion IQ = f(a) festgelegt wird.
Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Soll-Intensitätsquotient für einen Wert a_i einer zu erreichenden Schichteigenschaft a aus einer Funktion IQ = f(a) ermittelt wird und dass die Funktion IQ = f(a) während eines Kalibrierbeschichtungsprozesses erfasst wird, indem Werte a_i der Schichteigenschaft gemessen werden, bei Nichtübereinstimmung eines aktuellen Wertes an der Werte a_i die Geschwindigkeit der Relativbewegung zwischen Magnetsystem und Target so lange verändert wird, bis ein späterer Wert a_n+x dem dem Wert der beabsichtigten Schichteigenschaft a entspricht und der dabei zu messende Intensitätsquotient IQ als Soll-Intensitätsquotient IQ_S eingesetzt und als Führungsgröße eingestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet dass der Soll-Intensitätsquotient für einen Wert a_i einer zu erreichenden Schichteigenschaft a ermittelt wird, indem während eines Beschichtungsprozesses Werte a_i der Schichteigenschaften a gemessen werden, bei Nichtübereinstimmung eines aktuellen Wertes an der Werte a_i die Geschwindigkeit der Relativbewegung zwischen Mgnetsystem und Target so lange verändert wird, bis ein späterer Wert a_n+x dem dem Wert der beabsichtigten Schichteigenschaft a entspricht und der dabei zu messende Intensitätsquotient IQ als Soll Intensitätsquotient IQ_S eingesetzt und als Führungsgröße eingestellt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass bei einem Planarmagnetron die Relativbewegung durch eine Bewegung des über dem Target erzeugten Plasmas relativ zu der Targetoberfläche oder durch eine Bewegung des Planarmagnetron relativ zu dem Substrat realisiert und deren Geschwindigkeit gesteuert wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass bei einem Rohrmagnetron die Relativbewegung durch eine Drehbewegung des Rohrtargets relativ zu dem Substrat realisiert und deren Rotationsgeschwindigkeit N gesteuert wird.
Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Intensitätsquotient als ein Mittelwert über mindestens eine Umdrehung des Rohrmagnetron erzeugt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass bei zwei in einer Vakuumkammer angeordneten Magnetrons die Regelung jeweils für jedes Magnetron separat durchgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass für jedes Magnetron mindestens eine Intensität einer zum jeweils anderen Magnetron unterschiedlichen Spektrallinie eingesetzt wird.