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Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe.
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Die mechanische Bearbeitung der Halbleiterscheibe dient der Entfernung von Sägewelligkeiten, dem Abtrag der durch die raueren Sägeprozesse kristallin geschädigten oder vom Sägedraht kontaminierten Oberflächenschichten und vor allem der globalen Einebnung der Halbleiterscheiben. Hier sind Oberflächen-Schleifen (einseitig, doppelseitig) und Läppen bekannt, sowie mechanische Kantenbearbeitungsschritte.
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Beim Einseitenschleifen wird die Halbleiterscheibe rückseitig auf einer Unterlage („chuck”) gehalten und vorderseitig von einer Topfschleifscheibe unter Drehung von Unterlage und Schleifscheibe und langsamer radialer Zustellung eingeebnet. Verfahren und Vorrichtungen zum Oberflächenschleifen einer Halbleiterscheibe sind beispielsweise aus der
US-3,905,162 sowie der
US-5,400,548 oder aus
EP-0955126 bekannt. Dabei wird eine Halbleiterscheibe mit ihrer einen Oberfläche auf einem Scheibenhalter festgehalten, während ihre gegenüberliegende Oberfläche mit einer Schleifscheibe bearbeitet wird, indem Scheibenhalter und Schleifscheibe rotieren und gegeneinander gedrückt werden. Dabei wird die Halbleiterscheibe so auf dem Scheibenhalter befestigt, dass ihr Zentrum im Wesentlichen mit dem Rotationszentrum des Scheibenhalters übereinstimmt. Außerdem wird die Schleifscheibe so positioniert, dass das Rotationszentrum der Halbleiterscheibe in einen Arbeitsbereich bzw. den durch Zähne gebildeten Randbereich der Schleifscheibe gelangt. Dadurch kann die gesamte Oberfläche der Halbleiterscheibe ohne jegliche Bewegung in der Schleifebene geschliffen werden.
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Beim simultanen Doppelseitenschleifen („double-disc grinding”, DDG) wird die Halbleiterscheibe frei schwimmend zwischen zwei, auf gegenüberliegenden kollinearen Spindeln montierten Schleifscheiben gleichzeitig beidseitig bearbeitet und dabei weitgehend frei von Zwangskräften axial zwischen einem vorder- und rückseitig wirkenden Wasser- (hydrostatisches Prinzip) oder Luftkissen (aerostatisches Prinzip) geführt und radial lose von einem umgebenden dünnen Führungsring oder von einzelnen radialen Speichen am Davonschwimmen gehindert.
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Bei den Schleifprozessen – dies betrifft sowohl einseitige als auch beidseitige Schleifverfahren, ist eine Kühlung des Schleifwerkzeuges und/oder der bearbeiteten Halbleiterscheibe erforderlich. Als Kühlmittel wird üblicherweise Wasser bzw. deionisiertes Wasser verwendet. Kommerzielle Schleifmaschinen wie z. B. die Modelle DFG8540 und DFG8560 („Grinder 800 Series”) der Fa. Disco Corp., die sich zum Schleifen von Scheiben mit Durchmessern von 100–200 mm bzw. 200–300 mm eignen, sind werkseitig mit einer Vakuumeinheit ausgestattet, die je nach Kühlmitteltemperatur einen konstanten Kühlmittelfluss von 1 bzw. 3 l/min (= Liter pro Minute) während des Schleifens gewährleisten (bei einer Temperatur von weniger als 22°C konstant 1 l/min, bei einer Temperatur von größer als 22°C konstant 3 l/min).
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Zweiseitenschleifmaschinen werden beispielsweise auch von der Fa. Koyo Machine Industries Co., Ltd. angeboten. Das Modell DXSG320 eignet sich z. B. zum DDG-Schleifen von Scheiben mit einem Durchmesser von 300 mm. Sowohl vertikale als auch horizontale Spindeln kommen in Kombination mit speziellen Diamantschleifwerkzeugen zum Einsatz. Diese Schleifwerkzeuge sind so konstruiert, dass Sie lediglich mit dem Rand schneiden und einen schnellen Vorschub mit geringer Wärmeentwicklung kombinieren. Die zu bearbeitende Halbleiterscheibe wird durch hydrostatische Druckpolster von beiden Seiten in einem Transportring fixiert. Der Antrieb der Scheibe erfolgt lediglich über eine kleine Nase, die in die Orientierungskerbe der Halbleiterscheibe („Notch”) eingreift. Auf diese Art und Weise kann eine spannungsfreie Halterung der Halbleiterscheibe gewährleistet werden.
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Beim Läppen werden die Halbleiterscheiben unter Zuführung einer Abrasivstoffe enthaltenden Suspension (Slurry) zwischen einer oberen und einer unteren Arbeitsscheibe, die meist aus Stahl bestehen und üblicherweise mit Kanälen zur besseren Verteilung des Läppmittels versehen sind, unter einem bestimmten Druck bewegt, wodurch Halbleitermaterial entfernt wird. Läppen ist aber nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung.
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DE 103 44 602 A1 und
DE 10 2006 032 455 A1 offenbaren Verfahren zum simultanen gleichzeitigen Schleifen beider Seiten mehrerer Halbleiterscheiben mit einem Bewegungsablauf ähnlich dem des Läppens, jedoch dadurch gekennzeichnet, dass Schleifmittel verwendet wird, das fest in Arbeitsschichten („Folien”, „Tücher”) eingebunden ist, die auf die Arbeitsscheiben aufgebracht sind. Während der Bearbeitung sind die Halbleiterscheiben in dünne Führungskäfige, sog. Läuferscheiben, eingelegt, die entsprechende Öffnungen zur Aufnahme der Halbleiterscheiben aufweisen. Die Läuferscheiben besitzen eine Außenverzahnung, die in eine Abwälzvorrichtung aus innerem und äußerem Zahnkranz eingreift und mittels dieser im zwischen oberer und unterer Arbeitsscheibe gebildeten Arbeitsspalt bewegt werden. Die Läuferscheiben weisen Öffnungen auf, durch die Kühlmittel zwischen unterer und oberer Arbeitsscheibe ausgetauscht werden kann, so dass obere und untere Arbeitsschichten stets gleiche Temperatur aufweisen.
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Alle genannten Schleifverfahren hinterlassen einen deutlich ausgeprägten Damage auf der Halbleiterscheibe. Unter Damage sind oberflächennahe Beschädigungen des Kristalls infolge der mechanischen Bearbeitung zu verstehen („subsurface damage”). Auch Kratzer und andere mechanisch verursachte Defekte auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe nach dem Schleifen stellen solche Beschädigungen dar. Diese Kristallschäden müssen durch nachfolgende Ätzverfahren beseitigt werden. Nun beeinflussen aber – wie dem Fachmann bekannt ist – diese Ätzverfahren die Geometrie, insbesondere die Randgeometrie und die Nanotopologie – der Halbleiterscheibe negativ. Infolge der schlechten Nanotopologie nach dem Ätzen sind längere Abtragspolierprozesse nötig, um die gewünschte Nanotopologie zu erreichen.
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Daher ist der Fachmann bestrebt, den Damage nach Schleifen möglichst gering zu halten und nach dem Schleifen eine Halbleiterscheibe mit optimaler Geometrie und Nanotopologie, vor allem aber mit deutlich geringerem Damage zur Verfügung stellen zu können. Dies würde es ermöglichen, auf den Ätzvorgang möglicherweise ganz verzichten zu können. Vor allem aber könnte bei der Politur eine geringere Prozesszeit ermöglicht werden, da nicht die Korrektur der Nanotopologie, sondern die Erzielung einer optimalen Oberflächenrauhigkeit im Vordergrund steht.
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In
DE 10 2007 030 958 wird ein Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben beansprucht, bei dem die Halbleiterscheiben einseitig oder beidseitig mittels wenigstens eines Schleifwerkzeugs, unter Zuführung eines Kühlmittels jeweils in einen Kontaktbereich zwischen Halbleiterscheibe und dem wenigstens einen Schleifwerkzeug, Material abtragend bearbeitet werden, dadurch gekennzeichnet, dass ein Kühlmittelfluss jeweils in Abhängigkeit von einer Schleifzahnhöhe des wenigstens einen Schleifwerkzeugs ausgewählt und dieser Kühlmittelfluss mit abnehmender Schleifzahnhöhe reduziert wird. wodurch eine konstante Kühlung des Kontaktbereichs zwischen Werkstück und Schleifwerkzeug erreicht werden kann, indem sich das Kühlmedium vor den Schleifzähnen staut, diese umströmt und abhängig von der Höhe der Schleifzähne in den Kontaktbereich zwischen Werkstück und Schleifwerkzeug verwirbelt wird. Die Kühlmittelmenge, welche diesen Kontaktbereich erreicht, ist
DE 10 2007 030 958 zufolge maßgeblich für das Schleifergebnis („subsurface damage”) sowie die Standzeit des Schleifwerkzeugs.
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Nachteilig an dem in
DE 10 2007 030 958 beschriebenen Verfahren ist die Tatsache, dass während des gesamten Schleifvorgangs die Höhe der Schleifzähne gemessen werden muss, um den Kühlmittelfluss entsprechend anpassen zu können.
DE 10 2007 030 958 geht nämlich von einem gegenüber dem Standardprozess deutlich erhöhten Kühlmittelfluss aus, der auch deshalb mit abnehmender Zahnhöhe reduziert werden muss, da ein unverändert hoher Kühlmittelfluss andernfalls unvermeidlich zu Aquaplaning-Effekten führen würde.
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Für PPG ist das in
DE 10 2007 030 958 beschriebene Verfahren so ohnehin nicht anwendbar, da als Schleifwerkzeuge keine Zahn-Schleifscheiben („toothed wheels”), sondern Arbeitscheiben umfassend Arbeitsschichten mit darin gebundenen Abrasiven zum Einsatz kommen.
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In
DE 100 46 933 A1 wird ein Verfahren zur chemisch-mechanischen Politur von Siliciumschieben beansprucht, das dadurch gekennzeichnet ist, dass unmittelbar nach Abschluss der Politur an Stelle des Poliermittels nacheinander mindestens zwei verschiedene Stopmittel zugeführt werden.
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Die Aufgabe der Erfindung war es, ein neuartiges Schleifverfahren zu finden, das die Nachteile des Stands der Technik vermeidet.
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Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren nach Anspruch 1.
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Die Erfindung sieht vor, einen herkömmlichen Schleifschritt, bei dem sich um ein Einseitenschleifen oder ein Doppelseitenschleifen handeln kann, so zu modifizieren, dass gegen des Ende des Schleifschrittes ein Medium mit erhöhter Viskosität zugegeben wird, um den mechanischen Abtrag durch die Schleifwerkzeuge beim Einseiten- oder Doppelseitenschleifen zu dämpfen. Abgesehen vom Vorgang des Entfernens von Schleifwerkzeug und Halbleiterscheibe beim Beenden des Schleifvorgangs wird nicht mit viskositätserhöhenden Medien bzw. Zusätzen geschliffen, da es zum einen günstiger ist, während des eigentlichen Abtragschleifvorganges mit niedrig viskosen Medien, z. B. Wasser ohne bzw. mit niedrigviskosen Zusätzen (Kühlmittel), zu schleifen, und zum anderen durch diese der während des Prozesses anfallende „Schleifschlamm” besser abtransportiert wird und das Schleifwerkzeug schnittfreudig bleibt. Gerade die Schnittfreudigkeit des Schleifwerkzeugs soll durch Zugabe eines Mediums mit gegenüber Wasser erhöhter Viskosität beim Beenden des Schleifens abgeschwächt oder gar eliminiert werden.
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Derart bearbeitete Halbleiterscheiben zeigen nach dem Schleifen keine Schleifriefen, keine Abhebemarken (Abheben der Schleifscheibe gegen Ende des herkömmlichen Einseitenschleifens) und keine Schleifkratzer.
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Das viskose Medium wird gegen Ende der Bearbeitung der Halbleiterscheibe zugeführt.
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Beim Einseitenschleifen wird das Medium zwischen Halbleiterscheibe und Schleifwerkzeug gebracht, bevor Halbleiterscheibe und Schleifwerkzeug nach Beendigung der Schleifbearbeitung nach Erreichen eines bestimmten Materialabtrags voneinander entfernt werden, indem das Schleifwerkzeug mit einer Rückführgeschwindigkeit zurück geführt wird.
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Beim simultanen Doppelseitenschleifen (DDG) wird analog vorgegangen: bevor Halbleiterscheibe und die beiden Schleifwerkzeuge nach Beendigung der Schleifbearbeitung voneinander entfernt werden, wird das Medium zwischen Halbleiterscheibe und Schleifwerkzeuge gebracht.
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Sowohl beim Einseiten- als auch beim Doppelseitenschleifen wird das Medium über das Zentrum der Schleifwerkzeuge eingebracht. Die Schleifwerkzeuge weisen üblicherweise Öffnungen auf, um eine Kühlung des Schleifwerkzeuges und/oder der bearbeiteten Halbleiterscheibe zu ermöglichen. Als Kühlmittel wird Wasser bzw. deionisiertes Wasser verwendet. Gegen Ende des Bearbeitungsvorgangs wird statt dem Kühlmittel das den mechanischen Abtrag dämpfende Medium eingebracht.
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Beim Schleifen mit Läppkinematik wird das Medium über Öffnungen der Läuferscheibe eingebracht. Im Stand der Technik sind diese Öffnungen vorgesehen, um über diese Kühlmittel zu den Arbeitsscheiben zu transportieren. In der vorliegenden Erfindung wird wiederum gegen Ende des Bearbeitungsvorgangs durch diese Öffnungen der Läuferscheiben statt Kühlmittel das den mechanischen Abtrag dämpfende Medium eingebracht.
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Dies zeigt, dass das erfindungsgemäße Verfahren keinerlei Umbauten an den herkömmlichen Schleifmaschinen erforderlich macht.
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Entscheiden ist die Auswahl des den mechanischen Abtrag dämpfenden Mediums.
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Dabei handelt es sich um ein flüssiges Medium mit einer Viskosität von mindestens 3·10–3 N/m2·s und höchstens 100·10–3 N/m2·s (mPa s) beträgt. Vorzugsweise beträgt die Viskosität des Mediums 3–80·10–3 N/m2·s, besonders bevorzugt 3–60·10–3 N/m2·s und ganz besonders bevorzugt 3–40·10–3 N/m2·s.
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Die Viskosität ist bekannterweise ein Maß für die Zähflüssigkeit eines Fluids. Der Kehrwert der Viskosität ist die Fluidität, ein Maß für die Fließfähigkeit eines Fluids. Je großer die Viskosität, desto dickflüssiger (weniger fließfähig) ist das Fluid; je niedriger die Viskosität, desto dünnflüssiger (fließfähiger) ist es.
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Vorzugsweise umfasst das Medium mehrwertige Alkohole (mehrwertig im Sinne von „mehr als eine Hydroxylgruppe”).
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Vorzugsweise wird der mehrwertige Alkohol ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Glycerin, monomeren Glykole, oligomeren Glykole, Polyglykole und Polyalkohole.
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Durch das Vorhandensein von mehr als einer Hydroxylgruppe gibt es mehr Möglichkeiten der Bildung von Wasserstoff-Brückenbindungen, also stärkere intermolekulare Wechselwirkungen, die letztlich zu einer erhöhten Viskosität führen.
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Vorzugsweise umfasst das Medium geringe Mengen an Tensiden.
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Vorzugsweise enthält das Medium mehrwertige Alkohole, Polyalkohole und Tenside.
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Vorzugsweise enthält das Medium kurz- oder längerkettige Polyethylenglykole, Sole oder Gele.
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Vorzugsweise umfasst das Medium Glycerin.
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Vorzugsweise umfasst das Medium Polyetherpolyol und Polyvinylalkohol.
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Ganz besonders bevorzugt ist die Verwendung von Glycerin-Wasser-Gemischen.
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Tabelle 1 zeigt die Änderung der Viskosität eines Glycerin-Wasser Gemischs bei einer Temperatur von 20°C für Verschiedene Glycerin-Anteile (Daten u. a. nach: WEAST, R. C. [Ed.]; „CRC Handbook of Chemistry and Physics”, 56th Ed., CRC Press, Boca Raton.)
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Reines Glycerin weist bei Raumtemperatur eine Viskosität von bis zu 1500 mPa·s auf und wird dazu verwendet, die Viskosität von deionisiertem Wasser, die nur bei etwa 1 mPa·s liegt, gezielt auf 3–100 mPa s zu erhöhen. Tabelle 1 – Viskosität eines Glyzerin-Wasser-Gemisch bei 20°C
| Glyzerin-Anteil: | Viskosität in mPa s |
| 100 Gew.-% | 1760 |
| 92 Gew.-% | 354 |
| 88 Gew.-% | 130 |
| 84 Gew.-% | 71 |
| 80 Gew.-% | 48 |
| 50 Gew.-% | 6 |
| 0 Gew.-% | 1 |
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Vorzugsweise beträgt der Glycerin-Anteil bei einer Temperatur von 20°C etwa 50–85 Gew.-%.
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Darüber hinaus ist die Viskosität stark temperaturabhängig: Für reines Glycerin beträgt die Viskosität bei T = 20°C etwa 1,760 Pa s und nimmt bei T = 25°C auf etwa 0,934 Pa s ab. Auch die Viskosität von reinem Wasser ist temperaturabhängig.
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Bei Verwendung von Glycerin-Wasser-Gemischen ist also zu berücksichtigen, dass das Medium mit einer Temperatur von 20°C zugeführt wird.
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Soll das Medium eine deutlich höhere Temperatur aufweisen, ist es bevorzugt, den Glycerin-Anteil über 85 Gew.-% hinaus zu erhöhen, um die gewünschte Viskosität sicherzustellen.
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Vorzugsweise handelt es sich beim Medium um eine wässrige Mischung aus Glycerin, Butanol und einem Tensid.
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Besonders bevorzugt ist auch die Verwendung von Suspensionen, wobei die benötigte Viskosität des Mediums durch den Feststoffanteil gewährleistet wird.
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Die Suspensionen können sowohl in Kombination mit den oben beschriebenen viskositätserhöhenden Mischungen, als auch in reiner Form, d. h. z. B. in Form eines gängigen Kieselsols, ohne Zugabe einer viskositätssteigernden Komponente, eingesetzt werden, wobei in diesem Fall die benötigte Viskosität durch geeignete Wahl der Konzentration der gelbsten Solteilchen eingestellt wird.
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Die Verwendung solcher Suspensionen ist mit einem zusätzlichen Effekt verbunden. Durch die feinstmechanisch wirkenden Solteilchen lässt sich die Oberflächenrauhigkeit der bearbeiteten Oberfläche(n) reduzieren. Dies gilt insbesondere dann, wenn man höher konzentrierte Suspensionen verwendet. Um Antrocknungen bzw. Auskristallisationen und einem damit verbundenen späteren Verkrusten der Medien zuführenden Leitungen vorzubeugen, empfiehlt es sich nach Beenden des Schleifschritts – insbesondere bei Verwendung von hochkonzentrierten Solen zum Abstoppen des typischen Abtragsschleifens – diese gründlich mit Wasser auszuspülen.
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Besonders bevorzugt ist die Verwendung von kolloiden Dispersionen aus Siliciumdioxid oder Ceroxid-Partikeln.
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Eine wässrige kolloiddisperse Lösung von amorphem Siliciumdioxid beinhaltet Siliciumdioxid in Form von untereinander unvernetzten, kugelförmigen Einzelpartikeln, die an der Oberfläche Hydroxylgruppen enthalten.
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Die Viskosität dieser Suspensionen mit räumlich unvernetzten Partikeln ist eine Funktion der Konzentration und der Teilchengröße bzw. der spezifischen Oberfläche.
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Die Viskosität lässt sich beispielsweise mittels Auslaufpipetten oder Kugelfallviskosimeter exakt bestimmen. Vorzugsweise wird die Viskosität der Mischung oder Suspension vor deren Einsatz im erfindungsgemäßen Verfahren gemessen.
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Die Viskosität ist gewöhnlich bei kleineren Partikeln größer. Die Viskosität steigt mit zunehmendem Feststoffvolumengehalt steigt, das die Partikel enger gepackt und in ihrer freien Beweglichkeit eingeschränkt werden (innere Reibung). Zudem nehmen Wechselwirkungen und Stöße zwischen den einzelnen Partikeln zu.
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Suspensionen mit einem relativniedrigen Feststoffvolumengehalt verhalten sich annähernd wie Newtonsche Flüssigkeiten.
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Die Viskosität ist von der Schergeschwindigkeit unabhängig.
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Vorzugsweise werden Suspensionen mit Partikeln, die eine schmale Größenverteilung aufweisen, verwendet. Die durchschnittliche Partikelgröße beträgt vorzugsweise 5–50 nm.
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Der Feststoffanteil von Siliciumdioxid oder Ceroxid beträgt vorzugsweise größer als 1 Gew.-% bis maximal 50 Gew.-%.
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Ist eine Reduktion der Oberflächenrauhigkeit der bearbeiteten Oberfläche(n) der Halbleiterscheibe gewünscht, wird ein Feststoffanteil von 20–50 Gew.-% bevorzugt.
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Bei niedrigeren Feststoffanteilen von 1 bis weniger als 20 Gew.-% wird die Viskosität vorzugsweise durch einen der oben genannten viskositätsmodifizierenden Zusätze wie z. B. Glycerin erhöht.
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Durch die Zufuhr des den mechanischen Abtrag dämpfenden Mediums wird sichergestellt, dass ein geringeres oberflächennahes Damage, insbesondere keine Abhebemarken, keine ausgeprägten Schleifriefen und keine ausgeprägten Schleifkratzer, auf der Halbleiterscheibe resultieren. Dies liegt daran, dass durch das Medium, das eine höhere Viskosität als Wasser aufweist, die mechanische Krafteinwirkung auf die Oberfläche der Halbleiterscheibe gegen Ende des Schleifvorgangs reduziert wird.
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Abhebemarken treten im Stand der Technik insbesondere nach DDG auf und sind kritisch für Geometrie und Nanotopologie. Beim Einseitenschleifen gemäß Stand der Technik treten Schleifriefen auf, die ebenfalls Geometrie und Nanotopologie negativ beinflussen. Kratzer können bei allen Schleifverfahren gemäß Stand der Technik auftreten und sind kritsich für Geometrie und die Oberflächeneigenschaften der Halbleiterscheibe.
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Diese Defekte lassen sich durch das erfindunsggemäße Verfahren vollständig eliminieren.
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Wie zuvor bereits erwähnt ist das Verfahren auf allen Maschinentypen mit planen Tellern und entsprechenden Medienverteilern durchführbar.
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Zum Doppelseitenplanschleifen mit Planetenkinematik (Läppkinematik) eignen sich herkömmliche Doppelseitenpoliermaschinen, wobei statt Poliertüchern ohne Abrasive entsprechende Schleiftücher (Arbeitsschichten der Arbeitsscheiben) verwendet werden.
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Im Folgenden werden besonders bevorzugte Prozessparameter zur Durchführung des Verfahrens dargestellt.
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Einseitenschleifen:
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- • Schleifscheibe mit einer feinen Korngröße #2000 oder feiner (mit Diamant, CeO2, Al2O3, SiC oder BaCO3 als Abrasiv)
- • Drehzahl der Schleifscheibe 1000–5000 U/min, besonders bevorzugt 2000–4000 U/min
- • Drehzahl der Halbleiterscheibe 50–300 U/min, besonders bevorzugt 200–300 min–1
- • Vorschubgeschwindigkeit 10–20 μm/min
- • Kühlmittel: Wasser 0,1–5 l/min
- • Gegen Ende der Bearbeitung Zufuhr eines flüssiges Medium mit einer Viskosität von mindestens 3·10–3 N/m2·s und höchstens 100·10–3 N/m2·s mit 0,1–5 l/min, besonders bevorzugt 3–5 l/min
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Doppelseitenschleifen:
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- • Körnung der Schleifscheiben 4–50 μm, Diamant als Abrasiv (keramisch oder metallisch gebunden)
- • Spindeldrehzahl von 1000–12000 U/min, besonders bevorzugt 4000–8000 U/min
- • Spindelzustellrate von 15–300 μm/min (bezogen auf beide Spindeln)
- • Drehzahl der Halbleiterscheibe von 5–100 U/min, besonders bevorzugt 25–50 U/min
- • Kühlschmierung mit Wasser von 0,1–5 l/min
- • Gegen Ende der Bearbeitung Zufuhr eines flüssiges Medium mit einer Viskosität von mindestens 3·10–3 N/m2·s und höchstens 100·10–3 N/m2·s mit 0,1–5 l/min, besonders bevorzugt 3–5 l/min
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Zur Zufuhr eines flüssigen Medium mit einer Viskosität von mindestens 3·10–3 N/m2·s und höchstens 100·10–3 N/m2·s eignet sich beispielsweise eine wässrige Mischung aus Butanol, Glyzerin und einem Tensid. Der Volumenstrom des Mediums beträgt 5 Liter/min. Der Glycerin-Anteil beträgt 1 Gew.-%, der Butanol Anteil 1 Gew.-%. Außerdem wurde ein Tensid mit 0,07 Gew.-% zugegeben.
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Beim Tensid handelt es sich um eine Zubereitung auf der Basis von Alkylbenzolsulfonsäure und Aminethoxylat.
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Ebenso geeignet ist die Zugabe von Kieselsol mit einer SiO2-Konzentration von 30 Gew.-% als viskose Schutzschicht auf der Halbleiterscheibe gegen Ende des Schleifvorgangs.