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DE102009025070A1 - Verfahren zum Kapseln eines Chips - Google Patents

Verfahren zum Kapseln eines Chips Download PDF

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DE102009025070A1
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Chee Chian Lim
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Infineon Technologies AG
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Infineon Technologies AG
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Abstract

Es wird ein Verfahren zum Anbringen eines Chips (10) an einem Substrat (50) offenbart. Eine Hauptoberfläche (12) des Chips (10) weist ein Array elektrischer Kontakte (11) auf und wird mit einem Bandsegment (20) bedeckt, das ein an den Kontakten (11) ausgerichtetes Array von Öffnungen (21) aufweist. In die Öffnungen (21) werden Lotkugeln (41) eingeführt. Der Chip (10) wird gegenüber einem Substrat (50) positioniert, wobei die Lotkugeln (41) mit den Chipkontaktstellen (11) auf der Oberfläche des Substrats (50) ausgerichtet sind, und ein Wärmebehandlungsprozess wird durchgeführt, um die Lotkugel (41) an die entsprechenden Bondkontaktstellen zu bonden.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Anbringen eines Chips an einem Substrat sowie ein Halbleiter-Package (Halbleiterkapselung).
  • Eine bekannte Art von Chip (das heißt, ein zum großen Teil aus Halbleitermaterial zusammengesetzter Körper, der darin gebildete elektronische Schaltkreise enthält und der ein Fragment eines Halbleiter-Wafers ist) weist auf mindestens einer seiner Hauptseiten ein Array elektrischer Kontakte auf. Der Chip wird in den folgenden Schritten an einem Substrat (typischerweise einer Leiterplatte) angebracht. Als erstes wird ein Array elektrisch leitfähiger Hügel (Lotkugeln) auf den jeweiligen elektrischen Kontakten des Chips gebildet, um einen Flip-Chip zu bilden. (Optional werden die Lotkugeln auf dem Wafer platziert, bevor der Wafer zu einzelnen Chips zerteilt wird, wodurch die Flip-Chips gebildet werden.)
  • Der Flip-Chip wird dann umgedreht und mit den Lotkugeln auf jeweiligen Bondkontaktstellen des Substrats mit einem kleinen Zwischenraum zwischen dem Chip und dem Substrat positioniert. Das Lot wird dann erhitzt, um ein Wiederaufschmelzen (Reflow) zu verursachen, bei dem eine elektrische Verbindung zwischen den Kugeln und den jeweiligen Bondkontaktstellen des Substrats erzeugt wird. Dann wird ein elektrisch isolierender Kleber (”Unterfüllung”) in den Zwischenraum injiziert und dann ausgehärtet. Die Unterfüllung ergibt eine starke mechanische Verbindung zwischen dem Chip und dem Substrat und eine Wärmebrücke zwischen ihnen und stellt sicher, dass die Lötverbindungen während der Benutzung aufgrund unterschiedlicher Erwärmung des Chips und des Rests des Systems nicht verspannt werden.
  • Dieser Prozess ist relativ langsam, weil es beträchtliche Zeit in Anspruch nimmt, den Zwischenraum zwischen dem Chip und dem Substrat zu füllen. Dies kann für einen 6 mm-Chip mit einer 3 mm-Lücke zum Beispiel 4 bis 5 Minuten in Anspruch nehmen. Da dieser Schritt individuell für jedes Substrat (z. B. jede Leiterplatte) ausgeführt wird, kann er einen Engpass in einem Prozess verursachen, der aus jedem Wafer sehr viele Chips produziert. Ferner kann die separate Aushärtprozedur eine bis vier Stunden in Anspruch nehmen. Ferner können Luftblasen zwischen dem Chip und dem Substrat eingeschlossen werden, wodurch Hohlräume (”Voids”) erzeugt werden. Außerdem wird während des Einfügens der Unterfüllungsschicht eine laterale Kraft auf die Lotkugeln angewandt, wodurch diese versetzt werden können. Es wird erwartet, dass dies in der Zukunft zu einem zunehmenden Problem wird, da der Rasterabstand der Chipkontaktstellen des Flip-Chips immer feiner wird.
  • Das Unterfüllungsmaterial ist typischerweise ein thermisch aushärtendes Material, so dass, nachdem der Chip und das Substrat angebracht sind, sie nur schwer wieder zu trennen sind. Die Wahl des Unterfüllungsmaterials unterliegt sich entgegenstehenden Anforderungen. Wenn das Material einen hohen Füllstoffzusatz aufweist, tendiert es dazu, langsam in den Zwischenraum zwischen dem Chip und dem Substrat zu fließen. Wenn es umgekehrt einen niedrigen Füllstoffzusatz aufweist, unterliegt es dem ”Popcorn-Effekt” (Volumenausdehnung durch rasches Verdampfen an dem Chip angereicherter Feuchtigkeit). Außerdem weisen bestimmte geeignete Unterfüllungsmaterialien eine relativ kurze Werkshaltbarkeit auf, bevor sich ihre Aushärteigenschaften verschlechtern. Wenn nachfolgende Prozessschritte die Unterfüllungsschicht Lösungsmitteln aussetzen, können die Lösungsmittel außerdem Hohlraum- oder Blasenbildung in der ausgehärteten Unterfüllung verursachen.
  • Eine alternative Anbringprozedur besteht darin, die flüssige Unterfüllung auf die Bondkontaktstellen aufzubringen, bevor der Flip-Chip darauf positioniert wird. Das heißt, der Flip-Chip wird dergestalt in Richtung des Substrats bewegt, dass die Lotkugeln den Kleber verdrängen, bis die Lotkugeln mit den jeweiligen Bondkontaktstellen des Substrats in Kontakt kommen. Nachdem die Lotkugeln die jeweiligen Bondkontaktstellen des Substrats kontaktiert haben, wird ein Wärmebehandlungsprozess durchgeführt, um die Lotkugeln an die Bondkontaktstellen zu Bonden und die Unterfüllung auszuhärten.
  • Man beachte, dass, nachdem die Bondkontaktstellen des Substrats durch die Unterfüllung bedeckt sind, die Ausrichtung des Flip-Chips an ihnen nicht sehr einfach ist. Obwohl die Ausrichtung vor dem Abgeben des Unterfüllungsmaterials durchgeführt werden kann, kann sich diese Ausrichtung verschlechtern, wenn der Flip-Chip in Richtung des Substrats bewegt wird, und es besteht eine Tendenz, dass der Chip auf dem Unterfüllungsmaterial ”aufschwimmt” (das heißt, dass der Widerstand der Unterfüllung den Flip-Chip von seiner korrekten Position versetzt). Außerdem kann Unterfüllungsmaterial zwischen den Lotkugeln und den Bondkontaktstellen eingeschlossen bleiben, wodurch mechanischer oder elektrischer Verbindungsausfall riskiert wird.
  • Außerdem besitzt diese alternative Prozedur auch viele der Nachteile der oben erläuterten ersten Technik. Sie wird auf Kapselungsebene durchgeführt und ist somit relativ langsam. Außerdem ist sie auch anfällig für Hohlraumbildung („Voids”). Außerdem sind Materialien, mit denen die sie zuverlässig durchgeführt werden könnte, noch nicht verfügbar. Zum Beispiel sollte das Material einen Wärmeausdehnungs-Koeffizienten (CTE) von nicht mehr als 80 ppm/K aufweisen, um sicherzustellen, dass es während des Wärmebehandlungsprozesses nicht beschädigt wird, und solche Materialien sind nicht ohne weiteres verfügbar. Außerdem besteht die Möglichkeit einer Absorption von Feuchtigkeit in die Unterfüllung, wodurch sie beschädigt wird. Nachdem der Aushärtvorgang abgeschlossen ist, ist die resultierende Kapselung (d. h. das hergestellte Package) außerdem nicht umbearbeitbar.
  • Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung anzugeben, mit dem bzw. der der Bondprozess von Flip-Chips auf Substraten und/oder Trägern beschleunigt, vereinfacht und/oder zuverlässiger gestaltet werden kann.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Weiterbildungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung schlagen vor, dass eine Oberfläche eines Chips mit einem Bandsegment bedeckt wird, das mehrere Öffnungen umfasst, die sich mit elektrischen Kontakten des Chips decken. In die Öffnungen werden leitfähige Elemente eingeführt und mit den Kontakten gebondet. Der Chip wird so auf einem Substrat angeordnet, dass die leitfähigen Elemente mit Chipkontaktstellen des Substrats ausgerichtet sind, und die leitfähigen Elemente werden durch eine Wärmebehandlung an die Chipkontaktstellen gebondet.
  • Eine Ausführungsform der Erfindung wird nun lediglich in beispielhafter Weise mit Bezug auf die folgenden Figuren beschrieben. Es zeigen:
  • 1, die aus 1A bis 1E besteht, die Schritte einer Ausführungsform der Erfindung; und
  • 2 ein Flussdiagram der Schritte der Ausführungsform.
  • Unter Bezugnahme auf 1 ist ein Verfahren gezeigt, das eine Ausführungsform der Erfindung ist. Die Schritte des Verfahrens sind in 2 gezeigt. In 1A weist ein (in Seitenansicht gezeigter) Chip 10 auf seiner Hauptoberfläche 12 ein regelmäßiges Array elektrischer Kontakte 11 auf.
  • Die Hauptoberfläche 12 des Chips 10 ist mit einem Segment aus Band 20 (in einer Querschnitts-Seitenansicht gezeigt) bedeckt, das ein regelmäßiges Array von Öffnungen (Durchgangslöchern) 21 darin aufweist (Schritt 61). Obwohl in 1 der Einfachheit halber nur ein einziger Chip 10 und ein Bandsegment 20 separat gezeigt sind, kann das Bandsegment 20 tatsächlich vor dem Zerteilungsprozess, der mehrere Chips aus einem einzigen Wafer heraustrennt, auf den Chip 10 aufgebracht werden. Zum Beispiel kann ein Band so auf dem Wafer aufgebracht werden, dass sich das Band über mehrere Teile des Wafers erstreckt, die zu jeweiligen Chips zerteilt werden sollen. Dann kann das Band während der Zerteilung des Wafers segmentiert (d. h. in Bandsegmente 20 aufgeteilt) werden, so dass auf jeden jeweiligen Chip 10 ein Bandsegment 20 aufgebracht ist.
  • Das Band ist typischerweise ein Elastomermaterial, das Gummi und/oder Silika und/oder Harz umfasst. Es besitzt eine Dicke, die mindestens etwa 15 μm beträgt, und kann signifikant mehr betragen. Es trägt eine erste Schicht aus Kleber auf der dem Chip zugewandten Seite zum Ankleben jedes Bandsegments 20 an den jeweiligen Chip 10. Wie später ausführlicher beschrieben wird, umfasst es auch eine zweite Schicht aus Kleber auf der dem Chip 10 abgewandten Seite.
  • Eine Ansicht des einer seiner Hauptoberflächen zugewandten Bandsegments 20 ist in 1B gegeben.
  • Danach werden in 1C das Bandsegment 20 und der Chip 10 unter einem Reservoir 30 platziert, das viele Lotkugeln 41 hält. Das Reservoir 30 enthält Öffnungen 31, durch die die Lotkugeln 41 auf die Oberfläche des Bands 20 fallen (Schritt 62). Die Öffnungen 31 sind mit den Öffnungen 21 ausgerichtet. Die Kugeln 41 sind etwas kleiner als die Löcher 21 und kommen in jeweiligen Löchern 21 zur Ruhe.
  • Dann wird ein erster Wärmebehandlungsprozess (”Chip-Reflow”) ausgeführt, bei dem die Lotkugeln 41 an die Hauptoberfläche 12 des Chips 10 gebondet werden (Schritt 63).
  • Dann wird der Chip 10 umgedreht und auf ein Substrat 50 (das eine Leiterplatte PCB sein kann) platziert, das ein Array von Bondkontaktstellen 51 aufweist, wie in 1D gezeigt (Schritt 64).
  • Dann wird ein zweiter Wärmebehandlungsprozess (”Reflow”-Wiederaufschmelzen) ausgeführt, bei dem die Lotkugeln 41 zu Scheiben geschmolzen werden, die die Öffnungen 21 füllen und wobei insbesondere die Lotkugeln 41 an die Bondkontaktstellen 51 gebondet werden (Schritt 65). Die schmelzenden Lotkugeln 41 werden durch das Bandsegment 20 an Ort und Stelle gehalten, um eine hochzuverlässige Lötverbindung zu ergeben. Die zweite Schicht aus Kleber (die dieselbe Art von Kleber wie in der ersten Schicht oder eine andere Art von Kleber sein kann) auf der Oberfläche des Bandsegments 20, die dem Chip 10 abgewandt ist, klebt das Bandsegment 20 an einen Teil des Substrats 50 (z. B. an seine Bondkontaktstellen 51 wie in 1E gezeigt).
  • Durch das Bandsegment 20, das bei der Verwendung nicht entfernt wird, wird es unnötig, eine Unterfüllungsschicht zwischen dem Chip 10 und dem Substrat 50 bereitzustellen. Das Bandsegment 20 ergibt eine Wärmebrücke zwischen dem Chip 10 und dem Substrat 50 und Verspannungsentlastung, wenn die Struktur von 1E im Gebrauch ist. Das Bandsegment 20 hält jede Lotkugel fest in zu der Hauptseite des Chips 10 parallelen Richtungen. Aufgrund der Elastizität des Bandsegments 20 wirkt es wie viele Mikrofedern, um die Zuverlässigkeitsleistung zu verbessern. Das Bandsegment 20 verstärkt die Verbindung der Lotkugeln zwischen den Chipkontaktstellen und den PCB-Leiterplattenkontaktstellen, wodurch übliche Lotkugel-Bruchprobleme aufgrund von Fehlanpassung des CTE (Wärmeausdehnungs-Koeffizienten) verringert werden.
  • Da keine Unterfüllungsschicht erforderlich ist, entfallen die verschiedenen mit einer Unterfüllungsschicht verbundenen Probleme (z. B. Unteraushärtung und Hohlraum-Bildung). Da kein Prozess des Aufbringens einer Unterfüllung vorliegt, wird ferner keine laterale Verspannung auf die Lotkugeln ausgeübt. Dies ist insbesondere für Flip-Chips mit feinem Rasterabstand wichtig.
  • Die Dicke des Abstands zwischen dem Chip 10 und dem Substrat 50 wird durch die Dicke des Bandsegments 20 garantiert. Das heißt, es besteht einheitliche Abstandshaltung (”Standoff”). Typischerweise ist der Abstand der Kontakte 11 und der Bondkontaktstellen 51 im Wesentlichen gleich der Dicke des Bandsegments 20. Dies gilt sogar, obwohl die Lotkugeln 41 aufgrund des Wiederaufschmelzprozesses im Wesentlichen kollabieren. Die Dicke des Bandsegments wirkt außerdem als Z-Richtungs-Verspannungsabsorber zur Chip-Verspannungsentlastung nach dem Wiederaufschmelzen des Lots und im Gebrauch.
  • Obwohl nur eine einzige Ausführungsform der Erfindung ausführlich beschrieben wurde, sind innerhalb des Schutzumfangs der Erfindung, der durch die angeführten Ansprüche definiert wird, viele Varianten möglich.
  • Wie oben erwähnt, können zum Beispiel die Bandsegmente produziert werden, indem man ein einziges Band so auf einen Wafer aufbringt, das es sich über mehrere Teile erstreckt, die zu Chips zu zerteilen sind, und dann das Band gleichzeitig mit der Zerteilung des Wafers zerteilt, um jeweilige an jedem Chip angebrachte Bandsegmente zu bilden. Bei einer Alternative können die Bandsegmente jedoch diskret sein und individuell an Chips angeklebt werden, die bereits zerteilt wurden.
  • Obwohl bei den beschriebenen Ausführungsformen die Bandsegmente durch Kleber an den Chip (oder Wafer) angeklebt werden, kann das Band ferner bei bestimmten Ausführungsformen durch einen Erwärmungsprozess angebracht werden, der die Oberfläche des Bands teilweise auf die Chip- und/oder Waferoberfläche aufschmilzt.
  • Ähnlich können bei bestimmten Ausführungsformen die Bandsegmente mindestens teilweise durch einen Erwärmungsprozess an dem Substrat angebracht werden.
  • Obwohl der Chip oben als ein Array von nur zwölf elektrischen Kontakten aufweisend gezeigt ist, kann die Anzahl der Kontakte größer oder kleiner sein.
  • Die elektrischen Kontakte können nicht nur ein rechteckiges Array aufweisen, sondern auch ein beliebiges anderes Array, wie etwa ein sechseckiges Array. Der Chip kann auch ein Flip-Chip derart sein, der zusätzlich auf einer dem Substrat abgewandten Seite elektrische Kontakte aufweist, und die für Drahtbondung (z. B. an weitere Chipkontaktstellen auf dem Substrat) bestimmt sind. Der Chip kann eine beliebige elektronische Funktionalität aufweisen (z. B. kann er ein Speicher, ein Mikrocontroller usw. sein).

Claims (16)

  1. Verfahren zum Anbringen eines Chips (10) an einem Substrat (50), mit den folgenden Schritten: Bedecken einer Oberfläche (12) eines Chips (10), der mehrere elektrische Kontakte (11) umfasst, mit einem Bandsegment (20), das mehrere Öffnungen (21) umfasst, wobei jeder elektrische Kontakt (11) einer der mehreren Öffnungen (21) zugeordnet ist; Einfügen mehrerer leitfähiger Elemente (41) in die mehreren Öffnungen (21); Bonden der mehreren leitfähigen Elemente (41) an die mehreren elektrischen Kontakte (11); Anordnen des Chips (10) auf dem Substrat (50), wobei die mehreren leitfähigen Elemente (41) mit mehreren jeweiligen Chipkontaktstellen (51) des Substrats (50) ausgerichtet sind; und Durchführen einer Wärmebehandlung zum Bonden der mehreren leitfähigen Elemente (41) an die mehreren Chipkontaktstellen (51).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei während der Wärmebehandlung die mehreren leitfähigen Elemente (41) die mehreren Öffnungen (21) in dem Bandsegment (20) füllen, wobei das Bandsegment (20) den Chip (10) und das Substrat (50) in einem vorbestimmten relativen Abstand halten.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, ferner mit dem Schritt des Erhaltens des Chips (10) aus einem Wafer durch Zerteilung, wobei das Bandsegment (20) zum Zeitpunkt der Zerteilung bereits an dem Chip (10) angebracht ist.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Bandsegment (20) ein Elastomermaterial umfasst.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Bandsegment (20) eine Dicke von mindestens 15 μm aufweist.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Bandsegment (20) an den Chip (10) angeklebt wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Bandsegment (20) an einen Teil des Substrats (50) angeklebt wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die leitfähigen Elemente (41) Lotkugeln umfassen.
  9. Halbleiter-Package, umfassend: einen Chip (10) mit mehreren elektrischen Kontakten (11) auf einer Oberfläche (12) des Chips (10); ein Substrat (50) mit mehreren Chipkontaktstellen (51); und ein zwischen dem Chip (10) und dem Substrat (50) angeordnetes Bandsegment (20), wobei Öffnungen (21) in dem Bandsegment (20) mehrere leitfähige Elemente (41) enthalten, wobei jedes leitfähige Element (41) jeweils an einen entsprechenden der mehreren elektrischen Kontakte (11) bzw. eine entsprechende der mehreren Chipkontaktstellen (51) gebondet ist.
  10. Halbleiter-Package nach Anspruch 9, wobei der Abstand zwischen den elektrischen Kontakten (11) des Chips (10) und den Chipkontaktstellen (51) des Substrats (50) nicht größer als die Dicke des Bandsegments (20) ist.
  11. Halbleiter-Package nach Anspruch 9 oder 10, wobei das Bandsegment (20) ein Elastomermaterial umfasst.
  12. Halbleiter-Package nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei das Bandsegment (20) eine Dicke von mindestens 15 μm aufweist.
  13. Halbleiter-Package nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei das Bandsegment (20) an den Chip (10) angeklebt wird.
  14. Halbleiter-Package nach einem der Ansprüche 9 bis 13, wobei das Bandsegment (20) an das Substrat (50) angeklebt ist.
  15. Halbleiter-Package nach einem der Ansprüche 9 bis 14, wobei das Bandsegment (20) sowohl an den Chip (10) als auch das Substrat (50) angeklebt wird.
  16. Halbleiter-Package nach einem der Ansprüche 9 bis 15, wobei jedes leitfähige Element (41) eine entsprechende Öffnung (21) im Wesentlichen füllt.
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