DE102009006397A1

DE102009006397A1 - Polysiliziumschicht-Entfernverfahren und Speichermedium

Info

Publication number: DE102009006397A1
Application number: DE102009006397A
Authority: DE
Inventors: Mitsunori Nirasaki Nakamori
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2008-01-30
Filing date: 2009-01-28
Publication date: 2009-08-13
Anticipated expiration: 2029-01-29
Also published as: TW200945432A; KR20090083857A; JP2009182136A; US20090191716A1; JP5025508B2; DE102009006397B4; KR101254844B1

Abstract

Ein Polysiliziumschicht-Entfernverfahren, das in der Lage ist, einen Ätzrest im Wesentlichen zu entfernen, während die Form einer Ätzgrenze verbessert wird, ist offenbart. Das Verfahren zum Entfernen der Polysiliziumschicht 41 von einem schrägen Teil 42 eines Wafers W durch Nassätzen enthält ein Hydrophilieren der Polysiliziumschicht 41 ohne Entfernen der Polysiliziumschicht von dem schrägen Teil 42, und Zuführen eines Ätzmittels mit der Mischung von Flusssäure und Salpetersäure auf die hydrophilierte Polysiliziumschicht des schrägen Teils 42, während der Wafer gedreht wird mit Umdrehungen, die zum Abflachen einer Ätzgrenze genügen.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Polysiliziumschicht-Entfernverfahren und ein Speichermedium, das in der Lage ist, eine Polysiliziumschicht von einem Ende eines Substrats, wie zum Beispiel einem Halbleiter-Wafer, zu entfernen, auf dem die Polysiliziumschicht gebildet ist, durch Nassätzen.
2. Beschreibung des Stands der Technik
Halbleiterherstellungsprozesse enthalten ein Bilden von mehreren Dünnfilmen auf Halbleiter-Wafern (hier im Folgenden einfach als "Wafer" bezeichnet). Während der Prozesse leiden schräge Teile (das heißt, Enden) der Wafer wahrscheinlicher Weise an Brüchen oder Ablösungen bzw. einem Abblättern. Teilchen, die von Brüchen oder Ablösungen resultieren, werden Halbleitergeräte kontaminieren.
Neuestens wurde eine Flüssigimmersionslithographie verwendet als Photolithographietechnik zum Erreichen einer hohen Auflösung von 45 nm Knotenpunkten in Halbleitergeräten. Jedoch werden die abgelösten Schichten der schrägen Teile des Wafers durch Wasser hochgehoben während der Flüssigimmersionslithographie, wodurch Defekte in Halbleitergeräten hervorgerufen werden. Dieses Kontaminierungsproblem wird ferner gravierend beim Verwenden der Flüssigimmersionslithographie.
Als solches wurde ein Nassätzen vorgeschlagen zum Entfernen von schrägen Teilen der Wafer. Das Nassätzen führt Chemikalien zu auf die schrägen Teile der Wafer, auf denen Schichten gebildet werden, während die Wafer rotiert werden. Die ungeprüfte japanische Patentveröffentlichung Nr. 2001-319850 offenbart ein Beispiel des Nassätzens.
Ein Beispiel der Schichten, die gebildet werden auf Wafern ist eine Polysiliziumschicht, die verwendet wird für eine Gate-Elektrode. Wenn Polysiliziumschichten verarbeitet werden durch Nassätzen, wird im Allgemeinen eine Mischung von Flusssäure und Salpetersäure als Chemikalien verwendet.
Eine Nassätzvorrichtung für das schräge Teil des Einzel-Wafer-Typs sollte richtige Umdrehungen der Wafer sicherstellen zum Verbessern der Form einer Ätzgrenze durch eine Zentrifugalkraft.
Polysiliziumschichten haben eine hydrophobische Eigenschaft. Deshalb haftet, falls die Umdrehungen des Wafers beim Ätzen erhöht werden zum Verbessern der Form der Ätzgrenze, die Mischung von Flusssäure und Salpetersäure wenig an der Polysiliziumschicht an, und Polysilizium bleibt auf dem schrägen Teil in einem Streifenmuster.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung stellt ein Polysiliziumschicht-Entfernverfahren bereit, das in der Lage ist, eine Polysiliziumschicht von einem Ende eines Substrats zu entfernen, in dem ein Ätzrest nicht im Wesentlichen übrig bleibt, während die Form einer Ätzgrenze verbessert wird.
Auch stellt die vorliegende Erfindung ein Speichermedium bereit, das ein Programm speichert zum Ausführen des Polysiliziumschicht-Entfernverfahrens.
Gemäß einem Beispiel wird ein Verfahren zum Entfernen einer Polysiliziumschicht von einem Ende eines Substrats durch Nassätzen bereitgestellt. Das Verfahren enthält Hydrophilieren der Polysiliziumschicht, ohne Entfernen der Polysiliziumschicht von dem Ende des Substrats, und Zuführen eines Ätzmittels, wobei das Ätzmittel eine Mischung aus Flusssäure und Salpetersäure enthält, auf die hydrophilierte Polysiliziumschicht, die gebildet ist auf dem Ende des Substrats, während das Substrat gedreht wird bei Umdrehungen, die zum Verbessern der Form einer Ätzgrenze genügen.
In einigen Beispielen kann das Ätzmittel zugeführt werden, während das Substrat gedreht bzw. rotiert wird mit 300 rpm oder mehr. Das Ätzmittel kann die Flusssäure und die Salpetersäure enthalten mit einem Volumenverhältnis von 1:1 bis 1:30. Auch kann in einigen Beispielen eine Versorgungsmenge an Ätzmittel 3 bis 50 cm³/min sein.
Das Hydrophilieren kann ausgeführt werden durch Zuführen der Salpetersäure auf die Polysiliziumschicht, die gebildet wird an dem Ende des Substrats, zum Oxidieren der Polysiliziumschicht. In diesem Fall kann die Hydrophilierung ausgeführt werden durch Zuführen der Salpetersäure auf die Polysiliziumschicht, die gebildet wird auf dem Ende des Substrats, zum Oxidieren der Polysiliziumschicht, während das Substrat gedreht wird mit 600 rpm oder weniger.
Auch kann das Hydrophilieren ausgeführt werden durch Zuführen von irgendeinem von einer Wasserstoffperoxydlösung, einem ozonhaltigen Wasser und einem Ozongas auf die Polysiliziumschicht, gebildet an dem Ende des Substrats zum Oxidieren der Polysiliziumschicht.
Die Hydrophilierung kann ausgeführt werden durch Bestrahlen von Licht auf die Polysiliziumschicht, die gebildet wird an dem Ende des Substrats. Das auf die Polysiliziumschicht bestrahlte Licht kann ultraviolette Strahlen umfassen.
In einem anderen Beispiel wird ein computerlesbares Speichermedium, das ein Programm speichert, das eine Verarbeitungsvorrichtung steuert, bereitgestellt. Das Programm wird ausgeführt durch den Computer zum Steuern der Verarbeitungsvorrichtung, um das Polysiliziumschicht-Entfernverfahren auszuführen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann, da die Hydrophilierung durchgeführt wird ohne ein Entfernen der Polysiliziumschicht von dem Ende des Substrats vor dem Zuführen des Ätzmittels, die Polysiliziumschicht benetzt werden durch das Ätzmittel, das die Mischung der Flusssäure und Salpetersäure enthält, selbst wenn das Substrat gedreht wird mit Umdrehungen genug zum Verbessern der Form einer Ätzgrenze. Ferner wird ein Ätzrest nicht im Wesentlichen übrigbleiben, während die Form der Ätzgrenze verbessert wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 zeigt eine Ansicht, die schematisch eine Verarbeitungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
2 zeigt ein Flussdiagramm, das ein Polysilizium-Entfernverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
3A bis 3D zeigen Ansichten, die jeden Schritt eines Polysilizium-Entfernverfahrens gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
4 zeigt eine Ansicht, die einen Zustand eines schrägen Teils darstellt, wenn eine Polysiliziumschicht von dem schrägen Teil entfernt wird, während ein Wafer gedreht wird mit einer niedrigen Geschwindigkeit, ohne ein Ausführen einer Hydrophilierung mit Bezug auf den Wafer;
5 zeigt eine Ansicht, die einen Zustand eines schrägen Teils darstellt, wenn eine Polysiliziumschicht von dem schrägen Teil entfernt wird, während ein Wafer mit hoher Geschwindigkeit gedreht wird, ohne ein Ausführen einer Hydrophilierung mit Bezug auf den Wafer;
6 zeigt eine Ansicht, die einen Zustand eines schrägen Teils darstellt, wenn eine Polysiliziumschicht von dem schrägen Teil entfernt wird, während ein Wafer gedreht wird mit hoher Geschwindigkeit nach einem Ausführen einer Hydrophilierung mit Bezug auf den Wafer gemäß der vorliegenden Erfindung; und
7 zeigt eine Ansicht, die eine Vorrichtung darstellt zum Ausführen des Verfahrens gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
In der folgenden detaillierten Beschreibung wird Bezug genommen auf die begleitenden Zeichnungen, die einen Teil derselben bilden. Die darstellenden Zeichnungen, die in der detaillierten Beschreibung, Zeichnungen und Ansprüche beschrieben werden, sind nicht dazu gedacht, begrenzend zu sein. Andere Ausführungsformen können verwendet werden, und andere Änderungen könnend durchgeführt werden, ohne den Geist oder Umfang des Gegenstands, der hier präsentiert wird, zu verlassen.
1 zeigt eine Ansicht, die schematisch eine Verarbeitungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
Eine Verarbeitungsvorrichtung 1 enthält eine Kammer 2. Die Kammer 2 enthält einen Drehkopf zum Stützen eines verarbeiteten Wafers W, auf dem eine Polysiliziumschicht gebildet wird, durch Vakuumabsorption auf einer horizontalen Ebene. Der Drehkopf 3 ist ausgebildet zum Rotieren durch einen Motor 4. Ein Behälter 5 wird bereitgestellt innerhalb der Kammer 2 zum Bedecken des Wafers W, der durch den Drehkopf 3 gestützt wird. Eine Luft-/Flüssigkeits-Abflussleitung 6 wird gebildet am Boden des Behälters 5, um nach unten zu gehen von der Kammer 2. Die Luft-/Flüssigkeits-Abflussleitung 6 gibt Luft und Flüssigkeit aus. Ein Lade-/Ablade-Port 7 wird gebildet bei der Seitenwand der Kammer 2. Der Lade-/Ablade-Port 7 lädt den Wafer W ein und aus.
Die Versorgungsdüse für Salpetersäure 11 zum Zuführen von Salpetersäure (HNO₃), eine Ätzmittelversorgungsdüse 12 zum Zuführen eines Ätzmittels, beispielsweise einer Mischung von Flusssäure (HF) und Salpetersäure (HNO₃), und eine Versorgungsdüse für entionisiertes Wasser 13 zum Zuführen eines entionisierten Wassers (DIW, Deionized Water) werden bereitgestellt über das Ende des Wafers W, der gestützt wird durch den Drehkopf 3. Diese Düsen 11 bis 13 sind vertikal und horizontal bewegbar durch ein Antriebsgerät (nicht gezeigt).
Ein Ende einer Salpetersäureversorgungsleitung 14 ist verbunden mit der Versorgungsdüse für Salpetersäure 11, und das andere Ende der Salpetersäureversorgungsleitung 14 ist verbunden mit einer Salpetersäureversorgungsquelle 15. Die Salpetersäureversorgungsleitung 14 wird bereitgestellt mit einem Ventil 16. Ein Ende einer Ätzmittelversorgungsleitung 17 ist verbunden mit der Ätzmittelversorgungsdüse 12, und das andere Ende der Ätzmittelversorgungsleitung 17 ist verbunden mit einer Ätzmittelversorgungsquelle 18. Die Ätzmittelversorgungsleitung 17 wird einem Ventil 19 bereitgestellt. Ein Ende einer Versorgungsleitung für entionisiertes Wasser 20 ist verbunden mit der Versorgungsdüse für entionisiertes Wasser 13, und das andere Ende der Versorgungsleitung für entionisiertes Wasser 20 ist verbunden mit einer Versorgungsquelle für entionisiertes Wasser 21. Die Versorgungsleitung für entionisiertes Wasser 20 wird bereitgestellt mit einem Ventil 22.
Jede Komponente der Verarbeitungsvorrichtung 1, beispielsweise der Motor 4, die Ventile 16, 19 und 22, das Antriebsgerät der Düsen 11 bis 13, und so weiter, ist ausgebildet, um durch einen Controller 30 mit einem Mikroprozessor (das heißt, einem Computer) gesteuert zu werden. Der Controller 30 ist verbunden mit einer Benutzerschnitt 31. Die Benutzerschnittstelle 31 enthält eine Tastatur zum Eingeben eines Befehls zum Steuern der Verarbeitungsvorrichtung 1, einer Anzeige zum Visualisieren eines Antriebsumfangs der Verarbeitungsvorrichtung 1, und so weiter. Der Controller 30 wird auch verbunden mit einem Speicher 32, in dem ein Steuerprogramm gespeichert wird zum Steuern eines Ziels von jeder Komponente der Verarbeitungsvorrichtung 1 oder einem Programm zum Erlauben, dass die Verarbeitungsvorrichtung 1 vorbestimmte Prozesse, das heißt, eine Rezeptur, ausführt. Die Rezeptur wird in einem Speichermedium des Speichers 32 gespeichert. Das Speichermedium kann stationär sein, wie zum Beispiel eine Festplatte, oder tragbar, wie zum Beispiel eine CDROM, DVD oder ein Flash-Speicher. Die Rezeptur kann übertragen werden von einem anderen Gerät beispielsweise über ein bestimmtes Kabel. Falls notwendig, wird eine willkürliche Rezeptur aufgerufen aus dem Speicher 32 in Ansprechen auf einen Hinweis von der Benutzerschnittstelle 31, so dass der Controller 30 zum Ausführen gebracht wird, so dass ein gewünschter Prozess unter der Steuerung des Controllers 30 ausgeführt wird.
Ein Verfahren zum Entfernen der Polysiliziumschicht von einem schrägen Teil des Wafers W unter Verwendung der Verarbeitungsvorrichtung wird nun beschrieben werden.
2 zeigt ein Flussdiagramm, das das Polysiliziumschicht-Entfernverfahren darstellt, und 3 zeigt eine Ansicht, die jeden Schritt des Verfahrens darstellt.
Unter Bezug auf 2 wird der Wafer W in die Kammer 2 geladen und gestützt durch den Drehkopf 3 (Schritt 1) (3A). Auf der gesamten Oberfläche des Wafers W wird eine Polysiliziumschicht 41 gebildet durch eine Wärmeoxidationsschicht (nicht gezeigt).
Als Nächstes wird die Versorgungsdüse für Salpetersäure 11 positioniert über einem schrägen Teil 42 des Wafers W, und Salpetersäure wird zugeführt auf das schräge Teil 42 des Wafers W von der Versorgungsdüse für Salpetersäure 11, während der Wafer W gedreht wird mit vorbestimmten Umdrehungen. Das Teil, entsprechend dem schrägen Teil 42 der Polysiliziumschicht 41, wird nicht entfernt, und wird oxidiert, um hydrophiliert zu werden (Schritt 2) (3B). Die Umdrehungen des Wafers W sind bevorzugt auf solch eine Art und Weise eingestellt, dass Polysilizium ausreichend benetzt und oxidiert wird durch die Salpetersäure. Die Umdrehungen können 600 rpm oder weniger sein. Die Polysiliziumschicht 41 des schrägen Teils 42 kann hydrophiliert werden während einer kurzen Zeit von ungefähr 5 Sekunden durch diesen Schritt.
Die Ätzmittelversorgungsdüse 12 wird über dem schrägen Teil 42 des Wafers W positioniert, und die Mischung der Flusssäure und der Salpetersäure als Ätzmittel wird zugeführt auf das Teil, das dem schrägen Teil 42 der hydrophilierten Polysiliziumschicht 41 entspricht, während der Wafer W rotiert wird mit Umdrehungen, die zum Verbessern der Form einer Ätzgrenze genügen (Schritt 3) (3C). Als Ergebnis kann das Teil der Polysiliziumschicht 41, entsprechend dem hydrophilierten schrägen Teil 42 entfernt werden, so dass ein Ätzrest nicht übrigbleibt, während die Form der Ätzgrenze 43 verbessert wird.
Da das Teil vorher hydrophiliert wird durch die Salpetersäure, kann die Polysiliziumschicht 41 genug benetzt und geätzt werden durch die Mischung von Flusssäure und Salpetersäure, obwohl der Wafer W rotiert wird mit schnellen Umdrehungen, die zum Verbessern der Form der Ätzgrenze genügen. Auch kann die Polysiliziumschicht 41 des schrägen Teils 42 fast vollständig entfernt werden, während die Form der Ätzgrenze 43 des schrägen Teils 42 verbessert wird.
Beispielsweise sind die Umdrehungen des Wafers W hoch, um die Form der Ätzgrenze 43 zu verbessern. Insbesondere sind die Umdrehungen des Wafers W 300 rpm oder mehr beim Ätzen, um die Präzision der Ätzgrenze von ±0,2 mm oder weniger zu erreichen. Beispielsweise sind die Umdrehungen 500 rpm oder mehr, so dass die Präzision der Ätzgrenze von ±0,1 mm sichergestellt wird. Die obere Grenze der Umdrehungen ist nicht begrenzt auf 5000 rpm oder weniger, aber enthält dies. Da eine exzessive Versorgungsmenge der Mischung von Flusssäure und Salpetersäure die Form der Ätzgrenze dazu bringen kann, sich zu verschlechtern, ist die Versorgungsmenge der Mischung gering, beispielsweise 3 bis 50 cm³/min oder 10 cm³/min. Die Präzision der Ätzgrenze bedeutet der Maximalwert der Variationen zu einer Zielätzbreite bei einer Kante bzw. Ecke des Wafers W.
Beispielsweise enthält die Mischung von Flusssäure und Salpetersäure, die verwendet wird als das Ätzmittel, die Flusssäure und die Salpetersäure mit einem Volumenverhältnis von 1:1 bis 1:30. Eine Verdünnung der Mischung ist beispielsweise 0 bis 30%.
Selbst wenn das Teil, das dem schrägen Teil der Polysiliziumschicht entspricht, nicht hydrophiliert ist, kann das Polysilizium des schrägen Teils entfernt werden durch Zuführen der Mischung von Flusssäure und Salpetersäure, während der Wafer mit einer geringen Geschwindigkeit von ungefähr 100 rpm gedreht wird. Aber die Form der Ätzgrenze 43 kann ungeeignet werden, wie in 4 gezeigt, wegen einer unzureichenden Zentrifugalkraft. Deshalb wird, falls der Wafer W gedreht wird mit hoher Geschwindigkeit von ungefähr 1000 rpm zum Verbessern (Abflachen) der Form der Ätzgrenze, die Polysiliziumschicht nicht benetzt durch das Ätzmittel, so dass ein Ätzrest 44 in einem Streifenmuster erzeugt wird, wie in 5 gezeigt. Das Polysilizium-Entfernverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung kann die oben beschriebenen gegensätzlichen Probleme lösen, während die Form der Ätzgrenze 43 des schrägen Teils 42 verbessert wird, und Ätzreste fast entfernen.
Nachdem das Ätzen ausgeführt ist, wie oben beschrieben, wird die Versorgungsdüse für entionisiertes Wasser 13 über einen Teil ungefähr 1 mm nach innen, beabstandet von dem Ätzmittelversorgungsteil des schrägen Teils, bewegt. Dann wird das Ätzmittel mit der Mischung von Flusssäure und Salpetersäure abgewaschen, während der Wafer W gedreht wird mit einer Geschwindigkeit von 30 bis 1500 rpm (Schritt 4) (3D).
Gemäß dem oben beschriebenen Verfahren ist der Prozess zum Entfernen des Polysiliziums von dem schrägen Teil des Wafers W durch das Nassätzen beendet.
Eine beispielhafte Ausführungsform zum Testen der Effekte der vorliegenden Erfindung wird nun beschrieben werden.
Ein Si-Wafer mit einer Polysiliziumschicht mit einer Dicke von 150 nm, der gebildet wurde auf einer Wärmeoxidationsschicht mit einer Dicke von 100 nm, wurde verwendet.
Eine Mischung wurde hergestellt zum Mischen von Flusssäure (50% wässrige Lösung) und Salpetersäure (61% wässrige Lösung) mit einem Volumenverhältnis von 1:5, und die Mischung wurde als Ätzmittel verwendet. Salpetersäure (61% wässrige Lösung) wurde verwendet als eine Hydrophilierungsverarbeitungsflüssigkeit.
Die Mischung von Flusssäure und Salpetersäure wurde zugeführt auf das schräge Teil zum Entfernen der Polysiliziumschicht, ohne die Hydrophilierung, während der Wafer gedreht wurde mit 100 rpm und 1000 rpm. Die Mischung von Flusssäure und Salpetersäure wurde zugeführt mit einer Flussrate von 10 cm³/min unter Verwendung einer Düse von 0,3 mmΦ. Als Ergebnis wurde bei den Umdrehungen von 100 rpm, obwohl das Polysilizium entfernt wurde von dem schrägen Teil, die Form der Ätzgrenze unpassend, und die Präzision wurde mehr als ±0,2 mm. Indessen wurde bei den Umdrehungen von 1000 rpm die Polysiliziumschicht nicht ausreichen benetzt durch die Mischung, und daher wurde die Polysiliziumschicht auf dem schrägen Teil in einem Streifenmuster gelassen.
Nachdem die Hydrophilierung ausgeführt wurde, wurde die Mischung von Flusssäure und Salpetersäure zugeführt auf das schräge Teil zum Entfernen der Polysiliziumschicht, während der Wafer mit 1000 rpm rotiert wurde. Die Hydrophilierung wurde ausgeführt durch Zuführen von Salpetersäure mit einer Flussrate von 10 cm³/min unter Verwendung einer Düse von 0,3 mmΦ, während der Wafer rotiert wurde mit Umdrehungen von 500 rpm. Die Ätzung wird entfernt durch Zuführen der Mischung mit einer Flussrate von 10 cm³/min unter Verwendung einer Düse von 0,3 mmΦ, wie oben beschrieben. Folglich wurde das Polysilizium vollständig entfernt von dem schrägen Teil, und die Präzision der Ätzgrenze war geringer als ±0,2 mm.
Daher wird, falls die Polysiliziumschicht entfernt wird von dem schrägen Teil unter Verwendung der Mischung von Flusssäure und Salpetersäure, nachdem der Wafer hydrophiliert ist gemäß der vorliegenden Erfindung, die Form der Ätzgrenze gut, und der Ätzrest bleibt nicht.
Die vorliegende Erfindung ist nicht begrenzt auf die obige Ausführungsform und mehrere Modifizierungen können erreicht werden. Beispielsweise kann, obwohl die Polysiliziumschicht oxidiert wird unter Verwendung von der Salpetersäure zum Hydrophilieren der Polysiliziumschicht, die Polysiliziumschicht oxidiert werden unter Verwendung anderer Hydrophilierungsstoffe. Eine Wasserstoffperoxydlösung oder ozonhaltiges Wasser kann verwendet werden als Hydrophilierungsstoff, und kann zugeführt werden durch eine Düse, wie die Salpetersäure. Auch kann ein Ozongas verwendet werden als Hydrophilierungsstoff und kann zugeführt werden durch eine Düse.
Die Polysiliziumschicht kann auch hydrophiliert werden durch Bestrahlen von Licht auf die Schicht. Wie in 7 gezeigt, wird eine Lichtquelle 45, beispielsweise eine ultraviolette Lampe, positioniert über dem schrägen Teil 42 des Wafers W, und Licht, wie zum Beispiel ultraviolette Strahlen, werden auf dem Wafer W bestrahlt, während der Wafer mit geringer Geschwindigkeit rotiert wird.
Obwohl die Ausführungsform angewandt wird auf den Halbleiter-Wafer, wie zum Beispiel Si-Wafer, ist die vorliegende Erfindung nicht begrenzt auf diese Ausführungsform.
Aus dem Vorhergehenden wird ersichtlich, dass verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschrieben wurden zum Zweck der Darstellung, dass verschiedene Modifizierungen durchgeführt werden können, ohne den Umfang und Geist der vorliegenden Offenbarung zu verlassen. Demgemäß sind die verschiedenen Ausführungsformen, die hierin offenbart sind, nicht vorgesehen, begrenzend zu sein, wobei der wahre Umfang und Geist gekennzeichnet wird durch die folgenden Ansprüche.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- JP 2001-319850 [0004]

Claims

Ein Verfahren zum Entfernen einer Polysiliziumschicht von einem Ende eines Substrats (W) durch ein Nassätzen, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ein Hydrophilieren einer Polysiliziumschicht umfasst, ohne Entfernen der Polysiliziumschicht von dem Ende eines Substrats (W); und Zuführen eines Ätzmittels (18), wobei das Ätzmittel (18) eine Mischung von Flusssäure und Salpetersäure enthält, auf die hydrophilierte Polysiliziumschicht, die an dem Ende des Substrats (W) gebildet wird, während das Substrat mit Umdrehungen gedreht wird, die zum Verbessern der Form einer Ätzgrenze genügen.
Das Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Zuführen des Ätzmittels ausgeführt wird, während das Substrat mit 300 rpm oder mehr gedreht wird.
Das Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzmittel die Flusssäure und die Salpetersäure mit einem Volumenverhältnis von 1:1 bis 1:30 enthält.
Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine Versorgungsmenge des Ätzmittels 3 bis 50 cm³/min ist.
Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Hydrophilieren ausgeführt wird durch Zuführen der Salpetersäure auf die Polysiliziumschicht, die gebildet wird an dem Ende des Substrats zum Oxidieren der Polysiliziumschicht.
Das Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Hydrophilieren ausgeführt wird durch Zuführen der Salpetersäure auf die Polysiliziumschicht, die gebildet wird an dem Ende des Substrats zum Oxidieren der Polysiliziumschicht, während das Substrat gedreht wird mit 600 rpm oder weniger.
Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Hydrophilieren ausgeführt wird durch Zuführen von einem von einer Wasserstoffperoxydlösung, ozonhaltigem Wasser und einem Ozongas auf die Polysiliziumschicht, die gebildet wird an dem Ende des Substrats, zum Oxidieren der Polysiliziumschicht.
Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Hydrophilieren ausgeführt wird durch Bestrahlen von Licht auf die Polysiliziumschicht, die gebildet wird an dem Ende des Substrats.
Das Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Licht, das auf die Polysiliziumschicht gestrahlt wird, aus ultravioletten Strahlen besteht.
Ein computerlesbares Speichermedium, das ein Programm speichert, das eine Verarbeitungsvorrichtung steuert, wobei das Programm die Verarbeitungsvorrichtung steuert zum Ausführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 9.