DE102009004720A1

DE102009004720A1 - Impedanzanpass-Schaltung zur Anpassung von Planarantennen

Info

Publication number: DE102009004720A1
Application number: DE102009004720A
Authority: DE
Inventors: Edgar Dr. Schmidhammer
Original assignee: Epcos AG
Current assignee: Qualcomm Technologies Inc
Priority date: 2009-01-15
Filing date: 2009-01-15
Publication date: 2010-07-22
Anticipated expiration: 2029-01-16
Also published as: JP6192892B2; US20110298685A1; JP2016048937A; WO2010081635A1; DE102009004720B4; US8791873B2; JP2012515482A

Abstract

Zur Impedanzanpassung einer Planarantenne wird eine Schaltung vorgeschlagen, die ein in einem Signalpfad zwischen einem Eingang und einem Ausgang verschaltetes erstes kapazitives Element mit einstellbarer Kapazität umfasst. Zwischen Signalpfad und Masse ist ein zweites kapazitives Element einstellbarer Kapazität verschaltet. Weiterhin sind Eingang und Ausgang je über ein induktives Element mit Masse verschaltet.

Description

Die Erfindung betrifft eine Impedanzanpass-Schaltung zur Anpassung der Impedanz von Planarantennen des Typs PIFA (Planar Inverted F Antenna).
Planarantennen sind Antennen, die nicht an eine definierte Impedanz angepasst sind, sondern für eine maximale Leistungsübertragung ein Anpassnetzwerk benötigen. Eine Anpassung ist erforderlich, wenn der Energieverlust bei der Signalübertragung an eine nicht impedanzangepasste Antenne vermindert werden soll. Planarantennen – wie sie in mobilen Kommunikationsgeräten Verwendung finden – reagieren durch eine Veränderung ihrer Impedanz auf veränderte äußere Einflüsse, die Nähe zu Objekten wie z. B. Hände oder andere Körperteile eines Users oder gar metallische Oberflächen.
Eine Verschaltung einer Planarantenne mit zugehöriger Impedanzanpass-Schaltung ist beispielsweise aus der Druckschrift WO 2006/129239 A1 bekannt. Deren Impedanzanpass-Schaltung umfasst neben mehreren induktiven Elementen eine Vielzahl von MEMS-Schaltern als kapazitive Elemente. Die Kapazität eines MEMS-Schalters kann zwei diskrete Werte annehmen. Ein ausreichender Abstimmbereich zur Impedanzanpassung wird durch eine Vielzahl an verschalteten MEMS-Schalter ermöglicht.
Ein Problem bekannter Impedanzanpass-Schaltungen für Planarantennen besteht darin, dass entweder der Abstimmbereich zu gering ist oder die Impedanzanpass-Schaltung eine hohe Komplexität und eine hohe Anzahl an verschalteten Elementen auf weist. Letzteres führt zu einer relativ hohen Defektanfälligkeit.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Impedanzanpass-Schaltung mit verringerter Komplexität und verminderter Anzahl an Schaltungselementen anzugeben die trotzdem einen ausreichenden Abstimmbereich ermöglicht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Impedanzanpass-Schaltung nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die erfindungsgemäße Impedanzanpass-Schaltung umfasst einen Signalpfad mit einem Signalpfadeingang und einem Signalpfadausgang, sowie ein erstes zwischen Signalpfadeingang und Signalpfadausgang verschaltetes kapazitives Element variabler Kapazität. Sie umfasst weiterhin ein zweites kapazitives Element variabler Kapazität, welches zwischen Signalpfad und Masse verschaltet ist. Ferner ist ein erstes induktives Element zwischen Signalpfadeingang und Masse verschaltet und ein zweites induktives Element ist zwischen Signalpfadausgang und Masse verschaltet. Mit dem Signalpfadausgang ist eine Antennenzuleitung verschaltet, welche eine Impedanz zwischen 30 und 60 Ohm aufweist.
Eine solche Verschaltung, deren Signalpfadeingang beispielsweise mit Sende- oder Empfangspfaden einer Frontend-Schaltung für Mobilfunkgeräte verschaltet sein kann und deren Antennenzuleitung zur Verschaltung mit einer Planarantenne vom Typ PIFA vorgesehen ist, stellt eine einfache – das heißt wenig komplexe – Schaltung dar, um die Antenne impedanzmäßig an die Frontend-Schaltung anzupassen. Solch eine Impedanzanpass-Schaltung kann eine Anpassung an zum Beispiel 50 Ohm einer PIFA bewirken. Insbesondere kann damit Umwelteinflüssen, welche die Impedanzanpassung der PIFA negativ beeinflussen (zum Beispiel unterschiedliche Ausrichtung der Antenne, Gegenstände, die sich in der Nähe der Antenne befinden, wie Hände oder Tischoberflächen), entgegengewirkt werden. Weiterhin ermöglicht eine solche Impedanzanpass-Sschaltung eine gleichzeitige Anpassung in Sende- und Empfangsbändern. Die beiden induktiven Elemente bestimmen nicht nur das Frequenzverhalten der PIFA sondern wirken auch als ESD-Schutzelemente, um beispielsweise die nachgeschaltete Frontend-Schaltung oder einzelne ihrer Komponenten gegen Stromimpulse, die über die Antenne einwirken, zu schützen, indem diese Impulse unschädlich an Masse abgeleitet werden.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist das zweite kapazitive Element zwischen Signalpfadausgang und Masse verschaltet, während in einer dazu alternativen Ausführungsform das zweite kapazitive Element variabler Kapazität zwischen Signalpfadeingang und Masse verschaltet ist.
In einer bevorzugten weiteren Ausführungsform ist zwischen Signalpfadausgang und Masse ein resistives Element spannungsabhängigen Widerstands verschaltet. Ein solches resistives Element kann insbesondere ein Varistor sein.
Die beiden induktiven Elemente haben vorzugsweise Gütefaktoren größer gleich 15 und ihre Induktivitäten betragen zwischen 1 und 30 nH. Das erste kapazitive Element hat vorzugsweise einen Gütefaktor größer gleich zehn und seine Kapazität ist in einem Intervall einstellbar, welches zwischen 0,5 und 13 pF liegt. Auch das zweite kapazitive Element hat vorzugsweise einen Gütefaktor größer gleich zehn. Seine Kapazität ist in einem Intervall, welches zwischen 0,5 und 8,0 pF liegt, einstellbar.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung wird die Impedanzanpass-Schaltung in einem mobilen Kommunikationsgerät mit einem Sendepfad und einem Empfangspfad und einer Planarantenne des Typs PIFA verwendet. Der Signalpfadeingang ist mit dem Sendepfad und dem Empfangspfad verschaltet und die Antennenzuleitung ist mit der PIFA verschaltet. Zwischen Sende- und Empfangspfad einerseits und dem Signalpfad andererseits kann ein Duplexer verschaltet sein. Dann ist Datenübertragung im FDD-(Frequency-Division Duplexing) Modus möglich. Alternativ oder zusätzlich können Sende- und Empfangspfad einerseits und der Signalpfadeingang andererseits auch über Schalter verschaltet sein, welche Datenübertragung im TDD-(Time-Division Duplexing) Modus, ermöglichen.
In beiden Varianten ist es vorteilhaft, wenn der Sendepfad in einem Sendefrequenzband mit einem Stehwellenverhältnisse im Sendepfad, das kleiner ist als 3:1, angepasst ist und wenn der Empfangspfad in einem Empfangsfrequenzband mit einem Stehwellenverhältnis im Empfangspfad, das kleiner ist als 4:1, angepasst ist.
Die erfindungsgemäße Impedanzanpass-Schaltung ist besonders zur Verwendung in W-CDMA Frequenzbänder zwischen 500 und 4500 Megahertz geeignet.
Der Abstimmbereich zumindest einer aus erstem und zweitem kapazitiven Element variabler Kapazität beträgt vorzugsweise mindestens 2,5:1. Ebenso ist es möglich, dass der Abstimmbereich beider kapazitiver Elemente mindestens 2,5:1 beträgt. Das erste oder das zweite kapazitive Element variabler Kapa zität kann ein abstimmbarer Kondensator mit einer Barium-Strontium-Titanat umfassenden dielektrischen Schicht sein. Alternativ kann es auch ein in CMOS-Technik gefertigtes kapazitives Element, eine Verschaltung aus MEMS-Kondensatoren, eine Halbleitervaraktordiode, ein in NMOS-Technik gefertigtes kapazitives Element oder ein Galliumarsenid umfassendes kapazitives Element sein. Das erste oder das zweite kapazitive Element kann ein eine Verschaltung aus zueinander parallel schaltbaren kapazitiven Komponenten (ein sog. Array) sein, wobei die kapazitiven Komponenten einzeln durch Schalter hinzugeschaltet oder abgekoppelt werden können. In solch einem Array haben die einzelnen kapazitiven Komponenten vorzugsweise in Zweierpotenzen ansteigende Kapazitäten, die voneinander verschieden sind und dem jeweils einem 2ⁿ-fachen einer ganzen Zahl (n = 1, 2, 3, ...) des kleinsten im Array auftretenden Kapazitätswertes entsprechen. Dadurch ist es möglich die Gesamtkapazität in äquidistanten, diskreten Stufen einzustellen. Ein sog. 5 Bit Array beispielsweise bietet maximal 2^5 = 32 Einstellmöglichkeiten. Die Zahl der Einstellmöglichkeiten kann jedoch in Fällen mit weniger Schaltungsaufwand auch 16 (entspricht einem 4 Bit Array), 64 (entspricht einem 6 Bit Array) oder 128 bzw. 256 (entsprechend einem 7 bzw. 8 Bit Array) betragen. Je höher die Zahl der Komponenten und damit auch die Zahl der entsprechenden Ansteuerleitung, um so aufwändiger wird die Schaltung, aber um so besser ist die gewünschte Kapazität einstellbar. Ferner ist es möglich, dass beide kapazitive Elemente Elemente gleicher Ausführungsform sind.
Die induktiven Elemente sind bevorzugt als Metallisierungen in einem mehrschichtigen Substrat ausgeführt. Das mehrschichtige Substrat kann HTCC (High Temperature Cofired Ceramics), LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics), FR4 oder Laminat umfassen.
Die kapazitiven Elemente variabler Kapazität können gleicher Art sein; insbesondere ist es bevorzugt, dass beide kapazitiven Elemente in einem gemeinsamen Gehäuse angeordnet sind oder zumindest eine gemeinsam genutzte Abdeckung besitzen.
Bevorzugt ist es auch, wenn beide kapazitiven Elemente variabler Kapazität Teile derselben Ansteuerleitungen gemeinsam nutzen, mit denen die Kapazität der kapazitiven Elemente variiert werden kann.
Als Frequenzbereich, in denen die Impedanzanpass-Schaltung die Antennenimpedanz anpasst, kommt ein Bereiche zwischen 0,5 Gigahertz und 1,7 Gigahertz oder der Bereich zwischen 1,7 Gigahertz und 2,5 Gigahertz in Frage. Weiterhin kann eine Impedanzanpassung auch bei Frequenzen größer gleich 2,5 Gigahertz möglich und vorgesehen sein. Um mehrere Frequenzbereiche abzudecken ist es möglich, für jeden abzudeckenden Frequenzbereich eine erfindungsgemäße Impedanzanpass-Schaltung vorzusehen, welche in dem entsprechenden Frequenzbereich aktiv und zugeschaltet ist.
Um eine Verbesserung der Gütefaktoren des ersten oder des zweiten kapazitiven Elements zu erreichen, kann es vorteilhaft sein, diese kapazitiven Elemente variabler Kapazität mit weiteren kapazitiven Elementen gegebener fixer Kapazität parallel zu verschalten.
Es ist ferner bevorzugt, einen Richtkoppler im Signalpfad zu verschalten. Existieren mehrere Impedanzanpass-Schaltungen für verschiedene Frequenzbereiche, so ist es möglich, jeder einzelnen Impedanzanpass-Schaltung einen eigenen Richtkoppler zuzuweisen, der im Signalpfad verschaltet ist. Alternativ ist es auch möglich, dass ein Dualband-Richtkoppler mit den beiden Signalpfaden zweier verschiedener Impedanzanpass-Schaltungen gemeinsam verschaltet ist.
Ferner können zwei oder mehrere Impedanzanpass-Schaltungen in einer Multibandanpass-Schaltung verschaltet sein. Jede Impedanzanpass-Schaltung kann dann einen ihr zugeordneten Richtkoppler aufweisen, der mit dem entsprechenden Signalpfad verschaltet ist. Eine Multibandanpass-Schaltung kann jedoch auch mehrere Impedanzanpass-Schaltungen umfassen, wobei zwei oder mehrere Signalpfade der Impedanzanpass-Schaltungen mit demselben Multiband-Richtkoppler verschaltet sind. Eine Multibandabpass-Schaltung ist eine Schaltung, die Impedanzanpassung bei mehreren Frequenzbereichen ermöglicht. Frontendschaltungen von Mobiltelefonen, die mehrere Signalpfade in unterschiedlichen Impedanzpass-Schaltungen umfassen, können mit jeder dieser Schaltungen einen anderen Frequenzbereich abdecken. Solche Verschaltungen sind also zur Verwendung in mehreren Frequenzbereichen vorgesehen.
Mit einer einzigen, variable Kapazitätselemente umfassenden Impedanzanpass-Schaltung ist es auch möglich, die Impedanz in unterschiedlichen Frequenzbereichen anzupassen.
Im Folgenden wird die Impedanzanpass-Schaltung anhand von Ausführungsbeispielen und zugehörigen schematischen Figuren näher erläutert.
Es zeigen:
1 eine Impedanzanpass-Schaltung IAS mit zwei kapazitiven Elementen variabler Kapazität, zwei induktiven Elementen sowie einer Antennenzuleitung,
2 eine Antennenanpass-Schaltung IAS mit zwei kapazitiven Elementen variabler Kapazität und zwei induktiven Elementen sowie einer Antennenzuleitung,
3 die Verschaltung der Antennenzuleitung mit der PIFA,
4 eine Impedanzanpass-Schaltung IAS mit weiteren parallelen kapazitiven Elementen sowie einem Richtkoppler im Signalpfad,
5 eine Impedanzanpass-Schaltung IAS mit weiteren parallel verschalteten kapazitiven Elementen und einem seriell im Signalpfad verschalteten Richtkoppler,
6 zwei für verschiedene Frequenzbereiche vorgesehene Impedanzanpass-Schaltungen mit einem gemeinsam genutzten Dualbandrichtkoppler,
7 zwei zur Verwendung in verschiedenen Frequenzbereichen vorgesehene Impedanzanpass-Schaltungen mit einem gemeinsam genutzten Dualband-Richtkoppler.
1 zeigt eine Impedanzanpass-Schaltung IAS für Planarantennen, die eine geringe Komplexität aufweist und einen ausreichenden Abstimmbereich ermöglicht. Im Signalpfad SP mit Signalpfadeingang SPE und Signalpfadausgang SPA ist ein kapazitives Element variabler Kapazität C1 verschaltet. Zwischen Signalpfadeingang SPE und Masse M ist außerdem ein induktives Element L1 verschaltet. Zwischen Signalpfadausgang SPA und Masse M sind weiter ein kapazitives Element variabler Kapazität C2 sowie ein induktives Element L2 verschaltet. Ferner ist der Signalpfadausgang SPA mit einer Antennenzuleitung AL verschaltet.
2 zeigt eine alternative Ausführungsform der Impedanzanpass-Schaltung IAS, wobei im Unterschied zur 1 das zweite kapazitive Element variabler Kapazität C2 zwischen Signalpfadeingang SPE und Masse M verschaltet ist. Zusätzlich ist zwischen Signalpfadausgang SPA und Masse M ein resistives Element variablen Widerstands VA verschaltet.
Sowohl das erste induktive Element L1 als auch das zweite induktive Element L2 stellen zusätzlich zu ihrer Funktion als HF-Impedanzelemente auch ESD-Schutzelemente dar, um Spannungsspitzen, die über die Antennenzuleitung AL in die Impedanzanpass-Schaltung eingeleitet werden, über Masse abzuleiten. Dadurch sind nachfolgende Schaltungen, die mit dem Signalpfadeingang verschaltet sind, geschützt, ohne dass dabei die Impedanzanpass-Schaltung durch weitere, speziell hinzugefügte Schutzelemente an Komplexität zunimmt.
3 zeigt schematisch die Verschaltung des Signalpfadausgangs SPA über die Antennenzuleitung mit der PIFA.
4 zeigt eine Ausführungsform der Impedanzanpass-Schaltung IAS bei der die kapazitiven Elemente variabler Kapazität C1 und C2 mit weiteren kapazitiven Elementen fixer Kapazität WCE parallel verschaltet sind. Kapazitive Elemente mit fixer Kapazität haben im Allgemeinen höhere Gütefaktoren, sodass eine Parallelschaltung aus einem kapazitiven Element mit variabler Kapazität C1, C2 und einer einem kapazitiven Element fixer Kapazität WCE insgesamt einen höheren Gütefaktor auf weist als das kapazitive Element variabler Kapazität alleine. Die Kapazitäten parallel geschalteter kapazitiver Elemente addieren sich, was bei der Auslegung der Kapazitätswerte berücksichtigt werden muss. Ferner ist der Signalpfadeingang SPE der Impedanzanpass-Schaltung IAS mit einem Teil einer Frontend-Schaltung verschaltet, die hier durch einen Richtkoppler RK, einen Duplexer DPX, einem Empfangs-LNA und einem Sendeverstärker PA symbolisiert ist. Der Duplexer DPX verschaltet einen Sendepfad und einen Empfangspfad mit dem Signalpfad SP. Der Richtkoppler RK ist zwischen dem Duplexer DPX und dem Signalpfadeingang SPE verschaltet.
5 zeigt eine alternative Ausführungsform zur Impedanzanpass-Schaltung aus 4, wobei der Richtkoppler RK nicht zwischen Duplexer und Signalpfadeingang sondern im Sendepfad verschaltet ist. Der Sendeverstärker PA ist zwischen Richtkoppler RK und Duplexer DPX verschaltet.
6 zeigt eine Ausgestaltung, bei der zwei für verschiedene Frequenzbereiche vorgesehene Impedanzanpass-Schaltungen IAS einen Dualband-Richtkoppler DBRK gemeinsam verwenden. Dieser Dualband-Richtkoppler DBRK ist mit je einem Abschnitt der Signalpfade SP verschaltet. Diese Abschnitte sind im jeweiligen Signalpfad zwischen dem Duplexer DPX und dem Signalpfadeingang SPE verschaltet.
Im Gegensatz dazu zeigt 7 eine Ausführungsform, in der ein Dualband-Richtkoppler DBRK mit zwei für verschiedene Frequenzbereiche vorgesehenen Sendepfaden zweier jeweils für einen der beiden verschiedenen Frequenzbereiche vorgesehenen Impedanzanpass-Schaltungen verschaltet ist. Der jeweilige Abschnitt, der mit dem Dualband-Richtkoppler DBRK gekoppelt ist, liegt jeweils im Sendepfad SeP zwischen dem Sendever stärker PA und dem Duplexer DPX. Ein mit dem Dualband-Richtkoppler verschalteter Detektor Det registriert die Qualität der Impedanzanpassung, welche wiederum den Ausgangspunkt beim Tuning der einstellbaren Kapazität der kapazitiven Elemente C1, C2 darstellt.
Eine erfindungsgemäße Filterschaltung ist nicht auf eines der beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt; Kombinationen und Variationen gezeigter Merkmaler, welche außerdem noch weitere zum Beispiel induktive oder kapazitive Elemente umfassen, stellen ebenso erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele dar.

AL: Antennenzuleitung
ASL: Ansteuerleitung
C1, C2: kapazitives Element variabler Kapazität
DBRK: Dual-Band Richtkoppler
EP: Empfangspfad
IAS, IAS1, IAS2: Impedanzanpass-Schaltung
L1, L2: induktives Element
M: Masse
MBAS: Multibandanpass-Schaltung
PIFA: Planar Inverted F Antenna
RK: Richtkoppler
SeP: Sendepfad
SP: Signalpfad
SPA: Signalpfadausgang
SPE: Signalpfadeingang
Va: resistives Element spannungsabhängigen Widerstands
WCE: weiteres kapazitives Element

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- WO 2006/129239 A1 [0003]

Claims

Impedanzanpass-Schaltung (IAS) zur Anpassung von Planar-Antennen, umfassend – einen Signalpfad (SP) mit einem Signalpfadeingang (SPE) und einem Signalpfadausgang (SPA), – ein erstes, zwischen Signalpfadeingang (SPE) und Signalpfadausgang (SPA) verschaltetes kapazitives Element (C1) variabler Kapazität und ein zweites, zwischen Signalpfad (SP) und Masse (M) verschaltetes kapazitives Element (C2) variabler Kapazität, – ein erstes, zwischen Signalpfadeingang (SPE) und Masse (M) verschaltetes induktives Element (L1), ein zweites, zwischen Signalpfadausgang (SPA) und Masse (M) verschaltetes induktives Element (L2), – eine mit dem Signalpfadausgang (SPA) verschaltete Antennenzuleitung (AL) mit einer Impedanz zwischen 30 und 60 Ohm.
Impedanzanpass-Schaltung nach Anspruch 1, wobei das zweite kapazitive Element (C2) zwischen Signalpfadausgang (SPA) und Masse (M) verschaltet ist.
Impedanzanpass-Schaltung nach Anspruch 1, wobei das zweite kapazitive Element (C2) zwischen Signalpfadeingang (SPE) und Masse (M) verschaltet ist.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei zwischen Signalpfadausgang (SPA) und Masse (M) ein resistives Element (Va) mit spannungsabhängigem Widerstand verschaltet ist.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, – deren erstes (L1) und zweites (L2) induktives Element Gütefaktoren größer gleich 15 und Induktivitäten zwischen 1 und 30 nH aufweisen, – deren erstes kapazitives Element (C1) einen Gütefaktor größer 10 und eine in einem Intervall, welches zwischen 0,5 und 13 pF liegt, einstellbare Kapazität aufweist, und – deren zweites kapazitives Element (C2) einen Gütefaktor größer gleich 10 und eine in einem Intervall, welches zwischen 0,5 und 8,0 pF liegt, einstellbare Kapazität aufweist.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5 zur Verwendung in einem mobilen Kommunikationsgerät mit einem Sendepfad (SeP), einem Empfangspfad (EP) und einer Planar-Antenne des Typs PIFA (PIFA), – wobei der Signalpfadeingang (SPE) mit dem Sendepfad (SP) und dem Empfangspfad (EP) verschaltet ist und – wobei die Antennenzuleitung (AL) zwischen Signalpfadausgang (SPA) und der Planar-Antenne (PIFA) verschaltet ist.
Impedanzanpass-Schaltung nach Anspruch 6, die den Sendepfad (SP) in einem Sendefrequenzband und den Empfangspfad (EP) in einem Empfangsfrequenzband an die Planar-Antenne (PIFA) mit einem Stehwellenverhältnis im Sendepfad (SeP), das kleiner ist als 3:1, und mit einem Stehwellenverhältnis im Empfangspfad (EP), das kleiner ist als 4:1, anpasst.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7 zur Verwendung in W-CDMA Frequenzbändern zwischen 500 und 4500 MHz.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei der der Abstimmbereich eines der kapazitiven Elemente variabler Kapazität (C1, C2) mindestens 2,5:1 beträgt.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, die ein kapazitives Elemente variabler Kapazität (C1, C2) umfasst, ausgewählt aus: ein abstimmbarer Kondensator mit einer Barium-Strontium-Titanat umfassenden dielektrischen Schicht, ein in CMOS-Technik gefertigtes kapazitives Element, eine Verschaltung aus MEMS-Kondensatoren, eine Halbleitervaraktordiode, ein in NMOS-Technik gefertigtes kapazitives Element, ein 5 Bit Array und ein Galliumarsenid umfassendes kapazitives Element.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, die zwei kapazitive Elemente variabler Kapazität (C1, C2) umfasst, ausgewählt aus: ein abstimmbarer Kondensator mit einer Barium-Strontium-Titanat umfassenden dielektrischen Schicht, ein in CMOS-Technik gefertigtes kapazitives Element, eine Verschaltung aus MEMS-Kondensatoren, eine Halbleitervaraktordiode, ein in NMOS-Technik gefertigtes kapazitives Element, ein 5 Bit Array und ein Galliumarsenid umfassendes kapazitives Element.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, deren induktive Elemente (L1, L2) als Metallisierungen in einem mehrschichtigen Substrat, ausgewählt aus HTCC, LTCC, FR4 und Laminat, ausgeführt sind.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, deren kapazitive Elemente variabler Kapazität (C1, C2) in gleicher Art ausgeführt und im selben Gehäuse angeordnet sind.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, die von beiden kapazitiven Elementen variabler Kapazität (C1, C2) gemeinsam genutzte Ansteuerleitungen (ASL) zur Variation der Kapazität aufweist.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 14 zur Verwendung bei einem Frequenzbereich, der ausgewählt ist aus den Bereichen 0,5 GHz <= f <= 1,7 GHz, 1,7 GHz <= f <= 2,5 GHz und f >= 2,5 GHz.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, deren erstes oder zweites kapazitives Element variabler Kapazität (C1, C2) zur Verbesserung der Gütefaktoren mit einem weiteren kapazitiven Element (WCE) parallel verschaltet ist.
Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 16 mit einem Richtkoppler (RK), der im Signalpfad (SP) verschaltet ist.
Multibandanpass-Schaltung (MBAS), die zwei Impedanzanpass-Schaltungen (IAS1, IAS2) nach je einem der Ansprüche 1 bis 17 und einen Dual-Band Richtkoppler (DBRK) umfasst, wobei – die zwei Impedanzanpass-Schaltungen (IAS1, IAS2) zur Verwendung in verschiedenen Frequenzbändern vorgesehen sind, und – der Dual-Band Richtkoppler (DBRK) mit den Signalpfaden beider Impedanzanpass-Schaltungen verschaltet ist.
Multibandanpass-Schaltung, die zwei oder mehr Impedanzanpass-Schaltungen (IAS1, IAS2) nach je einem der Ansprüche 1 bis 17 und je Impedanzanpass-Schaltung einen zugeordneten Richtkoppler (RK) umfasst, wobei – die zwei oder mehr Impedanzanpass-Schaltungen (IAS1, IAS2) zur Verwendung in verschiedenen Frequenzbändern vorgesehen sind, und – die zugeordneten Richtkoppler (RK) jeweils mit dem Signalpfad der Impedanzanpass-Schaltung verschaltet sind.
Multibandanpass-Schaltung, die eine erste, eine zweite, eine dritte Impedanzanpass-Schaltung nach je einem der Ansprüche 1 bis 17 und einen Dual-Band Richtkoppler (DBRK) umfasst, wobei – die Signalpfade der zweiten und der dritten Impedanzanpass-Schaltung mit demselben Dual-Band Richtkoppler verschaltet sind.