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DE102008064956B3 - OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE - Google Patents

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE Download PDF

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DE102008064956B3
DE102008064956B3 DE102008064956.2A DE102008064956A DE102008064956B3 DE 102008064956 B3 DE102008064956 B3 DE 102008064956B3 DE 102008064956 A DE102008064956 A DE 102008064956A DE 102008064956 B3 DE102008064956 B3 DE 102008064956B3
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DE
Germany
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radiation
optoelectronic semiconductor
transmissive body
semiconductor component
connection carrier
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Active
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DE102008064956.2A
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German (de)
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Michael Binder
Alexander Linkov
Thomas Zeiler
Peter Brick
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Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
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Abstract

Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit- einem Anschlussträger (2),- einem optoelektronischen Halbleiterchip (1), der auf einer Montagefläche (22) des Anschlussträgers (2) angeordnet ist, und- einem strahlungsdurchlässigen Körper (3), der den Halbleiterchip (1) umgibt, wobei- der strahlungsdurchlässige Körper (3) ein Silikon enthält,- der strahlungsdurchlässige Körper (3) vier Seitenflächen (30) aufweist, die jeweils in einem Winkel (β) kleiner 90° zur Montagefläche (22) verlaufen, und- die vier Seitenflächen (30) durch einen Sägeprozess erzeugt sind.Optoelectronic semiconductor component with - a connection carrier (2), - an optoelectronic semiconductor chip (1) which is arranged on a mounting surface (22) of the connection carrier (2), and - a radiation-transmissive body (3) which surrounds the semiconductor chip (1), wherein- the radiation-transmissive body (3) contains a silicone,- the radiation-transmissive body (3) has four side surfaces (30), which each run at an angle (β) of less than 90° to the mounting surface (22), and- the four side surfaces ( 30) are created by a sawing process.

Description

Es werden ein optoelektronisches Halbleiterbauelement sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben.An optoelectronic semiconductor component and a method for its production are specified.

Die Druckschriften US 2002 / 0 185 966 A1 und US 2004 / 0 245 530 A1 beschreiben optoelektronische Halbleiterbauelemente.The pamphlets U.S. 2002/0 185 966 A1 and U.S. 2004/0 245 530 A1 describe optoelectronic semiconductor components.

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 1 sowie ein Verfahren gemäß Anspruch 9.The invention relates to an optoelectronic semiconductor component according to claim 1 and a method according to claim 9.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement einen Anschlussträger. Bei dem Anschlussträger handelt es sich beispielsweise um eine Leiterplatte, die einen Grundkörper aus einem elektrisch isolierenden Material umfasst. Auf und/oder in den Grundkörper können elektrische Anschlussbahnen und Leiterbahnen strukturiert sein.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the optoelectronic semiconductor component comprises a connection carrier. The connection carrier is, for example, a printed circuit board that includes a base body made of an electrically insulating material. Electrical connecting tracks and conductor tracks can be structured on and/or in the base body.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement einen optoelektronischen Halbleiterchip. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip handelt es sich um einen strahlungsemittierenden oder strahlungsempfangenden Halbleiterchip. Beispielsweise handelt es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterchip um einen Lumineszenzdiodenchip. Das heißt, der optoelektronische Halbleiterchip ist durch einen Leuchtdiodenchip oder einen Laserdiodenchip gegeben. Der optoelektronische Halbleiterchip ist auf einer Montagefläche des Anschlussträgers angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip kann dort mechanisch befestigt und elektrisch kontaktiert sein.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the optoelectronic semiconductor component comprises an optoelectronic semiconductor chip. The optoelectronic semiconductor chip is a radiation-emitting or radiation-receiving semiconductor chip. For example, the optoelectronic semiconductor chip is a luminescence diode chip. This means that the optoelectronic semiconductor chip is a light-emitting diode chip or a laser diode chip. The optoelectronic semiconductor chip is arranged on a mounting area of the connection carrier. The optoelectronic semiconductor chip can be mechanically fastened and electrically contacted there.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement einen strahlungsdurchlässigen Körper, der den Halbleiterchip umgibt. Bei dem strahlungsdurchlässigen Körper handelt es sich beispielsweise um einen Vergusskörper aus einem Vergussmaterial, mit dem der Halbleiterchip vergossen ist. Vorzugsweise umhüllt der strahlungsdurchlässige Körper den Halbleiterchip formschlüssig. Das heißt, der Halbleiterchip ist in das Material des strahlungsdurchlässigen Körpers eingebettet und an Flächen, welche nicht dem Anschlussträger zugewandt sind, formschlüssig vom Material des strahlungsdurchlässigen Körpers umgeben. Der strahlungsdurchlässige Körper ist dabei zumindest für einen Teil der vom Halbleiterchip im Betrieb erzeugten elektromagnetischen Strahlung durchlässig.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the optoelectronic semiconductor component comprises a radiation-transmissive body which surrounds the semiconductor chip. The radiation-transmissive body is, for example, a potting body made from a potting material with which the semiconductor chip is potted. The radiation-transmissive body preferably encloses the semiconductor chip in a form-fitting manner. This means that the semiconductor chip is embedded in the material of the radiation-transmissive body and is surrounded by the material of the radiation-transmissive body in a form-fitting manner on surfaces that do not face the connection carrier. In this case, the radiation-transmissive body is transmissive for at least part of the electromagnetic radiation generated by the semiconductor chip during operation.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements enthält der strahlungsdurchlässige Körper ein Silikon. Der strahlungsdurchlässige Körper kann dabei aus Silikon bestehen. Ferner ist es möglich, dass in den strahlungsdurchlässigen Körper Partikel anderer Materialien wie beispielsweise Diffusorpartikel, strahlungsabsorbierende Partikel oder Partikel eines Lumineszenzkonversionsstoffes eingebracht sind. Darüber hinaus ist es möglich, dass der strahlungsdurchlässige Körper aus einem Silikon-Epoxid-Hybridmaterial gebildet ist. Der strahlungsdurchlässige Körper weist dann beispielsweise 50 % Epoxidmaterial und 50 % Silikon auf.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the radiation-transmissive body contains a silicone. The radiation-transmissive body can consist of silicone. It is also possible for particles of other materials, such as diffuser particles, radiation-absorbing particles or particles of a luminescence conversion substance, to be introduced into the radiation-transmissive body. In addition, it is possible for the radiation-transmissive body to be formed from a silicone-epoxy hybrid material. The radiation-transmissive body then has, for example, 50% epoxy material and 50% silicone.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist der strahlungsdurchlässige Körper zumindest eine Seitenfläche auf, die zumindest stellenweise in einem Winkel < 90° zur Montagefläche verläuft. Das heißt, die Seitenfläche verläuft nicht senkrecht zum Anschlussträger. Die Seitenfläche steht also nicht senkrecht auf der Montagefläche des Anschlussträgers. Vielmehr schließt zumindest ein Teil der Seitenfläche mit der Montagefläche einen Winkel ein, der < 90° ist. Dass die Seitenfläche mit der Montagefläche des Anschlussträgers einen Winkel < 90° aufweist, heißt auch, dass die Seitenfläche einen Flankenwinkel > 0° aufweist. Der Flankenwinkel ist dabei derjenige Winkel, den die Seitenfläche mit einer Oberflächennormalen auf die Montagefläche des Anschlussträgers aufweist.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the radiation-transmissive body has at least one side surface which runs at an angle of <90° to the mounting surface at least in places. This means that the side surface does not run perpendicularly to the connection carrier. The side surface is therefore not perpendicular to the mounting surface of the connection board. Rather, at least part of the side surface encloses an angle of <90° with the mounting surface. The fact that the side surface has an angle of <90° with the mounting surface of the connection carrier also means that the side surface has a flank angle of >0°. In this case, the flank angle is that angle which the side surface has with a surface normal to the mounting surface of the connection carrier.

Vorzugsweise ist die Seitenfläche dabei im Wesentlichen eben und die gesamte Seitenfläche schließt mit der Montagefläche des Anschlussträgers einen Winkel ein, der < 90° ist. „Im Wesentlichen eben“ heißt dabei, dass die Seitenfläche eine Rauigkeit aufweisen kann, dass der makroskopische Verlauf der Seitenfläche jedoch eben beziehungsweise glatt ist.The side surface is preferably essentially flat and the entire side surface encloses an angle of <90° with the mounting surface of the connection carrier. “Essentially flat” means that the side surface can have a roughness, but that the macroscopic course of the side surface is flat or smooth.

Insgesamt weist das optoelektronische Halbleiterbauelement gemäß zumindest einer Ausführungsform also einen strahlungsdurchlässigen Körper auf, der zumindest eine angeschrägte oder schräge Seitenfläche aufweist. Der strahlungsdurchlässige Körper ist also nicht quaderförmig ausgebildet, sondern weist zumindest eine angeschrägte Seitenfläche auf.Overall, the optoelectronic semiconductor component in accordance with at least one embodiment therefore has a radiation-transmissive body which has at least one beveled or sloping side surface. The radiation-transmissive body is therefore not cuboid, but has at least one beveled side surface.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist die Seitenfläche durch einen Vereinzelungsprozess erzeugt. Das heißt, die Seitenfläche ist nicht durch ein Vergussverfahren mittels einer Form erzeugt, sondern die angeschrägte oder schräge Seitenfläche ist durch einen Vereinzelungsprozess erzeugt. Das heißt weiter, dass die Seitenfläche Spuren eines Vereinzelungsprozesses aufweist. Bei dem Merkmal, dass die Seitenfläche „durch einen Vereinzelungsprozess erzeugt ist“, handelt es sich also um ein gegenständliches Merkmal, das aufgrund der Vereinzelungsspuren am fertigen optoelektronischen Halbleiterbauelement nachweisbar ist. Die Rauigkeit der durch den Vereinzelungsprozess erzeugten Seitenfläche hängt dabei vom Material des strahlungsdurchlässigen Körpers und vom verwendeten Vereinzelungsmittel - beispielsweise vom verwendeten Sägeblatt ab.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the side area is produced by a singulation process. This means that the side surface is not produced by a casting process using a mold, but rather the beveled or inclined side surface is produced by a separating process. This also means that the side surface has traces of a separation process. At the feature The fact that the side surface “is produced by a separation process” is therefore a physical feature that can be detected on the finished optoelectronic semiconductor component based on the traces of separation. The roughness of the side surface produced by the separating process depends on the material of the radiation-transmissive body and on the separating means used—for example on the saw blade used.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement einen Anschlussträger, einen optoelektronischen Halbleiterchip, der auf einer Montagefläche des Anschlussträgers angeordnet ist, und einen strahlungsdurchlässigen Körper, der den Halbleiterchip umgibt, wobei der strahlungsdurchlässige Körper ein Silikon enthält und der strahlungsdurchlässige Körper zumindest eine Seitenfläche aufweist, die zumindest stellenweise in einem Winkel < 90° zur Montagefläche verläuft und die Seitenfläche durch einen Vereinzelungsprozess erzeugt ist.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the optoelectronic semiconductor component comprises a connection carrier, an optoelectronic semiconductor chip which is arranged on a mounting surface of the connection carrier, and a radiation-transmissive body which surrounds the semiconductor chip, the radiation-transmissive body containing a silicone and the radiation-transmissive body containing at least one Has side surface, which extends at least in places at an angle <90 ° to the mounting surface and the side surface is produced by a separation process.

Dem optoelektronischen Halbleiterbauelement liegt dabei unter anderem die folgende Erkenntnis zugrunde: Herkömmlich wird ein strahlungsdurchlässiger Vergusskörper durch einen Vergussprozess in die gewünschte Form gebracht. Dabei muss der Vergusskörper zum optoelektronischen Halbleiterchip justiert werden. Diese Justage von Vergusskörper zu optoelektronischem Halbleiterchip ist aufwändig. Ferner ist es aufwändig, Anschlussträger mit den erforderlichen kleinen Toleranzen herzustellen. Wenn Seitenflächen des strahlungsdurchlässigen Körpers nach dem Vergießen durch einen Vereinzelungsprozess erzeugt werden, die optische Form des strahlungsdurchlässigen Vergusskörpers also erst nach dem Vergießen definiert wird, kann die Form des strahlungsdurchlässigen Körpers auf besonders einfache Weise geändert und der tatsächlichen Lage des optoelektronischen Halbleiterchips auf der Montagefläche des Anschlussträgers angepasst werden. Beispielsweise können dazu Justagemarken auf der Montagefläche des Anschlussträgers vorhanden sein, mit deren Hilfe eine besonders genaue Herstellung der schrägen Seitenflächen des strahlungsdurchlässigen Körpers erfolgen kann. Darüber hinaus hat sich gezeigt, dass mit Hilfe von angeschrägten oder schrägen Seitenflächen des strahlungsdurchlässigen Körpers die Auskoppeleffizienz von im Halbleiterchip erzeugter elektromagnetischer Strahlung durch den strahlungsdurchlässigen Körper aus dem optoelektronischen Halbleiterbauelement hinaus gesteigert ist.The optoelectronic semiconductor component is based, inter alia, on the following finding: conventionally, a radiation-transmissive potting body is brought into the desired shape by a potting process. In this case, the potting body must be adjusted to the optoelectronic semiconductor chip. This adjustment of the potting body to the optoelectronic semiconductor chip is complex. Furthermore, it is complex to produce connection carriers with the required small tolerances. If side surfaces of the radiation-transmissive body are produced by a singulation process after the encapsulation, i.e. the optical shape of the radiation-transmissive encapsulation body is only defined after the encapsulation, the shape of the radiation-transmissive body can be changed in a particularly simple manner and the actual position of the optoelectronic semiconductor chip on the mounting surface of the Connection carrier can be adjusted. For example, adjustment marks can be present on the mounting surface of the connection carrier for this purpose, with the aid of which the sloping side surfaces of the radiation-transmissive body can be produced particularly precisely. In addition, it has been shown that the decoupling efficiency of electromagnetic radiation generated in the semiconductor chip through the radiation-transmissive body and out of the optoelectronic semiconductor component is increased with the aid of beveled or inclined side faces of the radiation-transmissive body.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips ist die zumindest eine Seitenfläche, die zumindest stellenweise in einem Winkel < 90° zur Montagefläche verläuft, durch einen Sägeprozess erzeugt. Das heißt, die Seitenfläche weist dann Spuren eines Sägeprozesses auf. Die Seitenfläche kann beispielsweise Rillen aufweisen, welche durch die Sägeblätter erzeugt sind, mit denen die Seitenfläche erzeugt wurde.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor chip, the at least one side surface, which at least in places runs at an angle of <90° to the mounting surface, is produced by a sawing process. This means that the side surface then shows traces of a sawing process. The side surface can have grooves, for example, which are produced by the saw blades with which the side surface was produced.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist der strahlungsdurchlässige Körper zumindest eine Seitenfläche auf, die zumindest stellenweise in einem Winkel zwischen 60° und 70° zur Montagefläche verläuft und durch einen Vereinzelungsprozess erzeugt ist. Es hat sich gezeigt, dass der Winkelbereich zwischen 60° und 70° zwischen schräger Seitenfläche und Montagefläche hinsichtlich der Auskoppelung von elektromagnetischer Strahlung aus dem strahlungsdurchlässigen Körper hinaus optimal sein kann. Gegenüber Seitenflächen, die in einem 90° Winkel zur Montagefläche des Anschlussträgers verlaufen, kann die Auskoppeleffizienz bis zu 13 % gesteigert sein.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the radiation-transmissive body has at least one side surface which runs at least in places at an angle of between 60° and 70° to the mounting surface and is produced by a singulation process. It has been shown that the angular range between 60° and 70° between the sloping side surface and the mounting surface can be optimal with regard to the decoupling of electromagnetic radiation from the radiation-transmissive body. Compared to side surfaces that run at a 90° angle to the mounting surface of the connection carrier, the decoupling efficiency can be increased by up to 13%.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist der strahlungsdurchlässige Körper zumindest zwei Seitenflächen auf, die jeweils zumindest stellenweise in einem Winkel < 90° zur Montagefläche verlaufen und jeweils durch einen Vereinzelungsprozess erzeugt sind. Vorzugsweise verlaufen die zumindest zwei Seitenflächen in einem Winkelbereich zwischen 60° und 70° zur Montagefläche.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the radiation-transmissive body has at least two side surfaces which each run at an angle of <90° to the mounting surface at least in places and are each produced by a singulation process. The at least two side surfaces preferably run in an angular range of between 60° and 70° to the mounting surface.

Besonders bevorzugt verlaufen vier Seitenflächen des strahlungsdurchlässigen Körpers in einem Winkel zwischen 60° und 70° zur Montagefläche und sind durch einen Vereinzelungsprozess erzeugt. Die vier Seitenflächen sind dabei im Wesentlichen eben ausgebildet, das heißt abgesehen von Vereinzelungsspuren auf den Seitenflächen verlaufen die Seitenflächen eben.Four side surfaces of the radiation-transmissive body particularly preferably run at an angle of between 60° and 70° to the mounting surface and are produced by a separating process. The four side surfaces are essentially flat, that is to say that the side surfaces run flat apart from separating traces on the side surfaces.

Das heißt, der strahlungsdurchlässige Körper ist nach Art eines Pyramidenstumpfes geformt. Die Seitenflächen des Pyramidenstumpfes sind dabei durch einen Vereinzelungsprozess, insbesondere durch einen Sägeprozess erzeugt. Die Seitenflächen schließen vorzugsweise einen Winkel < 90°, besonders bevorzugt einen Winkel zwischen 60° und 70° mit der Montagefläche des Anschlussträgers ein. Der Pyramidenstumpf weist dabei beispielsweise eine rechteckige, zum Beispiel eine quadratische Grundfläche auf.This means that the radiation-transmissive body is shaped like a truncated pyramid. The side surfaces of the truncated pyramid are produced by a separating process, in particular by a sawing process. The side surfaces preferably enclose an angle of <90°, particularly preferably an angle of between 60° and 70°, with the mounting surface of the connection carrier. The truncated pyramid has, for example, a rectangular base area, for example a square base area.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements grenzt der strahlungsdurchlässige Körper direkt an die Montagefläche des Anschlussträgers. Das heißt, der strahlungsdurchlässige Körper befindet sich in direktem Kontakt mit der Montagefläche des Anschlussträgers. Darüber hinaus ist es möglich, dass zwischen strahlungsdurchlässigem Körper und Anschlussträger zumindest eine Schicht, beispielsweise eine Folie, angeordnet ist, welche eine Haftung zwischen dem strahlungsdurchlässigen Körper und dem Anschlussträger erhöht. Bei der Schicht kann es sich beispielsweise um eine Silikonfolie handeln.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the radiation-transmissive body is directly adjacent to the mounting area of the connection carrier. That is, the radiation-transmissive body is in direct contact with the mounting surface of the connection board. In addition, it is possible for at least one layer, for example a film, to be arranged between the radiation-transmissive body and the connection carrier, which increases adhesion between the radiation-transmissive body and the connection carrier. The layer can be a silicone film, for example.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist der Anschlussträger mit einem keramischen Material gebildet. Der Anschlussträger kann beispielsweise einen Grundkörper aufweisen, der aus einem keramischen Material wie Aluminiumnitrid oder Aluminiumoxid besteht. An der Montagefläche des Anschlussträgers können auf den Grundkörper elektrische Anschlussbahnen und/oder Leiterbahnen strukturiert sein. Diese können beispielsweise durch Metallisierungen gebildet sein, die auf den Grundkörper aufgedampft oder auf andere Weise aufgebracht sind.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the connection carrier is formed with a ceramic material. The connection carrier can have a base body, for example, which consists of a ceramic material such as aluminum nitride or aluminum oxide. Electrical connection tracks and/or conductor tracks can be structured on the base body on the mounting surface of the connection carrier. These can be formed, for example, by metallizations that are vapor-deposited onto the base body or applied in some other way.

Darüber hinaus ist es möglich, dass der Anschlussträger auf seinem Grundkörper an der der Montagefläche abgewandten Seite zumindest zwei elektrische Anschlussstellen aufweist, über welche der Halbleiterchip des optoelektronischen Halbleiterbauelements elektrisch kontaktierbar ist. In diesem Fall ist das optoelektronische Halbleiterbauelement oberflächenmontierbar ausgebildet. Die Anschlussstellen können dabei mittels Durchbrüchen im Grundkörper des Anschlussträgers oder über Metallisierungen, die entlang von Seitenflächen des Anschlussträgers verlaufen, mit Anschlussstellen und Leiterbahnen auf der Montagefläche des Anschlussträgers elektrisch leitend verbunden sein.In addition, it is possible for the connection carrier to have at least two electrical connection points on its base body on the side facing away from the mounting area, via which electrical contact can be made with the semiconductor chip of the optoelectronic semiconductor component. In this case, the optoelectronic semiconductor component is designed to be surface mountable. The connection points can be electrically conductively connected to connection points and conductor tracks on the mounting surface of the connection carrier by means of openings in the base body of the connection carrier or via metallizations that run along side surfaces of the connection carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist auf zumindest einer Seitenfläche des strahlungsdurchlässigen Körpers, die durch einen Vereinzelungsprozess erzeugt ist, eine Planarisierungsschicht aufgebracht. Aufgrund der Erzeugung der Seitenfläche durch einen Vereinzelungsprozess weist die Seitenfläche Vereinzelungsspuren auf. Diese Vereinzelungsspuren können zu einer optischen Störung des austretenden Lichts führen. Beispielsweise kann an diesen Vereinzelungsspuren eine unerwünschte Brechung oder Streuung des durch die Seitenfläche tretenden Lichts stattfinden. Um eine solche Brechung oder Streuung zu verhindern, kann auf die Seitenfläche eine Planarisierungsschicht aufgebracht sein, welche die Unebenheiten der Vereinzelungsspuren ausgleicht. Beispielsweise ist auf die Seitenfläche eine Schicht aus Silikon aufgesprüht.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, a planarization layer is applied to at least one side surface of the radiation-transmissive body, which is produced by a singulation process. Due to the production of the side surface by a separation process, the side surface has traces of separation. These isolation tracks can lead to an optical disturbance of the exiting light. For example, undesired refraction or scattering of the light passing through the side surface can take place at these isolation tracks. In order to prevent such refraction or scattering, a planarization layer can be applied to the side face, which leveles out the unevenness of the isolation tracks. For example, a layer of silicone is sprayed onto the side surface.

Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben. Mit dem Verfahren ist vorzugsweise ein optoelektronisches Halbleiterbauelement, wie es in Verbindung mit zumindest einem der vorangehenden Ausführungsformen beschrieben ist, herstellbar. Das heißt, sämtliche Merkmale, die in Verbindung mit dem optoelektronischen Halbleiterbauelement offenbart sind, sind auch in Verbindung mit dem Verfahren offenbart.A method for producing an optoelectronic semiconductor component is also specified. An optoelectronic semiconductor component, as described in connection with at least one of the preceding embodiments, can preferably be produced with the method. This means that all features that are disclosed in connection with the optoelectronic semiconductor component are also disclosed in connection with the method.

Das Verfahren umfasst dabei vorzugsweise die folgenden Schritte:

  • - Bereitstellen eines Anschlussträgers,
  • - Befestigen und elektrisches Kontaktieren eines optoelektronischen Halbleiterchips auf einer Montagefläche des Anschlussträgers,
  • - Umformen des optoelektronischen Halbleiterchips mit einem strahlungsdurchlässigen Körper und
  • - Sägen des strahlungsdurchlässigen Körpers in einem Winkel < 90° zur Montagefläche des Anschlussträgers zum zumindest stellenweisen Erzeugen einer Seitenfläche des strahlungsdurchlässigen Körpers.
The method preferably includes the following steps:
  • - Provision of a connection carrier,
  • - Fastening and electrical contacting of an optoelectronic semiconductor chip on a mounting surface of the connection carrier,
  • - Forming the optoelectronic semiconductor chip with a radiation-transmissive body and
  • - Sawing the radiation-transmissive body at an angle of <90° to the mounting surface of the connection carrier for at least locally producing a side surface of the radiation-transmissive body.

Die optische Form des strahlungsdurchlässigen Körpers wird über einen Vereinzelungsprozess - zum Beispiel einen Sägeprozess - definiert. Durch verschieden geformte Sägeblätter, die schnell und leicht zu wechseln sind, kann die Form des strahlungsdurchlässigen Körpers leicht verändert werden. Bei herkömmlichen Verguss-Techniken ist das mit erheblichen Kosten für die Modifizierung oder die Herstellung des Werkzeuges verbunden. Des Weiteren müssen bei herkömmlichen Verguss-Techniken die Toleranzen bei der Herstellung der Anschlussträger sehr klein gehalten werden oder zusätzliche aufwändige Prozessschritte wie ein Justageschritt durchgeführt werden, um die relative Position von Optik, das heißt von strahlungsdurchlässigem Körper, und Chip in vertretbaren Grenzen zu halten. Anschlussträger mit kleinen Toleranzen sind dabei erheblich teurer. Beim hier beschriebenen Verfahren definieren zum Beispiel Sägemarkierungen auf dem Anschlussträger, die bei herkömmlichen Verfahren lediglich für den Sägeprozess zum Vereinzeln der Bauteile dienen, gleichzeitig die Position der Optik relativ zum Halbleiterchip.The optical shape of the radiation-transmissive body is defined by a separation process—for example a sawing process. The shape of the radiation-transmissive body can be easily changed by using differently shaped saw blades, which can be changed quickly and easily. With conventional potting techniques, this entails significant costs for modifying or manufacturing the tool. Furthermore, with conventional encapsulation techniques, the tolerances in the production of the connection carrier must be kept very small or additional complex process steps such as an adjustment step must be carried out in order to keep the relative position of the optics, i.e. the radiation-transmissive body, and the chip within acceptable limits. Connection carriers with small tolerances are considerably more expensive. In the method described here, for example, saw marks on the connection carrier, which in conventional methods are only used for the sawing process to separate the components, simultaneously define the position of the optics relative to the semiconductor chip.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der strahlungsdurchlässige Körper mittels Compression Molding (Formpressen), Liquid Transfer Molding (Flüssigspritzpressen), Liquid Injection Molding (Flüssigspritzgießen) oder Casting (Gießen) erzeugt, wobei der Anschlussträger einen Teil der Gießform bilden kann. Compression Molding stellt ein effektives Verfahren dar, um Vergusskörper für Halbleiterchips zu erstellen. Hierbei wird das Material für den Vergusskörper in die Form eingebracht und der Anschlussträger in das in der Form befindliche Material gedrückt.According to at least one embodiment of the method, the radiation-transmissive body is produced by means of compression molding (compression molding), liquid transfer molding (liquid transfer molding), liquid injection molding (liquid injection molding) or casting (casting), it being possible for the connection carrier to form part of the casting mold. Compression molding is an effective method to create encapsulation bodies for semiconductor chips. Here, the material for the potting in the Introduced mold and the connection carrier pressed into the material in the mold.

In einer Abwandlung des Compression Molding kann auch festes, granulatförmiges Material, zum Beispiel Silikon-Epoxid-Hybridmaterial, verwendet werden. Hierbei kann das Material auch auf den Anschlussträger und den Halbleiterchip vor dem Schließen der Form aufgebracht werden. Die Abdichtung zwischen Anschlussträger und Gießform kann beispielsweise über eine Abdichtfolie erfolgen, die nach dem Compression Molding Prozess entfernt wird.In a modification of compression molding, solid, granular material, for example silicone-epoxy hybrid material, can also be used. In this case, the material can also be applied to the connection carrier and the semiconductor chip before the mold is closed. The connection carrier and mold can be sealed, for example, using a sealing film that is removed after the compression molding process.

Werden feste, zum Beispiel in Tablettenform gepresste, Materialien, etwa Hybridmaterialien, verwendet, kann das Herstellen des Vergusskörpers auch mittels Transfer Molding erfolgen.If solid materials, for example pressed into tablet form, such as hybrid materials, are used, the cast body can also be produced by means of transfer molding.

Zum Beispiel ist Liquid Injection Molding von Halbleiterbauteilen in der Druckschrift WO 2005/017995 A1 beschrieben. Casting von Halbleiterbauteilen ist in der Druckschrift EP 1 589 569 A2 und Liquid Transfer Molding von integrierten Halbleiterschaltkreisen ist in der Druckschrift US 2002/0153637 A1 beschrieben. Diese Druckschriften werden hinsichtlich der dort beschriebenen Verfahren hiermit ausdrücklich durch Rückbezug aufgenommen.For example, liquid injection molding of semiconductor devices is in the reference WO 2005/017995 A1 described. Casting of semiconductor devices is in the reference EP 1 589 569 A2 and Liquid Transfer Molding of Semiconductor Integrated Circuits is in the reference U.S. 2002/0153637 A1 described. With regard to the methods described there, these publications are hereby expressly incorporated by reference.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach der Herstellung der gesägten Seitenfläche eine Planarisierungsschicht auf die gesägten Seitenflächen des strahlungsdurchlässigen Körpers aufgesprüht. Die Planarisierungsschicht planarisiert Vereinzelungsspuren im strahlungsdurchlässigen Körper.According to at least one embodiment of the method, after the production of the sawed side surface, a planarization layer is sprayed onto the sawed side surfaces of the radiation-transmissive body. The planarization layer planarizes isolation tracks in the radiation-transmissive body.

Im Folgenden wird das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauelement anhand von Ausführungsbeispielen und den zugehörigen Figuren näher erläutert:

  • Die 1A zeigt ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel in einer schematischen Schnittdarstellung.
  • Die 1B zeigt eine Ausschnittsvergrößerung eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements in einem zweiten Ausführungsbeispiel.
  • Die 1C zeigt in einer schematischen Auftragung die Auskoppeleffizienz in Abhängigkeit von der Oberflächenstreuung für ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements.
  • Die 2 zeigt eine schematische Perspektivdarstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • Die 3 zeigt Simulationen der Auskoppeleffizienz in Abhängigkeit des Flankenwinkels für ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements.
  • Die 4 zeigt Simulationen der Auskoppeleffizienz in Abhängigkeit der Dicke des Grundkörpers des Anschlussträgers für ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements.
The optoelectronic semiconductor component described here is explained in more detail below on the basis of exemplary embodiments and the associated figures:
  • The 1A 1 shows an optoelectronic semiconductor component described here according to a first exemplary embodiment in a schematic sectional illustration.
  • The 1B shows an enlarged detail of an optoelectronic semiconductor component described here in a second exemplary embodiment.
  • The 1C shows a schematic plot of the decoupling efficiency as a function of the surface scattering for an exemplary embodiment of an optoelectronic semiconductor component described here.
  • The 2 FIG. 1 shows a schematic perspective illustration of an optoelectronic semiconductor component described here in accordance with a further exemplary embodiment.
  • The 3 shows simulations of the decoupling efficiency as a function of the flank angle for an exemplary embodiment of an optoelectronic semiconductor component described here.
  • The 4 shows simulations of the decoupling efficiency as a function of the thickness of the base body of the connection carrier for an exemplary embodiment of an optoelectronic semiconductor component described here.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.Elements that are the same, of the same type or have the same effect are provided with the same reference symbols in the figures. The figures and the relative sizes of the elements shown in the figures are not to be regarded as being to scale. Rather, individual elements can be shown in an exaggerated size for better representation and/or for better understanding.

Die 1A zeigt ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel in einer schematischen Schnittdarstellung. Das Halbleiterbauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip 1. Vorliegend handelt es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterchip 1 um einen Leuchtdiodenchip, der in Dünnfilmbauweise ausgeführt ist. Leuchtdiodenchips in Dünnfilmbauweise sind beispielsweise in den Druckschriften WO 02/13281 A1 sowie EP 0 905 797 A2 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt hinsichtlich der Dünnfilmbauweise von Leuchtdiodenchips hiermit ausdrücklich durch Rückbezug aufgenommen wird.The 1A 1 shows an optoelectronic semiconductor component described here according to a first exemplary embodiment in a schematic sectional illustration. The semiconductor component includes an optoelectronic semiconductor chip 1. In the present case, the optoelectronic semiconductor chip 1 is a light-emitting diode chip that is designed in a thin-film design. Light-emitting diode chips in thin-film construction are, for example, in the publications WO 02/13281 A1 as well as EP 0 905 797 A2 described, the disclosure content of which with regard to the thin-film design of light-emitting diode chips is hereby expressly incorporated by reference.

Der optoelektronische Halbleiterchip 1 ist auf die Montagefläche 22 eines Anschlussträgers 2 aufgebracht. Der Anschlussträger 2 umfasst ferner einen Grundkörper 20, der vorliegend aus einem keramischen Material gebildet ist. Auf die der Montagefläche 22 gegenüberliegende Unterseite des Grundkörpers 20 des Anschlussträgers 2 sind elektrische Anschlussstellen 21 aufgebracht, über die das optoelektronische Halbleiterbauelement oberflächenmontierbar ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 1 ist mit einem strahlungsdurchlässigen Körper 3 vergossen.The optoelectronic semiconductor chip 1 is applied to the mounting area 22 of a connection carrier 2 . The connection carrier 2 also includes a base body 20, which in the present case is formed from a ceramic material. Electrical connection points 21, via which the optoelectronic semiconductor component can be surface-mounted, are applied to the underside of the base body 20 of the connection carrier 2, which is opposite the mounting surface 22. The optoelectronic semiconductor chip 1 is encapsulated with a radiation-transmissive body 3 .

Der strahlungsdurchlässige Körper 3 umhüllt den optoelektronischen Halbleiterchip 1 formschlüssig. Der strahlungsdurchlässige Körper 3 besteht vorliegend aus einem Silikon. Der strahlungsdurchlässige Körper 3 grenzt direkt an die Montagefläche 22 des Anschlussträgers 2. Der strahlungsdurchlässige Körper 3 weist Seitenflächen 30 auf. Die Seitenflächen 30 verlaufen bis auf Vereinzelungsspuren 31, die in der 1A zur besseren Sichtbarkeit übertrieben groß dargestellt sind, eben. Die Seitenflächen 30 schließen einen Winkel β < 90° mit der Montagefläche 22 des Anschlussträgers 2 ein. Das heißt, der Flankenwinkel α, der sich aus dem Winkel der Seitenfläche 30 zur Oberflächennormale 23 auf der Montagefläche 22 ergibt, ist > 0°.The radiation-transmissive body 3 encloses the optoelectronic semiconductor chip 1 in a form-fitting manner. In the present case, the radiation-transmissive body 3 consists of a silicone. The radiation-transmissive body 3 is directly adjacent to the mounting surface 22 of the connection carrier 2. The radiation-transmissive body 3 has side surfaces 30. FIG. The side surfaces 30 run up to separation tracks 31 in the 1A are shown exaggeratedly large for better visibility. The side faces 30 enclose an angle β<90° with the mounting surface 22 of the connection carrier 2 . This means that the flank angle α, which results from the angle of the side surface 30 to the surface normal 23 on the mounting surface 22, is >0°.

Die Seitenflächen 30 sind durch einen Sägeprozess erzeugt. Bei den Vereinzelungsspuren 31 handelt es sich um Sägerillen oder andere Fehlstellen wie beispielsweise Vertiefungen, die durch ein „Herausreißen“ von Material des strahlungsdurchlässigen Körpers 3 beim Sägen entstehen.The side faces 30 are produced by a sawing process. The separating tracks 31 are sawing grooves or other imperfections, such as indentations, which are caused by material of the radiation-transmissive body 3 being “ripped out” during sawing.

Der optoelektronische Halbleiterchip 1 kann zentriert zum strahlungsdurchlässigen Körper 3 und zum Anschlussträger 2 angeordnet sein. Das heißt, die optische Achse 4 durch das Zentrum der Strahlungsaustrittsfläche 10 des optoelektronischen Halbleiterchips 1 stellt dann eine Symmetrieachse des optoelektronischen Halbleiterbauelements dar. Die beschriebene Zentrierung ist vor allem hinsichtlich einer besonders symmetrischen Abstrahlung wünschenswert. Jedoch sind auch nicht-zentrierte Bauformen möglich.The optoelectronic semiconductor chip 1 can be arranged centered on the radiation-transmissive body 3 and on the connection carrier 2 . This means that the optical axis 4 through the center of the radiation exit area 10 of the optoelectronic semiconductor chip 1 then represents an axis of symmetry of the optoelectronic semiconductor component. The centering described is desirable above all with regard to a particularly symmetrical emission. However, non-centered designs are also possible.

Die Justage des optoelektronischen Halbleiterchips 1 relativ zum strahlungsdurchlässigen Körper 3 erfolgt dabei beim Vereinzelungsprozess beispielsweise mittels nicht dargestellter Justagemarken auf der Montagefläche 22 des Anschlussträgers 2.The alignment of the optoelectronic semiconductor chip 1 relative to the radiation-transmissive body 3 takes place during the singulation process, for example by means of alignment marks (not shown) on the mounting surface 22 of the connection carrier 2.

Die 1B zeigt einen vergrößerten Ausschnitt eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel, wie es in Verbindung mit 1A beschrieben ist, ist in diesem Ausführungsbeispiel eine Planarisierungsschicht 5 auf der durch einen Vereinzelungsprozess erzeugten Seitenfläche 30 angeordnet. Die Planarisierungsschicht 5 ist dabei auf die Seitenfläche 30 aufgesprüht. Die Planarisierungsschicht 5 besteht vorliegend aus Silikon. Die Planarisierungsschicht 5 gleicht die durch die Vereinzelungsspuren 31 erzeugten Unebenheiten der Seitenfläche 30 aus.The 1B shows an enlarged section of an optoelectronic semiconductor component described here according to a second exemplary embodiment. In contrast to the embodiment, as in connection with 1A is described, in this exemplary embodiment a planarization layer 5 is arranged on the side surface 30 produced by a singulation process. In this case, the planarization layer 5 is sprayed onto the side surface 30 . In the present case, the planarization layer 5 consists of silicone. The planarization layer 5 compensates for the unevenness of the side surface 30 produced by the isolation tracks 31 .

Die 1C zeigt hierzu in einer schematischen Auftragung die Auskoppeleffizienz bei einem Flankenwinkel α von 25° in Abhängigkeit von der Oberflächenstreuung am strahlungsdurchlässigen Körper 3. Dabei ist angenommen, dass der strahlungsdurchlässige Körper aus Silikon besteht und eine Höhe H von 400 µm aufweist. Der Grundkörper 20 des Anschlussträgers 2 besteht aus einem keramischen Material und weist eine Dicke D von 200 µm auf. Aus der 1C wird ersichtlich, dass mit steigender Oberflächenstreuung an Seitenflächen 30 des strahlungsdurchlässigen Körpers 3 die Auskoppeleffizienz sinkt. Unebenheiten auf den Seitenflächen 30 des strahlungsdurchlässigen Körpers erhöhen die Oberflächenstreuung. Daher erweist sich die Planarisierungsschicht 5 in Hinblick auf die Auskoppeleffizienz als besonders vorteilhaft.The 1C shows a schematic plot of the decoupling efficiency at a flank angle α of 25° as a function of the surface scattering on the radiation-transmissive body 3. It is assumed that the radiation-transmissive body is made of silicone and has a height H of 400 μm. The base body 20 of the connection carrier 2 consists of a ceramic material and has a thickness D of 200 μm. From the 1C it can be seen that with increasing surface scattering on side surfaces 30 of the radiation-transmissive body 3, the outcoupling efficiency decreases. Unevenness on the side surfaces 30 of the radiation-transmissive body increases surface scattering. The planarization layer 5 therefore proves to be particularly advantageous with regard to the outcoupling efficiency.

In Verbindung mit der 2 ist anhand einer schematischen Perspektivdarstellung ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements näher erläutert.In connection with the 2 a further exemplary embodiment of an optoelectronic semiconductor component described here is explained in more detail on the basis of a schematic perspective illustration.

Wie der 2 zu entnehmen ist, ist der strahlungsdurchlässige Körper 3 nach Art eines Pyramidenstumpfes ausgebildet, welcher vier schräge Seitenflächen 30 aufweist, die mittels eines Vereinzelungsprozesses - vorliegend Sägen - erzeugt sind.Again 2 it can be seen that the radiation-transmissive body 3 is designed in the manner of a truncated pyramid, which has four sloping side faces 30 which are produced by means of a separating process--in this case sawing.

Der Anschlussträger 2 weist einen Grundkörper 20 aus einem keramischen Material auf, der eine Dicke D von vorzugsweise wenigstens 0,2 mm und höchstens 0,5 mm, beispielsweise 0,4 mm aufweist. Der strahlungsdurchlässige Körper 3 weist eine Höhe H von vorzugsweise zwischen 0,55 mm und 0,25 mm, beispielsweise von 0,35 mm auf. Die Summe aus Dicke des Grundkörpers 20 und Höhe H des strahlungsdurchlässigen Körpers 3 beträgt vorzugsweise zwischen 0,7 mm und 0,8 mm, zum Beispiel 0,75 mm.The connection carrier 2 has a base body 20 made of a ceramic material, which has a thickness D of preferably at least 0.2 mm and at most 0.5 mm, for example 0.4 mm. The radiation-transmissive body 3 has a height H of preferably between 0.55 mm and 0.25 mm, for example 0.35 mm. The sum of the thickness of the base body 20 and the height H of the radiation-transmissive body 3 is preferably between 0.7 mm and 0.8 mm, for example 0.75 mm.

Der Flankenwinkel α beträgt zum Beispiel 25°. Der Flächeninhalt der Deckfläche 32 des strahlungsdurchlässigen Körpers beträgt vorzugsweise zwischen 2,0 und 2,5 mm2, zum Beispiel 2,3 mm2.
Der Anschlussträger 2 weist zum Beispiel eine Grundfläche von 2,04 mm × 1,64 mm auf.The flank angle α is 25°, for example. The surface area of the top surface 32 of the radiation-transmissive body is preferably between 2.0 and 2.5 mm 2 , for example 2.3 mm 2 .
The connection carrier 2 has, for example, a base area of 2.04 mm×1.64 mm.

Der optoelektronische Halbleiterchip 1 weist eine Strahlungsaustrittsfläche 10 auf, die einen Flächeninhalt von 500 µm2 bis 1,5 mm2, zum Beispiel 1,0 mm2 aufweisen kann. Die Strahlungsaustrittsfläche 10 kann dabei quadratisch sein.The optoelectronic semiconductor chip 1 has a radiation exit area 10 which can have a surface area of 500 μm 2 to 1.5 mm 2 , for example 1.0 mm 2 . The radiation exit surface 10 can be square.

Die 3 zeigt Simulationsergebnisse für die Auskoppeleffizienz eines optoelektronischen Halbleiterbauelements, wie es in Verbindung mit 2 gezeigt ist.The 3 shows simulation results for the decoupling efficiency of an optoelectronic semiconductor component, as in connection with 2 is shown.

Wie der 3 zu entnehmen ist, erreicht die Auskoppeleffizienz für einen Flankenwinkel α = 25° ein Maximum. Die Auskoppeleffizienz ist dabei gegenüber einer Bauform mit einem Flankenwinkel = 0° um zirka 13 % erhöht. Das Maximum um den Flankenwinkel von 25° ist relativ flach, sodass sich für die optimale Auskoppelung ein breiter Winkeltoleranzbereich von +/- 5° ergibt, wodurch sich ein breites Prozessfenster für die Massenfertigung des optoelektronischen Halbleiterbauelements bietet. Der bevorzugte Winkelbereich für den Flankenwinkel liegt daher zwischen 20° und 30°, vorzugsweise bei 25°. Dieser optimale Winkel ist jedoch auch von der Größe der Grundfläche des Anschlussträgers 2 abhängig und kann daher für größere Bauformen abweichen. Wichtig ist, dass der strahlungsdurchlässige Körper zumindest eine Seitenfläche 30 aufweist, die zumindest stellenweise in einem Winkel β kleiner 90° zur Montagefläche 22 verläuft.Again 3 it can be seen that the decoupling efficiency reaches a maximum for a flank angle α=25°. The decoupling efficiency is increased by around 13% compared to a design with a flank angle of 0°. The maximum around the flank angle of 25° is relatively flat, so that there is a wide angle tolerance range of +/-5° for optimal decoupling, which offers a wide process window for mass production of the optoelectronic semiconductor component. The preferred angle range for the flank angle is therefore between 20° and 30°, preferably 25°. However, this optimal angle is also dependent on the size of the base area of the connection carrier 2 and can therefore deviate for larger designs. It is important that the radiation-transmissive body has at least one side surface 30 which, at least in places, runs at an angle β of less than 90° to the mounting surface 22 .

Die 4 zeigt Simulationsergebnisse für die Auskoppeleffizienz eines optoelektronischen Halbleiterbauelements, wie es in Verbindung mit 2 gezeigt ist. Dabei ist die Auskoppeleffizienz gegen die Dicke D des Grundkörpers 20 des Anschlussträgers 2 aufgetragen. Die Höhe H des strahlungsdurchlässigen Körpers 3 ist jeweils so gewählt, dass die Summe aus Dicke D und Höhe H 750 µm ergibt. Wie der Figur zu entnehmen ist, ist die Auskoppeleffizienz umso größer, je dünner der Anschlussträger ist. Eine Dicke des Grundkörper D von höchsten 250 µm ist daher bevorzugt.The 4 shows simulation results for the decoupling efficiency of an optoelectronic semiconductor component, as in connection with 2 is shown. In this case, the decoupling efficiency is plotted against the thickness D of the base body 20 of the connection carrier 2 . The height H of the radiation-transmissive body 3 is selected in each case in such a way that the sum of the thickness D and the height H is 750 μm. As can be seen from the figure, the thinner the connection carrier, the greater the decoupling efficiency. A thickness of the base body D of at most 250 μm is therefore preferred.

Claims (10)

Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit - einem Anschlussträger (2), - einem optoelektronischen Halbleiterchip (1), der auf einer Montagefläche (22) des Anschlussträgers (2) angeordnet ist, und - einem strahlungsdurchlässigen Körper (3), der den Halbleiterchip (1) umgibt, wobei - der strahlungsdurchlässige Körper (3) ein Silikon enthält, - der strahlungsdurchlässige Körper (3) vier Seitenflächen (30) aufweist, die jeweils in einem Winkel (β) kleiner 90° zur Montagefläche (22) verlaufen, und - die vier Seitenflächen (30) durch einen Sägeprozess erzeugt sind.Optoelectronic semiconductor component with - a connection board (2), - an optoelectronic semiconductor chip (1) which is arranged on a mounting surface (22) of the connection carrier (2), and - A radiation-transmissive body (3) which surrounds the semiconductor chip (1), wherein - the radiation-transmissive body (3) contains a silicone, - the radiation-transmissive body (3) has four side surfaces (30) which each run at an angle (β) of less than 90° to the mounting surface (22), and - The four side surfaces (30) are produced by a sawing process. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach dem vorherigen Anspruch, bei dem - die vier Seitenflächen (30) Spuren des Sägeprozesses aufweisen.Optoelectronic semiconductor component according to the preceding claim, in which - the four side surfaces (30) show traces of the sawing process. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem - der strahlungsdurchlässige Körper (3) zumindest eine Seitenfläche (30) aufweist, die in einem Winkel (β) zwischen 60° und 70° zur Montagefläche (22) verläuft.Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims, in which - The radiation-transmissive body (3) has at least one side surface (30) which runs at an angle (β) of between 60° and 70° to the mounting surface (22). Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem - der strahlungsdurchlässige Körper (3) nach Art eines Pyramidenstumpfes ausgebildet ist und vier Seitenflächen (30) aufweist, die in einem Winkel (β) zwischen 60° und 70° zur Montagefläche (22) verlaufen.Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims, in which - The radiation-transmissive body (3) is designed in the manner of a truncated pyramid and has four side surfaces (30) which run at an angle (β) of between 60° and 70° to the mounting surface (22). Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem - der strahlungsdurchlässige Körper (3) die Form eines Pyramidenstumpfes aufweist.Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims, in which - The radiation-transmissive body (3) has the shape of a truncated pyramid. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem - der strahlungsdurchlässige Körper (3) direkt an die Montagefläche (22) des Anschlussträgers (2) grenzt.Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims, in which - The radiation-transmissive body (3) borders directly on the mounting surface (22) of the connection carrier (2). Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem - der Anschlussträger (2) einen Grundkörper (20) aufweist, der mit einem keramischen Material gebildet ist, wobei der Grundkörper (20) eine Dicke (D) aufweist, die höchstens 250 µm beträgt.Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims, in which - The connection carrier (2) has a base body (20) which is formed with a ceramic material, the base body (20) having a thickness (D) which is at most 250 μm. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem - auf die zumindest eine Seitenfläche (30) des strahlungsdurchlässigen Körpers (3), die durch einen Sägeprozess erzeugt ist, eine Planarisierungsschicht (5) aufgebracht ist.Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims, in which - A planarization layer (5) is applied to the at least one side surface (30) of the radiation-transmissive body (3), which is produced by a sawing process. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Anschlussträgers (2), - Befestigen und elektrisches Kontaktieren eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) auf einer Montagefläche (22) des Anschlussträgers (2), - Umformen des optoelektronischen Halbleiterchips (1) mit einem strahlungsdurchlässigen Körper (3), und - Sägen des strahlungsdurchlässigen Körpers (3) in einem Winkel < 90° zur Montagefläche (22) des Anschlussträgers (2) zum Erzeugen von vier Seitenflächen (30) des strahlungsdurchlässigen Körpers.Method for producing an optoelectronic semiconductor component according to at least one of the preceding claims, having the following steps: - Providing a connection carrier (2), - Fastening and electrically contacting an optoelectronic semiconductor chip (1) on a mounting surface (22) of the connection carrier (2), - Reshaping of the optoelectronic semiconductor chip (1) with a radiation-transmissive body (3), and - Sawing the radiation-transmissive body (3) at an angle of <90° to the mounting surface (22) of the connection carrier (2) to produce four side surfaces (30) of the radiation-transmissive body. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch, bei dem eine Planarisierungsschicht (5) auf die gesägten Seitenflächen (30) des strahlungsdurchlässigen Körpers (3) aufgesprüht wird.Method according to the preceding claim, in which a planarization layer (5) is sprayed onto the sawn side surfaces (30) of the radiation-transmissive body (3).
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