DE102008042258A1

DE102008042258A1 - Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Chips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Chip

Info

Publication number: DE102008042258A1
Application number: DE102008042258A
Authority: DE
Inventors: Torsten Kramer; Christoph Schelling; Christina Leinenbach
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2008-09-22
Filing date: 2008-09-22
Publication date: 2010-04-01
Also published as: US7989263B2; US20100084722A1

Abstract

Die vorliegende Erfindung beschreibt die Herstellung eines mikrochemischen Chips bzw. ein Bauelement, welches einen derartigen Chip aufweist. Dabei wird zunächst auf ein Substrat, welches vorzugsweise aus einem Halbleitermaterial besteht, eine Opferschicht und eine Epitaxieschicht aufgebracht. Anschließend wird von der Vorderseite des so erzeugten Schichtstapels wenigstens eine Öffnung in die Epitaxieschicht eingebracht. Um die nachfolgende Verfüllung der Öffnung mit einer leitfähigen Kontaktschicht gegenüber dem Material der Epitaxieschicht elektrisch zu isolieren, werden die Wände der Öffnung mit einer Isolierschicht versehen. Zur Entfernung der Opferschicht und somit zur Erzeugung des Chips werden anschließend ebenfalls von der Vorderseite des Schichtstapels Trenngräben durch die Epitaxieschicht bis zur Opferschicht geätzt. Dabei ist insbesondere vorgesehen, dass die Trenngräben die laterale Ausdehnung des Chips begrenzen.

Description

Stand der Technik
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Chips sowie ein Bauelement, welches einen derartigen Chip enthält.
In der Flip-Chip-Technologie sind verschiedene Verfahren zur Realisierung von Durchkontaktierungen bekannt, bei denen ein Sensorelement oder eine Schaltung auf der Vorderseite eines Halbleitersubstrats mit dessen Rückseite elektrisch verbunden wird. So ist beispielsweise aus der Schrift DE 102 05 026 A1 ein Verfahren bekannt, bei dem mittels spezieller Isolationsgräben ein Bereich in einem Substrat zu erzeugt wird, der elektrisch vom restlichen Substrat getrennt ist. Eine Durchkontaktierung mittels Dotierung ist dagegen aus der DE 103 59 217 A1 bekannt.
Aus der DE 10 2006 018 027 A1 ist darüber hinaus auch ein Verfahren bekannt, bei dem zunächst ein Via-Loch im Substrat erzeugt wird, welches anschließend mit einem leitfähigen Material verfüllt wird. Zur Erzeugung der Durchgangskontaktierung wird dann das Substrat von der Rückseite her bis zum verfüllten Via-Loch abgedünnt.
Vorteile der Erfindung
Die vorliegende Erfindung beschreibt eine Herstellung eines mikromechanischen Chips bzw. ein Bauelement, welches einen derartigen Chip aufweist. Dabei wird zunächst auf ein Substrat, welches vorzugsweise aus einem Halbleitermaterial besteht, eine Opferschicht und eine Epitaxieschicht aufgebracht. Anschließend wird von der Vorderseite des so erzeugten Schichtstapels wenigstens eine Öffnung in die Epitaxieschicht eingebracht. Um die nachfolgende Verfüllung der Öffnung mit einer leitfähigen Kontaktschicht gegenüber dem Material der Epitaxieschicht elektrisch zu isolieren, werden die Wände der Öffnung mit einer Isolierschicht versehen. Zur Entfernung der Opferschicht und somit zur Erzeugung des Chips werden anschließend ebenfalls von der Vorderseite des Schichtstapels Trenngräben durch die Epitaxieschicht bis zur Opferschicht geätzt. Dabei ist insbesondere vorgesehen, dass die Trenngräben die laterale Ausdehnung des Chips begrenzen.
Der Vorteil bei dieser Erfindung besteht darin, dass durch die Entfernung der Opferschicht ein vom Substrat abgetrennter Chip erzeugt wird.
Da die Epitaxieschicht im Wesentlichen die vertikale Größe des Chips bestimmt, kann durch eine Wahl der Dicke der Epitaxieschicht in der Größenordnung von 1 bis 50 μm die Höhe des Chips definiert eingestellt werden.
Die Erzeugung des Kontaktgrabens sowie der Trenngräben lässt sich vorteilhafterweise mittels eines anisotropen Ätzvorgangs erreichen, beispielsweise durch einen Trenchätzprozess. Durch einen derartigen anisotropen Ätzvorgang ergeben sich Gräben mit einem hohen Aspektverhältnis. Denkbar ist auch, dass beide Gräben gleichzeitig, d. h. mit einem Ätzvorgang erzeugt werden, um eine schnellere Prozessdurchführung zu erreichen.
Da die beiden Gräben unterschiedliche Aufgaben zu erfüllen haben, ist vorgesehen, dass die Ausdehnung des wenigstens einen Kontaktgrabens räumlich in beide laterale Richtungen begrenzt ist, wohingegen die Ausdehnung der Trenngräben aufgrund der gewünschten Trennwirkung in einer lateralen Richtung vorzugsweise über die gesamte Breite des Chips verlaufen. Dabei ist insbesondere vorgesehen, dass sich jeweils zwei Trenngräben in einem Kreuzungspunkt treffen, beispielsweise unter einem Winkel von nahezu 90°.
Die mit leitfähigem Material verfüllten Kontaktgräben dienen dazu, einen elektrischen Kontakt von der Vorderseite auf die Rückseite des Chips zu ermöglichen. Dabei kann vorteilhafterweise vorgesehen sein, dass mehrere Kontaktgräben in dem Chip erzeugt werden, die voneinander beabstandet und elektrisch isoliert sind.
Bei der Herstellung des Chips können zusätzlich mikromechanische Prozesse (Diffusion, Metallisierung, CMOS-Prozesse, etc.) durchgeführt werden, mittels denen Sensorelemente und/oder Schaltungen bzw. Schaltungsteile in dem Chip erzeugt werden. Dabei ist denkbar, dass diese Sensorelemente bzw. Schaltungen direkt in der Epitaxieschicht aber auch in zusätrlich auf der Epitaxieschicht aufgebrachten Schichten erzeugt werden. In einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung ist dabei vorgesehen, dass eine Vielzahl von Kontaktgräben um das Sensorelement bzw. die Schaltung herum angeordnet sind. Vorteilhaft ist darüber hinaus auch die Ausgestaltung der Kontaktgräben als Faradaysche Abschirmung. Dabei kann vorgesehen sein, dass die einzelnen Durchkontaktierungen miteinander verbunden sind. Es besteht jedoch auch die Möglichkeit, dass Durchkontaktierungen paarweise oder auch abwechselnd elektrisch verbunden sind.
Die Verfüllung der Kontaktgräben bzw. die Abscheiung einer speziellen Kontaktschicht zur Erzeugung einer Durchkontaktierung erfolgt üblicherweise mittels eines Abscheideverfahrens, z. B. mittels eines elektrochemischen Verfahrens (z. B. einer Kupferabscheidung) oder eines bekannten CVD-Verfahrens. Darüber hinaus sind jedoch auch PVD-Verfahren, Umschmelzverfahren oder Verfahren zur Erzeugung der Durchkontaktierungen anwendbar.
In einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, die Opferschicht mit einer pseudomorphen Struktur zu erzeugen. Optional kann auch vorgesehen sein, eine leitfähige Opferschicht zu verwenden. Auch die Verwendung von SiGe als Opferschicht ist denkbar. Vorteilhafterweise wird die Opferschicht mittels eines Gasphasenätzschritts entfernt, beispielsweise mittels einer CIF₃- oder XeF₂-Ätzung.
Besonders Vorteilhaft ist die Vereinzelung des Chips aus dem Schichtstapel bestehend aus Substrat, Opferschicht und Epitaxieschicht, durch den kombinierten Einsatz der Trenngräben und der Entfernung der dem Chip zugrunde liegenden Opferschicht. Dabei können auf einem Substrat eine Vielzahl von einzelnen Chips mit einem Herstellungsprozess erzeugt werden.
In einer Weiterbildung der Erfindung können die so erzeugten Chips dazu verwendet werden, Chipstapel zu bilden. Dabei werden wenigstens zwei Chips derart aufeinander aufgebracht, vorzugsweise mittels eines nicht lösbaren Verbindungsverfahrens, wie beispielsweise einem Bondverfahren, dass die Kontaktschichten der beiden Chips elektrisch miteinander in Kontakt sind. Besonders vorteilhaft ist eine Ausgestaltung, in der die Unterseite der Kontaktschicht bzw. die Verfüllung des Kontaktgrabens des oberen Chips direkt auf der oberen Seite der Kontaktschicht bzw. der Verfüllung des unteren Chips aufgebracht wird. Dadurch ist eine elektrische Durchkontaktierung durch den Chipstapel möglich.
Durch eine Verwendung einer Vielzahl von Kontaktschichten bzw. Verfüllungen in dem Kontaktgraben kann bei geeigneter Anordnung eine Faradaysche Abschirmung erzeugt werden. Dabei kann beispielsweise das Sensorelement oder die Schaltung durch diese Abschirmung umschlossen sein. Somit kann verhindert werden, dass externe elektrische Felder die Erfassung und/oder die Auswertung von Sensordaten oder auch anderer Daten beeinträchtigen oder verfälschen.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, beliebig dünne Halbleiterbauelemente herzustellen, sie vertikal übereinander zu stapeln und miteinander elektrisch zu verbinden. Darüber hinaus ist auch möglich, über die Kontaktschichten thermische Ableitstrukturen zu integrieren.
Das erfindungsgemäßen Verfahren ist darüber hinaus kompatibel mit Standard-Schaltungsprozessen. Die so erzeugten Chips bieten bei einer 3D-Integration aufgrund der dünnen Ausgestaltung Vorteile in der Packungsdichte sowie bei der zu realisierenden Taktfrequenz. Zudem ist das Verfahren durch den Verzicht auf einen separaten Prozessschritt zur Abdünnung des Substrats kostengünstiger herzustellen.
Weitere Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen bzw. aus den abhängigen Patentansprüchen.
Zeichnungen
Die 1 zeigt die Aufsicht auf einen erfindungsgemäßen Chip vor der Vereinzelung. In den 2a bis 2f ist das Herstellungsverfahren des erfindungsgemäßen Chips in verschiedenen Prozessschritten dargestellt. Mit der 3 wird beispielhaft die Kombination eines Chipstapels aus zwei Chips dargestellt.
Ausführungsbeispiel
Aufgrund des Bestrebens in der Mikromechanik bzw. -elektronik, immer mehr Funktionen und Schaltungen auf engerem Raum unterzubringen, ist es wünschenswert hohe Packungsdichten bei Chipstapeln zu erreichen. Dies wird u. a. dadurch erreicht, indem die einzelnen Chips immer dünner ausgestaltet werden.
Gängige Verfahren zur Realisierung von dünnen Chips erstellen zunächst die gewünschten Sensor- bzw. Schaltungselemente auf normal dicken Substraten oder Schichtstapeln. Nach der Fertigstellung dieser Elemente auf der Vorderseite werden dann die Substrate bzw. die Schichtstapel in einem weiteren, teilweise aufwendigen Prozess von der Rückseite abgedünnt. Zum Einsatz kommen dabei u. a. mechanische Verfahren wie das Schleifen oder Polieren aber auch (elektro-)chemische Verfahren.
Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird eine weitere Möglichkeit zur Erzeugung von dünnen Chips, insbesondere Halbleiterchips beschrieben.
1 zeigt die Aufsicht auf einen Chip 100, nach Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens vor der endgültigen Vereinzelung. Deutlich sind hierbei die Kontaktgräben bzw. Verfüllungen 120 der Kontaktgräben zu erkennen. Weiterhin werden die Trenngräben 110 gezeigt, die die laterale Begrenzung des Chips 100 bewirken.
Wie anhand 2a schematisch gezeigt wird, wird auf die Vorderseite 205 eines Substrats 200 zunächst mittels üblicher mikromechanischer Verfahren eine Opferschicht 210 aufgebracht. Dabei kann das Substrat sowohl aus einem Halbleitermaterial als auch aus einem Metall bestehen. Anschließend wird eine Epitaxieschicht 230 auf die Opferschicht 210 aufgebracht. Optional kann auch vorgesehen sein, im Bereich der späteren Kontakt- und/oder Trenngräben 115 eine räumlich begrenzte Ätzstoppschicht 220 und 225, beispielsweise aus SiO₂ aufzubringen. Zur Erzeugung von Schaltungselemente 240 oder Sensorelemente können gängige Schaltungs- bzw. Mikromechanikprozesse verwendet werden, die beispielsweise verschiedene Diffusionsbereiche und Hohlräume 250 in der Epitaxieschicht 230 und/oder in zusätzlichen Passivierungsschichten 260 auf der Epitaxieschicht 230 bilden. Im Bereich der zu erzeugenden Kontaktgräben wird im nächsten Schritt mittels einer entsprechenden Maskierungsschicht 270 eine Öffnung 290 in die Passivierungsschichten 260 eingebracht. Zur Kontaktierung der Schaltungs- und Sensorelemente 240 mit der erfindungsgemäßen Durchkontaktierung können bei einer Vielzahl von Kontaktgräben einzelne der Öffnungen mit einer Metallisierung 280 versehen werden, die eine elektrische Verbindung zu den Elementen 240 herstellen.
Anschließend wird, wie in 2b gezeigt, ein anisotroper Ätzschritt vorgenommen, der die Öffnung 290 komplett durch die Epitaxieschicht 230 wenigstens bis zur Opferschicht 210 vertieft. Optional kann hierzu die Ätzstoppschicht 220 eingesetzt werden. Um eine schnellere Entfernung des Opferschichtmaterials zu ermöglichen, sollte der so erzeugte Kontaktgraben 300 jedoch bis in die Operschicht 210 hineinreichen. Durch eine derartige Ausgestaltung wird dem Ätzmaterial eine größere Angriffsfläche geboten.
Nach Entfernen der Maskierungsschicht 270 wird eine konforme Isolationsschicht 310 aufgebracht, die eine elektrische und ggf. thermische Isolierung zwischen der Durchkontaktierung 320 und der Epitaxieschicht 230 erreichen soll (siehe 2c). Derartige Isolationsschichten lassen sich beispielsweise epitaktisch oder auch mittels Oxidation erzeugen.
Anschließend wird die Isolationsschicht 310 beispielsweise mittels eines anisotropen Ätzschritts, teilweise entfernt, so dass nur noch die Wände des Kontaktgrabens 300 und ggf. die Wände der Passivierungsschichten 260 bedeckt bleiben (siehe 2d).
Zur Verfüllung des Kontaktgrabens 300 wird in einem weiteren Verfahrensschritt eine leitfähige Durchkontaktierungsschicht 320 eingebracht (siehe 2e). Dies kann beispielsweise durch epitaktische Verfahren, eine elektrochemische Abscheidung von Cu aber auch durch ein Vakuumschmelzen aufgedruckter Lotpaste realisiert werden. Darüber hinaus sind jedoch auch gängige CVD- oder PVD-Verfahren anwendbar. Optional kann nach diesem Schritt eine Planarisierung der Metallisierung bzw. der Verfüllung stattfinden, so dass die Oberfläche des Schichtstapels eingeebnet wird.
Zur Erzeugung der Trenngräben 330 ist ebenfalls ein anisotroper Ätzschritt vorgesehen, der eine Vertiefung sowohl durch die Passivierungsschichten 260 als auch durch die Epitaxieschicht 230 einbringt. Dabei kann ebenso wie bei der Erzeugung der Kontaktgräben 300 die Vertiefung bis in die Opferschicht 210 hineingeführt werden, u. U. mit Hilfe einer Ätzstoppschicht 225.
Statt getrennter anisotroper Ätzschritte zur Erzeugung der Kontaktgräben 300 und der Trenngräben 330 kann auch eine gleichzeitige Ätzung erfolgen, wodurch der gesamte Herstellungsprozess verkürzt werden kann.
Nach dem Einbringen der Trenngräben 330, die wie in der 1 ersichtlich, den Chip 100 umschließen, hat der Chip 100, bestehend aus dem Schichtstapel 230 und 260 lediglich über die Opferschicht 210 mechanischen Kontakt zum Substrat 200. Zum Vereinzeln bzw. zum Separieren des Chips vom Substrat 200 ist somit eine Entfernung des Opferschichtmaterials notwendig. Eine derartige Entfernung wird in der 2f gezeigt. Dabei wird mittels eines Gasphasenätzvorgangs 340 von der Vorderseite 205 ein geeignetes Gas, wie beispielsweise CIF₃ oder XeF₂ durch die Trenngräben 330 an die Opferschicht 210 geleitet. Durch die dabei entstehende Reaktion löst sich das Opfermaterial auf und entweicht durch die Trenngräben 330. Sobald die Schicht 350 keine mechanische Verbindung mehr zwischen Chip 100 und Substrat 200 aufweist, kann der Chip 100 entfernt werden. Das Substrat ist daher u. U. nach einem entsprechenden Reinigungsvorgang zur Herstellung weiterer Chips der erfindungsgemäßen Art recyclebar.
In 3 ist beispielhaft eine Verbindung mehrerer der erfindungsgemäßen Chips dargestellt. Dabei wird ein erster Chip 100 auf einem zweiten Chip 101 derart aufgebracht, dass die beiden Durchkontaktierungen 320 und 321 elektrisch und/oder thermisch miteinander in Kontakt sind. Derartige Verbindungen sind beispielsweise mittels Thermokompressionsbonden möglich.
Wie aus der 3 ersichtlich, kann die Tiefe, mit der der Kontaktgraben 300 in die Opferschicht 210 eingebracht wird, sowie die Planarisierung der Metallisierung bzw. Verfüllung bei einer derartigen Kombination den Abstand beider Chips definieren.
In einem besonderen Ausführungsbeispiel wird in dem Chip 100 ein Sensorelement und/oder ein Schaltungselement erzeugt, welches empfindlich auf äußere elektrische Felder reagiert. Um diese Einflüsse zu verhindern oder weitestgehend zu vermeiden, ist vorgesehen, dieses Element mit einer Vielzahl von Kontaktgräben 120 zu versehen, wie es beispielsweise die 1 zeigt, wobei selbstverständlich neben einer weitestgehend rechteckigen auch eine runde oder ovale Anordnung vorgesehen sein kann. Durch das vertikale Umschließen des Elements mit leitfähigen Durchkontaktierungen kann somit eine Faradaysche Abschirmung erreicht werden, die die Erfassung durch das Sensorelement und/oder die Verarbeitung der Signale in der Schaltung mit einer höheren Signalgüte ermöglichen.
Darüber hinaus ist jedoch auch möglich, dass in dem Chip mehrere Durchkontaktierungen vorgesehen sind, die jeder für sich ein anderes Signal durch den Chip weiterleitet. Denkbar sind hierbei z. B. unterschiedliche Potentiale oder Informationen.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel dienen die Durchführungskontakte wenigstens teilweise dazu, Wärme von der einen auf die andere Chipseite zu leiten. Dabei kann insbesondere bei mehreren Durchkontaktierungen vorgesehen sein, dass einige der Durchgänge für elektrische Signale und andere Durchgänge zum Wärmetransport genutzt werden.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

- DE 10205026 A1 [0002]
- DE 10359217 A1 [0002]
- DE 102006018027 A1 [0003]

Claims

Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Chips, wobei zur Herstellung des Chips wenigstens die Schritte – Aufbringen einer Opferschicht (210) auf die Vorderseite (205) eines Substrats (200), und – Aufbringen einer Epitaxieschicht (230) auf die Opferschicht (210), und – Ätzen wenigstens eines Kontaktgrabens (300) von der Vorderseite (205) durch die Epitaxieschicht (230), und – Erzeugen einer Isolierungsschicht (310) an den Wänden des wenigstens einen Kontaktgrabens (300), und – Erzeugen einer Kontaktschicht (320) im Kontaktgraben (300), die eine leitfähige Verbindung von der Vorderseite (205) bis zur Opferschicht (210) ermöglicht, und – Ätzen von Trenngräben (330) durch die Epitaxieschicht (230) bis zur Opferschicht (210), und – Entfernung der Opferschicht (210) vorgesehen sind.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Epitaxieschicht (230) mit einer Schichtdicke von 1 bis 50 μm aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Kontaktgraben (300) und/oder der Trenngraben (330) durch einen anisotropen Ätzvorgang erzeugt wird, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass der Ätzvorgang zur Erzeugung beider Gräben (300, 330) gleichzeitig durchgeführt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trenngräben (330) gegenüber dem Kontaktgraben (300) eine größere Ausdehnung in wenigstens einer lateralen Richtung aufweist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere voneinander beabstandete Kontaktgräben (120, 300) mit Kontaktschichten (320) in der Epitaxieschicht (230) erzeugt werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mittels mikromechanischer Prozesse eine Schaltung (240) und/oder ein Sensorelement auf oder wenigstens teilweise in die Epitaxieschicht (230) auf- bzw. eingebracht wird, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass eine Vielzahl von Kontaktgräben (120, 300) um die Schaltung (240) und/oder das Sensorelement erzeugt werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktschicht (320) mittels eines Abscheideverfahrens, insbesondere mittels eines elektrochemischen oder eines CVD-Verfahrens, oder mittels Aufdrucken oder Umschmelzen im Vakuum erzeugt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Opferschicht – eine pseudomorphe Struktur aufweist und/oder – leitfähig ist und/oder – SiGe enthält und/oder – mittels eines Gasphasenätzvorgangs entfernt wird, wobei insbesondere eine Ätzung mit CIF₃, XeF₂ vorgesehen ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Chip (100), bestehend aus – wenigstens der Epitaxieschicht (230), – wenigstens eines Kontaktgrabens (230) mit Kontaktschicht (320) und Isolierungsschicht (310) in der Epitaxieschicht (230) durch das Entfernen der Opferschicht (210) vom Substrat (200) vereinzelt wird.
Verfahren zur Herstellung eines mikromechanisches Bauelements bestehend aus wenigstens zwei nach einem der Ansprüche 1 bis 9 hergestellten Chips (100), dadurch gekennzeichnet, dass die Chips durch ein Bondverfahren miteinander verbunden werden, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Kontaktschichten zweier benachbarter Chips einen elektrischen Kontakt aufweisen.
Mikromechanischer Chip nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei vorgesehen ist, dass der Chip (100) wenigstens – eine Epitaxieschicht (230), und – einer Vielzahl von durchgehenden Kontaktgräben (230) mit Kontaktschicht (320) und Isolierschicht (310) durch die Epitaxieschicht (230) und – einer Schaltung (240) und/oder einem Sensorelement aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktgräben mit den Kontaktschichten derart im Peripheriebereich des Chips um die Schaltung und/oder das Sensorelement angeordnet sind, dass sie eine Faradaysche Abschirmung erzeugen.
Mikromechanisches Bauelement bestehend aus wenigstens zwei nach einem der Ansprüche 1 bis 10 hergestellten Chips, dadurch gekennzeichnet, dass die Chips unlösbar miteinander verbunden sind, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Kontaktschichten zweier benachbarter Bauelement (100, 101) einen elektrischen Kontakt aufweisen.