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DE102008041801A1 - Extreme UV-projection illumination system for microlithographic imaging, has spectral filter detachably arranged in spectral aperture and/or aperture diaphragm and transparent for extreme UV-radiation - Google Patents

Extreme UV-projection illumination system for microlithographic imaging, has spectral filter detachably arranged in spectral aperture and/or aperture diaphragm and transparent for extreme UV-radiation Download PDF

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DE102008041801A1
DE102008041801A1 DE200810041801 DE102008041801A DE102008041801A1 DE 102008041801 A1 DE102008041801 A1 DE 102008041801A1 DE 200810041801 DE200810041801 DE 200810041801 DE 102008041801 A DE102008041801 A DE 102008041801A DE 102008041801 A1 DE102008041801 A1 DE 102008041801A1
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DE
Germany
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spectral filter
aperture
diaphragm
radiation
projection exposure
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Withdrawn
Application number
DE200810041801
Other languages
German (de)
Inventor
Dirk Heinrich Dr. Ehm
Johannes Hubertus Josephina Dr. Moors
Andrei M. Yakunin
Vadim Yevgenyevich Banine
Günther Dengel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
ASML Netherlands BV
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
ASML Netherlands BV
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Publication date
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Abstract

The system (1) has a lighting device (2) for illuminating structures arranged on a reticle (3), such that the structures are imaged on a wafer stage (5) by a projection lens (4). A sigma-aperture is provided in the lighting device and/or an aperture diaphragm is provided in the projection lens. A spectral filter is detachably arranged in the spectral aperture and/or aperture diaphragm, and is transparent for extreme UV-radiation. The sigma-aperture is arranged at a pupil reflector or pupil facet reflector.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

GEBIET DER ERFINDUNGFIELD OF THE INVENTION

Die vorliegende Erfindung betrifft eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem Beleuchtungssystem und einem Projektionsobjektiv, wobei im Beleuchtungssystem eine Sigma-Blende und/oder im Projektionsobjektiv eine Aperturblende vorgesehen ist. Außerdem betrifft die vorliegende Erfindung eine Baueinheit für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Blende.The The present invention relates to an EUV projection exposure apparatus for microlithography with a lighting system and a projection lens, wherein in the lighting system a Sigma diaphragm and / or in the projection lens an aperture diaphragm is provided. Moreover, the present invention relates a unit for an EUV projection exposure system with a panel.

STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART

Für die mikrolithographische Abbildung kleinster Strukturen werden Projektionsbelichtungsanlagen eingesetzt, bei denen Licht mit einer Wellenlänge im extrem ultravioletten Spektrum, z. B. 13,5 nm Lichtwellenlänge, Verwendung findet, um kleinste Strukturgrößen auflösen zu können.For The microlithographic imaging of the smallest structures becomes projection exposure systems used in which light with a wavelength in the extreme ultraviolet spectrum, e.g. B. 13.5 nm wavelength of light, Use finds to smallest structure sizes to dissolve.

Das Licht für derartige EUV (extrem ultraviolett)-Projektionsbelichtungsanlagen kann beispielsweise durch Verwendung sogenannter LPP-Lichtquellen (LPP (Laser produced plasma)(Laser erzeugtes Plasma))) erzeugt werden, bei welchen ein Laser, wie beispielsweise ein CO2-Laser, ein Plasma zur Lichterzeugung anregt.The light for such EUV (extreme ultraviolet) projection exposure apparatus can be produced, for example, by using so-called LPP (Laser Produced Plasma) sources (LPP), in which a laser such as a CO 2 laser is inserted Stimulates plasma to generate light.

Die Laserstrahlung, beispielsweise die Laserstrahlung eines CO2-Lasers, kann hierbei in einem Wellenlängenbereich von 10,6 μm liegen, welcher im infraroten (IR) Lichtspektrum insbesondere im Grenzbereich zwischen nahem und fernen Infrarot-Licht liegt.The laser radiation, for example the laser radiation of a CO 2 laser, can in this case be in a wavelength range of 10.6 μm, which lies in the infrared (IR) light spectrum, in particular in the border region between near and far infrared light.

Bei EUV-Projektionsbelichtungsanlagen stellt die Erwärmung der optischen Elemente im Beleuchtungssystem und Projektionsobjektiv sowie des Wafers, auf dem die Strukturen abgebildet werden sollen, ein Problem dar. Durch die Erwärmung kann es zu Abbildungsungenauigkeiten kommen, die bei den angestrebten Strukturgrößen, zu großen Fehlern führen können.at EUV projection exposure systems represents the warming the optical elements in the illumination system and projection lens and the wafer on which the structures are to be imaged a problem. By heating it can lead to image inaccuracies come in the desired structure sizes, can lead to big mistakes.

OFFENBARUNG DER ERFINDUNGDISCLOSURE OF THE INVENTION

AUFGABE DER ERFINDUNGOBJECT OF THE INVENTION

Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage und eine entsprechende Baueinheit für diese bereitzustellen, mit welcher das obengenannte Problem einer unerwünschten Erwärmung von Teilen der Projektionsbelichtungsanlage und des Wafers vermieden bzw. zumindest verringert werden kann. Darüber hinaus soll die entsprechende Lösung einfach realisierbar sein und keine sonstigen Beschränkungen, insbesondere hinsichtlich der Qualität der Abbildungen durch die Projektionsbelichtungsanlage mit sich bringen.It is therefore an object of the present invention, an EUV projection exposure system and to provide a corresponding assembly for this with which the above-mentioned problem of an undesirable Heating parts of the projection exposure machine and of the wafer can be avoided or at least reduced. About that In addition, the corresponding solution should be easy to implement and no other restrictions, in particular as regards the quality of the pictures through the projection exposure system entail.

TECHNISCHE LÖSUNGTECHNICAL SOLUTION

Diese Aufgabe wird gelöst mit einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie einer Baueinheit mit den Merkmalen des Anspruchs 11. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These The task is solved with an EUV projection exposure system with the features of claim 1 and a structural unit with the features of claim 11. Advantageous embodiments are the subject of dependent claims.

Die Erfinder haben erkannt, dass eine Lösung des oben geschilderten Problems darin besteht, einen Spektralfilter in der EUV-Projektionsbelichtungsanlage vorzusehen, welcher unerwünschtes Licht bzw. unerwünschte elektromagnetische Strahlung herausfiltert. Von der oben beschriebenen LPP-Lichtquelle kann beispielsweise Laserlicht mit der Wellenlänge von 10,6 μm in den Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage gelangen, so dass durch die bei EUV-Projektionsbelichtungsanlagen verwendeten reflektiven optischen Elemente die unerwünschte Lichtstrahlung, beispielsweise im infraroten Lichtwellenbereich, bis zum Wafer gelangen kann, was eine unerwünschte Erwärmung des Wafers verursachen kann.The Inventors have recognized that a solution of the above The problem is, a spectral filter in the EUV projection exposure system provide, which unwanted light or unwanted electromagnetic radiation filters out. From the above-described LPP light source For example, laser light with the wavelength of 10.6 microns in the beam path of the projection exposure system so as to be used by those used in EUV projection exposure equipment reflective optical elements the unwanted light radiation, For example, in the infrared light wave range, can reach the wafer, which cause unwanted heating of the wafer can.

In diesem Zusammenhang sei darauf hingewiesen, dass unter dem Begriff Licht bzw. Strahlung in der vorliegenden Anmeldung jede elektromagnetische Strahlung verstanden wird.In It should be noted that under the term Light or radiation in the present application any electromagnetic Radiation is understood.

Entsprechend kann ein Spektralfilter in der EUV-Projektionsbelichtungsanlage vorgesehen werden, der insbesondere die unerwünschte Strahlung im Bereich des infraroten Wellenlän genspektrums, also beispielsweise Wellenlängen im Bereich von 1000 μm bis 750 nm oder auch im Bereich des tiefen ultravioletten Lichtes (DUV (deep ultra violet) (tief ultraviolett)), also mit Wellenlängen größer 200 nm, herausfiltert. Allerdings besteht hierbei die Problematik, dass bei den Strahlengängen der EUV-Projektionsbelichtungsanlage, welche nur reflektive optische Elemente einsetzen kann, das Platzangebot zur Anordnung eines Spektralfilters äußerst begrenzt ist.Corresponding can be a spectral filter in the EUV projection exposure system be provided, in particular the unwanted radiation in the Area of the infrared Wavelength genspektrums, so for example Wavelengths in the range of 1000 microns to 750 nm or in the area of deep ultraviolet light (DUV (deep ultra violet) (deep ultraviolet)), ie with wavelengths greater than 200 nm, filters out. However, there is Here the problem that at the beam paths of the EUV projection exposure system, which only reflective optical elements can use, the space available for the arrangement of a spectral filter extremely is limited.

Entsprechend sieht die vorliegende Erfindung vor, den Spektralfilter an einer Sigma-Blende im Beleuchtungssystem und/oder einer Aperturblende im Projektionsobjektiv anzuordnen, da die Blenden in einfacher Weise eine Anordnung eines Spektralfilters, welcher insbesondere in Form einer Spektralfilterplatte ausgebildet sein kann, ermöglichen.Corresponding the present invention provides the spectral filter on a Sigma diaphragm in the illumination system and / or an aperture diaphragm in the Projection lens, since the aperture in a simple manner an arrangement of a spectral filter, which in particular in shape a spectral filter plate can be made possible.

Dadurch kann neben der Erwärmung auch unerwünschte Strahlung mit Wellenlängen außerhalb der Abbildungswellenlänge von z. B. 13,5 nm vermieden werden, so dass die Abbildungseigenschaften weiter verbessert werden.As a result, in addition to the heating and unwanted radiation having wavelengths outside the imaging wavelength of z. B. 13.5 nm avoided be, so that the imaging properties are further improved.

Eine Sigma-Blende kann bei einem EUV-Beleuchtungssystem im Bereich des Pupillenspiegels bzw. einer Pupillenwabenplatte oder eines Pupillenfacettenspiegels angeordnet sein, wobei Blende hier nicht nur eine Struktur mit einer Blendenöffnung, bei der die Blendenöffnung keinerlei Materie aufweist, und einem umgebenden Rahmen meint, sondern eine entsprechende Blende auch so ausgebildet sein kann, dass die Blendenöffnung mit Material gefüllt ist, welches jedoch für das entsprechende Licht, also beispielsweise Licht mit einer Wellenlänge von 13,5 nm transparent ist, während der die Öffnung umgebende Rahmen die Strahlung absorbiert oder aus dem Strahlengang reflektiert.A Sigma diaphragm can be used in an EUV lighting system in the area of Pupil mirror or a pupil honeycomb panel or a pupil facet mirror be arranged here, whereby aperture here not only a structure with a Aperture, in which the aperture no Matter has, and means a surrounding frame, but one corresponding aperture may also be formed so that the aperture filled with material, which, however, for the corresponding light, so for example light with a wavelength of 13.5 nm is transparent, while the opening surrounding frame absorbs the radiation or out of the beam path reflected.

Außerdem wird unter dem Begriff der Sigma-Blende eine Blende verstanden, die zur Einstellung eines bestimmten Beleuchtungsmodus, z. B. ein- oder mehrpolige Beleuchtungseinstellungen (z. B. Quadrupol-Beleuchtung, ringförmige Beleuchtung etc.) Verwendung findet.Furthermore the term sigma diaphragm is understood to mean a diaphragm, to set a particular lighting mode, z. For example, or multipolar illumination settings (eg quadrupole illumination, annular illumination, etc.) is used.

Das zum Aufbau der Sigma-Blende Gesagte gilt in gleicher Weise für eine Aperturblende, die im Projektionsobjektiv einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage vorgesehen sein kann.The The same applies to the structure of the sigma diaphragm an aperture diaphragm in the projection objective of an EUV projection exposure apparatus can be provided.

Die Anordnung des Spektralfilters an der Sigma-Blende und/oder der Aperturblende ist dahingehend vorteilhaft, dass der Spektralfilter in einfacher Weise zusammen mit den entspre chenden Blenden ausgetauscht werden kann, so dass der Spektralfilter zusammen mit der entsprechenden Blende eine Baueinheit bilden kann. Die Blende kann hierbei als Montagerahmen für den Spektralfilter dienen, ohne zusätzlichen Platzbedarf zu erfordern.The Arrangement of the spectral filter at the sigma diaphragm and / or the aperture diaphragm is advantageous in that the spectral filter in a simple manner can be replaced with the corre sponding panels, so that the spectral filter along with the corresponding aperture can form a structural unit. The panel can be used as a mounting frame for the spectral filter, without additional To require space.

Die Spektralfilter können an der Sigma-Blende und/oder der Aperturblende in lösbarer Weise angeordnet sein, so dass sie, falls gewünscht, auch aus dem Strahlengang entfernt werden können. Hier zeigt sich ein weiterer Vorteil der Anordnung der Spektralfilter an der Sigma-Blende bzw. Aperturblende, da die Entfernung des Spektralfilters ohne Änderung des Strahlengangs ermöglicht ist.The Spectral filters can be used on the sigma diaphragm and / or the Aperture be arranged in a detachable manner, so that they, if desired, also removed from the beam path can be. Here is another advantage of the Arrangement of the spectral filters at the sigma diaphragm or aperture diaphragm, since the removal of the spectral filter without changing the Beam path is possible.

Bei EUV-Lithographiesystemen ist ein Austausch auch ohne ein Belüften des Vakuumsystems möglich.at EUV lithography systems is an exchange even without aeration the vacuum system possible.

Der Spektralfilter, der aus entsprechenden Folien, Netzen, Gittern oder Mehrschichtstrukturen in der Größenordnung von bis zu 100 nm Dicke aufgebaut sein kann, ist für die gewünschte EUV-Strahlung, also beispielsweise Strahlung im Bereich der Wellenlänge von 10 nm bis 200 nm, vorzugsweise 10 nm bis 100 nm, insbesondere 13,5 nm transparent, während für Strahlung, die aus dem Strahlengang entfernt werden soll, der Spektralfilter undurchlässig ist und insbesondere die Strahlung absorbiert und/oder reflektiert.Of the Spectral filter consisting of appropriate films, nets, gratings or Multilayer structures of the order of can be built up to 100 nm thickness, is for the desired EUV radiation, so for example radiation in the wavelength range from 10 nm to 200 nm, preferably 10 nm to 100 nm, in particular 13.5 nm transparent, while for radiation, the should be removed from the beam path, the spectral filter is impermeable and in particular the radiation is absorbed and / or reflected.

Derartige Spektralfilter sind aus der US 7,154,666 B2 bekannt. Die dort beschriebenen Spektralfilter werden durch Verweis in die vorliegende Beschreibung mit aufgenommen. Es handelt sich hierbei insbesondere um Kombinationen von aufeinander abgestimmten Materialien mit unterschiedlichen Absorptionsarten und Transmissionsbereichen, wie z. B. Nb2O5/Ta2O5, sowie Filter auf Zirkon-, Niob- oder Molybdän-Basis.Such spectral filters are from the US Pat. No. 7,154,666 B2 known. The spectral filters described therein are incorporated by reference in the present specification. These are in particular combinations of matched materials with different types of absorption and transmission ranges, such. As Nb 2 O 5 / Ta 2 O 5 , as well as zirconium, niobium or molybdenum-based filters.

Bei einer im Wesentlichen Absorption der unerwünschten Strahlung kann der Spektralfilter so im Strahlengang angeordnet werden, dass an den Oberflächen reflektierte Strahlung nicht aus dem Strahlengang ausgeblendet wird, da derartige reflektierte Strahlung vernachlässigbar ist. Entsprechend kann ein Spektralfilter, der beispielsweise in Form einer parallelen Platte ausgeführt ist, parallel zur Ebene der Blende an der Blende angeordnet sein.at a substantial absorption of the unwanted radiation the spectral filter can be arranged in the beam path that At the surfaces reflected radiation is not reflected from the beam path is hidden because such reflected radiation negligible is. Accordingly, a spectral filter, for example, in Form a parallel plate is executed, parallel to Plane of the diaphragm can be arranged on the diaphragm.

Bei einer im Wesentlichen Reflexion der unerwünschten Strahlung ist es vorteilhaft, wenn die unerwünschte Strahlung aus dem Strahlengang abgelenkt wird. In diesem Fall kann der Spektralfilter entsprechend so angeordnet werden, dass die unerwünschte Strahlung aus dem Strahlengang abgelenkt wird. Bei einer planparallelen Spektralfilterplatte kann dies dadurch erreicht werden, dass die Spektralfilterplatte schräg zur Ebene der Blende angeordnet wird, so dass es bei einer Reflexion zu einer Ablenkung der Strahlung aus dem Strahlengang kommt.at a substantial reflection of the unwanted radiation It is beneficial if the unwanted radiation is out the beam path is deflected. In this case, the spectral filter be arranged accordingly so that the unwanted Radiation is deflected from the beam path. In a plane-parallel Spectral filter plate, this can be achieved by the Spectral filter plate arranged obliquely to the plane of the diaphragm so that when there is a reflection to a deflection of the radiation comes out of the beam path.

Die reflektierte Strahlung kann in einer Lichtfalle eingefangen werden, so dass diese nicht den abbildenden Strahlengang stören kann.The reflected radiation can be trapped in a light trap, so that they do not disturb the imaging beam path can.

Der Spektralfilter kann insbesondere gleichzeitig tiefes ultraviolettes Licht, beispielsweise im Wellenlängenbereich von 200 nm und mehr sowie infrarote Strahlung, welche die stärkste Wärmebelastung der Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage als auch des Wafers verursacht, herausfiltern.Of the In particular, spectral filter can simultaneously deep ultraviolet Light, for example in the wavelength range of 200 nm and more as well as infrared radiation, which is the strongest Heat load on the components of the projection exposure system as well as the wafer caused to filter out.

KURZBESCHREIBUNG DER FIGURENBRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES

Weitere Vorteile, Kennzeichnungen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der beigefügten Zeichnungen deutlich. Die Zeichnungen zeigen hierbei in rein schematischer Weise inFurther Advantages, characteristics and features of the present invention will be in the following detailed description of embodiments clearly with reference to the attached drawings. The painting show here in a purely schematic way in

1 eine Darstellung einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage; 1 a representation of an EUV projection exposure system;

2 eine Darstellung eines Teils des Beleuchtungssystems der Projektionsbelichtungsanlage aus 1; 2 a representation of a part of the illumination system of the projection exposure system 1 ;

3 eine Darstellung eines Teils eines Projektionsobjektivs einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage gemäß 1; und in 3 an illustration of a part of a projection lens of an EUV projection exposure system according to 1 ; and in

4 in den Teilbildern a) bis c) Darstellungen einer Sigma-Blende mit und ohne Spektralfilter. 4 in the partial images a) to c) representations of a sigma diaphragm with and without spectral filter.

Die 1 zeigt in einer schematischen Darstellung eine EUV (Extrem Ultraviolett)-Projektionsbelichtungsanlage, wie sie für die vorliegenden Erfindung genutzt werden kann. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst ein Beleuchtungssystem 2 mit einer nicht näher dargestellten Lichtquelle inklusive Kollimatoreinheit, ein Retikel 3 und ein Projektionsobjektiv 4 sowie einen Waferhalter (wafer stage) 5 bzw. einen Wafer, auf den die Struktur des Retikels verkleinert abgebildet wird.The 1 shows in a schematic representation an EUV (extreme ultraviolet) projection exposure apparatus, as it can be used for the present invention. The projection exposure machine 1 includes a lighting system 2 with a light source, not shown, including collimator unit, a reticle 3 and a projection lens 4 as well as a wafer holder 5 or a wafer onto which the structure of the reticle is reduced in size.

Das Beleuchtungssystem 2 dient zur Ausleuchtung der auf dem Retikel 3 angeordneten Strukturen, so dass diese Strukturen über das Projektionsobjektiv 4 auf den Wafer 5 abgebildet werden können. Das Beleuchtungssystem 2 kann für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage insbesondere eine Lichtquelle aufweisen, die das extrem ultraviolette Licht durch die Plasmaanregung eines Lasers, beispielsweise eines CO2-Lasers erzeugt. Das extrem ultraviolette Licht mit einer Wellenlänge von beispielsweise 13,5 nm, wird über eine nicht näher dargestellte Strahlformungseinheit 21 (siehe 2) auf üblicherweise zwei Spiegel gelenkt, die als Feldspiegel 22 und Pupillenspiegel 23 bezeichnet werden. Die Spiegel 22 und 23, die in 2 dargestellt sind, können beispielsweise als Wabenplatten oder als Facettenspiegel ausgebildet und können von daher als Feldwabenplatte 22 oder Feldfacettenspiegel 22 bzw. als Pupillenwabenplatte 23 oder Pupillenfacettenspiegel 23 bezeichnet werde.The lighting system 2 serves to illuminate the on the reticle 3 arranged structures, so that these structures on the projection lens 4 on the wafer 5 can be displayed. The lighting system 2 For example, for an EUV projection exposure apparatus, it can have a light source which generates the extremely ultraviolet light through the plasma excitation of a laser, for example a CO 2 laser. The extreme ultraviolet light having a wavelength of, for example, 13.5 nm is transmitted via a beam shaping unit (not shown in detail) 21 (please refer 2 ) are usually directed to two mirrors, which are called field mirrors 22 and pupil mirrors 23 be designated. The mirror 22 and 23 , in the 2 can be formed, for example, as honeycomb panels or as a facet mirror and can therefore as a field honeycomb panel 22 or field facet mirror 22 or as a pupil honeycomb panel 23 or pupil facet mirror 23 be designated.

Vor dem Pupillenspiegel 23 ist eine Sigma-Blende 24 angeordnet, um den Füllgrad σ (Sigma) der Austrittspupille des Beleuchtungssystems, welche der Eintrittspupille des Projektionsobjektivs 4 entspricht, zu beeinflussen. Nach den Spiegeln 22 und 23 können weitere optische Elemente in Form von reflektiven Elementen vorgesehen sein.In front of the pupil mirror 23 is a sigma aperture 24 arranged to the degree of filling σ (sigma) of the exit pupil of the illumination system, which the entrance pupil of the projection lens 4 corresponds to influence. After the mirrors 22 and 23 Further optical elements may be provided in the form of reflective elements.

Im Projektionsobjektiv 4 sind ebenfalls mehrere reflektive Elemente, wie Spiegel 41 und 42 vorgesehen, um die Struktur des Retikels 3 auf den Wafer 5 abzubilden. Wie die 3 zeigt, kann zwischen dem ersten Spiegel 41 und dem zweiten Spiegel 42 nach der Reflexion des Lichts am Retikel 3 entsprechend dem Strahlengang eine Aperturblende 43 vorgesehen sein.In the projection lens 4 are also several reflective elements, like mirrors 41 and 42 provided the structure of the reticle 3 on the wafer 5 map. As the 3 shows, can between the first mirror 41 and the second mirror 42 after the reflection of the light at the reticle 3 corresponding to the beam path an aperture diaphragm 43 be provided.

Um zu vermeiden, dass unerwünschte Spektralanteile des Lichts bzw. allgemein der elektromagnetischen Strahlung durch die bei EUV-Projektionsbelichtungsanlagen eingesetzten reflektiven Elemente, wie z. B. Spiegel, auf den Wafer 5 übertragen werden, wird erfindungsgemäß entweder an der Sigma-Blende 24 und/oder an der Aperturblende 43 (siehe 2 und 3) ein Spektralfilter vorgesehen, der lediglich das Licht des gewünschten Wellenlängebereichs im Spektrum der extremen ultravioletten Strahlung hindurch lässt, jedoch Strahlung in anderen Wellenlängenbereichen absorbiert und/oder reflektiert.In order to avoid that unwanted spectral components of the light or in general the electromagnetic radiation by the reflective elements used in EUV projection exposure systems, such. As mirror, on the wafer 5 be transmitted, according to the invention either at the sigma aperture 24 and / or at the aperture stop 43 (please refer 2 and 3 ), a spectral filter is provided which allows only the light of the desired wavelength range in the spectrum of extreme ultraviolet radiation, but absorbs and / or reflects radiation in other wavelength ranges.

Die Anordnung eines Spektralfilters an einer Sigma-Blende 24 oder einer Aperturblende 43 ist beispielhaft nur für eine Sigma-Blende 10 in 4 gezeigt. Während das Teilbild a) der 4 eine Draufsicht einer Sigma-Blende 10 mit einer Blendenöffnung 11 zeigt, zeigen die Teilbilder b) und c) die Sigma-Blende 10 in einer seitlichen Schnittansicht mit entsprechend angeordnetem Spektralfilter 12.The arrangement of a spectral filter on a sigma diaphragm 24 or an aperture stop 43 is exemplary only for a sigma aperture 10 in 4 shown. While the drawing a) the 4 a top view of a sigma aperture 10 with a shutter 11 shows, the fields b) and c) show the sigma aperture 10 in a side sectional view with appropriately arranged spectral filter 12 ,

Der Spektralfilter 12 ist als plattenförmiges Element, und zwar insbesondere als planparallele Platte mit parallelen Oberflächen ausgebildet. Der Spektralfilter 12 überdeckt die gesamte Öffnung 11 der Blende 10, um so das Licht mit unerwünschten Wellenlängen herauszufiltern.The spectral filter 12 is formed as a plate-shaped element, in particular as a plane-parallel plate with parallel surfaces. The spectral filter 12 covers the entire opening 11 the aperture 10 to filter out the light with unwanted wavelengths.

Bei der Ausführungsform des Teilbilds b) der 4 ist der Spektralfilter 12 mit seinen Oberflächen parallel zur Hauptfläche der Blende 10 angeordnet bzw. die Oberflächennormale der Hauptflächen der Spektralfilterplatte 12 ist parallel zur Achse 14 der Öffnung 11 der Blende 10 ausgerichtet. Bei dieser Ausführungsform wird das Licht, welches herausgefiltert werden soll, von einem Spektralfilter im Wesentlichen absorbiert, während die EUV-Strahlung hindurchgelassen wird.In the embodiment of the partial image b) of 4 is the spectral filter 12 with its surfaces parallel to the main surface of the panel 10 arranged or the surface normal of the main surfaces of the spectral filter plate 12 is parallel to the axis 14 the opening 11 the aperture 10 aligned. In this embodiment, the light to be filtered out is substantially absorbed by a spectral filter while the EUV radiation is transmitted.

Bei der Ausführungsform des Teilbildes c) der 4 ist der plattenförmige Spektralfilter 12 mit seinen Hauptflächen schräg zur Hauptfläche der Blende 10 angeordnet, bzw. die Oberflächennormale der Hauptflächen der Spektralfilterplatte 12 ist zur Achse 14 der Öffnung 11 leicht verkippt. Zu diesem Zweck ist ein Lagerelement 13 an der Blende 10 vorgesehen, um eine Verkippung der Spektralfilterplatte 12 zu bewirken. Diese Ausführungsform wird für die Spektralfilter gewählt, bei denen die Strahlung im unerwünschten Spektrum im Wesentlichen reflektiert wird. Durch die Verkippung gegenüber der Achse 14 der Öffnung 11 der Blende bzw. der Blendenebene kommt es durch die Reflexion an der Oberfläche der Spektralfilterplatte 12 zu einer Ablenkung des unerwünschten Lichts aus dem Strahlengang.In the embodiment of the partial image c) of 4 is the plate-shaped spectral filter 12 with its main surfaces at an angle to the main surface of the panel 10 arranged, or the surface normal of the main surfaces of the spectral filter plate 12 is to the axis 14 the opening 11 slightly tilted. For this purpose, a bearing element 13 at the aperture 10 provided to tilt the spectral filter plate 12 to effect. This embodiment is chosen for the spectral filters in which the radiation in the unwanted spectrum is substantially reflected. By tilting against the axis 14 the opening 11 The diaphragm or the diaphragm plane is caused by the reflection on the surface of the spectral filter plate 12 to a deflection of the unwanted light from the beam path.

Der Spektralfilter kann als Filter für unterschiedliche Wellenlängenbereiche des Lichts ausgebildet sein. Insbesondere kann er gleichzeitig Strahlung im Bereich des tiefen ultravioletten Spektrums, also beispielsweise im Bereich einer Wellenlänge von mehr als 200 nm, und Infrarotstrahlung mit Wellenlängen im Bereich von 750 nm bis 1000 μm aus dem Strahlengang entfernen.The spectral filter can be used as a filter for different wavelength ranges of light forms his. In particular, it can simultaneously remove radiation in the region of the deep ultraviolet spectrum, that is, for example in the range of a wavelength of more than 200 nm, and infrared radiation with wavelengths in the range of 750 nm to 1000 μm from the beam path.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der dargestellten Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist für den Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsweise beschränkt ist, sondern dass Abwandlungen oder Änderungen, z. B. durch Weglassen einzelner Merkmale oder andersartige Kombinationen der vorgestellten Merkmale möglich sind, ohne den Schutzbereich der beigefügten Ansprüche zu verlassen.Even though the present invention with reference to the illustrated embodiments has been described in detail, is for the expert of course, that the invention is not limited to this Implementation is limited, but that Modifications or changes, eg. B. by omitting individual Features or other combinations of the features presented are possible without the scope of protection of the attached To leave claims.

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Claims (14)

EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem (2) und einem Projektionsobjektiv (4) und mit einer Sigma-Blende (24) im Beleuchtungssystem und/oder einer Aperturblende (43) im Projektionsobjektiv, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Spektralfilter (12) an der Sigma-Blende und/oder der Aperturblende angeordnet ist.EUV projection exposure apparatus with a lighting system ( 2 ) and a projection lens ( 4 ) and with a sigma aperture ( 24 ) in the illumination system and / or an aperture diaphragm ( 43 ) in the projection objective, characterized in that at least one spectral filter ( 12 ) is arranged on the sigma diaphragm and / or the aperture stop. EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Sigma-Blende mit dem Spektralfilter (12) an einem Pupillenspiegel (23) oder einem Pupillenfacettenspiegel angeordnet ist.EUV projection exposure apparatus according to claim 1, characterized in that the sigma diaphragm with the spectral filter ( 12 ) on a pupil mirror ( 23 ) or a pupil facet mirror. EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Aperturblende mit dem Spektralfilter (12) zwischen erstem und zweitem Spiegel des Projektionsobjektivs nach dem Retikel (3) gemäß dem Strahlengang angeordnet ist.EUV projection exposure apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the aperture diaphragm with the spectral filter ( 12 ) between the first and second mirrors of the projection lens after the reticle ( 3 ) is arranged according to the beam path. EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die EUV-Lichtquelle eine durch Laser erregte Plasma-Lichtquelle (LLP(laser produced plasma(Laser erzeugtes Plasma)-Lichtquelle) ist.EUV projection exposure apparatus according to one of the preceding Claims, characterized in that the EUV light source a laser excited plasma light source (LLP (laser produced plasma (laser generated plasma) light source). EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Sigma-Blende mit dem Spektralfilter und/oder die Aperturblende mit dem Spektralfilter eine auswechselbare Baueinheit bilden.EUV projection exposure apparatus according to one of the preceding Claims, characterized in that the sigma diaphragm with the spectral filter and / or the aperture diaphragm with the spectral filter form a replaceable unit. EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Spektralfilter (12) auswechselbar an der Sigma-Blende und/oder der Aperturblende angeordnet ist.EUV projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that the spectral filter ( 12 ) is arranged interchangeably on the sigma diaphragm and / or the aperture diaphragm. EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Spektralfilter (12) transparent für EUV(extrem ultraviolette)-Strahlung ist.EUV projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that the spectral filter ( 12 ) is transparent to EUV (extreme ultraviolet) radiation. EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Spektralfilter (12) zumindest teilweise absorbierend und/oder zumindest teilweise reflektierend für Strahlung außerhalb des EUV-Strahlungsspektrum ist.EUV projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that the spectral filter ( 12 ) is at least partially absorbent and / or at least partially reflective for radiation outside the EUV radiation spectrum. EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Spektralfilter (12) zumindest teilweise absorbierend und/oder zumindest teilweise reflektierend für DUV-Strahlung (DUV (deep ultraviolet (tief ultraviolett))) und/oder IR-Strahlung (IR (infrarot)) ist.EUV projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that the spectral filter ( 12 ) is at least partially absorbent and / or at least partially reflective for DUV (deep ultraviolet) radiation (DUV) and / or IR (infrared) radiation. EUV-Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Spektralfilter (12) als Platte ausgebildet ist, die so an der Sigma-Blende und/oder der Aperturblende angeordnet ist, dass die Oberflächennormale der der Strahlung ausgesetzten Oberfläche parallel zur Achse (14) der Blendenöffnung oder verkippt zur Achse der Blendenöffnung ist.EUV projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that the spectral filter ( 12 ) is formed as a plate, which is arranged on the sigma diaphragm and / or the aperture diaphragm such that the surface normal of the surface exposed to radiation parallel to the axis ( 14 ) of the aperture or tilted to the axis of the aperture is. Baueinheit für eine EUV-Mikrolithograhieanlage mit einer Blende, dadurch gekennzeichnet, dass an der Blende ein Spektralfilter (12) angeordnet ist.Assembly for an EUV microlithography system with a diaphragm, characterized in that at the diaphragm a spectral filter ( 12 ) is arranged. Baueinheit nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Blende mindestens ein Lagerelement (13) aufweist, mit welchem der Spektralfilter (12) geneigt zur Blende angeordnet ist, so dass die Oberflächennormale der der Strahlung ausgesetzten Oberfläche des Spektralfilters verkippt zur Achse der Blendenöffnung ist.Assembly according to Claim 11, characterized in that the panel has at least one bearing element ( 13 ), with which the spectral filter ( 12 ) is arranged inclined to the diaphragm, so that the surface normal of the exposed surface of the spectral filter is tilted to the axis of the diaphragm aperture. Baueinheit nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächennormale der der Strahlung ausgesetzten Oberfläche des Spektralfilters parallel zur Achse (14) der Blendenöffnung ist.Assembly according to Claim 11 or 12, characterized in that the surface normal of the surface of the spectral filter exposed to radiation is parallel to the axis ( 14 ) of the aperture is. Baueinheit nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Spektralfilter lösbar an der Blende angeordnet ist.Assembly according to one of claims 11 to 13, characterized in that the spectral filter solvable is arranged on the panel.
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