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DE102008048650A1 - Radiation emitting device - Google Patents

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DE102008048650A1
DE102008048650A1 DE102008048650A DE102008048650A DE102008048650A1 DE 102008048650 A1 DE102008048650 A1 DE 102008048650A1 DE 102008048650 A DE102008048650 A DE 102008048650A DE 102008048650 A DE102008048650 A DE 102008048650A DE 102008048650 A1 DE102008048650 A1 DE 102008048650A1
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DE
Germany
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semiconductor chips
radiation
emitting device
longitudinal axis
radiation emitting
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE102008048650A
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German (de)
Inventor
Siegfried Herrmann
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Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
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Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
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Priority to PCT/DE2009/001116 priority patent/WO2010034274A1/en
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Abstract

In mindestens einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung (1) umfasst diese mindestens zwei optoelektronische Halbleiterchips (2), wobei die Halbleiterchips (2) in einem Stapel (3) übereinander angeordnet sind. Eine Hauptabstrahlung der Vorrichtung (1) erfolgt bezüglich einer Längsachse (A) des Stapels (3) lateral. Ein Abstand (D) zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips (2) in Richtung der Längsachse (A) beträgt mindestens 1 mm.In at least one embodiment of the radiation-emitting device (1), the latter comprises at least two optoelectronic semiconductor chips (2), wherein the semiconductor chips (2) are arranged one above the other in a stack (3). A main emission of the device (1) takes place laterally with respect to a longitudinal axis (A) of the stack (3). A distance (D) between two adjacent semiconductor chips (2) in the direction of the longitudinal axis (A) is at least 1 mm.

Description

Es wird eine Strahlung emittierende Vorrichtung angegeben.It there is provided a radiation emitting device.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Strahlung emittierende Vorrichtung anzugeben, die zu Zwecken der Allgemeinbeleuchtung einsetzbar ist.A to be solved task is to emit a radiation Specify device that can be used for general lighting purposes.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung umfasst diese mindestens zwei optoelektronische Halbleiterchips. Die Halbleiterchips sind dazu ausgestaltet, mindestens zum Teil elektromagnetische Strahlung im ultravioletten oder im sichtbaren Spektralbereich zu emittieren. Emittieren die Halbleiterchips UV-Strahlung oder blaues Licht, so wird diese Strahlung beziehungsweise dieses Licht bevorzugt über ein Konversionsmittel zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer größeren Wellenlänge konvertiert. Das Konversionsmittel kann als Schicht auf mindestens einen Teil der Halbleiterchips aufgebracht sein. Ebenso ist es möglich, dass mehrere, insbesondere im blauen, grünen und roten Spektralbereich emittierende Halbleiterchips in der Strahlung emittierenden Vorrichtung miteinander kombiniert werden und hierdurch weißes Mischlicht erzeugbar ist. Die Halbleiterchips können zum Beispiel als Dünnfilmchips ausgeformt sein, wie in der Druckschrift WO 2005/081319 A1 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt hinsichtlich des dort beschriebenen Halbleiterchips sowie des dort beschriebenen Herstellungsverfahrens hiermit durch Rückbezug mit aufgenommen wird.According to at least one embodiment of the radiation-emitting device, the latter comprises at least two optoelectronic semiconductor chips. The semiconductor chips are configured to emit at least in part electromagnetic radiation in the ultraviolet or in the visible spectral range. If the semiconductor chips emit UV radiation or blue light, this radiation or this light is preferably at least partially converted into electromagnetic radiation having a greater wavelength by means of a conversion means. The conversion means may be applied as a layer on at least a part of the semiconductor chips. Likewise, it is possible for a plurality of semiconductor chips, in particular emitting in the blue, green and red spectral ranges, to be combined with one another in the radiation-emitting device and, as a result, white mixed light to be generated. The semiconductor chips may be formed, for example, as thin-film chips, as in the publication WO 2005/081319 A1 described, the disclosure of which is hereby incorporated by reference with respect to the semiconductor chip described there and the manufacturing method described therein by reference.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung sind wenigstens zwei Halbleiterchips in mindestens einem Stapel übereinander angeordnet. Bevorzugt ist der überwiegende Teil der Halbleiterchips, beispielsweise mehr als 80% oder alle Halbleiterchips, in mindestens einem Stapel angeordnet. Ein Stapel umfasst hierbei wenigstens zwei optoelektronische Halbleiterchips.At least an embodiment of the radiation-emitting device At least two semiconductor chips are stacked in at least one stack arranged. Preferably, the majority of the semiconductor chips, For example, more than 80% or all semiconductor chips, in at least arranged in a stack. A stack comprises at least two optoelectronic semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung weist der Stapel eine Längsachse auf. Die Längsachse schneidet alle Halbleiterchips. Beispielsweise verläuft die Längsachse in der Richtung der Hauptachse der Strahlung emittierenden Vorrichtung mit der größten Ausdehnung oder in Richtung einer Symmetrieachse der Vorrichtung. Die Längsachse kann eine fiktive Linie sein.At least an embodiment of the radiation-emitting device the stack has a longitudinal axis. The longitudinal axis cuts all semiconductor chips. For example, runs the longitudinal axis in the direction of the major axis of the radiation emitting device with the largest extent or in the direction of an axis of symmetry of the device. The longitudinal axis can be a fictitious line.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung ist die Längsachse keine Gerade. Das heißt, die Längsachse kann die Form einer gebogenen und/oder gewundenen Linie haben. Zum Beispiel ist die Längsachse, und somit der Stapel, U-förmig oder spiralartig geformt, etwa ähnlich einem gebogenen Stab oder einem gebogenen Rohr.At least an embodiment of the radiation-emitting device the longitudinal axis is not a straight line. That is, the Longitudinal axis may be the shape of a curved and / or tortuous Have line. For example, the longitudinal axis, and thus the stack, U-shaped or spiral-shaped, something similar a bent bar or a curved tube.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung weist die Längsachse mindestens einen Krümmungsradius auf, wobei der Krümmungsradius mindestens die Hälfte eines Durchmessers der Halbleiterchips in einer Richtung senkrecht zur Längsachse beträgt. Bevorzugt ist der mindestens eine Krümmungsradius größer als der Durchmesser der Halbleiterchips. Bevorzugt beträgt der Krümmungsradius mindestens 1 mm, insbesondere mindestens 10 mm.At least an embodiment of the radiation-emitting device the longitudinal axis has at least one radius of curvature, the radius of curvature being at least half a diameter of the semiconductor chips in a direction perpendicular to the longitudinal axis. Preferably, the at least a radius of curvature greater than the diameter the semiconductor chips. The radius of curvature is preferably at least 1 mm, in particular at least 10 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung erfolgt eine Hauptabstrahlung der Vorrichtung bezüglich der Längsachse des Stapels lateral. Beispielsweise hat eine winkelabhängige Intensitätsverteilung in einer Richtung senkrecht zur Längsachse des Stapels ein Maximum. Die von der Vorrichtung emittierte Strahlung kann eine Intensitätsverteilung aufweisen, die der Intensitätsverteilung bezüglich des Abstrahlwinkels eines Hertzschen Dipols oder eines Dipolstrahlers ähnelt oder entspricht. Bei einer solchen Vorrichtung wird in eine Richtung parallel zur Längsachse keine oder vernachlässigbar wenig Strahlung emittiert. Es ist möglich, dass die gesamte von der Vorrichtung emittierte Strahlung über Abstrahlflächen emittiert wird, wobei die Abstrahlflächen einen Normalenvektor aufweisen, der im Rahmen von Herstellungstoleranzen senkrecht zur Längsachse des Stapels orientiert ist.At least an embodiment of the radiation-emitting device there is a main radiation of the device with respect the longitudinal axis of the stack lateral. For example, one has angle-dependent intensity distribution in one direction perpendicular to the longitudinal axis of the stack a maximum. The of The radiation emitted by the device can have an intensity distribution with respect to the intensity distribution of the radiation angle of a Hertzian dipole or a dipole radiator or corresponds. In such a device is in one direction none or negligible parallel to the longitudinal axis emitted little radiation. It is possible that the whole emitted by the device radiation emitted via radiating surfaces is, wherein the radiating surfaces have a normal vector, in the context of manufacturing tolerances perpendicular to the longitudinal axis the stack is oriented.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung beträgt ein Abstand zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips in Richtung der Längsachse mindestens 1 mm. Mit anderen Worten sind die einander zugewandten Hauptseiten der benachbarten Halbleiterchips mindestens 1 mm voneinander entfernt. Der Abstand kann auch mindestens 2 mm, insbesondere mindestens 3 mm betragen.At least an embodiment of the radiation-emitting device is a distance between two adjacent semiconductor chips in the direction of the longitudinal axis at least 1 mm. With others Words are the facing main sides of the adjacent Semiconductor chips at least 1 mm apart. The distance can also at least 2 mm, in particular at least 3 mm.

In mindestens einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung umfasst diese mindestens zwei optoelektronische Halbleiterchips, wobei die Halbleiterchips in einem Stapel übereinander angeordnet sind. Eine Hauptabstrahlung der Vorrichtung erfolgt bezüglich einer Längsachse des Stapels lateral. Ein Abstand zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips in Richtung der Längsachse beträgt mindestens 1 mm.In at least one embodiment of the radiation emitting Device comprises these at least two optoelectronic semiconductor chips, wherein the semiconductor chips arranged one above the other in a stack are. A main emission of the device takes place with respect to a longitudinal axis of the stack laterally. A distance between two adjacent semiconductor chips in the direction of the longitudinal axis is at least 1 mm.

Eine solche Strahlung emittierende Vorrichtung kann hinsichtlich ihrer Form wie eine Leuchtstoffröhre oder wie eine Energiesparlampe gestaltet sein und ist zu Zwecken der Allgemeinbeleuchtung einsetzbar.A Such a radiation-emitting device can with regard to their Shape like a fluorescent tube or as an energy-saving lamp be designed and can be used for general lighting purposes.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung berühren sich entlang der Längsachse angeordnete, benachbarte Halbleiterchips nicht. Mit Ausnahme eines ersten und eines letzten Halbleiterchips des Stapels weist, entlang der Längsachse, jeder Halbleiterchip zwei benachbarte Halbleiterchips auf.At least an embodiment of the radiation-emitting device touch arranged along the longitudinal axis, adjacent semiconductor chips not. Except for a first and a last semiconductor chip of the stack has, along the longitudinal axis, each semiconductor chip on two adjacent semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung beträgt ein Abstand zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips entlang der Längsachse höchstens 100 mm, insbesondere höchstens 10 mm.At least an embodiment of the radiation-emitting device is a distance between two adjacent semiconductor chips along the longitudinal axis at most 100 mm, in particular at most 10 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung befindet sich zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips zumindest ein elektrischer Kontaktpunkt, über den die benachbarten Halbleiterchips elektrisch miteinander verbunden sind. Beispielsweise befindet sich der Kontaktpunkt auf der Hauptseite des Halbleiterchips. Der Kontaktpunkt nimmt, im Vergleich zur gesamten Hauptfläche des Halbleiterchips, bevorzugt nur eine geringe Fläche ein, beispielsweise weniger als 20% oder weniger als 5%. Der Kontaktpunkt kann als Lötkontakt ausgestaltet sein.At least an embodiment of the radiation-emitting device is located between two adjacent semiconductor chips at least an electrical contact point over which the adjacent Semiconductor chips are electrically interconnected. For example is the contact point on the main side of the semiconductor chip. Of the Contact point takes, compared to the entire main surface of the semiconductor chip, preferably only a small area on, for example less than 20% or less than 5%. The contact point can be designed as a solder contact.

Ausgehend von dem Kontaktpunkt können sich über die Hauptfläche des Halbleiterchips zur Verbesserung und Homogenisierung der Stromeinspeisung etwa flächig gestaltete oder fingerartige Kontaktstrukturen befinden. Flächige Kontaktstrukturen können mit einem elektrisch leitfähigen transparenten Oxid, kurz TCO, gestaltet sein oder aus einem solchen bestehen. Fingerartige Kontaktstrukturen können mit einem Metall, etwa über Aufdampfen, erzeugt sein. Die Kontaktpunkte beziehungsweise die Strukturen zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterchips sind beispielsweise nicht rahmenförmig gestaltet. Beispielsweise bilden die Kontaktpunkte ein einfach zusammenhängendes Gebiet, so dass die Kontaktpunkte etwa keine Fläche vollständig umgeben oder einschließen, die nicht von einem Material der Kontaktpunkte bedeckt ist. Die Kontaktpunkte haben zum Beispiel einen runden oder kreisförmigen Grundriss. Das heißt, eine Projektion der Kontaktpunkte auf eine Ebene parallel zu den Hauptflächen der Halbleiterchips weist eine runde oder kreisförmige Gestaltung auf.outgoing from the contact point can be over the main surface of the semiconductor chip for improving and homogenizing the power supply approximately flat or finger-like contact structures are located. Flat contact structures can with an electrically conductive transparent oxide, TCO for short, be designed or consist of such. Finger-like contact structures can be generated with a metal, such as vapor deposition. The Contact points or the structures for electrical contacting For example, the semiconductor chips are not framed. For example, the contact points form a simply coherent one Area so that the contact points do not have any area completely surround or enclose, not of a material the contact points is covered. The contact points have, for example a round or circular floor plan. This means, a projection of the contact points on a plane parallel to the Major surfaces of the semiconductor chips has a round or circular design on.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung sind die Kontaktpunkte zweier benachbarter Halbleiterchips über wenigstens eine, insbesondere über genau eine elektrische Verbindung miteinander kontaktiert. Die elektrische Verbindung kann einen metallischen Draht umfassen oder als Leiterbahn gestaltet sein. Beispielsweise sind über die elektrische Verbindung die Halbleiterchips des Stapels elektrisch in Serie geschaltet. Es ist möglich, dass die elektrische Verbindung auch zur mechanischen Verbindung und/oder Befestigung der Halbleiterchips dient.At least an embodiment of the radiation-emitting device are the contact points of two adjacent semiconductor chips via at least one, in particular about exactly one electric Contacted each other. The electrical connection can comprise a metallic wire or designed as a conductor track be. For example, via the electrical connection, the Semiconductor chips of the stack electrically connected in series. It is possible that the electrical connection also to the mechanical Connection and / or attachment of the semiconductor chips is used.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung sind die Halbleiterchips als substratlose Dünnfilmchips gestaltet. Solche Halbleiterchips sind in der Druckschrift DE 10 2007 004 304 A1 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt hinsichtlich der dort beschriebenen Halbleiterchips sowie des dort beschriebenen Herstellungsverfahrens hiermit durch Rückbezug mit aufgenommen wird. Eine Dicke der Halbleiterchips in einer Richtung senkrecht zur Hauptfläche beträgt bevorzugt weniger als 20 μm, insbesondere weniger als 10 μm. Die Halbleiterchips weisen bevorzugt kein Aufwachssubstrat und kein Trägersubstrat auf. Die Halbleiterchips können aus einer epitaktisch gewachsenen, selbsttragenden Schichtenfolge bestehen, wobei die Halbleiterchips auf der Schichtenfolge aufgebrachte elektrische Kontaktstrukturen aufweisen können, deren Dicke bevorzugt kleiner ist als die Dicke der Schichtenfolge.In accordance with at least one embodiment of the radiation-emitting device, the semiconductor chips are designed as substrateless thin-film chips. Such semiconductor chips are in the document DE 10 2007 004 304 A1 described, the disclosure content of which is hereby incorporated by reference with respect to the semiconductor chips described therein and the manufacturing method described therein by reference. A thickness of the semiconductor chips in a direction perpendicular to the main surface is preferably less than 20 μm, in particular less than 10 μm. The semiconductor chips preferably have no growth substrate and no carrier substrate. The semiconductor chips may consist of an epitaxially grown, self-supporting layer sequence, wherein the semiconductor chips may have applied on the layer sequence applied electrical contact structures whose thickness is preferably smaller than the thickness of the layer sequence.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung ist der Abstand zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips größer als ein Hundertfaches, insbesondere größer als ein Fünfhundertfaches der Dicke der Halbleiterchips.At least an embodiment of the device is the distance between two adjacent semiconductor chips larger than one One hundred times, especially greater than five hundred times the thickness of the semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung sind zumindest zwei, bevorzugt alle Halbleiterchips dazu ausgestaltet, an zwei einander gegenüberliegenden Hauptseiten der Halbleiterchips die Strahlung zu emittieren. Mit anderen Worten kann die im Halbleiterchip erzeugte Strahlung diesen auf dessen beiden Hauptseiten verlassen. Die Halbleiterchips der Vorrichtung weisen also insbesondere kein Aufwachssubstrat auf, das bezüglich der im Betrieb des Halbleiterchips erzeugten Strahlung reflektiv oder absorptiv wirkt.At least an embodiment of the radiation-emitting device are at least two, preferably all semiconductor chips designed to on two opposite major sides of the semiconductor chips to emit the radiation. In other words, the generated in the semiconductor chip Radiation leave this on its two main sides. The semiconductor chips Thus, in particular, the device does not have a growth substrate. with respect to the generated during operation of the semiconductor chip Radiation is reflective or absorptive.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung ist diese, mindestens teilweise, zylinderartig gestaltet. Die Vorrichtung hat also zum Beispiel die Form eines runden Stabes, eines Kreiszylinders oder eine röhrenartige Form. Ebenso kann die Vorrichtung in Form ähnlich eines beliebigen mathematischen Zylinders gestaltet sein, der zwei zueinander parallele, ebene Flächen aufweist, die entlang ihrer Ränder über zueinander parallele Geraden miteinander verbunden sind.At least an embodiment of the radiation-emitting device this is, at least partially, cylinder-shaped. The device So, for example, has the shape of a round rod, a circular cylinder or a tubular shape. Likewise, the device in the form of any mathematical cylinder be designed, which has two mutually parallel, flat surfaces, along their edges parallel to each other Straight lines are connected to each other.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung weist diese einen Durchmesser ≥1 mm und ≤20 mm auf. Unter Durchmesser wird hierbei die mittlere Ausdehnung der Strahlung emittierenden Vorrichtung in einer Richtung senkrecht zur Längsachse bezeichnet. Umfasst die Vorrichtung wenigstens einen Kühlkörper und/oder wenigstens eine Wärmesenke, so kann die Vorrichtung zumindest ohne den Kühlkörper oder die Wärmesenke einen Durchmesser im genannten Wertebereich aufweisen. Die Ausdehnung der Strahlung emittierenden Vorrichtung in einer Richtung parallel zur Längsachse ist ≥5 mm, bevorzugt ≥50 mm, insbesondere ≥300 mm.According to at least one embodiment of the radiation-emitting device, this has a diameter ≥1 mm and ≤20 mm. Here, by diameter is meant the mean extent of the radiation-emitting device in a direction perpendicular to the longitudinal axis. If the device comprises at least one heat sink and / or at least one heat sink, then the Device have at least without the heat sink or the heat sink a diameter in said range of values. The extent of the radiation-emitting device in a direction parallel to the longitudinal axis is ≥5 mm, preferably ≥50 mm, in particular ≥300 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung ist das Verhältnis aus der Länge der Strahlung emittierenden Vorrichtung, längs der Längsachse, und dem Durchmesser der Strahlung emittierenden Vorrichtung, in eine Richtung senkrecht zur Längsachse, ≥10, insbesondere ≥50.At least an embodiment of the radiation-emitting device is the ratio of the length of the radiation emitting device, along the longitudinal axis, and the diameter of the radiation emitting device, into one Direction perpendicular to the longitudinal axis, ≥10, in particular ≥50.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung weist die Hauptabstrahlung eine rotationssymmetrische Abstrahlcharakteristik auf. Die Symmetrieachse ist hierbei bevorzugt durch die Längsachse des Stapels der Halbleiterchips gebildet. Mit anderen Worten ist die von der Vorrichtung emittierte Strahlung, die in einer bestimmten Richtung emittiert wird, im Rahmen der Herstellungs- und Messtoleranzen invariant gegenüber einer Drehung der Vorrichtung um die Rotations- beziehungsweise Längsachse.At least an embodiment of the radiation-emitting device the main emission has a rotationally symmetrical emission characteristic on. The symmetry axis is in this case preferably by the longitudinal axis formed of the stack of semiconductor chips. In other words the radiation emitted by the device that is in a particular Direction is emitted, within the scope of manufacturing and measuring tolerances invariant to rotation of the device around the Rotational or longitudinal axis.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung umfasst diese mindestens fünf, insbesondere mindestens 15 Halbleiterchips. Hierdurch ist eine besonders hell abstrahlende Vorrichtung realisierbar.At least an embodiment of the radiation-emitting device this includes at least five, in particular at least 15 semiconductor chips. This is a particularly bright emitting Device feasible.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung sind wenigstens zwei benachbarte Halbleiterchips, bevorzugt mindestens 80% der Halbleiterchips, insbesondere alle Halbleiterchips der Vorrichtung in Richtung der Längsachse deckungsgleich übereinander angeordnet. Das heißt, wird ein Halbleiterchip auf eine Ebene senkrecht zur Längsachse projiziert, so liegt beispielsweise die Projektion eines benachbarten Halbleiterchips im Rahmen der Herstellungs- und Messtoleranzen deckungsgleich über der Projektion des erstgenannten Halbleiterchips.At least an embodiment of the radiation-emitting device are at least two adjacent semiconductor chips, preferably at least 80% of the semiconductor chips, in particular all semiconductor chips of the device in the direction of the longitudinal axis congruent one above the other arranged. That is, a semiconductor chip on a Plane projected perpendicular to the longitudinal axis, so for example the projection of an adjacent semiconductor chip in the context of Manufacturing and measuring tolerances congruent over the Projection of the former semiconductor chip.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung befindet sich, in einer Richtung entlang der Längsachse, zwischen wenigstens zwei benachbarten Halbleiterchips ein Lichtleitermaterial. Bevorzugt befindet sich zwischen allen, jeweils benachbarten Halbleiterchips ein solches Lichtleitermaterial. Das Lichtleitermaterial ist zum Beispiel mit einem Glas, einem Kunststoff oder einer Flüssigkeit gebildet. Das Lichtleitermaterial ist durchlässig bezüglich der von den Halbleiterchips emittierten Strahlung. Insbesondere wirkt das Lichtleitermaterial streuend für die im Betrieb der Vorrichtung erzeugte Strahlung. Das Lichtleitermaterial kann Beimengungen enthalten, die die optischen und/oder mechanischen und/oder thermischen und/oder elektrischen Eigenschaften des Lichtleitermaterials gezielt beeinflussen.At least an embodiment of the radiation-emitting device is located, in a direction along the longitudinal axis, between at least two adjacent semiconductor chips an optical fiber material. Preferably located between all, each adjacent semiconductor chips such a light guide material. The light guide material is for Example with a glass, a plastic or a liquid educated. The optical fiber material is permeable with respect to the radiation emitted by the semiconductor chips. Especially the light guide material acts as a scattering for the in operation the device generated radiation. The optical fiber material may be admixtures containing the optical and / or mechanical and / or thermal and / or electrical properties of the optical fiber material targeted influence.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung ist mindestens ein Halbleiterchip in das Lichtleitermaterial eingebettet. Bevorzugt sind mehr als 80% der Halbleiterchips, insbesondere alle Halbleiterchips in das Lichtleitermaterial eingebettet. Eingebettet kann bedeuten, dass die Halbleiterchips vollständig von dem Lichtleitermaterial und von den Kontaktpunkten umgeben und eingeschlossen sind.At least an embodiment of the radiation-emitting device At least one semiconductor chip is embedded in the optical waveguide material. More than 80% of the semiconductor chips are preferred, in particular all Semiconductor chips embedded in the optical fiber material. Embedded may mean that the semiconductor chips completely from the optical fiber material and surrounded by the contact points and included are.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung sind die Halbeiterchips einzeln und/oder in Gruppen elektrisch ansteuerbar. Zum Beispiel sind alle Halbeiterchips eines Stapels und/oder alle Gruppen von Halbleiterchips elektrisch parallel geschaltet und unabhängig voneinander bestrombar. Weist die Vorrichtung mehrere Stapel auf, so können die verschiedenen Stapel elektrisch parallel zueinander geschaltet sein, wobei es in diesem Fall möglich ist, dass alle Halbleiterchips eines Stapels elektrisch in Serie geschaltet sind. Insbesondere sind alle Halbleiterchips eines Stapels oder alle Halbleiterchips der Vorrichtung, die in einem bestimmten Spektralbereich emittieren, zu einer Gruppe zusammengefasst.At least an embodiment of the radiation-emitting device the semiconductor chips are individually and / or electrically controllable in groups. For example, all semiconductor chips of a stack and / or all Groups of semiconductor chips electrically connected in parallel and independently supplied with current. If the device has several stacks, so can the different stacks electrically connected in parallel be, in which case it is possible that all semiconductor chips a stack are electrically connected in series. Especially are all semiconductor chips of a stack or all semiconductor chips the device emitting in a certain spectral range, grouped together.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung sind die elektrischen Verbindungen, mindestens teilweise, auf einer Außenfläche des Lichtleitermaterials, insbesondere auf der Abstrahlfläche, angebracht. Die elektrischen Verbindungen sind etwa als Leiterbahnen gestaltet, die zum Beispiel über ein Druck- oder Aufdampfverfahren auf das Lichtleitermaterial aufgebracht sind.At least an embodiment of the radiation-emitting device are the electrical connections, at least in part, on one Outer surface of the optical fiber material, in particular on the radiating surface, attached. The electrical connections are designed as conductive tracks, for example, over a printing or vapor deposition method applied to the optical fiber material are.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung sind wenigstens zwei benachbarte Halbleiterchips über ein im Wesentlichen nur in Richtung parallel zur Längsachse leitfähiges, strahlungsdurchlässiges Verbindungsmittel elektrisch miteinander verbunden. Beispielsweise weist das Verbindungsmittel eine Vielzahl dünner Kanäle parallel zur Längsachse auf, die mit einem elektrisch leitfähigen Material gefüllt sind. Diese Vielzahl von Kanälen mit dem elektrisch leitfähigen Material ist insbesondere mit den Kontaktpunkten der benachbarten Halbleiterchips verbunden, wodurch die elektrische Kontaktierung entsteht. Das elektrisch leitfähige Material in den Kanälen kann mit einem Metall, ein die Kanäle umgebendes Matrixmaterial des Substrats beispielsweise mit einem Glas gestaltet sein. Ein solches Verbindungsmittel, das scheibenartig geformt sein kann, weist keine oder nur eine vernachlässigbare Querleitfähigkeit, also eine elektrische Leitfähigkeit in einer Richtung senkrecht zur Längsachse, auf. Es ist möglich, dass die Halbleiterchips jeweils auf einem solchen Verbindungsmittel aufgebracht sind und mehrere derartiger Verbindungsmittel mit darauf aufgebrachten Halbleiterchips aufeinander gestapelt und miteinander elektrisch und mechanisch verbunden sind.In accordance with at least one embodiment of the radiation-emitting device, at least two adjacent semiconductor chips are electrically connected to one another via a radiation-transmissive connection means which is conductive essentially only in the direction parallel to the longitudinal axis. For example, the connecting means has a plurality of thin channels parallel to the longitudinal axis, which are filled with an electrically conductive material. This plurality of channels with the electrically conductive material is in particular connected to the contact points of the adjacent semiconductor chips, whereby the electrical contact is formed. The electrically conductive material in the channels can be designed with a metal, a matrix material of the substrate surrounding the channels, for example with a glass. Such a connecting means, which may be disc-shaped, has no or only a negligible transverse conductivity, ie an electrical conductivity in a direction perpendicular to Longitudinal axis, up. It is possible that the semiconductor chips are each applied to such a connecting means and a plurality of such connecting means are stacked thereon with semiconductor chips and electrically and mechanically connected to each other.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung ist ein Winkel zwischen einem Normalenvektor der Hauptseite von wenigstens einem der Halbleiterchips und der Längsachse kleiner als 3°. Mit anderen Worten sind die Halbleiterchips so orientiert, dass die Normalenvektoren der Hauptseiten der Halbleiterchips im Wesentlichen parallel zur Längsachse des Stapels der Halbleiterchips orientiert sind. Die Hauptabstrahlung der Vorrichtung erfolgt dann also im Wesentlichen in eine Richtung parallel zu den Hauptseiten des wenigstens einen Halbleiterchips.At least an embodiment of the radiation-emitting device is an angle between a normal vector of the main page of at least one of the semiconductor chips and the longitudinal axis less than 3 °. In other words, the semiconductor chips oriented such that the normal vectors of the main sides of the semiconductor chips substantially parallel to the longitudinal axis of the stack of semiconductor chips are oriented. The main radiation of the device then takes place essentially in one direction parallel to the main pages the at least one semiconductor chip.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung liegt ein Winkel zwischen dem Normalenvektor der Hauptseite wenigstens eines Halbleiterchips und der Längsachse zwischen einschließlich 10° und 45°. Mit anderen Worten sind die Halbleiterchips gegenüber der Längsachse verkippt. Ebenso ist es möglich, dass benachbarte Halbleiterchips sowohl gegenüber der Längsachse verkippt als auch gegeneinander beispielsweise um 90° gedreht sind. Eine solche Anordnung der Halbleiterchips ermöglicht eine effiziente Hauptabstrahlung in eine Richtung senkrecht zur Längsachse und eine homogene, rotationssymmetrische Abstrahlung der Vorrichtung.At least an embodiment of the radiation-emitting device is an angle between the normal vector of the main page at least a semiconductor chip and the longitudinal axis between inclusive 10 ° and 45 °. In other words, the semiconductor chips tilted relative to the longitudinal axis. Likewise is it is possible for neighboring semiconductor chips both opposite the longitudinal axis tilted as well as against each other, for example rotated by 90 °. Such an arrangement of the semiconductor chips enables efficient main emission in one direction perpendicular to the longitudinal axis and a homogeneous, rotationally symmetric Radiation of the device.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung ist diese, wenigstens zum Teil, U-förmig gestaltet. Mit anderen Worten können wenigstens zwei bezüglich ihrer Längsachsen zueinander parallel angeordnete Stapel von Halbleiterchips über zum Beispiel ein Lichtleitermaterial verbunden sein, so dass sich eine U-förmige Struktur ergibt. Es ist ebenso möglich, dass mehrere U-förmige Strukturen miteinander kombiniert werden. Hierdurch ist ein Leuchtmittel realisierbar, das bezüglich der äußeren Form ähnlich einer Energiesparlampe gestaltet ist.At least an embodiment of the radiation-emitting device this is, at least in part, designed U-shaped. With In other words, at least two may be related their longitudinal axes mutually parallel stack of semiconductor chips via, for example, a light guide material be connected, so that there is a U-shaped structure. It is also possible that several U-shaped Structures are combined with each other. This is a bulb feasible, with respect to the outer Shape is designed similar to an energy-saving lamp.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung ist diese mit einem Hohlzylinder gestaltet, dessen Symmetrieachse parallel zur Längsachse des Stapels orientiert ist. In dem Hohlzylinder befindet sich wenigstens ein, bevorzugt alle Halbleiterchips des mindestens einen Stapels beziehungsweise der Vorrichtung.At least an embodiment of the device is this with a Hollow cylinder designed whose axis of symmetry parallel to the longitudinal axis the stack is oriented. In the hollow cylinder is at least a, preferably all semiconductor chips of the at least one stack or the device.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung erfolgt eine Kühlung der Halbleiterchips wenigstens teilweise über eine Gas- und/oder Flüssigkeitskonvektion. Beispielsweise sind die Halbleiterchips in einem Hohlzylinder angebracht, in dem ein Gas und/oder eine Flüssigkeit zirkuliert oder den ein Gas und/oder eine Flüssigkeit durchströmt. Das Gas und/oder die Flüssigkeit sind bezüglich der von der Vorrichtung erzeugten Strahlung bevorzugt durchlässig. Erfolgt die Kühlung über eine Flüssigkeit, so weist die Flüssigkeit bevorzugt einen Brechungsindex auf, der zwischen dem der Halbleiterchips und dem des Materials des Hohlzylinders liegt.At least an embodiment of the radiation-emitting device Cooling of the semiconductor chips takes place at least partially over a gas and / or liquid convection. For example the semiconductor chips are mounted in a hollow cylinder in which a gas and / or a liquid circulates or enters Gas and / or a liquid flows through. The Gas and / or the liquid are with respect to the radiation generated by the device preferably permeable. If the cooling takes place via a liquid, thus, the liquid preferably has a refractive index on, between the semiconductor chips and the material of the hollow cylinder is located.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung umfasst diese mindestens eine Wärmesenke. Die Wärmesenke ist zum Beispiel mit einem Metall gestaltet und steht bevorzugt in thermischem Kontakt zu mindestens einem Halbleiterchip. Es ist möglich, dass jedem Halbleiterchip der Vorrichtung genau eine Wärmesenke zugeordnet ist. Bevorzugt weist die Wärmesenke eine hohe thermische Leitfähigkeit und eine hohe Wärmekapazität auf, so dass Wärme, die im Betrieb der Halbleiterchips entsteht, von der Wärmesenke aufgenommen und von den Halbleiterchips abgeleitet werden kann.At least an embodiment of the radiation-emitting device this includes at least one heat sink. The heat sink is designed for example with a metal and is preferably in thermal Contact to at least one semiconductor chip. It is possible, that each semiconductor chip of the device assigned exactly one heat sink is. Preferably, the heat sink has a high thermal Conductivity and high heat capacity on, allowing heat in the operation of the semiconductor chips arises, absorbed by the heat sink and the semiconductor chips can be derived.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung ist an Stirnflächen des Lichtleitermaterials jeweils mindestens ein Halbleiterchip angebracht. An den Hauptflächen dieser Halbleiterchips, die dem Lichtleitermaterial abgewandt sind, befindet sich jeweils mindestens eine Wärmesenke. Zwischen Wärmesenken und Halbleiterchips kann sich wenigstens eine Beschichtung befinden, die zum Beispiel von den Halbleiterchips emittierte Strahlung reflektiert.At least an embodiment of the radiation-emitting device is at least one at end faces of the optical fiber material Semiconductor chip attached. On the main surfaces of these semiconductor chips, which are remote from the light guide material is located respectively at least one heat sink. Between heat sinks and semiconductor chips may be at least one coating, which reflects, for example, radiation emitted by the semiconductor chips.

Die Stirnflächen sind hierbei insbesondere solche Flächen des Lichtleitermaterials, die nicht zur Emission von Strahlung vorgesehen sind. Ist das Lichtleitermaterial zum Beispiel als Kreiszylinder geformt, so stellen Boden- und Deckflächen des Kreiszylinders die Stirnflächen dar.The End surfaces are in particular such surfaces of the optical fiber material that is not intended to emit radiation are. Is the light guide material, for example, as a circular cylinder shaped, so make the bottom and top surfaces of the circular cylinder the end faces.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung ist mindestens eine der Wärmesenken, bevorzugt genau zwei Wärmesenken, in Form einer Steckverbindung gestaltet. Über eine solche Wärmesenke kann die Vorrichtung an einer externen Anschlusseinrichtung befestigt und/oder damit elektrisch verbunden werden.At least an embodiment of the radiation-emitting device is at least one of the heat sinks, preferably exactly two heat sinks, designed in the form of a plug connection. About such Heat sink, the device to an external connection device attached and / or electrically connected.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung sind in einer Richtung senkrecht zur Längsachse wenigstens zwei Halbleiterchips nebeneinander, also lateral, angeordnet. Die nebeneinander angeordneten Halbleiterchips befinden sich beispielsweise in einer Ebene senkrecht zur Längsachse. Diese Halbleiterchips können auf einem gemeinsamen Träger, etwa einer Glasplatte, aufgebracht sein. Bevorzugt emittieren die nebeneinander angeordneten Halbleiterchips in voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen. Die Hauptflächen der nebeneinander angeordneten Halbleiterchips weisen bevorzugt in dieselbe Richtung, beispielsweise in Richtung der Längsachse. Das heißt, die Normalenvektoren der Hauptflächen sind dann parallel zur Längsachse orientiert.According to at least one embodiment of the radiation-emitting device, at least two semiconductor chips are arranged next to one another, ie laterally, in a direction perpendicular to the longitudinal axis. The juxtaposed semiconductor chips are, for example, in a plane perpendicular to the longitudinal axis. These semiconductor chips may be applied to a common carrier, such as a glass plate. Preferably emit the juxtaposed semiconductor chips in mutually different wavelength ranges. The main surfaces of the semiconductor chips arranged side by side preferably point in the same direction, for example in the direction of the longitudinal axis. That is, the normal vectors of the major surfaces are then oriented parallel to the longitudinal axis.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung sind drei Halbleiterchips in einer Ebene senkrecht zur Längsachse nebeneinander angeordnet. Einer dieser Halbleiterchips emittiert bevorzugt im roten, ein weiterer Halbleiterchip im grünen und ein dritter Halbleiterchip im blauen Spektralbereich. Hierdurch ist eine weißes Licht abstrahlende Vorrichtung erzielbar.At least an embodiment of the radiation-emitting device are three semiconductor chips in a plane perpendicular to the longitudinal axis arranged side by side. One of these semiconductor chips emits preferably in the red, another semiconductor chip in the green and a third semiconductor chip in the blue spectral range. hereby a white light radiating device is achievable.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung weisen die Halbleiterchips einen quadratischen, einen rechteckigen, einen hexagonalen, einen kreisförmigen, einen dreieckigen oder einen rautenförmigen Grundriss auf.At least an embodiment of the radiation-emitting device the semiconductor chips have a square, a rectangular, a hexagonal, a circular, a triangular or a diamond-shaped floor plan.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung sind die Halbleiterchips in einem Hohlzylinder angeordnet, der ein Glas aufweist. Ein solcher Hohlzylinder bietet den Halbleiterchips Schutz gegenüber äußeren Einflüssen und weist eine hohe Durchlässigkeit bezüglich der von der Vorrichtung erzeugten Strahlung auf. Die Halbleiterchips können in dem Hohlzylinder zum Beispiel luftdicht abgeschlossen sein.At least an embodiment of the radiation-emitting device the semiconductor chips are arranged in a hollow cylinder, the one Glass has. Such a hollow cylinder provides the semiconductor chips Protection against external influences and has a high permeability with respect to the radiation generated by the device. The semiconductor chips can be hermetically sealed in the hollow cylinder, for example be.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung umfasst diese optische Streuelemente, die zwischen zumindest zwei benachbarten Halbleiterchips angebracht sind. Beispielsweise können die optischen Streuelemente sich in dem Lichtleitermaterial befinden oder einem solchen Material beigegeben sein.At least an embodiment of the radiation-emitting device includes these optical scattering elements between at least two adjacent semiconductor chips are mounted. For example, you can the optical scattering elements are located in the optical fiber material or be added to such a material.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung befindet sich zwischen zumindest zwei benachbarten Halbleiterchips ein heterogen aufgebautes Dielektrikum. Ein solches Dielektrikum kann verschiedene Materialien mit unterschiedlichen Brechungsindizes aufweisen, so dass das von den Halbleiterchips erzeugte Licht in eine Richtung senkrecht zur Längsachse des Stapels der Halbleiterchips umgelenkt wird. Ein solches heterogen aufgebautes Dielektrikum kann prismenartige Strukturen und/oder Streuelemente mit Facetten aufweisen.At least an embodiment of the radiation-emitting device is located between at least two adjacent semiconductor chips a heterogeneous dielectric. Such a dielectric can use different materials with different refractive indices so that the light generated by the semiconductor chips in a Direction perpendicular to the longitudinal axis of the stack of semiconductor chips is diverted. Such a heterogeneous dielectric can have prism-like structures and / or scattering elements with facets.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung bestehen die Halbleiterchips aus der epitaktischen Schichtenfolge und aus den elektrischen Kontaktstrukturen, deren Dicke kleiner ist als die Dicke der Schichtenfolge. Die Halbleiterchips sind mechanisch über das Lichtleitermaterial miteinander verbunden, das stabartig geformt ist. Die Halbleiterchips sind über die elektrischen Verbindungen elektrisch in Serie geschaltet, wobei die elektrischen Verbindungen zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips im Lichtleitermaterial eingebettet sind. An Stirnflächen des Lichtleitermaterials befinden sich elektrische Anschlussvorrichtungen zum elektrischen und optional zum mechanischen Anschließen der Strahlung emittierenden Vorrichtung. Eine solche Strahlung emittierende Vorrichtung kann die äußere Form einer Leuchtstoffröhre oder einer Energiesparlampe einnehmen.At least an embodiment of the radiation-emitting device the semiconductor chips consist of the epitaxial layer sequence and from the electrical contact structures whose thickness is smaller is the thickness of the layer sequence. The semiconductor chips are mechanically over the optical fiber material connected to each other, the rod-shaped is. The semiconductor chips are over the electrical connections electrically connected in series, the electrical connections between two adjacent semiconductor chips in the optical fiber material are embedded. At end faces of the optical fiber material are electrical connection devices for electrical and optionally for mechanically connecting the radiation emitting device. Such a radiation emitting device can be the outer shape of a fluorescent tube or an energy-saving lamp.

Weiterhin wird ein Leuchtmittel angegeben, das mindestens eine Strahlung emittierende Vorrichtung, beispielsweise wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben, umfasst.Farther a lamp is specified which emits at least one radiation Device, for example, as in connection with one or more of the above embodiments.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtmittels weist dieses eine elektrische Regeleinheit auf, so dass das Leuchtmittel über beispielsweise 50 Hz- oder 60 Hz-Wechselstrom mit einer Spannung von 115 V oder von 230 V betreibbar ist. Das Leuchtmittel kann ein Edison-Gewinde aufweisen, so dass das Leuchtmittel beispielsweise in eine Fassung für eine Glühbirne einschraubbar ist. Ebenso ist es möglich, dass das Leuchtmittel Steckverbindungen aufweist. Über solche Steckverbindungen ist das Leuchtmittel in Halterungen einsetzbar, die zum Beispiel für Leuchtstoffröhren Verwendung finden. Die äußeren Abmessungen des Leuchtmittels sind bevorzugt derart gestaltet, dass das Leuchtmittel mit der mindestens einen Strahlung emittierenden Vorrichtung anstelle etwa einer Leuchtstoffröhre oder einer Glühlampe eingesetzt werden kann.At least an embodiment of the bulb has this one electrical control unit on, so that the light source over For example, 50 Hz or 60 Hz alternating current with a voltage of 115 V or 230 V is operable. The bulb can be Edison thread, so that the bulb, for example screwed into a socket for a light bulb is. Likewise it is possible that the illuminant plug connections having. About such connectors is the bulb can be used in brackets, for example for fluorescent tubes Find use. The outer dimensions of the Illuminants are preferably designed such that the light source with the at least one radiation emitting device instead such as a fluorescent tube or a light bulb can be used.

Einige Anwendungsbereiche, in denen hier beschriebene Strahlung emittierende Vorrichtungen und/oder Leuchtmittel Verwendung finden können, sind etwa die Hinterleuchtung von Displays oder Anzeigeeinrichtungen. Weiterhin können die hier beschriebenen Vorrichtungen in Beleuchtungseinrichtungen zu Projektionszwecken, in Scheinwerfern oder Lichtstrahlern sowie in der Allgemeinbeleuchtung eingesetzt werden.Some Areas of application in which radiation-emitting radiation described here Devices and / or bulbs can be used such as the backlight of displays or displays. Furthermore, the devices described herein can be used in Lighting devices for projection purposes, in headlamps or Light emitters and in general lighting can be used.

Nachfolgend wird eine hier beschriebene Vorrichtung unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt. Vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.following is a device described herein with reference to the Drawing on the basis of embodiments closer explained. The same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, they are not to scale References shown. Rather, individual elements shown in an exaggerated way for a better understanding be.

Es zeigen:It demonstrate:

1 eine schematische dreidimensionale Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer hier beschriebenen Strahlung emittierenden Vorrichtung, 1 3 shows a schematic three-dimensional representation of an exemplary embodiment of a radiation-emitting device described here,

2 schematische Draufsichten von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Vorrichtungen, 2 schematic plan views of embodiments of devices described herein,

3 bis 9 schematische Darstellungen von weiteren Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Strahlung emittierenden Vorrichtungen, 3 to 9 schematic representations of further embodiments of radiation emitting devices described herein,

10 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Leuchtmittels mit einer Strahlung emittierenden Vorrichtung, und 10 a schematic representation of an embodiment of a luminous means described herein with a radiation-emitting device, and

11 eine schematische Seitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer hier beschriebenen Strahlung emittierenden Vorrichtung. 11 a schematic side view of another embodiment of a radiation emitting device described herein.

In 1 ist ein Ausführungsbeispiel einer Strahlung emittierenden Vorrichtung 1 dargestellt. Substratlose Dünnfilm-Halbleiterchips 2 sind in einem Stapel 3 angeordnet. Der Stapel 3 weist eine Längsachse A auf, die entlang der Richtung der größten Ausdehnung der Strahlung emittierenden Vorrichtung 1 verläuft. Die Halbleiterchips 2 weisen jeweils zwei einander gegenüberliegende Hauptseiten 20 auf, über die die im Halbleiterchip 2 erzeugte Strahlung im Wesentlichen diesen verlässt. Eine Dicke T der Halbleiterchips 2 beträgt zirka 6 μm.In 1 is an embodiment of a radiation emitting device 1 shown. Substrate-free thin-film semiconductor chips 2 are in a pile 3 arranged. The stack 3 has a longitudinal axis A along the direction of greatest extension of the radiation emitting device 1 runs. The semiconductor chips 2 each have two opposite main sides 20 on, over that in the semiconductor chip 2 generated radiation substantially leaves this. A thickness T of the semiconductor chips 2 is about 6 microns.

Die Halbleiterchips 2 des Stapels 3 sind in einem Lichtleitermaterial 5 eingebettet. Das Lichtleitermaterial 5 hat die Form eines zylindrischen Stabes. Eine Abstrahlfläche 9 bildet eine äußere Begrenzungsfläche des Lichtleitermaterials 5. Die Abstrahlfläche 9 weist hierbei von der Längsachse A weg. Stirnflächen 12 des Lichtleitermaterials 5 sind parallel zu den Hauptseiten 20 der Halbleiterchips 2 ausgerichtet. Es verlässt die von den Halbleiterchips 2 erzeugte Strahlung die Vorrichtung 1 über die Abstrahlfläche 9. Über die Stirnflächen 12 tritt keine oder nur vernachlässigbar wenig Strahlung aus der Vorrichtung 1 aus.The semiconductor chips 2 of the pile 3 are in a fiber optic material 5 embedded. The light guide material 5 has the shape of a cylindrical rod. A radiating surface 9 forms an outer boundary surface of the optical fiber material 5 , The radiating surface 9 hereby points away from the longitudinal axis A. faces 12 of the optical fiber material 5 are parallel to the main pages 20 the semiconductor chips 2 aligned. It leaves the of the semiconductor chips 2 Radiation generated the device 1 over the radiating surface 9 , About the faces 12 occurs no or only negligible little radiation from the device 1 out.

Die Halbleiterchips 2 sind derart angeordnet, dass ein Normalenvektor N der Hauptflächen 20 der Halbleiterchips 2 parallel zur Längsachse A orientiert ist. Ein Abstand D zwischen den einander zugewandten Hauptflächen 20 von benachbarten Halbleiterchips 2 ist größer als 3 mm. Das Verhältnis aus Abstand D zwischen benachbarten Halbleiterchips 2 und der Dicke T der Halbleiterchips 2 ist somit größer als 500. Die Halbleiterchips 2 liegen bezüglich der Längsachse A deckungsgleich übereinander. Mit anderen Worten liegen Projektionen der Halbleiterchips 2 auf eine Ebene senkrecht zur Längsachse A übereinander.The semiconductor chips 2 are arranged such that a normal vector N of the major surfaces 20 the semiconductor chips 2 oriented parallel to the longitudinal axis A. A distance D between the facing major surfaces 20 from adjacent semiconductor chips 2 is greater than 3 mm. The ratio of distance D between adjacent semiconductor chips 2 and the thickness T of the semiconductor chips 2 is thus greater than 500. The semiconductor chips 2 lie congruent with respect to the longitudinal axis A one above the other. In other words, there are projections of the semiconductor chips 2 on a plane perpendicular to the longitudinal axis A one above the other.

In 2 sind verschiedene schematische Draufsichten auf Strahlung emittierende Vorrichtungen 1 gezeigt. Die Längsachse A der Vorrichtungen 1 ist in 2 jeweils senkrecht zur Zeichenebene orientiert und nicht gezeichnet.In 2 Figures 8 and 9 are various schematic plan views of radiation emitting devices 1 shown. The longitudinal axis A of the devices 1 is in 2 each oriented perpendicular to the plane and not drawn.

Gemäß 2A weisen die Halbleiterchips 2 einen quadratischen Grundriss auf. Die Halbleiterchips 2 sind von einem stabförmigen Lichtleitermaterial 5 umgeben beziehungsweise in dieses eingebettet. Das Lichtleitermaterial 5 umfasst beispielsweise ein Glas oder einen Kunststoff. Die Abstrahlfläche 9 des Lichtleitermaterials 5 kann eine Beschichtung, Aufrauung oder Strukturierung aufweisen, so dass die Effizienz bezüglich der Auskopplung der von den Halbleiterchips 2 erzeugten Strahlung aus der Vorrichtung 1 heraus gesteigert ist.According to 2A have the semiconductor chips 2 a square floor plan. The semiconductor chips 2 are of a rod-shaped optical fiber material 5 surrounded or embedded in this. The light guide material 5 includes, for example, a glass or a plastic. The radiating surface 9 of the optical fiber material 5 may have a coating, roughening or structuring, so that the efficiency with respect to the coupling of the semiconductor chips 2 generated radiation from the device 1 out is increased.

Gemäß 2B weisen die Halbleiterchips 2 einen hexagonalen Grundriss, gemäß 2C einen runden Grundriss auf. Die Halbleiterchips 2 des Stapels 3 sind bezüglich der Längsachse A jeweils, im Rahmen der Herstellungstoleranzen, deckungsgleich angeordnet.According to 2 B have the semiconductor chips 2 a hexagonal floor plan, according to 2C a round floor plan. The semiconductor chips 2 of the pile 3 are arranged congruent with respect to the longitudinal axis A, respectively, in the context of manufacturing tolerances.

Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 2D sind drei Halbleiterchips 2a, 2b, 2c in einer Ebene senkrecht zur Längsachse A angeordnet. Die Halbleiterchips 2a, 2b, 2c weisen einen rautenartigen Grundriss auf. Hierdurch ist es ermöglicht, dass die Halbleiterchips 2a, 2b, 2c in der Ebene dicht gepackt werden können. Je einer der Halbleiterchips 2a, 2b, 2c emittiert im roten, grünen und blauen Spektralbereich, so dass sich insgesamt weißes Mischlicht ergeben kann. Zur gesteigerten Homogenisierung der von den einzelnen Halbleiterchips 2a, 2b, 2c erzeugten Strahlung können benachbarte Ebenen von Halbleiterchips 2a, 2b, 2c bezüglich der Längsachse A zueinander zum Beispiel um 120° gedreht sein.In the embodiment according to 2D are three semiconductor chips 2a . 2 B . 2c arranged in a plane perpendicular to the longitudinal axis A. The semiconductor chips 2a . 2 B . 2c have a diamond-shaped floor plan. This makes it possible for the semiconductor chips 2a . 2 B . 2c can be packed tightly in the plane. Depending on one of the semiconductor chips 2a . 2 B . 2c emitted in the red, green and blue spectral range, so that a total of white mixed light can result. For increased homogenization of the individual semiconductor chips 2a . 2 B . 2c generated radiation may be adjacent planes of semiconductor chips 2a . 2 B . 2c with respect to the longitudinal axis A to each other, for example, to be rotated by 120 °.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 2E sind die Halbleiterchips 2 des Stapels 3 nicht deckungsgleich angeordnet, sondern gegeneinander um die nicht gezeichnete Längsachse rotiert und lateral verschoben. Durch eine solche Anordnung der Halbleiterchips 2 kann der Farbeindruck der von der Vorrichtung 1 emittierten Strahlung in einem weiten Bereich, auch beispielsweise nur in bestimmten Regionen der Vorrichtung 1, eingestellt werden.According to the embodiment 2E are the semiconductor chips 2 of the pile 3 not congruently arranged, but rotated against each other about the non-illustrated longitudinal axis and laterally displaced. By such an arrangement of the semiconductor chips 2 the color impression can be that of the device 1 emitted radiation in a wide range, including, for example, only in certain regions of the device 1 to be discontinued.

Die Halbleiterchips 2 sind vom Lichtleitermaterial 5 umgeben, über das die Halbleiterchips 2 des Stapels 3 mechanisch starr miteinander verbunden sind. Das Lichtleitermaterial 5 ist hierbei zylinderartig geformt. Optional ist das Lichtleitermaterial 5 von einer Umhüllung 17 umgeben, die einen ellipsenartigen Grundriss aufweist. Die Umhüllung 17 kann als Hohlkörper gestaltet sein, so dass in der Umhüllung 17 das Lichtleitermaterial 5 mit dem Stapel 3 der Halbleiterchips 2 eingebracht werden kann und sich zwischen dem Lichtleitermaterial 5 und der Umhüllung 17 ein Hohlraum 21 befindet. Durch die Formgebung der Umhüllung 17 als Ellipse kann das Lichtleitermaterial 5 mit dem Stapel 3 definiert in der Umhüllung 17 platziert werden, durch die ellipsenartige Form ist eine Art Führungsschiene gebildet.The semiconductor chips 2 are of the optical fiber material 5 surrounded, over which the semiconductor chips 2 of the pile 3 mechanically rigidly connected. The light guide material 5 is shaped like a cylinder. Optional is the fiber optic material 5 from a serving 17 surrounded, which has an elliptical plan. The serving 17 can be designed as a hollow body, so that in the envelope 17 the optical fiber material 5 with the pile 3 the semiconductor chips 2 can be introduced and yourself between the optical fiber material 5 and the serving 17 a cavity 21 located. By the shaping of the wrapping 17 as an ellipse, the light guide material 5 with the pile 3 defined in the cladding 17 are placed by the elliptical shape a kind of guide rail is formed.

In dem Hohlraum 21 zwischen der Umhüllung 17 und dem Lichtleitermaterial 5 kann sich optional ein Kühlmedium 19 befinden. Über Konvektion des Kühlmediums 19, das ein Gas und/oder eine Flüssigkeit beinhaltet, kann im Betrieb der Vorrichtung 1 von den Halbleiterchips 2 erzeugte Wärme von diesen, mindestens zum Teil, abgeführt werden. Das Kühlmedium 19 ist bezüglich der von der Vorrichtung 1 im Betrieb erzeugten Strahlung durchlässig.In the cavity 21 between the serving 17 and the optical fiber material 5 can optionally be a cooling medium 19 are located. Via convection of the cooling medium 19 , which includes a gas and / or a liquid, may during operation of the device 1 from the semiconductor chips 2 generated heat from these, at least in part, be dissipated. The cooling medium 19 is with respect to that of the device 1 Radiation generated during operation.

In 3 ist die Verwendung einer Strahlung emittierenden Vorrichtung 1, etwa gemäß 1, in Verbindung mit einem Reflektor 16 illustriert, siehe schematische dreidimensionale Darstellung in 3A und schematische Seitenansicht in 3B. Über den Reflektor 16 kann die Abstrahlcharakteristik der von der Vorrichtung 1 emittierten Hauptabstrahlung gezielt eingestellt werden. Gemäß 3B beträgt ein Anteil f des Stapels 3 beziehungsweise des Lichtleitermaterials 5, der sich innerhalb des Reflektors 16 befindet, etwa 50% eines Durchmessers d des Lichtleitermaterials 5. Um zum Beispiel eine stärkere Fokussierung der Strahlung zu erzielen, ist der Anteil f größer zu wählen.In 3 is the use of a radiation emitting device 1 , according to 1 , in conjunction with a reflector 16 illustrated, see schematic three-dimensional representation in 3A and schematic side view in 3B , About the reflector 16 the radiation characteristic of the device 1 emitted main radiation can be adjusted. According to 3B is a fraction f of the stack 3 or the optical fiber material 5 that is inside the reflector 16 is about 50% of a diameter d of the optical fiber material 5 , For example, to achieve a stronger focusing of the radiation, the proportion f should be greater.

Die Vorrichtung 1, wie in 4 dargestellt, weist einen Hohlzylinder 7 auf, der ein Glas oder einen Kunststoff beinhaltet. Die Halbleiterchips 2 des Stapels 3 sind längs der Längsachse A innerhalb des Hohlzylinders 7 angebracht. Die Abstrahlfläche 9 ist von einer der Längsachse A abgewandten Außenfläche des Hohlzylinders 7 gebildet.The device 1 , as in 4 shown, has a hollow cylinder 7 on, which includes a glass or a plastic. The semiconductor chips 2 of the pile 3 are along the longitudinal axis A within the hollow cylinder 7 appropriate. The radiating surface 9 is of a longitudinal axis A remote from the outer surface of the hollow cylinder 7 educated.

Optional kann im Hohlzylinder 7 das Kühlmedium 19 in Form eines Gases oder einer Flüssigkeit zirkulieren, um im Betrieb der Vorrichtung 1 eine hohe Wärmeabfuhr von den Halbleiterchips 2 weg zu gewährleisten. Über das Kühlmedium 19 kann eine Anpassung des optischen Brechungsindex zwischen Halbleiterchips 2 und Hohlzylinder 7 erfolgen. Es ist möglich, dass das Kühlmedium 19 gleichzeitig das Lichtleitermaterial 5 bildet.Optionally, in the hollow cylinder 7 the cooling medium 19 in the form of a gas or a liquid to circulate during operation of the device 1 a high heat dissipation from the semiconductor chips 2 to ensure away. About the cooling medium 19 may be an adjustment of the optical refractive index between semiconductor chips 2 and hollow cylinders 7 respectively. It is possible that the cooling medium 19 at the same time the optical fiber material 5 forms.

Eine schematische Seitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Strahlung emittierenden Vorrichtung 1 ist in 5 gezeigt. Der Durchmesser d der Vorrichtung 1 beträgt zirka 1 mm, eine Länge L der Vorrichtung 1 entlang der Längsachse A beträgt in etwa 50 mm. Die Dicke T der Halbleiterchips 2 liegt bei ungefähr 10 μm. Die Hauptflächen 20 der Halbleiterchips 2 sind senkrecht zur Abstrahlfläche 9 orientiert.A schematic side view of another embodiment of a radiation-emitting device 1 is in 5 shown. The diameter d of the device 1 is about 1 mm, a length L of the device 1 along the longitudinal axis A is approximately 50 mm. The thickness T of the semiconductor chips 2 is about 10 microns. The main surfaces 20 the semiconductor chips 2 are perpendicular to the radiating surface 9 oriented.

An den Hauptseiten 20 der Halbleiterchips 2 befindet sich in etwa mittig ein Kontaktpunkt 4. Die Kontaktpunkte 4 von benachbarten Halbleiterchips 2 sind über eine elektrische Verbindung 11 elektrisch leitend miteinander verbunden und somit elektrisch in Serie geschaltet. Die elektrische Verbindung 11 kann in Form eines Drahtes gestaltet sein, der im Lichtleitermaterial 5 zum Beispiel über einen Spritz- oder Gießprozess eingebracht ist. Die Stirnflächen 12a, 12b der Vorrichtung 1 sind parallel zu den Hauptseiten 20 der Halbleiterchips 2 orientiert. Die Stirnfläche 12a ist durch das Lichtleitermaterial 5, die Stirnfläche 12b durch den Halbleiterchip 2 gebildet.On the main pages 20 the semiconductor chips 2 There is a contact point in about the middle 4 , The contact points 4 from adjacent semiconductor chips 2 are via an electrical connection 11 electrically connected to each other and thus electrically connected in series. The electrical connection 11 can be designed in the form of a wire in the optical fiber material 5 for example, is introduced via a spraying or casting process. The faces 12a . 12b the device 1 are parallel to the main pages 20 the semiconductor chips 2 oriented. The face 12a is through the optical fiber material 5 , the face 12b through the semiconductor chip 2 educated.

Optional können die Stirnflächen 12a, 12b mit einer Beschichtung 13 versehen sein. Beispielsweise ist die Beschichtung 13 reflektierend für die von den Halbleiterchips 2 im Betrieb der Vorrichtung 1 erzeugte Strahlung gestaltet, so dass keine Strahlung die Vorrichtung 1 über die Stirnflächen 12a, 12b verlässt. Das Lichtleitermaterial 5 kann für die von den Halbleiterchips 2 erzeugte Strahlung streuend wirken, so dass eine über die gesamte Abstrahlfläche 9 homogene Abstrahlung der Hauptabstrahlung gewährleistet ist. Hierdurch weist die von der Vorrichtung 1 emittierte Strahlung ein Intensitätsmaximum in einer Richtung senkrecht zur Längsachse A auf. Die Abstrahlcharakteristik der Vorrichtung 1 ähnelt oder entspricht in diesem Fall der eines Hertzschen Dipols oder eines Dipolstrahlers.Optionally, the end faces 12a . 12b with a coating 13 be provided. For example, the coating 13 reflective to that of the semiconductor chips 2 during operation of the device 1 generated radiation, so no radiation the device 1 over the faces 12a . 12b leaves. The light guide material 5 can for those of the semiconductor chips 2 produced radiation scattering effect, so that one over the entire radiating surface 9 homogeneous radiation of the main radiation is guaranteed. This shows that of the device 1 emitted radiation on an intensity maximum in a direction perpendicular to the longitudinal axis A. The emission characteristic of the device 1 in this case, it resembles or corresponds to that of a Hertzian dipole or a dipole radiator.

Befinden sich die Halbleiterchips 2, wie etwa gemäß 4, in einem Hohlzylinder 7, so können die elektrischen Verbindungen 11 auch zur mechanischen Verbindung oder Befestigung der Halbleiterchips 2 dienen, insbesondere falls die Vorrichtung 1 kein Lichtleitermaterial 5 aufweist, das die Halbleiterchips 2 einbettet.Are the semiconductor chips 2 , like according to 4 in a hollow cylinder 7 so can the electrical connections 11 also for mechanical connection or attachment of the semiconductor chips 2 serve, in particular if the device 1 no optical fiber material 5 comprising the semiconductor chips 2 embeds.

Anders als in 5 dargestellt, können die elektrischen Verbindungen 11 auf der Abstrahlfläche 9 des Lichtleitermaterials 5 aufgebracht sein, zum Beispiel in Form von dünnen Leiterbahnen, die optische Eigenschaften der Vorrichtung 1 nicht oder nicht signifikant beeinflussen.Unlike in 5 shown, the electrical connections 11 on the radiating surface 9 of the optical fiber material 5 be applied, for example in the form of thin interconnects, the optical properties of the device 1 not or not significantly affect.

In der Seitenansicht gemäß 6A ist der Halbleiterchip 2 mit der Hauptseite 20b auf einem Verbindungsmittel 6 aufgebracht. Das Verbindungsmittel 6 weist ein Matrixmaterial 22 auf, das aus Glas oder einem Kunststoff besteht. In das Verbindungsmittel 6 sind die elektrischen Verbindungen 11 in Form von mit einem Metall gefüllten Kanälen gestaltet. Das Verbindungsmittel 6 weist über den gesamten Durchmesser d hinweg eine Vielzahl von elektrischen Verbindungen 11 auf, so dass eine über die Hauptfläche 20b vergleichsweise homogene Bestromung des Halbleiterchips 2 möglich ist. Das Verbindungsmittel 6 mit den elektrischen Verbindungen 11 ist über die Kontaktpunkte 4, die als Lötreservoir geformt sein können, elektrisch mit dem Halbleiterchip 2 verbunden.In the side view according to 6A is the semiconductor chip 2 with the main page 20b on a lanyard 6 applied. The connecting means 6 has a matrix material 22 on, which consists of glass or a plastic. In the lanyard 6 are the electrical connections 11 designed in the form of channels filled with a metal. The connecting means 6 has across the entire diameter d across a variety of electrical connections 11 on, leaving one over the main surface 20b comparatively homogeneous energization of the semiconductor chip 2 is possible. The connecting means 6 with the electrical connections 11 is about the contact points 4 used as a solder reservoir can be formed electrically with the semiconductor chip 2 connected.

Die elektrischen Verbindungen 11 sind parallel zur Längsachse A ausgerichtet. Hierdurch weist das Verbindungsmittel 6 eine elektrische Leitfähigkeit nur oder überwiegend in eine Richtung parallel zur Längsachse A auf. Eine Querleitfähigkeit des Verbindungsmittels 6, in eine Richtung senkrecht zur Längsachse A, ist vernachlässigbar.The electrical connections 11 are aligned parallel to the longitudinal axis A. As a result, the connecting means 6 an electrical conductivity only or predominantly in a direction parallel to the longitudinal axis A. A transverse conductivity of the connecting means 6 , in a direction perpendicular to the longitudinal axis A, is negligible.

In 6B ist in einer schematischen Seitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung 1 zu sehen, bei dem eine Mehrzahl von Verbindungsmitteln 6 mit Halbleiterchips 2, wie etwa in 6A dargestellt, aufeinander gestapelt ist und somit den Stapel 3 bildet. Die elektrischen Verbindungen 11 sind in 6B nicht gezeichnet. Die Stirnfläche 12a ist vom Verbindungsmittel 6 gebildet, die Stirnfläche 12b vom Halbleiterchip 2. Optional können beide Stirnflächen 12a, 12b vom Verbindungsmittel 6 oder von den Halbleiterchips 2 gebildet sind und auch eine Beschichtung, etwa gemäß 5, aufweisen.In 6B is a schematic side view of another embodiment of a device 1 see, in which a plurality of connecting means 6 with semiconductor chips 2 , like in 6A shown, stacked on each other and thus the stack 3 forms. The electrical connections 11 are in 6B not drawn. The face 12a is from the lanyard 6 formed, the end face 12b from the semiconductor chip 2 , Optionally, both end faces 12a . 12b from the lanyard 6 or from the semiconductor chips 2 are formed and also a coating, approximately according to 5 , exhibit.

Die Verbindungsmittel 6 weisen eine vergleichsweise große Dicke auf, verglichen mit den Halbleiterchips 2. Somit ist es möglich, dass ein Durchmesser d der Vorrichtung 1 im Bereich mehrerer Millimeter realisiert werden kann. Die Länge L der Vorrichtung 1 ist über die Anzahl an Verbindungsmitteln 6 mit Halbleiterchips 2, die übereinander gestapelt sind, auf eine effiziente Weise einstellbar und variierbar.The connecting means 6 have a comparatively large thickness compared to the semiconductor chips 2 , Thus, it is possible that a diameter d of the device 1 can be realized in the range of several millimeters. The length L of the device 1 is about the number of liaison devices 6 with semiconductor chips 2 that are stacked on top of each other are adjustable and variable in an efficient manner.

Die Hauptflächen 20 der Halbleiterchips 2, wie in 7 dargestellt, sind mit einer Aufrauung 14 versehen, um die Lichtauskoppeleffizienz aus dem Halbleiterchip 2 heraus zu verbessern. Begrenzungsflächen der Halbleiterchips 2, deren Normalenvektor senkrecht zur Längsachse A orientiert ist, sind mit einer Passivierung 15 versehen. Die Passivierung 15 kann für die von den Halbleiterchips 2 erzeugte elektromagnetische Strahlung reflektierend wirken oder durchlässig gestaltet sein.The main surfaces 20 the semiconductor chips 2 , as in 7 shown are with a roughening 14 provided to the Lichtauskoppeleffizienz from the semiconductor chip 2 to improve out. Boundary surfaces of the semiconductor chips 2 , whose normal vector is oriented perpendicular to the longitudinal axis A, are passivated 15 Mistake. The passivation 15 can for those of the semiconductor chips 2 generated electromagnetic radiation reflective effect or be made permeable.

An jeder Hauptseite 20 der Halbleiterchips 2 sind zwei der Kontaktpunkte 4 aufgebracht, die zum Beispiel einen kreisförmigen Grundriss aufweisen. Über die Kontaktpunkte 4 und die elektrischen Verbindungen 11 sind die Halbleiterchips 2 elektrisch in Serie geschaltet. Alternativ können die elektrischen Verbindungen 11 auch über die Abstrahlfläche 9 und die Passivierungen 15 geführt werden, so dass die Halbleiterchips 2 elektrisch parallel verschaltbar sind. Hierdurch kann beispielsweise der Farbpunkt der von der Vorrichtung 1 emittierten Strahlung im Betrieb variiert werden, insbesondere wenn die Halbleiterchips 2 Strahlung unterschiedlicher Wellenlängenbereiche emittieren.On every main page 20 the semiconductor chips 2 are two of the contact points 4 applied, for example, have a circular outline. About the contact points 4 and the electrical connections 11 are the semiconductor chips 2 electrically connected in series. Alternatively, the electrical connections 11 also over the radiating surface 9 and the passivations 15 be guided so that the semiconductor chips 2 electrically connected in parallel. As a result, for example, the color point of the device 1 emitted radiation during operation can be varied, especially if the semiconductor chips 2 Emit radiation of different wavelength ranges.

Zwischen den Halbleiterchips 2 befindet sich das Lichtleitermaterial 5. Dem Lichtleitermaterial 5 sind Streuelemente 8 beigegeben, über die eine Lichtauskoppeleffizienz über die Abstrahlfläche 9 erhöht werden kann. Das Lichtleitermaterial 5 ist also heterogen aufgebaut.Between the semiconductor chips 2 is the light guide material 5 , The optical fiber material 5 are scattering elements 8th added, via the light extraction efficiency over the radiating surface 9 can be increased. The light guide material 5 is therefore heterogeneous.

Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, dass das Lichtleitermaterial 5 verschiedene Materialien mit unterschiedlichen Brechungsindizes aufweist. Beispielsweise kann in einem Bereich entlang der Längsachse A ein Material mit einem niedrigeren Brechungsindex als in Bereichen, die von der Längsachse A weiter entfernt sind, eingesetzt werden. Optional kann dem Lichtleitermaterial 5 ein Konversionsmittel, ein Filtermittel oder ein Mittel zur Erhöhung der thermischen Leitfähigkeit des Lichtleitermaterials 5 beigegeben sein.Alternatively or additionally, it is possible that the optical fiber material 5 has different materials with different refractive indices. For example, in a region along the longitudinal axis A, a material having a lower refractive index than in regions that are farther away from the longitudinal axis A can be used. Optionally, the optical fiber material 5 a conversion agent, a filter medium or a means for increasing the thermal conductivity of the optical waveguide material 5 be added.

Von den jeweils zwei Kontaktpunkten 4 pro Hauptfläche 20 der Halbleiterchips 2 können flächige elektrische Kontaktstrukturen, die etwa mit einem transparenten leitfähigen Oxid, kurz einem TCO, gestaltet sind, auf den Hauptseiten 20 aufgebracht sein. Ebenso ist es möglich, dass von den Kontaktpunkten 4 finger- oder strahlenförmige, beispielsweise metallische Stromverteilungsstrukturen aufgebracht sind.Of the two contact points 4 per main area 20 the semiconductor chips 2 can planar electrical contact structures, which are designed with about a transparent conductive oxide, in short a TCO, on the main pages 20 be upset. Likewise it is possible that from the contact points 4 finger or radial, for example, metallic power distribution structures are applied.

In der schematischen Seitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels der Strahlung emittierenden Vorrichtung 1 gemäß 8 schließt der Normalenvektor N der Hauptfläche 20 der Halbleiterchips 2 einen Winkel α mit der Längsachse A der Vorrichtung 1 ein. Der Winkel α liegt im Bereich zwischen einschließlich 10° und 45°, gemäß 8 zirka 16°. Die Halbleiterchips 2 sind parallel zueinander angeordnet. Durch die relativ zur Längsachse A gekippte Anordnung der Halbleiterchips 2 kann die Lichtauskopplung über die Abstrahlfläche 9 verbessert werden.In the schematic side view of another embodiment of the radiation-emitting device 1 according to 8th the normal vector N closes the main surface 20 the semiconductor chips 2 an angle α with the longitudinal axis A of the device 1 one. The angle α is in the range between 10 ° and 45 ° inclusive, according to 8th about 16 °. The semiconductor chips 2 are arranged parallel to each other. By the relative to the longitudinal axis A tilted arrangement of the semiconductor chips 2 can the light extraction via the radiating surface 9 be improved.

Anders als in 8 dargestellt ist es zusätzlich möglich, dass benachbarte Halbleiterchips 2 beispielsweise um 60°, 90° oder 120° um die Längsachse A gegeneinander rotiert sind. Hierdurch ist eine weitere Homogenisierung der von der Vorrichtung 1 emittierten Strahlung möglich.Unlike in 8th In addition, it is possible that adjacent semiconductor chips 2 For example, at 60 °, 90 ° or 120 ° about the longitudinal axis A are rotated against each other. This is a further homogenization of the device 1 emitted radiation possible.

Die Vorrichtung 1 gemäß 9 umfasst zwei separat gefertigte Stapel 3a, 3b, die jeweils drei Halbleiterchips 2 aufweisen. Die Stirnflächen 12 der Stapel 3a, 3b sind vom Lichtleitermaterial 5 gebildet. Die Stirnflächen 12 des Lichtleitermaterials 5 werden von Kontaktbereichen 40 überragt. Über die Kontaktbereiche 40 sind die Stapel 3a, 3b elektrisch in Serie schaltbar. Es ist also über die Kontaktbereiche 40 ein effizientes Kontaktieren von einzelnen oder auch von mehreren Stapeln 3a, 3b gewährleistet. Jeder einzelne Stapel 3a, 3b stellt ein Modul dar. Mehrere Module sind ähnlich etwa zu Batterien miteinander kombinierbar. Durch die Verwendung modulartiger Stapel 3a, 3b ist es ohne Änderungen an den Stapeln 3 selbst möglich, beispielsweise die elektrische Leistungsaufnahme und somit die Helligkeit der Vorrichtung 1 anzupassen. Gemäß 9 sind die einzelnen Stapel 3a, 3b in einem Hohlzylinder 7, der aus einem Glas geformt ist, eingebracht.The device 1 according to 9 includes two separately manufactured stacks 3a . 3b , each three semiconductor chips 2 exhibit. The faces 12 the stack 3a . 3b are of the optical fiber material 5 educated. The faces 12 of the optical fiber material 5 are from contact areas 40 surmounted. About the contact areas 40 are the stacks 3a . 3b electrically switchable in series. So it's about the contact areas 40 efficient contacting of single or multiple stacks 3a . 3b guaranteed. Every single stack 3a . 3b represents a module. Several modules are similar to batteries nable. By using modular stacks 3a . 3b it is without changes to the stacks 3 itself possible, for example, the electrical power consumption and thus the brightness of the device 1 adapt. According to 9 are the individual stacks 3a . 3b in a hollow cylinder 7 , which is formed from a glass, introduced.

Anders als in 9 gezeigt, können eine oder zwei Stirnflächen 12 der Stapels 3a, 3b von den Halbleiterchips 2 gebildet sein. Die Kontaktbereiche 40 können auch flächig ausgestaltet sein und einen Anteil von zum Beispiel mehr als 20% der Stirnfläche bedecken.Unlike in 9 shown can have one or two end faces 12 the pile 3a . 3b from the semiconductor chips 2 be formed. The contact areas 40 can also be configured flat and cover a proportion of, for example, more than 20% of the end face.

In 10 ist ein Ausführungsbeispiel eines Leuchtmittels 10 illustriert. Das Leuchtmittel 10 weist zwei Vorrichtungen 1a, 1b auf, die jeweils zwei Stapel 3 umfassen. Die einzelnen Strahlung emittierenden Vorrichtungen 1a, 1b sind U-förmig ausgeformt. Jeweils ein Stapel 3 einer Vorrichtung 1a, 1b befindet sich in einem langen Schenkel eines U's. Die Vorrichtungen 1a, 1b sind von einer Umhüllung 17 umgeben, die aus einem die von den Vorrichtungen 1 emittierte Strahlung diffus streuendem Glas besteht und die mit einem Konversionsmittel beschichtet sein kann.In 10 is an embodiment of a light bulb 10 illustrated. The light source 10 has two devices 1a . 1b on, each two stacks 3 include. The individual radiation emitting devices 1a . 1b are U-shaped. One stack each 3 a device 1a . 1b is located in a long leg of a U's. The devices 1a . 1b are from a serving 17 surrounded by one of the devices 1 emitted radiation diffusely scattering glass and may be coated with a conversion agent.

Über die Umhüllung 17 sind die Vorrichtungen 1a, 1b an einem Sockel 18 befestigt. Über den Sockel 18 erfolgt eine elektrische Ansteuerung der Stapel 3 beziehungsweise der Vorrichtungen 1a, 1b. Gemäß 10 ist der Sockel 18 als Steckverbindung gestaltet. Insbesondere kann der Sockel 18 eine elektrische Schaltung beinhalten, die dazu geeignet ist, das Leuchtmittel 10 mit einer Netzspannung von 115 V oder 230 V 50 Hz-Wechselstrom zu betreiben. Alternativ zu dem Sockel 18 gemäß 10 kann der Sockel 18 mit einem Edison-Gewinde, ähnlich zu Glühlampen, versehen sein.About the serving 17 are the devices 1a . 1b on a pedestal 18 attached. Over the pedestal 18 there is an electrical control of the stack 3 or the devices 1a . 1b , According to 10 is the pedestal 18 designed as a plug connection. In particular, the pedestal 18 include an electrical circuit that is adapted to the lighting means 10 to operate with a mains voltage of 115 V or 230 V 50 Hz alternating current. Alternative to the pedestal 18 according to 10 can the pedestal 18 be provided with an Edison thread, similar to incandescent lamps.

Das Leuchtmittel 10 kann dem äußeren Erscheinungsbild einer Energiesparlampe, einer Glühlampe oder einer Leuchtstoffröhre entsprechen und einen Sockel 18 aufweisen, der über geeignet gestaltete Steck- oder Schraubverbindungen zur elektrischen Kontaktierung und zur mechanischen Befestigung des Leuchtmittels verfügt.The light source 10 may correspond to the external appearance of an energy-saving lamp, an incandescent lamp or a fluorescent tube, and a pedestal 18 have, which has suitably designed plug or screw for electrical contacting and mechanical attachment of the bulb.

Beim Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 1 gemäß 11 sind die zwei Halbleiterchips 2 an den Stirnflächen 12 des Lichtleitermaterials 5 angebracht. Das Lichtleitermaterial 5 ist hierbei transparent und zylinderartig geformt. An den dem Lichtleitermaterial 5 abgewandten Hauptflächen 20 der Halbleiterchips 2 befinden sich die Beschichtungen 13, die reflektierend bezüglich der von den Halbleiterchips 2 emittierten Strahlung wirken. Auf den Halbleiterchips 2 abgewandten Seiten der Beschichtungen 13 befinden sich weiterhin zwei Wärmesenken 21. Die Wärmesenken 21 können sowohl zur Kühlung und zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterchips 2 dienen, als auch eine Steckverbindung darstellen, mittels der die Vorrichtung 1 an externen, nicht zur Vorrichtung 1 gehörigen und in 11 nicht gezeichneten Anschlüssen befestigt werden kann.In the embodiment of the device 1 according to 11 are the two semiconductor chips 2 on the front surfaces 12 of the optical fiber material 5 appropriate. The light guide material 5 is here transparent and shaped like a cylinder. At the the light guide material 5 facing away from main surfaces 20 the semiconductor chips 2 are the coatings 13 reflecting with respect to that of the semiconductor chips 2 emitted radiation act. On the semiconductor chips 2 opposite sides of the coatings 13 There are still two heat sinks 21 , The heat sinks 21 can both for cooling and for electrical contacting of the semiconductor chips 2 serve, as well as represent a connector by means of which the device 1 to external, not to the device 1 belonging and in 11 not shown connections can be attached.

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention described herein is not by the description limited to the embodiments. Much more For example, the invention includes every novel feature as well as every combination of features, in particular any combination of features in the patent claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly stated in the claims or embodiments is given.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - WO 2005/081319 A1 [0003] WO 2005/081319 A1 [0003]
  • - DE 102007004304 A1 [0017] DE 102007004304 A1 [0017]

Claims (15)

Strahlung emittierende Vorrichtung (1) mit mindestens zwei optoelektronischen Halbleiterchips (2), wobei – die Halbleiterchips (2) in einem Stapel (3) übereinander angeordnet sind, – eine Hauptabstrahlung der Vorrichtung (1) bezüglich einer Längsachse (A) des Stapels (3) lateral erfolgt, und – ein Abstand (D) zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips (2) in Richtung der Längsachse (A) mindestens 1 mm beträgt.Radiation emitting device ( 1 ) with at least two optoelectronic semiconductor chips ( 2 ), wherein - the semiconductor chips ( 2 ) in a stack ( 3 ) are arranged one above the other, - a main radiation of the device ( 1 ) with respect to a longitudinal axis (A) of the stack ( 3 ) takes place laterally, and - a distance (D) between two adjacent semiconductor chips ( 2 ) in the direction of the longitudinal axis (A) is at least 1 mm. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach Anspruch 1, bei der sich zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips (2) zumindest ein elektrischer Kontaktpunkt (4) befindet, über den die benachbarten Halbleiterchips (2) elektrisch miteinander verbunden sind.Radiation emitting device ( 1 ) according to claim 1, wherein between two adjacent semiconductor chips ( 2 ) at least one electrical contact point ( 4 ), over which the adjacent semiconductor chips ( 2 ) are electrically connected together. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Halbleiterchips (2) als substratlose Dünnfilmchips gestaltet sind.Radiation emitting device ( 1 ) according to claim 1 or 2, in which the semiconductor chips ( 2 ) are designed as substrateless thin-film chips. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Halbleiterchips (2) dazu gestaltet sind, an zwei einander gegenüberliegenden Hauptseiten (20) die Strahlung zu emittieren.Radiation emitting device ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the semiconductor chips ( 2 ) are designed on two opposing main pages ( 20 ) emit the radiation. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die zylinderartig gestaltet ist.Radiation emitting device ( 1 ) according to one of the preceding claims, which is designed like a cylinder. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Hauptabstrahlung eine rotationssymmetrische Abstrahlcharakteristik aufweist.Radiation emitting device ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the main radiation has a rotationally symmetrical emission characteristic. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die mindestens fünf Halbleiterchips (2) umfasst und bei der wenigstens zwei benachbarte Halbleiterchips (2) in Richtung der Längsachse (A) deckungsgleich übereinander angeordnet sind.Radiation emitting device ( 1 ) according to one of the preceding claims, comprising at least five semiconductor chips ( 2 ) and in which at least two adjacent semiconductor chips ( 2 ) are arranged congruently one above the other in the direction of the longitudinal axis (A). Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der sich, entlang der Längsachse (A), zwischen wenigstens zwei benachbarten Halbleiterchips (2) ein Lichtleitermaterial (5) befindet und/oder bei der die Halbleiterchips (2) in das Lichtleitermaterial (5) eingebettet sind.Radiation emitting device ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which, along the longitudinal axis (A), between at least two adjacent semiconductor chips ( 2 ) a light guide material ( 5 ) and / or in which the semiconductor chips ( 2 ) in the optical fiber material ( 5 ) are embedded. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der wenigstens zwei benachbarte Halbleiterchips (2) über ein im Wesentlichen nur in Richtung parallel zur Längsachse (A) leitfähiges, Strahlung durchlässiges Verbindungsmittel (6) elektrisch miteinander kontaktiert sind.Radiation emitting device ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which at least two adjacent semiconductor chips ( 2 ) via a substantially only in the direction parallel to the longitudinal axis (A) conductive, radiation-transmitting connection means ( 6 ) are electrically contacted with each other. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Winkel (α) zwischen einem Normalenvektor (N) der Hauptseite (20) von wenigstens einem der Halbleiterchips (2) und der Längsachse (A) entweder weniger als 3° beträgt oder zwischen einschließlich 10° und 45° liegt.Radiation emitting device ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which an angle (α) between a normal vector (N) of the main side ( 20 ) of at least one of the semiconductor chips ( 2 ) and the longitudinal axis (A) is either less than 3 ° or between 10 ° and 45 ° inclusive. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die, wenigstens stellenweise, U-förmig gestaltet ist.Radiation emitting device ( 1 ) according to one of the preceding claims, which, at least in places, is U-shaped. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die mit einem Hohlzylinder (7) mit einer Symmetrieachse parallel zur Längsachse (A) gestaltet ist, in dem sich die Halbleiterchips (2) befinden, wobei eine Kühlung der Halbleiterchips (2) wenigstens teilweise über eine Gas- und/oder Flüssigkeitskonvektion erfolgt.Radiation emitting device ( 1 ) according to one of the preceding claims, which is provided with a hollow cylinder ( 7 ) is designed with an axis of symmetry parallel to the longitudinal axis (A), in which the semiconductor chips ( 2 ), wherein cooling of the semiconductor chips ( 2 ) takes place at least partially via a gas and / or liquid convection. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der, in einer Richtung senkrecht zur Längsachse (A), wenigstens zwei Halbleiterchips (2) nebeneinander angeordnet sind, wobei diese Halbleiterchips (2) in voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen Strahlung emittieren und die Hauptflächen (20) dieser Halbleiterchips (2) in Richtung der Längsachse (A) weisen.Radiation emitting device ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which, in a direction perpendicular to the longitudinal axis (A), at least two semiconductor chips ( 2 ) are arranged side by side, wherein these semiconductor chips ( 2 ) emit radiation in mutually different wavelength ranges and the main surfaces ( 20 ) of these semiconductor chips ( 2 ) in the direction of the longitudinal axis (A) have. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, – bei der die Halbleiterchips (2) in einem mit einem Glas gestalteten Hohlzylinder (7) angeordnet sind, – die weißes Licht abstrahlt, und – die optische Streuelemente (8) zwischen zumindest zwei benachbarten Halbleiterchips (2) aufweist.Radiation emitting device ( 1 ) according to one of the preceding claims, - in which the semiconductor chips ( 2 ) in a glass cylinder with a hollow cylinder ( 7 ), which emits white light, and the optical scattering elements (US Pat. 8th ) between at least two adjacent semiconductor chips ( 2 ) having. Strahlung emittierende Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 8 bis 14, bei der an Stirnflächen (12) des Lichtleitermaterials (5) jeweils einer der Halbleiterchips (2) angebracht ist, wobei sich an den dem Lichtleitermaterial (5) abgewandten Hauptflächen (20) dieser Halbleiterchips (2) eine Wärmesenke (21) befindet.Radiation emitting device ( 1 ) according to one of claims 8 to 14, in which at end faces ( 12 ) of the optical fiber material ( 5 ) each one of the semiconductor chips ( 2 ) is mounted, wherein at the the optical fiber material ( 5 ) facing away from main surfaces ( 20 ) of these semiconductor chips ( 2 ) a heat sink ( 21 ) is located.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009015016A1 (en) * 2009-03-26 2010-09-30 Robert Bosch Gmbh Sensor device for use at primary part of linear motor, has evaluation circuit for producing signal from measuring signal, and switching element for supplying another measuring signal or signal with two levels as output signal to exit
DE102010046790A1 (en) * 2010-09-28 2012-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component comprises two semiconductor chips, a conversion element, a prefabricated housing having a cavity, and a continuous emission spectrum, where the semiconductor chips comprise an active layer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005081319A1 (en) 2004-02-20 2005-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, device comprising a plurality of optoelectronic components, and method for the production of an optoelectronic component
DE102007004304A1 (en) 2007-01-29 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film light emitting diode chip, has layer stack made of primary radiation surfaces lying opposite to each other so that thin-film light emitting diode chip has two primary radiation directions

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6592238B2 (en) * 2001-01-31 2003-07-15 Light Technologies, Inc. Illumination device for simulation of neon lighting
US6936968B2 (en) * 2001-11-30 2005-08-30 Mule Lighting, Inc. Retrofit light emitting diode tube
EP1618331A1 (en) * 2003-05-01 2006-01-25 Allan Krogh Jensen A tubular led light source
US7237925B2 (en) * 2004-02-18 2007-07-03 Lumination Llc Lighting apparatus for creating a substantially homogenous lit appearance
JP2006293125A (en) * 2005-04-13 2006-10-26 Seiko Epson Corp Lighting device and projector
DE102005024830B4 (en) * 2005-05-27 2009-07-02 Noctron S.A.R.L. Light emitting diode array

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005081319A1 (en) 2004-02-20 2005-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, device comprising a plurality of optoelectronic components, and method for the production of an optoelectronic component
DE102007004304A1 (en) 2007-01-29 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film light emitting diode chip, has layer stack made of primary radiation surfaces lying opposite to each other so that thin-film light emitting diode chip has two primary radiation directions

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009015016A1 (en) * 2009-03-26 2010-09-30 Robert Bosch Gmbh Sensor device for use at primary part of linear motor, has evaluation circuit for producing signal from measuring signal, and switching element for supplying another measuring signal or signal with two levels as output signal to exit
DE102010046790A1 (en) * 2010-09-28 2012-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component comprises two semiconductor chips, a conversion element, a prefabricated housing having a cavity, and a continuous emission spectrum, where the semiconductor chips comprise an active layer

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