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DE102008033548A1 - Optimizing division of crystalline starting body in defect-poor region, comprises determining position of crystal axes and three-dimensional shape of the body, and fixing useful volume by determining location of crystal defects in the body - Google Patents

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DE102008033548A1
DE102008033548A1 DE200810033548 DE102008033548A DE102008033548A1 DE 102008033548 A1 DE102008033548 A1 DE 102008033548A1 DE 200810033548 DE200810033548 DE 200810033548 DE 102008033548 A DE102008033548 A DE 102008033548A DE 102008033548 A1 DE102008033548 A1 DE 102008033548A1
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DE
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crystalline
crystal
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crystal defects
location
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE200810033548
Other languages
German (de)
Inventor
Christian Poetsch
Thomas Plöntzke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hellma Materials GmbH and Co KG
Original Assignee
Schott AG
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Publication date
Application filed by Schott AG filed Critical Schott AG
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Abstract

The method comprises determining a position of the crystal axes, determining a three-dimensional shape of the crystalline starting body, fixing an useful volume by determining the location of crystal defects in the crystalline starting body with electromagnetic waves as detecting radiation, and adapting a predetermined shape of monocrystalline blanks to be produced in the usable volume using a computer-controlled iteration process under the usage of maximum usable volume. The position of the crystal axes is determined by fixing [111]-surfaces of the crystalline body. The method comprises determining a position of the crystal axes, determining a three-dimensional shape of the crystalline starting body, fixing an useful volume by determining the location of crystal defects in the crystalline starting body with electromagnetic waves as detecting radiation, and adapting a predetermined shape of monocrystalline blanks to be produced in the usable volume using a computer-controlled iteration process under the usage of maximum usable volume. The position of the crystal axes is determined by fixing [111]-surfaces of the crystalline body in relation to the position of the crystalline body. For determining the location of the crystal defects, the crystalline body is illuminated from different spatial directions and is arranged between polarizers, the recording of an image takes place with an image recording device and the change of the light intensity is calculated in an analysis device. The crystal and/or a light source rotate and a signal transmitter transmits the rotation angle of a data processing system with a memory for determining the location of the crystal defects. The position of monocrystalline areas is displayed in an image processing device.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Optimierung einer Zerteilung eines kristallinen Ausgangskörpers in defektfreie bzw. kristallfehlerfreie oder -arme Volumenbereiche.The The invention relates to a method for optimizing a fragmentation a crystalline starting body in defect-free or Crystal clear or low volume ranges.

Für die Anwendung in optischen Bauteilen werden zunehmend auch Kristalle verwendet, und zwar insbesondere für Wellenlängen, die außerhalb des sichtbaren Bereichs liegen. So besteht z. B. eine zunehmende Nachfrage nach monokristallinen Material aus Alkali- und Erdalkalifluoriden (Calcium(II)fluorid, Barium(II)fluorid, Strontium(II)fluorid, Natriumfluorid, Kaliumfluorid, Cäsiumfluorid usw.) für Anwendung wie die UV-Lithographie bzw. Mikrolithographie sowie für Linsen und Planteile, Fenster und Prismen für Bestrahlungs- und Abbildungsgeräte oder auch z. B. Fernrohre für die Astronomie. Gleichermaßen stellen Kristalle im infraroten Spektralbereich die Basis für viele optische Elemente dar.For The application in optical components are increasingly becoming crystals used, especially for wavelengths, which are outside the visible range. That is how it is z. B. an increasing demand for monocrystalline material Alkali and alkaline earth fluorides (calcium (II) fluoride, barium (II) fluoride, Strontium (II) fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, cesium fluoride etc.) for use such as UV lithography or microlithography and for lenses and parts, windows and prisms for Irradiation and imaging devices or z. B. telescopes for astronomy. Similarly, put crystals in the infrared spectral range the basis for many optical Elements.

Insbesondere Calciumfluorid-Einkristalle (CaF2) werden als Ausgangsmaterialien für optische Komponenten in der DV-Photolithographie (DUV = deep UV) bei Wellenlängen unter 250 nm, insbesondere für die Wellenlängen 248 nm, und unter 200 nm, insbesondere für 193 nm und 157 nm benötigt.In particular, calcium fluoride single crystals (CaF 2 ) are used as starting materials for optical components in DV photolithography (DUV = deep UV) at wavelengths below 250 nm, in particular for the wavelengths 248 nm, and below 200 nm, in particular for 193 nm and 157 nm needed.

Calciumfluoridkristalle für die Anwendung in der Projektionsoptik für den UV- und DUV-Bereich müssen frei von Kris talldefekten sein, etwa von Blockgrenzen, d. h. das Material muss ein monokristalliner Körper sein, dessen Kristallstruktur möglichst frei von Störungen ist.Calcium fluoride crystals for use in projection optics for the UV and DUV areas must be free from crystal defects be about block boundaries, d. H. the material must be a monocrystalline Being a body whose crystal structure is as free as possible of disturbances.

Die Qualität eines Kristalls wird in der Praxis jedoch nicht nur durch solche Blockgrenzen, sondern auch durch eine Vielzahl oft kleiner Kristalldefekte begrenzt, die trotz ihrer geringen räumlichen Ausdehnung starke lokale Variationen der optischen Eigenschaften im Volumen des Ausgangsmaterials hervorrufen.The Quality of a crystal is not in practice only by such block boundaries, but also by a variety often limited to small crystal defects, despite their low spatial Extension strong local variations of optical properties in the volume of the starting material.

Die in den genannten Einkristallen auftretenden lokalen Kristalldefekte umfassen Einschlüsse, Blasen, Schleier, kristallographische Verletzungen, Gleitbänder (Flächendefekte), Streupartikel und Kleinwinkelkorngrenzen. An Kleinwinkelkorngrenzen lagern sich häufig Verunreinigungen an, im Fall des Calciumfluorids z. B. Calciumoxid-Ausscheidungen, die zu lokalen Inhomogenitäten des Brechungsindex führen können, die ggf. aber auch auf Spannungen um die Kleinwinkelkorngrenzen herum erzeugt werden.The occurring in said single crystals local crystal defects include inclusions, bubbles, veils, crystallographic Injuries, sliding bands (area defects), scattering particles and small angle grain boundaries. At small angle grain boundaries store often impurities, in the case of calcium fluoride z. As calcium oxide precipitates leading to local inhomogeneities the refractive index can lead, but if necessary also generated around voltages around the small angle grain boundaries become.

Derzeit erfolgt die Bewertung der optischen Qualitätsmerkmale bei Kristallen in der Regel z. T. visuell durch einen Fachmann. Die Klassifizierung des Rohmaterials hängt damit von der Erfahrung und den Fähigkeiten des jeweiligen Fachmanns ab und unterliegt daher subjektiven Einschätzungen. Sie ist deswegen nicht einheitlich.Currently the evaluation of the optical quality characteristics takes place Crystals usually z. T. visually by a specialist. The Classification of the raw material thus depends on the experience and the abilities of the respective expert from and subject therefore subjective assessments. It is not because of that uniformly.

Einkristalle werden in Kristallzuchtanlagen hergestellt. Die geometrische Form und Größe des Kristalls wird dabei weitgehend durch die Zuchtanordnung bestimmt. Die Kristalle müssen daher anschließend durch Sägen und dergleichen in die gewünschte Ausgangsform gebracht werden. Die Herstellung sol cher großvolumiger (d. h. mit einem Durchmesser > 25 cm, insbesondere ≥ 30 cm) hochhomogener Körper (Rohkristalle etc.) als Ausgangsmaterial für optische Elemente, die möglichst frei von Kristalldefekten sein sollen, ist jedoch sehr kostspielig.Single crystals are produced in crystal growing plants. The geometric shape and size of the crystal becomes large determined by the breeding arrangement. The crystals must therefore subsequently by sawing and the like be brought into the desired starting form. The production Such larger volume (ie with a diameter> 25 cm, in particular ≥ 30 cm) of highly homogeneous bodies (crude crystals, etc.) as starting material for optical elements that are as free of crystal defects as possible but it is very expensive.

Bei der Herstellung eines optischen Elements wird aber regelmäßig angestrebt, einen Rohling des Elementes so aus dem großvolumigen Ausgangskristall herauszuschneiden, dass er nur eine einzige kristallographische Orientierung aufweist und gegebenenfalls im Ausgangskristall vorliegende Kristalldefekte außerhalb der Schnittlinien und damit außerhalb des Rohlingsvolumens zu liegen kommen. Bislang wurde, um dies sicherzustellen, mehr oder weniger großzügig um derartige Kristalldefekte herumgeschnitten und versucht, aus dem verbleibenden Kristallmaterial optische Elemente der gewünschten Größe herzustellen. Es war daher bislang nicht möglich, das Volumen des kristallinen Körpers zielgerichtet optimal auszunutzen.at However, the production of an optical element is regular aspired to make a blank of the element so from the large volume To cut out the initial crystal, that he has only a single crystallographic Having orientation and optionally present in the starting crystal Crystal defects outside the cutting lines and thus outside of the blank volume to come to rest. So far, to ensure this, more or less generous of such crystal defects cut around and tried out the remaining crystal material optical elements of the desired size manufacture. It was therefore not possible until now, the volume of the crystalline body in a targeted manner.

Aufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung eines Verfahrens zur optimierten Zerteilung von kristallinen Körpern, mit dem das Volumen eines kristallinen Körpers mit maximaler Volumenausbeute genutzt werden kann, wobei der kristalline Körper so zerteilt wird, dass die einzelnen herausgeteilten Bereiche störungsfrei sind, d. h. sie weisen keine Kristalldefekte auf.task The invention therefore provides a method for optimized Fragmentation of crystalline bodies, with which the volume a crystalline body with maximum volume yield can be used, whereby the crystalline body so divided will ensure that the individual partitioned areas are trouble-free are, d. H. they have no crystal defects.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einem Verfahren zur Optimierung der Zerteilung eines kristallinen, insbesonders monokristallinen Ausgangskörpers gelöst, wobei in einem Schritt (a) die Bestimmung der Lage der Kristallachsen erfolgt, (b) die dreidimensionale Raumform des kristallinen Ausgangskörpers bestimmt wird (Lage und Größe der Außenflächen bzw. Konturen), (c) das nutzbare Volumen mittels Bestimmung der Lage der Kristalldefekte im kristallinen Ausgangskörper erfolgt und in einem Schritt (d) eine vorgegebene Raumform eines oder mehrerer herzustellender Monokristallrohlinge in der dreidimensionalen Raumform des Ausgangskörpers mittels eines Rechner gesteuerten Iterationsverfahrens so eingepasst wird, dass er das Volumen des defektfreien Bereiches optimal bzw. maximal ausnutzt.These Object is according to the invention with a method to optimize the fragmentation of a crystalline, in particular dissolved monocrystalline starting body, wherein in a step (a) the determination of the position of the crystal axes (b) the three-dimensional spatial form of the crystalline starting body is determined (location and size of the outer surfaces or contours), (c) the usable volume by determining the Position of the crystal defects in the crystalline starting body takes place and in a step (d) a predetermined spatial form of a or more monocrystal blanks to be produced in the three-dimensional Spatial form of the parent body controlled by a computer Iteration method is fitted so that it is the volume of the defect-free Range optimally or maximally exploited.

Die monokristallinen Rohlinge werden vorzugsweise so aus dem kristallinen Ausgangskörper gesägt bzw. geschnitten, dass sie die gleiche kristallographische Orientierung aufweisen. Dementsprechend haben die Kristallrohlinge keinen bestimmten Bezug zur Raumform des kristallinen Ausgangskörpers. Das nutzbare Volumen des kristallinen Körpers wird zusätzlich durch weitere Kristalldefekte wie beispielsweise Einschlüsse, Blasen, Schleier, kristallographische Verletzungen, Gleitbänder (Flächendefekte), Streupartikel und Kleinwinkelkorngrenzen eingeschränkt. Die Aufteilung des kristallinen Körpers erfolgt daher so, dass diese weiteren Kristalldefekte außerhalb der festgelegten nutzbaren monokristallinen Bereiche bzw. Volumens liegen bzw. dass diese Defekte die Ränder des nutzbaren Volumens darstellen.The Monocrystalline blanks are preferably so from the crystalline Starting body sawed or cut that they have the same crystallographic orientation. Accordingly the crystal blanks have no specific relation to the spatial form of the initial crystalline body. The usable volume of the crystalline body is additionally through other crystal defects such as inclusions, Blisters, veils, crystallographic injuries, sliding bands (Area defects), scattering particles and small-angle grain boundaries limited. The division of the crystalline body takes place Therefore, so that these other crystal defects outside the specified usable monocrystalline areas or volume lie or that these defects are the edges of the usable Represent volume.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, in der dreidimensionalen Raumform des kristallinen Ausgangs- bzw. Basiskörpers eine dreidimensionale Abbildung der im untersuchten Körper aufgefundenen monokristallinen Bereiche zu erzeugen, deren Raumvolumen jeweils durch Kristalldefekte begrenzt ist. In diesem dreidimensionalen Gesamtbild des kristallinen Körpers lassen sich dann die monokristallinen Bereiche mit gleicher kristallographischer Orientierung un ter bestmöglicher Ausnutzung des verbleibenden Raumes im Körper mittels eines an sich bekannten Rechner gesteuerten Iterationsverfahrens anordnen. Dies ist insbesondere bei kostspieligen Rohmaterialien, wie großvolumigen Einkristallen, von besonderem Vorteil, weil dies eine kristallorientierungsabhängige Zuteilung ermöglicht.With The method according to the invention makes it possible to in the three-dimensional spatial form of the crystalline initial or Base body a three-dimensional image of the examined in the To create bodies found monocrystalline areas, whose volume is limited by crystal defects. In this three-dimensional overall picture of the crystalline body can then be the monocrystalline regions with the same crystallographic Orientation with the best possible use of the remaining Space in the body by means of a known computer order controlled iteration process. This is special with expensive raw materials, such as large-volume single crystals, of particular advantage because this is a crystal orientation-dependent Allocation allows.

Ein kristalliner Körper im Sinne der vorliegenden Erfindung ist beispielsweise ein Kristallblock bzw. Ingot, d. h. ein orientierter, kristalliner, großvolumiger Ausgangs- oder Basiskörper. Vorzugsweise ist er ein orientierter, einkristalliner Körper, insbesondere ein gezüchteter Kristall.One crystalline body in the context of the present invention For example, a crystal block or ingot, i. H. an oriented, crystalline, large-volume starting or base body. Preferably, it is an oriented, monocrystalline body, especially a cultivated crystal.

Ein monokristalliner Bereich im Sinne der vorliegenden Erfindung ist ein Volumen bzw. Raum im Ausgangsmaterial bzw. Ausgangskörper, das nur eine kristallographische Orientierung aufweist.One monocrystalline region in the sense of the present invention a volume or space in the starting material or starting body, which has only one crystallographic orientation.

Kristalldefekte im Sinne der vorliegenden Erfindung sind beispielsweise Blockgrenzen, Einschlüsse, Blasen, Schleier, kristallographische Verletzungen, Gleitbänder (Flächendefekte), Streupartikel und Kleinwinkelkorngrenzen.crystal defects For the purposes of the present invention, for example, block boundaries, Inclusions, blisters, veils, crystallographic injuries, Slip belts (surface defects), scattering particles and Small-angle grain boundaries.

Ein Iterationsverfahren im Sinne der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren, in dem der Zugriff auf eine Datenbank bzw. Datenstruktur iterativ (schrittweise) bzw. wiederholt erfolgt.One Iteration method in the context of the present invention is a Procedure in which access to a database or data structure iteratively (stepwise) or repeated.

Bevorzugt ist der kristalline Körper ein kristalliner Körper ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus, Calcium(II)fluorid, Barium(II)fluorid, Strontium(II)fluorid, Magnesium(II)fluorid, Natriumfluorid, Kaliumfluorid und Cäsiumfluo rid. Besonders bevorzugt ist der kristalline Körper Calciumfluorid.Prefers the crystalline body is a crystalline body selected from the group consisting of calcium (II) fluoride, Barium (II) fluoride, strontium (II) fluoride, magnesium (II) fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride and cesium fluoride. Particularly preferred is the crystalline Body calcium fluoride.

Die Herstellung von Einkristallen ist an sich bekannt und kann gemäß den aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren erhalten werden.The Production of single crystals is known per se and can according to the obtained from the prior art methods.

Kristalline Körper können beispielsweise nach dem Bridgeman-Verfahren oder dem VGF-Verfahren hergestellt werden, wie dies z. B. in der DE 100 10 484 A1 beschrieben ist. Weitere Verfahren sind beispielsweise das Czochralski-Verfahren, das TSSG (Top seeded solution growth), etc.Crystalline bodies can be prepared, for example, by the Bridgeman method or the VGF method, as described, for. B. in the DE 100 10 484 A1 is described. Other methods are, for example, the Czochralski method, the TSSG (Top seeded solution growth), etc.

Zur Bestimmung der Kristallstörungen bzw. -defekte wird der zu untersuchende kristalline Körper beispielsweise in einem Dunkelraum mittels einer Beleuchtung die diffuse Streuung bestimmt und anschließend Spannungsdoppelbrechung und Gleitbänder analysiert.to Determination of crystal defects or defects is the crystalline bodies to be examined for example in one Dark space determined by means of illumination diffuse scattering and then stress birefringence and slip ribbons analyzed.

Die Beleuchtung erfolgt vorzugsweise unter Weißlicht, um die diffuse Streuung zu bestimmen. Dabei wird der kristalline Körper in seinem Volumen vom Licht durchstrahlt und die Streuung ebenfalls nach Adaption des Auges an den dunklen Raum visuell bestimmt. Dabei wird eine Streuung als diffus bezeichnet, wenn das Auge des Betrachters keine einzelnen Streuzentren auflösen kann und das diffuse Kristallvolumen bei Beleuchtung gleichmäßig (nebel- oder nebelschwadenartig) erleuchtet erscheint. Eine schwache diffuse Streuung bedeutet, dass sie nur für ein geschultes Auge eines Fachmanns im Dunkelraum wahrnehmbar ist, wohingegen eine nicht mehr zulässige, mittlere Streuung selbst für einen Laien erkennbar ist. Für das erfindungsgemäße Verfahren sind lediglich kristalline Festkörper weiter zu verwenden, wenn diese keine oder nur schwache diffuse Streuung zeigen.The Lighting is preferably done under white light to the to determine diffuse scattering. It becomes the crystalline body in its volume radiated by the light and the scattering also after Adaptation of the eye to the dark space determined visually. It will a scattering called diffuse when the eye of the beholder no single scattering centers can dissolve and that diffuse Crystal volume evenly illuminated (foggy) or cloud-like) enlightened appears. A weak diffuse Scattering means that they are only for a trained eye a professional in the dark room is perceptible, whereas one is no longer permissible, medium dispersion even for a layman is recognizable. For the inventive Processes are only crystalline solids on to use if these have no or only weak diffuse scattering demonstrate.

Als Lampe für eine Weißlichtbestrahlung kann jede beliebige Lampe verwendet werden. Vorzugsweise wird deren Strahl durch einen Reflektor und Kondensator schwach divergierend eingestellt. Eine im erfindungsgemäßen Verfahren verwendbare Lampe ist beispielsweise eine Halogenlampe der Firma Osram mit der Handelsbezeichnung Xenophot HLX 54510 (12 V, 50 Watt).When Any white light can be used Any lamp can be used. Preferably, the beam is set slightly divergent by a reflector and capacitor. A Lamp usable in the method according to the invention is, for example, a halogen lamp Osram with the trade name Xenophot HLX 54510 (12V, 50W).

Gleitbänder zeigen sich durch Streifen zwischen gekreuzten Polarisationsfiltern. Sie können aber im Temperprozess beseitigt werden und beeinflussen dann die Qualität der kristallinen Körper nicht weitergehend negativ. In einer besonderen Ausführungsform kann die Lage dieser sowie weiterer Defekte mittels einer CCD-Kamera aus mindestens drei Raumrichtungen festgehalten und elektronisch, insbesondere in einer Recheneinheit gespeichert werden. Aus den so mittels Aufnahmen aus drei Raumrichtungen ermittelten Werten lässt sich dann die dreidimensionale Lage und der Verlauf der Kristalldefekte festlegen. Vorzugsweise werden hierbei Bezugslinien am Kristall angebracht, welche eine spätere Zuordnung der Lage der ermittelten Defekte erleichtern.Sliding bands are indicated by stripes between crossed polarizing filters. However, they can be eliminated in the annealing process and then do not further negatively affect the quality of the crystalline bodies. In a particular embodiment, the position of these and other defects can be recorded by means of a CCD camera from at least three spatial directions and stored electronically, in particular in a computing unit who the. The three-dimensional position and the course of the crystal defects can then be determined from the values determined by means of images from three spatial directions. Preferably reference lines are attached to the crystal, which facilitate a later assignment of the position of the detected defects.

In einer zweckmäßigen Ausführungsform wird die Lage der Kristallachsen in Bezug auf die Lage bzw. Raumform des kristallinen Körpers durch Festlegen einer Bezugsebene, vorzugsweise der [111]-Ebene des kristallinen Ausgangskörpers oder Kristallingots bestimmt.In an expedient embodiment the position of the crystal axes in relation to the position or spatial form of the crystalline body by defining a reference plane, preferably the [111] plane of the starting crystalline body or crystal ingots.

Die Festlegung der [111]-Ebene des kristallinen Ausgangskörpers kann beispielsweise dadurch erfolgen, dass an zwei Stellen des kristallinen Körpers eine Kante abgeschlagen wird. Auf diese Weise wird jeweils die [111]-Ebene als Bruchoberfläche erhalten bzw. freigelegt. Dies ist insbesonders beim CaF2 bevorzugt, da sich diese Kristalle entlang [111] ganz besonders leicht spalten lassen.The determination of the [111] plane of the crystalline starting body can be carried out, for example, by knocking off an edge at two points of the crystalline body. In this way, the [111] plane is preserved or exposed as a fracture surface. This is particularly preferred for CaF 2 , since these crystals are very easy to split along [111].

Durch die Bestimmung des von der [111]-Ebene (Spaltfläche) mit der Wachstumsoberfläche (Schnittfläche des kristallinen Körpers) gebildeten Winkels lässt sich die Lage der anderen Kristallebene ebenfalls mittels einem Winkel angegeben. Anschließend wird eine Bezugslinie festgelegt, beispielsweise indem mit einem Stift auf der Wachstumsoberfläche eine radiale Linie gezogen wird und die Winkel der freigelegten [111]-Ebene in Bezug auf diese Linie bestimmt werden (Azimut-Winkel). Auf diese Weise ist es möglich, die Lage einzelner monokristalliner, d. h. defektfreier Bereiche im Raum und in Bezug auf den kristallinen Ausgangskörper genau festzulegen. Diese Daten werden in der Datenverarbeitungsanlage mit Speicher gespeichert.By the determination of the [111] plane (cleavage plane) with the growth surface (cut surface of the crystalline Body) formed angle, the location can be the other crystal plane also indicated by an angle. Then a reference line is set, for example by using a pin on the growth surface one radial line is drawn and the angles of the exposed [111] plane with respect to this line (azimuth angle). In this way it is possible, the location of single monocrystalline, d. H. defect-free areas in the room and in relation to the crystalline Specify output body exactly. This data will be in the data processing system with memory stored.

Alternativ kann die Lage der Kristallachsen mittels Röntgenstrahlung, vorzugsweise an einer Wachstumsoberfläche, bestimmt werden.alternative can the position of the crystal axes by means of X-rays, preferably on a growth surface.

Bei der Messung der Orientierung der Kristallachsen wird beispielsweise das Laue-Verfahren benutzt, bei dem die Orientierung der Kristallachsen durch Bestrahlung einer Probe mit Röntgenstrahlen gemessen wird.at the measurement of the orientation of the crystal axes becomes, for example the Laue method used in which the orientation of the crystal axes through Irradiation of a sample with X-rays is measured.

Das Laue-Verfahren hat den Vorteil, dass verschiedene Orientierungen der Kristallachsen auf Grund Erfassung verschiedener Reflexe, wie etwa [111], [110] und dergleichen, einfach gemessen und kontrolliert werden können.The Laue method has the advantage that different orientations the crystal axes due to detection of various reflexes, such as about [111], [110] and the like, simply measured and controlled can be.

Da das Laue-Verfahren auf einem seitlichen Reflektionsverfahren beruht, hat das Laue-Verfahren den Vorteil, dass selbst die Messung einer Probe mit großem Durchmesser möglich ist, ohne dass die Probe beschädigt wird.There the Laue method is based on a lateral reflection method, The Laue method has the advantage that even measuring a Large diameter sample is possible without that the sample is damaged.

Verfahren zur Bewertung der Orientierung der Kristallachsen umfassen beispielsweise Verfahren auf Grundlage von Röntgenstrahlen.method for evaluating the orientation of the crystal axes include, for example Method based on X-rays.

Sofern ein Röntgendiffraktometer verwendet wird, wird auf einer Seite einer Röntgenstrahlröhre gegenüberliegend zu einem Diffraktometer eine Laue-Kamera für Rückreflektion installiert. Der Abstand zwischen der Probenoberfläche und dem Film ist auf einige Dutzend Millimeter eingestellt. Die Röntgenröhre verwendet eine Mo-Target und die Filmaufnahme erfolgt mit einer Röhrenspannung von 40 kV, einem Röhrenstrom von 50 mA für eine Belichtungszeit von 60 sec. Die Analyse der Orientierung erfolgt durch manuelle Berechnung anhand einer Polaroid-Photographie des erhaltenen Laue-Musters oder wird berechnet, indem die Photographie mit Hilfe eines Scanners in einen Computer geladen wird.Provided An X-ray diffractometer is used on a Side of an x-ray tube opposite to a diffractometer a Laue camera for back reflection Installed. The distance between the sample surface and the movie is set to a few tens of millimeters. The X-ray tube uses a Mo-target and the Film recording takes place with a tube voltage of 40 kV, one Tube current of 50 mA for one exposure time of 60 sec. The analysis of the orientation is done by manual Calculation based on a Polaroid photograph of the obtained Laue pattern or is calculated by taking the photograph with the help of a scanner is loaded into a computer.

Das Laue-Verfahren ist ein Röntgenbeugungsverfahren und ist so angeordnet, dass weiße Röntgenstrahlen einen festen Einkristall streifen. Da der Bragg-Winkel θ in Bezug auf alle Ebenen des Kristalls festgelegt ist, erfährt jede Ebene eine Beugung durch Auswahl von Röntgenstrahlen mit einer Wellenlänge λ, die die Bragg-Bedingung λ = 2D sin θ in Bezug auf den Bragg-Winkel Θ erfüllt. Bei dem Laue-Verfahren gibt es drei Methoden einschließlich der Transmissionsmethode, der Rückreflektionsmethode und der Seitenreflektionsmethode, durch Variieren der relativen Positionsbeziehung zwischen der Röntgenquelle, dem Kristall, der Film- oder der CCD-Kamera.The Laue method is an X-ray diffraction method and is arranged so that white X-rays one solid single crystal strip. Since the Bragg angle θ with respect is set to all levels of the crystal, each learns Level a diffraction by selecting X-rays with a wavelength λ, the Bragg condition λ = 2D sin θ with respect to the Bragg angle Θ satisfied. The Laue method has three methods, including the Transmission method, the back reflection method and the Page reflection method, by varying the relative positional relationship between the x-ray source, the crystal, the film or the CCD camera.

Bei der Transmissionsmethode ist die Film- oder die CCD-Kamera hinter dem Strahl angeordnet, so dass Strahlen aufgezeichnet werden, die in Vorwärtsrichtung gebeugt wurden.at the transmission method is the film or the CCD camera behind arranged the beam, so that rays are recorded, the were bent in the forward direction.

Bei der Rückreflektionsmethode ist der Film in der Mitte zwischen dem Kristall und der Röntgenquelle angeordnet, und die Strahlen gehen durch eine in dem Film gebildete Öffnung hindurch und Strahlen, die in Rückwärtsrichtung gebeugt werden, werden aufgezeichnet.at The reverse reflection method is the movie in between arranged the crystal and the X-ray source, and the Rays go through an opening formed in the film through and rays in the reverse direction be bent are recorded.

Bei der Seitenreflektionsmethode ist die Röntgenquelle so angeordnet, dass die Strahlen unter einem bestimmten Einfallswinkel ω auf den Kristall auftreffen, und der Film oder die CCD-Kamera ist in einer Position angeordnet, die in Bezug auf den einfallenden Strahl um φ gedreht ist, um in beliebige seitliche Richtung gebeugte Strahlen aufzuzeichnen.at the side reflection method, the X-ray source is arranged that the rays at a certain angle of incidence ω on hit the crystal, and the film or CCD camera is in a position arranged in relation to the incident beam is rotated by φ to bend in any lateral direction Record rays.

Bei jedem dieser Verfahren bilden die gebeugten Strahlen Laue-Flecken auf dem Schirm oder einem Fluoreszenzschirm. Da die Position des Laue-Flecks in jeder Methode durch die relative Beziehung der Kristallorientierung in Bezug auf den einfallenden Strahl bestimmt ist, wird die Position der Laue-Flecken zur Bestimmung der Kristallorientierung unter Ausnutzung dieser Tatsache benutzt.In each of these methods, the diffracted rays form Laue spots on the screen or a fluorescent screen. Since the position of the Laue stain in each method is determined by the relative loading With reference to the crystal orientation with respect to the incident beam, the position of the Laue patches is used to determine the crystal orientation by utilizing this fact.

Das Laue-Verfahren macht es möglich, verschiedene Orientierungen der Kristallachsen, wie etwa in [111] und [110], einfach zu messen, und es ist sowohl hinsichtlich Messgenauigkeit als auch hinsichtlich Geschwindigkeit für die vorliegende Erfindung geeignet.The Laue method makes it possible to different orientations the crystal axes, as in [111] and [110], are easy to measure, and it's both in terms of measurement accuracy and in terms of Speed suitable for the present invention.

Zur Angabe der Orientierung der Kristallachsen werden Miller-Indices benutzt. Der Miller-Index ist der Kehrwert eines Verhältnisses zwischen dem Abstand vom Ursprung eines Einheitsgitters eines Kristalls zu dem Schnittpunkt der Ebene mit der Kristallachse und der Einheitslänge der Achse. Im Falle eines kubischen Systems, wie etwa Calciumfluorid, wenn man annimmt, dass die Einheitslänge jeder Kristallachse A ist, ist der Miller-Index {hkl}, wenn eine bestimmte Ebene die Achsen an Punkten a/h, a/k und a/l schneidet. Im kubischen System ist die Orientierung [hkl] stets rechtwinklig zu der Ebene {hkl} mit dem selben Index, und Richtung, die in einer symmetrischen Beziehung stehen, werden durch einen Index repräsentiert und mit < > angegeben.to Indication of the orientation of the crystal axes are Miller indices used. The Miller index is the reciprocal of a ratio between the distance from the origin of a unit lattice of a crystal to the intersection of the plane with the crystal axis and the unit length the axis. In the case of a cubic system, such as calcium fluoride, when one assumes that the unit length of each crystal axis A is, the Miller index is {hkl} if a certain level is the Axes at points a / h, a / k and a / l intersects. In the cubic system is the orientation [hkl] always perpendicular to the plane {hkl} with the same index, and direction, in a symmetrical relationship are represented by an index and indicated by <>.

Beispielsweise besteht ein Gerät zur Messung der Orientierung der Kristallachsen nach dem Laue-Verfahren aus einer Röntgenquelle, einer Probenbühne und einer CCD-Kamera. Röntgenstrahlen treffen auf die Probe auf, und dadurch erhaltene gebeugte Strahlen werden als ein Laue-Muster analysiert.For example There is a device for measuring the orientation of the crystal axes according to the Laue method from an X-ray source, a Rehearsal stage and a CCD camera. X-rays meet to the sample, and thereby obtained diffracted rays analyzed as a Laue pattern.

In einem weiteren Schritt werden die optischen Eigenschaften des kristallinen Festkörpers, insbesondere die räumliche Lage der jeweiligen Kristalldefekte, bestimmt.In Another step is the optical properties of the crystalline Solid state, in particular the spatial location of respective crystal defects determined.

Bevorzugt erfolgt die Bestimmung der Lage der Kristalldefekte mit elektromagnetischen Wellen als Detektionsstrahlung.Prefers the determination of the position of the crystal defects with electromagnetic Waves as detection radiation.

Bevorzugte Detektionsstrahlung ist sichtbares Licht, insbesondere kohärentes Licht wie z. B. Laserlicht und/oder mono- oder auch polychromatisches weißes Licht, Röntgenstrahlen oder Gammastrahlen.preferred Detection radiation is visible light, in particular coherent Light such as As laser light and / or mono- or polychromatic white light, x-rays or gamma rays.

Vorzugsweise wird der Kristall mit polarisiertem Licht bestrahlt, das mittels einer Polarisatorfolie polarisiert und durch eine Analysatorfolie betrachtet wird, deren Polarisation um 90° zum Polarisator gedreht ist. Auf diese Weise wird im Polariskop die spannungsinduzierte Doppelbrechung sichtbar gemacht.Preferably the crystal is irradiated with polarized light, which by means of a polarizer film and polarized through an analyzer film whose polarization is 90 ° to the polarizer is turned. In this way, in the polariscope the voltage-induced Birefringence visualized.

Die Detektionsstrahlung wird von außen eingestrahlt, im Inneren des untersuchten kristallinen Körpers verändert (gebeugt, geschwächt, gestreut usw.) und nach dem Austreten aus dem Körper von Detektoren erfasst. Die Detektionsstrahlung kann auch im Körperinneren selbst erzeugt werden, etwa durch Fluoreszenz oder durch Resonanzeffekte wie bei der ESR und der NMR, wobei dann Art und Umfang der Entstehung Aussagen über das Körperinnere zulassen. Die Auswahl der Detektionsstrahlung erfolgt anhand der zu untersuchenden Eigenschaften des Körpers, d. h. unter Berücksichtigung der Wechselwirkung der Detektionsstrahlung mit dem Körper bzw. Kristalldefekten, die erfasst werden sollen. Voraussetzung dafür ist natürlich in der Regel, dass die Detektionsstrahlung den kristallinen Körper nicht verändert. Bei lichtdurchlässigen Kristallen wie Calciumfluorid ist z. B. zu beachten, dass Strahlung großer Intensität oder hoher Quantenenergie die Transmissionseigenschaften dauerhaft verändern können. Auch soll die Detektionsstrahlung unter relativ geringem Aufwand in den zu prüfenden Körper eingekoppelt werden können. So ist es zwar bei diesen Körpern vor deren Vermessung eine Politur üblich, der Aufwand dafür sollte aber das übliche Maß nicht überschreiten.The Detection radiation is radiated from the outside, inside of the examined crystalline body changed (bent, weakened, scattered, etc.) and after the escape captured from the body by detectors. The detection radiation can also be generated in the body itself, for example by Fluorescence or by resonance effects as in ESR and NMR, where then type and scope of the origin statements about allow the body inside. The selection of detection radiation takes place on the basis of the properties of the body to be examined, d. H. taking into account the interaction of the detection radiation with the body or crystal defects that are detected should. The prerequisite for this, of course, is in the Rule that the detection radiation is the crystalline body not changed. For translucent crystals as calcium fluoride is z. B. to note that radiation of high intensity or high quantum energy, the transmission properties permanently can change. Also should the detection radiation with relatively little effort into the body to be tested can be coupled. So it is with these bodies Before measuring a polish usual, the effort but should not exceed the usual level.

Bevorzugt werden Lichtkästen, wie sie auch für die Betrachtung von Röntgenfilmen verwendet werden. Besonders bevorzugt werden Industrielichtkästen vom Typ UNI der Firma WRG.Prefers Be light boxes, as they are for viewing be used by X-ray films. Especially preferred become industrial light boxes type UNI of the company WRG.

In einer bevorzugten Ausführungsform wird der kristalline Körper zur Bestimmung der Lage der Kristalldefekte aus verschiedenen Raumrichtungen bestrahlt.In a preferred embodiment of the crystalline Body for determining the location of the crystal defects irradiated in different spatial directions.

Vorteilhafterweise wird der kristalline Körper dazu in eine Messanordnung gelegt, die es erlaubt, den Kristall aus verschiedenen, bevorzugt aus sämtlichen, Raumrichtungen zu be- bzw. durchstrahlen.advantageously, The crystalline body is in a measuring arrangement placed, which allows the crystal of different, preferred from all, spatial directions or irradiate.

In einer bevorzugten Ausführungsform wird der kristalline Körper zur Bestimmung der Lage der Kristalldefekte zwischen Polarisatoren angeordnet.In a preferred embodiment of the crystalline Body for determining the location of crystal defects between Polarizers arranged.

Bevorzugt wird der kristalline Körper zwischen zwei Polarisatoren angeordnet. Dabei ergeben zwei gekreuzte Polarisatoren ein Polariskop.Prefers becomes the crystalline body between two polarizers arranged. Two crossed polarizers produce a polariscope.

Zur Bestimmung der Lage der Kristalldefekte im kristallinen Körper wird dieser zwischen Polarisatoren angeordnet und die Polarisationsänderung auf an sich bekannte Weise bestimmt. Dieser Vorgang wird anschließend von mehreren Seiten bzw. mit unterschiedlichen Eintrittsrichtungen der elektromagnetischen Wellen wiederholt. Auf diese Weise wird eine räumliche Darstellung der gesamten im Kristall auftretenden Blockgrenzflächen und anderer Kristalldefekte erfasst.to Determination of the position of the crystal defects in the crystalline body this is arranged between polarizers and the polarization change determined in a known manner. This process will follow from several sides or with different entry directions the electromagnetic waves repeated. This way will a spatial representation of the total occurring in the crystal Block interfaces and other crystal defects detected.

Prinzipiell ist es möglich, Kristalldefekte sowohl auf der Rückseite der Strahlenquelle, d. h. mit dem durchtretenden Strahl, als auch auf der bestrahlten Seite, d. h. mit dem reflektierten Strahl, zu bestimmen. Darüber hinaus ist es möglich, den an Kristalldefekten im Körper seitlich gestreuten Strahl zu erfassen.in principle It is possible to have crystal defects both on the back the radiation source, d. H. with the passing beam, as well on the irradiated side, d. H. with the reflected beam, too determine. In addition, it is possible the Ray scattered laterally on crystal defects in the body capture.

Vorzugsweise wird der Körper aus mindestens drei Raumrichtungen bestrahlt und dabei der durchtretende Strahl, reflektierte Strahl oder seitlich gestreute Strahl erfasst.Preferably the body is irradiated from at least three spatial directions and thereby the passing beam, reflected beam or laterally scattered Beam detected.

Zweckmäßigerweise wird der kristalline Körper zur Messung auf eine Halterung im Polariskop gelegt, die es durch komplette Drehung von zwei Achsen ermöglicht, den kristallinen Körper in eine beliebige Winkelstellung zu bringen. Zwei Drehgeber an den Achsen der Halterung des zu bestimmenden kristallinen Ausgangskörpers bzw. Ingots im Polariskop übermitteln die Stellung des Kristalls, d. h. den Drehwinkel, an eine Datenverarbeitungsanlage mit Speicher.Conveniently, is the crystalline body for measurement on a holder placed in the polariscope by complete rotation of two axes allows the crystalline body in any To bring angular position. Two rotary encoders on the axles of the bracket of the crystalline starting body or ingot to be determined in the polariscope transmit the position of the crystal, d. H. the angle of rotation, to a data processing system with memory.

In einer weiteren erfindungsgemäßen bevorzugten Ausführungsform wird die Oberfläche des zu untersuchenden kristallinen Körpers zur Erhöhung der Ein- und Auskopplung der Detektionsstrahlung, d. h. zur Verringerung der Reflektion an der Oberfläche beim Ein- und/oder Austritt, mit einem Kopplungshilfsmittel versehen. Ein bevorzugtes Kopplungshilfsmittel ist beispielsweise ein Immersionsöl, wie dies aus der Mikroskopie bekannt ist. Die Hilfsmittel weisen vorzugsweise eine ähnliche Brechung auf wie der zu untersuchende kristalline Körper.In another preferred embodiment of the invention becomes the surface of the crystalline to be examined Body to increase the coupling and decoupling the detection radiation, d. H. to reduce the reflection the surface when entering and / or leaving, with a coupling aid Mistake. A preferred coupling aid is, for example an immersion oil, as is known from microscopy is. The aids preferably have a similar Refraction on like the crystalline body to be examined.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird an das zu untersuchende Objekt ein Passstück angesetzt, welches an die Oberfläche des kristallinen Körpers formschlüssig angepasst ist. Auf der der Detektionsstrahlung zugewandten Seite ist dieses Passstück eben, so dass die elektromagnetische Welle möglichst senkrecht eintreten kann. Auf diese Weise werden Artefakte vermieden, wie sie beispielsweise entstehen, wenn die Strahlung unter verschiedenen Winkeln in die Körperober fläche eintritt und dabei unterschiedlich gebeugt wird, da hier die Welle generell senkrecht zur Oberfläche in das Passstück und von dort in den zu untersuchenden kristallinen Körper eintritt. Auch hier ist es bevorzugt, zwischen Passstück und dem Objekt ein Kopplungshilfsmittel wie beispielsweise Immersionsöl anzuordnen.In Another preferred embodiment is attached to the to be examined object a fitting piece attached, which Form-fitting to the surface of the crystalline body is adjusted. On the side facing the detection radiation this fitting is even, so the electromagnetic wave can occur as vertically as possible. That way Artifacts avoided, as they arise, for example, when the Radiation at different angles in the body surface occurs and diffracted differently, since here the wave in general perpendicular to the surface in the fitting piece and from there enters the crystalline body to be examined. Again, it is preferable between fitting piece and the Object a coupling aid such as immersion oil to arrange.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird zur Bestimmung der Lage der Kristalldefekte die Aufnahme wenigstens eines Bildes mit einer Bildaufnahmeeinrichtung vorgenommen.In Another preferred embodiment is for the determination the location of the crystal defects recording at least one image made with an image pickup device.

Die Aufnahme erfolgt dabei mittels eines punktförmigen, linienförmigen und flächenförmigen elektronischen Detektors (Bildaufnahmeeinrichtung). Eine bevorzugte Bildaufnahmeeinrichtung ist eine CCD-Kamera, Infrarotkamera oder ein anderes abbildendes Gerät. Besonders bevorzugt wird eine CCD-Kamera oder eine CMOS-Kamera als Aufnahmeeinrichtung verwendet.The Recording takes place by means of a punctiform, linear and sheet-like electronic detector (image pickup device). A preferred image pickup device is a CCD camera, infrared camera or another imaging device. Especially preferred is a CCD camera or a CMOS camera as a recording device used.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform erfolgt die Bestimmung der Lage der Kristalldefekte mit Hilfe eines Signalgebers, der die Drehwinkel an eine Datenverarbeitungsanlage mit Speicher übermittelt.In Another preferred embodiment is the Determination of the position of the crystal defects by means of a signal generator, which transmits the rotation angle to a data processing system with memory.

Die Drehwinkel geben dabei die Stellung des kristallinen Körpers zwischen den Polarisatoren an.The Rotation angles give the position of the crystalline body between the polarizers.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird zur Bestimmung der Lage der Kristalldefekte die Änderung der Lichtstärke in einer Analyseeinrichtung berechnet.In Another preferred embodiment is for the determination the location of the crystal defects the change in light intensity calculated in an analyzer.

Die so gefundenen Kristalldefekte werden dann bezüglich ihrer räumlichen Lage, ihrer Ausdehnung und Intensität erfasst und in das Koordinatensystem des kristallinen Festkörpers eingebettet. Auf diese Weise lassen sich anhand von Kristalldefekten wie Korngrenzen, Gleitbändern, Blasen und Einschlüssen die genaue Raumlage einzelner monokristalliner Bereiche bestimmen.The crystal defects thus found are then compared with respect to their spatial location, its extent and intensity captured and in the coordinate system of the crystalline solid embedded. In this way, crystal defects such as Grain boundaries, slip bands, bubbles and inclusions determine the exact spatial position of individual monocrystalline areas.

Die Lage der Kristalldefekte und monokristallinen Bereiche wird in einer Datenverarbeitungsanlage mit Speicher eingetragen.The Location of the crystal defects and monocrystalline areas is in one Data processing system with memory entered.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird die Lage von monokristallinen Bereichen in einer Bildverarbeitungseinrichtung angezeigt.In Another preferred embodiment is the layer of monocrystalline regions in an image processing device displayed.

Dabei wird die Qualität der jeweiligen monokristallinen Bereiche auf dem Bildschirm bevorzugt durch eine Farbe dargestellt. Auf diese Weise kann bei der Suche nach bestimmten Qualitäten aufgrund der Farbe auf einfache Weise die jeweils gesuchte Qualität ohne weiteres schnell im kristallinen Körper gefunden und entsprechend herausgeschnitten werden.there becomes the quality of the respective monocrystalline regions on the screen preferably represented by a color. To this Way may be in the search for specific qualities due to the Color easily the quality you are looking for readily found in the crystalline body and quickly be cut out accordingly.

In einem weiteren Schritt wird zunächst die Rohkristallqualität des kristallinen Körpers bestimmt. Dazu werden die Kleinwinkelkorngrenzen bestimmt.In Another step is the raw crystal quality of the crystalline body. These are the Kleinwinkelkorngrenzen certainly.

Unter Kleinwinkelkorngrenzen werden innerhalb eines Einkristalls Verkippungen der Kristallachse von Subkörnern gegeneinander verstanden, die zueinander einen Winkel von maximal ca. 5° bilden. Die Bestimmung der Kleinwinkelkorngrenzen ist an sich bekannt und wird üblicherweise im Polariskop durchgeführt. Dabei wird der zu untersuchende kristalline Körper ebenfalls mittels einer Immersionsflüssigkeit benetzt und zwischen zwei gekreuzte Polarisatoren gestellt. Erfindungsgemäß wird dabei der Rohkristall zwischen den Polarisatoren vorzugsweise mit geschliffenen, insbesondere allseitig geschliffenen Oberflächen angeordnet. Die Bestimmung der Verkippung erfolgt dann anhand von Vergleichskörpern, deren Verkippungswinkel mittels Röntgendiffraktometrie, z. B. mittels einer Crysotax-Sonde bezeichneten Vorrichtung der Firma Röntec, zuvor bestimmt worden ist.Within small-angle grain boundaries, tilting of the crystal axis of subgrains with respect to one another is understood within a single crystal, which forms an angle of a maximum of approximately 5 ° relative to one another. The determination of the small-angle grain boundaries is known per se and is usually carried out in the polariscope. In this case, the crystalline body to be examined is also wetted by means of an immersion liquid and between two crossed polari provided. According to the invention, the raw crystal between the polarizers is preferably arranged with ground surfaces, in particular ground on all sides. The determination of the tilt then takes place on the basis of comparison bodies whose tilt angle by means of X-ray diffractometry, z. B. by means of a device called Crysotax probe Röntec, previously determined.

Die Rohkristallqualität RKQ 0 ist ein Kristall, der keine merkbaren Kleinwinkelkorngrenzen und keine merkbare diffuse Streuung aufweist. RKQ 1 bedeutet keine Kleinwinkelkorngrenzen aber eine geringe wahrnehmbare diffuse Streuung sowie gegebenenfalls eine geringe Fluoreszenz. RKQ 2 bedeutet schwache bis mittlere Kleinwinkelkorngrenzen, wobei schwache Kleinwinkelkorngrenzen flächig verlaufend und mittlere Kleinwinkelkorngrenzen sternförmig bzw. modifiziert verlaufen. RKQ 3 bedeutet, dass die Kleinwinkelkorngrenzen kreuz und quer in einem bestimmten Bereich, ohne eine wesentliche Vorzugsrichtung verlaufen. RKQ 4 mit im gesamten Bereich verlaufenden Kleinwinkelkorngrenzen wird verworfen.The Raw crystal quality RKQ 0 is a crystal that is not noticeable Small angle grain boundaries and no noticeable diffuse scattering. RKQ 1 does not mean small angle grain boundaries but a low perceptible diffuse scattering and possibly low fluorescence. RKQ 2 means weak to medium small angle grain boundaries, where weak small-angle grain boundaries flat and mean small-angle grain boundaries star-shaped or modified run. RKQ 3 means that the small angle grain boundaries cross and across a certain area, without a significant preferential direction run. RKQ 4 with small angle grain boundaries extending over the entire area is discarded.

Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird in einem Schritt (c) die Lage eines monokristallinen Körpers festgelegt.According to the inventive method is in one step (c) determining the location of a monocrystalline body.

Dabei wird die Lage des monokristallinen Körpers so festgelegt, dass der Körper bevorzugt nur aus einer kristallinen Orientierung besteht und bevorzugt keine fehlerhaften Bereiche wie Kleinwinkelkorngrenzen und Streupartikel aufweisen.there the position of the monocrystalline body is determined that the body preferably only from a crystalline orientation and preferably does not contain any defective areas such as small angle grain boundaries and scattering particles.

Auf diese Weise können monokristalline Körper in Form eines flachen Zylinders erzeugt werden, deren Zylinderachsen in eine der vier symmetrieäquivalenten [111]-Richtungen zeigt. Alternativ können ebenfalls die anderen symmetrieäquivalenten Richtungen ausgewählt werden. Dieser Zylinder wird mit der Bildbearbeitungseinrichtung angezeigt und kann innerhalb der dargestellten Form des kristallinen Körpers mittels der Maus oder Tastatur verschoben werden. Dabei ist jeweils nur eine Parallelverschiebung zugelassen, da andernfalls die kristallographische Orientierung verändert würde.On This way monocrystalline bodies can take shape a flat cylinder are generated, the cylinder axes in a of the four symmetry-equivalent [111] directions. Alternatively, the other symmetry equivalents can also be used Directions are selected. This cylinder comes with the Image editing device displayed and can be displayed within the Form of the crystalline body using the mouse or keyboard be moved. Only one parallel shift is permitted in each case, otherwise the crystallographic orientation changes would.

Sofern eine optimale Form des Zylinders mit einer besten Qualität beispielsweise in Bezug auf die [111]-Orientierung oder die [110]-Orientierung oder für den maximalen Durchmesser gefunden wurde, wird die Lage dieser Form in der Datenverarbeitungsanlage gespeichert.Provided an optimal shape of the cylinder with the best quality for example, with respect to the [111] orientation or the [110] orientation or for the maximum diameter is found the location of this form stored in the data processing system.

Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird in einem Schritt (d) die Lage weiterer monokristalliner Körper mittels eines Rechner gesteuerten Iterationsverfahrens zur optimalen Ausnutzung des Volumens des kristallinen Körpers festgelegt.According to the inventive method is in one step (d) the position of further monocrystalline bodies by means of a Computer controlled iteration process for optimal utilization of the volume of the crystalline body.

Zur optimalen Ausnutzung des Volumens erfolgt ausgehend von der festgelegten Form eines ersten Zylinders eine Rechner gesteuerte Aufteilung des Rohmaterials des kristallinen Körpers in monokristalline Körper mit einer kristallographischen Orientierung, die keine Kristalldefekte aufweisen, unter Berücksichtigung von Parametern wie benötigte Schnittaufmaße und Optimierung der Schnittführung mit minimalen Schnittverlusten. Eine derartige Aufteilung ist mittels an sich bekannter Iterationsverfahren möglich. Dabei geht das Iterationsverfahren so vor, dass Überschneidung von eingelegten Zylindern vermieden werden und sich ebenfalls keine Bereiche der Zylinder außerhalb des Volumens des kristallinen Körpers befinden.to optimal utilization of the volume takes place on the basis of the specified Form of a first cylinder a computer controlled division of the raw material of the crystalline body in monocrystalline bodies with a crystallographic orientation that does not have crystal defects have, taking into account parameters such as required Cutting allowances and optimization of the cutting guide with minimal cutting losses. Such a division is by means of per se known iteration method possible. It goes the iteration method so that overlap of inlaid cylinders are avoided and also no Regions of the cylinder outside the volume of the crystalline body are located.

Die Erfindung ermöglicht somit eine vollständige Bestimmung von Kristalldefekten in einem kristallinen Körper mit dem Ziel einer optimierten Materialverwertung für unterschiedliche Lieferprodukte. Die Erfindung ist besonders vorteilhaft anzuwenden bei der ganzheitlichen und automatischen Zerteilung und Zuteilung von kristallinen Körpern, die eine Vielzahl von Bereichsgrenzen im kristallinen Körper aufweisen.The Invention thus enables a complete determination of crystal defects in a crystalline body with the The goal of optimized material utilization for different Delivery products. The invention is particularly advantageous to apply in the case of holistic and automatic fragmentation and allocation of crystalline bodies covering a variety of area boundaries in the crystalline body.

Ein besonderer Vorteil der Erfindung ist, dass limitierte und teure Materialien, wie beispielsweise Calciumfluorid, durch minimierte Schnittverluste und Erhöhung der Ausbeute erheblich besser ausgenutzt werden können. Wenn gewünscht, kann das Verfahren interaktiv ausgestaltet werden, um Mitarbeiter bei der optimierten Zuteilung zu unterstützen.One particular advantage of the invention is that limited and expensive Materials, such as calcium fluoride, by minimized Cut losses and increase the yield considerably better can be exploited. If desired, can The procedure will be interactively designed to help employees in the process to support optimized allocation.

Die Lage der monokristallinen Bereiche wird in der Datenverarbeitungsanlage abgespeichert und als Vorgabe der Schnittführung für die Trenntechnik (z. B. Sägen, Spalten, Brechen) verwendet.The Location of the monocrystalline areas is in the data processing system saved and as a specification of the cut for the separation technique (eg sawing, splitting, breaking) used.

Die Erfindung betrifft auch die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung von Linsen, Prismen, optischen Fenstern sowie optischen Komponenten für die DUV-Lithographie, Steppern, Excimer-Laser, Wafern, Computerchips sowie integrierten Schaltungen und elektronischen Geräten, die solche Chips enthalten.The Invention also relates to the implementation of the invention Process for the production of lenses, prisms, optical windows and optical components for DUV lithography, steppers, Excimer lasers, wafers, computer chips and integrated circuits and electronic devices containing such chips.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es insbesondere auch möglich, Linsen, Prismen, Lichtleitstäbe, optische Fenster sowie optischen Geräte für die DUV-Lithographie herzustellen. Das Verfahren findet daher auch insbesondere Anwendung zur Herstellung von Steppern und Excimer-Lasern und somit auch zur Herstellung von integrierten Schaltungen sowie elektronischer Geräte wie Computerchips enthaltende Computer sowie andere elektronische Geräte, welche chipartige integrierte Schaltungen enthalten.With in particular, it is the process of the invention also possible, lenses, prisms, light-conducting rods, optical windows and optical devices for the DUV lithography produce. The method therefore also finds particular Application for the production of steppers and excimer lasers and thus also for the production of integrated circuits as well as electronic Devices such as computers containing computer chips and others electronic devices, which are chip-type integrated circuits contain.

Die Erfindung soll an den folgenden Beispielen näher erläutert werden. Hierbei zeigenThe Invention will be explained in more detail in the following examples become. Show here

1 eine schematische Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, 1 a schematic device for carrying out the method according to the invention,

2 einen Kristallingot mit dem Verlauf seiner Kristallebenen und -achsen und 2 a crystal ingot with the course of its crystal planes and axes and

3 eine erfindungsgemäß angepasste Lage eines vorgegebenen herauszusägenden Kristallrohlings mit den jeweiligen Sägeachsen. 3 an inventively adapted position of a given herauszusägenden crystal blank with the respective saw axes.

1 zeigt einen auf einem drehbaren Lager (4) angeordneten kristallinen Ausgangsingot (9). Der drehbare Ingotträger (4) weist Rollenlager (10) auf, so dass der kristalline Ausgangsingot nicht nur entlang der senkrechten Achse des Kristallträgers (Rot 1) rotierbar ist sondern auch um seine Längsachse (Rot 2). Der kristalline Ingot liegt zwischen gekreuzten Polarisationsfiltern (3) und (6) und wird mittels eines Beleuchtungssystems (2) von hinten beleuchtet. Das durchtretende Licht wird mittels einer CCD-Kamera (7) aufgenommen und die Daten an eine Recheneinheit (8) weitergeleitet. Die Recheneinheit (8) ist mit den Dreh- und Impulsgebern des Ingotträgers (4) verbunden. Auf diese Weise wird jede Bewegung bzw. Drehung des kristallinen Ingots und damit auch seine Lage vom Rechner gespeichert und kann so dem entsprechenden mit der CCD-Kamera aufgenommenen Muster zugeordnet werden. Rechner (8) zeigt ein fertiges Bild, in dem kristalline Rohlinge, wie beispielsweise Linsenrohlinge, mittels einem Iterationsverfahren unter optimaler Ausnutzung des defektfreien Volumens angeordnet sind. Auf diese Weise werden dann Schnitt- bzw. Sägemuster angefertigt, wie dies in 3 gezeigt ist. 1 shows one on a rotatable bearing ( 4 ) arranged crystalline Ausgangsingot ( 9 ). The rotatable ingot carrier ( 4 ) has roller bearings ( 10 ), so that the crystalline initial ingot not only along the vertical axis of the crystal carrier (red 1 ) is rotatable but also about its longitudinal axis (red 2 ). The crystalline ingot lies between crossed polarizing filters ( 3 ) and ( 6 ) and by means of a lighting system ( 2 ) backlit. The transmitted light is detected by means of a CCD camera ( 7 ) and the data is sent to a computing unit ( 8th ) forwarded. The arithmetic unit ( 8th ) is connected to the rotary and pulse encoders of the ingot carrier ( 4 ) connected. In this way, each movement or rotation of the crystalline ingot and thus also its position is stored by the computer and can thus be assigned to the corresponding pattern recorded with the CCD camera. Computer ( 8th ) shows a finished image in which crystalline blanks, such as lens blanks, are arranged by means of an iterative process, making optimum use of the defect-free volume. In this way, then cut or saw patterns are made, as in 3 is shown.

2 zeigt einen entlang der <111>-Achse gewachsenen kristallinen Ingot (9) mit seinen hierfür typisch liegenden Kristallebenen. Durch Abschlagen einer kleinen Kante lassen sich diese Ebenen sofort ohne weiteres genau festlegen. 2 shows a crystalline ingot grown along the <111> axis ( 9 ) with its typical crystal planes. By knocking off a small edge, these levels can be set immediately without further ado.

Ein mittels dem erfindungsgemäßen Verfahren bestimmtes Sägemuster ist in 3 dargestellt. Dabei zeigt der obere Teil von 3 eine Draufsicht des rundkristallinen Ingots, aus dem ein tortenähnliches Stück herauszuschneiden ist. Wie in der Seitenansicht dargestellt, wird dann gemäß der unteren Schnittanleitung mit den angegebenen Winkeln und Sägeebenen ein Rohling aus diesem tortenähnliche Stück abgetrennt. Auf diese Weise wird ein defektfreier einkristalliner Rohling zur Weiterverarbeitung, insbesonders für optischen Zwecke, erhalten.A sawing pattern determined by means of the method according to the invention is described in 3 shown. The upper part of 3 a plan view of the round crystalline ingot, from which a pie-like piece is cut out. As shown in the side view, a blank is then separated from this cake-like piece according to the lower sectioning instructions with the specified angles and sawing planes. In this way, a defect-free monocrystalline blank for further processing, especially for optical purposes, is obtained.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - DE 10010484 A1 [0020] DE 10010484 A1 [0020]

Claims (11)

Verfahren zur Optimierung einer Zerteilung eines kristallinen Ausgangskörpers, umfassend die Schritte (a) Bestimmen der Lage der Kristallachsen, (b) Bestimmen der dreidimensionalen Raumform des kristallinen Ausgangskörpers, (c) Festlegen des nutzbaren Volumens durch Bestimmen der Lage von Kristalldefekten im kristallinen Ausgangskörper und (d) Einpassen einer vorgegebenen Raumform eines oder mehrerer herzustellender Monokristallrohlinge in das nutzbare Volumen mittels eines Rechner gesteuerten Iterationsverfahrens unter Ausnutzung des maximalen nutzbaren Volumens.Method for optimizing a division of a crystalline starting body comprising the steps (A) Determining the position of the crystal axes, (b) determining the three-dimensional Spatial form of the crystalline initial body, (c) Determine the usable volume by determining the location of crystal defects in the crystalline source and (d) fitting one predetermined spatial form of one or more monocrystal blanks to be produced in the usable volume by means of a computer-controlled iteration method taking advantage of the maximum usable volume. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der kristalline Körper ein kristalliner Körper ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Calcium(II)fluorid, Barium(II)fluorid, Strontium(II)fluorid, Magnesium(II)fluorid, Natriumfluorid, Kaliumfluorid und Cäsiumfluorid ist.Method according to claim 1, characterized in that that the crystalline body is a crystalline body selected from the group consisting of calcium (II) fluoride, Barium (II) fluoride, strontium (II) fluoride, magnesium (II) fluoride, sodium fluoride, Potassium fluoride and cesium fluoride. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Lage der Kristallachsen in Bezug auf die Lage der kristallinen Körper durch Festlegen der [111]-Oberflächen des kristallinen Körpers bestimmt wird.Method according to claim 1 or 2, characterized that the position of the crystal axes in relation to the position of the crystalline Body by setting the [111] surfaces of the crystalline body is determined. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1–3, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestimmung der Lage der Kristalldefekte mit elektromagnetischen Wellen als Detektionsstrahlung bestimmt wird.Method according to one of the preceding claims 1-3, characterized in that the determination of the location the crystal defects with electromagnetic waves as detection radiation is determined. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bestimmung der Lage der Kristalldefekte der kristalline Körper aus verschiedenen Raumrichtungen durchleuchtet wird.Method according to one of the preceding claims 1-4, characterized in that for determining the position the crystal defects of the crystalline bodies from different Spatial directions is illuminated. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1–5, dadurch gekennzeichnet, dass der kristalline Körper zur Bestimmung der Lage der Kristalldefekte zwischen Polarisatoren angeordnet wird.Method according to one of the preceding claims 1-5, characterized in that the crystalline body for determining the position of the crystal defects between polarizers is arranged. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1–6, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bestimmung der Lage der Kristalldefekte die Aufnahme wenigstens eines Bildes mit einer Bildaufnahmeeinrichtung erfolgt.Method according to one of the preceding claims 1-6, characterized in that for determining the position the crystal defects the inclusion of at least one image with a Image recording device takes place. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1–7, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bestimmung der Lage der Kristalldefekte der Kristall und/oder eine Leuchtquelle gedreht und ein Signalgeber die Drehwinkel an eine Datenverarbeitungsanlage mit Speicher übermittelt.Method according to one of the preceding claims 1-7, characterized in that for determining the position the crystal defects the crystal and / or a luminous source turned and a signal generator, the rotation angle to a data processing system transmitted with memory. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1–8, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bestimmung der Lage der Kristalldefekte die Änderung der Lichtstärke in einer Analyseeinrichtung berechnet wird.Method according to one of the preceding claims 1-8, characterized in that for determining the position the crystal defects the change in light intensity is calculated in an analyzer. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1–9, dadurch gekennzeichnet, dass die Lage von monokristallinen Bereichen in einer Bildverarbeitungseinrichtung angezeigt wird.Method according to one of the preceding claims 1-9, characterized in that the location of monocrystalline Areas is displayed in an image processing device. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1–10, dadurch gekennzeichnet, dass es zur Herstellung von Linsen, Prismen, optischen Fenstern sowie optischen Komponenten für die DUV-Lithographie, Steppern, Excimer-Lasern, Wafern, Computerchips, sowie integrierten Schaltungen und elektronischen Geräten, die solche Chips enthalten, verwendet wird.Method according to one of the preceding claims 1-10, characterized in that it is for the production of Lenses, prisms, optical windows and optical components for DUV lithography, steppers, excimer lasers, wafers, Computer chips, and integrated circuits and electronic Equipment containing such chips is used.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10010484A1 (en) 2000-03-03 2001-09-13 Schott Glas Device for growing large volume single crystals has heating element arranged on side walls of melt crucible to prevent lateral radial heat flow
EP1408348A1 (en) * 2001-07-17 2004-04-14 Nikon Corporation Method for producing optical member
DE10345895A1 (en) * 2002-10-01 2004-04-29 Nikon Corp. Production of an optical element made from a fluoride crystal for an optical system of an illuminating device comprises determining the crystal orientation on the lateral surface
DE10209593B4 (en) * 2002-03-05 2005-03-24 Schott Ag Method for quality control and cut optimization of optical raw materials
WO2005052540A2 (en) * 2003-11-28 2005-06-09 Sarin Technologies Ltd. Detection of imperfections in precious stones

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10010484A1 (en) 2000-03-03 2001-09-13 Schott Glas Device for growing large volume single crystals has heating element arranged on side walls of melt crucible to prevent lateral radial heat flow
EP1408348A1 (en) * 2001-07-17 2004-04-14 Nikon Corporation Method for producing optical member
DE10209593B4 (en) * 2002-03-05 2005-03-24 Schott Ag Method for quality control and cut optimization of optical raw materials
DE10345895A1 (en) * 2002-10-01 2004-04-29 Nikon Corp. Production of an optical element made from a fluoride crystal for an optical system of an illuminating device comprises determining the crystal orientation on the lateral surface
WO2005052540A2 (en) * 2003-11-28 2005-06-09 Sarin Technologies Ltd. Detection of imperfections in precious stones

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