DE102008023374A1

DE102008023374A1 - Filterschaltung mit laddertype-ähnlicher Struktur und Verfahren zu ihrer Optimierung

Info

Publication number: DE102008023374A1
Application number: DE102008023374A
Authority: DE
Inventors: Peter Selmeier
Original assignee: Epcos AG
Current assignee: SnapTrack Inc
Priority date: 2008-05-13
Filing date: 2008-05-13
Publication date: 2009-12-03
Anticipated expiration: 2028-05-14
Also published as: DE102008023374B4

Abstract

Eine Filterschaltung mit verbesserter Variabilität in der Sperrbereichsunterdrückung wird angegeben. Dazu weist die Filterschaltung eine Laddertype-ähnliche Struktur auf. Jeweils zwei von vier Parallelresonatoren in vier Parallelpfaden werden ausgangsseitig über ein Reaktanzelement mit Masse verbunden. Die zwei Reaktanzelemente bestimmen die Lage zweier zusätzlicher Polstellen.

Description

Die Erfindung betrifft eine Filterschaltung in laddertype-ähnlicher Struktur mit verbesserter Isolation oder verbesserter Einfügedämpfung und ein Verfahren zur Optimierung der Filterschaltung.
Aus der Offenlegungsschrift DE 102 006 005 298 A ist ein Duplexer mit hoher Isolation im Empfangsband bekannt. Im Rx-Filter sind zwei Querzweige einer Laddertype-Struktur von SAW-Resonatoren parallel verschaltet und in Reihe mit einer Induktivität geschaltet. Durch angepasste Induktivitäten und Kapazitäten wird erreicht, dass ein Empfangssignal vom Ausgang des Sendefilters reflektiert und in den Empfangspfad geleitet wird; das Sendefilter wirkt als Bandsperre für Empfangssignale.
Aus der Patentschrift EP 0 995 265 B1 ist ein Oberflächen¬wellenfilter in Laddertype-Anordnung mit verbesserter Flankensteilheit bekannt. Die verbesserte Flankensteilheit des Passbands wird dadurch erreicht, dass die Finger¬periodi¬zitäten von parallelen oder seriellen Resonatoren leicht voneinander verschieden sind.
Aus der Patentschrift EP 1 196 991 B1 ist ein Oberflächen¬wellenfilter nach dem Reaktanzfiltertyp mit verbesserter Sperrbereichsunterdrückung bekannt. Spezielle Ausgestaltungen von Laddertype-Strukturen ermöglichen die Verschiebung von Polstellen der Übertragungsfunktion hin zu niedrigeren Frequenzen.
Aus der Offenlegungsschrift DE 199 32 649 A1 ist ein SAW Filter mit laddertype-ähnlicher Struktur bekannt.
Ein Problem des Stands der Technik besteht darin, dass bekannte Filter durch die immer weiter ansteigenden Ansprüche an die Filtercharakteristik z. B. in von mobilen Kommunikationsgeräten benutzten Frequenzbändern den neuen Spezifikationen nicht mehr genügen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es eine Filterschaltung anzugeben, die eine verbesserte Dämpfungscharakteristik und eine größere Variabilität in der Positionierung von Polstellen aufweist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Filterschaltung nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Erfindung umfasst einen Signalpfad mit einem Signalpfadeingang und einem Signalpfadausgang und zwei Basisschaltungselemente, die seriell im Signalpfad verschaltet sind. Jedes der beiden Basisschaltungselemente weist drei Resonatoren und ein Reaktanzelement auf. Einer der Resonatoren, ein sogenannter Serienresonator, ist dabei im Signalpfad verschaltet. Ein zweiter Resonator (ein erster Parallelresonator) ist mit einer Elektrode am Signaleingang des Basisschaltungselements verschaltet, während ein dritter Resonator (ein zweiter Parallelresonator) mit einer Elektrode am Signalausgang des Basisschaltungselements verschaltet ist. Die jeweils andere Elektrode der Parallelresonatoren sind über eine Verbindungsleitung elektrisch miteinander verbunden. Diese Verbindungsleitung ist über ein Reaktanzelement mit Masse verbunden. Ein solches Basisschaltungselement im Signalpfad der Filterschaltung wirkt als Bandpassfilter.
Damit weist ein erfindungsgemäses Filter eine laddertype-ähnliche Struktur auf. Filterschaltungen mit Laddertype-Struktur sind aus seriell verschalteten Grundgliedern aufgebaut, die im Wesentlichen aus einem Resonator in einem „Serienzweig” und einem Resonator in einem „Parallelzweig” bestehen. Die charakteristische „Durchlassfrequenz” des Serienresonators stimmt dabei ungefähr mit der „Sperrfrequenz” des Parallelresonators überein. Damit bildet ein solches Grundglied für sich ein Passbandfilter. Die rechte Flanke der Dämpfungscharakteristik des Passbands wird maßgeblich von der konkreten Ausgestaltung des Serienresonators bestimmt, während die linke Flanke maßgeblich von der Ausgestaltung des Parallelresonators bestimmt wird. Laddertype-Filterschaltungen aus solchen Grundgliedern sind wohlbekannt.
Erwartungsgemäß würden bei dem beschriebenen Basisschaltungselement zwei Polstellen der Einfügedämpfung an der linken Flanke vorliegen, wenn die zwei Resonanzfrequenzen beider Parallelresonatoren sich geringfügig voneinander unterscheiden. Denn bei diesen Frequenzen fließt ein Signal aus dem Signalpfad entweder über den ersten Parallelresonator oder über den zweiten Parallelresonator und jeweils über das Reaktanzelement über Masse ab. Bei einer erfindungsgemäßen Filterschaltung zeigt sich jedoch eine zusätzliche dritte Polstelle an der linken Flanke, deren Lage von der Reaktanz des Reaktanzelements abhängt.
Dieser Effekt wird „Groundloop-Effekt” genannt. Durch den „Groundloup-Effekt” wird das Passband, das durch die beiden Grundglieder und die Wahl der Serien- und Parallelresonatoren bestimmt ist, nicht beeinträchtigt. Vielmehr erlaubt die Veränderung der Reaktanz des Reaktanzelements eine frei wählbare Positionierung der zusätzlichen dritten Polstelle. Im Ergebnis erhält man eine verbesserte Variabilität in der Gestaltung der Einfügedämpfung im Sperrbereich, ohne dass dabei die Qualität der Dämpfungscharakteristik im restlichen Bereich (z. B. im Passband) negativ beeinflusst wird.
Die erfindungsgemäße Hintereinanderschaltung zweier Basisschaltungselemente kann also zu vier Polstellen, deren Lage relativ fix ist, führen, während zwei weitere Polstellen in einem gewissen Rahmen entsprechend der Dimensionierung der jeweiligen Reaktanzelemente positioniert werden können.
Die zwei in der Lage der Frequenzen variierbaren Polstellen können eine Optimierung der Einfügedämpfung entsprechend einer strengeren Spezifikation bieten, wie sie durch den bisherigen Stand der Technik nicht möglich ist.
Weitere Ausgestaltungen bestehen darin, weitere „Serienresonatoren” im Signalpfad oder weitere „Parallelresonatoren” in weiteren parallel geschalteten Pfaden (Parallelzweige) zu verschalten. Letztere können damit weitere Polstellen erzeugen, indem sie Signale aus dem Signalpfad über Masse ableiten.
Die Reaktanzelemente können unterschiedliche Impedanzen aufweisen.
Besonders vorteilhaft ist es, die Resonatoren als SAW- oder BAW-Resonatoren auszubilden. Diese mit akustischen Wellen arbeitenden Resonatoren weisen im statischen Fall (d. h. bei Frequenzen, die sich deutlich von den akustischen Resonanz- und Antiresonanzfrequenzen unterscheiden) eine sog. „statische Kapazität” C0 auf, während sie im dynamischen Fall (d. h. akustischen Fall in der Nähe der Resonanz- und Antiresonanzfrequenzen) eine sog. dynamische Kapazität C1 aufweisen. Beide Kapazitäten sind zueinander proportional. Daraus ergibt sich ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Filterschaltung: Eine Optimierung der statischen Kapazität C0 zugunsten eines bestimmten Bereichs der Einfügedämpfung außerhalb des Passbands bewirkt aufgrund der genannten Proportionalität bei einem Filter mit Laddertype-Struktur eine Veränderung der dynamischen Kapazität C1 und damit in der Regel eine Verschlechterung der Filtercharakteristik im Passband. Durch die erfindungsgemäße Verschaltung erhält der Designer der Schaltung einen weiteren Freiheitsgrad zur Optimierung, ohne eine Verschlechterung der Dämpfungscharakteristik in anderen Frequenzbereichen zu bewirken.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen bestehen darin, die Resonatoren als SAW-Resonatoren auf Lithiumtantalat oder Lithiumniobat als Substratmaterial auszubilden oder als BAW-Resonatoren auf einem Siliziumchip anzuordnen.
Die elektrischen Verbindungsleitungen der Basisschaltungselemente können als elektrische Leiterbahnen auf dem Chip strukturiert sein. Ein Chip, der entsprechende mit akustischen Wellen arbeitende Resonatoren umfasst, kann auf einem mehrschichtigen Substrat, welches eine integrierte Verdrahtung umfassen kann, angeordnet sein. Darüber hinaus können im mehrschichtigen Substrat passive Komponenten der Filterschaltung, beispielsweise Anpasselemente sowie die genannten Reaktanzelemente integriert sein.
Die beschriebene Filterschaltung kann zusätzliche Filterelemente, wie z. B. DMS-(Dual Mode SAW) Filter umfassen, das in Serie mit dem Signalpfad geschaltet sein kann.
Besonders vorteilhafte Anwendungsmöglichkeiten der Filterschaltung bestehen darin, dass das Filter als Teil eines Bandpassfilters verwendet werden kann. Das Bandpassfilter wiederum kann Teil eines Duplexers sein.
Bei der Anwendung als Teil eines Duplexers kann die Filterschaltung bei im Wesentlichen unveränderter Einfügedämpfung im Passband eine verbesserte Isolation aufweisen. Die Filterschaltung kann auch bei im Wesentlichen unveränderter Isolation eine verbesserte Einfügedämpfung im Passband aufweisen.
Ein Verfahren zur Optimierung besteht darin, eine Filterschaltung bereitzustellen, die eine konventionelle Laddertype-Struktur mit vier Parallelpfaden aufweist. Dabei werden Parallelresonatoren und Serienresonatoren bezüglich ihrer Eigenschaften und insbesondere ihrer Resonanzfrequenz hin zu einer gewünschten Bandpassfiltercharakteristik optimiert. In einem nächsten Schritt werden jeweils zwei der vier Parallelpfade masseseitig miteinander verbunden und über je ein gemeinsam genutztes Reaktanzelement mit Masse verbunden. Dabei wird aufgrund des Groundloop-Effekts je eine zusätzliche Polstelle in der Nähe der linken Flanke des Passbands geschaffen. Diese Polstellen werden nun entsprechend der vorgesehenen Anwendung durch Variation der Reaktanzelemente an die gewünschten Frequenzpositionen verschoben.
Die zwei Reaktanzelemente können Induktivitäten sein. Die Induktivitäten können voneinander verschieden sein und vorzugsweise im Bereich zwischen 0.5 nH und 2 nH liegen.
Im Folgenden wird die Filterschaltung anhand von Ausführungsbeispielen und zugehörigen schematischen Figuren näher erläutert. Es zeigen:
1a ein Grundglied einer Laddertype-Struktur,
1b eine typische Dämpfungscharakteristik eines Passbandfilters,
1c eine konventionelle Laddertype-Struktur,
2 eine laddertype-ähnliche Struktur mit zwei erfindungsgemäßen Basisschaltungselementen,
3 ein Basisschaltungselement,
4 eine vorteilhafte Filterschaltung in laddertype-ähnlicher Struktur,
5 eine Filterschaltung in laddertype-ähnlicher Struktur mit vorteilhaften zusätzlichen Resonatoren und Reaktanzelementen,
6a eine Einfügedämpfungscharakteristik eines Duplexers,
6b die frequenzabhängige Isolation eines Duplexers.
1a zeigt ein Grundglied einer Laddertype-Schaltung. In einem Signalpfad SP ist ein Serienresonator SR verschaltet und in einem Parallelpfad PP ist ein Parallelresonator PR verschaltet. Der Parallelresonator ist einerseits mit dem Signalpfad und andererseits mit Masse MA elektrisch verbunden.
Die 1b zeigt eine typische Einfügedämpfung eines Grundglieds der 1a. Aufgetragen ist die Dämpfung (in dB) gegenüber der Frequenz (in MHz). Polstellen existieren bei frp, der Resonanzfrequenz des Parallelresonators PR und bei fas, der Antiresonanzfrequenz des Serienresonators SR. Das Passband bildet sich im Bereich der Frequenzen frs und fap aus, was der Resonanzfrequenz des Serienresonators bzw. der Antiresonanzfrequenz des Parallelresonators entspricht.
Die 1c zeigt eine Laddertype-Struktur, die als Ausgangsbasis der vorliegenden Erfindung dient. In einem Signalpfad SP sind zwei Serienresonatoren SR1 und SR2 verschaltet und in vier Parallelpfaden PP11, PP21, PP12 und PP22 sind vier Parallelresonatoren PR11, PR21, PR12 und PR22 verschaltet. Die Parallelpfade sind einerseits mit dem Signalpfad und andererseits mit Masse elektrisch verbunden.
2 zeigt zwei erfindungsgemäße Basisschaltungseinheiten BSE1 und BSE2, die in einem Signalpfad SP in Serie verschaltet sind. Entsprechend ist der Signaleingang des zweiten Basisschaltungselements mit dem Signalausgang des ersten Basisschaltungselements verschaltet. Der Signalpfad verfügt über einen Signalpfadeingang SPE und einen Signalpfadausgang SPA. Jedes der beiden Basisschaltungselemente BSE1 und BSE2 ist über ein Reaktanzelement mit Masse MA verbunden.
3 zeigt ein detailierter beschriebenes Basisschaltungselement BSE. Das Basisschaltungselement umfasst einen Signaleingang SE und einen Signalausgang SA. Dazwischen ist ein Serienresonator SR verschaltet. Mit dem Signaleingang SE ist ein erster Parallelresonator PR1 und mit dem Signalausgang SA ist ein zweiter Parallelresonator PR2 verschaltet. Masseseitig sind beide Parallelresonatoren PR1 und PR2 über eine elektrisch leitende Verbindungsleitung VL verbunden und über ein Reaktanzelement, das an einem Verbindungsanschluss VA an der Verbindungsleitung VL angeschlossen ist, mit Masse verschaltet.
4 zeigt eine mögliche Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung, wobei die Reaktanzelemente der Basisschaltungselemente als Induktivitäten ausgeführt sind und wobei der Signalpfad zwischen beiden Basisschaltungselementen verschaltet einen Serienresonator SR3 aufweist.
5 zeigt eine vorteilhafte Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung, wobei im Vergleich zu Ausgestaltung nach 4 noch zwei weitere Serienresonatoren SR4 und SR5 im Signalpfad verschaltet sind, und wobei eine weitere Induktivität IN elektrisch am Signalpfadausgang angeschlossen ist. Zwischen der weiteren Induktivität IN und dem Serienresonator SR5 ist ein weiterer Parallelresonator PR5 in einem weiteren Parallelpfad mit dem Signalpfad und mit Masse elektrisch leitend verbunden.
Die 6a und 6b zeigen vier Kurven der Einfügedämpfung eines Duplexers, von dem zumindest ein Filter die erfindungsgemäße Filterschaltung umfasst. 6a zeigt die Einfügedämpfung (in dB) gegenüber der Frequenz im Bereich von 1800 bis 2300 MHz. Die einseitig offenen Rechtecke geben einzuhaltende Spezifikationen des jeweiligen Mobilfunkstandards vor. Die zwei Kurven DTxa bzw. DRxa zeigen die Einfügedämpfung eines Sendepfads bzw. eines Empfangspfads einer im Duplexer enthaltenen Filterschaltung, wobei die Reaktanzelemente verschwindend geringe Reaktanzwerte aufweisen. Dieser Fall entspricht somit einer konventionellen Laddertype-Struktur.
Die zwei Kurven DTxb bzw. DRxb zeigen die Einfügedämpfung eines Sendepfads bzw. eines Empfangspfads einer im Duplexer verbauten Filterschaltung, wobei die Reaktanzelemente endlich große Reaktanzwerte (0.5–2 nH) aufweisen. In der Kurve DRxb sind drei lokale Minima bei 2010 MHz, bei 2030 MHz und bei 2080 MHz zu erkennen. Diese sind die drei in der Beschreibung genannten Polstellen, von denen eine durch Variation der Recktanz in der Lage verschoben werden kann, ohne, die übrige Filtercharakteristik zu verschlechtern.
Dagegen zeigt die 6b die Isolation zwischen Sendepfad und Empfangspfad eines Duplexers, der eine erfindungsgemäße Filterschaltung verwendet. Die Kurven Ia bzw. Ib unterscheiden sich wiederum in der Induktivität der verschalteten Reaktanzelemente: Die Kurve Ib zeigt die Isolation mit verschwindend geringer Induktivität, während die andere Kurve Ia die Isolation bei endlicher Induktivität der Reaktanzelemente zeigt. Insbesondere im Sendeband ist die Isolation um ca. 2–3 dB verbessert.
Eine Filterschaltung ist nicht auf eine der beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Variationen, welche z. B. noch weitere Resonatoren, Reaktanzelemente oder beliebige Kombinationen daraus im Signalpfad oder in beschriebenen oder zusätzlichen Parallelpfaden umfassen, stellen ebenso erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele dar.

BSE, BSE1, BSE2: Schasisschaltungselement
DRxa: Dämpfungskurve des Empfangspfads ohne Reaktanzelement
DRxb: Dämpfungskurve des Empfangspfads mit Reaktanzelement
DTxa: Dämpfungskurve des Sendepfads ohne Reaktanzelement
DTxb: Dämpfungskurve des Sendepfads mit Reaktanzelement
fap: Antiresonanzfrequenz eines Parallelresonators
fas: Antiresonanzfrequenz eines Serienresonators
frp: Resonanzfrequenz eines Parallelresonators
frs: Resonanzfrequenz eines Serienresonators
Ia: Isolationskurve ohne Reaktanzelement
Ib: Isolationskurve mit Reaktanzelement
IN: Induktivität
MA: Masse
PP, PP11, PP12, PP21, PP22: Parallelpfad
PR, PR11, PR12, PR21, PR22, PR5: Parallelresonator
RE: Reaktanzelement
SA: Signalausgang
SE: Signaleingang
SP: Signalpfad
SPA: Signalpfadausgang
SPE: Signalpfadeingang
SR, SR1, SR2, SR3, SR4, SR5: Serienresonator
VA: Verbindungsanschluss
VL: Verbindungsleitung

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- DE 102006005298 A1 [0002]
- EP 0995265 B1 [0003]
- EP 1196991 B1 [0004]
- DE 19932649 A1 [0005]

Claims

Filterschaltung mit laddertype-ähnlicher Struktur, die auf einem Chip ausgebildet ist, umfassend – einen Signalpfad (SP), der einen Signalpfadeingang (SPE) mit einem Signalpfadausgang (SPA) verbindet, – einen Masseanschluss (MA), – ein erstes und ein zweites Basisschaltungselement (BSE1, BSE2), umfassend je – einen Signaleingang (SE1, SE2), – einen Signalausgang (SA1, SA2), – einen Verbindungsanschluss (VA1, VA2), – einen Serienresonator (SR1, SR2), elektrisch zwischen Signaleingang (SE1, SE2) und Signalausgang (SA1, SA2) verschaltet, – einen Resonator (PR11, PR12), elektrisch zwischen Signaleingang (SE1, SE2) und Verbindungsanschluss (VA1, VA2) verschaltet, – einen zweiten Resonator (PR21, PR22), elektrisch zwischen Verbindungsanschluss (VA1, VA2) und Signalausgang (SA1, SA2) verschaltet, – ein Reaktanzelement (RE1, RE2), elektrisch zwischen Verbindungsanschluss (VA1, VA2) und Masseanschluss (MA) verschaltet, wobei das erste und das zweite Basisschaltungselement jeweils über ihre Signaleingänge und Signalausgänge elektrisch seriell im Signalpfad verschaltet sind.
Filterschaltung nach Anspruch 1, wobei der Signalpfad (SP) einen dritten Serienresonator (SR3) umfasst, wobei der dritte Serienresonator SR3 zwischen Signalausgang (SA1) des ersten Basisschaltungselements und dem Signaleingang (SE2) des zweiten Basisschaltungselements verschaltet ist.
Filterschaltung nach Anspruch 2, wobei der Signalpfad (SP) einen vierten und einen fünften Serienresonator (SR4, SR5) umfasst, wobei der vierte Serienresonator SR4 zwischen Signalpfadeingang (SPE) und dem Signaleingang (SE1) des ersten Basisschaltungselements verschaltet ist, und der fünfte Serienresonator (SR5) zwischen dem Signalausgang (SA2) des zweiten Basisschaltungselements (BSE2) und dem Signalpfadausgang (SPA) verschaltet ist.
Filterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, umfassend einen fünften Parallelresonator (PR5), der elektrisch zwischen Signalpfadausgang (SPA) und Masse (MA) verschaltet ist.
Filterschaltung nach einem der Ansprüche 1–3, umfassend eine Induktivität IN, die elektrisch mit dem Signalpfadausgang (SPA) verbunden ist.
Filterschaltung nach einem der Ansprüche 1–4, wobei die Reaktanzelemente (RE1, RE2) in den unterschiedlichen Basisschaltungselementen (BSE1, BSE2) unterschiedliche Impedanzen aufweisen.
Filterschaltung nach einem der Ansprüche 1–5, wobei die Reaktanzelemente (RE1, RE2) in den Basisschaltungselementen (BSE1, BSE2) Induktivitäten sind.
Filterschaltung nach einem der Ansprüche 1–6, wobei die Resonatoren als SAW-Resonatoren realisiert sind.
Filterschaltung nach Anspruch 8, wobei die SAW-Resonatoren auf einem Chip aus Lithiumtantalat oder Lithiumniobat aufgebaut sind.
Filterschaltung nach einem der Ansprüche 1–7, wobei die Resonatoren als BAW-Resonatoren realisiert sind.
Filterschaltung nach Anspruch 10, wobei die BAW Resonatoren auf einem Chip aus Silizium angeordnet sind.
Filterschaltung nach einem der Ansprüche 1–11, wobei die elektrischen Verbindungsleitungen (VL1, VL2) als Leiterbahnen auf dem Chip angeordnet sind.
Filterschaltung nach einem der Ansprüche 1–12, bei dem der Chip auf einem mehrschichtigen Trägersubstrat mit integrierter Verdrahtung angeordnet ist.
Filterschaltung nach Anspruch 13, wobei die Reaktanzelemente (RE1, RE2) als strukturierte Metallisierungen im Trägersubstrat ausgebildet sind, wobei das Trägersubstrat ein LTCC Substrat umfasst.
Filterschaltung nach einem der Ansprüche 1–14, umfassend ein DMS-Filter, das elektrisch mit dem Signalpfadeingang (SPE) oder dem Signalpfadausgang (SPA) verbunden ist.
Filterschaltung nach einem der Ansprüche 1–15, wobei der Signalpfad (SP) Teil eines Bandpassfilters ist.
Filterschaltung nach Anspruch 16, wobei das Bandpassfilter Teil eines Empfangsfilters ist.
Filterschaltung nach Anspruch 17, wobei das Empfangsfilter Teil eines Duplexers ist.
Filterschaltung nach Anspruch 18, wobei der Duplexer bei im Wesentlichen unveränderter Einfügedämpfung des Empfangsfilters (DRxb) eine verbesserte Isolation im Frequenzbereich des Sendefilters (Ib) aufweist.
Filterschaltung nach Anspruch 18, wobei der Duplexer bei im Wesentlichen unveränderter Isolation im Frequenzbereich des Sendefilters (Ib) eine verbesserte Einfügedämpfung des Empfangsfilters (DRxb) aufweist.
Verfahren zur Optimierung der Einfügedämpfung von Filterschaltungen mit laddertype-ähnlicher Struktur, umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen einer Schaltung mit Laddertype-Struktur, die auf einem Chip ausgebildet ist und einen Signalpfad (SP) und vier Parallelpfade (PP11, PP21, PP12, PP22) umfasst, wobei die Parallelpfade den Signalpfad mit Masse verbinden, und wobei im Signalpfad (SP) zwei Serienresonatoren (SR1, SR2) jeweils zwischen den Abzweigungsstellen des ersten und zweiten sowie des dritten und vierten Parallelpfades verschaltet sind, und in jedem der Parallelpfade jeweils ein Parallelresonator (PR11, PR21, PR12, PR22) verschaltet ist, b) Optimieren der Bandpassfiltercharakteristik durch Anpassen der Eigenschaften der Serien- und Parallelresonatoren (SR1, SR2, PR11, PR21, PR12, PR22), c) Elektrisches Verschalten der masseseitigen Enden des ersten und zweiten Parallelpfads PP11 und PP21 durch eine erste elektrische Verbindungsleitung (VL1) und der masseseitigen Enden des dritten und vierten Parallelpfads PP12 und PP22 durch eine zweite elektrische Vebindungsleitung (VL2), d) Erzeugen je einer zusätzlichen Polstelle (PS1, PS2) pro elektrischer Verbindungsleitung (VL1, VL2) durch elektrisches Verschalten je eines Reaktanzelements (RE1, RE2) zwischen jeder elektrischen Verbindungsleitung (VL1, VL2) und Masse (MA), e) Anpassen der Impedanzen der Reaktanzelemente (RE1, RE2), wobei die zusätzlichen Polstellen (PS1, PS2) im oder nahe am gewünschten Sperrbereich positioniert werden.
Verfahren nach Anspruch 21, wobei die zusätzlichen Polstellen (PS1, PS2) bei unterschiedlichen Frequenzen positioniert werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 21–22, wobei die Impedanz der Reaktanzelemente (RE1, RE2) erhöht wird, um die Frequenz der zusätzlichen Polstellen (PS1, PS2) zu erniedrigen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 21–23, wobei als Reaktanzelemente (RE1, RE2) Induktivitäten verwendet werden, deren Anpassung im Bereich von 0.5 nH bis 2 nH vorgenommen wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 21–24, wobei die elektrischen Verbindungsleitungen (VL1, VL2) auf dem Chip ausgebildet werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 21–25, wobei als Reaktanzelemente (RE1, RE2) diskrete Bauelemente verwendet werden, die zusammen mit dem Chip auf einem Trägersubstrat montiert werden.