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DE102008022923A1 - Method for running period determination of control unit of switched-off semiconductor switch of pulse power converter of voltage intermediate circuit, involves measuring converter output current during time determination - Google Patents

Method for running period determination of control unit of switched-off semiconductor switch of pulse power converter of voltage intermediate circuit, involves measuring converter output current during time determination Download PDF

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DE102008022923A1
DE102008022923A1 DE200810022923 DE102008022923A DE102008022923A1 DE 102008022923 A1 DE102008022923 A1 DE 102008022923A1 DE 200810022923 DE200810022923 DE 200810022923 DE 102008022923 A DE102008022923 A DE 102008022923A DE 102008022923 A1 DE102008022923 A1 DE 102008022923A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor switch
time
turn
converter
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE200810022923
Other languages
German (de)
Inventor
Stefan VÖLKEL
Benno Weis
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG, Siemens Corp filed Critical Siemens AG
Priority to DE200810022923 priority Critical patent/DE102008022923A1/en
Publication of DE102008022923A1 publication Critical patent/DE102008022923A1/en
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Abstract

The method involves measuring converter output current during time determination at bridge section outputs (R,S) belonging to controllably switch off semiconductor switches (T1,T2). The detected time differences are stored as switch on or switch off running periods of control units (8,10) with detected converter-output current.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Laufzeitermittlung einer Ansteuereinheit eines Stromrichterventils eines Pulsstromrichters eines Spannungszwischenkreis-Umrichters mit lastseitigem elektrischen Motor.The The invention relates to a method for determining the runtime a drive unit of a converter valve of a pulse converter a voltage source inverter with load side electrical Engine.

Ein Pulsstromrichter eines Spannungszwischenkreis-Umrichters weist pro Phase zwei elektrisch in Reihe geschaltete abschaltbare Halbleiterschalter, insbesondere Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBT), auf. Diese beiden elektrisch in Reihe geschalteten abschaltbaren Halbleiterschalter bilden einen Brückenzweig. Zum Schutz dieser beiden abschaltbaren Halbleiterschalter eines jeden Brückenzweiges des Pulsstromrichters muss verhindert werden, dass beide abschaltbare Halbleiterschalter eines Brückenzweiges gleichzeitig eingeschaltet werden. Eine derartige Ansteuerung würde einen Brückenkurzschluss verursachen, der zur Zerstörung der abschaltbaren Halbleiterschalter dieses Brückenzweiges und damit zum Ausfall des Pulsstromrichters führen würde.One Pulse-controlled converter of a voltage source inverter has per Phase two switchable semiconductor switches electrically connected in series, In particular, Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs), on. These two turn-off semiconductor switches electrically connected in series form a bridge branch. To protect these two turn-off semiconductor switch one every bridge branch of the pulse-controlled converter must be prevented, that both can be switched off Semiconductor switch of a bridge branch be turned on at the same time. Such a drive would be a bridge short circuit cause the destruction of the Disconnectable semiconductor switch this bridge branch and thus to failure lead the pulse converter would.

In der 1 ist ein Brückenzweig 2 eines nicht näher dargestellten Pulsstromrichters eines nicht näher dargestellten Spannungszwischenkreis-Umrichters dargestellt. In diesen Brückenzweig 2 sind zwei abschaltbare Halbleiterschalter T1 und T2, insbesondere IGBTs, elektrisch in Reihe geschaltet. Dieser Brückenzweig 2 ist elektrisch parallel zu einem Gleichspannungszwischenkreis des Spannungszwischenkreis-Umrichters geschaltet. In dieser Darstellung ist die Plus-Schiene des Gleichspannungszwischenkreises des Spannungszwischenkreis-Umrichters mit 4 und seine Minus-Schiene mit 6 gekennzeichnet. Jedem abschaltbaren Halbleiterschalter T1 und T2 ist eine Ansteuereinheit 8 und 10 zugeordnet. Jede Ansteuereinheit 8 bzw. 10 ist mittels einer Potentialtrenneinrichtung 12 bzw. 14 mit einem Steuersatz 16, der auch als Modulator bezeichnet wird, verknüpft. Die Potentialtrenneinrichtung 12 bzw. 14 bi ldet vorteilhafterweise mit der Ansteuereinheit 8 bzw. 10 eine Baueinheit. Eingangsseitig ist dieser Steuersatz 16 mit einer Regeleinrichtung 18 verbunden. Diese beiden Baueinheiten 16 und 18 sind Bestandteil einer Signalelektronik 20. Am Eingang der Regeleinrichtung 18 steht zumindest ein Sollwert, beispielsweise ein Drehzahl-Sollwert n*, an. In Abhängigkeit von Parametern berechnet diese Regeleinrichtung 18 eine Stellgröße y, die beispielsweise eine Sollspannung des Pulsstromrichters ist. Diese Stellgröße y, die aus einem Betragswert U und einem Frequenzwert f besteht, wird dem Steuersatz 16 zugeführt, der diese Stellgröße y in Ansteuersignale ST1 und ST2 umsetzt. Diese Ansteuersignale ST1 und ST2 werden jeweils mittels einer Potentialtrenneinrichtung 12 und 14 den Ansteuereinheiten 8 und 10 zugeführt. Am Ausgang einer jeden Ansteuereinheit 8 bzw. 10 steht ein Steuersignal SGT1 bzw. SGT2 an den Steuereingängen G und S des abstellbaren Stromrichterventils T1 bzw. T2 an.In the 1 is a bridge branch 2 a not shown in detail pulse converter of a voltage intermediate circuit converter, not shown. In this bridge branch 2 two turn-off semiconductor switches T1 and T2, in particular IGBTs, are electrically connected in series. This bridge branch 2 is electrically connected in parallel with a DC intermediate circuit of the voltage source inverter. In this illustration, the positive rail of the DC intermediate circuit of the voltage source inverter with 4 and its minus rail with 6 characterized. Each turn-off semiconductor switch T1 and T2 is a drive unit 8th and 10 assigned. Each drive unit 8th respectively. 10 is by means of a potential separator 12 respectively. 14 with a tax rate 16 , which is also referred to as a modulator linked. The potential isolation device 12 respectively. 14 bi advantageously with the drive unit 8th respectively. 10 a structural unit. On the input side is this tax rate 16 with a control device 18 connected. These two building units 16 and 18 are part of a signal electronics 20 , At the entrance of the control device 18 is at least one setpoint, for example, a speed setpoint n *, on. Depending on parameters, this controller calculates 18 a manipulated variable y, which is for example a desired voltage of the pulse converter. This manipulated variable y, which consists of an absolute value U and a frequency value f, is the tax rate 16 supplied, which converts this manipulated variable y in drive signals S T1 and S T2 . These drive signals S T1 and S T2 are each by means of a potential separation device 12 and 14 the drive units 8th and 10 fed. At the output of each drive unit 8th respectively. 10 is a control signal S GT1 or GT2 GT to the control inputs G and S of the power converter valve T1 or T2 off.

In der 2 ist in einem Diagramm über der Zeit t ein Ausschnitt aus dem Ansteuersignal ST1, wogegen in der 3 in einem Diagramm über der Zeit t ein Ausschnitt aus dem Ansteuersignal ST2 veranschaulicht ist. Der Steuersatz 16 erzeugt, wie bereits erwähnt, nach Vorgabe einer Stellgröße y der Regeleinrichtung 18 Ansteuersignale ST1 und ST2 für den oberen und unteren abschaltbaren Halbleiterschalter T1 und T2. Würden diese beiden Ansteuersignale ST1 und ST2, die immer unterschiedliche Vorzeichen besitzen, zeitgleich vom Steuersatz 16 mittels der beiden Potentialtrenneinrichtungen 12 und 14 an die Ansteuereinheiten 8 und 10 übertragen, könnte in diesem Fall ein Einschaltbefehl des einen abschaltbaren Halbleiterschalters T2 schneller an diesen übertragen werden als ein Ausschaltbefehl an den anderen abschaltbaren Halbleiterschalters T1 des Brückenzweiges 2, was einen Brückenkurzschluss zur Folge hätte.In the 2 is a section over the time t a section of the drive signal S T1 , whereas in the 3 in a diagram over the time t a section of the drive signal S T2 is illustrated. The tax rate 16 generates, as already mentioned, after specification of a manipulated variable y of the control device 18 Control signals S T1 and S T2 for the upper and lower turn-off semiconductor switches T1 and T2. Would these two drive signals S T1 and S T2 , which always have different signs, at the same time from the tax rate 16 by means of the two potential separation devices 12 and 14 to the drive units 8th and 10 In this case, a turn-on command of one turn-off semiconductor switch T2 could be transmitted to it faster than a switch-off command to the other turn-off semiconductor switch T1 of the bridge branch 2 , which would result in a bridge short circuit.

Der Ausschnitt aus dem Signalverlauf des Ansteuersignals ST1 gemäß 2 zeigt, dass zum Zeitpunkt t5 der abschaltbare Halbleiterschalter T1 ausschaltet. Zum Zeitpunkt t1 steht das Ansteuersignal ST1 am Ausgang 22 des Steuersatzes 16 an. Zum Zeitpunkt t3 steht dieses Ansteuersignal ST1 als Steuersignal SGT1 am Ausgang der Steuereinheit 8 an. Die Zeitdifferenz t3 – t1 symbolisiert die Laufzeit der Ansteuereinheit 8 mit Potentialtrenneinrichtung 12, wogegen die Zeitdifferenz t5 – t3 die Laufzeit des abschaltbaren Halbleiterschalters T1 kennzeichnet.The section from the signal curve of the drive signal S T1 according to 2 shows that at time t5, the turn-off semiconductor switch T1 turns off. At the time t1 is the control signal S at the output of T1 22 of the tax rate 16 at. At the time t3, this drive signal S T1 is present as the control signal S GT1 at the output of the control unit 8th at. The time difference t3 - t1 symbolizes the running time of the drive unit 8th with potential isolation device 12 whereas the time difference t5 - t3 marks the runtime of the turn-off semiconductor switch T1.

Der Ausschnitt aus dem Signalverlauf des Ansteuersignals ST2 gemäß 3 zeigt, dass zum Zeitpunkt t4 der abschaltbare Halbleiterschalter T2 einschaltet. Zum Zeitpunkt t1 steht das Ansteuersignal ST2 am Ausgang 24 des Steuersatzes 16 an. Zum Zeitpunkt t2 steht dieses Ansteuersignal ST2 als Steuersignal SGT2 am Ausgang der Ansteuereinheit 10 an. Die Zeitdifferenz t2 – t1 kennzeichnet die Laufzeit der Ansteuereinheit 10 mit Potentialtrenneinrichtung 14, wogegen die Zeitdifferenz t4 – t2 die Laufzeit des abschaltbaren Halbleiterschalters T2 wiedergibt.The detail of the waveform of the drive signal S T2 in accordance with 3 shows that at time t4, the turn-off semiconductor switch T2 turns on. At the time t1, the drive signal S T2 is at the output 24 of the tax rate 16 at. At the time t2, this drive signal S T2 is present as the control signal S GT2 at the output of the drive unit 10 at. The time difference t2-t1 characterizes the runtime of the drive unit 10 with potential isolation device 14 whereas the time difference t4 - t2 represents the transit time of the turn-off semiconductor switch T2.

Da zum Zeitpunkt t4 der abschaltbare Halbleiterschalter T2 bereits einschaltet, obwohl der abschaltbare Halbleiterschalter T1 noch im eingeschalteten Zustand ist, entsteht ein Brückenkurzschluss, der wegen seiner Folgen auf alle Fälle vermieden werden muss.There At time t4, the turn-off semiconductor switch T2 already turns on, although the turn-off semiconductor switch T1 is still is in the on state, a bridge short circuit, due to its consequences in any case must be avoided.

Das heißt, dass, wenn ein Wechsel der Schaltzustände zweier abschaltbarer Halbleiterschalter T1 und T2 eines Brückenzweiges 2 eines Pulsstromrichters eines Spannungszwischenkreis-Umrichters erforderlich ist, muss zwischen dem Ausschalten des einen und dem Einschalten des anderen abschaltbaren Halbleiterschalters T1 und T2 ein Zeitraum vorgesehen werden, in dem beide abschaltbaren Halbleiterschalter T1 und T2 eines Brückenzweiges 2 ausgeschaltet sind. Dieser Zeitraum wird als Totzeit bezeichnet. Diese Totzeit verschlechtert aber die Performance des Spannungszwischenkreis-Umrichters, weil die am Brückenzweig-Ausgang R anliegende Spannungs-Zeitfläche nicht der gewünschten Spannungs-Zeitfläche der Regeleinrich tung 18 entspricht. Diese Abweichung sollte so klein wie möglich sein.This means that when a change in the switching states of two turn-off semiconductor switches T1 and T2 of a bridge branch 2 a pulse-controlled converter of a voltage source inverter is required between the Turning off the one and turning on the other turn-off semiconductor switch T1 and T2 a period are provided, in which both turn-off semiconductor switches T1 and T2 of a bridge branch 2 are turned off. This period is called dead time. However, this dead time deteriorates the performance of the voltage source inverter because the voltage applied to the bridge branch output R voltage-time surface is not the desired voltage-time surface of Regeleinrich device 18 equivalent. This deviation should be as small as possible.

Damit ein Brückenkurzschluss sicher vermieden wird, ist zwischen Steuersatz 16 und den beiden Ansteuereinheiten 8 und 10 mit Potentialtrenneinrichtungen 12 und 14 eine Verriegelungseinheit 26 angeordnet. Eine derartige modifizierte Schaltungsanordnung ist in der 4 näher dargestellt. Diese Verriegelungseinheit 26 sorgt dafür, dass entweder die Einschaltflanke oder die Ausschaltflanke der Ansteuersignale ST1 und ST2 zeitlich verschoben werden. Dadurch wird sichergestellt, dass so lange einer der beiden abschaltbaren Halbleiterschalter T1 oder T2 des Brückenzweiges 2 im Ein-Zustand ist, der andere abschaltbare Halbleiterschalter T2 oder T1 dieses Brückenzweiges 2 nicht in den Ein-Zustand wechseln kann. Die erforderliche Totzeit wird nach den Datenblatt-Spezifikationen der im Übertragungspfad liegenden Bauteile 8, T1 bzw. 10, T2 berechnet. Da bereits ein Brückenkurzschluss zur Zerstörung des Umrichters führt, müssen für die Totzeit die absoluten worst-case-Annahmen für diese Bauteile 8, T1 bzw. 10, T2 gemacht werden. Neben den spezifizierten Bauteiletoleranzen sind diese in erster Linie strom- und temperaturabhängig. Unter Berücksichtigung dieser Annahmen ergeben sich somit große Werte für die erforderlichen Totzeiten. Vorteilhafterweise ist diese Verriegelungseinheit 26 integraler Bestandteil der Signalelektronik 20, die vorzugsweise mittels eines Mikroprozessors realisiert ist.For a bridge short circuit is safely avoided, is between tax rate 16 and the two drive units 8th and 10 with electrical isolation devices 12 and 14 a locking unit 26 arranged. Such a modified circuit arrangement is in the 4 shown in more detail. This locking unit 26 ensures that either the switch-on edge or the switch-off edge of the drive signals S T1 and S T2 are shifted in time. This ensures that as long as one of the two turn-off semiconductor switches T1 or T2 of the bridge branch 2 in the on state, the other turn-off semiconductor switch T2 or T1 of this bridge branch 2 can not switch to the on state. The required dead time is determined by the data sheet specifications of the components in the transmission path 8th , T1 or 10 , T2 calculated. Since a bridge short circuit already leads to the destruction of the converter, the absolute worst-case assumptions for these components must be taken for the dead time 8th , T1 or 10 , T2 are made. In addition to the specified component tolerances, these are primarily dependent on current and temperature. Taking these assumptions into account, this results in large values for the required dead times. Advantageously, this locking unit 26 integral part of the signal electronics 20 , which is preferably realized by means of a microprocessor.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem die Laufzeit einer jeden Ansteuereinheit eines abschaltbaren Halbleiterschalters eines Pulsstromrichters eines Spannungszwischenkreis-Umrichters mit lastseitigem elektrischen Motor ermittelt werden kann.Of the The invention is based on the object of specifying a method with the duration of each drive unit of a turn-off Semiconductor switch of a pulse converter of a voltage source inverter can be determined with load-side electric motor.

Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruchs 1 erfindungsgemäß gelöst.These The object is achieved with the features of claim 1 according to the invention.

Die Erfindung beruht darauf, dass eine Spannungsmessung an den Umrichter-Ausgängen zur Ermittlung der Laufzeiten der Ansteuereinheiten der abschaltbaren Halbleiterschalter eines Pulsstromrichters verwendet wird.The Invention is based on that a voltage measurement at the inverter outputs for Determining the running times of the drive units of the disconnectable Semiconductor switch of a pulse converter is used.

Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird in Abhängigkeit einer an- und absteigenden Schaltflanke eines vom Steuersatz des Pulsstromrichters ausgegebenes Ansteuersignals jeweils eine Zeitmessung gestartet. Mittels der an- und absteigenden Schaltflanken einer gemessenen korrespondierenden Umrichter-Spannung werden diese Zeitmessungen wieder gestoppt. Das Ergebnis der Zeitmessungen ist die Laufzeit einer Ansteuereinheit eines ein- bzw. ausschaltenden abschaltbaren Halbleiterschalters. Da diese Laufzeiten stromabhängig sind, wird neben der Spannungsmessung außerdem ein Umrichter-Ausgangsstrom, insbesondere dessen Vorzeichen, ermittelt. Die ermittelten Zeitdifferenzen werden als Ein- und Ausschaltlaufzeiten zusammen mit dem ermittelten Umrichter-Ausgangsstrom abgespeichert. Mit diesen Laufzeiten können für die Verriegelungseinheit 26 individuelle Verschiebungszeiten für eine Ein- bzw. Ausschaltflanke eines jeden Ansteuersignals einer jeden Ansteuereinheit mit angeschlossenen abschaltbaren Halbleiterschaltern berechnet werden. Da Umrichter-Ausgangsspannungen für die Laufzeitermittlung verwendet werden, ist in dieser Laufzeit nicht nur die Laufzeit der Ansteuereinheit, sondern auch die Laufzeit des zugehörigen abschaltbaren Halbleiterschalters vorhanden. Somit können Verriegelungszeiten mit minimalen Totzeiten berechnet werden, so dass an den Umrichter-Ausgängen anstehende Spannungs-Zeitflächen weitgehend gewünschten Spannungs-Zeitflächen entsprechen, wodurch sich die Performance des Spannungszwischenkreis-Umrichters verbessert.In accordance with the method according to the invention, a time measurement is started in each case as a function of a rising and falling switching edge of a drive signal output by the control set of the pulse-controlled converter. By means of the rising and falling switching edges of a measured corresponding converter voltage, these time measurements are stopped again. The result of the time measurements is the transit time of a drive unit of a turn-off switchable semiconductor switch. Since these transit times are current-dependent, in addition to the voltage measurement, an inverter output current, in particular its sign, is also determined. The determined time differences are stored as on and off times together with the determined converter output current. With these terms can be used for the locking unit 26 individual shift times for an on or off edge of each drive signal of each drive unit with connected turn-off semiconductor switches are calculated. Since converter output voltages are used for the transit time determination, not only the running time of the drive unit, but also the running time of the associated turn-off semiconductor switch is present in this runtime. Thus, lock times can be calculated with minimal dead times, so that voltage time areas present at the inverter outputs correspond to largely desired voltage time areas, thereby improving the performance of the voltage source inverter.

Dieses Verfahren zur Laufzeitmessung wird vor Inbetriebnahme des Antriebs ausgeführt. Für die Ermittlung der Laufzeiten werden keine zusätzlichen Messinstrumente bzw. wird keine Person benötigt, die diese Laufzeitermittlung durchführt. Das erfindungsgemäße Verfahren wird vom Umrichter selbst durchge führt und kann Bestandteil der Selbst-Inbetriebnahme des Umrichters sein.This Procedure for measuring transit time is before commissioning of the drive executed. For the investigation The maturities will not be additional measuring instruments or no person is needed performs this runtime determination. The inventive method is carried out by the converter itself and can be part of the Be self-commissioning of the inverter.

Bei einem vorteilhaften Verfahren wird das erfindungsgemäße Verfahren bei unterschiedlichen Umrichter-Ausgangsströmen durchgeführt. Dadurch erhält man Laufzeiten für Ein- und Ausschaltflanken bei unterschiedlichen Umrichter-Ausgangsströmen, so dass während des Betriebes des Antriebs, bestehend aus Spannungszwischenkreis-Umrichter und elektrischem Motor, Verriegelungszeiten an die Belastung des Antriebs angepasst werden können.at an advantageous method is the inventive method performed at different inverter output currents. This gives you terms for a- and switch-off edges at different inverter output currents, so that while Operation of the drive, consisting of voltage source inverter and electric motor, locking times to the load of Drive can be adjusted.

Bei einem weiteren vorteilhaften Verfahren wird neben der Umrichter-Ausgangsspannung und des Umrichter-Ausgangsstroms auch noch die Temperatur eines ein- bzw. ausschaltenden abschaltbaren Halbleiterschalters ermittelt. Werden die Laufzeiten bei unterschiedlichen Temperaturen der abschaltbaren Halbleiterschalter ermittelt, so können während des Betriebs des Antriebs Verriegelungszeiten an die Belastung eines jeden abschaltbaren Halbleiterschalters des Pulsstromrichters des Spannungszwischenkreis-Umrichters angepasst werden.In a further advantageous method, in addition to the converter output voltage and the converter output current, the temperature of a turn-off semiconductor switch which can be switched on or off is also determined. If the transit times are determined at different temperatures of the turn-off semiconductor switch, so during the operation of the drive locking times to the load of each turn-off semiconductor switch of the pulse converter of the voltage be adjusted intermediate circuit inverter.

Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnung Bezug genommen, in der eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung schematisch veranschaulicht ist.to further explanation The invention is with reference to the drawing, in which a Apparatus for carrying out of the method according to the invention is illustrated schematically.

1 zeigt eine Schaltung zur Ansteuerung zweier abschaltbarer Halbleiterschalter eines Brückenzweiges ohne Verriegelung, in der 1 shows a circuit for driving two turn-off semiconductor switch a bridge branch without locking, in the

2 ist in einem Diagramm über der Zeit t ein Ausschnitt eines Ansteuersignals eines oberen abschaltbaren Halbleiterschalters eines Brückenzweiges nach 1 dargestellt, in der 2 is in a diagram over the time t a section of a drive signal of an upper turn-off semiconductor switch of a bridge branch after 1 shown in the

3 ist in einem Diagramm über der Zeit t ein Ausschnitt eines Ansteuersignals eines unteren abschaltbaren Halbleiterschalters eines Brückenzweiges nach 1 dargestellt, die 3 is in a diagram over the time t a section of a drive signal of a lower turn-off semiconductor switch of a bridge branch after 1 represented, the

4 zeigt eine Schaltung zur Ansteuerung zweier abschaltbarer Halbleiterschalter eines Brückenzweiges mit Verriegelung und in der 4 shows a circuit for driving two turn-off semiconductor switch a bridge branch with locking and in the

5 ist eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung schematisch veranschaulicht. 5 an apparatus for carrying out the method according to the invention is schematically illustrated.

In der 5 sind mit 28 ein Pulsstromrichter, mit 30 ein Spannungszwischenkreis-Umrichter, mit 32 ein elektrischer Motor und mit 34 eine Stromerfassungseinrichtung bezeichnet. Der Pulsstromrichter 28 weist drei Brückenzweige 2 auf, deren Ausgänge R, S und T mit Anschlüssen des elektrischen Motors 32 verknüpft sind. Die drei Verbindungsleitungen 36, 38 und 40 weisen die Stromerfassungseinrichtung 34 auf. Außerdem ist jeder Ausgang R, S und T mittels einer Spannungserfassung 42 mit der Minus-Schiene 6 des Gleichspannungszwischenkreises 44 des Spannungszwischenkreis-Umrichters 30 verknüpft. Der Gleichspannungszwischenkreis 44 weist wenigstens einen Kondensator 46 auf. Signaltechnisch sind die Stromerfassungseinrichtung 34 und die drei Spannungserfassungen 42 jeweils mit einem Signaleingang der Signalelektronik 20 verknüpft. Am Ausgang dieser Signalelektronik 20, die ausgangsseitig den Steuersatz 16 und vorzugsweise die Verriegelungseinheit 26 aufweist, stehen Ansteuersignale Sν an, die den abschaltbaren Halbleiterschaltern T1, T2 bzw. T3, T4 bzw. T5, T6 eines jeden Brückenzweiges 2 des Pulsstromrichters 28 zugeführt werden. Der Brückenzweig 2 mit dem Umrichter-Ausgang R ist in 4 im Einzelnen dargestellt.In the 5 are with 28 a pulse converter, with 30 a voltage source inverter, with 32 an electric motor and with 34 denotes a current detection device. The pulse converter 28 has three bridge branches 2 whose outputs R, S and T are connected to terminals of the electric motor 32 are linked. The three connecting lines 36 . 38 and 40 have the current detection device 34 on. In addition, each output is R, S and T by means of voltage detection 42 with the minus rail 6 of the DC intermediate circuit 44 of the voltage source inverter 30 connected. The DC voltage intermediate circuit 44 has at least one capacitor 46 on. Signal technically are the current detection device 34 and the three voltage detections 42 each with a signal input of the signal electronics 20 connected. At the output of this signal electronics 20 , the output side, the tax rate 16 and preferably the locking unit 26 have, drive signals S ν are on, the turn-off semiconductor switches T1, T2 and T3, T4 and T5, T6 of each bridge branch 2 of the pulse converter 28 be supplied. The bridge branch 2 with the inverter output R is in 4 shown in detail.

Anhand dieser Schaltungsanordnung wird nun das Verfahren zur Laufzeitermittlung nach der Erfindung erläutert:
Der Steuersatz 16 gibt vor Inbetriebnahme des Antriebs bei noch inaktiver Verriegelungseinheit 26 für zwei abschaltbare Halbleiterschalter des Pulsstromrichters 28, beispielsweise die beiden abschaltbaren Halbleiterschalter T1 und T4, einen Einschaltbefehl aus. Mit der Ausgabe dieser beiden Einschaltbefehle wird eine Zeitmessung gestartet. Am Brückenzweig- Ausgang R des Brückenzweiges 2 wird eine Spannung UR erfasst. Sobald die Umrichter-Ausgangsspannung von Null auf den Wert des Gleichspannungszwischenkreises 44 springt, ist der Einschaltbefehl vom Steuersatz 16 vom abschaltbaren Halbleiterschalter T1 umgesetzt worden. Dieser Pegelwechsel der erfassten Umrichter-Ausgangsspannung UR stoppt die Zeitmessung. Das Ergebnis dieser Zeitmessung ist die Laufzeit, die verstreicht, damit ein vom Steuersatz 16 ausgegebener Schaltbefehl beim angesteuerten abschaltbaren Halbleiterschalter, beispielsweise T1, umgesetzt wird. Damit ein Strom fließen kann, wird ein zweiter abschaltbarer Halbleiterschalter T4 eines weiteren Brückenzweiges 2 des Pulsstromrichters 28 angesteuert. Die ermittelte Zeitdifferenz für den abschaltbaren Halbleiterschalter T1 wird als Einschalt-Laufzeit abgespeichert. Um für diesen abschaltbaren Halbleiterschalter T1 die Laufzeit beim Ausschalten zu ermitteln, werden beispielsweise die abschaltbaren Halbleiterschalter T1 und T4 angesteuert. Mit der Ausgabe eines Ausschaltbefehls für den abschaltbaren Halbleiterschalter T1 vom Steuersatz 16 wird wieder eine Zeitmessung gestartet, die durch einen Wechsel des Pegels der Umrichter-Ausgangsspannung UR vom Wert des Gleichspannungszwischenkreises 44 auf Null wieder gestoppt wird. Dieser Pegelwechsel kennzeichnet, dass der vom Steuersatz 16 ausgegebene Ausschaltbefehl vom abschaltbaren Halbleiterschalter T1 umgesetzt worden ist. Die ermittelte Zeitdifferenz wird als Ausschalt-Laufzeit abgespeichert. Zusätzlich zu diesen Laufzeiten wird ein ermittelter Umrichter-Ausgangsstrom, insbesondere das Vorzeichen des Umrichter-Ausgangsstroms, abgespeichert.Based on this circuit arrangement, the method for determining the runtime according to the invention will now be explained:
The tax rate 16 gives before putting the drive into operation with the locking unit still inactive 26 for two turn-off semiconductor switches of the pulse converter 28 , For example, the two turn-off semiconductor switches T1 and T4, a switch-on. With the output of these two switch-on commands, a time measurement is started. At the bridge branch exit R of the bridge branch 2 a voltage U R is detected. Once the inverter output voltage from zero to the value of the DC link 44 jumps, is the power on command from the headset 16 have been implemented by the turn-off semiconductor switch T1. This level change of the detected converter output voltage U R stops the time measurement. The result of this time measurement is the term that elapses, hence one from the tax rate 16 issued switching command at the controlled turn-off semiconductor switch, such as T1, is implemented. In order for a current to flow, a second turn-off semiconductor switch T4 becomes a further bridge branch 2 of the pulse converter 28 driven. The determined time difference for the turn-off semiconductor switch T1 is stored as a switch-on time. In order to determine the runtime when switching off for this turn-off semiconductor switch T1, for example, the turn-off semiconductor switches T1 and T4 are driven. With the output of a switch-off command for the turn-off semiconductor switch T1 from the headset 16 is again started a time measurement, by a change in the level of the inverter output voltage U R from the value of the DC intermediate circuit 44 is stopped again at zero. This level change indicates that the tax rate 16 issued switch-off has been implemented by the turn-off semiconductor switch T1. The determined time difference is stored as off-delay. In addition to these run times, a determined converter output current, in particular the sign of the converter output current, is stored.

Dieses dargestellte Verfahren wird für die weiteren anzusteuernden abschaltbaren Halbleiterschalter T2 bis T6 so lange wiederholt, bis zu jedem weiteren abschaltbaren Halbleiterschalter T2 bis T6 jeweils eine Ein- und Ausschalt-Laufzeit ermittelt und abgespeichert sind. Aus diesen abgespeicherten Ein- und Ausschalt-Laufzeiten und einer für den Brückenzweig gewünschten Totzeit werden zusätzliche Verzögerungszeiten für die Verriegelungseinheit 26 berechnet. Da die Laufzeiten in dividuell für jede Ansteuereinheit 8, 10 mit Potentialtrennung und die abschaltbaren Halbleiterschalter T1, T2 gemessen werden, kann die Totzeit dabei minimal gewählt werden.This illustrated method is repeated for the other turn-off semiconductor switches T2 to T6 to be triggered until each further turn-off semiconductor switch T2 to T6 is determined and stored in each case an on and off runtime. From these stored on-off and off-times and a dead time desired for the bridge branch additional delay times for the locking unit 26 calculated. Because the runtimes are in individual for each drive unit 8th . 10 can be measured with potential separation and the turn-off semiconductor switches T1, T2, the dead time can be minimized.

Die Verriegelungseinheit 26 hat die Aufgabe, die Totzeiten für jeden Brückenzweig 2 durch eine geeignete zeitliche Verschiebung der Ein- oder Ausschaltflanken für die oberen und unteren Halbleiterschalter T1, T3, T5 und T2, T%4, T6 sicherzustellen. Vorteilhafterweise wird dabei folgendes Berechnungsverfahren verwendet:
Für jeden Brückenzweig 2 ist zunächst das Maximum der Ein- und Ausschalt-Laufzeiten des oberen und unteren Halbleiterschalters T1, T3, T5 und T2, T4, T6 zu bestimmen. Die Verzögerungszeit für die Einschaltflanke des oberen Halbleiterschalters T1, T3, T5 ergibt sich aus der Summe des ermittelten Maximums und der gewünschten Totzeit, vermindert um die gemessene Einschalt-Laufzeit des oberen Halbleiterschalters T1, T3, T5. Dagegen ergibt sich die Verzögerungszeit für die Ausschaltflanke des oberen Halbleiterschalters T1, T3, T5 aus der Differenz des ermittelten Maximums und der gemessenen Ausschalt-Laufzeit des oberen Halbleiterschalters T1, T3, T5. Die Verzögerungszeit für die Einschaltflanke des unteren Haltleiterschalters T2, T4, T6 ergibt sich aus der Summe des ermittelten Maximums und der gewünschten Totzeit, vermindert um die gemessene Einschalt-Laufzeit des unteren Halbleiterschalters T2, T4, T6. Die Verzögerungszeit für die Ausschaltflanke des unteren Halbleiterschalters T2, T4, T6 ergibt sich aus der Differenz des ermittelten Maximums und der gemessenen Ausschalt-Laufzeit des unteren Halbleiterschalters T2, T4, T6.The locking unit 26 The task is to set the dead times for each bridge branch 2 by ensuring a suitable time shift of the on or off edges for the upper and lower semiconductor switches T1, T3, T5 and T2, T% 4, T6. Advantageously, the following calculation method is used:
For every bridge branch 2 First, the maximum of the on and off-delay periods of the upper and lower semiconductor switches T1, T3, T5 and T2, T4, T6 to determine. The delay time for the switch-on edge of the upper semiconductor switch T1, T3, T5 results from the sum of the determined maximum and the desired dead time, reduced by the measured switch-on transit time of the upper semiconductor switch T1, T3, T5. On the other hand, the delay time for the turn-off edge of the upper semiconductor switch T1, T3, T5 results from the difference of the determined maximum and the measured turn-off transit time of the upper semiconductor switch T1, T3, T5. The delay time for the switch-on edge of the lower semiconductor switch T2, T4, T6 results from the sum of the determined maximum and the desired dead time, reduced by the measured switch-on delay of the lower semiconductor switch T2, T4, T6. The delay time for the turn-off edge of the lower semiconductor switch T2, T4, T6 results from the difference between the determined maximum and the measured turn-off transit time of the lower semiconductor switch T2, T4, T6.

Durch das Ausmessen von Laufzeiten durch den Spannungszwischenkreis-Umrichter 30 selbst ergibt sich der Vorteil, dass nicht mehr die Totzeiten von Bauelementen über eine gesamte Serie berücksichtigt werden müssen, sondern nur die individuellen Laufzeiten der verwendeten Bauelemente. Durch die Ermittlung der individuellen Laufzeiten besteht nun die Mög lichkeit, die Totzeit minimal einstellen zu können. Daraus resultiert der Vorteil für den Umrichter 30, dass der Fehler von Spannungs-Zeitflächen kleiner wird.By measuring transit times through the voltage source inverter 30 itself there is the advantage that no longer the dead times of components must be considered over an entire series, but only the individual maturities of the components used. By determining the individual maturities, it is now possible to set the dead time to a minimum. This results in the advantage for the inverter 30 in that the error of voltage time areas becomes smaller.

Ein weiterer Vorteil stellt sich ein, nämlich eine Online-Kontrolle der Laufzeiten. Abhängig von einer vorbestimmten Totzeit ergibt sich für den Steuersatz 16 ein Zeitpunkt, zu dem er einen Spannungssprung am Brückenzweig-Ausgang R, S bzw. T erwartet. Entspricht der anvisierte Zeitpunkt nicht dem erfassten Zeitpunkt, so ist dies ein Indiz, dass Bauteile in einer Ansteuerung altersbedingt ihr Laufzeitverhalten verändern. Dieses Ergebnis kann zu Diagnosezwecken und zu einer Korrektur der Totzeitvorgabe genutzt werden, so dass auch altersbedingte Verhaltensänderungen der Bauteile einer Ansteuerung berücksichtigt werden können.Another advantage is, namely an online control of the terms. Depending on a predetermined dead time results for the tax rate 16 a time at which he expects a voltage jump at the bridge branch output R, S or T. If the target time does not correspond to the time recorded, this is an indication that components in a control change their runtime behavior due to age. This result can be used for diagnostic purposes and for correcting the dead time specification, so that age-related behavioral changes of the components of a control can also be taken into account.

Um die Stromabhängigkeit der Laufzeiten zu berücksichtigen, kann die Messung der Laufzeiten bei unterschiedlichen Umrichter-Ausgangsströmen vorgenommen werden. Diese unterschiedlichen Umrichter-Ausgangsströme werden zusammen mit korrespondierenden Laufzeiten abgespeichert. Dadurch können die vorgegebenen Totzeiten abhängig vom jeweiligen Ausgangsstrom minimiert werden.Around the current dependence to consider the maturities, It is possible to measure the running times at different inverter output currents become. These different inverter output currents are stored together with corresponding transit times. This allows the dependent on dead times be minimized by the respective output current.

Um die Temperatur der Laufzeiten zu berücksichtigen, können die Messungen bei unterschiedlichen Temperaturen durchgeführt werden. Dadurch kann bei der Vorgabe einer Totzeit auch die Temperatur berücksichtigt werden.Around To consider the temperature of the maturities, the Measurements are carried out at different temperatures. As a result, the temperature can also be taken into account when specifying a dead time become.

Da der Steuersatz 16 der Signalelektronik 20 aus einer zur Verfügung gestellten Steilgröße y Ansteuersignale ST1, ..., ST6 für die abschaltbaren Halbleiterschalter T1, ..., T6 berechnet, wobei die Verriegelungszeiten mit eingerechnet werden, werden alle gemessenen Laufzeiten, Umrichter-Ausgangsströme und Temperaturen in dieser Signalelektronik 20 abgespeichert.Because the tax rate 16 the signal electronics 20 from an available steepness y control signals S T1 , ..., S T6 calculates for the turn-off semiconductor switches T1, ..., T6, wherein the locking times are included, all measured transit times, inverter output currents and temperatures in this signal electronics 20 stored.

Durch die Verwendung dieses erfindungsgemäßen Verfahrens zur Laufzeitermittlung kann die erforderliche Totzeit in Span nungszwischenkreis-Umrichtern erheblich verringert werden, wodurch sich die Performance des Umrichters verbessert.By the use of this method according to the invention for determining the term The required dead time in voltage source converters can be be significantly reduced, thereby increasing the performance of the inverter improved.

Claims (7)

Verfahren zur Laufzeitermittlung einer Ansteuereinheit (8, 10) eines abschaltbaren Halbleiterschalters (T1, ..., T6) eines Pulsstromrichters (28) eines Spannungszwischenkreis-Umrichters (30) mit lastseitigem elektrischen Motor (32), wobei in Abhängigkeit einer an- bzw. absteigenden Schaltflanke eines vom Steuersatz (16) des Pulsstromrichters (28) ausgegebenen Ansteuersignals (ST1, ..., ST6) eine Zeitmessung gestartet wird, die jeweils durch eine dazu korrespondierende Flanke einer am angesteuerten abschaltbaren Halbleiterschalter (T1, ..., T6) gemessenen Spannung (UR, US, UT) gestoppt wird, wobei während dieser Zeitmessung an einem zum angesteuerten abschaltbaren Halbleiterschalter (T1, ..., T6) gehörenden Brückenzweig-Ausgang (R, S, T) ein Umrichter-Ausgangsstrom gemessen wird, und wobei diese ermittelten Zeitdifferenzen jeweils als Ein- bzw. Ausschaltlaufzeiten der zum angesteuerten abschaltbaren Halbleiterschalter (T1, ..., T6) gehörenden Ansteuereinheit (8, 10) mit ermitteltem Umrichter-Ausgangsstrom abgespeichert werden.Method for determining the runtime of a drive unit ( 8th . 10 ) of a turn-off semiconductor switch (T1, ..., T6) of a pulse converter ( 28 ) of a voltage source inverter ( 30 ) with load-side electric motor ( 32 ), wherein depending on a rising or falling switching edge of the tax rate ( 16 ) of the pulse converter ( 28 ) output timing signal (S T1 , ..., S T6 ) is started a time measurement, each by a corresponding edge of a switched off at the controlled semiconductor switch (T1, ..., T6) measured voltage (U R , U S , U T ) is stopped, wherein during this time measurement on a to the controlled turn-off semiconductor switch (T1, ..., T6) belonging bridge branch output (R, S, T) an inverter output current is measured, and wherein these determined time differences each as Ein or switch-off delay times of the drive unit which belongs to the controlled switch-off semiconductor switch (T1,..., T6) ( 8th . 10 ) are stored with determined inverter output current. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren zur Laufzeitermittlung so lange wiederholt wird, bis für jede Ansteuereinheit (8, 10) der Stromrichterventile (T1, ..., T6) des Pulsstromrichters (28) des Spannungszwischenkreis-Umrichters (30) Ein- und Ausschaltlaufzeiten mit zugehörigen Umrichter-Ausgangsströmen abgespeichert sind.Method according to Claim 1, characterized in that the method for determining the runtime is repeated until, for each drive unit ( 8th . 10 ) of the converter valves (T1, ..., T6) of the pulse converter ( 28 ) of the voltage source inverter ( 30 ) On and off operating times are stored with associated inverter output currents. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren zur Laufzeitermittlung bei unterschiedlichen Umrichter-Ausgangsströmen durchgeführt wird.Method according to Claims 1 and 2, characterized that the method for determining the term at different Inverter output currents is performed. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils während der Ermittlung einer Laufzeit einer Ansteuereinheit (8, 10) eines Stromrichterventils (T1, ..., T6) des Pulsstrom richters (28) des Spannungszwischenkreis-Umrichters (30) die Temperatur des angesteuerten Stromrichterventils (T1, ..., T6) ermittelt wird.A method according to claim 1 or 2, characterized characterized in that each time a drive unit ( 8th . 10 ) of a power converter valve (T1, ..., T6) of the pulse current judge ( 28 ) of the voltage source inverter ( 30 ) the temperature of the controlled converter valve (T1, ..., T6) is determined. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Ermittlung einer Laufzeit bei unterschiedlichen Temperaturen durchgeführt wird.Method according to claim 4, characterized in that that determining a transit time at different temperatures carried out becomes. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass jede ermittelte Temperatur zusammen mit korrespondierenden Ein- und Ausschaltlaufzeiten abgespeichert wird.Method according to claim 4 or 5, characterized that each detected temperature along with corresponding On and off times is stored. Verfahren nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass abzuspeichernde Werte in der Signalelektronik (20) des Pulsstromrichters (28) abgespeichert werden.Method according to one of the preceding claims, characterized in that values to be stored in the signal electronics ( 20 ) of the pulse converter ( 28 ) are stored.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2530817A1 (en) * 2011-05-30 2012-12-05 Siemens Aktiengesellschaft Control device for an inverter with different reference potential
DE102012200234A1 (en) * 2012-01-10 2013-07-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Method for controlling turn-off speed of semiconductor switch in converter, involves determining operating parameter of converter, where output voltage setpoint is determined based on operating parameter of converter
US8866525B2 (en) 2013-02-27 2014-10-21 Microchip Technology Incorporated Configurable time delays for equalizing pulse width modulation timing
WO2019007694A1 (en) * 2017-07-03 2019-01-10 Continental Automotive Gmbh METHOD FOR OPERATING AN ELECTRIC MOTOR
DE102019217098A1 (en) * 2019-11-06 2021-05-06 Zf Friedrichshafen Ag Control unit for determining a dead time for power electronic switches
DE102019217100A1 (en) * 2019-11-06 2021-05-06 Zf Friedrichshafen Ag Control unit for determining a dead time for power electronic switches
DE102023208035A1 (en) 2023-08-22 2025-02-27 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Method for determining a required dead time in a half bridge of a control device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2530817A1 (en) * 2011-05-30 2012-12-05 Siemens Aktiengesellschaft Control device for an inverter with different reference potential
DE102012200234A1 (en) * 2012-01-10 2013-07-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Method for controlling turn-off speed of semiconductor switch in converter, involves determining operating parameter of converter, where output voltage setpoint is determined based on operating parameter of converter
DE102012200234B4 (en) * 2012-01-10 2014-04-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Method and control device for controlling the turn-off speed of a semiconductor switch
US8866525B2 (en) 2013-02-27 2014-10-21 Microchip Technology Incorporated Configurable time delays for equalizing pulse width modulation timing
WO2014133768A3 (en) * 2013-02-27 2014-10-23 Microchip Technology Incorporated Configurable time delays for equalizing pulse width modulation timing
CN104704728A (en) * 2013-02-27 2015-06-10 密克罗奇普技术公司 Configurable time delay for equalizing PWM timing
TWI613889B (en) * 2013-02-27 2018-02-01 微晶片科技公司 Configurable time delays for equalizing pulse width modulation timing
CN104704728B (en) * 2013-02-27 2018-06-22 密克罗奇普技术公司 Configurable time delay for equalizing PWM timing
WO2019007694A1 (en) * 2017-07-03 2019-01-10 Continental Automotive Gmbh METHOD FOR OPERATING AN ELECTRIC MOTOR
DE102019217098A1 (en) * 2019-11-06 2021-05-06 Zf Friedrichshafen Ag Control unit for determining a dead time for power electronic switches
DE102019217100A1 (en) * 2019-11-06 2021-05-06 Zf Friedrichshafen Ag Control unit for determining a dead time for power electronic switches
DE102023208035A1 (en) 2023-08-22 2025-02-27 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Method for determining a required dead time in a half bridge of a control device

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