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Die
Anmeldung betrifft eine Vorrichtung zur photovoltaischen Wandlung
wie eine Solarzelle oder zu einem Solarmodul verschaltete Solarzellen,
die eine Lichtfalle aufweisen.
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Die
Erhöhung
des Wirkungsgrads von Solarzellen ist ein anhaltendes Entwicklungsziel
der Photovoltaikindustrie. Hierzu wird eine Reduzierung der Verlustmechanismen
in der Solarzelle angestrebt. Optische Verluste sind etwa darauf
zurückzuführen, dass
auf die Solarzelle einfallendes Licht reflektiert wird oder das
Licht durch die photovoltaisch aktiven Schichten hindurch tritt
und die Solarzelle wieder verlässt,
ohne absorbiert zu werden. Dieses Licht ist für die photovoltaische Umwandlung
von Licht in Strom verloren.
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Lichtfallen
werden dazu genutzt, zur Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren in der
Absorberschicht geeignetes Licht, z. B. Licht mit einer Photonenergie
oberhalb der Bandlücke
der Absorberschicht, möglichst
vollständig
in der Solarzelle zu absorbieren und damit optische Verluste zu
reduzieren. Im Gegensatz zu Lichtkonzentratoren, die Licht von einer
größeren Lichteinfallsfläche auf
eine kleinere Oberfläche
einer Solarzelle konzentrieren, z. B. mittels Licht sammelnden Optiken
wie Linsen, lenken Lichtfallen das auf eine Solarzelle einfallende
Licht unter geeigneten Winkeln derart in die photovoltaisch aktiven
Schichten, ohne es dabei zu sammeln und zu konzentrieren, dass die
Weglänge
des Lichtes innerhalb der Solarzelle länger und die Absorptionswahrscheinlichkeit
damit höher
ist als bei Weglassen der Lichtfallen.
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Für einkristalline
Siliziumsolarzellen lassen sich Lichtfallen beispielsweise durch
Texturierung der zur Lichteinfallsseite gerichteten Oberfläche des
einkristallinen Siliziums erzeugen. Ein Beispiel einer texturierten
Oberfläche
sind Pyramidenstrukturen, die unter Ausnutzung einer von der Kristallrichtung
abhängigen
Siliziumätzrate
ausgebildet werden. Die Textur der Oberfläche bewirkt, dass weniger Licht
reflektiert wird und dass das in die Zelle eindringende Licht derart
abgelenkt wird, dass es im Mittel eine Wegverlängerung erfährt.
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Für einkristalline
Siliziumsolarzellen mittels Textur ausgebildete Lichtfallen weisen
typischerweise Strukturgrößen auf,
die wesentlich kleiner sind als die Schichtdicke der photovoltaisch
aktiven Schicht. Bei Dünnschichtsolarzellen
mit Schichtdicken der Absorberschichten im Größenordnungsbereich von einigen μm läge die Strukturgröße der Textur
im Bereich der Schichtdicke der photovoltaisch aktiven Schicht.
Das Ausbilden einer definierten Oberflächentextur für nicht
einkristalline Materialien erscheint aufwändig, z. B. hinsichtlich möglicher
Schädigungen
der Zellstruktur oder der Prozessführung. Eine Texturierung erfolgt
hier etwa durch Texturierung einer Glasoberfläche oder einer lichtdurchlässigen,
leitenden Elektrodenschicht.
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Es
ist eine Aufgabe der Erfindung, eine universal anwendbare und kostengünstige Lichtfalle
sowie eine Solarzelle oder zu einem Modul verschaltete Solarzellen
mit einer derartigen Lichtfalle anzugeben.
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Die
Aufgabe wird gelöst
durch die Lehre der Patentansprüche
1, 7 und 18. Vorteilhafte Ausführungsformen
sind Gegenstand der abhängigen
Patentansprüche.
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1A zeigt
in schematischer Vereinfachung einen Querschnitt durch eine Solarzelle
mit einem holografischen Element an der Vorderseite.
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1B zeigt
in schematischer Vereinfachung einen Querschnitt durch eine Solarzelle
mit einem holografischen Element an der Rückseite.
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2A zeigt
in schematischer Vereinfachung einen Querschnitt durch eine Solarzelle
mit einem transmissiven holografischen Element an der Vorderseite
sowie die von dem holografischen Element bewirkte Lichtumlenkung.
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2B zeigt
in schematischer Vereinfachung einen Querschnitt durch eine Solarzelle
mit einem in eine Vorderseitenelektrode integrierten transmissiven
holografischen Element sowie die von dem holografischen Element
bewirkte Lichtumlenkung.
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2C zeigt
in schematischer Vereinfachung einen Querschnitt durch eine Solarzelle
mit einem transmissiven holografischen Element an der Vorderseite
sowie die von dem holografischen Element bewirkte Lichtumlenkung.
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2D zeigt
in schematischer Vereinfachung einen Querschnitt durch eine Solarzelle
mit einem reflektiven holografischen Element an der Rückseite
sowie die von dem holografischen Element bewirkte Lichtumlenkung.
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3 zeigt
in schematischer Vereinfachung einen Querschnitt durch ein reflektives
holografisches Element.
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4 zeigt
in schematischer Vereinfachung einen Querschnitt durch ein transmissives
holografisches Element.
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5 zeigt
in schematischer Vereinfachung einen Querschnitt durch ein Solarmodul
mit einem transmissiven holografischen Element.
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6 zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes Transmissionsverhalten
eines holografischen Elements bei senkrechtem Lichteinfall in Abhängigkeit
von einem Lichtumlenkungswinkel α.
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7A zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes spektrales Transmissionsverhalten einer
ersten Hologrammlage eines holografischen Elements bei senkrechtem
Lichteinfall.
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7B zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes spektrales Transmissionsverhalten einer
ersten Hologrammlage des holografischen Elements bei Lichteinfall
unter einem Winkel γ zur
Normalen.
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7C zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes spektrales Transmissionsverhalten einer
ersten Hologrammlage des holografischen Elements bei Lichteinfall
unter einem Winkel δ zur
Normalen.
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7D zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes spektrales Transmissionsverhalten einer
zweiten Hologrammlage des holografischen Elements bei senkrechtem
Lichteinfall.
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7E zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes spektrales Transmissionsverhalten einer
zweiten Hologrammlage des holografischen Elements bei Lichteinfall
unter einem Winkel γ zur Normalen.
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7F zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes spektrales Transmissionsverhalten einer
zweiten Hologrammlage des holografischen Elements bei Lichteinfall
unter einem Winkel δ zur Normalen.
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7G zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes spektrales Transmissionsverhalten einer
dritten Hologrammlage des holografischen Elements bei senkrechtem
Lichteinfall.
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7H zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes spektrales Transmissionsverhalten einer
dritten Hologrammlage des holografischen Elements bei Lichteinfall
unter einem Winkel γ zur
Normalen.
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7I zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes spektrales Transmissionsverhalten einer
dritten Hologrammlage des holografischen Elements bei Lichteinfall
unter einem Winkel δ zur
Normalen.
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7J zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes spektrales Transmissionsverhalten des
holografischen Elements mit überlagerter
erster, zweiter und dritter Hologrammlage bei senkrechtem Lichteinfall.
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Die
im Folgenden beschriebenen Ausführungsformen
der Erfindung sowie deren Merkmale sind jeweils beliebig miteinander
kombinierbar, d. h., es gibt keine Einschränkung dahingehend, dass bestimmte
Merkmale, die im Zusammenhang mit einer Ausführungsform beschrieben werden,
nicht mit Merkmalen einer anderen Ausführungsform kombinierbar sein
könnten.
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1A zeigt
in schematischer Vereinfachung einen Querschnitt durch eine Solarzelle
mit einem holografischen Element an der Vorderseite.
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Die
Solarzelle 100 umfasst ein photovoltaisches Element 101 mit
einer als Lichteintrittsfläche ausgebildeten
Vorderseite 102 und einer dieser gegenüberliegenden Rückseite 103.
Auf der Vorderseite 102 ist ein als Lichtfalle wirkendes
holografisches Element 104 angeordnet, das wenigstens einen
Teil des einfallenden Lichtes 105 hindurchlässt und
so in das photovoltaische Element 101 umlenkt, ohne es dabei
zu konzentrieren, dass es eine optische Wegverlängerung WV zwischen Vorderseite 102 und Rückseite 103 erfährt. Die
Rückseite 103 des
photovoltaischen Elements 101 kann beispielsweise reflektierend
sein, etwa indem auf der Rückseite 103 eine
reflektierende Metallschicht vorgesehen ist, z. B. aus Silber (Ag).
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Die
optische Wegverlängerung
WV ergibt sich hierbei als optische Wegdifferenz gegenüber dem
Fall, in dem das Licht 105 das photovoltaische Element 101 ohne
Lichtfalle 104 von der Vorderseite 102 zur Rückseite 103 durchläuft. In
der schematischen Darstellung von 1A fällt das
Licht 105 senkrecht auf die Vorderseite 102 ein
und wird über das
holografische Element 104 unter einem Winkel α in das photovoltaische
Element 101 gelenkt. Die optische Wegverlängerung
WV zwischen Vorderseite 102 und Rückseite 103 beträgt unter
Berücksichtigung
einer Dicke d des photovoltaischen Elements 101 WV = d([cosα]–1 – 1). Eine
Umlenkung ist nicht auf senkrecht einfallendes Licht beschränkt, sondern kann
für einen
Winkelbereich erzielt werden, der wiederum von der Dicke der holografischen
Ebenen im holografischen Element 104 abhängen kann.
Weisen die holografischen Ebenen im holografischen Element 104 etwa
eine Gesamtdicke im Bereich einiger 10 μm auf, z. B. 30 μm bis 50 μm wie etwa
40 μm, so kann
eine Umlenkung im Winkelbereich einiger Grad, z. B. 1° bis 4° erzielt
werden. Liegt die Dicke der holografischen Ebenen im holografischen
Element 104 bei Werten kleiner als 10 μm, so lassen sich beispielsweise
Winkelbereiche der Umlenkung von etwa 5° bis 20° oder auch 10° bis 15° erzielen.
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Der
Winkelbereich lässt
sich weiter erhöhen, indem
mehrere Hologrammebenen, die auf unterschiedliche Wellenlängenbereiche
abgestimmt sind, gestapelt werden. Hiermit kann einem sich verändernden
Lichteinfallswinkel, z. B. einem wandernden Sonnenstand, Rechnung
getragen werden, indem eine gewünschte
Lichtumlenkung von verschiedenen Hologrammlagen in unterschiedlichen
Lichteinfallswinkelbereichen bewirkt wird.
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Mögliche Materialsysteme
für Absorberschichten
des photovoltaischen Elements bilden Chalkopyrite wie CuInxGa(1-x)Se2 (CIGS) und Derivate davon, wie CIGSSe,
III-V Halbleitermaterialien wie GaAs, Silizium in verschiedenartigen
Kristallzuständen
wie einkristallines Silizium, amorphes Silizium (a-Si oder a-Si:H), multikristallines
Silizium (mc-Si), mikrokristallines Silizium (μc-Si), polykristallines Silizium
(poly-Si), nanokristallines Silizium (nc-Si), CdTe, oder organische
Halbleiter auf Basis von z. B. konjugierten Polymeren.
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Die
Solarzelle 100 kann auf einem einzelnen ladungstrennenden Übergang
basieren, z. B. einem pn-Übergang
oder einem ein-Übergang,
oder auf mehreren ladungstrennenden Übergängen (Multijunction-Solarzellen).
Beispiele derartiger Multijunction-Solarzellen sind Tandem-Solarzellen
aus Materialsystemen wie z. B. mikrokristallinem Silizium/amorphem
Silizium oder InGaP/GaAs, oder auch Triple-Junction-Solarzellen
wie z. B. a-Si:H/μc-Si:H/μc-Si:H, InGaP/GaAs/Ge
oder a-Si:H/aSiGe:H.
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Das
als Lichtfalle wirkende holografische Element 104 lenkt
das einfallende Licht 105 lediglich um, ohne es dabei zu
konzentrieren. Somit unterscheidet sich das holografische Element 104 etwa dadurch
von Lichtkonzentratoren, dass es einfallendes Licht nicht sammelt
und damit auch nicht Licht, das auf eine erste Fläche einfällt, auf
eine zur ersten Fläche
kleinere Oberfläche
einer photovoltaischen Schicht konzentriert.
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Bei
der in 1A gezeigten Lichtumlenkung handelt
es sich um eine vereinfachte Darstellung. So kann die Umlenkung,
d. h. der Winkel α,
beispielsweise ortsabhängig
oder auch wellenlängenabhängig sein,
wobei verschiedenartige Techniken wie spektrales Multiplexing oder
räumliches
Multiplexing zum Tragen kommen können.
Beispielsweise kann räumliches
Multiplexing optischen Verlusten entgegenwirken, die etwa dadurch
entstehen, dass durch das holografische Element 104 umgelenktes
Licht nach der Reflexion an der Rückseite 103 wieder
durch das holografische Element 104 aus der Photovoltaikvorrichtung 100 austritt.
Auch kann an der Rückseite
ein reflektives holografisches Element positioniert werden, welches
das Licht unter geeignetem Winkel zur Vorderseite reflektiert, so
dass dieses nicht durch das holografische Element 104 austritt.
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Beispielsweise
kann zwischen dem holografischen Element 104 und einer
photovoltaisch aktiven Struktur innerhalb des photovoltaischen Elements 101,
z. B. pn-Absorberschichten,
eine Antireflexionsstruktur angeordnet sein. Eine solche Antireflexionsstruktur
reduziert beispielsweise ausgehend von dem Medium, das die Solarzelle 100 umgibt,
z. B. Luft, Brechungsindexsprünge
beim Übergang
verschiedenartiger Medien in Richtung der photovoltaisch aktiven
Schicht. Reduzierte Brechungsindexsprünge verringern Reflexionsverluste
und koppeln mehr Licht in das photovoltaische Element 101 ein.
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Die
Antireflexionsstruktur kann beispielsweise aus einer einzelnen Schicht
oder aus einem Schichtstapel bestehen. Schichten der Antireflexionsstruktur
weisen ein möglichst
hohes Transmissionsvermögen
auf und sind etwa derart angeordnet, dass die Brechungsindizes in
Richtung der photovoltaisch aktiven Schicht zunehmen. Die Antireflexionsstruktur
kann beispielsweise wenigstens eines der Materialien Siliziumoxynitrid
und Siliziumnitrid aufweisen oder aus einem dieser Materialien bestehen.
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Das
holografische Element 104 kann in eine leitfähige und
lichtdurchlässige
Vorderseitenelektrodenschicht eingebracht sein. Die Vorderseitenelektrodenschicht
leitet die in den photovoltaisch aktiven Schichten getrennten Ladungsträger, d.
h. den photovoltaisch erzeugten Strom, an der Vorderseite der Zelle
ab. Beispiele für
die Vorderseitenelektrodenschicht sind Schichten aus leitfähigen Polymeren,
z. B. Polymeren mit ausgedehntem n-Elektronensystem wie Polyacetylen,
Poly(para-phenylen), Polythiophen oder Polypyrrol als auch leitfähige Oxide,
wie In2O3:SnO2(ITO), ZnO:Al, ZnO:B und SnO2:F.
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In
dem in 1A gezeigten transmissiven holografischen
Element 104 können
beispielsweise eine oder mehrere Hologrammlage(n) zur Reflexion von
Wärmestrahlung
im Infrarotbereich ausgebildet sein (nicht dargestellt). Bei den
Hologrammlagen kann es sich um die zur Lichteinfallsseite nächst benachbarten
Lagen handeln. Das holografische Element 104 kann dann
als Lichtfalle zur Erhöhung
der Lichtabsorption in den photovoltaisch aktiven Schichten des
photovoltaischen Elements 101 und zusätzlich als Wärmeschutzschild
gegen eine Erwärmung des
photovoltaischen Elements 101 durch Infrarotstrahlung genutzt
werden. Eine solche Erwärmung des
photovoltaischen Elements 101 kann zu einer Abnahme der
Leerlaufspannung als auch zu einem geringfügigen Anstieg des Kurzschlussstroms
führen und
insgesamt die von der Solarzelle bereitgestellte elektrischen Leistung
verringern.
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Die
in 1B dargestellte Solarzelle 110 weist
ein photovoltaisches Element 111 mit einer als Lichteintrittsfläche ausgebildeten
Vorderseite 112 und einer dieser gegenüberliegenden Rückseite 113 auf.
Auf der Rückseite 113 des
photovoltaischen Elements 111 ist ein holografisches Element 114 angeordnet,
das als Lichtfalle wirkt, auf die Lichtabsorptionscharakteristik
des photovoltaischen Elements 111 abgestimmt ist und wenigstens
einen Teil des durch das photovoltaische Element hindurchgetretenen Lichtes 115 durch
Reflexion so zurück
ins photovoltaische Element 111 umlenkt, ohne es dabei
zu konzentrieren, dass es eine optische Wegverlängerung zwischen Rückseite 113 und
Vorderseite 112 erfährt.
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Die
oben für
das photovoltaische Element 101 sowie das holografische
Element 104 aufgeführten
Merkmale und Eigenschaften sind in entsprechender Weise auf die
in 1B gezeigte Solarzelle 110 sowie auf
die in den weiteren Abbildungen gezeigten Ausführungsformen übertragbar.
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Der
Winkel α,
der den Reflexionswinkel für senkrecht
auf das holografische Element 114 einfallendes Lichtes
kennzeichnet, kann z. B. derart gewählt werden, dass dieses Licht
an der Vorderseite 112 des photovoltaischen Elements 111 total
reflektiert wird und damit erneut in das photovoltaische Element 111 umgelenkt
wird, wodurch die Lichtabsorption innerhalb des photovoltaischen
Elements 111 weiter erhöht
wird. Um zu verhindern, dass an der Vorderseite 112 total
reflektiertes Licht bei erneutem Auftreffen auf das holografische
Element 114 durch Reflexion aus dem photovoltaischen Element
auf dieselbe Weise (d. h. unter gleichem Winkel) austritt, wie es eingetreten
ist, kann das holografische Element 114 ein räumliches
Multiplexing aufweisen und somit in verschiedenen Bereichen unterschiedliche
Beugungsvektoren aufweisen.
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Die
holografischen Elemente 104, 114 können derart
aufgebaut sein, dass das Licht auf der gesamten Lichteinfallsseite
umgelenkt wird. In diesem Fall sind die Hologrammlagen ganzflächig ausgebildet
und das holografische Element weist beispielsweise keine Bereiche
auf, in denen einfallendes Licht mit einer Wellenlänge, deren
Absorptionslänge
im Absorber einem Mehrfachen der Dicke des Absorbers entspricht,
hindurchgelassen wird, ohne abgelenkt zu werden.
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Das
holografische Element 104, 114 weist wenigstens
eine Hologrammlage auf. Die wenigstens eine Hologrammlage kann beispielsweise
innerhalb einer Polymerschicht ausgebildet sein. Die wenigstens
eine Hologrammlage kann etwa mit Hilfe von UV-Laserbestrahlung ausgebildet
werden, z. B. in Chromatgelatine. Das die wenigstens eine Hologrammlage
enthaltende Polymer kann ein leitfähiges Polymer sein, so dass
das Polymer neben seiner Funktion als Lichtfalle auch zum Stromtransport
beitragen kann, z. B. in Form einer Vorderseiten- oder Rückseitenelektrode
des photovoltaischen Elements. Beispielsweise ist das Polymer als
Polymerfolie oder Teil derselben ausgebildet. Ebenso kann das Polymer
auf einem transparenten Träger
angeordnet sein, z. B. auf einem Glas oder einem transparenten Kunststoff.
Die wenigstens eine Hologrammlage des holografischen Elements ist
beispielsweise derart aufgebaut, dass sie für eine Wellenlänge im sichtbaren
Teil des Spektrums, bei der eine Absorptionslänge innerhalb des photovoltaischen
Elements größer ist
als die Dicke des photovoltaischen Elements, wenigstens 80% des
einfallenden Lichtes um einen Winkel α > 50° umlenkt,
wobei der Winkel α den
Umlenkungswinkel relativ zu einer Normalen der Lichteinfallsfläche beschreibt.
Die wenigstens eine Hologrammlage weist beispielsweise eine sinoidale
Brechungsindexmodulation auf und unterscheidet sich hierdurch von
einem herkömmlichen
Beugungsgitter.
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Eine
Umlenkung des Lichtes in den holografischen Elementen 104, 114 kann
beispielsweise auf einen Wellenlängenbereich
hin optimiert sein, in dem eine optische Absorptionslänge innerhalb
der photovoltaisch aktiven Schicht(en) (Absorberschicht(en)) der
photovoltaischen Elemente 101, 111 größer ist als
die Dicke dieser Schicht(en). Somit können die Hologrammlagen spektral
optimiert sein. Insbesondere für
Wellenlängen,
deren optische Absorptionslänge
größer ist
als die Dicke der Absorberschicht(en), führt eine Umlenkung des Lichts
durch die holografischen Elemente zu einer Erhöhung des auf diesen Spektralbereich
entfallenden Kurzschlussstrombeitrag.
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Die
photovoltaischen Elemente 101, 111 können beispielsweise
Multijunction-Solarzellen
mit einer bestimmten Anzahl von ladungstrennenden Übergängen sein,
z. B. Tandem-Zellen mit zwei ladungstrennenden Übergängen oder Triple-Zellen mit drei
ladungstrennenden Übergängen, und
eine Umlenkung des Lichtes im holografischen Element kann auf wenigstens
eine der bestimmten Anzahl entsprechenden Anzahl von Wellenlängenbereichen
so optimiert sein, dass für
jede dieser Wellenlängenbereiche
eine möglichst
hohe Lichtabsorption in einer unterschiedlichen Zelle der Multijunction-Solarzelle
erfolgt. Beispielsweise können
die holografischen Elemente 104, 114 auf verschiedene
Wellenlängenbereiche
hin optimiert sein, deren Energieäquivalente in Relation zur
Energiebandlücke
der verschiedenen Absorberschichten der Multijunction-Solarzelle
steht. Beispielsweise wird Licht mit solchen Wellenlängen, bei
denen die Absorption in einer entsprechenden Absorberschicht gerade
erst einsetzt (d. h. Licht mit Photonenenergien nahe der Bandlücke), schwach absorbiert.
Hier eignen sich Lichtfallen in besonderem Maße dazu, durch Lichtumlenkung
eine höhere Absorption
in den Absorberschichten zu erzielen. Ein weiterer Parameter zur
Bestimmung der Wellenlängen,
für die
eine spektrale Optimierung der holografischen Elemente 104, 114 erfolgt,
kann beispielsweise die spektrale Energieverteilung des Sonnenspektrums
sein, z. B. AM 1,5 (Air Mass 1,5).
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Die
photovoltaischen Elemente 101, 111 können beispielsweise
eine oder mehrere Dünnschichtsolarzelle(n)
aufweisen, z. B. a-Si:H, a-Si:H/μc-Si:H
oder a-Si:H/μc-Si:H//μc-Si:H Solarzellen.
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In
der schematischen Querschnittsansicht von 2A ist
eine Solarzelle 201 dargestellt, bei der auf ein lichtdurchlässiges Substrat 206,
z. B. Glas oder transparentem Kunststoff, eine transparente Vorderseitenelektrode 207 aufgebracht
ist. Die transparente Vorderseitenelektrode 207 kann beispielsweise
ein transparentes leitfähiges
Oxid, z. B. In2O3:SnO2(ITO), ZnO:Al, ZnO:B oder SnO2:F,
oder ein transparentes, leitfähiges
Polymer sein. Auf der Vorderseitenelektrode 207 sind eine
oder mehrere photovoltaisch aktive Schichten (Absorberschicht(en)) 208 angeordnet.
In der Absorberschicht 208 werden durch Lichtabsorption
Elektron-Loch-Paare generiert, die über den ladungstrennenden Übergang
der Absorberschicht 208 zur Vorderseitenelektrode 207 bzw.
zu einer an der Absorberschicht 208 positionierten und
der Vorderseitenelektrode gegenüberliegenden
Rückseitenelektrode 209 abgeführt werden.
Die Rückseitenelektrode 209 kann
hierbei als Rückseitenreflektor
genutzt werden, der einfallendes Licht zurück in die Absorberschicht 208 reflektiert.
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Die
Solarzelle 201 kann weitere in 2A nicht
gezeigte Schichten enthalten, z. B. Passivierungsschichten zur Reduktion
der Oberflächenrekombination
von optisch generierten Minoritätsladungsträgern oder
Antireflexionsschichten zur Verringerung von Reflexionsverlusten
des einfallendes Lichtes. Auf der zur Vorderseitenelektrode 207 abgewandten
Seite des transparenten Substrats 206 ist ein als Lichtfalle
wirkendes holografisches Element 204 angeordnet. Wie bereits
im Zusammenhang mit den in 1A und 1B gezeigten
Ausführungsformen
erläutert,
lenkt das holografische Element 204, z. B. abgestimmt auf
die Lichtabsorptionscharakteristik und Dicke der Absorberschicht(en) 208, wenigstens
einen Teil des einfallende Lichtes 205 so in die Absorberschicht(en) 208 um,
ohne es dabei zu konzentrieren, dass es eine optische Wegverlängerung
zwischen einer Vorderseite 202 der Absorberschicht(en) 208 und
einer Rückseite 203 der
Absorberschicht(en) 208 erfährt. Die in 2A als
auch in den 2B–2D gezeigten
Lichtumlenkungen sind lediglich schematisch dargestellt.
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Bei
dem in 2A gezeigten Solarzellenaufbau
kann es sich beispielsweise um eine Solarzelle mit einer einzigen
Absorberschicht 208 aus amorphem Silizium oder um eine
Multijunction-Solarzelle mit Absorberschichten aus mikrokristallinem
Silizium und amorphem Silizium handeln.
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2B ist
eine schematische Querschnittansicht einer Solarzelle 221 mit
einem holografischen Element 224, das zugleich als Vorderseitenelektrode
dient und auf einem transparenten Substrat 226 aufgebracht
ist. Auf dem holografischen Element 224 sind gegenüber dem
Substrat 226 eine oder mehrere photovoltaisch aktive Schichten 228 angeordnet.
Eine Grenzfläche
zwischen der photovoltaisch aktiven Schicht 228 und dem
holografischen Element 224 definiert eine Vorderseite 222,
d. h. die Seite, von der aus das Licht in die photovoltaisch aktiven Schichten 228,
d. h. die Absorberschicht(en) 228, eindringt. Auf einer
Rückseite 223 der
Absorberschicht 228 ist eine Rückseitenelektrode 229 angeordnet.
Einfallendes Licht 225 wird im holografischen Element 224,
wie oben erläutert,
so in die Absorberschicht 228 umgelenkt, ohne dabei konzentriert
zu werden, dass es eine optische Wegverlängerung zwischen Vorderseite 222 und
Rückseite 223 erfährt. Die Rückseitenelektrode 229 kann
reflektierend sein. Der in 2B gezeigte
Aufbau eignet sich beispielsweise für Solarzellen aus amorphem
Silizium oder auch Tandem-Solarzellen aus amorphem und mikrokristallinem
Silizium.
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2C ist
eine schematische Querschnittsansicht einer Solarzelle 241 mit
einer reflektierenden Rückseitenelektrode 249,
die auf einem Trägersubstrat 246 angeordnet
ist. Da das Licht nicht durch das Trägersubstrat 246 einfällt, kann
es für
Licht durchlässig
oder auch nicht durchlässig
sein. Auf der Rückseitenelektrode 249 ist
gegenüber
dem Trägersubstrat 246 eine
Absorberschicht 248 und auf der Absorberschicht 248 gegenüber der
Rückseitenelektrode 249 eine
Vorderseitenelektrode 247 angeordnet. Auf der Vorderseitenelektrode 247,
d. h. an einer Vorderseite 242 der Absorberschicht 248,
ist ein holografisches Element 244 angeordnet. Das holografische Element 244 lenkt
einfallendes Licht 245 in die Absorberschicht 248 um
und erhöht
so die Lichtabsorption und den Photostrom innerhalb der Absorberschicht 248.
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Der
in 2C gezeigte Schichtaufbau eignet sich beispielsweise
für Solarzellen,
bei deren Herstellungsprozess zunächst eine Rückseitenelektrode auf ein Trägersubstrat
aufgebracht wird, wie dies beispielsweise bei Solarzellen wie a-Si:H
auf Metall oder Polymerfolie oder bei Solarzellen mit Chalkopyrit-Absorberschichten
der Fall ist, z. B. CIS-Solarzellen und deren Derivate.
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2D ist
eine schematische Querschnittsansicht einer Solarzelle 261 mit
einem lichtdurchlässigen
Substrat 266 aus z. B. Glas oder transparentem Kunststoff,
auf das eine transparente Vorderseitenelektrode 267 aufgebracht
ist. Die transparente Vorderseitenelektrode 267 kann beispielsweise
ein transparentes leitfähiges
Oxid oder auch ein transparentes leitfähiges Polymer sein. Gegenüber dem Substrat 266 sind
auf der Vorderseitenelektrode 267 eine oder mehrere Absorberschichten 268 angeordnet.
Gegenüber
der Vorderseitenelektrode 267 ist auf der Absorberschicht 268 ein
holografisches Element 264 angeordnet, das zugleich als
Rückseitenelektrode
dient. Das holografische Element 264 ist somit an einer
Rückseite 263 der
Absorberschicht 268 angeordnet und bewirkt, anders als
die in 2A–2C gezeigten
holografischen Elemente 204, 224, 244, eine
Lichtumlenkung bei gleichzeitiger Reflexion.
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Bei
dem in 2D gezeigten Aufbau kann es
sich beispielsweise um eine Solarzelle aus amorphem Silizium oder
auch um eine Tandemsolarzelle aus mikrokristallinem Silizium und
amorphem Silizium handeln.
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3 zeigt
ein reflektives holografisches Element 300 mit zwei Hologrammlagen 301, 302,
die geeignet sind, wenigstens einen Teil einfallenden Lichtes 304 zu
reflektieren und umzulenken, ohne es zu konzentrieren, wobei die
beiden Hologrammlagen 301, 302 in ein Polymer 303 eingebettet
sind.
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4 zeigt
eine schematische Querschnittsansicht eines holografischen Elements 400.
Anders als das in 3 gezeigte holografische Element,
bei dem die Umlenkung mit einer Lichtreflexion verknüpft ist,
bewirkt das holografische Element 400 eine Umlenkung bei
Transmission. Zur Umlenkung des Lichtes 404 weist das holografische
Element 400 Hologrammlagen 401, 402 auf,
welche in ein näherungsweise
transparentes Polymer 403 eingebettet sind.
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Obgleich
die gezeigten Ausführungsformen jeweils
zwei Hologrammlagen 301, 302 bzw. 401, 402 aufweisen,
ist dies jedoch lediglich beispielhaft zu werten und es können mehrere
Hologrammlagen, jedoch wenigstens eine, in das jeweilige Polymer 303 bzw. 403 eingebracht
sein. Eine Erhöhung
der Anzahl der Hologrammlagen ermöglicht beispielsweise eine
Optimierung der spektralen Abhängigkeit
der Umlenkung.
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5 zeigt
eine schematische Querschnittsansicht eines Solarmoduls 500.
Das Solarmodul 500 weist Solarzellen auf mit einem holografischen
Element 504, einem transparenten Substrat 506,
einer Vorderseitenelektrode 507, einer Absorberschicht 508 und
einer Rückseitenelektrode 509.
Zur Schichtanordnung, Materialauswahl und Lichtumlenkung von einfallendem
Licht 505 wird auf die Erläuterungen zu den entsprechenden
Schichten 204, 206, 207, 208 und 209 des
in 2A gezeigten Beispiels verwiesen.
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Die
Vorderseitenelektrode 507, die Absorberschicht 508 und
die Rückseitenelektrode 509 sind derart
strukturiert, dass eine der Absorberschicht 508a zugeordnete
erste Zelle mit einer der Absorberschicht 508b zugeordneten
zweiten Zelle in Serie verschaltet ist. Die Serienverschaltung erfolgt
durch Verbinden des Rückseitenkontaktes 509 der
Absorberschicht 508a mit dem Vorderseitenkontakt der Absorberschicht 508b.
Die Zellen können
zudem verkapselt sein, um sie vor Umwelteinflüssen zu schützen (nicht dargestellt).
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6 zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes Transmissionsverhalten
eines transmissiven holografischen Elements 604 in Abhängigkeit
von einem Lichtumlenkungswinkel α.
Das Transmissionsverhalten ist für
eine Wellenlänge
dargestellt, auf welche die Umlenkung optimiert wurde. Senkrecht
einfallendes Licht 605 wird zu einem geringen Teil von
weniger als 20%, z. B. weniger als 10% wie etwa 3%, unabgelenkt
hindurch gelassen. Der Großteil
des einfallenden Lichtes 605, d. h. mehr als 80%, z. B.
mehr als 90% wie etwa 97%, wird um einen vorgegebenen Winkel α0 umgelenkt.
Das holografische Element 604 weist im Gegensatz zu herkömmlichen
Gittern keine auf höhere
Ordnungen, denen weitere Umlenkungswinkel zugeordnet sind, entfallenden
Intensitätsbeiträge auf.
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7A zeigt
in schematischer Darstellung ein beispielhaftes spektrales Transmissionsverhalten einer
ersten Hologrammlage H0 eines holografischen Elements.
Dem als Diagramm gezeigten beispielhaften spektralen Transmissionsverhalten
liegt eine wie oberhalb des Diagramms vereinfacht skizzierte Messanordnung
zugrunde. Licht 705 fällt
senkrecht auf die Hologrammlage H0 des holografischen
Elements. Ein Detektor D, welcher auf der zur Lichteinfallsseite gegenüber liegenden
Seite positioniert ist, misst den unabgelenkt hindurch gelassenen
Intensitätsanteil des
Lichtes 705.
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Die
Umlenkung des Lichtes 705 um den vorgegebenen Winkel α0 ist
für die
Hologrammlage H0 beispielhaft auf eine Wellenlänge λ0 von
600 nm eingestellt. Der vom Detektor D gemessene Intensitätsanteil
von unabgelenktem Licht 705 ist deshalb bei λ0 minimal.
Mit zunehmender Wellenlängendifferenz
zu λ0 steigt die am Detektor D gemessene Intensität an, d.
h. die Transmission der Hologrammlage nimmt zu und steigt im Idealfall
auf 100% an. Verluste wie z. B. Reflektion oder parasitäre Absorption
können
maximale Transmissionswerte bedingen, die kleiner sind als 100%,
z. B. zwischen 80% und 100% oder auch zwischen 90% und 100%.
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Die
im Folgenden beschriebenen 7B bis 7C dienen
der Erläuterung
des spektralen Transmissionsverhaltens der ersten Hologrammlage H0 bei Änderung
des Lichteinfallswinkels. Da diese Figuren sowie die folgenden 7D bis 7J zu weiteren
Hologrammlagen wie 7A aufgebaut sind, wird nachfolgend
lediglich auf wesentliche Unterschiede zur 7A eingegangen.
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In 7B ist
in schematischer Darstellung das spektrale Transmissionsverhalten
der ersten Hologrammlage H0 bei Änderung
des Lichteinfalls von senkrecht (vgl. 7A) auf
einen Winkel γ zur
Normalen beispielhaft gezeigt. Der Winkel γ beträgt beispielsweise 10%. Die Änderung
des Lichteinfallswinkels führt
zu einer Änderung
des Lichtumlenkungswinkels, bei dem die Transmission am Detektor
D minimal wird. Beispielhaft führt
eine Änderung
des Lichteinfallswinkels von 0° zur
Normalen (vgl. 7A) auf γ zu einer Änderung des Lichtumlenkungswinkels
von α0 auf α1, begleitet von einer Änderung der der maximalen Lichtumlenkung
zugeordneten Wellenlänge
von λ0 = 600 nm (vgl. 7A) auf beispielhaft λ1 =
700 nm.
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Wie
in der schematischen Darstellung zum spektralen Transmissionsverhalten
der ersten Hologrammlage H0 in 7C gezeigt
ist, führt
eine weitere Änderung
des Lichteinfallswinkels von γ (7B) auf δ, z. B. von
10° auf
20°, zu
einer weiteren Änderung
des Lichtumlenkungswinkels von α1 auf α2, begleitet von einer Änderung der der maximalen Lichtumlenkung
zugeordneten Wellenlänge
von λ1 = 700 nm (vgl. 7B) auf
beispielhaft λ2 = 800 nm.
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In
den 7D bis 7F sind
schematische Darstellungen zum spektralen Transmissionsverhalten
einer zweiten Hologrammlage H1 für senkrechten Lichteinfall
(7D), Lichteinfall unter einem Winkel γ zur Normalen
(vgl. 7E) und Lichteinfall unter einem
Winkel δ zur
Normalen (vgl. 7F) gezeigt. Die Hologrammlage
H1 unterscheidet sich dadurch von der Hologrammlage
H0 der 7A bis 7C, dass
eine Lichtumlenkung um den Winkel α0 bei senkrechtem
Lichteinfall beispielhaft auf eine Wellenlänge von λ0 =
700 nm eingestellt ist.
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In
den 7G bis 7I sind
schematische Darstellungen zum spektralen Transmissionsverhalten
einer dritten Hologrammlage H2 für senkrechten Lichteinfall
(7G), Lichteinfall unter einem Winkel γ zur Normalen
(vgl. 7H) und Lichteinfall unter einem
Winkel δ zur
Normalen (vgl. 7I) gezeigt. Die Hologrammlage
H2 unterscheidet sich dadurch von den Hologrammlagen
H0 und H1 der 7A bis 7F,
dass eine Lichtumlenkung um den Winkel α0 bei
senkrechtem Lichteinfall beispielhaft auf eine Wellenlänge von λ0 =
800 nm eingestellt ist.
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In 7J ist
in schematischer Darstellung das spektrale Transmissionsverhalten
des holografischen Elements mit überlagerten
Hologrammlagen H0, H1 und
H2 bei senkrecht einfallendem Licht 705 gezeigt.
Durch Überlagerung
der Hologrammlagen H0, H1 und
H2 wird eine Lichtumlenkung in einem beispielhaften
Spektralbereich von 600 bis 800 nm erzielt.
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Obgleich
das spektrale Transmissionsverhalten eines holografischen Elements
in der 7J beispielhaft mit drei überlagerten
Hologrammlagen H0, H1,
und H2 gezeigt ist, die senkrecht einfallendes Licht
mit Wellenlängen
von 600 nm, 700 nm und 800 nm optimal umlenken, kann das holografische
Element selbstverständlich
eine von drei verschiedene Anzahl von Hologrammlagen aufweisen,
deren Umlenkung auf vorgegebene Wellenlängen eingestellt sein kann.
Anzahl und Gestaltung der Hologrammlagen können beispielsweise auf eine
Lichtumlenkung in einem gewünschten
Spektralbereich abgestimmt sein. Auch kann das holografische Element
ein reflektives holografisches Element sein.