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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Gehäuse für einen Halbleiter-Chip, ein
Bauelement, ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für einen Halbleiter-Chip,
und ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements.
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Ein
Gehäuse
für einen
Halbleiter-Chip wird konventionell hergestellt, indem ein Halbleiter-Chip und
elektrische Zuleitungen, die mit elektrischen Kontaktelementen des
Halbleiter-Chips
zu verbinden sind, in bestimmter Weise relativ zueinander angeordnet
und von einem Material wie einer Verguss- oder Pressmasse umgeben
werden, die anschliessend ausgehärtet
werden kann. Die Zuleitungen bilden ausserhalb des Gehäuses Aussenkontaktelemente,
mit denen das Gehäuse
anderweitig, etwa auf einer Platine, elektrisch kontaktiert werden
kann.
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Es
hat sich gezeigt, dass insbesondere bei bestimmten Gehäusearten
wie sehr kleinen oder dünnen
Gehäusen,
z. B. den sogenannten PSSO(Plastic Single Small Outline)-Gehäusen, Probleme
aufgrund des Aufbaus auftreten können.
Es kann beispielsweise vorkommen, dass die Einbettung in die Pressmasse,
d. h. insbesondere der Abstand der Bonddrähte von einem nächstgelegenen
Punkt der Pressmassenoberfläche
an der Biegeseite lediglich ca. 0,8 mm beträgt. Da die Bonddrähte bei
diesen Gehäusen
somit nur unzureichend in die Pressmasse eingebettet sind, kann
es bei mechanischen Beanspruchungen wie Durchbiegungen zu Delaminationen
und Drahtrissen kommen.
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Vor
diesem Hintergrund wird ein Gehäuse
für einen
Halbleiter-Chip
mit den Merkmalen des unabhängigen
Patentanspruchs 1, ein Bauelement mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 6,
ein Bauelement mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 11,
ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für einen Halbleiter-Chip mit den
Merkmalen des unab hängigen
Patentanspruchs 16, und ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
mit den Merkmalen des unabhängigen
Patentanspruchs 21 angegeben. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen
sind in den Unteransprüche
angegeben.
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Nachfolgend
werden Ausführungsformen der
Erfindung in beispielhafter Weise anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es
zeigen:
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1 eine
schematische Darstellung einer Ausführungsform eines Gehäuses in
einer Draufsicht;
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2 ein
Flussdiagramm zur Darstellung einer Ausführungsform eines Verfahrens
zur Herstellung eines Gehäuses
für einen
Halbleiter-Chip;
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3 eine
schematische Darstellung einer Ausführungsform eines Bauelements
in einer Draufsicht;
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4 ein
Flussdiagramm zur Darstellung einer Ausführungsform eines Verfahrens
zur Herstellung eines Bauelements;
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5 eine
schematische Darstellung einer Ausführungsform eines weiteren Bauelements
in einer Draufsicht.
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Im
Folgenden werden Gehäuse
für Halbleiter-Chips,
Bauelemente, die Halbleiter-Chips enthalten, Verfahren zur Herstellung
von Gehäusen
für Halbleiter-Chips
und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen, die Halbleiter-Chips
enthalten, beschrieben. Die Erfindung ist dabei unabhängig von der
Art der Halbleiter-Chips. Halbleiter-Chips können jede Art von Bauelementen
oder Chips auf Halbleiterbasis sein. Insbesondere können die
Bauelemente elektrische, elektromechanische und/oder elektrooptische
Bauelemente sein, z. B. integrierte Schaltungen, Sensoren, mikro-elektromechanische
Bauelemente (MEMS) oder Laserdioden und dergleichen.
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Das
Gehäuse
kann ein Material wie eine Vergussmasse aufweisen, mit welchem die
Zuleitungen umgeben werden. Das Material kann beispielsweise ein
Harz wie ein Epoxydharz oder dergleichen enthalten oder daraus bestehen.
Das Material kann auch eine andere Zusammensetzung aufweisen. Das
Material kann, allgemein gesagt, jede denkbare Zusammensetzung aufweisen,
durch die eine Verguss- oder Verkapselungsmasse gebildet werden
kann, mit der der Halbleiter-Chip umgeben werden kann.
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Der
Halbleiter-Chip kann Kontaktelemente oder Kontaktpads auf einer
oder mehreren seiner äusseren
Oberflächen
aufweisen, wobei die Kontaktelemente dazu dienen, den Halbleiter-Chip
elektrisch zu kontaktieren. Die Kontaktelemente können aus
jedem elektrisch leitendem Material, z. B. aus einem Metall wie
Aluminium, Gold, oder Kupfer, oder einer Metalllegierung, oder einem
elektrisch leitendem organischem Material, oder einem elektrisch
leitendem Halbleitermaterial hergestellt sein.
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In
der 1 ist eine Ausführungsform eines Gehäuses für einen
Halbleiter-Chip schematisch in einer Draufsicht dargestellt. Das
Gehäuse
weist im wesentlichen auf:
eine Mehrzahl von Zuleitungen 11 und 12,
wobei eine erste Zuleitung 11 an einer ersten Gehäuseseite
ein Außenkontaktelement 11.1 bildet
und sich an der ersten Gehäuseseite
in das Gehäuse 10 in
Richtung auf eine gegenüberliegende
zweite Gehäuseseite
erstreckt, wobei die Länge
der ersten Zuleitung 11 innerhalb des Gehäuses 10 größer als
der hälftige
Abstand zwischen der ersten und der zweiten Gehäuseseite ist.
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Das
Gehäuse 10 ist
durch eine in einer geeigneten Giessform hergestellte Press- oder
Vergussmasse gegeben und weist eine äussere. Begrenzung 10A auf,
welche gestrichelt dargestellt ist und durch äussere Begrenzungswände der
Pressmasse gegeben ist. Eine erste Begrenzungswand 10A.1 stellt
eine erste Ge häuseseite
dar, während eine
zweite Begrenzungswand 10A.2 eine zweite Gehäuseseite
darstellt.
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Das
Gehäuse 10 weist
des Weiteren die erste Zuleitung 11 und eine zweite Zuleitung 12 auf.
Die erste Zuleitung 11 und die zweite Zuleitung 12 erstrecken
sich von der ersten Gehäuseseite,
an der sie jeweils Aussenkontaktelemente 11.1 und 12.1 bilden, parallel
zueinander in das Gehäuse 10.
Beide Zuleitungen 11 und 12 erstrecken sich jeweils
innerhalb des Gehäuses 10 von
der ersten Gehäuseseite
in Richtung auf die gegenüberliegende
zweite Gehäuseseite,
wobei sie innerhalb des Gehäuses 10 jeweils eine
Länge aufweisen,
die grösser
ist als der hälftige Abstand
zwischen der ersten Gehäuseseite
und der zweiten Gehäuseseite.
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Es
kann jedoch auch vorgesehen sein, dass nur eine der beiden Zuleitungen 11 und 12 die
vorstehenden Kriterien aufweist, d. h. insbesondere eine Länge innerhalb
des Gehäuses
aufweist, die grösser ist
als der hälftige
Abstand zwischen der ersten Gehäuseseite
und der zweiten Gehäuseseite,
insbesondere wenn nur bezüglich
dieser einen Zuleitung die Gefahr von Beschädigungen durch Abrisse von Bonddrähten bei
mechanischen Belastungen des Gehäuses
gemindert werden soll. Die jeweils anderen Zuleitungen können dann
auch anderen Konfigurationen entsprechen.
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Durch
die Ausgestaltung und Anordnung der beiden Zuleitungen 11 und 12 relativ
zu dem Gehäuse 10,
insbesondere durch deren Länge
innerhalb des Gehäuses 10 wird
erreicht, dass diese ausreichend und gut im Gehäuse 10 und mit dem
Gehäuse 10 verankert
sind. Somit kann die Gefahr von Beschädigungen wie dem Abreissen
von mit den Zuleitungen verbundenen Bonddrähten infolge von mechanischen
Beanspruchungen des Gehäuses 10 wie Verbiegungen
oder dergleichen vermindert werden. Bei PSSO-Gehäusen
kann insbesondere eine Einbettung der Bonddrähte von 2,0 mm oder mehr erreicht
werden, wie weiter unten noch gezeigt werden wird.
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Falls
mehrere Zuleitungen wie im Ausführungsbeispiel
der 1 verwendet werden, so können diese wie im Ausführungsbeispiel
die gleiche Form und die gleichen Ausmasse aufweisen und aus ein
und demselben elektrisch leitenden Material hergestellt sein. Dies
kann beispielsweise dann der Fall sein, wenn die Zuleitungen aus
ein und demselben Leadframe hervorgegangen sind und im Laufe des Fertigungsprozesses
voneinander separiert worden sind. Es kann jedoch auch vorgesehen
sein, dass die Zuleitungen nicht die gleiche Form und die gleichen Ausmasse
aufweisen und sie müssen
auch nicht notwendigerweise aus ein und demselben elektrisch leitenden
Material gefertigt sein. Insbesondere ist es nicht erforderlich,
dass die Zuleitungen sich parallel zueinander erstrecken.
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Das
Gehäuse 10 kann
des weiteren einen Träger 13 enthalten,
auf den ein Halbleiter-Chip aufgebracht werden kann. Der Träger 13 kann
dabei wie dargestellt zwischen der ersten Zuleitung 11 und
der zweiten Zuleitung 12 angeordnet sein. Der Träger 13 kann
des Weiteren wie dargestellt, eine rechteckförmige Grundfläche aufweisen,
deren Seitenlängen
jeweils grösser
sind als die Breite der Zuleitungen 11 und 12.
Der auf den Träger 13 aufzubringende
Halbleiter-Chip weist im allgemeinen ebenfalls eine rechteckigförmige Grundfläche auf,
deren Ausmasse mit der rechteckförmigen
Grundfläche
des Trägers 13 übereinstimmen
kann, so dass der Halbleiter-Chip dann von den Zuleitungen 11 und 12 in
der Draufsicht seitlich beabstandet ist. Die Grundfläche des
Halbleiter-Chips kann jedoch auch von der Grundfläche des Trägers 13 abweichende
Ausmasse aufweisen, wie in einem weiteren Ausführungsbeispiel noch zu sehen
sein wird. Die Grundfläche
des Halbleiter-Chips kann insbesondere grössere Ausmasse als die Grundfläche des
Trägers 13 aufweisen,
so dass der Halbleiter-Chip in der Draufsicht seitlich über den Träger 13 hinausragt,
wie ebenfalls in einem weiteren Ausführungsbeispiel noch zu sehen
sein wird.
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Der
Träger 13 kann
des Weiteren aus einem elektrisch leitfähigen Material hergestellt
sein. Insbesondere können
die Zuleitungen 11 und 12 und der Träger 13 aus
einem Leadframe hergestellt worden sein, wie ebenfalls noch anhand
eines weiteren Ausführungsbeispiels
zu sehen sein wird.
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Der
Träger 13 kann
jedoch auch aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellt
sein, insbesondere falls seine einzige Funktion darin bestehen soll,
eine Aufnahmefläche
für den
Halbleiter-Chip bereitzustellen und den Halbleiter-Chip zu tragen.
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Falls
der Träger 13 aus
einem elektrisch leitenden Material gefertigt ist oder zumindest
seine dem Halbleiter-Chip zugewandte Oberfläche mit einem elektrisch leitenden
Material versehen ist, kann der Halbleiter-Chip vermittels eines
oder mehrerer elektrischer Kontaktelemente, welche auf einer dem Träger 13 zugewandten
Oberfläche
des Halbleiter-Chips aufgebracht sind, mit dem Träger 13 elektrisch
kontaktiert werden. Der Halbleiter-Chip kann im übrigen mit den Zuleitungen
durch Kontaktelemente elektrisch verbunden sein, die auf seiner
dem Träger abgewandten
Oberfläche
aufgebracht sine, wie ebenfalls anhand eines Ausführungsbeispiels
noch zu sehen sein wird.
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Es
kann jedoch ebenso vorgesehen sein, dass kein Träger vorgesehen ist und dass
im wesentlichen lediglich Zuleitungen wie die in dem Ausführungsbeispiel
der 1 gezeigten Zuleitungen 11 und 12 in
dem Gehäuse
vorhanden sind. In diesem Fall kann der Halbleiter-Chip auf den
Zuleitungen aufgebracht sein und von diesen getragen werden.
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In
der 2 ist ein Flussdiagramm einer Ausführungsform
eines Verfahrens zur Herstellung eines Gehäuses für einen Halbleiter-Chip dargestellt.
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Das
Herstellungsverfahren geht von einem geeignet gestalteten Leadframe
(Leiterrahmen) aus, welcher im Laufe des Herstel lungsprozesses in
einzelne Komponenten aufgetrennt wird. Der Leadframe ist ein anfänglich zusammenhängendes
Gebilde, in welchem die Zuleitungen enthalten und miteinander, beispielsweise
durch schmale Stege, verbunden sind.
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Das
Verfahren umfasst im Einzelnen das Bereitstellen eines Leadframes,
welches eine Mehrzahl von Zuleitungen aufweist (s1), das Umgeben
des Leadframes mit einem Material, insbesondere einer Vergussmasse
(s2), und das Separieren der Zuleitungen voneinander (s3), wobei
eine erste Zuleitung an einer ersten Gehäuseseite ein Aussenkontaktelement
bildet und sich an der ersten Gehäuseseite in das Gehäuse in Richtung
auf eine gegenüberliegende
zweite Gehäuseseite
erstreckt, wobei die Länge der
ersten Zuleitung innerhalb des Gehäuses grösser als der hälftige Abstand
zwischen der ersten und der zweiten Gehäuseseite ist.
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Mit
dem vorstehend angegebenen Verfahren kann beispielsweise ein Gehäuse, wie
in der 1 dargestellt und weiter oben beschrieben, hergestellt werden.
In diesem Fall enthält
der Leadframe ausser den Zuleitungen 11 und 12 auch
noch den Träger 13, auf
welchem ein Halbleiter-Chip aufgebracht werden kann. Die Zuleitungen 11, 12 und
der Träger 13 können als
Teil des zusammenhängenden
Leadframes anfänglich
durch schmale Stege an den Längsseiten der
Zuleitungen 11, 12 und des Trägers 13 miteinander
verbunden sein. Diese Stege können
nach einem ersten Umspritzungs- oder Giessvorgang mit der Vergussmasse
aufgetrennt werden, so dass die Zuleitungen 11, 12 von
dem zwischen ihnen befindlichen Träger 13 separiert werden.
Anschliessend können
sich ein oder mehrere weitere Umspritzungsvorgänge anschliessen, um das Gehäuse herzustellen.
Die Umspritzungsvorgänge
werden dabei so durchgeführt,
dass eine erste Zuleitung 11 an einer ersten Gehäuseseite
ein Aussenkontaktelement 11.1 bildet und sich an der ersten
Gehäuseseite
in das Gehäuse 10 in
Richtung auf eine gegenüberliegende zweite
Gehäuseseite
erstreckt, wobei die Länge
der ersten Zuleitung 11 innerhalb des Gehäuses 10 grösser als
der hälftige
Abstand zwischen der ersten und der zweiten Gehäuseseite ist.
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In
der 3 ist eine Ausführungsform eines Bauelements
schematisch in einer Draufsicht dargestellt. Das Bauelement 20 der 3 kann
beispielsweise aus einem Gehäuse 10 hervorgehen,
wie es in der Ausführungsform
der 1 gezeigt ist, wobei mit gleichen Bezugsziffern
gleiche oder wirkungsgleiche Elemente bezeichnet sind.
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Das
Bauelement 20 weist im wesentlichen ein Gehäuse 10,
einen Halbleiter-Chip 14, eine Mehrzahl von Zuleitungen 11 und 12 auf,
wobei eine erste Zuleitung 11 an einer ersten Gehäuseseite
ein Außenkontaktelement 11.1 bildet
und sich an der ersten Gehäuseseite
in das Gehäuse 10 in
Richtung auf eine zweite Gehäuseseite
erstreckt, wobei der Halbleiter-Chip 14 auf einer Oberfläche ein
erstes Kontaktelement 14.1 aufweist, welches mit einem
Abschnitt 11.2 der ersten Zuleitung 11 durch einen
Draht 15 wie etwa einen Bonddraht 15 elektrisch
verbunden ist, wobei das erste Kontaktelement 14.1 und
der Abschnitt 11.2 der ersten Zuleitung 11 der
zweiten Gehäuseseite
näher liegen
als der ersten Gehäuseseite.
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Dabei
kann vorgesehen sein, dass, wie in dem Ausführungsbeispiel der 3 dargestellt,
die Länge
der ersten Zuleitung 11 innerhalb des Gehäuses 10 größer als
der hälftige
Abstand zwischen der ersten und der zweiten Gehäuseseite ist.
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Die
zweite Zuleitung 12 ist ebenfalls mit dem Halbleiter-Chip 14 durch
einen Draht 16 wie einen Bonddraht 16 elektrisch
verbunden. Zu diesem Zweck ist auf der Oberfläche des Halbleiter-Chips 14 ein
zweites Kontaktelement 14.2 vorhanden, mit welchem der
Bonddraht 16 verbunden ist. Der Bonddraht 16 ist
des Weiteren mit einem Abschnitt 12.2 der zweiten Zuleitung 12 verbunden.
Die Abschnitte 11.2 und 12.2 der Zuleitungen 11 und 12 sind
lediglich Oberflächenbereiche
der jeweiligen Zuleitungen 11 und 12, die sich
ansonsten, d. h. struktu rell nicht von den übrigen Oberflächenbereichen
der Zuleitungen 11 und 12 unterscheiden.
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Die
Zuleitungen 11 und 12 ragen an der ersten Gehäuseseite
aus dem Gehäuse 10 heraus.
Deshalb ist dieser Bereich besonders gefährdet hinsichtlich Delamination
und Drahtrissen infolge mechanischer Beanspruchung wie Verbiegung
der Zuleitungen oder dergleichen. Die erste Gehäuseseite wird deshalb auch
als Biegeseite bezeichnet. Dadurch dass die Bonddrähte 15 und 16 maximal
von der Pressmassenoberfläche
an der Biegeseite entfernt angeordnet sind, können solche durch mechanische Beanspruchungen
hervorgerufenen Beschädigungen
wie Drahtabrisse wirksam vermieden werden. Dieser Abstand, der weiter
oben auch als Einbettung bezeichnet wurde, kann 2 mm oder mehr betragen.
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In
der 4 ist ein Flussdiagramm einer Ausführungsform
eines Verfahrens zur Herstellung eines Bauelements dargestellt.
Das Verfahren baut auf dem mit bezug auf 2 beschriebenen
Verfahren auf, wobei zusätzlich
ein Halbleiter-Chip in dem Gehäuse
angeordnet wird und somit ein Bauelement hergestellt wird, welches
ein Gehäuse
und einen darin montierten Halbleiter-Chip enthält.
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Das
Verfahren umfasst im Einzelnen das Bereitstellen eines Leadframes,
welches eine Mehrzahl von Zuleitungen aufweist, das Anordnen eines
Halbleiter-Chips, welcher ein elektrisches Kontaktelement aufweist,
innerhalb der Begrenzungen eines zu formenden Gehäuses, das
Umgeben der Zuleitungen und des Halbleiter-Chips mit einem Material,
insbesondere einer Vergussmasse, derart dass eine erste Zuleitung
an einer ersten Gehäuseseite
ein Aussenkontaktelement bildet und sich an der ersten Gehäuseseite
in das Gehäuse
in Richtung auf eine gegenüberliegende
zweite Gehäuseseite
erstreckt und das Kontaktelement der zweiten Gehäuseseite näher liegt als der ersten Gehäuseseite,
das Separieren der Zuleitungen voneinander, und das Elektrische
Verbinden des Kontaktelements mit der ersten Zuleitung mit einem
Draht.
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Mit
dem vorstehend angegebenen Verfahren kann beispielsweise ein Bauelement,
wie in der 3 dargestellt und weiter oben
beschrieben, hergestellt werden. In diesem Fall enthält der Leadframe ausser
den Zuleitungen 11 und 12 auch noch den Träger 13,
auf welchem der Halbleiter-Chip 14 aufgebracht wird. Die übrigen Verfahrensmassnahmen können analog
dem mit bezug auf 2 beschriebenen Verfahren zur
Herstellung eines Gehäuses durchgeführt werden.
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Es
kann des Weiteren vorgesehen sein, dass der Halbleiter-Chip 14 mindestens
teilweise auf einer oder mehreren der Zuleitungen, beispielsweise
der ersten Zuleitung 11 aufgebracht wird, wie in dem Ausführungsbeispiel
eines hergestellten Bauelements gemäss 3 dargestellt.
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Im
Laufe des Herstellungsprozesses werden die auf der oberen Oberfläche des
Halbleiter-Chips 14 befindlichen Kontaktelemente 14.1 und 14.2 mit den
Zuleitungen 11 und 12 an dafür vorgesehenen Abschnitten 11.2 und 12.2 elektrisch
verbunden. Dies kann z. B. zu einem Zeitpunkt geschehen, wenn bereits
ein erster Umspritzungs- oder Giessvorgang stattgefunden hat, die
einzelnen Komponenten des Leadframes voneinander getrennt wurden
und der Halbleiter-Chip 14 auf den Träger 13 aufgebracht wurde.
Wie bereits erwähnt,
können
die Drähte 15 und 16 Bonddrähte bspw.
aus Gold sein, die mit üblichen
Bondverfahren erzeugt werden. Im Anschluss daran kann ein weiterer
Umspritzungs- oder Giessvorgang durchgeführt werden, mit welchem der
Halbleiter-Chip 14 mit der Vergussmasse bedeckt werden kann.
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In
der 5 ist eine Ausführungsform eines weiteren Bauelements
in einer Draufsicht schematisch dargestellt.
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Das
in der 5 gezeigte Bauelement 30 umfasst im wesentlichen
ein Gehäuse 31,
einen Halbleiter-Chip 34, und eine Mehrzahl von Zuleitungen 32.n,
wobei eine erste Zuleitung 32.1 an einer ersten Gehäuseseite
ein Außenkontaktelement 32.11 bildet
und sich in Richtung auf eine zweite Gehäuseseite erstreckt, wobei die
erste Zuleitung 32.1 sich mindestens teilweise unterhalb
des Halbleiter-Chips 34 erstreckt.
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Die
erste Zuleitung 32.1 kann dabei, wie bei dem Ausführungsbeispiel
der 5 vorgesehen, sich entlang einem Teil ihrer Länge lateral
vollständig unterhalb
des Halbleiter-Chips 34 erstrecken.
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Es
kann des Weiteren vorgesehen sein, wie ebenfalls bei dem Ausführungsbeispiel
der 5 vorgesehen, dass zwei oder mehr Zuleitungen
sich jeweils mindestens teilweise oder vollständig unterhalb des Halbleiter-Chips 34 erstrecken.
Bei dem Ausführungsbeispiel
verlaufen die vier Zuleitungen 32.1, 32.2, 32.3 und 32.4 jeweils
auf einem Teil ihrer Länge
vollständig
unterhalb des Halbleiter-Chips 34. Die äussersten Zuleitungen 32.0 und 32.5 verlaufen nur
teilweise unterhalb des Halbleiterchips 34.
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Es
kann des Weiteren vorgesehen sein, wie ebenfalls bei dem Ausführungsbeispiel
der 5 vorgesehen, dass mindestens die erste Zuleitung 32.1 innerhalb
des Gehäuses 31 eine
Länge aufweist,
die länger
als der hälftige
Abstand zwischen der ersten Gehäuseseite
und der zweiten Gehäuseseite
ist. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel
der 5 gilt dies für
alle Zuleitungen 32.0 bis 32.5.
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Der
Halbleiter-Chip 34 kann wie im Ausführungsbeispiel derart ausgerichtet
sein, dass seine Längsachse
in Querrichtung zu der Längsachse
der ersten Zuleitung 32.1 bzw. den Längsachsen sämtlicher Zuleitungen 32.0 bis 32.5 liegt.
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Der
Halbleiter-Chip 34 kann des Weiteren eine Mehrzahl von
Kontaktelementen 34.0 bis 34.5 auf seiner oberen
Oberfläche
aufweisen. Diese Kontaktelemente 34.0 bis 34.5 können durch
Bonddrähte 35.0 bis 35.5 mit
jeweils einer der Zuleitungen 32.0 bis 32.5 verbunden
sein. Dabei kann vorgesehen sein, dass die Kontaktelemente 34.0 bis 34.5 alternierend
entweder an oder in der Nähe
einer oberen Längskante
des Halbleiter-Chips 34 oder
an oder in der Nähe
einer unteren Längskante
des Halbleiter-Chips 34 angeordnet sind.
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Ein
Verfahren zur Herstellung eines Bauelements wie beispielsweise des
Bauelements gemäss der
Ausführungsform
der 5 umfasst im Einzelnen das Bereitstellen eines
Leadframes, welches eine Mehrzahl von Zuleitungen aufweist, das
Anordnen eines Halbleiter-Chips innerhalb der Begrenzungen eines
zu formenden Gehäuses,
das Umgeben des Leadframes mit einem Material, insbesondere einer
Vergussmasse, und das Separieren der Zuleitungen voneinander, wobei
eine erste Zuleitung an einer ersten Gehäuseseite ein Aussenkontaktelement
bildet und sich an der ersten Gehäuseseite in das Gehäuse in Richtung
auf eine gegenüberliegende
zweite Gehäuseseite
erstreckt und wobei die erste Zuleitung sich mindestens teilweise
unterhalb des Halbleiter-Chips erstreckt.
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Das
Verfahren kann entsprechend den oben angegebenen Weiterbildungen
des Bauelements nach 5 weitergebildet werden. Insbesondere können in
einer Verfahrensmassnahme die Kontaktelemente 34.0 bis 34.5 durch
bekannte Bondverfahren mittels Bonddrähten 35.0 bis 35.5 mit
den Zuleitungen 32.0 bis 32.5 verbunden werden.