[go: up one dir, main page]

DE102007047377A1 - Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem und -verfahren - Google Patents

Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem und -verfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102007047377A1
DE102007047377A1 DE200710047377 DE102007047377A DE102007047377A1 DE 102007047377 A1 DE102007047377 A1 DE 102007047377A1 DE 200710047377 DE200710047377 DE 200710047377 DE 102007047377 A DE102007047377 A DE 102007047377A DE 102007047377 A1 DE102007047377 A1 DE 102007047377A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
strobe
memory
phase
logic value
strobe signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE200710047377
Other languages
English (en)
Inventor
Christopher Ft.Collins Wilson
Carson D. Ft.Collins Henrion
Daniel Alan Ft.Collins Berkram
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hewlett Packard Enterprise Development LP
Original Assignee
Hewlett Packard Development Co LP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Development Co LP filed Critical Hewlett Packard Development Co LP
Publication of DE102007047377A1 publication Critical patent/DE102007047377A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/023Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in clock generator or timing circuitry
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/028Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters with adaption or trimming of parameters
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • G11C7/222Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2207/00Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/22Control and timing of internal memory operations
    • G11C2207/2254Calibration
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/04Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects

Landscapes

  • Memory System (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

Ein Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem und ein -verfahren, das wirksam ist, um ein Strobe-Signal mit einer ausgewählten Phase zu erzeugen. Basierend auf dem Strobe-Signal erzeugt ein Schreiben/Lesen-Zyklus unter Verwendung eines ersten Logikwerts an einem Speicherort einer Speichervorrichtung einen Ergebnislogikwert. Der Ergebnislogikwert, der durch den Schreiben/Lesen-Zyklus bereitgestellt wird, wird mit dem ersten Logikwert verglichen. Wenn eine fehlende Übereinstimmung zwischen dem Ergebnislogikwert und dem ersten Logikwert vorliegt, wird die Phase des Strobe-Signals aktualisiert. Das Verfahren wird dann unter Verwendung eines Strobe-Signals mit der aktualisierten Phase wiederholt.

Description

  • In Computerspeichersystemen ist es wichtig, die Zeit zu minimieren, die nötig ist, um Daten von einem Speicher, wie z. B. einem Direktzugriffsspeicher (RAM), zu lesen. Bei Verwendung eines RAM-Arrays mit in sich abgeschlossener Leseverstärker-Strobe- bzw. -Übernahmesignal-Zeitgebung verwenden gegenwärtige Verfahren einen konservativen Zeitgebungsschätzwert, der aus einer Schaltungssimulation erhalten wird. Da dies ein konservativer Schätzwert ist, ist die Zeitgebung langsamer als die, die idealerweise verwendet werden könnte. Ein weiteres Verfahren besteht darin, die RAM-Leistung zu messen und die Zeitgebung einmal einzustellen, üblicherweise basierend auf einer geeigneten Einstellung einer Anzahl von Sicherungen. Ein derartiger Ansatz geht Prozessabweichungen an, sobald jedoch die Zeitgebung eingestellt ist, besitzt das RAM-Array nicht die Fähigkeit, seine Zeitgebung wie nötig dynamisch zu verändern, um auf Umgebungsvariationen anzusprechen, wie z. B. Variationen bei der Spannung, Temperatur oder Rauschen.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren oder ein Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren gemäß Anspruch 1, 17, 19 oder 22 oder ein Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem gemäß Anspruch 9 gelöst.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 ein exemplarisches dynamisch konfigurierbares Strobe- bzw. Übernahmesignal-System gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 2 ein exemplarisches Strobe-Konfigurationsverfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 3 Zeitgebungsdiagramme, die auf ein exemplarisches Strobe-Konfigurationsverfahren bezogen sind;
  • 4 ein Ausführungsbeispiel eines Strobe-Konfigurationsverfahrens;
  • 5 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Strobe-Konfigurationsverfahrens; und
  • 6 wiederum ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Strobe-Konfigurationsverfahrens.
  • Repräsentative Ausführungsbeispiele der vorliegenden Patentanmeldung werden nun unter Bezugnahme auf verschiedene Beispiele beschrieben, wobei gleiche Bezugszeichen in der gesamten Beschreibung und mehreren Ansichten der Zeichnungen verwendet werden, um gleiche oder entsprechende Teile anzuzeigen, und wobei ferner die verschiedenen Elemente nicht notwendigerweise maßstabsgetreu gezeichnet sind.
  • Unter Bezugnahme auf 1 ist ein Diagramm eines Rückkopplungskonfigurations-Strobe- bzw. -Übernahme-Speichersystems 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel gezeigt. Ein Zeitgebungssignal 102, typischerweise ein Taktsignal oder ein beliebiges geeignetes Signal, das einer Phasenverschiebung unterworfen ist, kann durch ein Phasensteuerungselement, wie z. B. eine Schaltung 104 einer verzögerten Regelschleife (DLL-Schaltung; DLL = delay-locked loop), empfangen werden. Das DLL-Modul 104 kann auf das Taktsignal 102 (das von einem anderen Takt, wie z. B. einem globalen Takt, z. B. Takt 114, hergeleitet sein kann) und auf ein bereit gestelltes Phasensteuersignal 105 ansprechen, um ein phasengesteuertes Strobe-Signal 106 zu erzeugen, derart, dass die Phase des phasengesteuerten Strobe-Signals 106 um eine ausgewählte Phase von einem Referenzsignal, wie z. B. dem Zeitgebungssignal 102, versetzt ist. Das phasengesteuerte Strobe-Signal 106 wird durch einen Lesen/Schreiben-(L/S-)Block zum Ermöglichen von Zugriffsoperationen in Bezug auf einen IC-Block 108 empfangen. Bei einer Implementierung kann der IC-Block ein Speicher sein, wie z. B. ein statischer Direktzugriffsspeicher (SRAM) oder eine beliebige andere geeignete adressierbare digitale Vorrichtung.
  • Ein statischer Direktzugriffsspeicher kann typischerweise als ein Halbleiter implementiert sein, der Speicherinhalt behält, wenn kontinuierlich Leistung zugeführt wird, typischerweise ohne Auffrischzyklen. Speicherzellen, die Bits speichern, innerhalb einer SRAM-Vorrichtung können als vier Transistoren implementiert sein, die zwei kreuzgekoppelte Inverter bilden. Die Speicherzellen haben zwei stabile Zustände, die eine logische Eins oder eine logische Null beschreiben. Zwei Zugriffstransistoren können dazu dienen, einen Zugriff auf die Speicherzelle während Lese- und Schreiboperationen zu steuern.
  • Ein Zugriff auf die in jeder Speicherzelle gespeicherten Daten wird durch eine Wortleitung unter Steuerung von Zugriffstransistorzuständen ermöglicht. Die Zugriffstransistoren steuern eine Verbindung einer Speicherzelle zu einer Bitleitung. In einem typischen SRAM sind eine Bitleitung und eine inverse Bitleitung vorgesehen, um Rauschspielräume zu verbessern und unterschiedliche Spannungsmaße zu erlauben. Wenn Daten von einer Zelle in dem Speicherarray gelesen werden, beginnt die Zelle, abhängig von dem Wert der gelesenen Daten die Spannung einer der beiden Bitleitungen in Richtung Masse (GND) zu ziehen. Die SRAM-Zelle kann sehr klein sein und besitzt üblicherweise eine moderate Treiberstärke verglichen mit der relativ größeren Last der Bitleitungen. Als ein Ergebnis kann die Änderungs rate der Spannung zwischen den Bitleitungen sehr gering sein. Ein Strobe-Signal wird verwendet, um eine Zeitgebung für einen Leseverstärker anzuzeigen, so dass dieser die Polarität der Bitleitungen erfasst, wenn eine Spannungsdifferenz ausreichend ist, um die korrekten Daten anzuzeigen.
  • SRAM-Vorrichtungen ermöglichen typischerweise höhere Geschwindigkeiten bei synchroner Adressierung, wobei die gesamte Adresse während eines einzelnen Taktzyklus an die Speichervorrichtung geliefert wird. Während eines Lesezugriffs können die Bitleitungen eines statischen Direktzugriffsspeichers typischerweise aktiv in einen Hoch- bzw. Niedrigzustand getrieben werden, und zwar durch Inverter in einer Speicherzelle, was eine Anordnung ist, die einen hochgeschwindigkeitsmäßigen Datenzugriff ermöglicht. Eine derartige Anordnung ermöglicht eine Differenzsignalisierung, die eine Erfassung kleiner Spannungshübe ermöglicht. Der Spielraum einer Erfassung des Leseverstärkers macht es erforderlich, dass die Zeitgebung eines Strobe-Signals ausreichend lang sein muss, um eine genaue Erfassung zu ermöglichen, während die Effizienz es erforderlich macht, dass die Zeitgebung des Strobe-Signals minimiert wird.
  • Ein Strobe-Konfigurationsmodul 110 stellt ein Phasenverzögerungssteuersignal 105 an das DLL-Modul 104 bereit, um die Phasenverzögerung des phasengesteuerten Strobe-Signals 106 auszuwählen. Das Strobe-Konfigurationsmodul 110 ist ansprechend auf Steuersignale, die durch das L/S-Modul 112 bereitgestellt werden, wirksam, was in 1 als eine vereinfachte Darstellung eines geeigneten Lesen/Schreiben-Schaltungsaufbaus, eines Zeilen/Spalten-Adressschaltungsaufbaus, eines Leseverstärker-Schaltungsaufbaus usw., der dem SRAM 108 zugeordnet ist, was als eine Schnittstelle in Bezug auf einen Speicherdatenzugriff dient, dargestellt ist. Im Allgemeinen kann das L/S-Modul 112 sowohl Leseoperationen als auch Schreiboperationen ohne Berücksichtigung einer Reihenfolge unterbringen. Ein Schreiben/Lesen-Zyklus kann ein Schreiben eines Bits an einen ausgewählten Spei cherort und ein darauf folgendes Lesen des an dem ausgewählten Speicherort gespeicherten Bits aufweisen.
  • Die Hauptkomponente der DLL 104 ist eine Verzögerungskette, die eine Mehrzahl von Verzögerungsgattern, die in Serie geschaltet sind, umfasst. Der Eingang der Kette ist mit Takt verbunden, der verzögert werden soll. Bei einer Implementierung kann ein Multiplexer mit jeder Stufe der Verzögerungskette verbunden sein, wobei ein geeignetes Selektorsignal eingesetzt werden kann, um die Verzögerung zu bewirken.
  • Entsprechend sollte zu erkennen sein, dass die Verzögerung einer Verzögerungsleitung durch ein Steuersignal, das an einen Steuereingang der Verzögerungsleitung angelegt wird, gesteuert werden kann. In der Praxis liegt normalerweise eine gewisse Verzögerung zwischen einem extern zugänglichen Eingangsanschluss, der ein Zeitgebungssignal aufnimmt, und einem Eingang in die Verzögerungsleitung vor. Ähnlich liegt normalerweise eine gewisse Verzögerung zwischen einem Ausgang einer Verzögerungsleitung und dem Eingang eines Latches vor, sowie zwischen einem Ausgang eines Latches und einem extern zugänglichen Datenbusanschluss. Eine Schaltung, die diese Verzögerungen modelliert, kann dann in einen Rückkopplungspfad zwischen einen Ausgang einer Verzögerungsleitung und einen Eingang eines Phasendetektors eingeführt werden.
  • Eine Vielzahl von Entwürfen für Verzögerungsleitungen kann gemäß den Lehren hierin verwendet werden. Bei einem Verzögerungsleitungsentwurf kann sich das Zeitgebungssignal durch eine große Anzahl von Verzögerungselementen, wie z. B. Inverter, die in Serie zueinander geschaltet sein können, wie zuvor bereits angemerkt wurde, ausbreiten. Das bestimmte Verzögerungselement, an das ein Zeitgebungssignal angelegt wird und/oder an dem das Zeitgebungsausgangssignal genommen wird, wird durch ein Steuersignal eingestellt, um die Anzahl von Verzögerungselementen zu variieren, durch die sich das Zeitgebungssignal ausbreitet.
  • Der Phasendetektor kann ein Fehlersignal mit einem Betrag erzeugen, der proportional zu der Differenz zwischen der Phase des Zeitgebungssignals und der Phase des Zeitgebungsausgangssignals ist. Das Fehlersignal steuert die Verzögerung, mit der das Zeitgebungssignal mit einer Verzögerungsleitung gekoppelt wird. So kann das Fehlersignal die Phase des Zeitgebungssignals relativ zu der Phase des Zeitgebungsausgangssignals steuern.
  • In Betrieb stellt das Fehlersignal die Verzögerung der Verzögerungsleitung ein, um den Betrag des Fehlersignals zu minimieren. Wenn das Ausgangszeitgebungssignal dem Zeitgebungssignal vorauseilt, kann ein Phasendetektor ein Fehlersignal mit einer Polarität erzeugen, die die Verzögerung einer Verzögerungsleitung erhöht, um die Differenz zwischen der Phase des Zeitgebungsausgangssignals und der Phase des Zeitgebungssignals zu reduzieren. Umgekehrt erzeugt, wenn das Zeitgebungsausgangssignal dem Zeitgebungssignal hinterher eilt, ein Phasendetektor ein Fehlersignal mit einer Polarität, die die Verzögerung der Verzögerungsleitung senkt, um die Differenz zwischen der Phase des Zeitgebungsausgangssignals und der Phase des Zeitgebungssignals zu reduzieren. Solange der Schleifengewinn der Verzögerungsregelschleife hoch ist, fallen die ansteigende und die abfallende Flanke des Zeitgebungssignals im Wesentlichen mit der ansteigenden und der abfallenden Flanke des Zeitgebungsausgangssignals zusammen.
  • Basierend auf der vorstehenden Erläuterung werden Fachleute auf dem Gebiet erkennen, dass eine DLL, die mehrere Verzögerungsleitungen beinhaltet, verwendet werden kann, um mehrere Phasen eines Taktsignals zu erzeugen, das als ein Leseverstärker-Strobe-Signal in Bezug auf Speicherzugriffsoperationen wirksam ist, wie im Folgenden im Detail beschrieben werden wird. Wie oben dargelegt wurde, kann die DLL einen Phasendetektor mit einem ersten Eingang, der das Zeitgebungssignal aufnimmt, und einem zweiten Eingang, der das Zeitgebungsausgangssignal aus dem Ausgang der Verzögerungsregelschleife aufnimmt, umfassen, wobei der Phasendetektor ein Fehlersignal erzeugt, das einen Betrag und eine Polarität aufweist, die der Differenz zwischen der Phase des Zeitgebungssignals und der Phase des Zeitgebungsausgangssignals entsprechen.
  • Das Fehlersignal kann z. B. mit jeweiligen Steuereingängen einer Mehrzahl von Verzögerungsleitungen gekoppelt sein, die jeweils die gleiche Anzahl und den gleichen Typ von Verzögerungselementen umfassen, so dass diese jeweils die gleiche Verzögerung erzeugen. Wenn vier Verzögerungsleitungen implementiert sind, kann z. B. das Zeitgebungsausgangssignal an dem Ausgang der letzten Verzögerungsleitung auf das Zeitgebungssignal verriegelt werden, wodurch eine Phase von 360 Grad relativ zu der Phase des Zeitgebungssignals erhalten werden kann. Als ein Ergebnis weist das Signal an dem Ausgang der ersten Verzögerungsleitung eine Phase von 90 Grad auf, wobei das Signal an dem Ausgang der zweiten Verzögerungsleitung eine Phase von 180 Grad besitzt und das Signal an dem Ausgang der dritten Verzögerungsleitung eine Phase von 270 Grad besitzt. Es ist zu erkennen, dass eine größere oder kleinere Anzahl von Phasen durch ein Verwenden einer größeren oder kleineren Anzahl von Verzögerungsleitungen in einer bestimmten DLL-Anordnung erzeugt werden kann.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel leitet das L/S-Modul 112 einen Schreiben/Lesen-Zyklus unter Verwendung eines ersten Logikwerts, wie z. B. einer logischen Eins, in Bezug auf einen beliebigen Ort in dem SRAM 108 ein. Ferner kann das L/S-Modul 112 einen Schreiben/Lesen-Zyklus unter Verwendung eines zweiten Logikwerts, wie z. B. einer logischen Null, an dem gleichen Ort in dem Speicher einleiten. Wie bereits zuvor angemerkt wurde, weist ein Schreiben/Lesen-Zyklus in dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung ein Schreiben eines Logikwerts an einen bestimmten Speicherort und ein Lesen des Werts von diesem Ort auf. Wie in 1 dargestellt ist, kann der Schreiben/Lesen-Zyklus einen ausgewählten Speicherort 116 zur Rückkopplung verwenden, wobei der ausgewählte Speicherort in Bezug auf bestimmte topologische Beschränkungen ausgewählt werden kann, wie z. B. die Entfernung von der Schnittstelle 112, die hinsichtlich einer Bewegungszeit-Signal-Entfernung bestimmt wird.
  • Die Schreiben/Lesen-Zyklen sind wirksam, um Rückkopplungsmessungen in Bezug auf die Geeignetheit der ausgewählten phasengesteuerten Strobe-Verzögerungen bereitzustellen. Wenn die Schreiben/Lesen-Zyklen den gleichen Logikwert wie den geschriebenen wiedergewinnen, kann die Strobe-Verzögerung wie ausgewählt als das Strobe-Signal 106 zum Zugreifen auf den Speicher 108 verwendet werden. Wenn einer der Schreiben/Lesen-Zyklen einen falschen Logikwert wiedergewinnt, wobei die Logikwerte nicht übereinstimmen, kann ein Steuersignal an das Strobe-Konfigurationsmodul 110 geliefert werden, das wiederum die Phasenverzögerung des DLL-Moduls passend aktualisieren kann. Wenn z. B. eine logische Null an den Speicherort 116 geschrieben wird und eine logische Eins beim Lesen des Speicherorts 116 wiedergewonnen wird, wird eine fehlende Übereinstimmung erfasst. Entsprechend wird ein geeignetes Verzögerungssteuersignal 105 durch das Strobe-Konfigurationsmodul 110 an die DLL 104 geliefert.
  • Unter Bezugnahme auf 2 ist ein Ausführungsbeispiel eines dynamischen Strobe-Phasensteuerungsverfahrens 200 gezeigt. Ein phasengesteuertes Signal mit einer ausgewählten Phase wird bei einem Funktionsblock 202 erzeugt. Nach dem ersten Schreiben/Lesen-Zyklus wird ein erster Logikwert an einen ausgewählten Speicherort geschrieben und ein Leselogikwert (d. h. ein erster Ergebnislogikwert) wird bei einem Funktionsblock 204 von dem ausgewählten Speicherort gelesen. An einem Entscheidungsblock 206 wird der Leselogikwert mit dem ersten Logikwert verglichen. Wenn der gelesene Logikwert nicht mit dem ersten Logikwert übereinstimmt (d. h. eine fehlende Übereinstimmung wird erfasst), fährt das Verfahren entlang des NEIN-Wegs zu einem Funktionsblock 208 fort, an dem die Phasenauswahl aktualisiert wird. Wenn der Leselogikwert mit dem ersten Logikwert übereinstimmt, fährt das Verfahren entlang des JA-Wegs zu einem Funktionsblock 210 fort, an dem ein zweiter Schreiben/Lesen-Zyklus ausgeführt werden kann. Ein zweiter Logikwert wird bei dem Funktionsblock 210 an einen ausgewählten Speicherort geschrieben und ein Leselogikwert (d. h. ein zweiter Ergebnislogikwert) wird von dem ausgewählten Speicherort gelesen.
  • An einem Entscheidungsblock 212 wird der zweite Ergebnislogikwert mit dem zweiten Logikwert verglichen. Wenn der Leselogikwert nicht mit dem zweiten Logikwert übereinstimmt, fährt das Verfahren entlang des NEIN-Wegs zu dem Funktionsblock 208 fort, an dem die Phasenauswahl aktualisiert wird. Danach wird ein neues phasengesteuertes Signal unter Verwendung der aktualisierten Phasenauswahl bei dem Funktionsblock 202 erzeugt. Andererseits fährt, wenn der Leselogikwert bei Block 212 mit dem zweiten Logikwert übereinstimmt, das Verfahren entlang des JA-Wegs zu einem Funktionsblock 214 fort, an dem das ausgewählte phasengesteuerte Signal als ein phasengesteuertes Strobe-Signal an die Speicherschaltung geliefert wird.
  • Basierend auf der vorstehenden Beschreibung wird ein Fachmann auf dem Gebiet erkennen, dass ein Ausführungsbeispiel eines Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahrens die folgenden Operationen aufweisen kann: ein Erzeugen eines Strobe-Signals mit einer ausgewählten Phase; basierend auf dem Strobe-Signal, Ausführen eines ersten Schreiben/Lesen-Zyklus eines ersten Logikwerts an einem Speicherort eines Speichers, um einen ersten Ergebnislogikwert zu erzeugen; und wenn eine fehlende Übereinstimmung zwischen dem ersten Ergebnislogikwert, der durch den ersten Schreiben/Lesen-Zyklus bereitgestellt wird, und dem ersten Logikwert vor liegt, Aktualisieren der ausgewählten Phase des Strobe-Signals und Wiederholen der Ausführung basierend auf dem Strobe-Signal mit der aktualisierten Phase. Wahlweise kann bei einer weiteren Variation das Verfahren folgende zusätzliche Schritte aufweisen: Ausführen eines zweiten Schreiben/Lesen-Zyklus eines zweiten Logikwerts an dem Speicherort, um einen zweiten Ergebnislogikwert zu erzeugen; und wenn eine fehlende Übereinstimmung zwischen dem zweiten Ergebnislogikwert, der durch den zweiten Schreiben/Lesen-Zyklus bereitgestellt wird, und dem zweiten Logikwert vorliegt, Aktualisieren der ausgewählten Phase des Strobe-Signals und Wiederholen der Ausführung des oder der Schreiben/Lesen-Zyklen basierend auf dem Strobe-Signal mit der aktualisierten Phase. Bei wiederum einem weiteren Ausführungsbeispiel ist unter Umständen sowohl der erste als auch der zweite Schreiben/Lesen-Zyklus erforderlich, derart, dass nur dann, wenn beide Lesevorgängen mit korrekten Werten enden, eine Kalibrierung oder Abstimmung der Phasenverzögerung als abgeschlossen betrachtet werden kann.
  • Unter Bezugnahme auf 3 ist ein exemplarisches Zeitdiagramm 300 gezeigt. Die Ausgabe einer Speicherspeicherungszelle kann durch die Signale auf zwei Bitleitungen 302 und 304 dargestellt werden. Während einer Leseoperation divergiert die Spannungsdifferenz zwischen den Bitleitungen 302 und 304 derart, dass eine Schwellenspannung VT 306 zu einer bestimmten Zeit 308 erzielt wird, die der minimale Pegel an Trennung ist, der zum genauen Erfassen eines Datenwerts durch den Leseverstärker erforderlich ist.
  • Eine Phasenverschiebungsschaltung, wie z. B. eine DLL, stellt eine Folge von Strobe-Signalen 310-1 bis 310-N bereit, wobei jedes bereitgestellte Strobe-Signal phasenmäßig von den anderen Strobe-Signalen verschoben ist. Ein bestimmtes der Strobe-Signale kann basierend auf dem Strobe-Phasenkonfigurationsverfahren, das oben unter Bezugnahme auf 2 beschrieben wurde, ausgewählt werden, wobei das ausgewählte Strobe-Signal mit einer optimalen Phasenverzö gerung (z. B. mit der kürzesten Verzögerung) wirksam ist, die eine genaue Datenspeicherung und -wiedergewinnung liefert. Zur Darstellung wird ein ausgewähltes, phasengesteuertes Strobe-Signal 312 an die Leseverstärker der SRAM-Speicherzellen geliefert, da deren Auslösung (d. h. ansteigende Flanke) mit der minimalen Bitleitungstrennung von VT 306 übereinstimmt.
  • Unter Bezugnahme auf 4 ist ein Ausführungsbeispiel eines Schemas 400 zum Konfigurieren einer Speicher-Strobe-Phase ansprechend auf Fehlersignale vorgesehen. Typischerweise wird, wenn ein Speicher bei einem Funktionsblock 402 initialisiert wird, ein Strobe-Phasenkonfigurationsverfahren 404 aufgerufen. Als ein Ergebnis wird ein ausgewähltes, phasengesteuertes Strobe-Signal bei einem Funktionsblock 406 an die Speichervorrichtung geliefert. Während eines Betriebs des Speichers können Fehlersignale, wie z. B. Fehlerkorrekturcodes (ECC; ECC = error correction code) bei einem Funktionsblock 408 erfasst werden. Wenn ein Fehlerkorrekturcode bei einem Entscheidungsblock 410 erfasst wird, fährt das Verfahren entlang des JA-Wegs fort, um das Strobe-Konfigurations-/Neukonfigurationsverfahren (d. h. Kalibrierung) an dem Funktionsblock 404 zu wiederholen, wodurch die gleiche Phase oder eine neue Phase für das Strobe-Signal, das durch die DLL bereitgestellt wird, ausgewählt werden kann. Wenn bei dem Entscheidungsblock 410 kein Fehlersignal erfasst wird, fährt das Verfahren entlang des NEIN-Wegs fort, um die Bereitstellung des ausgewählten, phasengesteuerten Strobe-Signals bei dem Funktionsblock 406 fortzusetzen.
  • Unter Bezugnahme auf 5 ist ein Ausführungsbeispiel eines Schemas 500 zum Konfigurieren einer Speicher-Strobe-Phase, nachdem ein vorbestimmter Zeitraum seit einer Initialisierung einer Speichervorrichtung verstrichen ist, vorgesehen. Typischerweise wird, wenn der Speicher bei einem Funktionsblock 502 initialisiert wird, ein Strobe-Phasenkonfigurationsverfahren 504 aufgerufen und ein ausge wähltes, phasengesteuertes Strobe-Signal wird entsprechend an die Speichervorrichtung geliefert (Block 506). Während eines Betriebs des Speichers wird ein Zähler für eine vorbestimmte Anzahl von Zählwerten inkrementiert (Block 508). Wenn der Zähler bei einem Entscheidungsblock 510 die vorbestimmte Neukonfigurationsanzahl erreicht, fährt das Verfahren entlang des JA-Wegs fort, um das Strobe-Konfigurationsverfahren bei dem Funktionsblock 504 zu wiederholen, wobei die gleiche Phase oder eine neue Phase für das Strobe-Signal der DLL ausgewählt werden kann. Bis die Neukonfigurationszahl bei dem Entscheidungsblock 510 erfasst wird, fährt das Verfahren entlang des NEIN-Wegs fort, um die Bereitstellung des ausgewählten, phasengesteuerten Strobe-Signals an dem Funktionsblock 506 fortzusetzen.
  • Das Strobe-Kalibrierungsverfahren kann abhängig von der Veränderlichkeit der Verarbeitungsumgebung, einschließlich einer Drift bei Betriebstemperaturen und -spannungen mehr oder weniger häufig durchgeführt werden. Das Strobe-Kalibrierungsverfahren kann für eine vollautomatische Konfiguration und Neukonfiguration ohne Bedienerintervention freigegeben sein.
  • Unter Bezugnahme auf 6 ist ein Ausführungsbeispiel eines Strobe-Konfigurationsverfahren 600 gezeigt, bei dem die Phase eines Strobe-Signals basierend auf bestimmten Umgebungsvariablen kalibriert werden kann. Nach der Initialisierung eines Speichers (Block 601) wird eine Auswahl-Strobe-Verzögerung an einem Funktionsblock 602 gesetzt. Die Verzögerung kann durch eine Initialisierungsroutine oder durch ein anderes Strobe-Konfigurationsverfahren gesetzt werden. Wenn der Speicher in Betrieb ist, wird eine Umgebungsüberwachung bei einem Funktionsblock 604 durchgeführt. Die Temperatur und Spannungen, die der Speicher erfährt, können z. B. überwacht werden.
  • Periodisch oder in zufälligen Zeiträumen können eine oder mehrere Umgebungsvariablen gegenüber vorbestimmten Schwellwerten oder Sollwerten getestet werden. Eine erste Umgebungsvariable (z. B. die Temperatur) wird an einem Entscheidungsblock 606 getestet. Wenn die Temperatur mit einer vordefinierten Temperaturschwelle übereinstimmt oder diese überschreitet, folgt das Verfahren dem JA-Weg zu einem Funktionsblock 608, an dem ein Strobe-Konfigurations-/Neukonfigurationsverfahren ausgeführt wird, um die Phasenverzögerung geeignet zu kalibrieren. Das Verfahren kehrt dann zu dem Funktionsblock 604 zurück, um mit der Umgebungsvariablenüberwachung fortzufahren.
  • Wenn eine erste Umgebungsvariable (d. h. die gemessene Temperatur) bei dem Entscheidungsblock 606 ein vorbestimmtes Kriterium nicht erfüllt, folgt das Verfahren dem NEIN-Weg zu einem Entscheidungsblock 610, an dem eine zweite Umgebungsvariable (z. B. die Betriebsspannung) mit einem vordefinierten Kriterium verglichen wird. Wenn die gemessene Spannung mit dem vordefinierten Kriterium übereinstimmt oder dieses erfüllt, folgt das Verfahren dem JA-Weg zu dem Funktionsblock 608, an dem das Strobe-Verzögerungskonfigurations-/Neukonfigurationsverfahren durchgeführt wird. Wenn die gemessene Spannung das Kriterium bei Block 610 nicht erfüllt, folgt das Verfahren dem NEIN-Weg und kehrt zur Überwachung der Umgebungsvariablen an dem Funktionsblock 604 zurück.
  • Basierend auf der vorstehenden detaillierten Beschreibung ist zu erkennen, dass die hierin dargelegten Ausführungsbeispiele einen Selbstabstimmmechanismus bereitstellen, der ein dynamisches Verriegeln eines optimalen Strobe-Signals mit einer geeigneten Phasenverzögerung für die Leseverstärker auf den Bitleitungen einer Speichervorrichtung unterstützt. Die Ausführungsbeispiele sorgen außerdem für eine häufige Aktualisierung der Strobe-Zeitgebung zur Berücksichtigung einer Drift bei Betriebstemperatur und -spannung. Ferner ermöglichen die Ausführungsbeispiele die Beseitigung von Sicherungen, die erforderlich sind, um die Strobe-Zeitgebung zu setzen, sowie der Wafertestzeit, die erforderlich ist, um die Strobe-Zeitgebungseinstellung zu finden und Sicherungen entsprechend durchzubrennen.
  • Obwohl die vorliegende Patentanmeldung unter Bezugnahme auf bestimmte exemplarische Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, wird darauf verwiesen, dass die Formen der gezeigten und beschriebenen Ausführungsbeispiele lediglich als darstellend behandelt werden sollen. Entsprechend können verschiedene Veränderungen, Ersetzungen und Modifizierungen realisiert werden, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Anmeldung, wie in den folgenden Ansprüchen dargelegt, abzuweichen.

Claims (24)

  1. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (200), das folgende Schritte aufweist: Erzeugen (202) eines Strobe-Signals mit einer ausgewählten Phase; basierend auf dem Strobe-Signal (106), Ausführen eines ersten Schreiben/Lesen-Zyklus (204) eines ersten Logikwerts an einem Speicherort (116) eines Speichers (108), um einen ersten Ergebnislogikwert zu erzeugen; und wenn eine fehlende Übereinstimmung (206) zwischen dem ersten Ergebnislogikwert, der durch den ersten Schreiben/Lesen-Zyklus bereitgestellt wird, und dem ersten Logikwert vorliegt, Aktualisieren (208) der ausgewählten Phase des Strobe-Signals (106) und Wiederholen der Ausführung basierend auf dem Strobe-Signal (106) mit der aktualisierten Phase.
  2. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (200) gemäß Anspruch 1, das ferner folgende Schritte aufweist: Ausführen (210) eines zweiten Schreiben/Lesen-Zyklus eines zweiten Logikwerts an dem Speicherort (116), um einen zweiten Ergebnislogikwert zu erzeugen; und wenn eine fehlende Übereinstimmung (212) zwischen dem zweiten Ergebnislogikwert, der durch den zweiten Schreiben/Lesen-Zyklus bereitgestellt wird, und dem zweiten Logikwert vorliegt, Aktualisieren (208) der ausgewählten Phase des Strobe-Signals (106) und Wiederholen der Ausführung des zweiten Schreiben/Lesen-Zyklus basierend auf dem Strobe-Signal (106) mit der aktualisierten Phase.
  3. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (200) gemäß Anspruch 2, bei dem das Strobe-Signal (106) durch ein Verzögerungsregelschleifen-(DLL-)Modul (104) erzeugt wird.
  4. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (200) gemäß Anspruch 2 oder 3, bei dem der erste Logikwert entweder eine logische Eins oder eine logische Null ist.
  5. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, bei dem der zweite Logikwert entweder eine logische Eins oder eine logische Null ist.
  6. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren gemäß einem der Ansprüche 2 bis 5, bei dem der Speicher eine Statischer-Direktzugriffsspeicher-(SRAM-)Vorrichtung aufweist und der Speicherort basierend auf einer Topologiebeschränkung bestimmt ist.
  7. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren gemäß einem der Ansprüche 2 bis 6, bei dem das Aktualisieren der ausgewählten Phase ein Erhöhen einer Phasenverzögerung des Strobe-Signals aufweist.
  8. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren gemäß einem der Ansprüche 2 bis 6, bei dem das Aktualisieren der ausgewählten Phase ein Senken einer Phasenverzögerung des Strobe-Signals aufweist.
  9. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem (100), das folgende Merkmale aufweist: eine Einrichtung zum Erzeugen (202) eines Strobe-Signals (106) mit einer ausgewählten Phase; eine Einrichtung, die ansprechend auf das Strobe-Signal (106) wirksam ist, zum Ausführen eines ersten Schreiben/Lesen-Zyklus (204) eines ersten Logikwerts an einem Speicherort (116) eines Speichers (108), um einen ersten Ergebnislogikwert zu erzeugen; und eine Einrichtung (104, 110, 112), die ansprechend auf eine fehlende Übereinstimmung (206) zwischen dem ersten Ergebnislogikwert, der durch den ersten Schreiben/Lesen-Zyklus bereitgestellt wird, und dem ersten Logikwert wirksam ist, zum Aktualisieren (208) der ausgewählten Phase des Strobe-Signals (106) und zum Wiederholen der Ausführung basierend auf dem Strobe-Signal (106) mit der aktualisierten Phase.
  10. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem (100) gemäß Anspruch 9, das ferner folgende Merkmale aufweist: eine Einrichtung zum Ausführen (210) eines zweiten Schreiben/Lesen-Zyklus eines zweiten Logikwerts an dem Speicherort (116), um einen zweiten Ergebnislogikwert zu erzeugen; und eine Einrichtung, die ansprechend auf eine fehlende Übereinstimmung (212) zwischen dem zweiten Ergebnislogikwert, der durch den zweiten Schreiben/Lesen-Zyklus bereitgestellt wird, und dem zweiten Logikwert wirksam ist, zum Aktualisieren (208) der ausgewählten Phase des Strobe-Signals (106) und zum Wiederholen der Ausführung des zweiten Schreiben/Lesen-Zyklus basierend auf dem Strobe-Signal (106) mit der aktualisierten Phase.
  11. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem (100) gemäß Anspruch 10, bei dem die Einrichtung zum Erzeugen eines Strobe-Signals ein Verzögerungsregelschleifen-(DLL-)Modul (104) aufweist.
  12. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem (100) gemäß Anspruch 10 oder 11, bei dem der erste Logikwert entweder eine logische Eins oder eine logische Null ist.
  13. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem (100) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, bei dem der zweite Logikwert entweder eine logische Eins oder eine logische Null ist.
  14. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem (100) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 13, bei dem der Speicher eine Statischer-Direktzugriffsspeicher-(SRAM-)Vorrichtung aufweist und der Speicherort basierend auf einer topologischen Beschränkung bestimmt ist.
  15. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem (100) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14, bei dem das Aktualisieren der ausgewählten Phase ein Erhöhen einer Phasenverzögerung des Strobe-Signals aufweist.
  16. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem (100) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14, bei dem das Aktualisieren der ausgewählten Phase ein Senken einer Phasenverzögerung des Strobe-Signals aufweist.
  17. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (400), das folgende Schritte aufweist: Durchführen einer Anfangs-Strobe-Konfiguration, um ein Strobe-Signal mit einer bestimmten Phase zu erzeugen (402, 404, 406), wobei das Strobe-Signal zum Zugreifen auf einen Speicher dient; Überwachen (408, 410) von Speicherausgangssignalen, die dem Speicher zugeordnet sind, auf eine Fehlerbedingung; und Durchführen (404, 410) einer Strobe-Neukonfiguration, wenn eine Fehlerbedingung erfasst wird, wobei die Phase des Strobe-Signals aktualisiert wird.
  18. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (400) gemäß Anspruch 17, bei dem die Fehlerbedingung basierend auf einem Fehlerkorrekturcode bestimmt wird.
  19. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (600), das folgende Schritte aufweist: Durchführen einer Anfangs-Strobe-Konfiguration, um ein Strobe-Signal mit einer bestimmten Phase zu erzeugen, wobei das Strobe-Signal zum Zugreifen auf einen Speicher dient; Überwachen (604) einer Umgebungsvariable, die dem Speicher zugeordnet ist; und Durchführen (608) einer Strobe-Neukonfiguration, wenn die Umgebungsvariable eine vorbestimmte Schwellenbedingung erfüllt (606, 610), wobei die Phase des Strobe-Signals aktualisiert wird.
  20. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (600) gemäß Anspruch 19, bei dem die Umgebungsvariable eine Temperatur ist.
  21. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (600) gemäß Anspruch 19, bei dem die Umgebungsvariable eine Spannung ist.
  22. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (500), das folgende Schritte aufweist: Durchführen (502, 504, 506) einer Anfangs-Strobe-Konfiguration, um ein Strobe-Signal mit einer bestimm ten Phase zu erzeugen, wobei das Strobe-Signal zum Zugreifen auf einen Speicher dient; Zählen (508) von Speicheroperationen, die dem Speicher zugeordnet sind; und Durchführen (504, 510) einer Strobe-Neukonfiguration, wenn die Anzahl von Speicheroperationen eine vorbestimmte Schwellenbedingung erfüllt, wobei die Phase des Strobe-Signals aktualisiert wird.
  23. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (500) gemäß Anspruch 22, bei dem die Speicheroperationen Leseoperationen aufweisen.
  24. Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationsverfahren (500) gemäß Anspruch 22, bei dem die Speicheroperationen Schreiboperationen aufweisen.
DE200710047377 2006-10-25 2007-10-04 Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem und -verfahren Withdrawn DE102007047377A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/586,057 US7715251B2 (en) 2006-10-25 2006-10-25 Memory access strobe configuration system and process
US11/586,057 2006-10-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007047377A1 true DE102007047377A1 (de) 2008-05-08

Family

ID=39265099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200710047377 Withdrawn DE102007047377A1 (de) 2006-10-25 2007-10-04 Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem und -verfahren

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7715251B2 (de)
DE (1) DE102007047377A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8611163B2 (en) * 2011-03-21 2013-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Digital DLL for timing control in semiconductor memory
JP2013065372A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Elpida Memory Inc 半導体装置およびそれを利用した情報処理システム
HRP20220358T1 (hr) 2014-08-11 2022-05-13 Sun Pharmaceutical Industries Limited Nove soli nilotiniba i njihovi polimorfi
KR20180062511A (ko) * 2016-11-30 2018-06-11 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 이의 동작 방법, 메모리 시스템의 동작 방법
JP2024074199A (ja) * 2022-11-18 2024-05-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および遅延制御方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL96808A (en) * 1990-04-18 1996-03-31 Rambus Inc Introductory / Origin Circuit Agreed Using High-Performance Brokerage
US6317370B2 (en) * 1998-01-12 2001-11-13 Micron Technology, Inc. Timing fuse option for row repair
US6269451B1 (en) * 1998-02-27 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for adjusting data timing by delaying clock signal
US6154821A (en) * 1998-03-10 2000-11-28 Rambus Inc. Method and apparatus for initializing dynamic random access memory (DRAM) devices by levelizing a read domain
US6434081B1 (en) * 2000-05-12 2002-08-13 Micron Technology, Inc. Calibration technique for memory devices
DE10034852A1 (de) * 2000-07-18 2002-02-07 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Einlesen und zur Überprüfung der zeitlichen Lage von aus einem zu testenden Speicherbaustein ausgelesenen Datenantwortsignalen
US6801070B2 (en) * 2002-05-16 2004-10-05 Micron Technology, Inc. Measure-controlled circuit with frequency control
US6714464B2 (en) * 2002-06-26 2004-03-30 Silicon Graphics, Inc. System and method for a self-calibrating sense-amplifier strobe
US6850458B2 (en) * 2002-11-14 2005-02-01 Wen Li Controlling data strobe output
US20050034087A1 (en) * 2003-08-04 2005-02-10 Hamlin Christopher L. Method and apparatus for mapping platform-based design to multiple foundry processes
US20050135167A1 (en) * 2003-10-16 2005-06-23 Nec Plasma Display Corporation Memory access circuit for adjusting delay of internal clock signal used for memory control
US7444559B2 (en) * 2004-01-28 2008-10-28 Micron Technology, Inc. Generation of memory test patterns for DLL calibration
CN1997903B (zh) * 2004-02-05 2010-05-05 爱德万测试株式会社 电子元件输出波形的测定装置、测定方法、及试验装置
JP4451189B2 (ja) * 2004-04-05 2010-04-14 株式会社アドバンテスト 試験装置、位相調整方法、及びメモリコントローラ
US7126874B2 (en) * 2004-08-31 2006-10-24 Micron Technology, Inc. Memory system and method for strobing data, command and address signals
US7177208B2 (en) * 2005-03-11 2007-02-13 Micron Technology, Inc. Circuit and method for operating a delay-lock loop in a power saving manner
EP1724788A1 (de) * 2005-05-18 2006-11-22 STMicroelectronics S.r.l. Verbesserte eingebaute Selbsttestmethode und System
US8121237B2 (en) * 2006-03-16 2012-02-21 Rambus Inc. Signaling system with adaptive timing calibration
US7385861B1 (en) * 2006-08-18 2008-06-10 Ambarella, Inc. Synchronization circuit for DDR IO interface

Also Published As

Publication number Publication date
US20100054056A1 (en) 2010-03-04
US8009491B2 (en) 2011-08-30
US20080101139A1 (en) 2008-05-01
US7715251B2 (en) 2010-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69729908T2 (de) Taktsteuerungsschaltung
DE3587223T2 (de) Unabhängige Matrixtaktierung.
DE69528916T2 (de) Synchroner Speicher mit parallelen Ausgangsdatenwegen
DE10216607B4 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE69805023T2 (de) Verzögerungsschaltung mit Kalibrierung
DE102007005701B4 (de) Speichersteuerschaltung und -verfahren
DE602005002036T2 (de) Temperatursensor-schema
DE69329410T2 (de) Datenausgangspuffer in Halbleiterspeicheranordnungen
DE3782775T2 (de) Integrierte halbleiterschaltung.
DE102018115971B4 (de) Taktsteuerung in einem Halbleitersystem
DE3811554A1 (de) Sense-verstaerkerschaltung zum einseitigen lesen von daten
DE19956550A1 (de) Trimmschaltung für systemintegrierte Schaltung
DE10326774B4 (de) Auf-Chip Erfassung der Systemoperationsfrequenz in einem DRAM, um DRAM-Operationen einzustellen
DE112021001262T5 (de) Versorgungsspannungs-auswahlschaltung
DE102007047377A1 (de) Speicherzugriff-Strobe-Konfigurationssystem und -verfahren
DE102004061311A1 (de) Temperaturkompensierte Verzögerungssignale
DE19954564B4 (de) Steuerungsschaltung für die CAS-Verzögerung
DE102006031346B4 (de) Selbstauffrischmodul für einen Speicherbaustein und Verfahren
DE102006031862B4 (de) Strombegrenzungsschaltung und Halbleiterspeichervorrichtung
DE102013101399A1 (de) Signalverfolgung in Schreiboperationen von Speicherzellen
DE68920233T2 (de) Steuerschaltung für eine Halbleiterspeicheranordnung und Halbleiterspeichersystem.
DE102006043642B4 (de) Verzögerungsregelschleifenstruktur, die ein erstes und zweites eingerastetes Taktsignal liefert
DE4309320A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung und Betriebsverfahren
DE10243765A1 (de) Halbleitervorrichtung mit Verzögerungskorrekturfunktion
DE102012220709A1 (de) Leseverstärker mit Offsetstrom-Einspeisung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP, HOU, US

Free format text: FORMER OWNER: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P., HOUSTON, TEX., US

R082 Change of representative

Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE

Representative=s name: SCHOPPE, ZIMMERMANN, STOECKELER, ZINKLER, SCHE, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R082 Change of representative

Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE