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DE102007046901A1 - Production of electrically conductive or heat-conductive component for producing metallic contact between two elements e.g. cooling bodies or solar cells, comprises forming elemental silver from silver compound between contact areas - Google Patents

Production of electrically conductive or heat-conductive component for producing metallic contact between two elements e.g. cooling bodies or solar cells, comprises forming elemental silver from silver compound between contact areas Download PDF

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DE102007046901A1
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DE
Germany
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silver
contacting
paste
contact
compound
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Ceased
Application number
DE102007046901A
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German (de)
Inventor
Wolfgang Schmitt
Tanja Dickel
Katja Stenger
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Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Original Assignee
WC Heraus GmbH and Co KG
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Publication date
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Abstract

The method for producing an electrically conductive or heat-conductive component (3a) for producing a metallic contact between two elements e.g. cooling bodies or solar cells (8), comprises forming an elemental silver from a silver compound between contact areas connecting one above the other. The silver compound is an organic silver compound or silver carbonate. The contact area comprises a base metal in the surface. The method is carried out at 400[deg] C. A paste containing the silver compound is applied on the contact area. Independent claims are included for: (1) a method for producing a fully flat metallic contact between a metallic connecting surface of an electronic component and a metallic connecting surface of a further component; and (2) a contacting paste.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft Kontaktierungspasten, insbesondere Silberpasten.The The present invention relates to contacting pastes, in particular Silver pastes.

Bekannte Kontaktierungspasten aus in Lösungsmittel dispergierten Silberflocken (Silberflakes) werden unter Druck in der Größenordnung von 30 MPa bei Temperaturen von ungefähr 300°C gesintert, um eine dünne Schicht von ungefähr 50 μm auf ein elektronisches Bauteil (Chip) aufzutragen. Hierbei wird eine zuverlässige Verbindung von Chip und Substrat geschaffen, die Betriebstemperaturen von über 250°C standhält. Die zu verbindenden Flächen müssen edel sein, insbesondere aus Silber oder Gold bestehen.Known Contacting pastes dispersed in solvent Silver flakes (silver flakes) are under pressure of the order of magnitude of 30 MPa at temperatures of about 300 ° C sintered to a thin layer of about 50 microns on an electronic component (chip) apply. This is a reliable connection of the chip and substrate created, the operating temperatures of over 250 ° C. withstand. The surfaces to be joined must be noble, in particular made of silver or gold.

WO 2004/026526 offenbart die Anwendung von Nanosilber mit Partikelgrößen < 100 nm, um den Druck auf etwa 20 MPa und die Temperatur auf ca. 250°C herabzusetzen. WO 2004/026526 discloses the use of nanosilver with particle sizes <100 nm to reduce the pressure to about 20 MPa and the temperature to about 250 ° C.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung liegt darin, einerseits Kontaktierungen bereitzustellen, die einen Schmelzpunkt möglichst weit oberhalb eines Weichlots aufweisen und andererseits aber möglichst einfach wie mit Weichlot herstellbar sind. Es sollen elektronische Bauteile mit einem Temperaturanwendungsbereich, der sich bis über 200°C und gegebenenfalls sogar über 250°C erstreckt, leichter auf Substraten befestigt werden, insbesondere dafür die Druckbelastung verringert werden. Hierfür soll eine geeignete Kontaktierungspaste geschaffen werden.The Object of the present invention is, on the one hand contacts to provide a melting point as far as possible above a soft solder and on the other hand as simple as possible as can be produced with soft solder. It should be electronic components with a temperature application range that extends to over 200 ° C and possibly even over 250 ° C. extends, easier to be attached to substrates, in particular for the pressure load to be reduced. Therefor should be created a suitable bonding paste.

Die Lösung der Aufgabe erfolgt mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Bevorzugte Ausführungen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.The Solution of the task is done with the characteristics of independent Claims. Preferred embodiments are in the dependent claims.

Zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen oder einer wärmeleitfähigen Verbindung zur Kontaktierung zweier Elemente wird erfindungsgemäß eine Silberverbindung zu elementarem Silber zwischen den Kontaktflächen umgesetzt.to Production of an electrically conductive or thermally conductive A compound for contacting two elements according to the invention is a silver compound converted to elemental silver between the contact surfaces.

Vorzugsweise

  • • ist die Silberverbindung eine organische Silberverbindung oder Silberkarbonat;
  • • weist eine Kontaktfläche unedles Metall in der Oberfläche auf;
  • • liegt die Prozesstemperatur zur Herstellung der Silberverbindung unterhalb von 400°C;
  • • erfolgt die Herstellung der Silberverbindung unter Atmosphärendruck;
  • • wird eine Paste, die die Silberverbindung aufweist, auf eine Kontaktfläche aufgetragen.
Preferably
  • The silver compound is an organic silver compound or silver carbonate;
  • • has a contact surface of base metal in the surface;
  • • the process temperature for producing the silver compound is below 400 ° C;
  • The preparation of the silver compound is carried out under atmospheric pressure;
  • • a paste containing the silver compound is applied to a contact surface.

Die Paste enthält vorzugsweise ein Gel gemäß DE 10 2005 053 553 A1 und Kupfer- oder Silberpartikel, insbesondere im Bereich zwischen 0,2 μm und 5 μm, besonders bevorzugt zwischen 0,5 μm und 2 μm.The paste preferably contains a gel according to DE 10 2005 053 553 A1 and copper or silver particles, in particular in the range between 0.2 microns and 5 microns, more preferably between 0.5 microns and 2 microns.

Silberverbindungen, die sich unter 300°C, insbesondere unter 250°C zersetzen und dabei elementares Silber bilden, sind besonders geeignet, Sinterpasten bezüglich ihrer Anwendung erheblich zu verbessern. Erfindungsgemäß werden Kontaktierungspasten bereitgestellt, die leicht zersetzbare Silberverbindungen aufweisen. Diese erfindungsgemäßen Pasten ermöglichen ein Kontaktieren bei niederem Anpressdruck, insbesondere unter 5 bar, vorzugsweise unter 3 bar und eine Prozesstemperatur von ca. 230°C, d. h. unter 250°C, insbesondere unter 240°C.Silver compounds, which is below 300 ° C, especially below 250 ° C. decompose and thereby form elemental silver, are particularly suitable sintered pastes significantly improve their application. According to the invention Contacting pastes provided the easily decomposable silver compounds exhibit. These pastes according to the invention enable a contact at low contact pressure, in particular under 5 bar, preferably below 3 bar and a process temperature of about 230 ° C, d. H. below 250 ° C, especially below 240 ° C.

Die erfindungsgemäße Kontaktierung zwischen den Oberflächen ist bei über 200°C temperaturwechselbeständig, und zwar über 2.000 Zyklen. Damit übertrifft die Kontaktierungspaste die mit Weichlotlegierungen oder Leitklebern erzielbare Temperaturbeständigkeit und Temperaturwechselbeständigkeit. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird es somit ermöglicht, dass die Kontaktierungstemperatur der Kontaktierungspaste unter der Betriebstemperatur der mit der Paste hergestellten Kontakte liegt. Die erfindungsgemäß leicht zersetzlichen Silberverbindungen sind einfacher herstellbar und leichter zu konservieren als Nanosilber.The contacting according to the invention between the surfaces is temperature change resistant at over 200 ° C, over 2,000 cycles. This surpasses the Contact paste with soft solder alloys or conductive adhesives achievable temperature resistance and thermal shock resistance. In the context of the present invention, it is thus possible that the contacting temperature of the contacting paste under the operating temperature of the contacts made with the paste lies. The inventively easily decomposable silver compounds are easier to prepare and easier to preserve than nanosilver.

Maßgeblich ist, dass die Paste neben ihren organischen Bestandteilen wie Lösungsmittel und/oder Carbonsäuren eine leicht zersetzliche Silberverbindung aufweist, durch die eine Verarbeitung wie mit Weichlot unter 400°C ermöglicht wird. Vorzugsweise bildet die Silberverbindung unter 300°C, insbesondere unter 250°C, metallisches Silber. Geeignete Silberverbindungen sind Silberoxid, Silberkarbonat und insbesondere organische Silberverbindungen. Besonders bewährt hat sich Silberlaktat.decisive is that the paste in addition to its organic ingredients such as solvents and / or Carboxylic acids are an easily decomposable silver compound through which processing as with soft solder below 400 ° C is possible. Preferably, the silver compound forms below 300 ° C, especially below 250 ° C, metallic Silver. Suitable silver compounds are silver oxide, silver carbonate and in particular organic silver compounds. Especially proven has silver lactate.

Es wird vermutet, dass die erfindungsgemäßen Pasten und Verfahren auf der Bildung von hochreaktivem in situ erzeugtem Silber beruhen, das die Kontaktflächen und die gegebenenfalls in der Paste vorliegenden Feststoffe miteinander verbindet.It is believed that the pastes of the invention and methods for the formation of highly reactive in situ generated Silver are based on the contact surfaces and, where appropriate in the paste present solids together.

Leicht zersetzbare Silberverbindungen sind in bekannten Pasten, beispielsweise zusammen mit Silberflocken oder Nanosilber oder einer Kombination aus Silberflocken und Nanosilber anwendbar. In einer weiteren bevorzugten Ausführung wird eine Paste mit einer leicht zersetzlichen Silberverbindung und Kupferpulver bereitgestellt. Die Teilchengröße des Kupferpulvers beträgt vorzugsweise unter 10 μm.Light decomposable silver compounds are in known pastes, for example together with silver flakes or nanosilver or a combination made of silver flakes and nano silver applicable. In a further preferred Execution becomes a paste with a slightly decomposable Silver compound and copper powder provided. The particle size of the Copper powder is preferably less than 10 microns.

Die erfindungsgemäße Paste eignet sich weiterhin zur Verbindung von unedlen Metalloberflächen, beispielsweise Kupferoberflächen.The Paste according to the invention is also suitable for Connection of base metal surfaces, for example Copper surfaces.

Erfindungsgemäß wird neben Silberoberflächen auch auf Kupfer- und Nickel-Gold-Oberflächen eine feste Verbindung mit sehr guter elektrischer Leitfähigkeit schon bei ungefähr 230°C gesintert. Die Zugbelastung der Verbindungen beträgt ungefähr 50 MPa.According to the invention in addition to silver surfaces also on copper and nickel-gold surfaces one solid connection with very good electrical conductivity already sintered at about 230 ° C. The tensile load of the compounds is about 50 MPa.

Die erfindungsgemäßen Pasten eignen sich für die Befestigung von Kühlkörpern oder LED's sowie die Anwendung in der Optoelektronik und Leistungselektronik (Power-Module), insbesondere DCB (Direct Copper Bonding) und Die-Attach.The pastes of the invention are suitable for the attachment of heat sinks or LED's as well the application in optoelectronics and power electronics (power modules), especially DCB (Direct Copper Bonding) and Die Attach.

Vorzugsweise ist die Kontaktierungspaste harzfrei. Insbesondere wird ein Gel gemäß DE 10 2005 053 553 A1 mit einer leicht zersetzbaren Silberverbindung und gegebenenfalls noch mit einem Metallpulver wie Silberflakes, Nanosilber oder Kupferpulver gemischt.Preferably, the contacting paste is resin-free. In particular, a gel according to DE 10 2005 053 553 A1 with a readily decomposable silver compound and optionally mixed with a metal powder such as silver flakes, nano silver or copper powder.

Erfindungsgemäß wird eine Niedertemperatur-Sintertechnik (NTV) geschaffen, die die Bonddraht-Technik zurückdrängen wird, da das beidseitige Erwärmen von Bauteilen mit der erfindungsgemäßen Sinterpaste von Vorteil ist.According to the invention A low-temperature sintering technique (NTV) created using the bonding wire technique push back, since the bilateral heating of components with the sintering paste according to the invention is beneficial.

Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Beispielen mit Bezug auf die Abbildungen verdeutlicht.in the Below, the invention will be described by way of example with reference to FIG the pictures clarifies.

1 zeigt die Befestigung von LED's auf einem Kühlkörper; 1 shows the attachment of LEDs on a heat sink;

2 zeigt die Befestigung eines elektronischen Bauteils (Chip) auf einer Leiterbahn; 2 shows the attachment of an electronic component (chip) on a conductor track;

3 zeigt die Befestigung eines DCB auf einem Kühlkörper. 3 shows the attachment of a DCB on a heat sink.

Gemäß einer Ausführung nach 1 ist ein LED 1 auf einem Kühlkörper 2 mit einer Kontaktierung 3 befestigt.According to an embodiment according to 1 is an LED 1 on a heat sink 2 with a contact 3 attached.

Die Wärmeentwicklung des LED 1 birgt bei Weichlotkontakten die Gefahr zur Versprödung durch Ausbildung intermetallischer Phasen und beeinträchtigt somit die Zuverlässigkeit der Kontakte.The heat development of the LED 1 In the case of soft solder contacts, there is a risk of embrittlement due to the formation of intermetallic phases and thus impair the reliability of the contacts.

Mit einer erfindungsgemäßen Kontaktierungspaste aus einem Gel gemäß DE 10 2005 053 553 A1 , in dem Silberlaktat neben Silberflocken (Flakes) dispergiert ist, wird ein reiner Silberkontakt hergestellt, der naturgemäß die beste Wärmeleitfähigkeit aufweist und unter der Dauertemperaturbelastung des LED's keine Alterung zeigt.With a contacting paste according to the invention from a gel according to DE 10 2005 053 553 A1 , in which silver lactate is dispersed in addition to silver flakes (flakes), a pure silver contact is made, which naturally has the best thermal conductivity and shows no aging under the constant temperature load of the LED.

Zur Herstellung einer LED-Befestigung nach 1 wird eine Paste aus 80 Gew.-% Silber, 5 Gew.-% Silberlaktat und 15 Gew.-% Gel gemäß DE 10 2005 053 553 A1 auf den Kühlkörper 2 aufgetragen. Dann wird der LED 1 auf die Paste gesetzt und der Rohling im Ofen 45 bis 60 Minuten auf 230°C erhitzt. Der dabei erzeugte Silberkontakt 3 ist der bestmögliche Wärmeleiter, mit uneingeschränkter Zuverlässigkeit für die LED-Anwendung. Der Kontakt 3 ist für weitaus höhere Temperaturen beständig.For making an LED attachment after 1 is a paste of 80 wt .-% silver, 5 wt .-% silver lactate and 15 wt .-% gel according to DE 10 2005 053 553 A1 on the heat sink 2 applied. Then the LED 1 placed on the paste and the blank in the oven heated to 230 ° C 45 to 60 minutes. The resulting silver contact 3 is the best possible heat conductor, with unrestricted reliability for the LED application. The contact 3 is resistant to much higher temperatures.

Gemäß einer Ausführung nach 2 ist ein Hochtemperatursensor 4 gemäß EP 0 809 094 A1 der Heraeus Sensor Technology GmbH auf einem Leiterrahmen 5 mit einer Kontaktierung 3 befestigt. Die Hochtemperaturanwendung des Hochtemperatursensors 4, dessen Anwendungsbereich über 500°C reicht, wäre bei Weichlotkontakten auf die Schmelztemperatur des Weichlots beschränkt, wobei die Versprödung durch Ausbildung intermetallischer Phasen die Einsatzdauer der Kontakte begrenzen würde.According to an embodiment according to 2 is a high temperature sensor 4 according to EP 0 809 094 A1 Heraeus Sensor Technology GmbH on a ladder frame 5 with a contact 3 attached. The high temperature application of the high temperature sensor 4 whose range of application exceeds 500 ° C. would be limited to the melting temperature of the soft solder in the case of soft solder contacts, the embrittlement by formation of intermetallic phases limiting the service life of the contacts.

Mit einer erfindungsgemäßen Kontaktierungspaste aus einem Gel gemäß DE 10 2005 053 553 A1 , in dem Silberkarbonat neben Silberflocken (Flakes) dispergiert ist, wird ein reiner Silberkontakt hergestellt, der naturgemäß die beste elektrische Leitfähigkeit aufweist und bei den angewendeten Temperaturen des Sensors absolut zuverlässig ist.With a contacting paste according to the invention from a gel according to DE 10 2005 053 553 A1 , in which silver carbonate is dispersed in addition to silver flakes (flakes), a pure silver contact is produced, which naturally has the best electrical conductivity and is absolutely reliable at the applied temperatures of the sensor.

Zur Herstellung einer Chip-Kontaktierung nach 2 wird eine Paste aus 80 Gew.-% Silber, 5 Gew.-% Silberkarbonat und 15 Gew.-% Gel gemäß DE 10 2005 053 553 A1 auf den Leiterrahmen 5 aufgetragen. Dann wird der Chip 4 auf die Paste gesetzt und der Rohling im Ofen 30 bis 60 Minuten auf 260°C bis 270°C erhitzt. Der dabei erzeugte Silberkontakt 3 ist der bestmögliche elektrische Leiter mit der gewünschten Zuverlässigkeit für die Sensor-Anwendung.For producing a chip contacting according to 2 is a paste of 80 wt .-% silver, 5 wt .-% silver carbonate and 15 wt .-% gel according to DE 10 2005 053 553 A1 on the ladder frame 5 applied. Then the chip 4 placed on the paste and the blank in the oven for 30 to 60 minutes at 260 ° C to 270 ° C heated. The resulting silver contact 3 is the best possible electrical conductor with the desired reliability for the sensor application.

Gemäß einer Ausführung nach 3 ist ein DCB 6 elektrisch mit einem Chip 4 und wärmeleitend auf einem Kühlkörper 2 mit je einer Kontaktierung 3 befestigt. Die Wärmeentwicklung des Chips 4 birgt bei Weichlotkontakten die Gefahr zur Versprödung durch Ausbildung intermetallischer Phasen und beeinträchtigt somit die Zuverlässigkeit der Kontakte 3.According to an embodiment according to 3 is a DCB 6 electrically with a chip 4 and heat-conducting on a heat sink 2 each with a contact 3 attached. The heat development of the chip 4 In the case of soft solder contacts, there is a risk of embrittlement due to the formation of intermetallic phases and thus impair the reliability of the contacts 3 ,

Mit einer erfindungsgemäßen Kontaktierungspaste aus einem Gel gemäß DE 10 2005 053 553 A1 , in dem Silberlaktat neben Silberflocken und Kupferflocken dispergiert ist, wird für die Kontaktierung des DCB mit dem Kühlkörper ein reiner Metallkontakt hergestellt, der eine sehr gute Wärmeleitfähigkeit aufweist und unter der Dauertemperaturbelastung des Chips keine Alterung zeigt.With a contacting paste according to the invention from a gel according to DE 10 2005 053 553 A1 , in which silver lactate is dispersed in addition to silver flakes and copper flakes, a pure metal contact is made for the contacting of the DCB with the heat sink, which has a very good thermal conductivity and shows no aging under the constant temperature load of the chip.

Mit einer erfindungsgemäßen Kontaktierungspaste aus einem Gel gemäß DE 10 2005 053 553 A1 , in dem Silberlaktat neben Silberflocken dispergiert ist, wird für die Kontaktierung des DCB mit dem Chip ein reiner Metallkontakt hergestellt, der eine sehr gute elektrische Leitfähigkeit aufweist und unter der Dauertemperaturbelastung des Chips keine Alterung zeigt.With a contacting paste according to the invention from a gel according to DE 10 2005 053 553 A1 , in which silver lactate is dispersed next to silver flakes, a pure metal contact is made for the contacting of the DCB with the chip, the has a very good electrical conductivity and shows no aging under the constant temperature load of the chip.

Zur Herstellung von DCB-Kontakten nach 3 wird eine Paste aus 60 Gew.-% Kupfer, 20 Gew.-% Silber, 5 Gew.-% Silberlaktat und 15 Gew.-% Gel gemäß DE 10 2005 053 553 A1 auf den Kühlkörper 2 aufgetragen. Dann wird der DCB 6 auf die Paste gesetzt und mit einer Paste aus 80 Gew.-% Silber, 5 Gew.-% Silberlaktat und 15 Gew.-% Gel gemäß DE 10 2005 053 553 A1 beschichtet, worauf der Chip 4 gesetzt wird und dieser Rohling bei einem isostatischem Druck von 2 bis 3 bar im Ofen 20 bis 40 Minuten auf 240°C erhitzt wird. Der dabei erzeugte Silberkontakt 3 ist der bestmögliche elektrische Leiter mit uneingeschränkter Zuverlässigkeit für die Chip-Anwendung. Der Kupfer-Silber-Kontakt 3 ist zuverlässig für eine sehr gute Wärmeübertragung.For the production of DCB contacts according to 3 is a paste of 60 wt .-% copper, 20 wt .-% silver, 5 wt .-% silver lactate and 15 wt .-% gel according to DE 10 2005 053 553 A1 on the heat sink 2 applied. Then the DCB 6 placed on the paste and with a paste of 80 wt .-% silver, 5 wt .-% silver lactate and 15 wt .-% gel according to DE 10 2005 053 553 A1 coated, whereupon the chip 4 is set and this blank is heated at an isostatic pressure of 2 to 3 bar in the oven for 20 to 40 minutes at 240 ° C. The resulting silver contact 3 is the best possible electrical conductor with unrestricted reliability for the chip application. The copper-silver contact 3 is reliable for a very good heat transfer.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - WO 2004/026526 [0003] WO 2004/026526 [0003]
  • - DE 102005053553 A1 [0008, 0017, 0025, 0026, 0028, 0029, 0031, 0032, 0033, 0033] - DE 102005053553 A1 [0008, 0017, 0025, 0026, 0028, 0029, 0031, 0032, 0033, 0033]
  • - EP 0809094 A1 [0027] EP 0809094 A1 [0027]

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Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen oder wärmeleitfähigen Verbindung zur Kontaktierung zweier Elemente, dadurch gekennzeichnet, dass aus einer Silberverbindung elementares Silber zwischen den Kontaktflächen gebildet wird.A method for producing an electrically conductive or thermally conductive compound for contacting two elements, characterized in that elemental silver is formed between the contact surfaces of a silver compound. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Silberverbindung eine organische Silberverbindung oder Silbercarbonat ist.Method according to claim 1, characterized in that that the silver compound is an organic silver compound or Silver carbonate is. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Kontaktfläche unedles Metall in der Oberfläche aufweist.Method according to claim 1 or 2, characterized that a contact surface of base metal in the surface having. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Verfahrenstemperatur zur Herstellung der Kontaktierung unterhalb von 400°C liegt.Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that the process temperature for the production the contact is below 400 ° C. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktierung unter Atmosphärendruck erfolgt.Method according to one of claims 1 to 4, characterized in that the contacting under atmospheric pressure he follows. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass eine Paste, die die Silberverbindung aufweist, auf eine Kontaktfläche aufgetragen wird.Method according to one of claims 1 to 5, characterized in that a paste containing the silver compound has been applied to a contact surface. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Paste Kupfer oder Silberpartikel aufweist.Method according to Claim 6, characterized that the paste has copper or silver particles. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Paste ein Gel aufweist.Method according to claim 6 or 7, characterized that the paste has a gel. Verfahren, insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 8, zur Herstellung einer Silber aufweisenden elektrisch leitenden Verbindung zwischen einer elektrischen Anschlussfläche eines elektronischen Bauteils und einer weiteren elektrischen Anschlussfläche zur elektrischen Kontaktierung des elektronischen Bauteils, dadurch gekennzeichnet, dass die Verfahrenstemperatur unterhalb von 240°C liegt.Method, in particular according to one of the claims 1 to 8, for producing a silver-containing electrically conductive Connection between an electrical connection surface an electronic component and a further electrical connection surface for electrical contacting of the electronic component, characterized characterized in that the process temperature is below 240 ° C. Verfahren, insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 9, zur Herstellung einer Silber aufweisenden elektrischen Verbindung zwischen einer elektrischen Anschlussfläche eines elektronischen Bauteils und einer weiteren elektrischen Anschlussfläche zur elektrischen Kontaktierung des elektronischen Bauteils, dadurch gekennzeichnet, dass das die Verbindung der Anschlussflächen unter Atmosphärendruck erfolgt.Method, in particular according to one of the claims 1 to 9, for the production of a silver having electrical Connection between an electrical connection surface an electronic component and a further electrical connection surface for electrical contacting of the electronic component, thereby characterized in that the connection of the connection surfaces takes place under atmospheric pressure. Kontaktierungspaste, enthaltend einen Feststoff in einer organischen Masse, dadurch gekennzeichnet, dass die Paste eine Silberverbindung aufweist, die sich unterhalb von 400°C unter Bildung von elementarem Silber zersetzt.Contacting paste containing a solid in an organic mass, characterized in that the paste has a silver compound which is below 400 ° C decomposed to form elemental silver. Kontaktierungspaste nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktierungspaste ein Gel aufweist.Contact compound according to claim 11, characterized that the contacting paste has a gel. Kontaktierungspaste nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktierungspaste Metallpartikel aufweist.Contacting paste according to claim 11 or 12, characterized characterized in that the contacting paste comprises metal particles. Kontaktierungspaste nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallpartikel Silber- oder Kupferpartikel sind.Contacting paste according to claim 13, characterized that the metal particles are silver or copper particles. Verwendung einer Kontaktierungspaste nach einem der Ansprüche 11 bis 14 zur Verbindung elektronischer Bauteile, dadurch gekennzeichnet, dass eine der zu verbindenden Flächen aus einem unedlen Metall besteht.Use of a contacting paste after one of claims 11 to 14 for connecting electronic components, characterized in that one of the surfaces to be joined made of a base metal. Verwendung der Paste nach einem der Ansprüche 11 bis 14 zur Kontaktierung bei Drücken bis zu 5 bar.Use of the paste according to one of the claims 11 to 14 for contacting at pressures up to 5 bar. Verwendung nach Anspruch 16 zum Niederdruckkontaktieren im Bereich der Leistungselektronik oder Optoelektronik oder zur Befestigung von LED's oder Kühlkörpern.Use according to claim 16 for low pressure contacting in the field of power electronics or optoelectronics or for Fixing of LED's or heat sinks. Verwendung eines Metallkontakts zwischen zwei metallischen Flächen oberhalb der zur Herstellung des Kontakts erforderlichen Temperatur für eine in situ Metallerzeugung aus einer chemischen Verbindung.Use of a metal contact between two metallic ones Surfaces above the required for the production of the contact Temperature for in situ metal production from a chemical Connection. Verwendung einer chemischen Verbindung zur Erzeugung von Metall für eine metallische Kontaktierung zweier Gegenstände unterhalb der maximalen Anwendungstemperatur des bei der Kontaktierung erzeugten Kontakts.Use of a chemical compound for production of metal for a metallic contacting of two objects below the maximum application temperature of the contacting generated contact.
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EP08016620.0A EP2042260B1 (en) 2007-09-28 2008-09-22 Method and paste for contacting metal surfaces
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JP2008250495A JP5156566B2 (en) 2007-09-28 2008-09-29 Metal surface connection method and paste therefor
US12/615,516 US20100055828A1 (en) 2007-09-28 2009-11-10 Process and paste for contacting metal surfaces
KR1020110060009A KR20110088477A (en) 2007-09-28 2011-06-21 Methods and pastes for contacting metal surfaces
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008031893A1 (en) * 2008-07-08 2010-01-14 W.C. Heraeus Gmbh Production of electrically conductive or heat-conductive component for producing metallic contact between two elements e.g. cooling bodies or solar cells, comprises forming elemental silver from silver compound between contact areas
EP2158997A2 (en) 2008-08-27 2010-03-03 W.C. Heraeus GmbH Control of the porosity of metal pastes for pressure-free low temperature sinter-process
WO2011026624A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg Metal paste with co-precursors
WO2011026623A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 W. C. Heraeus Gmbh Metal paste with oxidation agents
DE102010044329A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Contacting agent and method for contacting electrical components
DE102010044326A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Use of aliphatic hydrocarbons and paraffins as solvents in silver pastes
WO2012052252A2 (en) 2010-10-20 2012-04-26 Robert Bosch Gmbh Starter material for a sintering compound and method for producing said sintering compound
DE102010042702A1 (en) 2010-10-20 2012-04-26 Robert Bosch Gmbh Starting material of a sintered compound and method for producing the sintered compound
DE102011079467A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Behr Gmbh & Co. Kg Thermoelectric module, method for producing a thermoelectric module and use of a metallic glass or a sintered material
DE102011079660A1 (en) 2011-07-22 2013-01-24 Robert Bosch Gmbh Layer composite of a layer arrangement and an electrical or electronic component
DE102011109226A1 (en) * 2011-08-02 2013-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for establishing interconnection layer between e.g. ceramic carrier and LED chip, involves providing mixture with particulate sinter material and solvent, and supplying heat for fusion of sinter material in inert gas atmosphere
EP2572814A1 (en) 2011-09-20 2013-03-27 Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG Paste and method for connecting electronic components with a substrate
DE102011083893A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Robert Bosch Gmbh Starting material of a sintered compound and method for producing the sintered compound
DE102012200034A1 (en) 2012-01-03 2013-07-04 Robert Bosch Gmbh Method for producing a composite body with sintered joining layer and sintering device for producing such a composite body
WO2013156570A1 (en) 2012-04-20 2013-10-24 Technische Universität Berlin Solder material, method for the production thereof, and use thereof to join metal substrates without pressure
DE102012222416A1 (en) 2012-12-06 2014-06-12 Robert Bosch Gmbh Method for joining at least two components using a sintering process
WO2023067191A1 (en) 2021-10-21 2023-04-27 Nano-Join Gmbh Composition for sintering comprising an organic silver precursor and particles of agglomerated silver nanoparticles
EP4249148A1 (en) 2022-03-21 2023-09-27 Nano-Join GmbH Composition for sintering comprising an organic silver precursor and particles of agglomerated silver nanoparticles

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010050315C5 (en) * 2010-11-05 2014-12-04 Danfoss Silicon Power Gmbh Process for the production of sintered electrical assemblies and power semiconductor modules made therewith
DE102013108753A1 (en) 2013-08-13 2015-02-19 Epcos Ag Multi-layer component with an external contact and method for producing a multilayer component with an external contact
EP3009211B1 (en) 2015-09-04 2017-06-14 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Metal paste and its use for joining components
EP4112587A1 (en) * 2021-06-29 2023-01-04 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Method for producing a metal-ceramic substrate though rapid heating

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0809094A1 (en) 1996-05-24 1997-11-26 Heraeus Sensor-Nite GmbH Method for making a sensor device for temperature measurement
WO2004026526A1 (en) 2002-09-18 2004-04-01 Ebara Corporation Bonding material and bonding method
US6951666B2 (en) * 2001-10-05 2005-10-04 Cabot Corporation Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features
DE102005053553A1 (en) 2005-11-08 2007-05-16 Heraeus Gmbh W C Solder pastes with resin-free flux
US20070117271A1 (en) * 2001-10-05 2007-05-24 Cabot Corporation Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0809094A1 (en) 1996-05-24 1997-11-26 Heraeus Sensor-Nite GmbH Method for making a sensor device for temperature measurement
US6951666B2 (en) * 2001-10-05 2005-10-04 Cabot Corporation Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features
US20070117271A1 (en) * 2001-10-05 2007-05-24 Cabot Corporation Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate
WO2004026526A1 (en) 2002-09-18 2004-04-01 Ebara Corporation Bonding material and bonding method
DE102005053553A1 (en) 2005-11-08 2007-05-16 Heraeus Gmbh W C Solder pastes with resin-free flux

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008031893A1 (en) * 2008-07-08 2010-01-14 W.C. Heraeus Gmbh Production of electrically conductive or heat-conductive component for producing metallic contact between two elements e.g. cooling bodies or solar cells, comprises forming elemental silver from silver compound between contact areas
EP2158997A3 (en) * 2008-08-27 2011-08-24 W.C. Heraeus GmbH Control of the porosity of metal pastes for pressure-free low temperature sinter-process
EP2158997A2 (en) 2008-08-27 2010-03-03 W.C. Heraeus GmbH Control of the porosity of metal pastes for pressure-free low temperature sinter-process
DE102008039828A1 (en) 2008-08-27 2010-03-04 W.C. Heraeus Gmbh Control of the porosity of metal pastes for the pressure-free low-temperature sintering process
DE102009040076A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 W.C. Heraeus Gmbh Metal paste with oxidizing agent
WO2011026624A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg Metal paste with co-precursors
WO2011026623A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 W. C. Heraeus Gmbh Metal paste with oxidation agents
US8950653B2 (en) 2009-09-04 2015-02-10 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Metal paste with co-precursors
US8950652B2 (en) 2009-09-04 2015-02-10 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Metal paste with oxidizing agents
DE102009040078A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 W.C. Heraeus Gmbh Metal paste with CO precursors
US8925789B2 (en) 2010-09-03 2015-01-06 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Contacting means and method for contacting electrical components
DE102010044329A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Contacting agent and method for contacting electrical components
DE102010044326A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Use of aliphatic hydrocarbons and paraffins as solvents in silver pastes
EP2428293A3 (en) * 2010-09-03 2016-08-10 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Contacting medium and process for contacting electrical parts
EP3695921A1 (en) 2010-10-20 2020-08-19 Robert Bosch GmbH Sintered compound starting material and method for producing the sintered compound
DE102010042721A1 (en) 2010-10-20 2012-04-26 Robert Bosch Gmbh Starting material of a sintered compound and method for producing the sintered compound
WO2012052251A2 (en) 2010-10-20 2012-04-26 Robert Bosch Gmbh Starter material for a sintering compound and method for producing said sintering compound
DE102010042702A1 (en) 2010-10-20 2012-04-26 Robert Bosch Gmbh Starting material of a sintered compound and method for producing the sintered compound
WO2012052252A2 (en) 2010-10-20 2012-04-26 Robert Bosch Gmbh Starter material for a sintering compound and method for producing said sintering compound
WO2013011127A2 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Behr Gmbh & Co. Kg Thermoelectric module, method for producing a thermoelectric module and use of a metallic glass or a sintered material
DE102011079467A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Behr Gmbh & Co. Kg Thermoelectric module, method for producing a thermoelectric module and use of a metallic glass or a sintered material
US9837594B2 (en) 2011-07-20 2017-12-05 Mahle International Gmbh Thermoelectric module, method for producing a thermoelectric module and use of a metallic glass or a sintered material
DE102011079660A1 (en) 2011-07-22 2013-01-24 Robert Bosch Gmbh Layer composite of a layer arrangement and an electrical or electronic component
WO2013013956A2 (en) 2011-07-22 2013-01-31 Robert Bosch Gmbh Layer composite composed of a layer arrangement and an electrical or electronic component
DE102011079660B4 (en) 2011-07-22 2023-06-07 Robert Bosch Gmbh Layer composite of a layer arrangement and an electrical or electronic component, a circuit arrangement containing this layer composite and method for its formation
DE102011109226A1 (en) * 2011-08-02 2013-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for establishing interconnection layer between e.g. ceramic carrier and LED chip, involves providing mixture with particulate sinter material and solvent, and supplying heat for fusion of sinter material in inert gas atmosphere
EP2572814A1 (en) 2011-09-20 2013-03-27 Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG Paste and method for connecting electronic components with a substrate
WO2013045360A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Robert Bosch Gmbh Starting material for a sintered bond and method for producing the sintered bond
DE102011083893A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Robert Bosch Gmbh Starting material of a sintered compound and method for producing the sintered compound
WO2013102534A1 (en) 2012-01-03 2013-07-11 Robert Bosch Gmbh Method for producing a composite body having a sintered joining layer and sintering device for producing such a composite body
DE102012200034A1 (en) 2012-01-03 2013-07-04 Robert Bosch Gmbh Method for producing a composite body with sintered joining layer and sintering device for producing such a composite body
DE102012206587A1 (en) 2012-04-20 2013-11-07 Technische Universität Berlin Solder material, process for its production and its use for pressure-free joining of metallic substrates
WO2013156570A1 (en) 2012-04-20 2013-10-24 Technische Universität Berlin Solder material, method for the production thereof, and use thereof to join metal substrates without pressure
US10065273B1 (en) 2012-04-20 2018-09-04 Nano-Join Gmbh Solder material, method for the production thereof and use thereof to join metal substrates without pressure
DE102012222416A1 (en) 2012-12-06 2014-06-12 Robert Bosch Gmbh Method for joining at least two components using a sintering process
WO2014086519A1 (en) 2012-12-06 2014-06-12 Robert Bosch Gmbh Method for connecting at least two components using a sintering process
WO2023067191A1 (en) 2021-10-21 2023-04-27 Nano-Join Gmbh Composition for sintering comprising an organic silver precursor and particles of agglomerated silver nanoparticles
EP4249148A1 (en) 2022-03-21 2023-09-27 Nano-Join GmbH Composition for sintering comprising an organic silver precursor and particles of agglomerated silver nanoparticles

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CN101431038A (en) 2009-05-13

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