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Es
wird ein optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung
eines bzw. mehrerer optoelektronische Bauelemente angegeben.
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Eine
zu lösende
Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement mit einem
hohen Lichtauskopplungsfaktor anzugeben.
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Es
wird optoelektronisches Bauelement mit einem n-dotierten Halbleiterkörper und
einem p-dotierten, strukturierten Halbleiterkörper, der auf dem n-dotierten
Halbleiterkörper
aufgebracht ist und zwischen diesen ein Licht emittierender pn-Übergang geschaffen
ist, angegeben. Eine Spiegelschicht ist auf der dem n-dotierten
Halbleiterkörper
abgewandten Seite des p-dotierten Halbleiterkörpers aufgebracht.
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Das
optoelektronische Bauelement ist darüber hinaus mit einem Kontaktkörper versehen,
der einen ersten Bereich aufweist, welcher mit dem p-dotierten Halbleiterkörper elektrisch
kontaktiert und vom n-dotierten Halbleiterkörper elektrisch isoliert ist. Der
Kontaktkörper
weist dabei einen zweiten Bereich auf, der vom ersten Bereich elektrisch
isoliert ist. Dieser zweite Bereich des Kontaktkörpers ist jedoch mit dem n-dotierten
Halbleiterkörper
elektrisch kontaktiert und vom p-dotierten Halbleiterkörper elektrisch isoliert.
Der gesamte Kontaktkörper
ist auf einer und derselben, dem n-dotierten Halbleiterkörper abgewandten
Seite des optoelektronischen Bauelements angeordnet.
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Als
Halbleiterkörper
werden insbesondere epitaktisch erzeugte Schichtenfolgen von p-
bzw. n-dotierten Schichten verstanden.
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Als
pn-Übergang
wird der Übergang
für Elektronen
bzw. Elektronenlöcher über eine
Sperrzone zwischen einem n-dotierten
Bereich und einem p-dotierten Bereich des Bauelements verstanden,
wobei der sowohl n- als auch p-dotierte
Bereiche eine bzw. mehrere Epitaxieschichten umfassen kann.
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Die
Spiegelschicht ist vorzugsweise auf dem p-dotierten Halbleiterkörper strukturfolgend
aufgebracht, welches bedeutet, dass sie die Form und den Verlauf
des p-dotierten Halbleiterkörpers
vorzugsweise folgt, ihn jedoch nicht zwingend vollständig abdecken
muss.
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Das
genannte Bauelement hat den Vorteil, dass es von einer Seite her
kontaktiert werden kann, wobei keine Kontaktierung, beispielsweise
ein Drahtbond oder eine Durchkontaktierung bzw. Via die Auskopplung
von Licht aus dem pn-Übergang
stört.
Es kann somit die volle Auskopplung von Licht aus dem pn-Übergang ausgenutzt werden.
Somit werden die Vorteile einer Flipchipkontaktierungsweise durch
die Bereitstellung eines Kontaktkörpers auf einer einzigen Seite
des Bauelements mit denen einer hervorragenden Lichtauskopplung
kombiniert.
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Gemäß einer
Ausführungsform
ist der Kontaktkörper
mittels galvanischem Schichtwachstum erzeugt.
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Vorzugsweise
ist das Bauelement derart ausgeführt,
dass der Kontaktkörper
mit seinem zweiten Bereich mit einem Randbereich des n-dotierten Halbleiterkörpers elektrisch
kontaktiert. Als Randbereich des n-dotierten Halbleiterkörpers wird
ein Teilbereich des n-dotierten Halbleiterkörpers verstanden, der bis zum
einem seiner Ränder
reicht.
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Gemäß einer
Ausführungsform
des Bauelements ist der Kontaktkörper
mit seinem ersten Bereich mittels eines Passivierungsmaterials vom
n-dotierten Halbleiterkörper
elektrisch isoliert. Das bedeutet, dass der Kontaktkörper in
seinem ersten Bereich sowohl mit dem p-dotierten Halbleiterkörpers als auch
mit dem Passivierungsmaterial in Kontakt steht, wobei sein erster
Bereich keinen Zugang zum n-dotierten
Halbleiterkörper
aufweist.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
des Bauelements ist der der Kontaktkörper mit seinem zweiten Bereich
mittels eines Passivierungsmaterials vom p-dotierten Halbleiterkörper elektrisch
isoliert. Der p-dotierte Halbleiterkörper kann soweit passiviert sein,
dass kein Kontakt zwischen ihm und dem zweiten Bereich des Kontaktkörpers zustande
kommt. Dabei könnte
der p-dotierte Halbleiterkörper
in diesem Bereich mittels einer Passivierungsschicht abgedeckt sein.
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Eine
Diffusionsbarriere kann auf der Spiegelschicht aufgebracht werden,
sodass ihr Material nicht oder zumindest nur geringfügig mit
dem Kontaktkörper
reagiert. Die Spiegelschicht enthält vorzugsweise Silber, ein
Material, welches jedoch zu Migration tendiert. Daher ist es günstig, wenn
die Diffusionsbarriere vorhanden ist, um einen Materialaustausch
mit dem Kontaktkörper
bzw. eine Reaktion mit dem Kontaktkörper, die die reflektierenden
Eigenschaften des Spiegels beeinträchtigten könnte, zu vermeiden.
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Gemäß einer
Ausführungsform
weist der p-dotierte Halbleiterkörper
eine kammartige Struktur auf. Dabei ist er derart auf dem n-dotierten
Halbleiterkörper
ausgerichtet, dass sein Längsschenkel,
von dem die Finger der Kammstruktur ausgehen, entlang der Längsachse
des n-dotierten Halbleiterkörpers angeordnet
ist. Die Finger der Struktur verlaufen dann quer zur Längsachse
des n-dotierten Halbleiterkörpers.
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Mehrere
Finger der Kammstruktur sowie der mit ihnen verbundene Abschnitt
des Längsschenkels des
p-dotierten Halbleiterkörpers
stehen vorzugsweise mit dem ersten Bereich des Kontaktkörpers in elektrischer
Verbindung.
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Zumindest
ein weiterer Finger der Kammstruktur sowie der mit ihm verbundene
Abschnitt des Längsschenkels
des p-dotierten Halbleiterkörpers
ist vorzugsweise vom zweiten Bereich des Kontaktkörpers isoliert.
Dabei kann der Finger mit dem genannten Abschnitt des Längsschenkels
mit auf seiner dem Kontaktkörper
zugewandten Seite mit einem Passivierungsmaterial versehen sein.
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Gemäß einer
Ausführungsform
ist eine elektrische Stromverteilungsbahn vom p-dotierten Halbleiterkörper elektrisch
isoliert auf dem n-dotierten Halbleiterkörper aufgebracht und teilweise
mit dem zweiten Bereich des Kontaktkörpers elektrisch verbunden.
Die Stromverteilungsbahn hat den Vorteil, Strom so schnell wie möglich über das
ganze Volumen bzw. über
die gesamte mit dem p-dotierten Kontaktkörper verbundene Fläche des
n-dotierten Kontaktkörpers
zu verteilen, sodass der pn-Übergang eine
möglichst
gleichmäßige Ausstrahlcharakteristik erhält.
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Der
p-dotierte Halbleiterkörper
kann mit einem Strukturgraben versehen sein, der bis zum n-dotierten
Halbleiterkörper
reicht. Dabei kann die Stromverteilungsbahn im Strukturgraben angeordnet
sein und dort vom ersten Bereich des Kontaktkörpers, der mit dem p-dotierten
Halbleiterkörper
elektrisch kontaktiert ist, isoliert sein.
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Gemäß einer
Ausführungsform
des Bauelements sind die Stromverteilungsbahn und der p-dotierte
Halbleiter mit einem Abstand zueinander kammartig ineinander greifend
auf dem n-dotierten
Halbleiterkörper
angeordnet. Das ergibt eine platzsparend Bauweise, wobei gleichzeitig
der n-dotierte Halbleiterkörper
gleichmäßig mit
Strom versorgt wird und der zweite Bereich des Kontaktkörpers das
Bauelement von einem Randbereich her kontaktieren kann.
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Vorzugsweise
ist auf einer dem pn-Übergang abgewandten
Fläche
des n-dotierten Halbleiterkörpers
eine Konversionsschicht aufgebracht. Diese konvertiert vom pn-Übergang
erzeugte Lichtwellen in solche, welche weißes Licht erzeugen. Bei den
vom pn-Übergang
erzeugten Lichtwellen kann es sich um grünes, blaues oder rotes Licht
erzeugende Lichtwellen handeln.
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Es
ist günstig,
wenn die dem pn-Übergang abgewandte
Fläche
des n-dotierten Halbleiterkörpers aufgerauht
ist. Dabei kann das Licht vom Bauelement mittels Streuung so gleichmäßig wie
möglich
sowie über
einen weiten Winkel ausgekoppelt werden.
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Das
optoelektronische Bauelement ist vorzugsweise mittels Dünnfilmtechnik
erzeugt. Zur Erzeugung der Schichten des Bauelements können Masken
oder lithographische Verfahren angewendet werden.
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Das
optoelektronische Bauelement basiert vorzugsweise auf Nitrid-Verbindungshalbleitern,
welches im vorliegenden Zusammenhang bedeutet, dass eine aktive
Epitaxie-Schichtenfolge
oder zumindest eine Schicht davon ein Nitrid-III/V-Verbindungshalbleitermaterial,
vorzugsweise AlnGamIn-n-mN umfasst, wobei 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1. Dabei muss dieses Material
nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger
Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe
sowie zusätzliche
Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen
Eigenschaften des AlnGamIn1-n-mN-Materials im Wesentlichen nicht ändern.
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Gemäß einer
anderen Ausführungsform
basiert das optoelektronische Bauelement auf Phosphid-Verbindungshalbleitern,
welches in diesem Zusammenhang bedeutet, dass ein derart ausgeführtes Bauelement
oder Teil eines Bauelements vorzugsweise AlnGamIn1-n-mP umfasst,
wobei 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n +
m ≤ 1. Dabei
muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung
nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere
Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile
aufweisen, die die physikalischen Eigenschaften des Materials im
Wesentlichen nicht ändern.
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Der
Einfachheit halber beinhalten die obigen Formel für die Nitrid-Verbindung
und für
die Phosphid-Verbindungen jedoch nur die wesentlichen Bestandteile
des Kristallgitters (Al, Ga, In, N), auch wenn diese teilweise durch
geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.
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Es
wird außerdem
ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
angegeben, bei dem auf einem n-dotierten Halbleiterkörper ein
strukturierter, p-dotierter Halbleiterkörper aufgebracht wird, wobei
ein pn-Übergang
zwischen dem n-dotierten und dem p-dotierten Halbleiterkörper geschaffen
wird. Anschließend
wird eine Spiegelschicht strukturfolgend auf dem p-dotierten Halbleiterkörper aufgebracht.
Danach werden der n-dotierte Halbleiterkörper, der p-dotierte Halbleiterkörper sowie
die Spiegelschicht teilweise passiviert.
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Mittels
einer Startschicht wird ein Kontaktkörper galvanisch aufgewachsen,
der mit einem ersten Bereich in einem nicht passivierten Bereich
des p-dotierten Halbleiterkörpers
in Verbindung gebracht wird, und welcher mit einem zweiten Bereich
in einem nicht passivierten Bereich des n-dotierten Halbleiterkörpers in
Verbindung gebracht wird.
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Die
strukturierte Schicht wächst
zu einem Kontaktkörper
auf, wobei die Startschicht eine Aussparung aufweist, die beim Aufwachsen
des Kontaktkörpers
als isolierende Aussparung zwischen seinem ersten und seinem zweiten
Bereich dient.
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Der
n-dotierte Halbleiterkörper
ist gemäß einer
Ausführungsform
mit einem Substrat, enthaltend beispielsweise Saphir, verbunden,
wobei der n-dotierte Halbleiterkörper
nach der Erzeugung des Kontaktkörpers
vom Substrat gelöst
wird. Das Ablösen kann
anhand eines Laserliftoff-Verfahrens (LLO) erfolgen. Der n-dotierte
Halbleiterkörper
wird vorzugsweise derart vom Substrat abgelöst, dass er eine aufgerauhte,
dem pn-Übergang
abgewandte Fläche,
erhält.
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Die
beschriebenen Gegenstände
werden anhand der folgenden Figuren und Ausführungsbeispiele näher erläutert. Dabei
zeigt
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1 einen
Querschnitt eines optoelektronischen Bauelements,
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2 einen
Querschnitt einer Weiterbildung eines optoelektronischen Bauelements,
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3 einen
ersten Schritt in einem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements, bei dem ein strukturierter p-dotierter Halbleiterkörper auf
einem n-dotierten Halbleiterkörper
aufgebracht wird,
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4 eine
alternative Ansicht des ersten Schritts des Herstellungsverfahrens,
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5 einen
weiterer Schritt des Herstellungsverfahrens, bei dem eine strukturierte
Passivierungsschicht erzeugt wird,
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6 einen
weiteren Schritt des Herstellungsverfahrens, bei dem eine galvanisch
aufgewachsene Kontaktschicht erzeugt wird, welche Aussparungen aufweist,
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7 einen
weiteren Schritt des Herstellungsverfahrens, bei dem optoelektronische
Bauelemente vereinzelt werden.
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1 zeigt
den Querschnitt eines optoelektronisches Bauelements mit einem n-dotierten,
als Schicht ausgeführten
Halbleiterkörper 1,
welche GaN enthält.
Dieser ist mit einem kammförmig
strukturierten, als Schicht ausgeführten, GaN-haltigen, p-dotierten Halbleiterkörper 2 versehen,
bzw.
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Letzteres
ist auf der n-dotierten Schicht 1 aufgebracht. Zwischen
jeweils zwei Finger der p-dotierten Schicht 2 ist ein Finger
einer ebenfalls kammförmigen
Stromverteilungsschicht 8 angeordnet. Die Stromverteilungsschicht 8 und
die p-dotierte Schicht sind ineinander greifend auf derselben Fläche der n-dotierten
Schicht 1 aufgebracht. Die Stromverteilungsschicht 8 ist
vorzugsweise in einem Strukturgraben 9 bzw. zwischen den
Fingern der p-dotierten Schicht 2 angeordnet.
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Die
Stromverteilungsschicht ist allseitig von einem Passivierungsmaterial 6 umgeben,
damit es zwischen der p-dotierten
Schicht und der n-dotierten Schicht 1 nicht zu einem elektrischen
Kurzschluss kommen kann. Somit umgibt das Passivierungsmaterial
die Stromverteilungsschicht 8 vorzugsweise derart, dass
der Verlauf des Passivierungsmaterials demjenigen der kammförmigen Stromverteilungsschicht 8 folgt.
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Die
Stromaufweitungsschicht 8 ist eine optionale Maßnahme,
um die Stromverteilung der n-dotierten Schicht 1 und ihrer
damit einhergehenden elektrischen Kopplung mit der p-dotierten Schicht 2 und
damit die gesamte Lichtauskopplung des optoelektronisches Bauelements
zu verbessern. Wird die Stromverteilungsschicht nicht gebraucht,
ist außerhalb
des Verbindungsbereichs zwischen der n-dotierten Schicht 1 und
der p-dotierten Schicht 2 ein Passivierungsmaterial aufzubringen.
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Zwischen
der p-dotierten Schicht 2 und der n-dotierten Schicht 1 ist
ein pn-Übergang 3 vorhanden,
welcher Licht emittiert. Je nach Auswahl der Materialien der n-
bzw. p-dotierten
Schicht bzw. des epitaktisch aufgebauten pn- Übergangs
kann rotes, infrarotes, grünes
oder blaues Licht emittiert werden.
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Die
Fläche
der n-dotierten Schicht, von der das Licht ausgekoppelt wird, ist
vorzugsweise aufgerauht. Das kann mittels eines chemischen Ätzverfahrens
erfolgen. Eine solche aufgerauhte Oberfläche hat den Vorteil, das Licht
zu streuen, sodass es gleichmäßig, beispielsweise
um einen Winkel von 180°,
ausgestrahlt wird.
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Auf
der der n-dotierten Schicht 1 abgewandten Fläche der
p-dotierten Schicht 2 ist
eine Spiegelschicht 4 aufgebracht, welche bezüglich ihrer
Form bzw. Struktur den Verlauf bzw. die kammartige Form der p-dotierten
Schicht folgt. Die Spiegelschicht enthält ein lichtreflektierendes
Material, wie zum Beispiel Silber. Sie kann entsprechend der Form
der p-dotierten
Schicht 2 ebenfalls kammförmig ausgeführt sein. Vorzugsweise deckt
sie die p-dotierte Schicht 2, mit der Ausnahme ihrer der
n-dotierten Schicht 1 zugewandten Fläche, allseitig ab. Die Spiegelschicht 4 reflektiert
dabei vom pn-Übergang
emittiertes Licht zurück
zur n-dotierten Schicht hin, sodass das Licht vom optoelektronische
Bauelement von der n-dotierten Schicht 1 insgesamt nach
außen ausgekoppelt
wird.
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Auf
der Spiegelschicht 4 ist vorzugsweise eine Diffusionsbarriere 7 aufgebracht,
die eine chemische oder physikalische Wechselwirkung zwischen der
Spiegelschicht 4 und einem auf dieser aufgebrachten Kontaktkörper 5 verhindert.
Die Diffusionsbarriere bzw. das Diffusionsmaterial ist derart auf der
Spiegelschicht 4 aufgebracht, dass es ihre Form folgt und
sie vorzugsweise allseitig abdeckt. Die Diffusionsbarriere enthält vorzugsweise
TiWN.
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Ein
Kontaktkörper 5 ist
vorgesehen, welcher zwei Bereiche 5a und 5b umfasst,
die jeweils entweder die n-dotierte Schicht 1 oder die
p-dotierte Schicht 2 kontaktieren. Der Kontaktkörper 5 wird nach
der Erzeugung der p-dotierten Schicht, eines Passivierungsmaterials
in der oben beschriebenen Art, einer Spiegelschicht 4 bzw.
einer gegebenenfalls zur Abdeckung der Spiegelschicht vorhandenen
Diffusionsbarriere 7 auf alle diese Elemente aufgebracht,
mit der Ausnahme einer Aussparung des Kontaktkörpers, die eine Trennung seiner
zwei genannten Bereiche ermöglicht.
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Der
Kontaktkörper 5 ist
mit seinem ersten Bereich 5a mit der p-dotierten Schicht 2 elektrisch kontaktiert.
Durch das Passivierungsmaterial auf der Stromverteilungsschicht 8 wird
der erste Bereich des Kontaktkörpers
von einer Kontaktierung mit dem Gegenpol, bzw. mit der n-dotierten
Schicht und/oder von einer auf diese aufgebrachten Stromverteilungsschicht
abgehalten.
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Mit
seinem zweiten Bereich 5b ist der Kontaktkörper von
derselben Seite des Bauelements mit der n-dotierten Schicht 1 kontaktiert.
In diesem Randbereich der p-dotierten Schicht könnte ein Arm bzw. ein Finger
der Stromverteilungsschicht aufgebracht sein. Im selben Bereich
wird keine Passivierung auf die entsprechende Fläche des n-dotierten Körpers bzw.
der Stromverteilungsschicht aufgebracht, da eine Kontaktierung mit
dem Kontaktkörper
in diesem Bereich vorgesehen ist. Stattdessen wird die p-dotierte
Schicht 2 mit der auf sie aufgebrachten Spiegelschicht 4 sowie
einer gegebenenfalls gebrauchten Diffusionsbarriere in diesem Bereich
passiviert, damit der zweite Bereich 5b des Kontaktkörpers 5 mit
der p-dotierten
Schicht nicht in elektrischen Kontakt kommt.
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Mittels
des obigen Aufbaus kann der Kontaktkörper kurzschlussvermeidend
und selektiv die p-Seite und die n-Seite des optoelektronischen Bauelements
von einer Seite her kontaktieren. Dabei ist der Kontakt zur p-dotierten
Schicht und der Kontakt zur n-dotierten Schicht auf derselben Seite
der n-dotierten Kontaktschicht hergestellt. Somit kann das optoelektronische
Bauelement von einer Seite elektrisch kontaktiert werden, ohne dass
Vias oder Durchführungen
zur anderen Seite des Bauelements hindurchgeführt werden müssen. Auch
ist das Aufbringen eines Drahtbonds auf der Lichtauskopplungsseite
des Bauelements nicht erforderlich. Somit kann Licht vom pn-Übergang
unter Verwendung der Spiegelschicht ohne Weitere Hindernissen aus
dem Bauelement strahlen.
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2 zeigt
das gemäß 1 vorgestellte optoelektronische
Bauelement mit dem Unterschied, dass auf der wahlweise aufgerauhten,
dem pn-Übergang
abgewandten Seite des n-dotierten Halbleiterkörpers eine Konverionsschicht
aufgebracht ist, welche vorzugsweise das vom pn-Übergang emittierte Licht in
weißes
Licht konvertiert. Die Konversionsschicht kann jedoch auch zur Konversion
des Lichts aus dem pn-Übergang
in andere Farben dienen.
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Darüber hinaus
ist die Aussparung des Kontaktkörpers 5,
welche seinen ersten Bereich 5b von seinem zweiten Bereich 5b trennt,
mit einem Isoliermaterial 11, beispielsweise PBC, gefüllt. Somit
kann eine sichere elektrische Entkopplung der beiden Bereiche 5a, 5b voneinander
erreicht werden.
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3 zeigt
einen Herstellungszustand mehrerer optoelektronischer Bauelemente
der in diesem Dokument beschriebenen Art. Dabei werden mehrere n-dotierte
Halbleiterkörper 1 mit
einem Abstand zueinander auf ein Substrat 12, welches vorzugsweise
Saphir enthält,
aufgebracht. Auf die n-dotierten Halbleiterkörper wird jeweils ein kammförmiger p-dotierter
Halbleiterkörper 2 sowie
eine in diesen mit einem Abstand eingreifende, ebenfalls kammförmige Stromverteilungsschicht 8 aufgebracht.
Wie zuvor beschrieben wird der jeweilige n-dotierte Halbleiterkörper 2 mit
einer strukturfolgenden Spiegelschicht 4 mit einer auf
diese aufgebrachten Diffusionsbarriere 7 versehen.
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In
diesem Herstellungszustand ist der n-dotierte Körper noch nicht vom Substrat 12 abgetrennt. Später kann
er mittels eines Laserliftoff-Verfahrens (LLO) vom Substrat abgetrennt
werden.
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Eine
Draufsicht auf die Schnittebene Ader Figur zeigt wie die jeweiligen
optoelektronischen Bauelemente in diesem Herstellungszustand jeweils
einen kammförmigen,
p-dotierten Halbleiterkörper 2 aufweisen,
dessen Längsschenkel
und von diesem ausgehenden Armen bzw. Finger wesentlich breiter
sind, als die korrespondierenden Bereiche der Stromverteilungsschicht 8.
Das liegt daran, dass eine möglichst
große
Verbindungsfläche
zwischen dem n-dotierten Halbleiterkörper 1 und dem p-dotierten
Halbleiterkörper 1 geschaffen
sein soll, um möglichst
viel Licht im pn-Übergang
zwischen diesen erzeugen zu können.
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4 ist
eine alternative Ansicht des optoelektronischen Bauelements in einem
Herstellungszustand gemäß den vorhergehenden
Figuren. Auf einem Substrat 12 können in mehreren Reihen von Strukturen
von jeweils voneinander getrennten n-dotierten Halbleiterkörpern 1 mit
aufgebrachten p-dotierten Halbleiterkörpern 2 sowie Stromverteilungsschichten 8 angeordnet
werden. Die Figur zeigt mit einer Draufsicht eine rechteckige Anordnung
von vier voneinander beabstandeten, unfertigen optoelektronischen
Bauelementen. Jeder p-dotierter Halbeiterkörper 2 kann mit einer
Spiegelschicht 4 und einer auf diese aufgebrachten Diffusionsbarriere
versehen werden. Diese Elemente werden lediglich der Einfachheit
und Verständlichkeit
halber in der Figur nicht gezeigt, können jedoch als vorhanden interpretiert werden.
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5 zeigt
wie auf die vier unfertigen gleichartigen optoelektronischen Bauelemente
jeweils eine Passivierungsschicht 6a aufgebracht wird.
Insbesondere wird die Passivierungsschicht auf den jeweiligen p-dotierten
Halbleiterkörper,
den n-dotierten Halbleiterkörper
sowie auf die jeweilige Stromverteilungsstruktur 8 aufgebracht.
Dabei wird jedoch ein Bereich des p-dotierten Halbleiterkörpers ausgespart,
der später
mit einem ersten Bereich 5a eines Kontaktkörpers elektrisch
kontaktiert wird. Die übrigen
Bereiche bleiben von der Passivierungsschicht 6a bedeckt. Die
Aussparung 6b hat vorzugsweise eine Form, welche derjenigen
eines Teils des p-dotierten Halbleiterkörpers folgt. Somit ist die
Aussparung 6b, bezogen auf die Schichtenfolge des jeweiligen
optoelektronischen Bauelements, mit einem Teil des p-dotierten Halbleiterkörpers 2 deckungsgleich
oder nahezu deckungsgleich positioniert. Dabei ist die Aussparung 6b vorzugsweise
hufeisenförmigen
mit geraden Schenkeln bzw. Abschnitten.
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6 zeigt
eine Startschicht 13, welche mit ihren Rändern deckungsgleich
auf die zusammen ein Rechteck (in geometrischer Hinsicht) bildenden
Ränder
der zuvor gezeigten optoelektronischen Bauelemente aufgebracht ist.
Die Startschicht 13 enthält ein Material, aus dem galvanisch
eine Kontaktschicht 5 wachsen kann. Dabei handelt es sich
vorzugsweise um TiAl+ Metall oder um ein Ti-Metall. Je nach Galvanikmaterial
ist Pt (beispielsweise für
Ni) oder Au (beispielsweise für
Cu) als Metallschicht geeignet.
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Vorzugsweise
ist die Startschicht 13 auf ihrer den Halbleiterkörpern 1, 2 zugewandten
Seite für
das im pn-Übergang
erzeugte Licht reflektierend. Bei blauen oder grünen im pn-Übergang erzeugtem Licht kann
die Startschicht also beispielsweise Al oder Ag enthalten. Die Startschicht 13 weist
L-förmige
Aussparungen auf, welche einen ersten Bereich und einen zweiten
Bereich eines jeden Bauelements voneinander zunächst geometrisch trennen. Auf
der Innenseite einer jeden Aussparung 13a, d. h., auf der Seite
der Aussparung, an der zwischen den Schenkeln der Aussparung ein
Winkel weniger als 180° entsteht,
ist ein erster Bereich B1 des jeweiligen optoelektronischen Bauelements
vorhanden. Auf der gegenüberliegenden
Seite der Aussparung, an der zwischen den Schenkeln der Aussparung
ein Winkel größer als
180° entsteht,
ist ein zweiter Bereich B2 des jeweiligen optoelektronischen Bauelements
erzeugt.
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Der
erste Bereich B1 wird mit dem ersten Bereich 5a des Kontaktkörpers 5,
der zweite Bereich B2 mit dem zweiten Bereich 5b des Kontaktkörpers, vorbehaltlich
einer vorhandenen Passivierungsschicht 6 gemäß der 5,
elektrisch in Verbindung gebracht.
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Die
gestrichelte Linie der Figur zeigt die Grenzen der ersten und zweiten
Bereiche B1 und B2 der jeweiligen Bauelemente.
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Die
Struktur des aus der Startschicht galvanisch gewachsenen Kontaktkörpers 5 vor
der Vereinzelung der jeweiligen Bauelemente entspricht derjenigen
der mit dieser Figur gezeigten Startschicht 13.
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7 ist
eine Draufsicht auf einen galvanisch aus der Startschicht 13 aufgewachsenen
Kontaktkörper 5,
der nach der Vereinzelung der optoelektronischen Bauelemente jeweils
zwei Bereiche 5a und 5b für jedes Bauelement umfasst,
wobei der erste Bereich 5a einen jeweiligen p-dotierten
Halbleiterkörper 2 und
der Bereich 5b einen jeweiligen n-dotierten Halbeiterkörper kontaktiert. Die optoelektronischen
Bauelemente werden vorzugsweise mittels eines Lasers vereinzelt.