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DE102007023803A1 - Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen mit Zwischenschichten sowie Gegenstand mit Schichtsystem mit Zwischenschichten - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen mit Zwischenschichten sowie Gegenstand mit Schichtsystem mit Zwischenschichten Download PDF

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DE102007023803A1
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Niko Dr. Schultz
Stefan Dr. Bauer
Lars Dr. Bewig
Frank Koppe
Margareta Dr. Hamel
Andreas Hahn
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Original Assignee
Schott AG
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Abstract

Um bei einem Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen, bei welchem auf einem Gegenstand ein Schichtsystem mit zumindest zwei Schichten aufgebracht wird und zumindest eine Zwischenschicht zwischen die Schichten eingebracht wird, ein Schichtsystem mit verminderter elektrischer Leitfähigkeit bereitzustellen, ist vorgesehen, zum Aufbringen der Zwischenschicht einen organischen Precursor und einen anorganischen Precursor gleichzeitig und/oder nacheinander in die Beschichtungs- oder Reaktionskammer einzubringen und den organischen Precursor und den anorganischen Precursor im Wesentlichen gleichzeitig zur Reaktion und/oder Abscheidung zu bringen.

Description

  • Die Erfindung betrifft allgemein Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen mit Zwischenschichten sowie einen vorzugsweise verfahrensgemäß hergestellten Gegenstand mit zumindest einem Schichtsystem, welches eine oder mehrere Zwischenschichten enthält.
  • Zwischenschichten in herkömmlichen Schichtsystemen wurden bereits verwendet, um die Morphologie des Schichtsystems zu beeinflussen.
  • In der PCT/EP03/10221 werden Verfahren und Anordnungen zur Herstellung von Schutzschichten beschrieben, bei welchen eine Schutzschicht für einen Körper, die mindestens eine Hartstoffschicht aus einem Metalloxid und/oder Metallnitrid und/oder Metallcarbid und/oder Metalloxonitrid und/oder Metallcarbonitrid und/oder Metalloxocarbonitrid umfaßt, auf einen Körper aufgebracht wird und bei welchen diese Schutzschicht eine Funktionsschicht umfaßt, die durch mindestens eine, von der Funktionsschicht verschiedene Zwischenschicht aus einem Metalloxid und/oder Metallnitrid und/oder Metallcarbid und/oder Metalloxonitrid und/oder Metallcarbonitrid und/oder Metalloxocarbonitrid unterbrochen wird und die Zwischenschicht eine im Verhältnis zur Funktionsschicht sehr dünne Schicht ist, wobei die Zwischenschicht die Morphologie der Funktionsschicht unterbricht.
  • PCT/EP03/10222 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Schichten und Schichtsystemen sowie ein verfahrensgemäß hergestelltes beschichtetes Substrat, wobei bei dem Verfahren mindestens eine Funktionsschicht aufgebracht wird, und dieses das Bereitstellen des Substrates und des Schichtausgangsmaterials in einem Vakuumsystem und das Beschichten des Substrates mit einer Funktionsschicht mittels Sputtern des Schichtausgangsmaterials sowie das Sputtern des Schichtausgangsmaterials zum Beschichten des Substrates umfaßt und wobei die Funktionsschicht zumindest einmal unterbrochen wird und eine von der Funktionsschicht verschiedene Zwischenschicht erzeugt wird, deren Dicke ≤ 210 nm beträgt und das Sputtern des Schichtausgangsmaterials nach der Unterbrechung fortgesetzt wird.
  • PCT/EP03/10220 umfaßt einen beschichteten Gegenstand mit mindestens einer Funktionsschicht, bei welchem in mindestens einer Funktionsschicht mindestens eine Zwischenschicht angeordnet ist, die Zwischenschicht eine Schichtdicke von dz ≤ 10 nm aufweist und die Zwischenschicht die Morphologie der Funktionsschicht unterbricht.
  • Die vorstehend beschriebenen Zwischenschichten werden jedoch in bekannte Schichtsysteme so eingebracht, daß diese jeweils eine Schicht dieses Schichtsystems unterbrechen, dies bedeutet zwischen zwei zumindest vom Material her identischen Schichten angeordnet werden.
  • Die DE 3 941 859 C1 lehrt, um den Brechungsindex von optischen Schichten in einem interferenzoptischen Schichtsystem einzustellen, eine Mischung von SiO2 und TiO2 zu verwenden. Je nach Mischungsverhältnis sind Brechungsindizes zwischen dem von TiO2 (ca. 2,5) und dem von SiO2 (ca. 1,5) möglich:
    Häufig werden optische Wechselschichtsysteme mit abwechselnd hoch- und niedrigbrechenden Schichten verwendet, um Beschichtungen für Kaltlicht-Reflektoren herzustellen. Diese Schichtsysteme werden teilweise mit PICVD-Verfahren aufgebracht.
  • Von keiner der genannten Zwischenschichten war jedoch ein Einfluß auf die elektrische Leitfähigkeit von Schichtsystemen bekannt. Ferner wurden diese Schichtsysteme erstellt indem jeweils abwechselnd ein organischer Precursor und ein anorganischer Precursor zur Beschichtung verwendet wurde. Die gleichzeitige Verwendung eines organischen Precursors und eines anorganischer Precursors wurde bisher bei diesen Beschichtungen jedoch strikt vermieden, um chemische Reaktionen zu vermeiden, welche zum Teil zu unerwünschter Verschmutzung von Leitungssystemen und Reaktionskammern führen können.
  • In wichtigen Anwendungsfällen derartiger Schichtsysteme kann die elektrische Leitfähigkeit eine bedeutende Rolle spielen.
  • In Reflektoren für die digitale Projektion werden üblicherweise lichtstarke Gasentladungslampen eingebaut. Gezündet werden diese Lampen mit einer Spannung von mehreren 1000 V. Die stromzuführenden Leitungen werden teilweise durch Bohrungen im Reflektor geführt und haben, soweit diese Leitungen im Bereich des Reflektors, wie üblich nicht isoliert ausgeführt sind, häufig Kontakt mit dem Schichtsystem, wobei leitfähige Schichtsysteme dann zu Problemen führen. Die Zündspannung kann durch ein leitfähiges Schichtsystem kurzgeschlossen werden, was ein Zünden der Lampe verhindert. Der Flansch einiger Reflektoren hat im eingebauten Zustand Kontakt mit Metallteilen. Die Zündspannung kann über diese Teile abgeleitet werden und andere Komponenten beschädigen oder Gehäuseteile unter Spannung setzen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Schichtsystem mit verminderter elektrischer Leitfähigkeit sowie ein Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen mit verminderter elektrischer Leitfähigkeit bereitzustellen.
  • Besonders vorteilhaft wäre es dabei, wenn bereits bestehende Schichtsysteme im wesentlichen ohne Veränderung des Schichtdesings weiter beibehalten werden können. Diese Aufgaben werden mit einem Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und einem Gegenstand mit den Merkmalen des Anspruchs 13 gelöst.
  • Herkömmliche Schichtsystem haben, beispielsweise bei interferenzoptischen Wechselschichtsystemen, Dicken der aufgebrachten Schichten von ca. 10 nm bis 200 nm. Überraschenderweise haben die Erfinder festgestellt, daß das Einbringen von dünnen Zwischenschichten in eine oder mehrere dieser interferenzoptischen Wechselschichten eine gravierende Verminderung der Leitfähigkeit dieses Schichtsystems zur Folge hatte.
  • Als dünne Zwischenschicht wurde dabei eine Schicht mit Dicken von etwa 3 nm bis 20 nm, bevorzugt 3 nm bis 10 nm und besonders bevorzugt von 4 nm bis 6 nm eingebracht.
  • Überraschenderweise haben die Erfinder ferner festgestellt, daß diese Zwischenschichten nur dann die Leitfähigkeit reduzierten wenn ein organischer Precursor und ein anorganischer Precursor gleichzeitig in die Beschichtungs- oder Reaktionskammer eingebracht wurde und gleichzeitig zur Reaktion und/oder Abscheidung gebracht wurden.
  • Ferner war es auch überraschend, daß diese Zwischenschichten die elektrische Leitfähigkeit dann besonders stark reduzierten, wenn diese zwischen zwei Schichten mit verschiedener stofflicher Zusammensetzung eingebracht wurden.
  • Wechselschichtsysteme mit derartigen Zwischenschichten besitzen je nach Herstellparameter eine verminderte bis stark verminderte elektrische Leitfähigkeit. Mit 5000 V Messspannung werden bei erfindungsgemäßen Schichtsystemen elektrische Widerstände im hohen GΩ-Bereich oder TΩ-Bereich gemessen. Wohingegen das gleiche Schichtsystem ohne Zwischenschichten bei einer Messspannung von 5000 V einen geringeren Widerstand bis hinab in den kΩ-Bereich besitzen kann.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausführungsformen und unter Bezugnahme auf die beigeschlossenen Figuren detaillierter beschrieben.
  • Es zeigen:
  • 1 schematische Darstellung eines Schichtsystems mit Misch-Zwischenschichten, welche in ein herkömmliches interferenzoptisches Kaltlicht-Spiegelschichtsystem eingebracht sind,
  • 2 Ergebnisse von Leitfähigkeitsmessungen, welche den Einfluß der Misch-Zwischenschichten auf den elektrischen Widerstand von oxidischen Schichtsystemen wiedegeben.
  • Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
  • Bei den nachfolgen detaillierter beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen wurden interferenzoptische Wechselschichtsysteme auf Glas- und Glaskeramikreflektoren aufgebracht, welche herkömmliche Schichtdesigns aufwiesen, in welche zur Reduktion der Leitfähigkeit Zwischenschichten eingebracht wurden.
  • Diese Zwischenschichten werden auch als Misch-Zwischenschichten bezeichnet, soweit dabei zu deren Herstellung sowohl organische als auch anorganische Precursoren zur gleichen Zeit oder insbesondere als Mischung verwendet werden.
  • Das herkömmliche Schichtsystem umfaßt mehrere Lagen von SiOxCy- und TiOxCly-Schichten.
  • Die Schichtsysteme bestehen aus TiOxCly- und SiOxCly-Schichten bestimmter Dicke und bilden ein Interferenz-Schichtsystem mit definiertem Spektrum.
  • Die TiOxCly-Schichten werden aus einer Mischung von TiCl4 und O2 hergestellt und enthalten in der Regel noch Chlor-Reste.
  • Die SiOxCy-Schichten werden aus HMDSO-Sauerstoff-Gemisch ((CH3)3-Si-O-Si-(CH3)3) hergestellt und enthalten Kohlenstoff- und Wasserstoff-Reste.
  • Die SiOxCy-Schichten besitzen alleine in der Regel fast keine Leitfähigkeit.
  • Die TiOxCly-Schichten besitzen als Einzelschicht nur eine geringe Leitfähigkeit.
  • Erst die Verbindung von SiOxCy- und TiOxCly-Schichten im Schichtsystem führte zu der beobachteten hohen Leitfähigkeit der Schichtsysteme. Über welchen Mechanismus diese Leitfähigkeit hervorgerufen wird, ist momentan noch nicht bekannt.
  • In überraschender Weise haben die Erfinder herausgefunden, daß dünne Misch-Schichten die zwischen die SiOxCy- und TiOxCly-Schichten eingefügt werden, die Leitfähigkeit der Wechselschichtsysteme signifikant verringern können.
  • Diese werden bevorzugt hergestellt, indem HMDSO, TiCl4 und O2 gleichzeitig in den Reaktor geleitet wird.
  • Die Beschichtungszeit für diese Misch-Zwischenschichten beträgt zwischen einer zehntel und mehreren Sekunden, beispielsweise zehn Sekunden, vorzugsweise etwa eine Sekunde.
  • Die Leitfähigkeitsreduktion durch diese Maßnahme funktioniert sowohl bei Glas-Reflektoren als auch bei Glaskeramik-Reflektoren.
  • Misch-Zwischenschichten die nur aus anorganischen Precursoren, beispielsweise aus SiCl4 und TiCl4 und O2 hergestellt werden zeigen keine Leitfähigkeitsreduktion.
  • Überraschenderweise führt die Kombination eines organischen mit einem anorganischen Precursor aber zu einer erheblichen Leitfähigkeitsreduktion.
  • Misch-Zwischenschichten, die zwischen die SiOxCy- und TiOxCly-Schichten eines oxidischen Schichtsystems eingefügt werden, verringern die elektrische Leitfähigkeit dieses Schichtsystems.
  • Diese Zwischenschichten werden vorteilhaft beispielsweise mit einem Gasgemisch aus TiCl4, HMDSO und O2 hergestellt.
  • Offenbar ist es notwendig einen organischen mit einem anorganischen Precursor zu mischen, um eine leitfähigkeitsreduzierende Wirkung zu erzielen.
  • Daher kann die Leitfähigkeitsreduktion nicht allein durch das Erzeugen einer SiO2-TiO2-Mischschicht erfolgen. Es muß zu eine Wechselwirkung von weiterer Precursor-Bestandteilen kommen. Im HMDSO-Molekül sind neben Silizium und Sauerstoff noch organische Bestandteile, nämlich Kohlenstoff und Wasserstoff enthalten, welche für die Leitfähigkeitsverminderung wesentlich zu sein scheinen.
  • Ausführungsbeispiel 1: Wirkung der Mischschichten auf der Laboranlaqe.
  • Ein ellipsoider Glaskeramik-Reflektor mit einer Höhe von ca. 5 cm und einem maximalen Durchmesser von etwa 5 cm wurde für die nachfolgend dargestellten Versuche verwendet.
  • Die Beschichtung der Test-Reflektoren erfolgte mit einem Kaltlicht-Spiegel, der aus 15 Schichten TiOxCly und 16 Schichten SiOxCy besteht. Für die Abscheidung dieser Schichten wurde ein Plasma-CVD-Verfahren verwendet, bei dem das Plasma durch ein gepulstes Mikrowellenfeld generiert wird (PICVD-Verfahren). Die Pulsleistung für die SiOxCy-Schichten betrug 3000 W und für die TiOxCly-Schichten 2800 W.
  • Es wurde für beide Schichten ein Tastverhältnis von 0,02 verwendet, wobei das Tastverhältnis das zeitliche Verhältnis zwischen vorhandener Mikrowelleneinstrahlung und ausgeschalteter Mikrowelleneinstrahlung beschreibt.
  • Der Druck in der Beschichtungskammer betrug hierbei etwa 0,5 mbar.
  • Der Zufluß der Beschichtungsgase und die Absaugung der Abgase erfolgte kontinuierlich.
  • Die SiOxCy-Schichten wurden mit einem Gasgemisch aus ca. 97 Vol.-% O2 und 3 Vol.-% Hexamethylendisiloxan (HMDSO) hergestellt.
  • Die TiOxCly-Schichten wurden mit einem Gemisch aus ca. 0,5 Vol.-% bzw. 2 Vol.-% TiCl4 in O2 hergestellt.
  • Das Gas für die Abscheidung der Misch-Zwischenschichten bestand aus 3 Vol.-% HMDSO, 0,5 Vol.-% bzw. 2 Vol.-% TiCl4 und 96,5 Vol.-% bzw. 95 Vol.-% O2.
  • Der Druck betrug 0,5 mbar, die Pulsleistung 3000 W, Das Testverhältnis 0,02. In diesem Beispiel wurde die Beschichtungsdauer für die Misch-Zwischenschichten variiert. Zunächst wurden einige Reflektoren ohne Misch-Zwischenschichten hergestellt und vermessen.
  • Diese zeigten nach einer Temperung bei 450°C für 20 min eine erhöhte Leitfähigkeit (bzw. geringen Widerstand).
  • Die Widerstandsmessung erfolgte an verschiedenen Stellen auf der Reflektoroberfläche mit etwa 1000 V und einem Elektrodenabstand der Meßelektroden von etwa 5 mm.
  • Es konnten dabei Widerstände bis hinab in den einstelligen MΩ-Bereich gemessen werden.
  • Mit zunehmender Beschichtungszeit für die Misch-Zwischenschichten stieg der Schichtwiederstand. Bei einer Sekunde Beschichtungszeit wurde nach dem Tempern an allen Meßstellen auf der Reflektoroberfläche ein Widerstand von > 2 GΩ gemessen, was dem Meßbereich-Endwert des verwendeten Meßgerätes entspricht.
  • Ausführungsbeispiel 2: Wirkung der Mischschichten in der Produktion
  • Das auf einer Laboranlage gezeigte Konzept der Misch-Zwischenschichten wurde auf eine Produktionsanlage übertragen und getestet.
  • Als Testobjekt diente ein ellipsoider Glasreflektor mit einer Höhe von ca. 6 cm und einem maximalen Durchmesser von ca. 5,5 cm. Auf diesen Reflektor wurde das gleiche Schichtsystem aufgebracht wie im Ausführungsbeispiel 1, nur mit anderen Beschichtungsparametern: SiOxCy-Schichten:
    Pulsleistung: 8000 W
    Tastverhältnis: 0,028
    HMDSO-Konz.: 2,7 Vol.-%
    TiOxIy-Schichten :
    Pulsleistung: 6000 W
    Tastverhältnis: 0,028
    TiCl4-Konz: 1,1 Vol.-%
    Misch-Zwischenschichten:
    Pulsleistung: 6000 bzw. 8000 W
    Tastverhältnis: 0,028
    HMDSO-Konz.: 2,7 Vol.-%
    TiCl4: 1,1 Vol.-%
    Beschichtungszeit: 1 s
  • Mit diesen Parmetern wurden auf der selben Anlage Schichtsysteme ohne und mit Misch-Zwischenschichten hergestellt.
  • Nach dem Tempern der Proben erfolgte das Vermessen der elektrischen Leitfähigkeit. Bei jedem Reflektor wurde der elektrische Widerstand zwischen verschiedenen genau definierten Punkten vermessen. Die Meßspannung betrug 5000 V. Der Meßbereichsendwert des Meßgerätes ist 1 TΩ.
  • In 2 sind die Ergebnisse der Leitfähigkeistmessungen an den vorstehend beschriebenen Schichtsystemen zusammenfassend dargestellt.
  • Diese Ergebnisse von Leitfähigkeitsmessungen, welche jeweils den Einfluß der Misch-Zwischenschichten auf den elektrischen Widerstand von oxidischen Schichtsystemen wiedergeben, zeigen jeweils das gleiche Schichtsystem, was an verschiedenen Stellen auf der Oberfläche vermessen wurde. Die linken höheren Balken zeigen den elektrischen Widerstand eines Schichtsystems ohne Zwischenschichten und die rechten, Balken im wesentlichen das gleiche Schichtsystem jedoch ohne eingebrachte Zwischenschichten.
  • Man sie, dass die elektrische Leitfähigkeit des Schichtsystems durch die Zwischenschichten an einigen Messpositionen deutlich reduziert werden konnte.
  • Die Schichtsysteme mit Misch-Zwischenschichten besitzen an vielen Meßpositionen einen um ca. 6 Größenordnungen höheren elektrischen Widerstand.
  • Dies zeigt anschaulich, daß die erfindungsgemäße Leitfähigkeitsreduktion in industriellen Produktionsanlagen anwendbar ist.
  • Die Erfindung wird auch auf die in den in PCT/EP03/10221 PCT/EP03/10219 PCT/EP03/10222 und PCT/EP03/10220 beschriebnenen Verfahren sowie die darin verfahrensgemäß hergestellten Gegenstände erweitert und es wird der Inhalt der PCT/EP03/10221 PCT/EP03/10219 PCT/EP03/10222 sowie der PCT/EP03/10220 durch Bezugnahme auch zum Gegenstand der vorliegenden Beschreibung und der vorliegenden Anmeldung gemacht.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - EP 03/10221 [0003, 0063, 0063]
    • - EP 03/10222 [0004, 0063, 0063]
    • - EP 03/10220 [0005, 0063, 0063]
    • - DE 3941859 C1 [0007]
    • - EP 03/10219 [0063, 0063]

Claims (16)

  1. Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen, bei welchem auf einem Gegenstand ein Schichtsystem mit zumindest zwei Schichten aufgebracht wird und zumindest eine Zwischenschicht zwischen die Schichten eingebracht wird und bei welchem zum Aufbringen der Zwischenschicht ein organischer Precursor und ein anorganischer Precursor gleichzeitig und/oder nacheinander in die Beschichtungs- oder Reaktionskammer eingebracht wird und der organische Precursor und anorganische Precursor im Wesentlichen gleichzeitig zur Reaktion und/oder Abscheidung gebracht wird.
  2. Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen nach Anspruch 1, bei welchem der organische Precursor Hexamethylendisiloxan (HMDSO) und/oder Tetramethyldisiloxan (TMDSO), Tetraethylorthosilikat (TEOS), Tetramethylcyclotetrasiloxan (TMCTSO) umfaßt.
  3. Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen nach Anspruch 1 oder 2, bei welchem der anorganische Precursor TiCl4 und/oder NbCl5, TaCl3, ZrCl4 umfaßt.
  4. Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei welchem die Schichten zumindest eine SiOxCy-Schicht umfassen, bei welchen x von 1,8 bis 2,1 beträgt und y < 0,05 ist, und zumindest eine TiOxCly-Schicht umfassen, bei welchen x von 1,8 bis 2,1 beträgt und y < 0,02 ist.
  5. Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei welchem für die Zusammensetzung der Zwischenschicht eine Abscheidung umfassend 0,5 bis 10 Vol.-% HMDSO, vorzugsweise 3 Vol.-% HMDSO, 0,2 bis 5 Vol.-% TiCl4, vorzugsweise 0,5 Vol.-% bis 2 Vol.-% TiCl4 und 85 bis 99,3 Vol.-% O2, vorzugsweise 96,5 Vol.-% bzw. 95 Vol.-% O2 verwendet wird.
  6. Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei welchem für das Schichtsystem abwechselnd TiO2-Schichten und SiO2-Schichten abgeschieden werden und vorzugsweise die TiO2-Schichten aus einer Mischung von TiCl4 und O2 und die SiO2-Schichten werden aus einem HMDSO-Sauerstoff-Gemisch ((CH3)3-Si-O-Si-(CH3)3) abgeschieden werden.
  7. Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei welchem das Einleiten und das Mischen des organischen und des anorganischen Precursors in einer Zuführung vor der Beschichtungskammer erfolgt.
  8. Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen nach einem der Ansprüche von 1 bis 6, bei welchem das Einleiten des organischen und des anorganischen Precursors in die Beschichtungskammer in zwei Zuführungen erfolgt und das Mischen des organischen und des anorganischen Precursors in der Beschichtungskammer erfolgt.
  9. Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei welchem die Funktionsschicht Teil eines interferenzoptisches Schichtsystems ist.
  10. Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei welchem eine erste von den zumindest zwei Schichten eine andere stoffliche Zusammensetzung als eine zweite der zumindest zwei Schichten aufweist und die zumindest eine Zwischenschicht zwischen die erste und zweite Schicht eingebracht wird.
  11. Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen nach Anspruch 1, bei welchem Dicke der Zwischenschicht von 3 nm bis 10 nm beträgt.
  12. Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen nach Anspruch 1, bei welchem das Beschichtungsverfahren CVD-Verfahren, insbesondere PECVD, PICVD, umfaßt.
  13. Gegenstand mit einem Schichtsystem mit zumindest zwei Schichten und zumindest einer Zwischenschicht zwischen den Schichten, herstellbar nach einem Verfahren gemäß Anspruch 1 bis 12.
  14. Gegenstand mit einem Schichtsystem mit zumindest zwei Schichten und zumindest einer Zwischenschicht zwischen den Schichten, hergestellt nach einem Verfahren gemäß Anspruch 1 bis 12.
  15. Gegenstand mit den Merkmalen von Anspruch 13 oder 14 umfassend ein interferenzoptisches Schichtsystem.
  16. Gegenstand nach Anspruch 15, umfassend einen Glas- oder Glaskeramikreflektor mit eine interferenzoptischen Kaltlichtspiegel-Schichtsystem.
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