DE102007013102A1 - Micromechanical switch device with mechanical power amplification - Google Patents
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Abstract
Es wird eine mikromechanische Schaltervorrichtung zum Schalten einer auf einem Substrat vorgesehenen unterbrochenen HF-Signalleitung mit einem Schalterteil und einem das Schalterteil verschließenden Deckel vorgeschlagen, wobei das Schalterteil mindestens einen ohmschen Schaltkontakt zum Überbrücken und Trennen der HF-Signalleitung und einen mindestens eine feststehende und eine bewegliche Elektrode aufweisenden elektrostatischen Antrieb zum Betätigen des Schaltkontakts umfasst. Zwischen elektrostatischem Antrieb und Schaltkontakt ist eine Vorrichtung zur mechanischen Kraftverstärkung geschaltet. Dabei kann die Vorrichtung zur Kraftverstärkung als Hebelanordnung und/oder als elastisches Element mit progressiver Wirkung ausgebildet sein.A micromechanical switch device is proposed for switching an interrupted RF signal line provided on a substrate with a switch part and a cover closing the switch part, wherein the switch part has at least one ohmic switch contact for bypassing and disconnecting the RF signal line and at least one stationary and one movable one Electrode having electrostatic drive for actuating the switch contact comprises. Between electrostatic drive and switching contact a device for mechanical power amplification is connected. In this case, the device for power amplification may be designed as a lever arrangement and / or as an elastic element with progressive action.
Description
Die Erfindung betrifft eine mikromechanische Schaltervorrichtung zum Schalten einer unterbrochenen HF-Signalleitung nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs.The The invention relates to a micromechanical switch device for Switching an interrupted RF signal line according to the preamble of the main claim.
Mikromechanische Hochfrequenzschalter sind aus zahlreichen Veröffentlichungen bekannt, wobei für die Konstruktion derartiger HF-Schalter zwei prinzipiell unterschiedliche Technologien mit jeweils zwei verschiedenen Varianten der Aktuierung angewandt werden:
- a. Oberflächentechnologien mit in
senkrechter Richtung zur Bauelemente-Oberfläche aktuierten
Strukturen, wie beispielsweise in de
US 6 307 452 B1 US 2002/0153236 A1 - b. Volumentechnologie mit in senkrechter Richtung zur Bauelemente-Oberfläche
aktuierten Strukturen, wie beispielsweise in der
US 2004/0113727 A M. Tang, et al. "A single-pole double-throw (SPDT) circuit using lateral metal-contact micromachined switches", aus Sensors and Actuators A, Vol. 121, 2005, Seiten 187–196
- a. Surface technologies with structures that are actuated in a direction perpendicular to the component surface, such as in de
US Pat. No. 6,307,452 B1 US 2002/0153236 A1 - b. Volume technology with aktuierten in the direction perpendicular to the component surface structures, such as in the
US 2004/0113727 A Tang, et al. "A single-pole double-throw (SPDT) circuit using lateral metal-contact micromachined switches", from Sensors and Actuators A, Vol. 121, 2005, pages 187-196
Eine weitere prinzipielle Unterscheidung wird zwischen ohmsch und kapazitiv arbeitenden HF-Schaltern getroffen, wobei ohmsche Schaltkontakte meist durch den mechanischen Kontakt mindestens zweier gut leitender Körper und die kapazitive Schaltfunktion durch die Überdeckung von leitenden Flächen mit dazwischen befindlichen Isolationsschichten entstehen, welche bei hohen Signalfrequenzen eine nur sehr kleine Recktanz ausbilden. Kapazitiv arbeitende HF-Schalter haben somit eine untere Grenzfrequenz, bei der die Recktanz zu groß wird, um Hochfrequenzsignale verlust- und reflexionsarm zu übertragen. Dieser Nachteil tritt bei ohmsch arbeitenden HF-Schaltern nicht auf.A Another fundamental distinction becomes between ohmic and capacitive working RF switches, with ohmic switching contacts usually by the mechanical contact of at least two good conductive Body and the capacitive switching function by the overlap of conductive surfaces with intervening insulating layers arise, which at high signal frequencies only a very small reactance form. Capacitive RF switches thus have a lower Cutoff frequency at which the reactance becomes too high to high frequency signals loss and low reflection transfer. This disadvantage does not occur with ohmic HF switches.
Die Zuverlässigkeit eines ohmschen Schaltkontakts hängt von der Kraft ab, mit der die Kontaktflächen gegeneinander gepresst bzw. wieder voneinander getrennt werden.The Reliability of an ohmic switch contact depends from the force with which the contact surfaces against each other pressed or separated again.
Die für die Bewegung der mechanischen Komponenten benötigte Kraft und die Kontaktkraft werden elektrisch erzeugt. Übliche Techniken verwenden dazu entweder die elektromagnetische Kraft zwischen stromdurchflossenen Leitern bzw. zwischen Leitern und Permanentmag neten oder die elektrostatische Kraft, die allgemein auf elektrisch polarisierte Körper wirkt. Da elektromagnetische Antriebskonzepte entweder Dauerstrom benötigen und damit hohe Verlustleistungen erzeugen oder mikrotechnologisch nur bedingt realisierbare Permanentmagnete benötigen, um in den Endzuständen stabil zu sein, sind elektrostatische Antriebe vorzuziehen.The needed for the movement of the mechanical components Force and contact force are generated electrically. usual Techniques use either the electromagnetic force between current-carrying conductors or between conductors and Permanentmag Neten or the electrostatic force, which is generally based on electrically polarized Body works. Because electromagnetic drive concepts either Require continuous current and thus generate high power losses or microtechnologically only partially realizable permanent magnets need to be stable in the final states, Electrostatic actuators are preferable.
Die elektrostatische Kraft, die durch ein Antriebselektrodenpaar verursacht wird, ist nach Gleichung (1) direkt proportional zur Ableitung der Kapazität nach der Elektrodenauslenkung, welche bei den bislang bekannten technischen Lösungen der Bewegung der Schaltkontakte entspricht.The electrostatic force caused by a drive electrode pair is, according to equation (1) directly proportional to the derivative of Capacity after the electrode deflection, which in the hitherto known technical solutions of the movement of Switch contacts corresponds.
Dabei ist Fel die elektrostatische Kraft, die so gerichtet ist, dass sich die Kapazität C vergrößert, und U die Aktuierungsspannung.Where F el is the electrostatic force directed to increase the capacitance C, and U is the actuation voltage.
Bei Annahme gleicher Betriebsparameter und somit gleicher Aktuierungsspannung reduziert sich die Abhängigkeit auf die Ableitung der Kapazität nach der Auslenkung, welche für den Fall eines Plattenkondensators bei Variation des Elektrodenabstandes durch und bei Variation der Überdeckung der Elektrodenflächen durch gegeben ist, wobei ε0 die Permittivität des Vakuums ist, εr die relative Permittivität des Dielektrikums (in der Regel Luft, Schutzgas oder Vakuum) ist, x0 der Elektrodengrundabstand ohne Anlegen einer Aktuierungsspannung U und A die Elektrodengrundfläche sind, th die Elektrodentiefe und x der Bewegungsweg der Elektrode in Richtung der elektrostatischen Kraft sind. Da die Veränderung des Dielektrikums praktisch nicht möglich ist bzw. alle in Frage kommenden Medien ähnliche relative Permittivitäten aufweisen, kann die elektrostatische Kraft nur durch Variation des Elektrodengrundabstands x0 oder der Elektrodengrundfläche A variiert werden.Assuming the same operating parameters and thus the same Aktuierungsspannung reduces the dependence on the derivative of the capacitance after the deflection, which in the case of a plate capacitor with variation of the electrode spacing by and upon variation of the coverage of the electrode surfaces where ε 0 is the permittivity of the vacuum, ε r is the relative permittivity of the dielectric (usually air, inert gas or vacuum), x 0 is the electrode base distance without application of an actuation voltage U and A are the electrode base area, th the electrode depth and x the path of movement of the electrode in the direction of the electrostatic force. Since the change in the dielectric is practically impossible or all the media in question have similar relative permittivities, the electrostatic force can only be varied by varying the electrode base distance x 0 or the electrode base area A.
Zur Maximierung der Kraft Fel muss daher entweder der Elektrodengrundabstand x0 verkleinert werden oder die Elektrodengrundfläche A vergrößert werden. Der minimal einzustellende Elektrodengrundabstand x0 ist von der Fertigungstechnologie abhängig und liegt in der Regel zwischen 1 und 10 μm. Eine beliebige Verkleinerung des Elektrodengrundabstandes x0 ist nicht zulässig, da neben zahlreichen technologischen Problemen auch die Trennung des Hochfrequenzsignals im geöffneten Zustand des Schalters gewährleistet sein muss und somit ein bestimmter Kontaktabstand gefordert ist. Kapazitives Übersprechen wird nur so hinreichend gering.To maximize the force F el , therefore, either the electrode base distance x 0 must be reduced or the electrode base area A must be increased. The minimum electrode distance x 0 to be set depends on the production technology and is generally between 1 and 10 μm. Any reduction of the electrode base distance x 0 is not permitted, since in addition to numerous technological problems, the separation of the high-frequency signal in the open state of the switch must be ensured and thus a certain contact distance is required. Capacitive crosstalk is only so sufficiently low.
Wesentlicher Parameter zur Erhöhung der Kontaktkraft ist damit die Elektrodengrundfläche A, welche abhängig von der eingesetzten Technologie einer Begrenzung der Vergrößerung unterliegt.essential Parameter for increasing the contact force is thus the electrode base area A, which depends on the technology used Limitation of the magnification is subject.
Das
in der
In
der Veröffentlichung von
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine mikromechanische Schaltervorrichtung zum Schalten einer HF-Signalleitung zu schaffen, die eine hohe Kontaktkraft für den Schaltkontakt zum Überbrücken der HF-Signalleitung zur Verfügung stellt und die klein und kostengünstig herzustellen ist und gute Hochfrequenzeigenschaften und hohe Zuverlässigkeit aufweist.Of the Invention is based on the object, a micromechanical switch device to provide for switching an RF signal line having a high contact force for the switching contact for bridging the RF signal line provides and the small and inexpensive to manufacture and good high frequency characteristics and has high reliability.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Hauptanspruchs in Verbindung mit den Merkmalen des Oberbegriffs gelöst.These The object is achieved by the characterizing Features of the main claim in conjunction with the features of Topic solved.
Dadurch, dass zwischen elektrostatischem Antrieb und Schaltkontakt eine Vorrichtung zur mechanischen Kraftverstärkung geschaltet ist, wird eine im Verhältnis zur Chipfläche und zur Aktuatorspannung bzw. Antriebsspannung höhere Kontaktkraft beim Schließen des Schaltkontakts ermöglicht. Dadurch kann die Zuverlässigkeit des Schaltens erhöht werden bzw. die zur Erzeugung der Kontaktkraft notwendige Elektrodenfläche verkleinert, wodurch die Aktuatorspannungen verringert werden, die Bauelementegröße sinkt und die Betriebsspannung kompatibel zu der von Geräten der Telekommunikationstechnik gemacht werden kann.Thereby, that between electrostatic drive and switching contact a device is switched to mechanical power amplification is one in relation to the chip area and to the actuator voltage or drive voltage higher contact force when closing of the switching contact allows. This can be the reliability of the switching to be increased or to generate the Contact force required electrode area reduced, causing the actuator voltages are reduced, the device size decreases and the operating voltage compatible with that of devices Telecommunications technology can be made.
Durch die in den Unteransprüchen angegebenen Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen möglich.By the measures specified in the dependent claims Advantageous developments and improvements are possible.
Besonders vorteilhaft ist, dass die Vorrichtung zur mechanischen Kraftverstärkung eine Hebelanordnung mit einem vorgegebenen Übersetzungsverhältnis aufweist, die über Federgelenke aufgehängt ist, da mit einer solchen Hebelanordnung die Kraft des elektrostatischen Antriebs verstärkt wird, wobei der Bewegungsweg des elektrostatischen Antriebs bezüglich des Stellwegs des Schaltkontakts vergrößert wird.It is particularly advantageous that the device for mechanical force amplification has a lever arrangement with a predetermined transmission ratio, which is suspended by spring joints, since with such a lever arrangement, the force of the electrostatic drive is amplified, wherein the movement away from the electrostatic drive with respect to the travel of the switching contact is increased.
Zusätzlich oder anstelle der Hebelanordnung ist vorteilhafterweise ein elastisches Element mit progressiver Wirkung oder eine Kupplung in den Kraftfluss des Antriebs zum Schaltkontakt geschaltet, wodurch insbesondere auch das öffnen des Schaltkontakts verbessert werden kann. Aufgrund der zunehmenden Dehnung des elastischen Elements mit progressiver Wirkung wird die auf den Schaltkontakt übertragene Kraft überproportional größer und durch die kinetische Energie der vergleichsweise schnelleren Bewegung des elektrostatischen Antriebs verstärkt. In vorteilhafter Weise wird bei dem mit einer Kupplung versehenen elektrostatischen Antrieb durch seine kinetische Energie die Kraft zum öffnen des Schaltelements und damit des Schalters erzeugt.additionally or instead of the lever arrangement is advantageously an elastic Element with progressive action or a coupling in the power flow the drive is switched to the switching contact, which in particular Also, the opening of the switch contact can be improved. Due to the increasing elongation of the elastic element with progressive Effect is transferred to the switching contact force disproportionately bigger and by the kinetic energy of the comparatively amplified faster movement of the electrostatic drive. Advantageously, in the provided with a clutch electrostatic drive by its kinetic energy the force to open the switching element and thus the switch generates.
Ein weiterer Vorteil der Verwendung eines elastischen Elementes mit progressiver Wirkung besteht darin, dass durch geeignete Dimensionierung des Federelements mit progressiver Wirkung bei Einsatz eines elektrostatischen Antriebs und der Variation des E lektrodenabstands der relativ geringen erzeugten elektrostatischen Kraft am Anfang des Bewegungsweges eine ebenfalls relativ geringe Kraft des Federelements entgegen wirken kann, , d. h. der elektrostatische Antrieb mit Variation des Elektrodenabstandes erzeugt eine bezüglich des Stellwegs progressiv zunehmende Kraft, die bei der Verwendung eines progressiven Federgelenks oder eines Federelements mit progressiver Wirkung besser hinsichtlich maximalem Stellweg und Endkraft ausgenutzt werden kann als bei Kombination mit einem linearen Federelement.One Another advantage of using an elastic element with progressive effect is that by appropriate sizing of the spring element with progressive action when using an electrostatic Drive and the variation of the E lektrodenabstands the relatively small generated electrostatic force at the beginning of the movement path a also counteract relatively low force of the spring element can, d. H. the electrostatic drive with variation of the electrode spacing produces a progressively increasing relative to the travel Force when using a progressive spring joint or a spring element with progressive effect better in terms maximum travel and end force can be exploited as in combination with a linear spring element.
Grundsätzlich ist die Variation des Elektrodenabstandes bei progressiver Feder sinnvoll, während die Variation der Elektrodenüberdeckung für Hebel mit hoher Übersetzung und bei einer Schwungmasse mit Kupplung zu wählen ist.in principle is the variation of the electrode gap with progressive spring useful while the variation of electrode coverage for levers with high translation and at one Flywheel with clutch to choose is.
In einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der elektrostatische Antrieb als Kammantrieb mit einer Mehrzahl von kammartig ausgebildeten feststehenden Elektroden und einer Mehrzahl von kammartig ausgebildeten beweglichen Elektroden, die ineinander greifen, vorgesehen. Mit Hilfe einer solchen Anordnung ist es möglich, eine sehr flächensparende Geometrie der Antriebskämme zu wählen.In a particularly preferred embodiment is the electrostatic drive as a comb drive with a plurality of comb-shaped fixed electrodes and a plurality of comb-shaped movable electrodes, which are intertwined grab, provided. With the help of such an arrangement, it is possible a very space-saving geometry of the drive combs to choose.
Vorteilhaft ist, dass das Schalterteil mittels der oberflächennahen Volumenmikrotechnologie hergestellt ist und der Antrieb eine laterale Aktuierung aufweist. Die Strukturierung von einkristallinem Silizium mittels anisotropen Trockenätzverfahren erlaubt eine weitgehende freie Gestaltung des Antriebs und der hochfrequenzführenden Baugruppen mit hohem Aspektverhältnis. Durch den Einsatz von Kammstrukturen kann die Elektrodengrundfläche bei gleicher Bauele mentegrundfläche stark vergrößert werden und die Realisierung von kleinen Kammabständen und die Implementierung von Kraftübersetzung sind somit möglich, wobei zusätzlich durch die Verwendung von einkristallinem Silizium als Funktionsschicht keine Materialspannungen auftreten.Advantageous is that the switch part by means of the near-surface Volume microtechnology is produced and the drive a lateral Actuation has. The structuring of monocrystalline silicon by means of anisotropic dry etching allows a substantial free design of the drive and the high-frequency-carrying Assemblies with a high aspect ratio. Because of the engagement of comb structures, the electrode base area at the same Compound floor area greatly increased and the realization of small ridges and the implementation of power transmission is thus possible additionally by the use of monocrystalline Silicon as a functional layer no material stresses occur.
In vorteilhafter Weise sind der elektrostatische Antrieb, die Hebelanordnung, die Federgelenke und gegebenenfalls das elastische Element mit progressiver Wirkung sowie die Kupplung aus einem hochohmigen Siliziumsubstrat strukturiert, wobei zwischen Antrieb und Schaltkontakt zur galvanischen Trennung der HF-Signalleitung ein Isolierbereich vorgesehen ist. In diesem Bereich bewirkt das hochohmige Silizium eine hinreichend gute Isolation zwischen der HF-Sigalleitung und dem elektrischen Antrieb. Dadurch kann der hochfrequenzführende Schaltkontakt von dem die Elektrodengrundfläche tragenden Antrieb elektrisch isoliert werden und es werden gute Hochfrequenzeigenschaften gewährleistet. Grundsätzlich ist durch die Verwendung von hochohmigem Silizium eine weitgehende elektrische Isolierung zwischen dem Antrieb und dem HF-Strompfad gegeben. Dadurch, dass der Widerstand der elektrischen Verbindung zwischen den Kontakten und dem Hebelmechanismus bzw. dem Aktor oder Antrieb im Vergleich zur Impedanz der zu schaltenden HF-Leitung, die in der Regel zwischen 30 Ohm und 300 Ohm liegt, relativ sehr groß ist, sind die Verluste an HF-Leistung geringer als bei einer Vielzahl bisheriger Schaltungsanordnungen. Bei diesen bisherigen Schalteranordnungen ist deshalb oft eine externe Entkopplung des HF-Strompfades von der Aktuierungsspannung erforderlich, die zusätzliche Bauteile und oft eine Frequenzabhängigkeit der Entkopplung verursacht. Derartige Nachteile werden mit der Erfindung vermie den.In Advantageously, the electrostatic drive, the lever arrangement, the spring joints and possibly the elastic element with progressive Effect and the coupling of a high-resistance silicon substrate structured, wherein between drive and switching contact for galvanic Separation of the RF signal line an insulating region is provided. In this area, the high-resistance silicon causes a sufficient good isolation between the RF signal line and the electrical Drive. As a result, the high-frequency-conducting switching contact from the drive carrying the electrode base electrically be isolated and good high-frequency characteristics are ensured. Basically, by the use of high-impedance Silicon a substantial electrical insulation between the drive and the RF current path. Because of the resistance of the electric Connection between the contacts and the lever mechanism or the actuator or drive compared to the impedance of the switching RF line, which is usually between 30 ohms and 300 ohms, relatively large, are the losses of RF power less than in a variety of previous circuitry. In these previous switch arrangements is therefore often an external Decoupling of the HF current path from the actuation voltage required, the additional components and often a frequency dependency caused the decoupling. Such disadvantages are with the invention avoid that.
Der Schaltkontakt kann starr oder vorzugsweise flexibel sein, da bei letzterem aufgrund seiner seitlichen Reibbewegung in Verbindung mit einer hohen Kontaktkraft die Zuverlässigkeit des Schalters erhöht wird.Of the Switching contact can be rigid or preferably flexible, since at the latter due to its lateral rubbing in conjunction with a high contact force the reliability of the switch is increased.
In vorteilhafter Weise sind der Antrieb, die Vorrichtung zur mechanischen Kraftverstärkung mit Schaltkontakt und die HF-Signalleitung innerhalb eines Bondrahmens des Schalterteils strukturiert, der mit einem Deckel dicht verbunden ist, wobei der Deckel Durchbrüche für den Zugang zu elektrischen Anschlussflächen in abgedichteter Weise aufweist. Durch die verwendete Kombination oberflächennaher Mikromechanik mit Verkapselungsmethoden, die eine gleichzeitige Verkapselung aller Elemente auf dem Substrat unter Einschluss beliebiger Gasarten und Drücke, insbesondere inerter oder reduzierender Gase gestattet und integrierte elektrische Durchführungen enthalten, wird eine kleine Bauform und Baugröße bei gleichzeitiger hoher Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit ermöglicht. Durch die Möglichkeit des hermetischen Verschießens auf Waferlevel kann der HF-Schalter mit herkömmlichen Technologien zur Bestückung von Leiterplatten verarbeitet werden und durch das Einschließen eines Vakuums können die Schaltzeiten verkleinert werden.Advantageously, the drive, the mechanical force amplification device with switching contact and the RF signal line are structured within a bonding frame of the switch part, which is tightly connected to a cover, wherein the cover apertures for access to electrical pads in a sealed manner. The combination of near-surface micromechanics and encapsulation techniques, which allow simultaneous encapsulation of all elements on the substrate, including any gas species and pressures, particularly inert or reducing gases, and integrated electrical feedthroughs, allows for a small package size, while providing high reliability and performance , The ability to hermetically fire at wafer level allows the RF switch to be processed with conventional PCB technology, and by including a vacuum, switching times can be reduced.
Wie ausgeführt, ist die Herstellungstechnologie für dieses Schalterkonzept eine oberflächennahe Volumentechnologie wie Air Gap Insulated Microstructure (AIM)-Technologie oder Single Crystal Reactive Ion Etching and Metallization (SCREAM)-Technologie unter Verwendung von hochresistivem Silizium als Wafermaterial. Für einen elektrostatischen Antrieb ermöglichen diese Technologien die Herstellung einer Elektrodenfläche, welche größer sein kann als die dafür verwendete Chipfläche. Weiterhin ermöglichen diese Technologien die galvanische Trennung der Hochfrequenzsignalleitung und des elektrostatischen Antriebs.As executed, is the manufacturing technology for This switch concept is a near-surface volume technology such as Air Gap Insulated Microstructure (AIM) technology or Single Crystal Reactive Ion Etching and Metallization (SCREAM) Technology using highly resistive silicon as the wafer material. For an electrostatic drive enable this Technologies the production of an electrode surface, which can be larger than the one used for it Chip area. Furthermore, these technologies enable the galvanic isolation of the high-frequency signal line and the electrostatic Drive.
Insgesamt wird erfindungsgemäß ein mikromechanischer HF-Schalter zur Verfügung gestellt, der bei gleichen Betriebsparametern und gleicher Chipgrundfläche wie bei HF-Schaltern nach dem Stand der Technik eine höhere Kontaktkraft erzeugt bzw. der für das Erzeugen einer hinsichtlich der erforderlichen Zuverlässigkeit entsprechenden Kontaktkraft eine niedrigere Aktuierungsspannung und/oder eine kleinere Chipgrundfläche benötigt. Zur Gewährleistung guter Hochfrequenzeigenschaften ist der Schaltkontakt vom Aktuator elektrisch isoliert und die Zuverlässigkeit des Schalters bei großer Anzahl von Schaltspielen, z. B. 109 hinsichtlich geringer Kontaktwiderstände in eingeschaltetem Zustand und hoher HF-Dämpfung im ausgeschalteten Zustand ist gegeben.Overall, a micromechanical RF switch is provided according to the invention, which generates a higher contact force at the same operating parameters and the same chip area as in RF switches according to the prior art or for generating a corresponding with the required reliability contact force a lower Aktuierungsspannung and / or a smaller chip footprint needed. To ensure good high frequency characteristics of the switch contact is electrically isolated from the actuator and the reliability of the switch with a large number of switching cycles, z. B. 10 9 in terms of low contact resistance in the on state and high RF attenuation in the off state is given.
Die Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigenThe The invention is illustrated in the drawing and will become apparent in the following Description explained in more detail. Show it
In
Für
ein zuverlässiges Schließen und öffnen
des Schalters und für einen geringen Kontaktwiderstand ist
jeweils eine bestimmte Kraft erforderlich. Die Kraft beim Öffnen
des Schaltkontakts wird ohne Kraft des elektrostatischen Antriebs
Die
vom elektrostatischen Antrieb
In
Die
HF-Leitung
Mit
Über
die Hebelanordnung
Durch
den Isolierbereich
In
In
Die
beweglichen Elektroden
Wie
in dem Ausführungsbeispiel nach
Auch
hier ist der Hebelarm
In
der
Ein
weiteres prinzipielles Ausführungsführungsbeispiel
ist in der
Ein
Vorteil der Ausführungsformen der
In
Der
elektrostatische Antrieb
Wie
oben im Zusammenhang mit
Der
elektrostatische Antrieb
Bei
allen Ausführungsformen wird der Schaltkontakt
In
Für
die Herstellung des elektrischen Kontakts zwischen den jeweiligen äußeren
Anschlüssen des HF-Schalters und der HF-Signalleitung
Im
Zusammenhang mit
Der
Verschluss und die Kontaktierung der Anschlussflächen wird
mit Hilfe des durchkontaktierten Deckels
In
Wie
schon im obigen Ausführungsbeispiel kann der Deckel in
einem Nass- oder Trockenätzprozess Vertiefungen
Das
Schalterteil
Die oben beschriebene Schalteranordnung kann in der mobilen Kommunikation zur Verbesserung der Flexibilität der Endgeräte eingesetzt werden. Die Verteilung der Übertragungskanäle auf mehrere, teilweise weit auseinander liegende Frequenzbänder erzwingt aufgrund begrenzter Filtersteilheiten und nicht beliebig breitbandig arbeitender Sender und Empfänger Kompromisse beim Entwurf von Antennen, Sender- und Empfängerschaltungen. Der Einsatz kleiner, hochwertiger mikromechanischer Hochfrequenzschalter nach der Erfindung wird in diesem Zusammenhang Verbesserungen hinsichtlich Einfügedämpfung, Isolation und vor allem hinsichtlich der Energieeffizienz bewirken.The The above-described switch arrangement can be used in mobile communication to improve the flexibility of the terminals be used. The distribution of the transmission channels on several, sometimes far apart frequency bands enforces due to limited filter slopes and not arbitrarily broadband working transmitter and receiver design compromises of antennas, transmitter and receiver circuits. The use small, high quality micromechanical high frequency switch after The invention will be improvements in this regard Insertion loss, isolation and above all in terms of effect energy efficiency.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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