DE102007011406A1

DE102007011406A1 - Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode und Halbleiterbauelement mit Schottky-Diode

Info

Publication number: DE102007011406A1
Application number: DE102007011406A
Authority: DE
Inventors: Hubert Dr. Enichlmair
Original assignee: Austriamicrosystems AG
Current assignee: Ams Osram AG
Priority date: 2007-03-08
Filing date: 2007-03-08
Publication date: 2008-09-18
Anticipated expiration: 2027-03-09
Also published as: DE102007011406B4; WO2008107263A1

Abstract

Bei Ausführungsbeispielen des Verfahrens wird auf eine Halbleiterschicht (1) eine weitere Schicht (3) aufgebracht, die von der Halbleiterschicht (1) erd in zwei Schritten durch Anwendung von Masken, die Strukturen unterschiedlicher Strukturbreiten aufweisen, unter Ausnutzung einer Überlappung der Strukturbreiten in Anteile strukturiert, so dass die Halbleiterschicht zwischen zwei Anteilen der strukturierten Schicht freigelegt ist. Zwischen diesen Anteilen wird eine Metallsilizidschicht (5) auf der Halbleiterschicht (1) hergestellt, so dass eine Schottky-Diode ausgebildet wird. Durch das Overlay der Strukturbreiten können die Anteile, die die Schottky-Diode einfassen, mit kleineren lateralen Abmessungen (E, E') hergestellt werden als mit nur einer Lithographie allein.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung einer Schottky-Diode mit niedrigem Serienwiderstand.
Schottky-Dioden werden durch hochohmige Metall-Halbleiter-Übergänge gebildet, bei denen das Halbleitermaterial relativ niedrig dotiert ist. Derartige Metall-Halbleiter-Übergänge haben elektrische Eigenschaften, die ähnlich den pn-Übergängen im dotierten Halbleitermaterial eine sehr unterschiedliche elektrische Leitfähigkeit je nach der Polung der angelegten Spannung aufweisen. Die Größen der Ströme in Flussrichtung und in Sperrrichtung werden u. a. bestimmt durch die Wahl des n-leitend oder p-leitend dotierten Halbleitermaterials, durch die Wahl des Metalls, durch die Dotierstoffkonzentration an dem Metall-Halbleiter-Übergang und durch die Geometrie der Anordnung. Für Anwendungen im Rahmen einer CMOS-Technologie, deren Bauelemente und integrierte Schaltungen für niedrige Betriebsspannungen vorgesehen sind, sollen die Schottky-Dioden eine ausreichend niedrige Einsatzspannung und einen niedrigen Serienwiderstand aufweisen.
Der Metall-Halbleiter-Übergang wird üblicherweise durch Aufbringen einer Metallschicht auf einen Halbleiterkörper hergestellt. Sowohl das Metall als auch das Halbleitermaterial müssen mit Anschlusskontakten versehen werden. Der für das Halbleitermaterial vorgesehene Anschlusskontakt aus elektrisch leitfähigem Material kann auf der Oberseite des Halbleiterkörpers seitlich zu dem Metall der Schottky-Diode angeordnet werden. Da der Metall-Halbleiter-Übergang des Kontak tes im Unterschied zu der Schottky-Diode möglichst niederohrig sein soll, wird der Halbleiterkontakt vorzugsweise auf einem hoch dotierten Halbleiterbereich aufgebracht. Für die Eigenschaften der Schottky-Diode sind die lateralen Abmessungen und insbesondere der Abstand zwischen den beiden Anschlusskontakten wichtig. Ein geringer Abstand zwischen den Anschlusskontakten verringert insbesondere den Serienwiderstand der Schottky-Diode.
In der US 2006/0125019 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung von Schottky-Dioden in einem CMOS-Prozess beschrieben.
Es wird nach Möglichkeiten gesucht, Schottky-Dioden mit verringertem Serienwiderstand herzustellen.
Eine solche Möglichkeit wird durch ein Verfahren eröffnet, bei dem auf einer Halbleiterschicht, zum Beispiel einem Halbleitersubstrat, eine weitere Schicht aufgebracht wird, die von der Halbleiterschicht elektrisch isoliert ist, und die weitere Schicht in zwei Schritten durch Anwendung von Masken, die Strukturen unterschiedlicher Strukturbreiten aufweisen, unter Ausnutzung einer Überlappung der Strukturbreiten in Anteile strukturiert wird. Auf diese Weise wird die Halbleiterschicht zwischen zwei Anteilen der weiteren Schicht freigelegt. Zumindest zwischen diesen Anteilen der weiteren Schicht wird eine Metallsilizidschicht auf der Halbleiterschicht hergestellt, so dass zwischen der Halbleiterschicht und der Metallsilizidschicht eine Schottky-Diode ausgebildet wird. Durch die Überlappung der Strukturbreiten der Masken wird erreicht, dass an die Schottky-Diode angrenzende restliche Anteile der weiteren Schicht sehr kleine Abmessungen besitzen, die insbesondere kleiner sind als Abmessungen, die mit einem einzigen Maskenschritt oder Lithographieschritt hergestellt werden können.
Die weitere Schicht kann insbesondere eine Elektrodenschicht aus elektrisch leitfähigem Material sein, die auch für Gate-Elektroden von CMOS-Transistoren vorgesehen ist. Mit einer Implantation von Dotierstoff können dotierte Bereiche in der Halbleiterschicht ausgebildet werden, wobei Anteile der strukturierten Elektrodenschicht als Maske verwendet werden können. Die dotierten Bereiche können für einen Anschluss der Schottky-Diode verwendet werden. Weitere dotierte Bereiche können als Source-Bereiche und Drain-Bereiche von Transistoren vorgesehen werden.
Es folgt eine genauere Beschreibung von Ausführungsbeispielen des Verfahrens anhand der beigefügten Figuren.
Die 1 zeigt einen Querschnitt durch ein Zwischenprodukt eines ersten Ausführungsbeispiels.
Die 2 zeigt einen Querschnitt gemäß der 1 nach dem Aufbringen einer Metallsilizidschicht.
Die 3 zeigt einen Querschnitt gemäß der 2 nach dem Strukturieren der Metallsilizidschicht und einer Implantation von Dotierstoff.
Die 4 zeigt einen Querschnitt gemäß der 1 für ein weiteres Ausführungsbeispiel.
Die 5 zeigt einen Querschnitt gemäß der 4 nach dem Einlegieren einer Metallschicht.
Die 1 zeigt einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement nach ersten Schritten eines Ausführungsbeispiels des Verfahrens. Falls das Verfahren im Rahmen eines CMOS-Prozesses ausgeführt wird, sind in einer Halbleiterschicht oder einem Halbleitersubstrat 1 dotierte Wannen 11 und Isolationsbereiche, beispielsweise STI (shallow trench isolation) und/oder Feldoxid-Bereiche, in einer für den betreffenden Prozess an sich vorgesehenen Weise hergestellt worden. Implantierungen zur Einstellung der Schwellenspannung der Transistoren können vorgenommen sein, und eine Dielektrikumschicht 2, zum Beispiel ein Gateoxid, und eine Elektrodenschicht 3 für Gate-Elektroden sind hergestellt. Die Elektrodenschicht 3 ist in diesem Beispiel die oben angegebene weitere Schicht, die durch die Dielektrikumschicht 2 von der Halbleiterschicht elektrisch isoliert ist. Die Elektrodenschicht 3 kann leitfähig dotiertes Polysilizium sein. Je nach Ausführungsform der Schottky-Diode kann das betreffende Halbleitermaterial, in dem Beispiel der 1 die dotierte Wanne 11, schwach n-leitend oder schwach p-leitend dotiert sein. Es wird eine Maske 12 mit einem Fenster einer ersten Strukturbreite D hergestellt. Die Maske 12 ist in diesem Beispiel eine Lackmaske, die in an sich bekannter Weise fotolithographisch strukturiert werden kann. Unter Verwendung dieser Maske 12 wird eine Öffnung in der Elektrodenschicht 3 und der Dielektrikumschicht 2 hergestellt, so dass im Bereich der herzustellenden Schottky-Diode die Oberseite des Halbleitermateriales freigelegt ist. Die Öffnung in der Elektrodenschicht 3 kann zum Beispiel durch anisotropes Plasmaätzen hergestellt werden. Es kann sich ein nasschemischer Ätzschritt anschließen, mit dem die Dielektrikumschicht 2 in der Öffnung entfernt wird und gegebenenfalls Oxid, das sich auf der Elektrodenschicht 3 gebildet hat, (native Oxide) beseitigt wird.
Die 2 zeigt einen Querschnitt eines weiteren Zwischenproduktes, nachdem die Öffnung 4 ausgebildet und eine Metallsilizidschicht 5 hergestellt worden ist. Die Metallsilizidschicht 5 kann in dem vorgesehenen stöchiometrischen Verhältnis von Metall und Silizium abgeschieden werden. Das kann bei relativ niedrigen Temperaturen von typisch etwa 400° Celsius erfolgen. Durch das Einstellen der stöchiometrischen Zusammensetzung bereits beim Abscheiden der Metallsilizidschicht können die Eigenschaften des elektrischen Überganges der Schottky-Diode sehr gut eingestellt werden. Statt das Metallsilizid direkt abzuscheiden, ist es aber auch möglich, zunächst eine Metallschicht aufzubringen und das Metall anschließend durch einen Temperschritt in das Silizium der Halbleiterschicht einzulegieren, so dass Metallsilizid gebildet wird. Der Übergangsbereich zwischen Metall und Halbleitermaterial, der für die Schottky-Diode vorgesehen ist, entspricht dem Bereich, in dem die Metallsilizidschicht 5 mit dem Halbleitermaterial in Kontakt ist. Mittels einer weiteren Maske 12' mit einer Strukturbreite L, die die Öffnung 4 überlappt, werden die Metallsilizidschicht 5 und die Elektrodenschicht 3 strukturiert. Der Stapel aus Elektrodenschicht 3 und Metallsilizidschicht 5 kann außerhalb der Schottky-Diode als Gate-Elektrodenstapel für CMOS-Transistoren vorgesehen und entsprechend strukturiert werden.
Die 3 zeigt einen Querschnitt gemäß der 2 nach dem Strukturieren der Metallsilizidschicht 5 und der Elektrodenschicht 3. Die Flanken der verbliebenen Anteile der Elektrodenschicht 3 und der Metallsilizidschicht 5 können mit Seitenwandspacern 8, zum Beispiel aus Oxid, bedeckt werden. Zusammen mit dieser Strukturierung können die Gate-Elektrodenstapel der Transistoren hergestellt werden. Es erfolgt dann eine Implantation von Dotierstoff selbstjustiert zu der strukturierten Elektrodenschicht 3 und den Seitenwandspacern 8, womit die dotierten Bereiche 6 ausgebildet werden, die als Anschlussbereiche der Schottky-Diode und gegebenenfalls als Source-Bereiche und Drain-Bereiche der Transistoren vorgesehen sind. Vor dem Herstellen der Seitenwandspacer 8 kann eine weitere Implantation von Dotierstoff erfolgen, mit der im Vergleich zu den dotierten Bereichen 6 niedrig dotierte Bereiche 9 hergestellt werden, die bei den Transistoren als LDD-Bereiche (lightly doped drain) vorgesehen sind. Die für die niedrig dotierten Bereiche 9 vorgesehene Implantation kann unter einem schrägen Winkel erfolgen, so dass die niedrig dotierten Bereiche 9 teilweise unter die verbleibenden Anteile der Elektrodenschicht 3 reichen. Für den elektrischen Anschluss der Schottky-Diode werden die in der 3 schematisch eingezeichneten Anschlusskontakte 7 vorgesehen.
Da die Öffnung 4 mit einer ersten Strukturbreite D der Maske 12 hergestellt worden ist und die Metallsilizidschicht 5 und die Elektrodenschicht 3 mit der zweiten Strukturbreite L der weiteren Maske 12' strukturiert worden sind, besitzen die verbleibenden Anteile der Elektrodenschicht 3 die lateralen Abmessungen E, E', die sich beidseitig aus der Differenz der zweiten Strukturbreite L und der ersten Strukturbreite D ergeben. Die Abmessungen E, E' können gleich sein, wie in der 3 dargestellt ist, oder aber auch im Rahmen der Herstellungstoleranzen etwas verschieden sein. Wenn die erste Strukturbreite D insbesondere der mit der Lithographie minimal herstellbaren Strukturbreite entspricht und die zweite Strukturbreite L nur wenig größer ist, können die Abmessungen E, E' deutlich kleiner hergestellt werden, als es ohne Ausnutzung der Überlappung der Strukturbreiten allein mit der Lithographie möglich wäre. Der Unterschied zwischen der zwei ten Strukturbreite L und der ersten Strukturbreite D wird so gewählt, dass unter Berücksichtigung der Herstellungstoleranzen die Öffnung 4 vollständig innerhalb des strukturierten Anteils der Elektrodenschicht 3 bleibt und auf beiden Seiten der Öffnung 4 Anteile der Elektrodenschicht 3 stehen bleiben. Es ist dabei nicht erforderlich, dass die Anordnung wie in der 3 gezeigt genau symmetrisch ausgebildet wird. Dadurch, dass die weitere Maske 12' die Öffnung 4 abdeckt und seitlich überragt, ist es möglich, die in der 3 dargestellten restlichen Anteile der Elektrodenschicht 3, die die Schottky-Diode einfassen, mit kleineren Abmessungen E, E' auszubilden, als es mit einer direkten Anwendung von Lithographie auf die Strukturierung dieser Anteile möglich wäre. Es wird hierbei die Überlappung (overlay) der Strukturbreiten der verwendeten Masken 12, 12' ausgenutzt.
Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel des Verfahrens wird entsprechend dem Querschnitt der 4 nach dem Herstellen der Dielektrikumschicht 2 und der Elektrodenschicht 3 zunächst ein Anteil dieser Schichten mit der zweiten Strukturbreite L strukturiert. Gegebenenfalls können die in der 4 eingezeichneten Seitenwandspacer 8 aufgebracht werden, nachdem eine erste Implantation zur Ausbildung der niedrig dotierten Bereiche 9 erfolgt ist. Die dotierten Bereiche 6 werden dann selbstjustiert bezüglich des strukturierten Anteils der Elektrodenschicht 3 einschließlich der Seitenwandspacer 8 implantiert. Die äußeren Ränder der dotierten Bereiche 6 werden vorzugsweise mit Isolationsbereichen 10 begrenzt. Zur Herstellung einer Öffnung in der Elektrodenschicht 3 wird auch hier eine Maske 12 mit einer Strukturbreite D, die der lateralen Abmessung der Öffnung entspricht, verwendet.
Die 5 zeigt einen Querschnitt gemäß der 4 nach dem Herstellen der Öffnung 4 mit der lateralen Abmessung, die der Strukturbreite D der Maske 12 entspricht. Die verbleibenden Anteile der Elektrodenschicht 3 besitzen daher auch in diesem Beispiel Abmessungen E, E', die sich aus der Differenz zwischen der zweiten Strukturbreite L und der ersten Strukturbreite D ergeben. Die Abmessungen E, E' können daher wie bereits oben erläutert deutlich kleiner hergestellt werden als mit einer einzigen Anwendung der Lithographie möglich wäre. Wenn bei diesem Ausführungsbeispiel keine weiteren Strukturierungsschritte vorgesehen sind, wird als Halbleiterschicht 1 Silizium verwendet und die herzustellende Metallsilizidschicht 5 durch Aufbringen einer Metallschicht hergestellt, die anschließend in einem Temperschritt in das Silizium der Halbleiterschicht 1 einlegiert wird. Restliches Metall wird dann selektiv zu dem so gebildeten Metallsilizid entfernt. Es verbleiben so nur die in der 5 erkennbaren Anteile der Metallsilizidschicht 5, wobei gegebenenfalls auch auf den inneren Flanken der verbleibenden Anteile der Elektrodenschicht 3 ein Metallsilizid gebildet werden kann. Die Seitenwandspacer 8 bewirken, dass die auf den dotierten Bereichen 6 hergestellten Anteile der Metallsilizidschicht 5 von den übrigen Anteilen getrennt sind, so dass die Anteile getrennt voneinander elektrisch kontaktiert werden können. Dafür werden die in der 5 schematisch eingezeichneten Anschlusskontakte 7 vorgesehen.
Ein Halbleiterbauelement, das mit einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens gemäß den 1 bis 3 hergestellt worden ist, besitzt auf einer Halbleiterschicht 1 eine weitere Schicht 3, die von der Halbleiterschicht elektrisch isoliert ist und die mindestens zwei Anteile aufweist, zwischen denen eine Metallsilizidschicht 5 vorhanden ist. Die Metallsilizid schicht bildet auf der Halbleiterschicht eine Schottky-Diode und enthält abgeschiedenes Metallsilizid.
Insbesondere können die Flanken der Anteile der weiteren Schicht, die die Schottky-Diode einfassen, die Schottky-Diode seitlich begrenzen, und die Metallsilizidschicht kann auch auf diesen Flanken und auf den von der Halbleiterschicht abgewandten Oberseite dieser Anteile der weiteren Schicht vorhanden sein. Auf den von der Schottky-Diode abgewandten Seiten der verbliebenen Anteile der weiteren Schicht, die die Schottky-Diode einfassen, befinden sich in der Halbleiterschicht insbesondere dotierte Bereiche 6, die von der Schottky-Diode getrennt sind durch Bereiche der Halbleiterschicht, die niedriger dotiert sind als die dotierten Bereiche und die von einem Anteil der weiteren Schicht bedeckt sind. Es können ferner CMOS-Transistoren mit Gate-Elektroden integriert sein, und die Gate-Elektroden können minimale laterale Abmessungen aufweisen, die größer sind als die minimalen lateralen Abmessungen E, E' derjenigen Anteile der weiteren Schicht, die die Schottky-Diode einfassen.
Die Ausführungsbeispiele des Verfahrens können insbesondere bei allen CMOS-Technologien angewendet werden, die für ein Gate-Modul eine Silizid- oder Salizid-Technologie nutzen. Bei einer Silizid-Technologie wird ein Metall auf Silizium aufgebracht und silizidiert, was zum Beispiel durch Einlegieren bei erhöhter Temperatur geschieht. Salizid (selfaligned silicide) steht hier für das an sich bekannte Verfahren der selbstjustierten Herstellung von Metallsilizidstrukturen. Eine Abscheidung der Metallsilizidschicht, zum Beispiel mittels CVD (chemical vapor deposition) auf kristallines Silizium, hat den Vorteil, dass die elektrischen Parameter der Schottky-Diode besser und mit geringeren Prozesstoleranzen eingestellt werden können. Durch die Minimierung des Abstandes zwischen dem Schottky-Übergang und dem Gegenkontakt auf dem Halbleitermaterial, d. h. auf den dotierten Bereichen 6, wird der Serienwiderstand der Schottky-Diode optimiert. Die Abmessungen E, E' können insbesondere im Rahmen der Overlay-Genauigkeit der Lithographiemasken mit Werten bis herab zu 0,3 μm oder auch 0,2 μm ausgebildet werden. Durch zusätzlich vorgesehene niedrig dotierte Bereiche 9 nach Art von LDD-Bereichen kann die für den Serienwiderstand der Schottky-Diode wesentliche Abmessung innerhalb des Halbleitermateriales gegenüber den Strukturabmessungen E, E' nochmals verringert werden. Auf diese Weise ist es möglich, Schottky-Dioden, die einen deutlich verringerten Serienwiderstand aufweisen und somit insbesondere für integrierte Schaltungen in CMOS-Technologie geeignet sind, in einem CMOS-Chip zu integrieren.

1: Halbleiterschicht/Halbleitersubstrat
2: Dielektrikumschicht
3: weitere Schicht/Elektrodenschicht
4: Öffnung
5: Metallsilizidschicht
6: dotierter Bereich
7: Anschlusskontakt
8: Seitenwandspacer
9: niedrig dotierter Bereich
10: Isolationsbereich
11: dotierte Wanne
12: Maske
12': weitere Maske
D: erste Strukturbreite
E: Abmessung
E': Abmessung
L: zweite Strukturbreite

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- US 2006/0125019 A1 [0004]

Claims

Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode, bei dem auf einer Halbleiterschicht (1) eine weitere Schicht (3) aufgebracht wird, die von der Halbleiterschicht (1) elektrisch isoliert ist, die weitere Schicht (3) in zwei Schritten durch Anwendung von Masken (12, 12'), die Strukturen unterschiedlicher Strukturbreiten (D, L) aufweisen, unter Ausnutzung einer Überlappung der Strukturbreiten (D, L) strukturiert wird, so dass die Halbleiterschicht (1) zwischen Anteilen der weiteren Schicht (3) freigelegt ist, und zumindest zwischen diesen Anteilen der weiteren Schicht (3) eine Metallsilizidschicht (5) auf der Halbleiterschicht (1) hergestellt wird, so dass zwischen der Halbleiterschicht (1) und der Metallsilizidschicht (5) eine Schottky-Diode ausgebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die weitere Schicht (3) strukturiert wird, indem eine Öffnung (4) einer ersten Strukturbreite (D) in der weiteren Schicht (3) hergestellt und die Halbleiterschicht (1) in der Öffnung (4) freigelegt wird, eine Metallsilizidschicht (5) hergestellt wird, unter Verwendung einer Maske (12'), die eine zweite Strukturbreite (L) aufweist, die größer ist als die erste Strukturbreite (D), und die die Öffnung (4) abdeckt und seitlich überragt, die Metallsilizidschicht (5) und die weitere Schicht (3) strukturiert werden, dotierte Bereiche (6) in der Halbleiterschicht (1) durch eine Implantation von Dotierstoff hergestellt werden und ein restlicher Anteil der Metallsilizidschicht (5) und mindestens ein dotierter Bereich (6) mit Anschlusskontakten (7) versehen werden.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Metallsilizidschicht (5) abgeschieden wird.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Halbleiterschicht (1) Silizium ist und die Metallsilizidschicht (5) hergestellt wird, indem ein Metall abgeschieden und silizidiert wird.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Halbleiterschicht (1) Silizium ist, die weitere Schicht (3) in mindestens einen Anteil einer zweiten Strukturbreite (L) strukturiert wird, dotierte Bereiche (6) in der Halbleiterschicht (1) durch eine Implantation von Dotierstoff hergestellt werden, danach eine Öffnung (4) einer ersten Strukturbreite (D), die kleiner ist als die zweite Strukturbreite (L), in dem Anteil der weiteren Schicht (3) hergestellt und in der Öffnung (4) die Halbleiterschicht (1) freigelegt wird, ein Metall aufgebracht und in der Öffnung (4) und auf den dotierten Bereichen (6) silizidiert wird und getrennte Anteile der Metallsilizidschicht (5) mit Anschlusskontakten (7) versehen werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die weitere Schicht hergestellt wird, indem eine Dielektrikumschicht (2) und darauf eine Elektrodenschicht (3) aus einem elektrisch leitfähigen Material hergestellt werden.
Halbleiterbauelement mit einer Schottky-Diode, bei dem auf einer Halbleiterschicht (1) eine weitere Schicht (3) vorhanden ist, die von der Halbleiterschicht (1) elektrisch isoliert ist und eine Struktur in Anteile aufweist, zwischen zwei Anteilen der weiteren Schicht (3) eine Metallsilizidschicht (5) vorhanden ist, die auf der Halbleiterschicht (1) eine Schottky-Diode bildet, und die Metallsilizidschicht (5) abgeschiedenes Metallsilizid enthält.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, bei dem Anteile der weiteren Schicht (3), die die Schottky-Diode einfassen, Flanken besitzen, die die Schottky-Diode seitlich begrenzen, und die Metallsilizidschicht (5) auch diese Flanken sowie eine von der Halbleiterschicht (1) abgewandte Oberseite dieser Anteile der weiteren Schicht (3) bedeckt.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 7 oder 8, bei dem dotierte Bereiche (6) in der Halbleiterschicht (1) ausgebildet sind und diese dotierten Bereiche (6) von der Schottky-Diode durch Bereiche der Halbleiterschicht (1) getrennt sind, die niedriger dotiert sind als die dotierten Bereiche (6) und die von einem Anteil der weiteren Schicht (3) bedeckt sind.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei dem CMOS-Transistoren mit Gate-Elektroden integriert sind und die Gate-Elektroden minimale laterale Abmessungen aufweisen, die größer sind als minimale laterale Abmessungen (E, E') von Anteilen der weiteren Schicht (3), die die Schottky-Diode einfassen.