DE102007016901A1

DE102007016901A1 - Semiconductor component i.e. direct current-direct current converter, for use in electronic module, has power semiconductor chips applied on respective carriers that are arranged such that extensions point in different directions

Info

Publication number: DE102007016901A1
Application number: DE102007016901A
Authority: DE
Inventors: Ralf Otremba; Lutz Görgens; Gerhard Nöbauer; Charlie Tan Tien Lay; Erwin Huber; Marco Pürschel; Gilles Delarozee; Markus Dinkel
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2007-04-10
Filing date: 2007-04-10
Publication date: 2008-10-30
Anticipated expiration: 2027-04-11
Also published as: DE102007016901B4

Abstract

The component (100) has carriers (101, 102) with external contact elements forming extensions (105, 106), respectively. Power semiconductor chips (103, 104) e.g. MOSFET power transistor, having vertical structures are applied on the carriers, respectively. The carriers are arranged such that the extensions point in different directions, and the chips have the respective contact elements on main surfaces. The main surfaces face the carriers to which the contact elements are respectively connected. The semiconductor chips are arranged such that their structures are rotated against each other. An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor component.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements.The The invention relates to a semiconductor device and a method for Production of a semiconductor device.

In Halbleiterbauelemente können beispielsweise Leistungshalbleiterchips integriert sein. Leistungshalbleiterchips eignen sich insbesondere zum Schalten oder Steuern von Strömen und/oder Spannungen.In Semiconductor devices can For example, be integrated power semiconductor chips. Power semiconductor chips are particularly suitable for switching or controlling currents and / or Tensions.

Vor diesem Hintergrund werden ein Bauelement gemäß den unabhängigen Ansprüchen 1, 15, 18, 25 und 26, ein elektronisches Modul gemäß dem unabhängigen Anspruch 12 und ein Verfahren gemäß dem unabhängigen Anspruch 21 angegeben. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.In front In this background, a component according to the independent claims 1, 15, 18, 25 and 26, an electronic module according to independent claim 12 and a Method according to the independent claim 21 indicated. Advantageous developments and refinements are in the subclaims specified.

Gemäß einer Ausgestaltung umfasst ein Bauelement einen ersten Träger, einen zweiten Träger, einen auf den ersten Träger aufgebrachten ersten Halbleiterchip und einen auf den zweiten Träger aufgebrachten zweiten Halbleiterchip. Die beiden Halbleiterchips besitzen jeweils eine vertikale Struktur. Der erste Träger besitzt einen ersten Fortsatz, welcher ein erstes Außenkontaktelement bildet. Der zweite Träger besitzt einen zweiten Fortsatz, welcher ein zweites Außenkontaktelement bildet. Der erste und der zweite Träger sind derart angeordnet, dass der erste und der zweite Fortsatz in unterschiedliche Richtungen zeigen.According to one Embodiment, a component comprises a first carrier, a second carrier, one on the first carrier applied first semiconductor chip and one applied to the second carrier second semiconductor chip. The two semiconductor chips each have a vertical structure. The first carrier has a first extension, which a first external contact element forms. The second carrier has a second extension, which has a second outer contact element forms. The first and the second carrier are arranged such that the first and the second extension in different directions demonstrate.

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung umfasst ein Bauelement in mindestens zwei Reihen angeordnete Außenkontaktelemente, einen ersten Leistungstransistor und einen zweiten Leistungstransistor. Ein Drain-Anschluss des ersten Leistungstransistors ist mit einem Ersten der Außenkontaktelemente verbunden. Ein Source-Anschluss des zweiten Leistungstransistors ist mit einem Zweiten der Außenkontaktelemente verbunden. Das erste und das zweite Außenkontaktelement sind in der gleichen, ersten Reihe angeordnet.According to one Another embodiment comprises a component in at least two Rows arranged external contact elements, a first power transistor and a second power transistor. A drain terminal of the first power transistor is connected to a First of the external contact elements connected. A source terminal of the second power transistor is with a second of the external contact elements connected. The first and second external contact elements are in the same, first row arranged.

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung umfasst ein Bauelement in mindestens zwei Reihen angeordnete Außenkontaktelemente, einen Leistungstransistor und eine Leistungsdiode. Ein Drain-Anschluss des Leistungstransistors ist mit einem Ersten der Außenkontaktelemente verbunden. Ein Anoden-Anschluss der Leistungsdiode ist mit einem Zweiten der Außenkontaktelemente verbunden. Das erste und das zweite Außenkontaktelement sind in der gleichen, ersten Reihe angeordnet.According to one Another embodiment comprises a component in at least two Rows arranged external contact elements, a power transistor and a power diode. A drain terminal of the power transistor is with a first of the external contact elements connected. An anode terminal of the power diode is second the external contact elements connected. The first and second external contact elements are in the same, first row arranged.

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung umfasst ein Bauelement in einer Reihe angeordnete Außenkontaktelemente, einen ersten Leistungstransistor und einen zweiten Leistungstransistor. Ein Drain-Anschluss des ersten Leistungstransistors ist mit einem Ersten der Außenkontaktelemente verbunden. Ein Source-Anschluss des zweiten Leistungstransistors ist mit einem Zweiten der Außenkontaktelemente verbunden. Das erste und das zweite Außenkontaktelement sind benachbart angeordnet.According to one Another embodiment comprises a component arranged in a row External contact elements a first power transistor and a second power transistor. A drain terminal of the first power transistor is connected to a First of the external contact elements connected. A source connection of the second power transistor is connected to a second of the external contact elements connected. The first and second outer contact elements are adjacent arranged.

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung umfasst ein Bauelement in einer Reihe angeordnete Außenkontaktelemente, einen Leistungstransistor und eine Leistungsdiode. Ein Drain-Anschluss des Leistungstransistors ist mit einem Ersten der Außenkontaktelemente verbunden. Ein Anoden-Anschluss der Leistungsdiode ist mit einem Zweiten der Außenkontaktelemente verbunden. Das erste und das zweite Außenkontaktelement sind benachbart angeordnet.According to one Another embodiment comprises a component arranged in a row External contact elements a power transistor and a power diode. A drain connection of the power transistor is connected to a first of the external contact elements connected. An anode connection of the power diode is with a Second of the external contact elements connected. The first and second outer contact elements are adjacent arranged.

Die Erfindung wird nachfolgend in beispielhafter Weise unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. In diesen zeigen:The Invention will now be described by way of example with reference to FIG closer to the drawings explained. In these show:

1 eine schematische Darstellung eines Bauelements 100 als Ausführungsbeispiel; 1 a schematic representation of a device 100 as an embodiment;

2 eine schematische Darstellung eines Bauelements 200 als weiteres Ausführungsbeispiel; 2 a schematic representation of a device 200 as another embodiment;

3 eine schematische Darstellung eines Bauelements 300 als weiteres Ausführungsbeispiel; 3 a schematic representation of a device 300 as another embodiment;

4 eine schematische Darstellung eines Bauelements 400 als weiteres Ausführungsbeispiel; 4 a schematic representation of a device 400 as another embodiment;

5 eine schematische Darstellung eines Bauelements 500 als weiteres Ausführungsbeispiel; 5 a schematic representation of a device 500 as another embodiment;

6 eine schematische Darstellung eines Bauelements 600 als weiteres Ausführungsbeispiel; 6 a schematic representation of a device 600 as another embodiment;

7 eine Prinzipschaltung eines DC-DC-Wandlers 700; 7 a basic circuit of a DC-DC converter 700 ;

8 eine schematische Darstellung eines Moduls 800 als weiteres Ausführungsbeispiel; und 8th a schematic representation of a module 800 as another embodiment; and

9A bis 9D eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur Herstellung des Bauelements 400 als weiteres Ausführungsbeispiel. 9A to 9D a schematic representation of a method for producing the device 400 as another embodiment.

Im Folgenden werden Bauelemente, die Halbleiterchips enthalten, beschrieben. Dabei kommt es nicht auf die spezielle Ausführung der Halbleiterchips an. Die Halbleiterchips können beispielsweise integrierte Schaltungen beliebiger Form, Leistungstransistoren, Leistungsdioden, Mikroprozessoren oder mikroelektromechanische Bauelemente sein. Es kann sich insbesondere um Halbleiterchips mit einer vertikalen Struktur handeln, d. h. die Halbleiterchips können so gefertigt sein, dass elektrische Ströme in einer Richtung senkrecht zu den Hauptoberflächen des Halbleiterchips fließen können. Ein Halbleiterchip mit einer vertikalen Struktur kann insbesondere auf seinen beiden Hauptoberflächen, d. h. auf seiner Ober- und Unterseite, Kontaktelemente aufweisen. Insbesondere Leistungstransistoren und Leistungsdioden können eine vertikale Struktur besitzen. Beispielsweise können sich der Source- und Gate-Anschluss eines Leistungstransistors bzw. der Anoden-Anschluss einer Leistungsdiode auf einer Hauptoberfläche befinden, während der Drain-Anschluss des Leistungstransistors bzw. der Kathoden-Anschluss der Leistungsdiode auf der anderen Hauptoberfläche angeordnet sind. Eine Leistungsdiode kann insbesondere als Schottky-Diode ausgeführt sein. Die Halbleiterchips müssen aus keinem speziellen Halbleitermaterial gefertigt sein, sie können zudem auch nicht-leitende anorganische und/oder organische Materialien enthalten. Die Halbleiterchips können gehäust oder ungehäust sein.In the following, components containing semiconductor chips will be described. It does not depend on the special design of the semiconductor chips. The semiconductor chips may be, for example, integrated circuits of any shape, power transistors, power diodes, microprocessors or microelectromechanical components. In particular, these can be semiconductor chips with a vertical structure, ie the semiconductor chips can be manufactured in such a way that electrical currents are generated me in a direction perpendicular to the main surfaces of the semiconductor chip can flow. A semiconductor chip with a vertical structure may have contact elements, in particular on its two main surfaces, ie on its top and bottom sides. In particular, power transistors and power diodes may have a vertical structure. For example, the source and gate terminal of one power transistor and the anode terminal of a power diode can be located on one main surface, while the drain terminal of the power transistor and the cathode terminal of the power diode are arranged on the other main surface. A power diode may be designed in particular as a Schottky diode. The semiconductor chips need not be made of any special semiconductor material, they may also contain non-conductive inorganic and / or organic materials. The semiconductor chips can be housed or unhoused.

Die Halbleiterchips können Kontaktelemente aufweisen, die eine elektrische Kontaktierung der Halbleiterchips ermöglichen. Die Kontaktelemente können aus einem beliebigen leitfähigen Material bestehen, beispielsweise aus einem Metall, wie z. B. Aluminium, Gold oder Kupfer, einer Metalllegierung oder einem leitfähigen organischen Material.The Semiconductor chips can Have contact elements, which is an electrical contacting of the semiconductor chips enable. The contact elements can from any conductive Material consist of, for example, a metal such. Aluminum, Gold or copper, a metal alloy or a conductive organic Material.

Die Halbleiterchips können auf Trägern angeordnet sein. Die Träger können unter anderem als Wärmesenke zum Abführen der von den Halbleiterchips erzeugten Wärme dienen. Die Träger können aus elektrisch leitenden Materialien, wie z. B. Kupfer oder Eisen-Nickel-Legierungen, bestehen. Die Träger können jeweils mit einem Kontaktelement des Halbleiterchips, mit welchem der Halbleiterchip auf dem Träger sitzt, elektrisch verbunden sein. Die elektrischen Verbindungen können z. B. durch Reflow-Löten, Vakuumlöten, Diffusionslöten oder Verkleben mittels eines leitfähigen Klebstoffs erzeugt werden.The Semiconductor chips can on carriers be arranged. The carriers can among other things as a heat sink for discharging serve the heat generated by the semiconductor chips. The carriers can be out electrically conductive materials, such as. As copper or iron-nickel alloys, consist. The carriers can each with a contact element of the semiconductor chip, with which the semiconductor chip on the carrier sits, be electrically connected. The electrical connections can z. By reflow soldering, Vacuum brazing, diffusion soldering or bonding by means of a conductive adhesive.

Falls Diffusionslöten als Verbindungstechnik zwischen Träger und Halbleiterchip eingesetzt wird, können Lotmaterialien verwendet werden, die nach Beendigung des Lötvorgangs an der Grenzfläche zwischen Träger und Halbleiterchip aufgrund von Grenzflächendiffusionsprozessen zu intermetallischen Phasen führen. Hierbei ist für Kupfer- oder Eisen-Nickel-Träger beispielsweise die Verwendung von AuSn-, AgSn-, CuSn, AgIn-, AuIn- oder CuIn-Loten denkbar.If diffusion soldering used as a connection between the carrier and semiconductor chip will, can Solder materials are used after completion of the soldering process at the interface between carrier and semiconductor chip due to interfacial diffusion processes lead intermetallic phases. This is for Copper or iron-nickel carrier For example, the use of AuSn, AgSn, CuSn, AgIn, AuIn or CuIn solders conceivable.

Sofern die Träger mit den Halbleiterchips verklebt werden, können leitfähige Klebstoffe verwendet werden. Die Klebstoffe können z. B. auf Epoxidharzen basieren und zur Erzeugung der elektrischen Leitfähigkeit mit Gold, Silber, Nickel oder Kupfer angereichert sein.Provided the carriers are glued to the semiconductor chips, conductive adhesives can be used. The adhesives can z. B. based on epoxy resins and for generating the electrical conductivity enriched with gold, silver, nickel or copper.

Die Träger können Fortsätze aufweisen. Ein Fortsatz eines Trägers kann beispielsweise eine Verjüngung des Trägers in einer bestimmten Richtung sein. Insbesondere kann der Fortsatz einstückig mit dem Träger verbunden sein. Jeweils zwei Träger können Fortsätze aufweisen, die in unterschiedliche Richtungen zeigen. Demnach können die beiden Fortsätze mit der Ausnahme, dass sie in die gleiche Richtung zeigen, beliebige Winkel miteinander einschließen. Insbesondere können die Fortsätze in entgegengesetzte Richtungen zeigen. Die unterschiedlichen Richtungen der beiden Fortsätze können dadurch verwirklicht sein, dass die zugehörigen Träger gegeneinander verdreht sind. Die auf die Träger aufgebrachten Halbleiterchips können ebenfalls gegeneinander verdreht sein, sie können aber auch gleich ausgerichtet sein. Ferner können die Halbleiterchips mit anderen Winkeln als die zugehörigen Träger gegeneinander verdreht sein.The carrier can projections exhibit. An extension of a vehicle For example, a rejuvenation of the carrier be in a certain direction. In particular, the extension one piece with the carrier be connected. Two carriers each can have extensions, which show in different directions. Accordingly, the both extensions with the exception that they point in the same direction, any Include angle with each other. In particular, you can the extensions pointing in opposite directions. The different directions the two extensions can be realized in that the associated carrier rotated against each other are. The on the carrier applied semiconductor chips can also be twisted against each other, but they can also be aligned the same be. Furthermore, can the semiconductor chips with different angles than the associated carrier against each other be twisted.

Die Kontaktelemente der Halbleiterchips können eine Diffusionsbarriere aufweisen. Die Diffusionsbarriere verhindert beim Diffusionslöten, dass Lotmaterial von dem Träger in den Halbleiterchip diffundiert. Eine dünne Titanschicht auf einem Kontaktelement bewirkt beispielsweise eine solche Diffusionsbarriere.The Contact elements of the semiconductor chips may have a diffusion barrier exhibit. The diffusion barrier prevents diffusion soldering that solder material from the carrier diffused into the semiconductor chip. A thin layer of titanium on one Contact element causes such a diffusion barrier, for example.

In 1 ist als Ausführungsbeispiel ein Bauelement 100 in einer Draufsicht dargestellt. Das Bauelement 100 enthält einen ersten sowie einen zweiten Träger 101 und 102. Auf den Trägern 101 und 102 sind ein erster und ein zweiter Halbleiterchip 103 und 104 angeordnet. Die Halbleiterchips 103, 104 weisen jeweils eine vertikale Struktur auf. Die Träger 101, 102 und die Halbleiterchips 103, 104 können in ein gemeinsames Gehäuse 107 integriert sein. Die Träger 101, 102 besitzen je einen Fortsatz 105, 106, welcher außerhalb des Gehäuses 107 ein erstes Außenkontaktelement 105 bzw. ein zweites Außenkontaktelement 106 bildet. Die Fortsätze 105, 106 können unter der Voraussetzung, dass sie in unterschiedliche Richtungen zeigen, in beliebigen Winkel zueinander angeordnet sein. Der erste und/oder der zweite Träger 101, 102 können elektrisch leitfähig sein. Der erste Halbleiterchip 103 kann ein erstes Kontaktelement auf einer ersten Hauptoberfläche, die dem Träger 101 zugewandt ist, besitzen. Das erste Kontaktelement des Halbleiterchips 103 kann mit dem Träger 101 elektrisch verbunden sein. Der zweite Halbleiterchip 104 kann ebenfalls ein erstes Kontaktelement auf einer ersten Hauptoberfläche, die dem Träger 102 zugewandt ist, aufweisen. Das erste Kontaktelement des Halbleiterchips 104 kann mit dem Träger 102 elektrisch verbunden sein.In 1 is a component as an exemplary embodiment 100 shown in a plan view. The component 100 contains a first and a second carrier 101 and 102 , On the carriers 101 and 102 are a first and a second semiconductor chip 103 and 104 arranged. The semiconductor chips 103 . 104 each have a vertical structure. The carriers 101 . 102 and the semiconductor chips 103 . 104 can in a common housing 107 be integrated. The carriers 101 . 102 each have an extension 105 . 106 which is outside of the housing 107 a first external contact element 105 or a second external contact element 106 forms. The extensions 105 . 106 may be arranged at any angle to each other provided that they point in different directions. The first and / or the second carrier 101 . 102 can be electrically conductive. The first semiconductor chip 103 may be a first contact element on a first main surface, the carrier 101 facing, own. The first contact element of the semiconductor chip 103 can with the carrier 101 be electrically connected. The second semiconductor chip 104 may also include a first contact element on a first major surface facing the carrier 102 facing, have. The first contact element of the semiconductor chip 104 can with the carrier 102 be electrically connected.

Das „in unterschiedliche Richtung zeigen" des ersten und des zweiten Fortsatzes bezieht sich im Wesentlichen auf die Richtung, welche die Trägerfortsätze in der Draufsicht zeigen, d. h. in einer Ebene parallel zu der Chip-Ebene. In den beiliegenden Figuren entspricht das jeweils der Papierebene.The "pointing in different directions" of the first and the second extension essentially relates to the direction which the support extensions show in plan view, ie in a plane parallel to the chip level. In the accompanying figures, this corresponds to the paper plane.

2 zeigt ein Bauelement 200 als Weiterbildung des in 1 dargestellten Bauelements 100. Neben den Fortsätzen 205, 206 der Träger 201, 202 sind in 2 weitere Außenkontaktelemente 208 bis 213 gezeigt, die Kontaktelemente der Halbleiterchips 203, 204 durch das Gehäuse 207 nach außen führen. Die Außenkontaktelemente 205, 211, 212 und 213 bilden eine erste Reihe R1 von Außenkontaktelementen, und die Außenkontaktelemente 206, 208, 209 und 210 bilden eine zweite Reihe R2 von Außenkontaktelementen. Die Halbleiterchips 203, 204 können zum Beispiel MOSFET-Leistungstransistoren sein, wobei der Drain-Anschluss des Leistungstransistors 203 mit dem Außenkontaktelement 205 verbunden sein kann und der Source-Anschluss des Leistungstransistors 204 mit dem Außenkontaktelement 212 verbunden sein kann. Die Außenkontaktelemente 205 und 212 sind in der gleichen Reihe R1 und insbesondere nebeneinander angeordnet. Falls die Halbleiterchips 203, 204 bipolare Leistungstransistoren sind, sind der Kollektor-Anschluss des Leistungstransistors 203 mit dem Außenkontaktelement 205 und der Emitter-Anschluss des Leistungstransistors 204 mit dem Außenkontaktelement 212 verbunden. 2 shows a component 200 as a further education of in 1 illustrated component 100 , Next to the extensions 205 . 206 the carrier 201 . 202 are in 2 further external contact elements 208 to 213 shown, the contact elements of the semiconductor chips 203 . 204 through the housing 207 lead to the outside. The external contact elements 205 . 211 . 212 and 213 form a first row R1 of external contact elements, and the external contact elements 206 . 208 . 209 and 210 form a second row R2 of external contact elements. The semiconductor chips 203 . 204 For example, MOSFET power transistors may be the drain terminal of the power transistor 203 with the external contact element 205 may be connected and the source terminal of the power transistor 204 with the external contact element 212 can be connected. The external contact elements 205 and 212 are arranged in the same row R1 and in particular next to each other. If the semiconductor chips 203 . 204 are bipolar power transistors, are the collector terminal of the power transistor 203 with the external contact element 205 and the emitter terminal of the power transistor 204 with the external contact element 212 connected.

Alternativ kann der zweite Halbleiterchip 204 von 2 eine Halbleiterdiode und insbesondere eine Leistungsdiode sein. In diesem Fall kann der Anoden-Anschluss der Halbleiterdiode 204 mit dem Außenkontaktelement 212 verbunden sein.Alternatively, the second semiconductor chip 204 from 2 a semiconductor diode and in particular a power diode. In this case, the anode terminal of the semiconductor diode 204 with the external contact element 212 be connected.

In 3 ist als weiteres Ausführungsbeispiel ein Bauelement 300 dargestellt. Auf Träger 301, 302 sind Halbleiterchips 303, 304 montiert. Die Träger 301, 302 besitzen als Außenkontaktelemente ausgebildete Fortsätze 305, 306, die Kontaktelemente der Halbleiterchips 303, 304 durch ein Gehäuse 307 nach außen führen. Weitere Außenkontaktelemente 308 bis 311 sind dazu vorgesehen, andere Kontaktelemente der Halbleiterchips 303, 304 nach außen zu führen. Die Außenkontaktelemente 305, 306 sowie 308 bis 311 bilden eine Reihe R1. Die Halbleiterchips 303, 304 können Leistungstransistoren sein. Der Drain-Anschluss des Halbleiterchips 303 kann mit dem Außenkontaktelemente 305 verbunden sein, und der Source-Anschluss des Halbleiterchips 304 kann mit dem Außenkontaktelement 310 verbunden sein. Die Außenkontaktelemente 305 und 310 können benachbart angeordnet sein.In 3 is a further embodiment of a component 300 shown. On carrier 301 . 302 are semiconductor chips 303 . 304 assembled. The carriers 301 . 302 have extensions formed as external contact elements 305 . 306 , the contact elements of the semiconductor chips 303 . 304 through a housing 307 lead to the outside. Other external contact elements 308 to 311 are intended to other contact elements of the semiconductor chips 303 . 304 to lead to the outside. The external contact elements 305 . 306 such as 308 to 311 form a row R1. The semiconductor chips 303 . 304 may be power transistors. The drain terminal of the semiconductor chip 303 can with the external contact elements 305 be connected, and the source terminal of the semiconductor chip 304 can with the external contact element 310 be connected. The external contact elements 305 and 310 may be arranged adjacent.

Alternativ kann der Halbleiterchip 304 eine Halbleiterdiode und insbesondere eine Leistungsdiode sein. In diesem Fall kann der Anoden-Anschluss der Halbleiterdiode 304 mit dem Außenkontaktelement 310 verbunden sein.Alternatively, the semiconductor chip 304 a semiconductor diode and in particular a power diode. In this case, the anode terminal of the semiconductor diode 304 with the external contact element 310 be connected.

4 zeigt ein Bauelement 400 als Weiterbildung des in 1 dargestellten Bauelements 100. Jeder der Träger 401, 402 besitzt zwei Fortsätze 405, 406, wobei die Fortsätze 405, 406 der Träger 401, 402 in unterschiedliche Richtungen zeigen. Auf jeden der Träger 401, 402, die elektrisch leitfähig sein können, ist ein Halbleiterchip 403, 404 aufgebracht worden, der beispielsweise ein Leistungstransistor sein kann. Beide Halbleiterchips 403, 404 besitzen je eine erste Hauptoberfläche und in der ersten Hauptoberfläche jeweils ein Kontaktelement, den Drain-Anschluss. Die Drain-Anschlüsse der Halbleiterchips 403, 404 sitzen jeweils auf den Träger 401, 402 auf und sind mit ihnen elektrisch verbunden. Die Fortsätze 405, 406 bilden Außenkontaktelemente, mit denen die Drain-Anschlüsse von außerhalb des Gehäuses 407 kontaktiert werden können. Auf einer zweiten Hauptoberfläche der Halbleiterchips 403, 404 sind jeweils ein zweites Kontaktelement 408, 409, der Source-Anschluss, und ein drittes Kontaktelement 410, 411, der Gate-Anschluss, angeordnet. Die Source-Anschlüsse 408, 409 sind im Inneren des Gehäuses 407 über Bonddrähte mit Außenkontaktelementen 412 bzw. 413 verbunden. Ferner sind die Gate-Anschlüsse 410, 411 im Inneren des Gehäuses 407 über Bonddrähte mit Außenkontaktelementen 414, 415 verbunden. 4 shows a component 400 as a further education of in 1 illustrated component 100 , Each of the carriers 401 . 402 has two extensions 405 . 406 , where the extensions 405 . 406 the carrier 401 . 402 show in different directions. On each of the carriers 401 . 402 , which may be electrically conductive, is a semiconductor chip 403 . 404 has been applied, which may be, for example, a power transistor. Both semiconductor chips 403 . 404 each have a first main surface and in the first main surface each have a contact element, the drain connection. The drain terminals of the semiconductor chips 403 . 404 each sit on the carrier 401 . 402 and are electrically connected to them. The extensions 405 . 406 form external contact elements, with which the drain connections from outside the housing 407 can be contacted. On a second main surface of the semiconductor chips 403 . 404 are each a second contact element 408 . 409 , the source terminal, and a third contact element 410 . 411 , the gate terminal, arranged. The source connections 408 . 409 are inside the case 407 via bonding wires with external contact elements 412 respectively. 413 connected. Further, the gate terminals 410 . 411 inside the case 407 via bonding wires with external contact elements 414 . 415 connected.

Die Außenkontaktelemente 405, 413 und 415 bilden eine erste Reihe R1 von Außenkontaktelementen, und die Außenkontaktelemente 406, 412 und 414 bilden eine zweite Reihe R2 von Außenkontaktelementen. Dabei sind die Außenkontaktelemente 405 und 413 bzw. 406 und 412 jeweils nebeneinander angeordnet.The external contact elements 405 . 413 and 415 form a first row R1 of external contact elements, and the external contact elements 406 . 412 and 414 form a second row R2 of external contact elements. Here are the external contact elements 405 and 413 respectively. 406 and 412 each side by side.

Die Kontaktelemente 408 bis 411 der Halbleiterchips 403, 404 können jeweils über einen oder mehrere Bonddrähte mit den zugehörigen Außenkontaktelementen 412 bis 415 verbunden sein.The contact elements 408 to 411 the semiconductor chips 403 . 404 can each have one or more bonding wires with the associated external contact elements 412 to 415 be connected.

Je größer die Anzahl der Bonddrähte bzw. je größer der Durchmesser der einzelnen Bonddrähte ist, desto geringer ist der elektrische Widerstand zwischen dem jeweiligen Kontaktelement und dem zugehörigen Außenkontaktelement. Dies ist insbesondere bei den Source-Anschlüssen 408 und 409 vorteilhaft, da über diese Kontakte häufig große Ströme fließen.The greater the number of bonding wires or the larger the diameter of the individual bonding wires, the lower the electrical resistance between the respective contact element and the associated outer contact element. This is especially true for the source connections 408 and 409 advantageous because often flow over these contacts large currents.

Bei dem Bauelement 400 sind die Träger 401, 402 um 180° gegeneinander verdreht. Die Halbleiterchips 403, 404 sind ebenfalls um 180° gegeneinander verdreht. Es ist auch denkbar, dass die Halbleiterchips 403, 404 nicht gegeneinander verdreht sind, sondern gleich ausgerichtet sind oder um einen anderen Winkel als die Träger 401, 402 gegeneinander verdreht sind.In the device 400 are the carriers 401 . 402 rotated by 180 ° against each other. The semiconductor chips 403 . 404 are also rotated by 180 ° from each other. It is also conceivable that the semiconductor chips 403 . 404 are not rotated against each other, but are the same orientation or at a different angle than the carrier 401 . 402 are twisted against each other.

5 zeigt eine weitere Weiterbildung des in 1 dargestellten Bauelements 100 in Form eines Bauelements 500. Im Unterschied zu dem Bauelement 400 weisen die Träger 501, 502 des Bauelements 500 nur jeweils einen Fortsatz 505, 506 auf. Ferner sind die Source-Anschlüsse 508, 509 jeweils mit nur einem Außenkontaktelement 512, 513 über Bonddrähte verbunden, wobei die Außenkontaktelemente 512, 513 im Vergleich zu den Außenkontaktelementen 412, 413 des Bauelements 400 größer ausgeführt sein können. Die Gate-Anschlüsse 510, 511 des Bauelements 500 sind über Bonddrähte mit Außenkontaktelementen 514, 515 verbunden. Die Außenkontaktelemente 505, 513 und 514 sowie die Außenkontaktelemente 506, 512 und 515 sind jeweils in einer Reihe R1 bzw. R2 angeordnet. 5 shows a further development of in 1 illustrated component 100 in the form of a component 500 , In contrast to the component 400 assign the carriers 501 . 502 of the component 500 only one extension each 505 . 506 on. Further, the source terminals 508 . 509 each with only one external contact element 512 . 513 connected via bonding wires, wherein the outer contact elements 512 . 513 in comparison to the external contact elements 412 . 413 of the component 400 can be made larger. The gate connections 510 . 511 of the component 500 are via bonding wires with external contact elements 514 . 515 connected. The external contact elements 505 . 513 and 514 as well as the external contact elements 506 . 512 and 515 are each arranged in a row R1 or R2.

In 6 ist ein Bauelement 600 als Weiterbildung des Bauelements 300 dargestellt. Bei dem Bauelement 600 weisen die Halbleiterchips 603, 604 auf den Hauptoberfläche, die nicht den Trägern 601, 602 zugewandt sind, Source-Anschlüsse 612, 613 sowie Gate-Anschlüsse 614, 615 auf. Die Source- und Gate-Anschlüsse 612 bis 615 sind so wie in 6 dargestellt über Bonddrähte mit den Außenkontaktelementen 608 bis 611 verbunden. Dabei sind das Außenkontaktelement 605, das mit dem Drain-Anschluss des Leistungstransistors 603 verbunden ist, und das Außenkontaktelement 610, das mit dem Source-Anschluss 613 des Leistungstransistors 604 verbunden ist, nebeneinander angeordnet. Ferner sind die Träger 601 und 602 so ausgeführt, dass sie auf jeweils zwei Seiten des Bauelements 600 aus dem Gehäuse 607 herausragen und somit auf beiden Seiten des Gehäuses 607 eine externe Kontaktierung ermöglichen.In 6 is a component 600 as a further development of the device 300 shown. In the device 600 have the semiconductor chips 603 . 604 on the main surface, not the straps 601 . 602 are facing, source connections 612 . 613 as well as gate connections 614 . 615 on. The source and gate connections 612 to 615 are like in 6 represented by bonding wires with the external contact elements 608 to 611 connected. In this case, the external contact element 605 connected to the drain terminal of the power transistor 603 is connected, and the outer contact element 610 that with the source connector 613 of the power transistor 604 is connected, arranged side by side. Further, the carriers 601 and 602 Designed to run on two sides of the component 600 out of the case 607 sticking out and thus on both sides of the case 607 allow external contact.

Die Bauelemente 100 bis 600 können beispielsweise in elektronischen Schaltungen zur Wandlung von Gleichspannungen, sogenannten DC-DC-Wandlern, eingesetzt werden. DC-DC-Wandler können dazu verwendet werden, um eine beispielsweise von einer Batterie oder einem Akkumulator bereitgestellte Eingangsgleichspannung in eine Ausgangsgleichspannung umzuwandeln, die an den Bedarf nachgeschalteter elektronischer Schaltungen angepasst ist. DC-DC-Wandler können als Abwärtswandler, bei welchen die Ausgangsspannung kleiner als die Eingangsspannung ist, oder als Aufwärtswandler, bei denen die Ausgangsspannung größer als die Eingangsspannung ist, ausgeführt sein.The components 100 to 600 For example, they can be used in electronic circuits for the conversion of DC voltages, so-called DC-DC converters. DC-DC converters can be used to convert an input DC voltage provided, for example, from a battery or a rechargeable battery into a DC output voltage adapted to the needs of downstream electronic circuits. DC-DC converters may be implemented as downconverters in which the output voltage is less than the input voltage or as upconverters in which the output voltage is greater than the input voltage.

7 zeigt eine Prinzipschaltung eines Abwärtswandlers 700. Dabei sind zwei Schalter S1 und S2 in Form einer Halbbrücke zwischen zwei Klemmen 701 und 702 geschaltet. Eine Induktivität L ist zwischen einen Knoten K1, der zwischen den beiden Schaltern S1 und S2 angeordnet ist, und eine Klemme 703 geschaltet. Die Klemme 702 ist ferner mit einer Klemme 704 verbunden, und zwischen die Klemmen 703 und 704 ist ein Kondensator C geschaltet. 7 shows a schematic circuit of a buck converter 700 , There are two switches S1 and S2 in the form of a half-bridge between two terminals 701 and 702 connected. An inductance L is between a node K1 disposed between the two switches S1 and S2 and a terminal 703 connected. the clamp 702 is also with a clamp 704 connected, and between the terminals 703 and 704 a capacitor C is connected.

Während des Betriebs des Abwärtswandlers 700 werden die Schalter S1 und S2 wechselseitig geöffnet bzw. geschlossen. Dadurch wird eine Eingangsspannung V_in, die über die Klemmen 701 und 702 an dem Abwärtswandler 700 anliegt, mittels einer durch die Induktivität L erzeugten Induktionsspannung in eine Ausgangsspannung V_out gewandelt, die zwischen den Klemmen 703 und 704 abgreifbar ist. Die Ausgangsspannung V_out ist kleiner als die Eingangsspannung V_in, ihr Spannungswert hängt von dem Tastverhältnis der beiden Schalter S1 und S2 ab. Die benötigen Schaltfrequenzen können bis zu mehreren 100 kHz betragen. Die Schalter S1 und S2 können durch die Leistungstransistoren bzw. Leistungsdioden der Bauelemente 100 bis 600 realisiert sein.During operation of the buck converter 700 the switches S1 and S2 are mutually opened or closed. This will cause an input voltage V _in which is across the terminals 701 and 702 at the down converter 700 is applied, converted by means of an induction voltage generated by the inductance L in an output voltage V _out , between the terminals 703 and 704 can be tapped. The output voltage V _out is smaller than the input voltage V _in , its voltage value depends on the duty cycle of the two switches S1 and S2. The required switching frequencies can be up to several 100 kHz. The switches S1 and S2 can by the power transistors or power diodes of the components 100 to 600 be realized.

In 8 ist ein Ausschnitt aus einem Modul 800, das einen DC-DC-Wandler beinhaltet, schematisch dargestellt. Das Modul 800 weist eine Elektronikkarte, beispielsweise ein PCB (Printed Circuit Board), auf. Von der Elektronikkarte sind in 8 lediglich Kontaktflächen 801 bis 805 dargestellt sind. Beispielhaft für die Bauelemente 100 bis 600 ist das Bauelement 400 auf die Elektronikkarte montiert worden, indem die Außenkontaktelemente 405, 406 und 412 bis 415 mit den Kontaktflächen 801 bis 805 verlötet worden sind. Im Einzelnen sind das Außenkontaktelement 414 mit der Kontaktfläche 801, das Außenkontaktelement 412 mit der Kontaktfläche 802, die Außenkontaktelemente 406 mit der Kontaktfläche 803, die Außenkontaktelemente 405 und 413 mit der Kontaktfläche 804 sowie das Außenkontaktelement 415 mit der Kontaktfläche 805 verlötet worden.In 8th is a section of a module 800 , which includes a DC-DC converter, shown schematically. The module 800 has an electronic board, such as a PCB (Printed Circuit Board), on. From the electronics card are in 8th only contact surfaces 801 to 805 are shown. Exemplary of the components 100 to 600 is the component 400 mounted on the electronic board by the external contact elements 405 . 406 and 412 to 415 with the contact surfaces 801 to 805 have been soldered. In detail, the external contact element 414 with the contact surface 801 , the external contact element 412 with the contact surface 802 , the external contact elements 406 with the contact surface 803 , the external contact elements 405 and 413 with the contact surface 804 and the outer contact element 415 with the contact surface 805 soldered.

Die beiden Schalter S1 und S2 sind in dem Modul 800 durch die Leistungstransistoren 403 und 404 realisiert. Ihre stromführenden Strecken sind die Drain-Source-Strecken zwischen den Kontaktflächen 802 und 804 bzw. 803 und 804. Die Kontaktfläche 804 stellt den Knoten K1 dar und verbindet die beiden Leistungstransistoren 403 und 404 miteinander. Die Steuerung der Leistungstransistoren 403 und 404 erfolgt über die Kontaktflächen 801 und 805.The two switches S1 and S2 are in the module 800 through the power transistors 403 and 404 realized. Their current-carrying paths are the drain-source paths between the contact surfaces 802 and 804 respectively. 803 and 804 , The contact surface 804 represents the node K1 and connects the two power transistors 403 and 404 together. The control of the power transistors 403 and 404 takes place via the contact surfaces 801 and 805 ,

Ein Vorteil des Bauelements 400 wie auch der Bauelemente 100, 200, 300, 500 und 600 ist, dass das mit dem Drain- oder Kollektor-Anschluss des einen Leistungstransistors verbundene Außenkontaktelement neben dem mit dem Source- oder Emitter-Anschluss des anderen Leistungstransistors verbundenen Außenkontaktelement liegt. Dadurch können diese beiden Außenkon taktelemente – wie in 8 anhand der Kontaktfläche 804 gezeigt ist – zusammengeschaltet werden, ohne dass dazu lange Leiterbahnen auf der Elektronikkarte benötigt werden. Ferner können kreuzende Leiterbahnen auf der Elektronikkarte vermieden werden, sodass eventuell nur eine oder zwei Metallisierungslagen auf die Elektronikkarte aufgebracht werden müssen. Die gleichen Vorteile gelten auch für den Fall, dass die Bauelemente 100 bis 600 jeweils einen Leistungstransistor und eine Leistungsdiode aufweisen. In diesem Fall sind das mit dem Drain-Anschluss des Leistungstransistors verbundene Außenkontaktelement und das mit dem Anoden-Anschluss der Leistungsdiode verbundene Außenkontaktelement benachbart.An advantage of the device 400 as well as the components 100 . 200 . 300 . 500 and 600 in that the external contact element connected to the drain or collector terminal of one power transistor is adjacent to the external contact element connected to the source or emitter terminal of the other power transistor. This allows these two Außenkon tact elements - as in 8th based on the contact area 804 is shown - are interconnected without the need for long traces on the electronic board. Furthermore, crossing tracks on the electronic board can be avoided, so that eventually only one or two metallization layers must be applied to the electronic board. The same benefits apply even in the event that the components 100 to 600 each having a power transistor and a power diode. In this case, the external contact element connected to the drain terminal of the power transistor and the external contact element connected to the anode terminal of the power diode are adjacent.

Die Bauelemente 100 bis 600 eignen sich nicht nur für die Anwendung in DC-DC-Wandlern, sondern generell für beliebige Schaltkreise, die aus zwei Schaltern aufgebaute Halbbrücken enthalten. Derartige Halbbrücken können beispielsweise auch in Elektromotoren eingesetzt werden.The components 100 to 600 Not only are they suitable for use in DC-DC converters, but generally for arbitrary circuits containing half-bridges made up of two switches. Such half-bridges can be used, for example, in electric motors.

In den 9A bis 9D ist ein Verfahren zur Herstellung von Bauelementen dargestellt. Grundsätzlich können die mit dem hier beschriebenen Verfahren hergestellten Bauelemente die gleichen Ausgestaltungen wie die in den 1 bis 6 gezeigten Bauelemente 100 bis 600 aufweisen, jedoch muss der jeweils verwendete Leiterbahnrahmen (Lead Frame) an das zu fertigende Bauelement angepasst werden. Beispielhaft wird im Folgenden ein Verfahren beschrieben, mit dem das in 4 gezeigte Bauelemente 400 gefertigt werden kann.In the 9A to 9D a method for the production of components is shown. Basically, the components produced by the method described here, the same configurations as those in the 1 to 6 shown components 100 to 600 However, the lead frame used in each case (lead frame) must be adapted to the component to be manufactured. By way of example, a method will be described below with which the in 4 shown components 400 can be made.

In einem ersten Verfahrensschritt (vgl. 9A) wird ein Leiterbahnrahmen 900 bereitgestellt. Der Leiterbahnrahmen 900 ist ein beispielsweise aus Kupfer bestehender Metallstreifen, der an bestimmten Stellen Ausstanzungen aufweist. Der Leiterbahnrahmen 900 ist in 9A schraffiert, die Ausstanzungen sind unschraffiert dargestellt. Der Metallstreifen ist so ausgestanzt worden, dass aus ihm später die Träger 401, 402 mit den Fortsätzen 405, 406 sowie die Außenkontaktelemente 412 bis 415 gebildet werden können.In a first process step (cf. 9A ) becomes a track frame 900 provided. The track frame 900 is a metal strip, for example made of copper, which has punched out at certain points. The track frame 900 is in 9A hatched, the cutouts are shown unshaded. The metal strip has been punched out so that it later becomes the carrier 401 . 402 with the extensions 405 . 406 as well as the external contact elements 412 to 415 can be formed.

Im nächsten Verfahrensschritt (vgl. 9B) wird der Leiterbahnrahmen 900 mit Halbleiterchips 403, 404 bestückt. Die Halbleiterchips 403, 404 können nacheinander oder gleichzeitig auf den Leiterbahnrahmen 900 aufgebracht werden. Die Halbleiterchips 403, 404 werden derart auf den Leiterbahnrahmen 900 aufgebracht, dass ihre Drain-Anschlüsse jeweils dem Leiterbahnrahmen 900 zugewandt sind. Zwischen den Drain-Anschlüssen und dem Leiterbahnrahmen 900 werden durch Lötung oder Klebung elektrische Verbindungen geschaffen. Anschließend werden Bonddrähte von Kontaktzungen 901 bis 904 des Leiterbahnrahmens 900 zu den Source-Anschlüssen 408, 409 und den Gate-Anschlüssen 410, 411 der Halbleiterchips 403, 404 gezogen.In the next process step (cf. 9B ) becomes the track frame 900 with semiconductor chips 403 . 404 stocked. The semiconductor chips 403 . 404 can successively or simultaneously on the track frame 900 be applied. The semiconductor chips 403 . 404 become so on the track frame 900 applied, that their drain terminals respectively the conductor track frame 900 are facing. Between the drain terminals and the track frame 900 By soldering or gluing electrical connections are created. Subsequently, bonding wires of contact tongues 901 to 904 of the conductor track frame 900 to the source connections 408 . 409 and the gate terminals 410 . 411 the semiconductor chips 403 . 404 drawn.

Im nächsten Verfahrensschritt wird die Anordnung mit einem Gehäuse 407 versehen (vgl. 9C). Dazu werden beispielsweise die Halbleiterchips 403, 404 sowie Teile des Leiterbahnrahmens 900 so mit einer Vergussmasse, beispielsweise einer Kunststoffmasse, umspritzt, dass die Bonddrähte innerhalb des Gehäuses 407 liegen.In the next process step, the arrangement with a housing 407 provided (see. 9C ). For this example, the semiconductor chips 403 . 404 and parts of the track frame 900 so encapsulated with a potting compound, such as a plastic compound, that the bonding wires within the housing 407 lie.

Im letzten Verfahrensschritt werden die Kontaktzungen 901 bis 904 an den Stellen 905 durchtrennt (vgl. 9D), wodurch das Bauelement 400 aus dem Leiterbahnrahmen 900 gelöst wird.In the last step, the reeds become 901 to 904 in the places 905 severed (cf. 9D ), causing the device 400 from the track frame 900 is solved.

Claims

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ), comprising: - a first carrier ( 101 ) with a first extension forming a first outer contact element ( 105 ); - one on the first carrier ( 101 ) applied first semiconductor chip ( 103 ) with a vertical structure; A second carrier ( 102 ) with a second extension forming a second outer contact element ( 106 ); and - one on the second carrier ( 102 ) applied second semiconductor chip ( 104 ) having a vertical structure, the first and second supports ( 101 . 102 ) are arranged such that the first and the second extension ( 105 . 106 ) in different directions.

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ) according to claim 1, wherein the first and / or the second carrier ( 101 . 102 ) are electrically conductive.

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ) according to claim 1 or 2, wherein - the first semiconductor chip ( 103 ) a first contact element on a first main surface, which is the first support ( 101 ), and the first contact element of the first semiconductor chip ( 103 ) with the first carrier ( 101 ) is electrically connected, and / or - the second semiconductor chip ( 104 ) a first contact element on a first main surface, the second carrier ( 102 ), and the first contact element of the second semiconductor chip ( 104 ) with the second carrier ( 102 ) is electrically connected.

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ) according to one of the preceding claims, wherein - the first semiconductor chip ( 403 ; 503 ) a second contact element ( 408 ; 508 ) on a second main surface and the second contact element ( 408 ; 508 ) of the first semiconductor chip ( 403 ; 503 ) with a third outer contact element ( 412 ; 512 ), and / or - the second semiconductor chip ( 404 ; 504 ) a second contact element ( 409 ; 509 ) on a second main surface and the second contact element ( 409 ; 509 ) of the second semiconductor chip ( 404 ; 504 ) with a fourth outer contact element ( 413 ; 513 ver is bound.

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ) according to claim 4, wherein - the first external contact element ( 405 ; 505 ) and the fourth outer contact element ( 413 ; 513 ) on a first outside of the device ( 400 ; 500 ) are arranged, and / or - the second outer contact element ( 406 ; 506 ) and the third external contact element ( 412 ; 512 ) on a second outside of the device ( 400 ; 500 ) are arranged.

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ) according to claim 4 or 5, wherein - the first semiconductor chip ( 403 ; 503 ) a third contact element ( 410 ; 510 ) on its second major surface and the third contact element ( 410 ; 510 ) of the first semiconductor chip ( 403 ; 503 ) with a fifth outer contact element ( 414 ; 514 ), and / or - the second semiconductor chip ( 404 ; 504 ) a third contact element ( 411 ; 511 ) on its second major surface and the third contact element ( 411 ; 511 ) of the second semiconductor chip ( 404 ; 504 ) with a sixth external contact element ( 415 ; 515 ) connected is.

Component ( 400 ) according to claim 6, wherein - the fifth external contact element ( 414 ) on the second outside of the device ( 400 ), and / or - the sixth outer contact element ( 415 ) on the first outside of the device ( 400 ) is arranged.

Component ( 500 ) according to claim 6, wherein - the fifth external contact element ( 514 ) on the first outside of the device ( 500 ), and / or - the sixth outer contact element ( 515 ) on the second outside of the device ( 500 ) is arranged.

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ) according to one of the preceding claims, wherein the two semiconductor chips ( 103 . 104 ) have mutually corresponding structures on their second main surfaces and the two semiconductor chips ( 103 . 104 ) are arranged such that the structures are rotated against each other.

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ) according to any one of the preceding claims, wherein the first and second extensions ( 105 . 106 ) in opposite directions.

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ) according to one of the preceding claims, wherein the first and / or the second semiconductor chip ( 103 . 104 ) are each a power semiconductor chip, in particular a power transistor or a power diode.

Electronic module ( 800 ), comprising: an electronic card; and - a device applied to the electronic board ( 400 ) with a first semiconductor chip ( 403 ) and a second semiconductor chip ( 404 ) according to any one of the preceding claims.

Electronic module ( 800 ) according to claim 12, wherein the first and the second power semiconductor chip ( 403 . 404 ) are wired on the electronic board to a half-bridge.

Electronic module ( 800 ) according to claim 13, wherein the electronic module ( 800 ) comprises a DC-DC converter and the half-bridge is covered by the DC-DC converter.

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ), comprising: outer contact elements arranged in at least two rows (R1, R2) ( 405 . 406 . 412 - 415 ; 505 . 506 . 512 - 515 ); A first power transistor ( 403 ; 503 ) whose drain terminal is connected to a first ( 405 ; 505 ) of the external contact elements ( 405 . 406 . 412 - 415 ; 505 . 506 . 512 - 515 ) connected is; and - a second power transistor ( 404 ; 504 ) whose source connection ( 409 ; 509 ) with a second ( 413 ; 513 ) of the external contact elements ( 405 . 406 . 412 - 415 ; 505 . 506 . 512 - 515 ), wherein the first and the second outer contact element ( 405 . 413 ; 505 . 513 ) are arranged in the same, first row (R1).

Component ( 400 ) according to claim 15, wherein a gate terminal ( 411 ) of the second power transistor ( 404 ) with a third party ( 415 ) of the external contact elements ( 405 . 406 . 412 - 415 ) and the third external contact element ( 415 ) is arranged in the first row (R1).

Component ( 500 ) according to claim 15, wherein a gate terminal ( 510 ) of the first power transistor ( 503 ) with a third party ( 514 ) of the external contact elements ( 505 . 506 . 512 - 515 ) and the third external contact element ( 514 ) is arranged in the first row (R1).

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ) comprising: outer contact elements arranged in at least two rows; A power transistor whose drain terminal is connected to a first one of the external contact elements; and - a power diode whose anode terminal ver with a second of the outer contact elements ver is bound, wherein the first and the second outer contact element are arranged in the same, first row.

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ) according to claim 18, wherein a gate terminal of the power transistor is connected to a third of the outer contact elements and the third outer contact element is arranged in the first row.

Component ( 100 ; 200 ; 400 ; 500 ) according to claim 18, wherein a gate terminal of the power transistor is connected to a third of the outer contact elements and the third outer contact element is arranged in a second row.

Method, comprising: - a first carrier ( 101 ) with a first extension forming a first outer contact element ( 105 ) and a second carrier ( 102 ) with a second extension forming a second outer contact element ( 106 ) are provided, wherein the first and the second carrier ( 101 . 102 ) are arranged such that the first and the second extension ( 105 . 106 ) in different directions; A first semiconductor chip ( 103 ) with a vertical structure is placed on the first support ( 101 ) applied; and a second semiconductor chip ( 104 ) with a vertical structure is applied to the second support ( 102 ) applied.

The method of claim 21, wherein the first semiconductor chip ( 103 ) with the first carrier ( 101 ) is soldered and / or the second semiconductor chip ( 104 ) with the second carrier ( 102 ) is soldered.

The method of claim 21 or 22, wherein a bonding wire to the first semiconductor chip ( 103 ) and a third outer contact element is attached and / or a bonding wire to the second semiconductor chip ( 104 ) and a fourth outer contact element is attached.

A method according to claim 23, wherein the two supports ( 101 . 102 ) and the two semiconductor chips ( 103 . 104 ) are covered with a potting compound.

Component ( 300 ; 600 ), comprising: outer contact elements arranged in a row (R1) ( 305 . 306 . 308 - 311 ); A first power transistor ( 303 ) whose drain terminal is connected to a first ( 305 ) of the external contact elements ( 305 . 306 . 308 - 311 ) connected is; and - a second power transistor ( 304 ) whose source is connected to a second ( 310 ) of the external contact elements ( 305 . 306 . 308 - 311 ), wherein the first and the second outer contact element ( 305 . 310 ) are arranged adjacent.

Component ( 300 ; 600 ), comprising: - outer contact elements arranged in a row; A power transistor whose drain terminal is connected to a first one of the external contact elements; and a power diode whose anode terminal is connected to a second one of the outer contact elements, the first and second outer contact elements being disposed adjacent to each other.