DE102007001191A1

DE102007001191A1 - Halbleitervorrichtung mit einem Widerstand zum Abgleichen der Stromverteilung

Info

Publication number: DE102007001191A1
Application number: DE102007001191A
Authority: DE
Inventors: Masuo Koga; Tetsuo Mizoshiri; Yukimasa Hayashida
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2006-06-09
Filing date: 2007-01-05
Publication date: 2007-12-13
Anticipated expiration: 2027-01-06
Also published as: US20070284745A1; CN100514634C; US7405448B2; JP2007329387A; DE102007001191B4; CN101086984A

Abstract

Ein erstes isolierendes Substrat (1) ist auf einer Wärmesenke (6) ausgebildet und ein Halbleiterelement (2) ist darauf ausgebildet. Ein isolierendes Harzgehäuse (8) ist so ausgebildet, dass es das erste isolierende Substrat (1) und das Halbleiterelement (2) bedeckt. Ein zweites isolierendes Substrat (3) ist innerhalb des isolierenden Harzgehäuses (8) getrennt von dem ersten isolierenden Substrat (1) angebracht. Auf dem zweiten isolierenden Substrat (3) ist mittels Lötens ein Widerstandselement (4) befestigt, das als ein Gateausgleichswiderstand wirkt. Das zweite isolierende Substrat (3), auf dem das Widerstandselement (4) so angebracht wurde, wurde von dem ersten isolierenden Substrat (1), auf dem das Halbleiterelement (2) angebracht wurde, abgesondert und wurde auf der Seite des isolierenden Harzgehäuses (8) angebracht.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung und speziell auf eine Halbleitervorrichtung, auf der ein Widerstand angebracht ist zum Ausgleichen der Stromverteilung der Halbleiterelemente der Halbleitervorrichtung.
Bei einer Halbleitervorrichtung, die in einem Inverter/Konverter von elektrischen Eisenbahnen oder dergleichen verwendet wird, ist ein Nennstrom von mehreren hundert bis mehreren tausend Ampere erforderlich. Deshalb sind einige bis einige zehn Halbleiterelemente normalerweise in einer Halbleitervorrichtung parallel geschaltet.
Beispielsweise wird die oben beschriebene Halbleitervorrichtung, die eine Mehrzahl von Halbleiterelementen aufweist, die auf einem isolierenden Substrat ausgebildet sind, in der nicht geprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. 2001-185679 offenbart. Auf dem isolierenden Substrat ist ein Widerstand in der Nähe jedes Halbleiterelementes angeordnet, der als Gate-Abgleichwiderstand bekannt ist. Der Widerstand dient zum Ausgleichen der Stromverteilung zu jeder Halbleitervorrichtung und ist auf dem isolierenden Substrat mittels Lötens ähnlich zu dem Halbleiterelement befestigt. Weiterhin ist das isolierende Substrat mittels Lötens auf dem Kühlkörper befestigt.
Wenn das oben beschriebene Halbleiterelement in Betrieb ist, tritt ein Wärmezyklus auf. Folglich wird in dem gelöteten Abschnitt eine thermische Spannung erzeugt, die verursacht wird durch den Unterschied der linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Bestandteile, und das Lot reißt allmählich. Wenn der Abschnitt, an dem der Gateabgleichswiderstand angelötet ist, reißt, gibt es das Problem, daß der Widerstandswert erhöht ist und schließlich wird ein Leitungsunterbrechungsdefekt verursacht, so daß ein Spannungsfestigkeitsdefekt erzeugt wird.
Die vorliegende Erfindung wurde entwickelt zum Lösen der oben beschriebenen Probleme und deshalb ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die einen Leitungsunterbrechungsdefekt des Gateabgleichswiderstandes verhindern kann, der bei dem Betrieb der Halbleitervorrichtung erzeugt wird, und die eine hohe Zuverlässigkeit sicherstellen kann.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.
Die obige Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleitervorrichtung, die einen Kühlkörper aufweist, ein erstes isolierendes Substrat, das auf dem Kühlkörper in Kontakt zu dem Kühlkörper ausgebildet ist, ein Halbleiterelement, das auf dem ersten isolierenden Substrat ausgebildet ist, ein isolierendes Harzgehäuse, das auf dem Kühlkörper ausgebildet ist und das erste isolierende Substrat und das Halbleiterelement umgibt, ein zweites isolierendes Substrat, das innerhalb des isolierenden Harzgehäuses getrennt von dem Kühlkörper und dem ersten isolierenden Substrat über dem Kühlkörper angebracht ist, ein Widerstandselement, das auf dem zweiten isolierenden Substrat durch Löten befestigt ist, und einen Draht, der das Halbleiterelement elektrisch mit dem Widerstandselement verbindet.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine Halbleitervorrichtung erhalten werden, die einen Leitungsunterbrechungsdefekt des Gateausgleichswiderstandes verhindern kann, der bei dem Betrieb der Halbleitervorrichtung erzeugt wird, und die eine hohe Zuverlässigkeit sicherstellen kann.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung werden ersichtlich anhand der folgenden Beschreibung unter Zuhilfenahme der beigefügten Zeichnungen. Von den Figuren zeigen:
1A eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform;
1B eine Seitenansicht der in 1A gezeigten Halbleitervorrichtung;
2 einen Schaltplan einer Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform;
3 eine Seitenansicht eines zweiten isolierenden Substrates und eines Widerstandselementes einer Halbleitervorrichtung der zweiten Ausführungsform;
4A eine Draufsicht auf ein erstes isolierendes Substrat einer Halbleitervorrichtung der dritten Ausführungsform;
4B eine Draufsicht auf ein zweites isolierendes Substrat einer Halbleitervorrichtung der dritten Ausführungsform;
5 eine Seitenansicht eines zweiten isolierenden Substrates einer Halbleitervorrichtung der vierten Ausführungsform, und
6 eine Seitenansicht einer Halbleitervorrichtung der vierten Ausführungsform.
In den Zeichnungen werden gleiche oder äquivalente Teile durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet und die Beschreibung derselben wird vereinfacht oder unterlassen.
Erste Ausführungsform
Eine Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform wird beschrieben. 1A ist eine Draufsicht der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung und 1B ist eine Seitenansicht der Halbleitervorrichtung betrachtet aus der Richtung A in 1A. Die Halbleitervorrichtung ist mit einem aus einem Metall, wie z.B. Kupfer oder Aluminium, zusammengesetzten Kühlkörper 6 ausgestattet und ein erstes isolie rendes Substrat 1 ist auf dem Kühlkörper 6 ausgebildet. Das erste isolierende Substrat 1 hat eine erste isolierende Schicht 1a, ein erstes leitendes Muster 1b und ein erstes Rückseitenmuster 1c. Das erste leitende Muster 1b ist auf der Deckfläche der ersten isolierenden Schicht 1a ausgebildet und das erste Rückseitenmuster 1c ist auf der unteren Oberfläche der ersten isolierenden Schicht 1a ausgebildet. Die erste isolierende Schicht 1a besteht aus einer Keramik, wie z.B. AlN (Aluminiumnitrid) und das erste leitende Muster 1b und das erste Rückseitenmuster 1c, welche an die erste isolierende Schicht 1a gefügt sind, sind aus Kupfer oder einer Kupferlegierung ausgebildet.
Das erste Rückseitenmuster 1c ist auf der Deckfläche des Kühlkörpers 6 mittels Lot 7a befestigt. Dadurch ist das erste isolierende Substrat 1 auf dem Kühlkörper 6 ausgebildet. Auf dem ersten leitenden Muster 1b ist ein Halbleiterelement 2, wie zum Beispiel ein IGBT oder ein Leistungs-MOSFET ausgebildet. Das erste leitende Muster 1b ist elektrisch mit dem Halbleiterelement 2 über Lot 7b verbunden. Dadurch ist das Halbleiterelement 2 auf dem ersten isolierenden Substrat 1 ausgebildet.
Ein isolierendes Harzgehäuse 8 ist so ausgebildet, daß es das erste isolierende Substrat 1, welches auf dem Kühlkörper 6 befestigt ist, umgibt, und ist mit dem Kühlkörper 6 und dem Halbleiterelement 2 ausgestattet. Das isolierende Harzgehäuse 8 hat mittels Insert Molding (Umspritzgießtechnik) ausgebildete Hauptanschlüsse 10 und einen Steueranschluß 11 und eine elektrische Verbindung zu dem leitenden Muster und dergleichen auf dem isolierenden Substrat wird über Leitungsabschnitte (nicht gezeigt) gebildet, die sich von den Hauptanschlüssen 10 oder dem Steueranschluß 11 in das Gehäuse 8 erstrecken.
Ein vorstehender Abschnitt 8a ist auf der Innenwand des isolierenden Harzgehäuses 8 ausgebildet und ein zweites isolierendes Substrat 3 ist darauf angebracht. Speziell ist das zweite isolierende Substrat über dem Kühlkörper 6 auf der Innenwand des isolierenden Harzgehäuses 8 getrennt von dem Kühlkörper 6 und dem ersten isolierenden Substrat 1 angebracht.
Das zweite isolierende Substrat 3 hat eine zweite isolierende Schicht 3a, zweite leitende Muster 3b und ein zweites Rückseitenmuster 3c. Die zweiten leitenden Muster 3b sind auf der Deckfläche des zweiten isolierenden Substrates 3a ausgebildet und das zweite Rückseitenmuster 3c ist auf der unteren Oberfläche des zweiten isolierenden Substrates 3 ausgebildet. Ähnlich zu dem ersten isolierenden Substrat 1 bestehen die zweiten isolierenden Schichten 3a in dem zweiten isolierenden Substrat 3 aus einer Keramik, wie z.B. AlN, und die zweiten leitenden Muster 3b und das zweite Rückseitenmuster 3c, welche an die zweite isolierende Schicht 3a gefügt sind, sind aus Kupfer oder einer Kupferlegierung ausgebildet.
Eine Mehrzahl von zweiten leitenden Mustern 3b ist ausgebildet und ein Widerstandselement 4 ist so ausgebildet, daß es das Muster benachbart den zweiten leitenden Mustern 3b überspannt. Die zweiten leitenden Muster 3b sind mit dem Widerstandselement 4 durch Lot 7c verbunden. Speziell sind die zweiten leitenden Muster 3b mit dem Widerstandselement 4 durch Löten elektrisch verbunden. Dadurch wird das Widerstandselement 4 mit einem vorbestimmten Widerstandswert auf dem zweiten isolierenden Substrat 3 durch Löten befestigt.
Das zweite Rückseitenmuster 3c ist auf der Deckfläche des hervorstehenden Abschnitts 8a mittels eines Klebers oder derglei chen befestigt. Dadurch ist das zweite isolierende Substrat 3 auf der Innenwand des isolierenden Harzgehäuses 8 angebracht. Weiterhin ist das Halbleiterelement 2 mit den zweiten leitenden Mustern 3b durch einen Draht 5 verbunden. Dadurch ist das Halbleiterelement 2 mit dem Widerstandselement 4 durch den Draht 5 und die zweiten leitenden Muster 3b verbunden. Obwohl das zweite Rückseitenmuster 3c auf dem vorstehenden Abschnitt 8a unter Verwendung eines Klebers angebracht war, kann als ein Verfahren zum Anbringen (Befestigen) des zweiten isolierenden Substrates 3 auf dem isolierenden Harzgehäuse 8 ein Aufbau verwendet werden, bei dem das zweite Rückseitenmuster 3c in Eingriff mit dem zweiten isolierenden Substrat 3 steht und an dem vorstehenden Abschnitt 8a in dem isolierenden Harzgehäuse 8 befestigt (aufgesetzt) ist. Da solch ein Aufbau bei dem Schritt zum Ausbilden des isolierenden Harzgehäuses 8 ausgebildet wird und die Verwendung des Klebers nicht erforderlich ist, können die Kosten des Produktes verringert werden.
Der Betrieb jedes Halbleiterelementes 2, speziell der Schaltvorgang jedes Schaltelementes, wie z.B. eines IGBT oder eines Leistungs-MOSFET wird durchgeführt durch Anlegen von AN/AUS-Steuer(Schalt)-Signalen an jede Gateelektrode. Durch Einstellen des Widerstandswertes des Widerstandselementes 4, das mit jedem Halbleiterelement 2 verbunden ist, auf einen vorbestimmten Wert, kann zu dieser Zeit der zu jedem Halbleiterelement fließende Gatestrom eingestellt werden. Speziell wirkt das Widerstandselement 4 als ein Gateausgleichswiderstand zum Ausgleichen des Gatestroms.
Obwohl eine detaillierte Beschreibung unterlassen wird, ist bei einer Halbleitervorrichtung zum Schützen der isolierenden Substrate oder des Halbleiterelementes, der Raum, den das isolierende Harzgehäuse 8 umgibt, mit Silikongel ausgefüllt, so daß das erste isolierende Substrat 1 und das zweite isolierende Substrat 3 einschließlich des Halbleiterelementes 2 und des Drahtes 5 bedeckt sind. Weiterhin wird der obere Abschnitt desselben durch Überziehen mit einem Epoxidharz oder Bedecken mit einem Deckel verschlossen. Zum Erleichtern des Verständnisses der vorliegenden Erfindung ist in 2 der Schaltplan einer Halbleitervorrichtung 9 in den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gezeigt.
Wie oben beschrieben ist bei der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform ein isolierendes Substrat mit einem zweiten isolierenden Substrat 3 nämlich einem darauf befestigten Gateausgleichswiderstand, auf der isolierenden Harzgehäuseseite befestigt. Durch den oben beschriebenen Aufbau wird erzeugte Wärme, wenn das Halbleiterelement 2 betrieben wird, nur in geringem Umfang zu dem Widerstandselement 4 übertragen. Verglichen zu dem Stand der Technik kann dadurch das Auftreten von Rissen in dem Lot 7c, das das zweite isolierende Substrat 3 mit dem Widerstandselement 4 verbindet, unterdrückt werden. Deshalb kann der Unterbrechungsdefekt des Gateausgleichs-Widerstandsabschnitts, der bei dem Betrieb des Halbleiterelementes auftritt, verhindert werden, und eine hohe Zuverlässigkeit kann sichergestellt werden.
Wie oben ebenfalls beschrieben ist, ist das Widerstandselement 4 auf dem zweiten isolierenden Substrat 3 durch Löten befestigt. Das Löten kann bewerkstelligt werden durch Reflow(Aufschmelz)-Löten unter Verwendung einer Heizplatte. Da kein Arbeitsgang unter Verwendung eines Lötkolbens erforderlich ist, kann speziell die Ausführbarkeit des Lötens verbessert werden. Weiterhin kann die Qualität der Halbleitervorrichtung stabilisiert werden.
Gemäß der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform kann der Unterbrechungsdefekt des Gateausgleichs-Widerstandsabschnittes, der bei dem Betrieb des Halbleiterelementes auftritt, verhindert werden und eine hohe Zuverlässigkeit kann sichergestellt werden.
Zweite Ausführungsform
Eine Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform wird beschrieben. Hier konzentriert sich die Beschreibung auf Aspekte, die unterschiedlich zu der ersten Ausführungsform sind.
Bei einer bekannten Vorgehensweise wurden ein Halbleiterelement 2 und ein Widerstandselement 4 auf dem gleichen isolierenden Substrat ausgebildet. Folglich erforderte das isolierende Substrat einen Isolationswiderstand bis zu einigen Tausend Volt. Bei der ersten Ausführungsform wurde jedoch ein isolierendes Substrat, auf dem ein Gateausgleichswiderstand befestigt war, auf der Seite des isolierenden Harzgehäuses befestigt. Deshalb wird es als hinreichend angesehen, wenn das isolierende Substrat einen Isolationswiderstand bis zu einigen zehn Volt aufweist. Aus diesem Grund hat die zweite Ausführungsform einen Aufbau, bei dem die Dicke der isolierenden Schicht in dem isolierenden Substrat, auf welchem ein Gateausgleichswiderstand angebracht ist, dünner ist als die Dicke der isolierenden Schicht in dem isolierenden Substrat, auf dem eine Halbleitervorrichtung angebracht ist.
3 ist eine Seitenansicht eines zweiten isolierenden Substrates 3 und eines Widerstandselementes 4 bei der Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform. In der zweiten Ausführungsform ist die Dicke t der zweiten isolierenden Schicht 3a in dem zweiten isolierenden Substrat 3 dünner als die Dicke der ersten isolierenden Schicht 1a in dem ersten isolierenden Substrat 1.
Wenn die Dicke der ersten isolierenden Schicht 1a ungefähr 0,64 mm ist, ist beispielsweise der Isolationswiderstand sichergestellt und keine Probleme treten auf, sogar wenn die Dicke der zweiten Isolationsschicht 3a ungefähr 0,32 mm ist. Speziell kann die Dicke der zweiten isolierenden Schicht 3a um ungefähr 0,32 mm dünner sein als die Dicke der ersten isolierenden Schicht 1a, was gleich der Hälfte der Dicke der ersten isolierenden Schicht 1a ist.
Die Dicke der zweiten isolierenden Schicht 3a in dem zweiten isolierenden Substrat 3 ist dadurch dünner als die Dicke der ersten isolierenden Schicht 1a in dem ersten isolierenden Substrat 1. Andere Ausgestaltungen sind die gleichen wie die Ausgestaltungen bei der ersten Ausführungsform. Durch Verwenden der oben beschriebenen Ausgestaltungen kann das zweite isolierende Substrat 3 zur Befestigung des Widerstandselementes 4 mit geringeren Kosten hergestellt werden.
Gemäß der Halbleitervorrichtung der zweiten Ausführungsform kann zusätzlich zu der Wirkung der ersten Ausführungsform das isolierende Substrat zum Befestigen des Widerstandselementes mit niedrigeren Kosten hergestellt werden und eine Kostenverringerung kann erzielt werden.
Dritte Ausführungsform
Eine Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform wird beschrieben. Hier konzentriert sich die Beschreibung auf Aspekte, die unterschiedlich zu der ersten und zweiten Ausführungsform sind.
Die Draufsichten des ersten isolierenden Substrates 1 und des zweiten isolierenden Substrates 3 einer Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform sind in 4A bzw. 4B gezeigt. In 4A ist der kürzeste Abstand von dem Umfang des ersten leitenden Musters 1b zu dem Umfang der ersten isolierenden Schicht 1a entlang der Oberfläche der ersten isolierenden Schicht 1a, nämlich der Kriechabstand von dem ersten leitenden Muster 1b zu dem Umfang der ersten isolierenden Schicht 1a durch D₁ dargestellt. In 4B ist der kürzeste Abstand von dem Umfang des zweiten leitenden Musters 3b zu dem Umfang der zweiten isolierenden Schicht 3a entlang der Oberfläche der zweiten isolierenden Schicht 3a, nämlich der Kriechabstand von dem zweiten leitenden Muster 3b zu dem Umfang der zweiten isolierenden Schicht 3a durch D₂ dargestellt.
In der dritten Ausführungsform ist der Kriechabstand D₂ kürzer als die Kriechstrecke D₁. Beispielsweise ist D₁ = 2 mm und D₂ = 0,5 mm. Andere Ausgestaltungen sind die Gleichen wie die Ausgestaltungen bei der ersten und zweiten Ausführungsform.
Bei der dritten Ausführungsform wurde in der gleichen Weise wie bei der ersten und zweiten Ausführungsform ein isolierendes Substrat, auf dem ein Gateausgleichswiderstand angebracht war, an der Seite des isolierenden Harzgehäuses befestigt. Deshalb wird es als hinreichend erachtet, wenn das isolierende Substrat einen Isolationswiderstand bis zu einigen zehn Volt aufweist. Folglich kann die Kriechstrecke D₂ kürzer sein als die Kriechstrecke D₁. Dadurch kann das zweite isolierende Sub strat 3 zum Anbringen des Widerstandselementes 4 mit weiter verringerten Kosten hergestellt werden und eine Kostenerniedrigung kann erzielt werden.
Gemäß der Halbleitervorrichtung der dritten Ausführungsform kann zusätzlich zu den Wirkungen der ersten und zweiten Ausführungsform das isolierende Substrat zum Anbringen des Widerstandselements mit weiter verringerten Kosten hergestellt werden und eine Kostenverringerung kann erzielt werden.
Vierte Ausführungsform
Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform wird beschrieben. Hier konzentriert sich die Beschreibung auf Aspekte, die unterschiedlich zu der ersten bis dritten Ausführungsform sind.
Eine Querschnittsansicht des zweiten isolierenden Substrates 3 einer Halbleitervorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform ist in 5 gezeigt. Bei dem Aufbau der ersten bis dritten Ausführungsform war das zweite Rückseitenmuster 3c auf der unteren Oberfläche der zweiten isolierenden Schicht 3a ausgebildet und an dem vorstehenden Abschnitt 8a befestigt (siehe 1B). Demgegenüber ist bei dem Aufbau der vierten Ausführungsform, wie 5 zeigt, das zweite Rückseitenmuster 3c nicht auf der unteren Oberfläche der zweiten isolierenden Schicht 3a ausgebildet.
Eine Halbleitervorrichtung, die solch ein zweites isolierendes Substrat verwendet, ist in 6 gezeigt. Speziell hat die Halbleitervorrichtung der vierten Ausführungsform einen Aufbau, bei dem ein zweites isolierendes Substrat 3 innerhalb des isolierenden Harzgehäuses 8 angebracht ist durch direktes Befestigen der zweiten isolierenden Schicht 3a an dem isolierenden Harzgehäuse 8 (der oberen Oberfläche des vorstehenden Abschnittes 8a) mit einem Kleber.
Da das Rückseitenmuster des zweiten isolierenden Substrates 3 unnötig wird, kann bei Verwendung des oben beschriebenen Aufbaus das zweite isolierende Substrat 3 zum Anbringen des Widerstandselementes 4 mit weiter verringerten Kosten hergestellt werden und eine Kostenverringerung kann erzielt werden.
Gemäß der Halbleitervorrichtung der vierten Ausführungsform kann zusätzlich zu den Wirkungen der ersten und dritten Ausführungsform das isolierende Substrat zum Anbringen des Widerstandselementes mit weiter verringerten Kosten hergestellt werden und eine Kostenverringerung kann erzielt werden. Da bei dem zweiten isolierenden Substrat 3 mit einem zweiten Rückseitenmuster 3c das Phänomen unterdrückt werden kann, daß bei dem Schaltvorgang des Halbleiterelementes 2 erzeugtes Rauschen auf das zweite leitende Muster 3b des zweiten isolierenden Substrates 3 übergreift, kann die Wirkung der Stabilisierung des Betriebs und der Verbesserung der Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung erhalten werden.
Fünfte Ausführungsform
Eine Halbleitervorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform wird beschrieben. Hier konzentriert sich die Beschreibung auf Aspekte, die unterschiedlich zu der ersten bis vierten Ausführungsform sind.
Bei der ersten bis vierten Ausführungsform wurden Beispiele dargestellt, in denen Keramiken, die aus AlN oder dergleichen zusammengesetzt waren, als Material der zweiten isolierenden Schicht 3a des zweiten isolierenden Substrates 3 verwendet wurden. Bei der fünften Ausführungsform wird ein Glasfaserverstärkter Kunststoff (Glas-Epoxidharz) als das oben beschriebene Material verwendet. Weitere Ausgestaltungen sind die gleichen wie die Ausgestaltungen bei der ersten bis vierten Ausführungsform.
In der gleichen Weise wie bei der ersten bis vierten Ausführungsform wurde auch bei der fünften Ausführungsform ein isolierendes Substrat, auf dem ein Gateausgleichswiderstand angebracht war, auf der isolierenden Gehäuseseite befestigt. Als Material für die isolierende Schicht des zweiten isolierenden Substrates 3 kann deshalb ein Material mit einem geringeren Isolationswiderstand und einem geringeren Wärmewiderstand als das Material für die isolierende Schicht des ersten isolierenden Substrates 1 verwendet werden.
Durch Verwenden des oben beschriebenen Aufbaus kann das zweite isolierende Substrat 3 zum Anbringen des Widerstandselementes mit weiter verringerten Kosten hergestellt werden und eine Kostenverringerung kann erzielt werden.
Gemäß der Halbleitervorrichtung der fünften Ausführungsform kann zusätzlich zu den Wirkungen der ersten bis vierten Ausführungsform das isolierende Substrat zum Anbringen des Widerstandselementes mit weiter verringerten Kosten hergestellt werden und eine Kostenverringerung kann erreicht werden.

Claims

Halbleitervorrichtung mit: einer Wärmesenke (6), einem ersten isolierenden Substrat (1), das auf der Wärmesenke (6) in Kontakt zu der Wärmesenke (6) ausgebildet ist, einem Halbleiterelement (2), das auf dem ersten isolierenden Substrat (1) ausgebildet ist, einem isolierenden Harzgehäuse (8), das auf der Wärmesenke (6) ausgebildet ist und das erste isolierende Substrat (1) und das Halbleiterelement (2) umgibt, einem zweiten isolierenden Substrat (3), das innerhalb des isolierenden Harzgehäuses (8) getrennt von der Wärmesenke (6) und dem ersten isolierenden Substrat (1) über der Wärmesenke (6) angebracht ist, einem Widerstandselement (4), das auf dem zweiten isolierenden Substrat (3) mittels Lötens befestigt ist, und einem Draht (5), der elektrisch das Halbleiterelement (2) mit dem Widerstandselement (4) verbindet.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei der das erste isolierende Substrat (1) eine erste isolierende Schicht (1a) aufweist und ein erstes leitendes Muster (1b), das auf der oberen Oberfläche der ersten isolierenden Schicht (1a) ausgebildet ist; das erste leitende Muster (1b) elektrisch mit dem Halbleiterelement (2) verbunden ist; das zweite isolierende Substrat (3) eine zweite isolierende Schicht (3a) und ein zweites leitendes Muster (3b) aufweist, das auf der oberen Oberfläche der zweiten isolierenden Schicht (3a) ausgebildet ist; und das zweite leitende Muster (3b) mittels Lötens elektrisch mit dem Widerstandselement (4) verbunden ist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, bei der die Dicke der zweiten isolierenden Schicht (3a) des zweiten isolierenden Substrates (3) dünner ist als die Dicke der ersten isolierenden Schicht (1a) des ersten isolierenden Substrates (1).
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, bei der, wenn der kürzeste Abstand von dem ersten leitenden Muster (1b) zu dem Umfang der ersten isolierenden Schicht (1a) ein erster Kriechabstand (D1) ist und der kürzeste Abstand von dem zweiten leitenden Muster (3b) zu dem Umfang der zweiten isolierenden Schicht (3a) ein zweiter Kriechabstand (D2) ist, der zweite Kriechabstand (D2) kürzer ist als der erste Kriechabstand (D1).
Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei der das zweite isolierende Substrat (3) weiterhin ein Rückseitenoberflächenmuster (3c) aufweist, das auf der unteren Oberfläche der zweiten isolierenden Schicht (3a) ausgebildet ist.
Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, bei der die zweite isolierende Schicht (3a) des zweiten isolierenden Substrates (3) aus einem Glasfaser-verstärkten Kunststoff zusammengesetzt ist.