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STAND DER TECHNIK
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1. Technisches Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Substrat mit vergrabenem Schaltbild
und ein Herstellungsverfahren dafür.
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2. Beschreibung der verwandten
Technik
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Angesichts
der Entwicklungen in der Elektronikbranche ist eine steigende Nachfrage
nach hoher Leistung und Funktionalität, hoher Integrationsdichte und
Miniaturisierung für
elektronische Komponenten sowie Substrate mit hoher Integrationsdichte
zur Oberflächenmontage
elektronischer Komponenten wie etwa SiP(System-in-Package), 3D-Package
o.Ä. zu
verzeichnen. Um dem Trend zu dünneren
Substraten mit höherer
Integrationsdichte gerecht werden zu können, benötigt man daher zwischen den
Schaltbildschichten Verbindungen mit hoher Integrationsdichte.
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Zur
elektrischen Verbindung in Substraten mit mehrfachen Schaltbildschichten
werden Techniken genutzt wie etwa Galvanisieren, Füllen von Durchgangsbohrungen
mit leitfähigem
Material durch Drucken von Metallpaste sowie die Buried-Bump-Verbindungstechnologie
(B2it, engl. „Buried Bump
interconnection technology"),
wobei die Verbindung mit Hilfe konisch geformter Paste hergestellt
wird, o.Ä.
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Das
Galvanisieren ist ein Verfahren zum Bearbeiten einer Durchgangsbohrung
wie etwa einer durchkontaktierten Bohrung (engl. „plated
through hole", PTH)
und einer Sacklochbohrung (engl. „blind via hole", BVH), die die Schaltbildschichten
eines Substrats mit mehrfachen Schaltbildschichten durchdringen,
mit anschließendem
Verkupfern der Innenseite der Durchgangsbohrung oder Einfüllen einer verkupferten
Schicht in die Durchgangsbohrung, um die Verbindung zu realisieren.
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Beim
Einfüllen
der Metallpaste nach dem Bearbeiten einer Durchgangsbohrung unter
Verwendung eines Lasers wird die Verbindung realisiert, indem Kupferpaste
(Cu) o.Ä.
in die Durchgangsbohrung eingefüllt
wird. Diese Technik ermöglicht
die Verbindung des elektrischen Inter-Schichten-Signals durch Anordnen
mehrerer Kernschichten in einer Matrix, in welcher die Verbindungen
realisiert worden sind, und Befestigen der Kernschicht durch Erwärmen und
kollektives Zusammendrücken.
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„B2it" ist ein Verfahren
zum Ausbilden von Höckern
aus Paste durch Drucken und Härten
einer speziellen leitfähigen
Paste in konischer Form auf einer galvanisch abgeschiedenen Kupferschicht,
die anschließend
durch die Isolationsschicht gedrückt, erwärmt und
gepresst werden, um die Verbindungen zu realisieren.
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Die
oben beschriebenen herkömmlichen Techniken
erzielen jedoch nur Verbindungen mit begrenzter Integrationsdichte
und können
nicht als vollständige
Fertigungstechnik angewendet werden.
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KURZDARSTELLUNG
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Aspekte
der vorliegenden Erfindung schaffen ein Substrat mit vergrabenem
Schaltbild und ein Herstellungsverfahren dafür, die den Freiheitsgrad beim
Schaltungsentwurf verbessern und dünnere Schaltungen mit höherer Integrationsdichte
realisieren können,
indem die Integrationsdichte der Verbindung zwischen Schaltbildschichten
in einer mehrschichtigen Leiterplatte gesteigert wird.
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Ein
Aspekt der vorliegenden Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen
eines Substrats mit vergrabenem Schaltbild, das ein auf einer Oberfläche ausgebildetes
Schaltbild aufweist, wobei die Verbindung des Schaltbildes elektrisch über einen Kontakthöcker erfolgt.
Das Verfahren umfasst Folgendes: a) Ausbilden des Schaltbildes und
des Kontakthöckers
durch selektives Abscheiden einer Galvanisierschicht auf einer Keimschicht
eines Trägerfilms,
wobei die Keimschicht auf einer Oberfläche des Trägerfilms auflaminiert ist,
b) Auflaminieren und Pressen des Trägerfilms auf eine Isolationsschicht dergestalt,
dass das Schaltbild und der Kontakthöcker der Isolationsschicht
zugewandt sind, und c) Entfernen des Trägerfilms und der Keimschicht.
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Das
Schaltbild kann durch a1) Auflaminieren eines ersten Photoresists
auf die Keimschicht und selektives Entfernen eines Teils des ersten
Photoresists, der dem Schaltbild entspricht, und a2) Abscheiden
einer Galvanisierschicht auf der Keimschicht ausgebildet werden.
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Der
Kontakthöcker
kann durch Abscheiden einer Galvanisierschicht auf einen Teil des
Schaltbildes ausgebildet werden, oder durch a3) Auflaminieren eines
zweiten Photoresists dergestalt, dass dieser das Schaltbild und
den ersten Photoresist überdeckt,
und selektives Entfernen eines Teils des zweiten Photoresists, der
einem Ort entspricht, an welchem der Kontakthöcker ausgebildet werden soll, und
a4) Abscheiden einer Galvanisierschicht auf der Keimschicht durch
Zuführen
von Elektrizität.
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Das
Verfahren kann ferner das Entfernen des ersten Photoresists und
des zweiten Photoresists zwischen Vorgang a4) und Vorgang b) umfassen.
Der Vorgang a4) kann ferner das Galvanisieren einer metallischen
Schicht aus einem Material, das sich von dem Material der Keimschicht
unterscheidet, in einem Endabschnitt des Kontakthöckers mittels
Zuführen
von Elektrizität
an die Keimschicht umfassen.
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Der
Kontakthöcker
kann ausgebildet werden, indem eine Galvanisierschicht aus einem
mit dem Material der Keimschicht identischen Material über die
Keimschicht hervorstehen gelassen wird, wobei eine metallische Schicht
aus einem Material, das sich von dem Material der Keimschicht unterscheidet,
in einem Endabschnitt des Kontakthöckers abgeschieden wird.
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Die
Galvanisierschicht kann Kupfer (Cu) umfassen, und die metallische
Schicht kann Zinn (Sn) und/oder Nickel (Ni) umfassen.
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Der
Vorgang a) kann Folgendes umfassen: d) Ausbilden jeweils eines Kontakthöckers in
zweien der Trägerfilme,
und der Vorgang b) kann Folgendes umfassen: e) Auflaminieren und
Pressen der beiden Trägerfilme
auf beide Seiten der Isolationsschicht dergestalt, dass die Kontakthöcker einander
zugewandt sind, und elektrisches Verbinden der Kontakthöcker miteinander.
Der Vorgang d) kann das Ausbilden jeweils eines Schaltbildes in
den beiden Trägerfilmen
umfassen.
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Ein
weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung schafft ein Substrat
mit vergrabenem Schaltbild, das Folgendes aufweist: eine Isolationsschicht, ein
Schaltbild, welches dergestalt in der Isolationsschicht vergraben
ist, dass ein Teil davon an einer Oberfläche der Isolationsschicht freiliegt,
und einen Kontakthöcker,
welcher dergestalt in der Isolationsschicht vergraben ist, dass
ein Endabschnitt an einer Oberfläche
der Isolationsschicht freiliegt, und dergestalt, dass der andere
Endabschnitt an der anderen Oberfläche der Isolationsschicht freiliegt.
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In
jeder der beiden Oberflächen
der Isolationsschicht kann ein Schaltbild vergraben sein.
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Der
Kontakthöcker
kann durch Verbinden eines ersten Kontakthöckers und eines zweiten Kontakthöckers ausgebildet
sein, wobei der erste Höcker dergestalt
in der Isolationsschicht vergraben sein kann, dass ein Endabschnitt
an einer Oberfläche
der Isolationsschicht freiliegt, und der zweite Kontakthöcker kann
dergestalt in der Isolationsschicht vergraben sein, dass ein Endabschnitt
an der anderen Oberfläche
der Isolationsschicht freiliegt.
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Die
Orte des ersten Kontakthöckers
und des zweiten Kontakthöckers
können
bezüglich
der Isolationsschicht symmetrisch sein.
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Der
erste Kontakthöcker
kann einen Körper umfassen,
bei dem ein Endabschnitt an einer Oberfläche der Isolationsschicht freiliegt
und der andere Endabschnitt dem zweiten Kontakthöcker zugewandt ist, wobei der
andere Endabschnitt des ersten Kontakthöckers ein Metall umfassen kann,
das sich von dem Material des Körpers
des ersten Kontakthöckers unterscheidet.
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Der
Körper
des ersten Kontakthöckers
kann Kupfer (Cu) umfassen, und der andere Endabschnitt des ersten
Kontakthöckers
kann Zinn (Sn) und/oder Nickel (Ni) umfassen.
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Aus
der nachstehenden Beschreibung einschließlich der beigefügten Zeichnungen
und Ansprüche
gehen zusätzliche
Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung hervor, die anhand
der Beschreibung leichter verstanden werden oder durch Praktizierung
der Erfindung erfahren werden können.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
ein Flussdiagram, das eine Ausführungsform
eines Herstellungsverfahrens für
ein Substrat mit vergrabenem Schaltbild gemäß der vorliegenden Erfindung
erläutert.
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2 ist
eine Darstellung der Schritte einer Ausführungsform eines Herstellungsvorgangs
für ein Substrat
mit vergrabenem Schaltbild gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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3 ist
eine Querschnittsansicht, die die erste offenbarte Ausführungsform
eines Substrats mit vergrabenem Schaltbild gemäß der vorliegenden Erfindung
veranschaulicht.
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4 ist
eine Querschnittsansicht, die die zweite offenbarte Ausführungsform
eines Substrats mit vergrabenem Schaltbild gemäß der vorliegenden Erfindung
veranschaulicht.
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5 ist
eine Querschnittsansicht, die die dritte offenbarte Ausführungsform
eines Substrats mit vergrabenem Schaltbild gemäß der vorliegenden Erfindung
veranschaulicht.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
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Nachstehend
werden anhand der beigefügten
Zeichnungen Ausführungsformen
eines Substrats mit vergrabenem Schaltbild und eines Herstellungsverfahrens
dafür ausführlicher
beschrieben. Bei der anhand der beigefügten Zeichnungen gegebenen
Beschreibung werden gleiche oder einander entsprechende Komponenten
unabhängig
von der Nummer der Figur mit gleichen Bezugszeichen wiedergegeben,
und redundante Erläuterungen
werden weggelassen.
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1 ist
ein Flussdiagram, das eine Ausführungsform
eines Herstellungsverfahrens für
ein Substrat mit vergrabenem Schaltbild gemäß der vorliegenden Erfindung
erläutert,
und 2 ist eine Darstellung der Schritte einer Ausführungsform
eines Herstellungsvorgangs für
ein Substrat mit vergrabenem Schaltbild gemäß der vorliegenden Erfindung.
In 2 sind ein Trägerfilm 10,
eine Keimschicht 12, Photoresists 14, 18,
ein Schaltbild 16, ein Kontakthöcker 20, eine metallische
Schicht 22 und eine Isolationsschicht 30 dargestellt.
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2 stellt
einen Herstellungsvorgang eines Substrats mit vergrabenem Schaltbild
gemäß der vorliegenden
Ausführungsform
dar und zeigt für
jeden Schritt links die Querschnittsansicht des Substrats und rechts
die Draufsicht.
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Die
vorliegende Ausführungsform
ist bei dem Vorgang des Ausbildens eines vergrabenen Schaltbilds
dadurch gekennzeichnet, dass ferner der Kontakthöcker 20, der in Form eines
Höckers
als Teil des Schaltbildes 16 hervorsteht, ausgebildet wird
und dies dazu benutzt wird, elektrische Verbindungen mit hoher Integrationsdichte
zu realisieren, wodurch der Freiheitsgrad beim Schaltungsentwurf
verbessert und eine dünnere
Schaltung mit höherer
Integrationsdichte realisiert wird.
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Bei
dem so genannten „Substrat
mit vergrabenem Schaltbild" gemäß der vorliegenden
Ausführungsform,
bei welchem das Schaltbild 16 in einer Oberfläche vergraben
ist, wird, um eine Leiterplatte herzustellen, die die elektrische
Verbindung des Schaltbildes 16 mittels des Kontakthöckers 20 realisiert,
als Erstes durch außenstromlose
Metallisierung o.Ä.
die Keimschicht 12 auf eine Oberfläche des Trägerfilms 10 auflaminiert,
und das erhabene Schaltbild 16, das über die Keimschicht 12 hervorsteht,
wird durch selektives Galvanisieren der Keimschicht 12 ausgebildet.
Bei diesem Schritt wird ebenso der Kontakthöcker 20, der über das
Schaltbild 16 hinaus hervorsteht, als Teil des Schaltbildes 16 oder
separat von dem Schaltbild 16 als elektrischer Verbindungspfad
ausgebildet (100).
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Beim
Ausbilden des Schaltbildes 16 wird im Anschluss an das
Auflaminieren des Photoresists 14 auf die auf die Oberfläche des
Trägerfilms 10 auflaminierte
Keimschicht 12 und das Entfernen nur derjenigen Teile,
an welchen das Schaltbild 16 ausgebildet werden soll, (102)
durch selektives Belichten und Entwickeln dieser Teile (siehe 2a) eine galvanisierte Schicht hinzugefügt, indem
der Keimschicht 12 (104) Elektrizität zugeführt wird
(siehe 2b). Auf diese Weise wird auf
der Keimschicht 12 das erhabene Schaltbild 16 ausgebildet.
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Falls
nur ein vergrabenes Schaltbild ausgebildet wird, wird der Photoresist 14 nach
dem Ausbilden des Schaltbildes 16 abgeschält; in der
vorliegenden Erfindung jedoch wird der Kontakthöcker 20 ausgebildet,
indem Teilen des Schaltbildes 16 eine galvanisierte Schicht
hinzugefügt
wird. Beim Ausbilden des Schaltbildes 16 wird, nachdem
den Teilen, an denen der Kontakthöcker 20 ausgebildet
werden soll, die galvanisierte Schicht hinzugefügt wurde, an den Teilen, an
denen der Kontakthöcker 20 ausgebildet werden
soll, erneut galvanisiert.
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D.h.,
nach dem Ausbilden des Schaltbildes 16 durch Hinzufügen einer
galvanisierten Schicht an den Teil, an dem der Photoresist 14 selektiv
entfernt worden ist, wird erneut ein Photoresist 18 auflaminiert
und durch selektives Belichten und Entwickeln lediglich von denjenigen
Teilen, an denen der Kontakthöcker 20 ausgebildet
werden wird, entfernt (106) (siehe 2c),
und dann wird die galvanisierte Schicht hinzugefügt, indem der Keimschicht 12 Elektrizität zugeführt wird
(108) (siehe 2d). Auf diese Weise
wird der Kontakthöcker 20 ausgebildet,
der über
das Schaltbild 16 hinaus hervorsteht.
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Falls
die Kupferkeimschicht 12 dem Trägerfilm 10 durch außenstromloses
Verkupfern hinzugefügt
wird, werden das Schaltbild 16 und der Kontakthöcker 20 durch
galvanisches Verkupfern ausgebildet, so dass die Keimschicht 12,
das Schaltbild 16 und der Kontakthöcker 20 allesamt aus
Kupfer (Cu) bestehen.
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In
diesem Falle können
durch Zuführen
von Elektrizität
an die Keimschicht 12 vor dem Abschälen des zum Ausbilden des Kontakthöckers 20 auflaminierten
Photoresists 18 (siehe 2e)
ferner unterschiedliche Sorten der metallischen Schicht 22 wie etwa
Zinn (Sn), Nickel (Ni) etc. auf einen Endabschnitt des Kontakthöckers 20 galvanisiert
werden. Ein derartiges Galvanisieren des Endabschnitts des Kontakthöckers 20 mit
einer anderen Materialsorte, wie es nachstehend beschrieben wird,
senkt die Verbindungstemperatur bei dem Vorgang des Verbindens der
Kontakthöcker 20 miteinander
ab und vereinfacht hierdurch die Verbindung.
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Im
Anschluss an das Ausbilden des Schaltbilds 16 und des Kontakthöckers 20 und
das Galvanisieren eines Endabschnitts des Kontakthöckers 20 mit
einer anderen Metallsorte werden die zum selektiven Galvanisieren
auflaminierten Photoresists 14, 18 abgeschält und entfernt
(110) (siehe 2f).
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Als
Nächstes
wird der Trägerfilm 10,
auf dem das Schaltbild 16 und der Kontakthöcker 20 hervorstehen,
auf die Keimschicht 12 auf der Isolationsschicht 30 auflaminiert
(120). D.h., der Trägerfilm 10 wird
dergestalt auf die Isolationsschicht 30 gepresst, dass
das Schaltbild 16 und der Kontakthöcker 20 der Isolationsschicht 30 zugewandt
sind, wodurch das Schaltbild 16 und der Kontakthöcker 20 in
der Isolationsschicht 30 vergraben werden.
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Um
die elektrische Verbindung zwischen Schaltungen mit Hilfe der Kontakthöcker 20 zu
realisieren, werden zwei Trägerfilme 10 laminiert,
auf denen die Kontakthöcker 20 wie
in 2g zu beiden Seiten der Isolationsschicht 30 ausgebildet
werden, und wie in 2h gepresst, damit
die Kontakthöcker 20 miteinander
verbunden werden können.
Bei diesem Vorgang sind die auf den beiden Trägerfilmen 10 ausgebildeten
Kontakthöcker 20 einander
gegenüberliegend
angeordnet.
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Wie
oben beschrieben wurde, kann aufgrund der unterschiedlichen Sorten
der auf den Endabschnitt des Kontakthöckers 20 galvanisierten
Metallschicht 22 unter Absenkung der Verbindungstemperatur
bei dem Vorgang des Verbindens der Kontakthöcker 20 miteinander
die Verbindung vereinfacht werden.
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Im
Anschluss an das Vergraben des Schaltbilds 16 und des Kontakthöckers 20 in
der Isolationsschicht 30 und dem Herstellen der elektrischen
Verbindung durch Verbinden der Kontakthöcker 20 miteinander
wird der Trägerfilm 10 abgeschält (siehe 2i) und die Keimschicht 12 durch Ätzen o.Ä. entfernt
(130) (siehe 2j). Auf diese
Weise wird die Herstellung eines Substrats mit vergrabenem Schaltbild,
bei welchem die Verbindung über
das vergrabene Schaltbild und die Kontakthöcker 20 realisiert wird,
abgeschlossen.
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3 ist
eine Querschnittsansicht, die die erste Ausführungsform eines Substrats
mit vergrabenem Schaltbild gemäß der vorliegenden
Erfindung veranschaulicht, 4 ist eine
Querschnittsansicht, die die zweite Ausführungsform eines Substrats
mit vergrabenem Schaltbild gemäß der vorliegenden
Erfindung veranschaulicht, und 5 ist eine
Querschnittsansicht, die die dritte Ausführungsform eines Substrats
mit vergrabenem Schaltbild gemäß der vorliegenden
Erfindung veranschaulicht. In 3 bis 5 sind
Schaltbilder 16, Kontakthöcker 20, eine metallische
Schicht 22 und eine Isolationsschicht 30 dargestellt.
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Herkömmliche
Verbindungsverfahren erzielen nur Verbindungen mit begrenzter Integrationsdichte,
so dass es schwierig war, Schaltungen mit hoher Integrationsdichte
zu entwerfen, wohingegen die Verbindung mit Hilfe von Kontakthöckern 20 in
dem Substrat, in dem das vergrabene Schaltbild 16 ausgebildet
wird, gemäß dem obenstehend
beschriebenen Herstellungsverfahren eines Substrats mit vergrabenem
Schaltbild die Herstellung dünnerer
Schaltungen mit höherer
Integrationsdichte möglich
macht.
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3 veranschaulicht
die Struktur des Substrats mit vergrabenem Schaltbild, das in dem
obenstehend beschriebenen Herstellungsverfahren eines Substrats
mit vergrabenem Schaltbild hergestellt wurde. Und zwar besteht das
Substrat mit vergrabenem Schaltbild gemäß der vorliegenden Ausführungsform
aus dem vergrabenen Schaltbild, das in der Isolationsschicht 30 vergraben
ist und an der Oberfläche
der Isolationsschicht 30 eine freiliegende Oberfläche aufweist,
und dem die Isolationsschicht 30 durchdringenden Kontakthöcker 20,
der Oberflächen
aufweist, die an beiden Seiten der Isolationsschicht 30 freiliegen,
und der die Rolle eines elektrischen Pfads zwischen den Schaltungsschichten übernimmt.
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Wie
obenstehend bei dem Herstellungsvorgang eines Substrats mit vergrabenem
Schaltbild beschrieben wurde, wird auf beide Seiten der Isolationsschicht 30 ein
auf einem Trägerfilm 10 hervorstehend
ausgebildetes Schaltbild 16 gepresst, und daher wird in
beiden Seiten der Isolationsschicht 30 jeweils ein Schaltbild 16 vergraben.
In dem Trägerfilm 10 wird
nicht nur das Schaltbild 16, sondern auch der Kontakthöcker 20 hervorstehend
ausgebildet, so dass der elektrische Pfad zwischen den Schaltungsschichten
mit den beiden Kontakthöckern 20 ausgebildet
werden kann, die in beiden Seiten der Isolationsschicht 30 vergraben
sind und miteinander in Verbindung stehen. D.h., die beiden Kontakthöcker 20 werden
an Orten vergraben, die auf beiden Seiten bezüglich der Isolationsschicht 30 symmetrisch
zueinander angeordnet sind, und miteinander verbunden.
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Der
Trägerfilm 10,
an dem das Schaltbild 16 und der Kontakthöcker 20 auf
beiden Seiten der Isolationsschicht 30 ausgebildet werden,
muss jedoch nicht notwendigerweise wie in 3 gezeigt
gepresst und auflaminiert werden, sondern stattdessen können das
vergrabene Schaltbild und die Verbindung realisiert werden, indem
der Trägerfilm 10 nur auf
eine Seite der Isolationsschicht 30 gepresst wird, wie
in 5. In diesem Falle entspricht die Höhe, um welche
der Kontakthöcker 20 hervorsteht,
bevorzugt der Dicke der Isolationsschicht 30, damit der
Kontakthöcker 20 als
Verbindungspfad fungieren kann.
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Die
Kontakthöcker 20 der
vorliegenden Ausführungsform
fungieren als Pfad, der die elektrische Verbindung zwischen Schaltungsschichten
realisiert, so dass, indem sie unabhängig dem herkömmlichen Vorgang
des Ausbildens eines Schaltbildes hinzugefügt werden, er beim Realisieren
der elektrischen Verbindung zwischen den Schaltungsschichten verwendet
werden kann. D.h., die Ausführungsform
aus 4 veranschaulicht ein Beispiel, bei dem auf dem Trägerfilm 10 nur
die Kontakthöcker 20 ausgebildet und
dann in der Isolationsschicht 30 vergraben werden, um die
Verbindung zu realisieren. In diesem Falle entspricht die Höhe, um welche
die Kontakthöcker 20 hervorstehen,
bevorzugt der Dicke der Isolationsschicht 30, damit die
Kontakthöcker 20 als
Verbindungspfad fungieren können.
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Die
Kontakthöcker 20 der
vorliegenden Erfindung werden ausgebildet, indem die Keimschicht 12 auf
den Trägerfilm 10 auflaminiert
und der Teil selektiv galvanisiert wird, und somit lassen sich die
Kontakthöcker 20 ohne
zusätzliche
Vorgänge
einfach ausbilden, indem vor dem Abschälen des Photolacks 14 nach
dem Vorgang des Ausbildens des Schaltbildes 16 eine weitere
Galvanisierung ausgeführt
wird. D.h., dass durch Hinzufügen
des Vorgangs des Ausbildens der Kontakthöcker 20 der vorliegenden
Ausführungsform
zu dem Vorgang des Ausbildens eines vergrabenen Schaltbildes die
elektrische Verbindung zwischen den Schaltungsschichten einfach
realisiert werden kann.
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Wie
obenstehend beschrieben wurde, wird durch Galvanisieren einer anderen
Sorte der metallischen Schicht 22 auf einen Endabschnitt
des Kontakthöckers 20 die
Verbindungstemperatur des Vorgangs des Verbindens der Kontakthöcker 20 miteinander
abgesenkt, und die Verbindung wird einfach, so dass beim Gruppieren
des Kontakthöckers 20 in einen
Körper,
wobei ein Endabschnitt an einer Oberfläche der Isolationsschicht 30 liegt
und der andere Endabschnitt mit einem weiteren Kontakthöcker 20 verbunden
ist, eine weitere Galvanisierung an dem anderen Endabschnitt des
Kontakthöckers 20,
auf dem Körper
und der anderen Sorte von metallischer Schicht 22 durchgeführt werden
kann.
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Falls
das Schaltbild 16 und die Kontakthöcker 20 durch Verkupferung
ausgebildet werden, wird in den Endabschnitten der Kontakthöcker 20 bevorzugt
mit Zinn (Sn), Nickel (Ni) o.Ä.
galvanisiert.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung, deren Bestandteile obenstehend dargelegt wurden, wird
die Schaltungsverbindung mit Hilfe eines Kontakthöckers aus
Kupfer (Cu) realisiert, so dass für die Verbindung kein Bohrvorgang
erforderlich ist, der Freiheitsgrad beim Schaltungsentwurf verbessert
wird, eine Anschlussfläche
für die
Durchverbindung überflüssig wird
und die Größe der Durchverbindung
gering ist, was in einer Schaltung eine höhere Integrationsdichte ermöglicht.
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Außerdem wird
ein Schaltbild durch Vergraben in einer Isolationsschicht ausgebildet,
so dass die Dicke eines Substrats gering gemacht werden kann, die
Kontaktfläche
zwischen dem Schaltbild und der Isolationsschicht groß ist, die
Haftkraft exzellent ist und die Beständigkeit gegen Ionenwanderung
verbessert wird.
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Bei
dem Vorgang des Zusammenfügens
der Kontakthöcker
wird der Endabschnitt eines Höckers mit
einer anderen Metallsorte wie etwa Zinn (Sn) und Nickel (Ni) galvanisiert,
und die Verbindungstemperatur bei der Verbindung eines Höckers kann
abgesenkt werden, was die Verbindung vereinfacht.
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Die
obenstehende Beschreibung hat zwar neuartige Merkmale der auf diverse
Ausführungsformen
angewendeten Erfindung aufgezeigt, doch versteht der Fachmann, dass
diverse Auslassungen, Ersetzungen und Änderungen an Form und Einzelheiten
der dargestellten Vorrichtung bzw. des dargestellten Vorgangs gemacht
werden können,
ohne dabei vom Schutzumfang der Erfindung abzuweichen. Der Schutzumfang
der Erfindung wird daher durch die beigefügten Ansprüche definiert und nicht durch
die vorstehende Beschreibung. Alle Varianten, die von der Bedeutung
und dem Äquivalenzbereich
der Ansprüche
abgedeckt werden, sind in deren Schutzumfang eingeschlossen.