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DE102007006583A1 - Method for manufacturing luminescent diode, involves superimposing housing on substrate, which is provided with two metal electrodes, where substrate is provided in center with isolation area which separates two metal electrodes - Google Patents

Method for manufacturing luminescent diode, involves superimposing housing on substrate, which is provided with two metal electrodes, where substrate is provided in center with isolation area which separates two metal electrodes Download PDF

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DE102007006583A1
DE102007006583A1 DE102007006583A DE102007006583A DE102007006583A1 DE 102007006583 A1 DE102007006583 A1 DE 102007006583A1 DE 102007006583 A DE102007006583 A DE 102007006583A DE 102007006583 A DE102007006583 A DE 102007006583A DE 102007006583 A1 DE102007006583 A1 DE 102007006583A1
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metal electrodes
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chips
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Wen-Kung Sung
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Abstract

The method involves superimposing (10) a housing on a substrate, which is provided with two metal electrodes. Two chips and bond wires are arranged (20) inside the housing. A light porous resin is filled (30) into the housing for encapsulation. The encapsulated light emitting diode (LED) is sectioned (40) in the center between the two chips. The substrate is provided in the center with an isolation area which separates the two metal electrodes. An independent claim is also included for a structure of a luminescent diode.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer seitlich leuchtenden Diode und deren Aufbau, das bzw. der den Herstellungsvorgang vereinfacht, die Dicke minimiert und eine schnelle Herstellung bewirkt. Insbesondere ist es bzw. der gut für den Einsatz in Leuchtdioden oder ähnlicher Konstruktion geeignet.The The invention relates to a method for producing a laterally luminous Diode and its structure, which simplifies the manufacturing process, minimizes the thickness and causes rapid production. Especially is it or the good for the Use in light-emitting diodes or similar Construction suitable.

Aufgrund des geringen Stromverbrauchs und der kleinen Baugröße werden Leuchtdioden immer mehr in Hausgeräten, Hintergrundbeleuchtungen von Handy-Displays, Verkehrsampeln, Reklamebeleuchtungen, Zusatzbremsleuchten für Autos, usw. eingesetzt. Vor kurzem sind neue Leuchtstoffe wie z. B. AlGaInP, AlGaInN usw. entwickelt worden, die der Leuchtdiode eine erhöhte Lichtausbeute verschaffen.by virtue of Low power consumption and small size Light-emitting diodes more and more in home appliances, backlights of mobile phone displays, traffic lights, advertisement lighting, auxiliary brake lights for cars, etc. used. Recently, new phosphors such. B. AlGaInP, AlGaInN etc. have been developed, which gives the LED an increased light output gain.

Das Licht der bekannten Leuchtdiode wird normalerweise nach vorne geworfen. Die einfachste Methode zur Regelung der Lichtrichtung nach der Verbindung mit der Leiterplatte ist die Veränderung der Position der Leiterplatte. Um beispielsweise ein Seitenlicht der Leuchtdiode auszustrahlen, wird die Leiterplatte senkrecht in einem Gerät eingebaut. Um die Ausstrahlung des nach unten gerichteten Lichts zu ermöglichen, wird die Leiterplatte auf dem oberen Ende aufgebracht. Als Alternative dazu kann die Leuchtdiode derart um einen bestimmten Winkel gebogen werden, dass das Vorwärtslicht in Seitwärtslicht umgewandelt wird. Wie in 5 gezeigt, weist eine herkömmliche, seitlich leuchtende Diode ein Gehäuse A in bestimmter Dicke auf. Im Inneren des Gehäuses A ist ein Chip B vorgesehen. Das Gehäuse A ist aus Kunststoff hergestellt. Das Gehäuse A ist gegen hohe Temperatur beständig. Aber das Gehäuse erfordert eine geringe Dicke, sodass die Herstellung sehr schwierig ist.The light of the known light-emitting diode is normally thrown forward. The simplest way to control the light direction after connection to the PCB is to change the position of the PCB. For example, to emit a side light of the LED, the circuit board is installed vertically in a device. In order to allow the emission of the downward light, the printed circuit board is placed on the upper end. Alternatively, the light emitting diode may be bent by a certain angle such that the forward light is converted to sideward light. As in 5 1, a conventional, laterally illuminating diode has a housing A of a certain thickness. Inside the housing A, a chip B is provided. The housing A is made of plastic. The housing A is resistant to high temperature. But the housing requires a small thickness, so that the production is very difficult.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen einer seitlich leuchtenden Diode, das einen einfachen und schnellen Herstellungsvorgang aufweist, sowie einen Aufbau einer seitlich leuchtenden Diode, die eine verringerte Dicke aufweist, zu schaffen.Of the Invention is based on the object, a method for manufacturing a side-lit diode that makes a simple and fast Manufacturing process, as well as a construction of a side to provide a luminous diode having a reduced thickness.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer seitlich leuchtenden Diode und deren Aufbau, das und der die im Anspruch 1 bzw. 3 angegebenen Merkmale aufweist. Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor.These The object is achieved by a method for producing a laterally lit diode and its structure, which and having the features specified in claim 1 and 3 features. Further advantageous developments of the invention will be apparent from the dependent claims out.

Gemäß der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer seitlich leuchtenden Diode geschaffen, das die folgenden Schritte aufweist:

  • – Aufbringen eines Gehäuses auf ein Substrat, das mit zwei Metallelektroden versehen ist;
  • – Anordnen zweier Chips und Bonddrähte im Inneren des Gehäuses;
  • – Einfüllen des lichtdurchlässigen Harzes in das Gehäuse zum Einkapseln; und
  • – Durchschneiden der eingekapselten Leuchtdiode in der Mitte zwischen den zwei Chips.
According to the invention, there is provided a method of manufacturing a side-lit diode comprising the steps of:
  • - Applying a housing to a substrate which is provided with two metal electrodes;
  • - Arranging two chips and bonding wires inside the housing;
  • - filling the translucent resin in the housing for encapsulation; and
  • - Cut the encapsulated LED in the middle between the two chips.

Die durch das Verfahren hergestellte, seitlich leuchtende Diode weist an nur einer Seite das Gehäuse auf, wodurch die gesamte Dicke der seitlich leuchtenden Diode verringert wird.The by the method produced, laterally lit diode has on one side only the case on, which reduces the entire thickness of the laterally lit diode becomes.

Die Erfindung wird mit Bezug auf die Zeichnung näher erläutert.The The invention will be explained in more detail with reference to the drawing.

In der Zeichnung zeigen:In show the drawing:

1 ein Flussdiagramm des erfindungsgemäßen Verfahrens; 1 a flow chart of the method according to the invention;

2 eine perspektivische Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Leuchtdiode; 2 a perspective view of an embodiment of a light emitting diode according to the invention;

3 eine perspektivische Darstellung eines erfindungsgemäßen Substrats; 3 a perspective view of a substrate according to the invention;

4 eine perspektivische Darstellung der erfindungsgemäßen, eingekapselten Leuchtdiode; und 4 a perspective view of the encapsulated LED according to the invention; and

5 eine perspektivische Darstellung einer Konstruktion nach dem Stand der Technik. 5 a perspective view of a construction according to the prior art.

Gemäß 1 weist ein erfindungsgemäßes Verfahren die folgenden Schritte auf:

  • – Aufbringen eines Gehäuses auf ein Substrat, das mit zwei Metallelektroden versehen ist;
  • – Anordnen zweier Chips und Bonddrähte im Inneren des Gehäuses;
  • – Einfüllen des lichtdurchlässigen Harzes in das Gehäuse zum Einkapseln; und
  • – Durchschneiden der eingekapselten Leuchtdiode in der Mitte zwischen den zwei Chips.
According to 1 a method according to the invention comprises the following steps:
  • - Applying a housing to a substrate which is provided with two metal electrodes;
  • - Arranging two chips and bonding wires inside the housing;
  • - filling the translucent resin in the housing for encapsulation; and
  • - Cut the encapsulated LED in the middle between the two chips.

Nach dem Durchführen der oben erwähnten Schritte wird der Herstellungsvorgang abgeschlossen.To performing the above-mentioned steps the manufacturing process is completed.

Wie aus 3 und 4 ersichtlich, ist das Substrat 50 in seiner Mitte mit einem Isolierbereich 51 versehen, mit dem das Substrat 50 beidseitig in zwei Durchlassbereiche 52 teilbar ist. Auf der Oberfläche des Substrats 50 befindet sich ein Gehäuse 60, das sich über die beiden Durchlassbereiche 52 und den Isolierbereich 51 erstreckt. Auf dem Isolierbereich 51 werden zwei Chips 70 aufgebracht, die beide über Bonddrähte 71 mit den jeweils zugeordneten Durchlassbereichen 52 verbunden sind. Daraufhin wird das lichtdurchlässige Harz 80 in das Gehäuse 60 eingefüllt. So wird der Einkapselungsvorgang der die beiden Chips 70 aufweisenden Leuchtdiode abgeschlossen.How out 3 and 4 As can be seen, the substrate is 50 in its middle with an insulating area 51 provided with which the substrate 50 on both sides in two passages 52 is divisible. On the surface of the substrate 50 there is a housing 60 that extends across the two passbands 52 and the insulation area 51 extends. On the isolation area 51 be two chips 70 applied, both via bonding wires 71 with the respective associated passbands 52 are connected. Then the translucent resin 80 in the case 60 filled. This is the encapsulation process the two chips 70 completed light emitting diode completed.

Nach dem oben erwähnten Zusammenbau wird die Leuchtdiode so in der Mitte durchgeschnitten durchschneiden, dass die beiden Chips 70 getrennt werden. Nach dem Durchschneiden der Leuchtdiode in der Mitte werden zwei in 2 dargestellte, seitlich leuchtende Dioden 5 mit geringer Dicke gebildet. Das Gehäuse 60 der seitlich leuchtenden Diode 5 ist als umgekehrt U-förmiger Rahmen 61 ausgeführt, dessen eine Seite frei ist. Auf diese Weise wird die Dicke des Gehäuses 60 erheblich minimiert. Auf dem Isolierbereich 51 des Substrats 50 befindet sich ein Chip 70, der über zwei Bonddrähte 71 mit den beiden Durchlassbereichen 52 verbunden ist. Mit dem lichtdurchlässigen Harz 80 lassen sich die Chips 70 und die Bonddrähte 71 abdichten.After the assembly mentioned above, the LED will cut through in the middle so that the two chips 70 be separated. After cutting the light emitting diode in the middle, two in 2 illustrated, laterally lit diodes 5 formed with a small thickness. The housing 60 the side-lit diode 5 is as the opposite U-shaped frame 61 executed, one side of which is free. In this way, the thickness of the housing 60 considerably minimized. On the isolation area 51 of the substrate 50 there is a chip 70 that has two bond wires 71 with the two passages 52 connected is. With the translucent resin 80 let the chips go 70 and the bonding wires 71 caulk.

Zusammengefasst lassen sich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und dem dadurch hergestellten Aufbau beispielsweise folgende Vorteile realisieren:

  • 1. Durch das erfindungsgemäße einfache Verfahren kann die Dicke der so hergestellten seitlich leuchtenden Dioden 5 erheblich minimiert.
  • 2. Durch das erfindungsgemäße einfache Verfahren wird die so hergestellte Leuchtdiode durch Durchschneiden in der Mitte in zwei vollständige, seitlich leuchtende Dioden 5 geteilt.
In summary, for example, the following advantages can be realized with the method according to the invention and the structure produced thereby:
  • 1. By the simple method according to the invention, the thickness of the thus produced side-emitting diodes 5 considerably minimized.
  • 2. By the simple method according to the invention, the light-emitting diode thus produced by cutting in the middle in two complete, laterally lit diodes 5 divided.

Obwohl die Erfindung in Bezug auf ein Beispiel beschrieben wurde, welches derzeit als praktikabelste und bevorzugte Ausführungsform betrachtet wird, versteht es sich, dass die Erfindung nicht auf das offenbarte Ausführungsbeispiel beschränkt ist. Im Gegenteil sollen verschiedene Modifikationen und ähnliche Anordnungen abgedeckt werden, die sich im Umfang der beigefügten Ansprüche befinden, der mit der breitesten Interpretation übereinstimmt, um alle derartigen Modifikationen und ähnliche Anordnung zu umfassen.Even though the invention has been described with reference to an example which is currently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is understood that the invention is not limited to the disclosed embodiment limited is. On the contrary, various modifications and the like Arrangements are covered, which are within the scope of the appended claims, which agrees with the broadest interpretation to all such Modifications and similar To include arrangement.

1010
Aufbringen eines Gehäuses auf ein Substrat, das mit zwei Metallelektroden versehen istapply a housing on a substrate provided with two metal electrodes
2020
Anordnen zweier Chips und Bonddrähte im Inneren des Gehäusesarrange two chips and bonding wires inside the case
3030
Einfüllen des lichtdurchlässigen Harzes in das Gehäuse zum EinkapselnFilling in the translucent Resin in the housing for encapsulation
4040
Durchschneiden der eingekapselten Leuchtdiode in der Mitte zwischen den zwei Chipsby cutting the encapsulated LED in the middle between the two chips
5050
Substratsubstratum
5151
Isolierbereichisolation
5252
DurchlassbereichPassband
6060
Gehäusecasing
6161
umgekehrt U-förmiger Rahmenvice versa U-shaped frame
7070
Chipchip
7171
Bonddrahtbonding wire
8080
lichtdurchlässiges Harztranslucent resin
55
seitlich leuchtende Diodelaterally glowing diode
AA
Gehäusecasing
BB
Chipchip

Claims (4)

Verfahren zum Herstellen einer seitlich leuchtenden Diode (5), das die folgenden Schritte aufweist: – Aufbringen eines Gehäuses auf ein Substrat, das mit zwei Metallelektroden versehen ist; – Anordnen zweier Chips und Bonddrähte im Inneren des Gehäuses; – Einfüllen des lichtdurchlässigen Harzes in das Gehäuse zum Einkapseln; und – Durchschneiden der eingekapselten Leuchtdiode in der Mitte zwischen den zwei Chips.Method for producing a laterally illuminated diode ( 5 ) comprising the steps of: applying a package to a substrate provided with two metal electrodes; - Arranging two chips and bonding wires inside the housing; - filling the translucent resin in the housing for encapsulation; and - cutting the encapsulated LED in the middle between the two chips. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (50) in der Mitte mit einem Isolierbereich (51) versehen ist, mit dem die beiden Metallelektroden trennbar sind.Method according to claim 1, characterized in that the substrate ( 50 ) in the middle with an insulating area ( 51 ) is provided, with which the two metal electrodes are separable. Aufbau einer seitlich leuchtenden Diode, aufweisend: ein Substrat (50) mit zwei Metallelektroden; ein Gehäuse (60), das umgekehrt U-förmig ausgebildet und oben auf dem Substrat (50) vorgesehen ist; einen Chip, der auf das Substrat (50) innerhalb des Gehäuses (60) aufbringbar und über Bonddrähte (71) mit den beiden Metallelektroden verbunden ist; und eine Schicht von lichtdurchlässigem Harz (80), das für das Einkapseln der oben erwähnten Bauteile sorgt, wodurch die Dicke der Leuchtdiode minimierbar ist.Structure of a laterally illuminated diode, comprising: a substrate ( 50 ) with two metal electrodes; a housing ( 60 ), which is inverted U-shaped and on top of the substrate ( 50 ) is provided; a chip on the substrate ( 50 ) within the housing ( 60 ) and via bonding wires ( 71 ) is connected to the two metal electrodes; and a layer of translucent resin ( 80 ), which provides for the encapsulation of the above-mentioned components, whereby the thickness of the light emitting diode is minimized. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (50) in der Mitte mit einem Isolierbereich (51) versehen ist, mit dem die beiden Metallelektroden trennbar sind.Method according to claim 3, characterized in that the substrate ( 50 ) in the middle with an insulating area ( 51 ) is provided, with which the two metal electrodes are separable.
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