[go: up one dir, main page]

DE102007005875A1 - Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Ausrichtung von Oberflächen von optischen Elementen - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Ausrichtung von Oberflächen von optischen Elementen Download PDF

Info

Publication number
DE102007005875A1
DE102007005875A1 DE102007005875A DE102007005875A DE102007005875A1 DE 102007005875 A1 DE102007005875 A1 DE 102007005875A1 DE 102007005875 A DE102007005875 A DE 102007005875A DE 102007005875 A DE102007005875 A DE 102007005875A DE 102007005875 A1 DE102007005875 A1 DE 102007005875A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optical element
lens
examined
measuring
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102007005875A
Other languages
English (en)
Inventor
Stefan Xalter
Yim-Bun Patrick Dr. Kwan
Markus Dr. Degünther
Manfred Dr. Maul
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102007005875A priority Critical patent/DE102007005875A1/de
Priority to KR1020097016297A priority patent/KR101446820B1/ko
Priority to PCT/EP2008/000920 priority patent/WO2008095695A2/de
Priority to CN201310276200.5A priority patent/CN103345128B/zh
Priority to JP2009547617A priority patent/JP5194030B2/ja
Priority to EP08715697A priority patent/EP2115535B9/de
Priority to CN200880004238.4A priority patent/CN101636696B/zh
Priority to KR1020147010491A priority patent/KR101440762B1/ko
Priority to EP12005054.7A priority patent/EP2511765B1/de
Priority to TW97104835A priority patent/TWI444606B/zh
Publication of DE102007005875A1 publication Critical patent/DE102007005875A1/de
Priority to US12/506,364 priority patent/US8339577B2/en
Priority to US13/556,408 priority patent/US9013684B2/en
Priority to US14/255,302 priority patent/US9019475B2/en
Priority to US14/255,371 priority patent/US9001309B2/en
Priority to US14/695,242 priority patent/US9239229B2/en
Priority to US14/969,143 priority patent/US9897925B2/en
Priority to US15/878,747 priority patent/US20180246415A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/005—Testing of reflective surfaces, e.g. mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Bestimmung von Oberflächenänderungen von optischen Elementen in Objektiven, insbesondere optischen Elementen in Objektiven der Mikrolithographie, wobei mindestens eine Messbeleuchtungseinrichtung (10, 11, 13), mit welcher das zu untersuchende optische Element (1) mit mindestens einem Messstrahlenbündel (6, 14) beleuchtet wird, dessen Einstrahlrichtung unterschiedlich zur Einstrahlrichtung des oder der Objektivstrahlbündel (5) ist, und mindestens eine Detektoreinrichtung (17) vorgesehen sind, welche Änderungen des Messstrahlenbündels nach Wechselwirkung mit der Oberfläche des zu untersuchenden optischen Elements erfasst.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Bestimmung von Oberflächenänderungen von optischen Elementen in Objektiven, insbesondere optischen Elementen in Objektiven der Mikrolithographie sowie ein entsprechendes Verfahren hierzu.
  • STAND DER TECHNIK
  • In Objektiven für die Mikrolithographie, welche bei der Herstellung von fein strukturierten Halbleiterbauelementen eingesetzt werden, kommen vermehrt optische Elemente zum Einsatz, deren Oberfläche zur Variation der Abbildungseigenschaften manipulierbar ist. Ein Beispiel hierfür sind sog. Multi-Mirror-Arrays (Vielfachspiegelanordnung), bei welchem eine Vielzahl von Mikrospiegeln in einem Feld, vorzugsweise in Reihen und Spalten, angeordnet sind. Die Mirkospiegel sind bewegbar und insbesondere über zwei senkrecht zueinander vorgesehene Achsen verschwenk- und verkippbar, so dass ihre Oberflächennormale, ausgehend von einer Nullposition, in beliebige Richtungen verkippbar ist.
  • Dies wird dazu genutzt, in Beleuchtungsobjektiven die Beleuchtungseinstellungen variabel verändern zu können. Beispiele hierfür sind in der WO 2005/026 843 A2 sowie der EP 12 628 36 A1 gegeben. Weiterhin werden Multi-Mirror-Arrays auch als reflektives Retikel einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie eingesetzt ( WO 2005/096 098 A2 ).
  • Für derartige Komponenten ist es wesentlich, die genaue Kippstellung der einzelnen Spiegelelemente zu kennen, um exakte Positionen einstellen zu können, welche maßgeblich die entsprechenden Abbildungseigenschaften beeinflussen.
  • Aus der US 6965119 ist ein Verfahren zur Justierung entsprechender Spiegelelemente bekannt, bei welchem ein Teil des Belichtungsstrahls aus dem Strahlengang ausgekoppelt wird, um durch Intensitätsmessungen eine Justierung der Spiegelelemente vornehmen zu können. Diese Vorgehensweise hat allerdings den Nachteil, dass Intensitätsverluste beim Nutzlicht durch die Auskopplung auftreten.
  • Um Beeinträchtigungen durch Intensitätsverluste zu vermeiden, ist es nach dem Stand der Technik auch möglich, eine Justierung und Überprüfung der Ausrichtung von Spiegelelementen eines Multi-Mirror-Arrays in Zeiten vorzunehmen, in denen das Objektiv nicht genutzt wird. Allerdings sind hier unter Umständen Stillstandszeiten zur Überprüfung der Spiegelelemente erforderlich, die nicht gewünscht sind und einen effektiven Betrieb eines entsprechenden Objektivs beeinträchtigen.
  • Eine Bestimmung der Verdreh- bzw. Kippwinkel der Spiegelelemente eines Multi-Mirror-Arrays durch entsprechende Sensoren an den Aktoren für die Bewegung der Spiegelelemente ist aufgrund der Vielzahl der Spiegelelemente sehr aufwendig und führt dazu, dass durch den erforderlichen Bauraum der Sensoren das optische Element in Form eines Multi-Mirror-Arrays sehr voluminös wird.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • AUFGABE DER ERFINDUNG
  • Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung und ein Verfahren bereitzustellen, mit dem in effektiver Weise die Winkelstellung von Spiegelelementen eines Multi-Mirror-Arrays ermittelt werden kann. Insbesondere soll allgemein ein Verfahren und eine Vorrichtung bereitgestellt werden, mit welchem Oberflächenänderungen von optischen Elementen detektierbar und messbar sind, da allgemein Änderungen der Oberfläche von optischen Elementen und insbesondere der Form bzw. Ausrichtung von Oberflächenbereichen, beispielsweise durch thermische Belastungen oder dergleichen, für die Überwachung der Abbildungseigenschaften und evtl. Korrektur von Abbildungsfehlern von Interesse sind.
  • TECHNISCHE LÖSUNG
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 13. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Die Grundidee der Erfindung besteht darin, zusätzlich zu dem Nutzlicht des Objektivs bzw. dem Objektivstrahlbündel, dem das zu untersuchende optische Element ausgesetzt ist, mindestens einen Messstrahl aus einer Messbeleuchtungseinrichtung auf das zu untersuchende optische Element zu richten, so dass von einer Detektoreinrichtung die Wechselwirkung mit der Oberfläche des zu untersuchenden optischen Elementes erfasst und Änderungen gegenüber einer vorgegebenen Einstellung ermittelt werden können. Durch das zusätzliche Vorsehen einer separaten Messbeleuchtungseinrichtung, die den entsprechenden Messstrahl erzeugt, ist es möglich, auf die Auskopplung von Nutzlicht aus dem Objektivstrahlbündel zu verzichten, wobei gleichzeitig eine kontinuierlich, während der Nutzung des Objektivs ablaufende Überprüfung und Bestimmung von Oberflächenänderungen des zu untersuchenden optischen Elements ermöglicht wird. Hierzu ist lediglich erforderlich, dass die Einstrahlrichtung des oder der Messstrahlbündel unterschiedlich zu der Einstrahlrichtung des oder der Objektivstrahlbündel ist, so dass keine gegenseitige Beeinträchtigung stattfindet.
  • Insbesondere kann mit einem derartigen Vorgehen die Winkeländerung der Oberflächennormale eines zu untersuchenden Oberflächenbereiches eines optischen Elements bzw. die Ausrichtung eines entsprechenden Oberflächenbereiches überwacht und untersucht werden.
  • Vorzugsweise kann das Verfahren und die Vorrichtung für die Untersuchung von Spiegelelementen, insbesondere der oben angesprochenen Vielfachspiegelanordnungen (Multi-Mirror-Arrays MMAs) eingesetzt werden.
  • Die Einstrahlrichtung des Messstrahlbündels kann sich sowohl im Einfallswinkel bzgl. der zu untersuchenden Oberfläche des optischen Elements als auch einer azimutalen Einfallsrichtung unterscheiden. Unter azimutaler Einfallsrichtung ist hierbei die Verdrehung der Einfallsebene des entsprechenden Strahls gegenüber einer vorgegebenen Ebene, wie z. B. einer in Nord-Süd-Ausrichtung angeordneten Einfallsebene zu verstehen.
  • Wenn sich der Messstrahl und der Objektivstrahl nicht in der azimutalen Einfallsrichtung unterscheiden, müssen sie sich zumindest im Einfallswinkel unterscheiden, um eine gegenseitige Beeinträchtigung zu vermeiden und eine Erfassung des mit der Oberfläche wechselwirkenden Messstrahls durch ein Detektorsystem zu ermöglichen.
  • Unterscheiden sich die Einstrahlrichtung des Messstrahlbündels und die Einstrahlrichtung des oder der Objektivstrahlbündel in der azimutalen Einfallsrichtung, so kann zusätzlich eine Unterscheidung im Einfallswinkel bzgl. der Oberfläche des zu untersuchenden optischen Elementes vorliegen. Das ist jedoch nicht erforderlich.
  • Bevorzugt ist eine Unterscheidung der Einstrahlrichtung des Messstrahlbündels von der Einstrahlrichtung des oder der Objektivstrahlbündel in der azimutalen Einfallsrichtung, wobei Drehwinkel im Bereich von mehr als 30°, vorzugsweise mehr als 60° und insbesondere ein gegenseitiger Drehwinkel von 90° um die Oberflächennormale des zu untersuchenden optischen Elements möglich sind. Bei einer 90°-Anordnung von Messstrahlrichtung und Objektivstrahlrichtung ist besonders viel Bauraum für die Anordnung der Messbeleuchtungseinrichtung und einer entsprechend angeordneten Detektoreinrichtung gegeben.
  • Um eine definierte Beleuchtung des zu untersuchenden optischen Elements mit Messlicht zu gewährleisten und ebenso eine definierte Erfassung der Änderungen des Messlichts durch die Wechselwirkung mit der Oberfläche des optischen Elementes zu ermöglichen, kann zwischen der Beleuchtungsquelle und dem zu untersuchenden optischen Element einerseits und/oder dem zu untersuchenden optischen Element und der entsprechenden Detektoreinrichtung andererseits jeweils ein optisches System vorgesehen sein.
  • Das Messlicht kann beliebige geeignete Wellenlängen aufweisen und sowohl im sichtbaren als auch im nicht sichtbaren Bereich liegen. Allgemein wird unter Licht jede elektromagnetische Strahlung verstanden.
  • Das optische System für die Messbeleuchtung kann einen oder eine Vielzahl von Kollimatoren, insbesondere in Form eines Lochblechs mit einem vorgeschalteten Mikrolinsenfeld, umfassen, so dass entsprechende kollimierte Beleuchtungsstrahlbündel erzeugt werden.
  • Diese kollimierten Beleuchtungsstrahlbündel werden an der zu untersuchenden Oberfläche reflektiert und können durch entsprechend vor Positionssensoren der Detektoreinrichtung angeordneten Sammellinsen, insbesondere einem Linsenfeld aus Mikrosammellinsen als Fernfeldbeugungsbild bzw. Fourier-Transformierte in die Brennebene der entsprechenden Sammellinsen abgebildet werden. Dort in der Brennebene können entsprechende Positionssensoren, beispielsweise 4-Quadranten-Detektoren oder zweidimensionale positionssensitive Sensoren vorgesehen sein, die eine Abweichung des auf den Sensor eintreffenden Lichtkegels von einer Nullposition, die einer bestimmten Ausrichtung der Oberfläche des zu untersuchenden optischen Elements entspricht, feststellen.
  • Um zusätzlich Bauraum zu gewinnen, kann zwischen zu untersuchendem optischen Element und der Detektoreinrichtung eine zusätzliche Optik vorgesehen werden, die es ermöglicht, die Detektoreinrichtung weit entfernt von dem zu untersuchenden optischen Element anzuordnen. Darüber hinaus kann eine Optik vorgesehen werden, welche eine variable Anordnung der Detektoreinrichtung bei gleichzeitiger, scharfer Abbildung eines Oberflächenbereichs des zu untersuchenden optischen Elements ermöglicht. Dazu wird die entsprechende abbildende Optik derart gestaltet, dass der zu untersuchende Oberflächenbereich des optischen Elements unter Einhaltung der Scheimpflugbedingungen auf die den Positionssensoren zugeordneten optischen Linsen abgebildet wird.
  • Gleichzeitig muss die entsprechende Optik sicherstellen, dass die Einfallsrichtung der Strahlenbündel auf die Linsen der Detektoreinrichtung der Ausrichtung der zugeordneten Oberflächenbereiche des optischen Elements bzw. der Kippwinkel der Mikrospiegel eines Multi-Mirror-Arrays entspricht. Dies kann beispielsweise durch eine Relais-Optik mit zwei Sammellinsen gewährleistet werden.
  • Gemäß der Vorrichtung und dem Verfahren der Erfindung kann eine Bestimmung der winkelmäßigen Ausrichtung der Oberfläche eines optischen Elementes kontinuierlich während der Nutzung des optischen Elementes bzw. des Objektivs, in dem das optische Element angeordnet ist, erfolgen. Damit können die ermittelten Werte zur aktiven Steuerung bzw. Regelung von manipulierbaren Oberflächenelementen, wie beispielsweise Mikrospiegeln eines Multi-Mirror-Arrays eingesetzt werden.
  • KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden detaillierten Beschreibung zweier Ausführungsbeispiele anhand der beigefügten Zeichnungen deutlich. Die Zeichnungen zeigen hierbei in rein schematischer Weise in
  • 1 eine Seitenansicht eines zu untersuchenden optischen Elementes in Form eines Multi-Mirror-Arrays (Mehrfachspiegelanordnung);
  • 2 eine Draufsicht auf das zu untersuchende optische Element aus 1 mit einer Darstellung der Messanordnung;
  • 3 eine perspektivische Darstellung der erfindungsgemäßen Messanordnung;
  • 4 eine Seitendarstellung einer ersten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Messvorrichtung; und in
  • 5 eine Teilansicht einer zweiten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Messvorrichtung.
  • AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Die 1 zeigt in einer schematischen Seitenansicht ein Beispiel eines optischen Elementes, für welches die erfindungsgemäße Vorrichtung bzw. das erfindungsgemäße Verfahren eingesetzt werden können. Bei dem optischen Element der 1 handelt es sich um einen sog. Multi-Mirror-Array (Mehrfachspiegelanordnung) 1, welcher eine Vielzahl von kleinen Spiegeln 2 umfasst, welche bewegbar, insbesondere verschwenkbar und kippbar angeordnet sind, so dass die Spiegelflächen 3 der beispielsweise in Reihen und Spalten nebeneinander angeordneten Spiegelelemente 2 unterschiedlich ausgerichtet sein können. Entsprechend kann ein einfallendes Strahlenbündel 5 durch die Vielzahl der unterschiedlich ausgerichteten Spiegelflächen 3 in eine Vielzahl von Strahlenbündeln 4 mit unterschiedlicher Richtung reflektiert werden.
  • Ein derartiger Multi-Mirror-Array kann beispielsweise bei Objektiven für die Mikrolithographie in unterschiedlichsten Anwendungen, wie beispielsweise die Pupillenausleuchtung oder als reflektives Retikel eingesetzt werden. Da die Spiegelelemente 2 durch Aktoren verschwenk- und verkippbar sind, ist es für einen effektiven Einsatz erforderlich, dass die Ge nauigkeit der Verstellung durch die Aktoren überprüft werden kann. Zu diesem Zweck wird die erfindungsgemäße Vorrichtung bzw. das entsprechende Verfahren eingesetzt. Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung und dem entsprechenden Verfahren lassen sich exakte Winkelpositionen der Spiegelflächen 3 ermitteln.
  • Neben dem gezeigten Ausführungsbeispiel für ein Multi-Mirror-Array kann die Erfindung jedoch auch zur Bestimmung von Winkeländerungen an beliebigen anderen Oberflächen von optischen Elementen eingesetzt werden.
  • Wie aus der 2 ersichtlich ist, wird gemäß dem Verfahren zusätzlich zu dem Strahlenbündel 5, welches das normale Nutzlicht des Objektivs darstellt, in welchem das optische Element 1 eingesetzt wird, und welches auch als Objektivstrahlenbündel bezeichnet wird, eine zusätzliche Messbeleuchtung vorgesehen, die ebenfalls auf die Spiegelelemente 2 des optischen Elements 1 ein oder mehrere Strahlenbündel 6 einstrahlt. Die Reflexion dieser Strahlenbündel 6 an den Spiegeloberflächen 3 kann mittels einer Messsensorik erfasst werden, wobei die reflektierten Strahlenbündel 7 eine Information über den Kippzustand bzw. die Ausrichtung der Spiegelelemente 2 beinhalten. Bei der in 2 dargestellten Messanordnung wird die Messbeleuchtung in einer Ebene auf das optische Element bzw. die Oberflächenbereiche bzw. Spiegelelemente 2 des optischen Elements 1 eingestrahlt, welche um 90° um die Oberflächennormale der zu untersuchenden Oberfläche gegenüber der Einfallsebene des Objektivstrahlenbündels 5 verdreht ist.
  • Damit ist eine kontinuierliche Messung bzw. Überwachung der Orientierung der Spiegelelemente 2 auch während der Nutzung des Objektivs möglich. Damit sind keine Ausfallzeiten des Objektivs für die Bestimmung der Ausrichtung der Spiegelelemente bzw. Justierung der Spiegelelemente 2 erforderlich. Da für die Bestimmung der Ausrichtung der Spiegelelemente 2 auch kein Nutzlicht des Objektivstrahlbündels 5 verwendet wird, kommt es auch nicht zu Intensitätsverlusten bei der Nutzung des Objektivs, in welchem das zu vermessende optische Element angeordnet ist.
  • Die 3 zeigt in einer perspektivischen Darstellung das Prinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens bzw. einer entsprechenden erfindungsgemäßen Vorrichtung. Wie aus der 3 zu entnehmen ist, fällt das Nutzlicht 5 des Objektivs unter einem bestimmten Einfallswinkel β in der Einfallsebene (xz-Ebene) 8 auf die Spiegeloberfläche 3 des Spiegelele ments 2, wobei das Strahlenbündel 5 gemäß dem reflektierten Strahl 4 reflektiert wird. Die Einfallsebene 8 (xz-Ebene) wird hierbei durch die Oberflächennormale (nicht gezeigt) des Spiegelelements 2 sowie den einfallenden Strahl 5 und den reflektierten Strahl 4 aufgespannt. Gemäß der Darstellung der 2 wird in einer yz-Ebene 9, welche azimutal um die Oberflächennormale um einen Drehwinkel α in der Größenordnung von 90° gegenüber der Ebene 8 verdreht ist, der Messstrahl 6 eingestrahlt, welcher als reflektierter Strahl 7 in eine entsprechende Detektoreinrichtung abgelenkt wird. Bei dieser Lösung unterscheidet sich somit die Einfallsrichtung des Messstrahlbündels 6 von der Einfallsrichtung des Objektivstrahlbündels 5 zumindest in der azimutalen Einfallsrichtung, also in der Einfallsebene. Zusätzlich oder alternativ kann das Messstrahlbündel 6 auch unter einem anderen Einfallswinkel auf die Spiegeloberfläche 3 auftreffen als der Objektivstrahl 5.
  • Dies ist beispielsweise für den Messstrahl 6' dargestellt, der in der gleichen Einfallsebene 8, wie der Objektivstrahl 5 auf das Spiegelelement 2 trifft, jedoch einen anderen Einfallswinkel γ aufweist, als den Einfallswinkel β des Objektivstrahls 5. Entsprechend wird auch der reflektierte Messstrahl 7' in einem anderen Winkel von dem Spiegelelement 2 abgestrahlt, als der reflektierte Objektivstrahl 4.
  • Auch diese Anordnung mit Messstrahl 6' und reflektiertem Messstrahl 7' stellt somit eine erfindungsgemäße Lösung dar.
  • Die 4 zeigt eine Realisierung der Messvorrichtung, bei welcher eine Lichtquelle 10 für die Messbeleuchtung Licht auf ein Lochblech 11 aussendet. Durch das Lochblech 11 werden eine Vielzahl von Punktlichtquellen 12 erzeugt, die mittels entsprechend nachgeschalteter Sammellinsen 13 in Form eines Mikrolinsen-Arrays einen Kollimator darstellen und eine Vielzahl paralleler, kollimierter Strahlen 14 erzeugen.
  • Die kollimierten Strahlenbündel 14 treffen auf die zu untersuchende Oberfläche des optischen Elementes 1 und werden dort in entsprechende reflektierte Strahlenbündel 15 abgelenkt. Die reflektierten Strahlenbündel 15 treffen wiederum auf einen Mikrolinsen-Array mit einer Vielzahl von Sammellinsen 16, welche in ihrer hinteren Brennebene das Fernfeld-Beugungsmuster, die sog. Fourier-Transformierte des zugeordneten Oberflächenbereichs des optischen Elements 1, also bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel des entsprechend zugeordneten Spiegelelements 2 abbilden. Dieses Fernfeld-Beugungsmuster ist abhängig von der Einstrahlrichtung der reflektierten Strahlen 15 auf die Sammellinsen 16, so dass bei Anordnung eines Positionssensors 17 in der Brennebene der Linsen 16 eine Winkelveränderung der Einstrahlrichtung der reflektierten Strahlen 15 durch eine Abweichung des Brennflecks von einer Nullposition angezeigt wird, welche von dem Positionssensor erfasst werden kann. Beispielsweise können als Positionssensoren 4-Quadranten-Detektoren oder zweidimensionale positionssensitive Sensoren eingesetzt werden. Auf diese Weise kann beispielsweise ein Winkelbereich von ± 2 bis 3° einer Verkippung gegenüber einer vorbestimmten Oberflächenausrichtung ermittelt werden.
  • Um die Detektoreinheit mit den Positionssensoren 17 und das vorgeschaltete optische System mit dem Mirkolinsen-Array 16 in einer gewissen Entfernung von der zu untersuchenden Oberfläche des optischen Elements 1 anordnen zu können, wird nach einer weiteren Ausführungsform der 5 eine zusätzliche Relais-Optik 18 vorgesehen, die rein schematisch mit zwei Sammellinsen 21 und 22 dargestellt ist. Ferner sind die Detektoreinheit 17 und der Mirkolinsen-Array 16 in Ebenen 19 und 20 angeordnet, die bzgl. des zu untersuchenden optischen Elements 1 und dem verwendeten optischen System die Scheimpflugbedingungen erfüllen. Damit ist es möglich, einen großen Bereich der Oberfläche des zu untersuchenden optischen Elements 1 bzw. eine Vielzahl der Spiegelelemente 2 gleich scharf auf die Linsen 16 des Mikrolinsen-Arrays abzubilden. Durch die Relais-Optik wird ein größerer Abstand von der zu untersuchenden Oberfläche des optischen Elements 1 ermöglicht, ohne dass der zu untersuchende Winkelbereich eingeschränkt wird. Auf diese Weise kann die Messvorrichtung außerhalb des Strahlengangs des Objektivs angeordnet werden, wo genügend Bauraum zur Verfügung steht. Durch die Relais-Optik ist der detektierbare Winkelbereich der Verkippung nicht an den Abstand der Sensoren 17 vom Spiegelarray 1 gekoppelt. Außerdem ermöglicht die Einhaltung der Scheimpflugbedingungen eine entsprechende winklige Anordnung der Detektoreinrichtung.
  • Ähnlich wie bei der Ausführungsform der 4 verändert sich die Position bzw. der Schwerpunkt des auf den Positionssensor 17 fallenden Lichtkegels in Abhängigkeit von dem Einfallswinkel, mit dem das Strahlenbündel auf die vorgeschaltete Linse 16 trifft. Dieses ist jedoch aufgrund der Abbildung durch die Relais-Optik wiederum proportional zum Kippwinkel des zugeordneten Oberflächenbereichs bzw. Spiegelelements 2 des zu untersuchenden optischen Elements 1. Insgesamt ist es somit auch hier möglich, durch Abweichungen von einer Nullposition, die einer vorbestimmten Ausrichtung des optischen Elements 1 bzw. der Spiegelelemente 2 entspricht, im Positionssensor 17 auf den Kippwinkel des entsprechenden Oberflächenbereichs bzw. des Spiegelelements 2 zurückzuschließen.
  • Da mit dem erfindungsgemäßen Verfahren bzw. der entsprechenden Vorrichtung eine kontinuierliche Bestimmung der Ausrichtung der Oberflächenbereiche bzw. Spiegelelemente 2 des optischen Elements 1 während des Betriebs möglich ist, kann aufgrund der ermittelten Messergebnisse eine gezielte Einstellung der Spiegelelemente 2 vorgenommen werden. Somit ist mit dem vorliegenden Verfahren bzw. der entsprechenden Vorrichtung nicht nur eine Überprüfung bzw. Justierung entsprechend manipulierbarer Oberflächenelemente eines optischen Elements 1 möglich, sondern es kann eine aktive Steuerung bzw. Regelung vorgenommen werden.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der beigefügten Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist es für den Fachmann klar ersichtlich, dass Abweichungen oder Änderungen im Hinblick auf Weglassen einzelner beschriebener Merkmale und/oder unterschiedliche Kombination der vorgestellten Merkmale möglich sind, ohne den Schutzbereich der beigefügten Ansprüche zu verlassen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - WO 2005/026843 A2 [0003]
    • - EP 1262836 A1 [0003]
    • - WO 2005/096098 A2 [0003]
    • - US 6965119 [0005]

Claims (16)

  1. Vorrichtung zur Bestimmung von Oberflächenänderungen von optischen Elementen in Objektiven, insbesondere optischen Elementen in Objektiven der Mikrolithographie, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Messbeleuchtungseinrichtung (10, 11, 13), mit welcher das zu untersuchende optische Element (1) mit mindestens einem Messstrahlenbündel (6, 14) beleuchtet wird, dessen Einstrahlrichtung unterschiedlich zur Einstrahlrichtung des oder der Objektivstrahlbündel (5) ist, und mindestens eine Detektoreinrichtung (17) vorgesehen sind, welche Änderungen des Messstrahlenbündels nach Wechselwirkung mit der Oberfläche des zu untersuchenden optischen Elements erfasst.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung derart hergerichtet ist, dass die zu bestimmende Oberflächenänderung eine Winkeländerung der Oberflächennormale zumindest eines Oberflächenbereichs ist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung derart hergerichtet ist, dass das zu untersuchende optische Element (1) ein Spiegelelement oder eine Vielzahl von Spiegelelementen, insbesondere eine Vielfach-Spiegelanordnung (Multi Mirror Array MMA) ist.
  4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einstrahlrichtung des Messstrahlenbündels (6, 14) sich von der Einstrahlrichtung des oder der Objektivstrahlbündel (5) im Einfallswinkel und/oder der azimutalen Einfallsrichtung unterscheidet.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass sich die azimutale Einfallsrichtung um einen Drehwinkel von mehr als 30°, vorzugsweise mehr als 60°, insbesondere um ca. 90° um die Oberflächennormale des zu untersuchenden optischen Elements unterscheidet.
  6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Messbeleuchtungsquelle (10) und zu untersuchendem optischen Element (1) und/oder zwischen zu untersuchendem optischen Element (1) und Detektoreinrichtung (17) jeweils ein optisches System vorgesehen ist.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System (11, 13) der Messbeleuchtungsquelle (10) mindestens einen Kollimator, insbesondere ein Lochblech (11) mit einem Mikrolinsenfeld (13), bei dem das Lochblech in der Brennebene der Mikrolinsen angeordnet ist, zur Erzeugung paralleler Strahlenbündel aufweist.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System der Detektoreinrichtung mindestens eine Sammellinse, vorzugsweise ein Mikrolinsenfeld (16) aufweist, so dass insbesondere in der Brennebene der Sammellinse die Fourier-Transformierte mindestens eines Bereichs der zu untersuchenden Oberfläche erzeugt wird, wobei mindestens ein, vorzugsweise mehrere, insbesondere der Anzahl der Mikrolinsen entsprechende Positionssensoren (17) in der Brennebene der Linsen angeordnet sind.
  9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System der Detektoreinrichtung eine Optik (18) aufweist, welche unter Einhaltung der Scheimpflugbedingung mindestens einen Bereich der zu untersuchende Oberfläche auf mindestens eine Sammellinse (16), insbesondere ein Linsenfeld, insbesondere Mikrolinsenfeld abbildet, wobei mindestens ein, vorzugsweise zu jeder optischen Linse des Linsenfeldes ein Positionssensor (17) in der Brennebene der optischen Linsen vorgesehen ist.
  10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System der Detektoreinrichtung eine Optik (18) aufweist, welche in Abhängigkeit von der Ausrichtung der Oberflächennormale der zu untersuchenden Oberfläche die in dem zugeordneten Oberflächenbereich reflektierten Strahlen unter einem bestimmten Einfallswinkel auf die den Positionssensoren (17) der Detektoreinrichtung zugeordneten optischen Linsen (16), insbesondere den Linsen eines Linsenfeldes einstrahlt.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Optik eine Relais-Optik (18) mit zwei Sammellinsen (21, 22) ist.
  12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektoreinrichtung mindestens einen, vorzugsweise mehrere Positionssensoren (17) in Form von 4-Quadranten-Detektoren und/oder zweidimensionalen positionssensitiven Detektoren umfasst.
  13. Verfahren zur Bestimmung von Oberflächenänderungen von optischen Elementen in Objektiven, insbesondere optischen Elementen in Objektiven der Mikrolithographie, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Messbeleuchtungseinrichtung, mit welcher das zu untersuchende optische Element mit mindestens einem Messstrahlenbündel beleuchtet wird, dessen Einstrahlrichtung unterschiedlich zur Einstrahlrichtung des oder der Objektivstrahlbündel ist, und mindestens eine Detektoreinrichtung vorgesehen werden, welche Änderungen des Messstrahlenbündels nach Wechselwirkung mit der Oberfläche des zu untersuchenden optischen Element erfasst.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12 eingesetzt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestimmung der Oberflächenänderung des optischen Elements im Objektiv zeitgleich mit der Objektivnutzung erfolgt.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestimmung der Oberflächenänderung des optischen Elements im Objektiv kontinuierlich fortlaufend erfolgt.
DE102007005875A 2007-02-06 2007-02-06 Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Ausrichtung von Oberflächen von optischen Elementen Ceased DE102007005875A1 (de)

Priority Applications (17)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007005875A DE102007005875A1 (de) 2007-02-06 2007-02-06 Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Ausrichtung von Oberflächen von optischen Elementen
KR1020097016297A KR101446820B1 (ko) 2007-02-06 2008-02-06 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템 내의 다수의 미러 어레이들을 감시하는 방법 및 장치
PCT/EP2008/000920 WO2008095695A2 (de) 2007-02-06 2008-02-06 Verfahren und vorrichtung zur überwachung von mehrfachspiegelanordnungen in einem beleuchtungssystem einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
CN201310276200.5A CN103345128B (zh) 2007-02-06 2008-02-06 微光刻投射曝光设备的照明系统
JP2009547617A JP5194030B2 (ja) 2007-02-06 2008-02-06 マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系のマルチミラーアレイを監視するための方法および装置
EP08715697A EP2115535B9 (de) 2007-02-06 2008-02-06 Verfahren und vorrichtung zur überwachung von mehrfachspiegelanordnungen in einem beleuchtungssystem einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
CN200880004238.4A CN101636696B (zh) 2007-02-06 2008-02-06 微光刻投射曝光设备的照明系统中多镜阵列的监测方法和设备
KR1020147010491A KR101440762B1 (ko) 2007-02-06 2008-02-06 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템 내의 다수의 미러 어레이들을 감시하는 방법 및 장치
EP12005054.7A EP2511765B1 (de) 2007-02-06 2008-02-06 Regelvorrichtung zur Regelung einer flächigen Anordnung individuell ansteuerbarer Strahlablenkungselemente in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
TW97104835A TWI444606B (zh) 2007-02-06 2008-02-12 關於監控在微影蝕刻投影曝光設備之照明系統中的複數個反射鏡排置情形的程序與裝置
US12/506,364 US8339577B2 (en) 2007-02-06 2009-07-21 Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US13/556,408 US9013684B2 (en) 2007-02-06 2012-07-24 Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US14/255,302 US9019475B2 (en) 2007-02-06 2014-04-17 Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US14/255,371 US9001309B2 (en) 2007-02-06 2014-04-17 Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US14/695,242 US9239229B2 (en) 2007-02-06 2015-04-24 Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US14/969,143 US9897925B2 (en) 2007-02-06 2015-12-15 Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US15/878,747 US20180246415A1 (en) 2007-02-06 2018-01-24 Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007005875A DE102007005875A1 (de) 2007-02-06 2007-02-06 Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Ausrichtung von Oberflächen von optischen Elementen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007005875A1 true DE102007005875A1 (de) 2008-08-14

Family

ID=39597419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007005875A Ceased DE102007005875A1 (de) 2007-02-06 2007-02-06 Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Ausrichtung von Oberflächen von optischen Elementen

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN101636696B (de)
DE (1) DE102007005875A1 (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008040742A1 (de) 2007-08-02 2009-02-05 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung von Mehrfachspiegelanordnungen, optische Anordnung mit einer derartigen Vorrichtung sowie mit einer zweiten Mehrfachspiegelanordnung zum Ein- und Ausschalten einer ersten Mehrfachspiegelanordnung sowie Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Vorrichtung
DE102009009372A1 (de) 2009-02-18 2010-08-19 Carl Zeiss Smt Ag Monitoring von kippbaren Spiegeln
DE102010003608A1 (de) * 2010-03-19 2011-11-17 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung eines auslenkbaren Mikrospiegels
DE102010062720A1 (de) * 2010-12-09 2012-06-14 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem
DE102012202536A1 (de) * 2012-02-20 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102014210383A1 (de) 2014-06-03 2014-08-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Mit filter optimiertes monitoring von kippbaren spiegeln
CN111902732A (zh) * 2019-03-05 2020-11-06 深圳市大疆创新科技有限公司 一种探测装置初始状态标定方法及装置

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140340663A1 (en) * 2011-09-16 2014-11-20 Asml Netherlands B.V. Apparatus for Monitoring a Lithographic Patterning Device
DE102012218221A1 (de) 2012-10-05 2014-04-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Monitorsystem zum Bestimmen von Orientierungen von Spiegelelementen und EUV-Lithographiesystem
TWI629568B (zh) * 2013-08-09 2018-07-11 日商奧克製作所股份有限公司 照明裝置及包含該照明裝置的曝光裝置
CN105091787B (zh) * 2014-05-06 2018-01-16 北京智朗芯光科技有限公司 实时快速检测晶片基底二维形貌的装置
CN105091777B (zh) * 2014-05-06 2017-12-26 北京智朗芯光科技有限公司 实时快速检测晶片基底二维形貌的方法
JP2016122676A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 株式会社アドバンテスト 露光装置および露光方法
DE102015212658A1 (de) * 2015-07-07 2017-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographieanlage und verfahren zum betreiben einer lithographieanlage
WO2018013270A1 (en) * 2016-07-13 2018-01-18 Applied Materials, Inc. Micro led array as illumination source
CN106444016A (zh) * 2016-12-26 2017-02-22 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种反射式变形镜
CN107505915A (zh) * 2017-08-21 2017-12-22 上海斐讯数据通信技术有限公司 微透镜阵列正弦过渡处理方法及微透镜阵列及电子装置
CN108317970B (zh) * 2017-12-08 2020-04-03 长春理工大学 光线入射角度的测量系统及方法
DE112019006323T5 (de) * 2018-12-21 2021-09-09 Omron Corporation Verfahren zum korrigieren von durch lineare skalen erfassten werten
US10939080B2 (en) * 2019-03-29 2021-03-02 Facebook Technologies, Llc Trajectory estimation for a MEMS reflector
DE102019214602B3 (de) 2019-09-24 2021-03-25 Optocraft Gmbh Kombinationsdetektor sowie Verfahren zur Detektion von visuellen und optischen Eigenschaften einer Optik und zugehörige Prüfvorrichtung für eine Optik
WO2021204487A1 (en) * 2020-04-06 2021-10-14 Asml Netherlands B.V. Method of determining a sampling scheme, associated apparatus and computer program
US20230341785A1 (en) * 2020-06-18 2023-10-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, metrology systems, and methods thereof
CN111999043B (zh) * 2020-10-28 2021-02-26 三代光学科技（天津）有限公司 一种曲面透镜缺陷综合检测方法及系统
CN116068863B (zh) * 2023-01-16 2025-07-15 上海镭望光学科技有限公司 一种光瞳监测系统
CN116678347A (zh) * 2023-05-23 2023-09-01 上海镭望光学科技有限公司 一种微反射镜阵列角位置监测系统
CN116974150B (zh) * 2023-07-18 2025-09-12 上海镭望光学科技有限公司 一种基于Scheimpflug条件的微反射镜阵列角位置监测光学系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6421573B1 (en) * 1999-05-27 2002-07-16 Spectra Physics Lasers, Inc. Quasi-continuous wave lithography apparatus and method
EP1262836A1 (de) 2001-06-01 2002-12-04 Asml Lithographischer Apparat
US20030223084A1 (en) * 2002-05-31 2003-12-04 Texas Instruments Incorporated Method and appraratus for using spatial patterns for measuring mirror tilt angles in digital mirror devices
EP1452851A1 (de) * 2003-02-24 2004-09-01 ASML Netherlands B.V. Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Oberflächenkontamination eines Teils eines Lithographischen Apparatus
WO2005026843A2 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
WO2005096098A2 (en) 2004-03-30 2005-10-13 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective, projection exposure apparatus and reflective reticle for microlithography
US6965119B2 (en) 2001-09-12 2005-11-15 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus of calibrating multi-position SLM elements

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6421573B1 (en) * 1999-05-27 2002-07-16 Spectra Physics Lasers, Inc. Quasi-continuous wave lithography apparatus and method
EP1262836A1 (de) 2001-06-01 2002-12-04 Asml Lithographischer Apparat
US6965119B2 (en) 2001-09-12 2005-11-15 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus of calibrating multi-position SLM elements
US20030223084A1 (en) * 2002-05-31 2003-12-04 Texas Instruments Incorporated Method and appraratus for using spatial patterns for measuring mirror tilt angles in digital mirror devices
EP1452851A1 (de) * 2003-02-24 2004-09-01 ASML Netherlands B.V. Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Oberflächenkontamination eines Teils eines Lithographischen Apparatus
WO2005026843A2 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
WO2005096098A2 (en) 2004-03-30 2005-10-13 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective, projection exposure apparatus and reflective reticle for microlithography

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008040742A1 (de) 2007-08-02 2009-02-05 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung von Mehrfachspiegelanordnungen, optische Anordnung mit einer derartigen Vorrichtung sowie mit einer zweiten Mehrfachspiegelanordnung zum Ein- und Ausschalten einer ersten Mehrfachspiegelanordnung sowie Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Vorrichtung
DE102009009372A1 (de) 2009-02-18 2010-08-19 Carl Zeiss Smt Ag Monitoring von kippbaren Spiegeln
WO2010094658A1 (de) 2009-02-18 2010-08-26 Carl Zeiss Smt Ag Monitoring von kippbaren spiegeln
DE102010003608A1 (de) * 2010-03-19 2011-11-17 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung eines auslenkbaren Mikrospiegels
DE102010003608B4 (de) * 2010-03-19 2019-04-04 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung eines auslenkbaren Mikrospiegels
DE102010062720A1 (de) * 2010-12-09 2012-06-14 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem
DE102010062720B4 (de) * 2010-12-09 2012-07-12 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem
US9448490B2 (en) 2010-12-09 2016-09-20 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV lithography system
DE102012202536A1 (de) * 2012-02-20 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
US9665006B2 (en) 2012-02-20 2017-05-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure method and projection exposure apparatus for microlithography
DE102014210383A1 (de) 2014-06-03 2014-08-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Mit filter optimiertes monitoring von kippbaren spiegeln
CN111902732A (zh) * 2019-03-05 2020-11-06 深圳市大疆创新科技有限公司 一种探测装置初始状态标定方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101636696B (zh) 2013-07-31
CN101636696A (zh) 2010-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007005875A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Ausrichtung von Oberflächen von optischen Elementen
EP1257882B1 (de) Vorrichtung zur wellenfronterfassung
DE102015001421B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Strahldiagnose an Laserbearbeitungs-Optiken (PRl-2015-001)
DE2354141C2 (de) Optisches Meßverfahren zum Untersuchen von Oberflächen und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE10227120A1 (de) Mikroskop, insbesondere Laserscanningmikroskop mit adaptiver optischer Einrichtung
EP3037800A1 (de) Messung der Positionen von Krümmungsmittelpunkten optischer Flächen eines ein-oder mehrlinsigen optischen Systems
EP3781899B1 (de) Optische messeinrichtung sowie verfahren zum vermessen eines optischen elements
EP3100011B1 (de) Strahlpropagationskamera und verfahren zur lichtstrahlanalyse
DE102008040742A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung von Mehrfachspiegelanordnungen, optische Anordnung mit einer derartigen Vorrichtung sowie mit einer zweiten Mehrfachspiegelanordnung zum Ein- und Ausschalten einer ersten Mehrfachspiegelanordnung sowie Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Vorrichtung
EP3182062B1 (de) Kalibrierung eines interferometers
EP1166090A2 (de) Gerät zur schnellen messung winkelabhängiger beugungseffekte an feinstrukturierten oberflächen
DE102018205163A1 (de) Messvorrichtung zur Messung von Reflexionseigenschaften einer Probe im extremen ultravioletten Spektralbereich
EP0152894B1 (de) Anordnung zur optischen Erfassung räumlicher Unebenheiten in der Struktur eines zu untersuchenden Objekts
DE112018007421T5 (de) Entfernungsmesseinheit und lichtbestrahlungsvorrichtung
DE102020216337A1 (de) Messvorrichtung zur Messung von Reflexionseigenschaften einer Probe im extremen ultravioletten Spektralbereich
WO2017060296A2 (de) Verfahren und vorrichtung zur strahlanalyse
DE102016212088A1 (de) Vorrichtung zum Begrenzen eines Einfallswinkels für ein Spektrometer und Verfahren zum Betreiben einer solchen Vorrichtung
DE102014010667B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Form einer Wellenfront eines optischen Strahlungsfeldes
DE102015214012A1 (de) Kippspiegel-Monitoring
DE102013224583A1 (de) Messanordnung zur Verwendung bei der Trajektorienbestimmung fliegender Objekte
EP3861310B1 (de) Metrologiesystem und verfahren zur vermessung eines anregungs-laserstrahls in einer euv-plasmaquelle
DE102014207865A1 (de) Kippspiegelüberwachung
DE102016211310B3 (de) Vorrichtung zur messung einer aberration, abbildungssysteme und verfahren zur messung einer aberration
DE102012016337B4 (de) Verfahren zum Bestimmen einer optischen Qualität eines Fotomoduls
DE10146945A1 (de) Meßanordnung und Meßverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection