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DE102006039171A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln eines Winkels eines Messobjektes gegenüber einer Detektionsvorrichtung mittels einer organischen Leuchtdiode - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln eines Winkels eines Messobjektes gegenüber einer Detektionsvorrichtung mittels einer organischen Leuchtdiode Download PDF

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DE102006039171A1
DE102006039171A1 DE102006039171A DE102006039171A DE102006039171A1 DE 102006039171 A1 DE102006039171 A1 DE 102006039171A1 DE 102006039171 A DE102006039171 A DE 102006039171A DE 102006039171 A DE102006039171 A DE 102006039171A DE 102006039171 A1 DE102006039171 A1 DE 102006039171A1
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DE
Germany
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layer
emitting diode
organic light
angle
light emitting
Prior art date
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Ceased
Application number
DE102006039171A
Other languages
English (en)
Inventor
Dirk Buchhauser
Christoph Gärditz
Ralph Dr. Pätzold
Wiebke Sarfert
Joachim Dr. Wecker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE102006039171A priority Critical patent/DE102006039171A1/de
Publication of DE102006039171A1 publication Critical patent/DE102006039171A1/de
Ceased legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Ermitteln eines Winkels eines Messobjektes gegenüber einer Detektionsvorrichtung mittels zumindest einer organischen Leuchtdiode, welche wenigstens eine reflektierende Kathodenschicht, zumindest eine organische Halbleiterschicht und eine semitransparente Schicht aufweist, wobei die Kathodenschicht, die organische Halbleiterschicht und die semitransparente Schicht eine Mikroresonatorstruktur ausbilden, weist folgende Schritte auf:
- Anordnen der organischen Leuchtdiode auf dem Messobjekt;
- Bereitstellen der Detektionsvorrichtung in einem gegenüber der auf dem Messobjekt angeordneten, organischen Leuchtdiode zu ermittelnden Winkel;
- Anlegen einer vorbestimmten Spannung an die organische Leuchtdiode zum Erzeugen einer vom jeweiligen Abstrahlwinkel abhängigen, vorbestimmten Abstrahlcharakteristik mittels der Mikroresonatorstruktur;
- Messen der Abstrahlcharakteristik mittels der bereitgestellten Detektionsvorrichtung und
- Ermitteln des Winkels zwischen dem Messobjekt und der Detektionsvorrichtung in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ermitteln eines Winkels eines Messobjektes gegenüber einer Detektionsvorrichtung mittels einer organischen Leuchtdiode.
  • Das technische Gebiet der vorliegenden Erfindung betrifft die Winkelmessung eines Messobjektes gegenüber einem Referenzobjekt, wie einer Detektionsvorrichtung. Herkömmliche Verfahren zur Winkelmessung erfolgen einerseits über direkten Kontakt mit dem zu vermessenden Gegenstand, zum Beispiel durch ein Geodreieck oder ein Winkelendmaß. Mechanische Messgeräte wie diese können zwar mit sehr hoher Präzision gefertigt werden, allerdings muss das Messresultat vom Anwender visuell erfasst und interpretiert werden. Bei eingeschränkter Sicht auf die Winkelskala, beispielsweise durch Beleuchtung, Verschmutzung oder einem Paralaxenfehler oder dergleichen, kann die praktische Genauigkeit der Messung stark eingeschränkt sein.
  • Andererseits existieren berührungslose Verfahren, wie zum Beispiel mittels eines Theodoliten, der insbesondere in der Geodäsie zur Vermessung im Gelände eingesetzt wird. Des Weiteren werden laserbasierte Messgeräte eingesetzt, die unter anderem für Messarbeiten und Kontrollen auf Baustellen, in Gebäuden und im freien Gelände Anwendung finden. Diese bekannten berührungslosen Verfahren erfordern allerdings eine genaue Ausrichtung des Messgerätes, um eine präzise Winkel- oder Neigungsmessung zu gewährleisten. Weiter sind solche berührungslosen Verfahren, insbesondere aufgrund der hohen Beschaffungskosten des Messgerätes, zum Beispiel des Lasers, sehr teuer.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher darin, eine einfache und insbesondere kostengünstige Möglichkeit einer Winkelmessung bereitzustellen.
  • Eine weitere Aufgabe besteht darin, eine einfache, kostengünstige, hochpräzise und insbesondere berührungslose Möglichkeit einer Winkelmessung bereitzustellen.
  • Erfindungsgemäß wird zumindest eine dieser gestellten Aufgaben durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und/oder durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 13 gelöst.
  • Demgemäß wird erfindungsgemäß ein Verfahren zum Ermitteln eines Winkels eines Messobjektes gegenüber einer Detektionsvorrichtung mittels zumindest einer organischen Leuchtdiode vorgeschlagen, wobei die organische Leuchtdiode wenigstens eine reflektierende Kathodenschicht, zumindest eine organische Halbleiterschicht und eine semitransparente Schicht aufweist, wobei die Kathodenschicht, die organische Halbleiterschicht und die semitransparente Schicht eine Mikroresonatorstruktur ausbilden, welches die folgenden Schritte aufweist:
    • – Anordnen der organischen Leuchtdiode auf dem Messobjekt;
    • – Bereitstellen der Detektionsvorrichtung in einem gegenüber der auf dem Messobjekt angeordneten, organischen Leuchtdiode zu ermittelnden Winkel;
    • – Anlegen einer vorbestimmten Spannung an die organische Leuchtdiode zum Erzeugen einer vom jeweiligen Abstrahlwinkel abhängigen, vorbestimmten Abstrahlcharakteristik mittels der Mikroresonatorstruktur;
    • – Messen der Abstrahlcharakteristik mittels der bereitgestellten Detektionsvorrichtung; und
    • – Ermitteln des Winkels zwischen dem Messobjekt und der Detektionsvorrichtung in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik.
  • Des Weiteren wird eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens zum Ermitteln eines Winkels eines Messobjektes ge genüber einer Detektionsvorrichtung vorgeschlagen, welches aufweist:
    • – zumindest eine organischen Leuchtdiode, welche wenigstens eine reflektierende Kathodenschicht, zumindest eine organische Halbleiterschicht und eine semitransparente Schicht aufweist, wobei die Kathodenschicht, die organische Halbleiterschicht und die semitransparente Schicht eine Mikroresonatorstruktur ausbilden, wobei die organische Leuchtdiode auf dem Messobjekt angeordnet ist,
    • – die Detektionsvorrichtung, welche in einem gegenüber der auf dem Messobjekt angeordneten, organischen Leuchtdiode zu ermittelnden Winkel bereitgestellt ist und die Abstrahlcharakteristik der organischen Leuchtdiode misst; und
    • – Mittel zum Ermitteln des Winkels zwischen dem Messobjekt und der Detektionsvorrichtung in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik.
  • Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht im Wesentlichen darin, ein organisch lichtemittierendes Element wie eine organische Leuchtdiode (OLED, Organic Light Emitting Diode) für eine Winkel- oder Neigungsmessung zu verwenden. Dabei wird erfindungsgemäß ausgenutzt, dass eine organische Leuchtdiode eine vom Betrachtungswinkel abhängige Abstrahlcharakteristik aufweist. Die Abstrahlcharakteristik beinhaltet insbesondere das Emissionsspektrum oder Abstrahlspektrum und eine zugehörige Abstrahlintensitätsverteilung. Durch Messung der Farbkoordinaten, insbesondere gemäß der CIE-Normfarbtafel, oder des wellenlängenabhängigen Emissionsspektrums des aus der organischen Leuchtdiode abgestrahlten Lichtes kann direkt der zu bestimmende Winkel ermittelt werden. Die ausgeprägte winkelabhängige Abstrahlcharakteristik einer organischen Leuchtdiode wird erfindungsgemäß durch Ausnutzung und durch gezielte Verstärkung des Mikroresonator-Effektes (microcavity-effect) erzielt.
  • Bei einer organischen Leuchtdiode sind ein oder mehrere organische Halbleiterschichten, unter anderem das elektrolumines zierende Material, zwischen zwei Elektroden, Kathode und Anode, angeordnet. Dabei ist zumindest einer der beiden Elektroden, vorzugsweise die Anode, für das emittierte Licht durchlässig oder transparent. Als Anode wird beispielsweise das im Sichtbaren transparente Indium-Zinn-Oxid (ITO) verwendet. Für die Kathode wird beispielsweise eine metallische Doppelschicht aus Injektions- und Deckschicht, zum Beispiel aus Barium/Aluminium aufgedampft. Beim Anlegen einer Spannung an die Elektroden werden positive (Löcher) und negative (Elektronen) Ladungsträger in die organische Halbleiterschicht injiziert. Bei Rekombination der Elektronen und Löcher in der elektrolumineszierenden, organischen Halbleiterschicht können elektrisch neutrale, angeregte Zustände entstehen, die unter Aussendung von Licht in den Grundzustand zurückkehren können.
  • Die dünne Bauweise der organischen Halbleiterschichten mit einer Dicke im Bereich von etwa 200 mm erlaubt die Erzeugung planarer Mikroresonatorstrukturen. Die Mikroresonatorstrukturen bestehen beispielsweise aus zwei reflektierenden oder teil-reflektrierenden Metallfilmen, die durch eine dünne dielektrische Schicht, die organische Halbleiterschicht, getrennt sind. Licht innerhalb der Mikroresonatorstruktur wird an den Metallschichten zumindest teilweise reflektiert. Die Teilstrahlen des emittierten und des reflektierten Lichtes können je nach Phasendifferenz konstruktiv oder destruktiv interferieren und führen zur Ausbildung charakteristischer Schwingungsmoden. Das Ergebnis ist eine Abhängigkeit des Abstrahlspektrums und der Abstrahlintensität vom Abstrahlwinkel. Während auf Seiten der Kathode in der Regel bereits eine starke reflektierende Metallschicht vorliegt, resultiert die Reflektion der Gegenseite an den Grenzflächen zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Anode bzw. der Anode und dem Substrat der organischen Leuchtdiode, beispielsweise einer Glasschicht, aufgrund unterschiedlicher Brechungsindizes der Materialien der organischen Leuchtdiode. So weist beispielsweise die organische Halbleiterschicht einen Brechungsindex von etwa 1,8, eine ITO-Anode einen Brechungsindex von 2–2,1 und eine Glasschicht als Substrat einen Bre chungsindex von 1,5 auf. Allerdings wäre die Folge dieser Reflexion an den Grenzflächen zwischen der organischen Schicht und der ITO-Anode beziehungsweise zwischen der ITO-Anode und dem Substrat zu schwach, um diese für eine Winkelmessung zu nutzen. Um die Winkelabhängigkeit der Abstrahlcharakteristik deutlich zu verstärken und somit für eine Winkelmessung zugänglich zu machen, wird erfindungsgemäß eine semitransparente Schicht an der Grenzfläche zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Anode oder der Anode und der Substratschicht angeordnet.
  • Im Sinne der vorliegenden Anmeldung bedeutet semitransparent teil-reflektierend und teil-transmittierend. Das heißt die semitransparente Schicht wird einen ersten Teil des auf sie fallenden Lichtes reflektieren oder spiegeln und einen zweiten Teil transmittieren oder durchlassen. Erfindungsgemäß wird die semitransparente Schicht derart ausgebildet, dass ihre absorbierenden Eigenschaften minimal sind.
  • Die Winkelabhängigkeit entsteht also aufgrund von Interferenzen innerhalb der Mikroresonatorstruktur, die durch eine Elektrode, insbesondere die Kathode, zumindest einer organischen Halbleiterschicht und der erfindungsgemäßen semitransparenten Schicht ausgebildet wird. Die Mikroresonatorstruktur besteht also als zwei reflektierenden Metallfilmen, wovon insbesondere eine durch die Kathode gebildet wird. Der zweite reflektierende Metallfilm entsteht, indem die transparente Anodenschicht mit einer dünnen Metallschicht, der semitransparenten Schicht, versehen wird oder indem die transparente Anodenschicht durch die dünne Metallschicht ersetzt wird. Wie oben ausgeführt, ist die semitransparente Schicht teil-transmittierend oder teil-durchlässig, um die Auskopplung des Lichtes zu erhalten. Ein zweiter Teil des in der organischen Leuchtdiode erzeugten Lichtes wird an den Metallfilmen reflektiert. In Abhängigkeit von Einfallswinkel und Wellenlänge können die reflektierten Teilstrahlen unterschiedlich miteinander interferieren, so dass eine winkelabhängige Abstrahlcharakteristik resultiert. Das durch die semitransparente Schicht emittierte Licht weist somit je nach Betrachtungswinkel einen anderen Farbeindruck oder eine andere Intensität auf. Erfindungsgemäß bildet die semitransparente Schicht die Voraussetzung dafür, dass sich eine ausgeprägte und damit messbare Winkelabhängigkeit ergibt.
  • Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass die erfindungsgemäße Winkelmessung berührungslos erfolgt. Weiterhin ist die erfindungsgemäße Winkelmessung aufgrund des Einsatzes kostengünstiger Vorrichtungen, beispielsweise reichen eine organische Leuchtdiode und eine Photodiode im Wesentlichen aus, sehr kostengünstig und des Weiteren einfach zu handhaben. Außerdem handelt es sich bei der erfindungsgemäßen Methode um eine absolute Messmethode, die zudem eine hohe Präzision erlaubt. Darüber hinaus ist die auf der Mikroresonatorstruktur innerhalb der organischen Leuchtdiode basierende Winkelmessung sowohl für kurze als auch für lange Distanzen nutzbar. Sie ist flexibel einsetzbar, zum Beispiel auch in unwegsamem Gelände, und bietet außerdem die Möglichkeit, nicht nur in Luft, sondern auch im Vakuum oder in Gegenwart korrosiver Umgebungseinflüsse Winkel und Neigungen zu vermessen oder eine Auslotung durchzuführen.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Figuren.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die semitransparente Schicht elektrisch leitfähig, welche insbesondere eine Anode der organischen Leuchtdiode ausbildet. Vorteilhafterweise ergibt sich bei dieser Ausgestaltung die Möglichkeit, auf die Anordnung einer zusätzlich Anodenschicht zu verzichten. Ein Verzicht auf eine zusätzlich Anodenschicht ergibt Kostenvorteile bei der Herstellung der organischen Leuchtdiode sowie ein kompakteres Bauelement.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung weist die organische Leuchtdiode weiter eine transparente Anodenschicht und/oder eine transparente Substratschicht auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die elektrisch leitfähige, semitransparente Schicht zwischen der organischen Halbleiterschicht und der transparenten Anodenschicht angeordnet. Ist die semitransparente Schicht zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Anodenschicht angeordnet, so muss sie elektrisch leitfähig sein, um den elektrischen Kontakt zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Anodenschicht zu gewährleisten.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die semitransparente Schicht zwischen der transparenten Anodenschicht und der transparenten Substratschicht angeordnet. Ein Vorteil dieser bevorzugten Ausgestaltung ist, dass die semitransparente Schicht nicht leitfähig ausgestaltet sein muss.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die semitransparente Schicht als eine Silberschicht oder eine Aluminiumschicht ausgebildet, welche insbesondere eine Schichtdicke von 1 bis 20 nm, vorzugsweise 5 bis 10 nm aufweist.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist die organische Halbleiterschicht eine Schichtdicke von 1 bis 1000 nm bevorzugt 10 bis 500 nm, besonders bevorzugt von 30 bis 400 nm auf. Die hier genannte organische Halbleiterschicht umfasst auch die Möglichkeit verschiedene organische Materialien übereinander zu stapeln, wie bei organischen Leuchtdioden im Allgemeinen üblich.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die Kathodenschicht als ein Zwei- oder Dreischichtsystem ausgeformt, wobei die erste Schicht (Injektionsschicht) eine Austrittsarbeit aufweist, die dem niedrigsten unbesetzten Molekülniveau energetisch angepasst ist. Die oberste Kathodenschicht (Deckschicht) stellt zumeist die elektrische Kontaktierung sicher und bietet einen gewissen Schutz vor Korrosion. Etwaige Zwischenschichten stellen einen guten energetischen Anschluss der Injektionsschichten an die Deckschichten sicher. Beispiele solcher Abfolgen sind: Barium, Calcium oder Litium-Fluorid als Injektionsschicht und Aluminium oder Silber als Deckschicht. Die Anodenschicht ist beispielsweise als eine Indium-Zinn-Oxid-Schicht und/oder die Substratschicht als eine Glas- oder Folienschicht ausgebildet. Es besteht weiterhin auch die Möglichkeit die Anodenschicht aus polymeren, leitfähigen Materialien auszuformen.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung wird die organische Leuchtdiode mittels einer Glaskappe zum Schutz vor Wasser und/oder Sauerstoff verkapselt und vorzugsweise ein so genanntes Gettermaterial in die Verkapselung eingebracht. Dieses Gettermaterial bindet eindringenden Wasserdampf und/oder Sauerstoff physikalisch oder chemisch. Solche Gettermaterialien umfassen z.B. Calciumoxid und Zeolithe.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die Detektionsvorrichtung als eine Photodiode oder als ein Spektrometer ausgebildet. Die Verwendung einer Photodiode als Detektionsvorrichtung hat den besonderen Vorteil, dass sie sehr günstig und einfach zu handhaben ist. Zudem kann die Photodiode mit einem Spektralfilter ausgestattet werden, um die Empfindlichkeit auf einen bestimmten Wellenlängenbereich einzuschränken.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die vom jeweiligen Abstrahlwinkel und der angelegten Spannung abhängige Abstrahlcharakteristik der organischen Leuchtdiode mittels einer Referenzmessung vorbestimmt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung beinhaltet die Abstrahlcharakteristik ein Abstrahlspektrum bzw. Farbe und eine zugehörige Abstrahlintensitätsverteilung.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den schematischen Figuren angegebenen Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 ein schematisches Ablaufdiagramm eines bevorzugten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 2 ein schematisches Blockschaltbild einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens nach 1;
  • 3 eine schematische Darstellung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiode für eine Vorrichtung nach 2;
  • 4 eine schematische Darstellung einer Mikroresonatorstruktur einer organischen Leuchtdiode für eine Vorrichtung nach 2;
  • 5 ein Diagramm zur Darstellung der Abhängigkeit der Transmission von der Wellenlänge für ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer semitransparenten Schicht; und
  • 6 eine CIE-Normfarbtafel mit einem Abstrahlspektrum einer organischen Leuchtdiode gemäß 4 über verschiedene Abstrahlwinkel.
  • In allen Figuren sind gleiche beziehungsweise funktionsgleiche Elemente und Vorrichtungen – sofern nichts anderes angegeben ist – mit denselben Bezugszeichen versehen worden.
  • 1 zeigt ein schematisches Ablaufsdiagramm eines bevorzugten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Ermitteln eines Winkels α eines Messobjektes 1 gegenüber einer Detektionsvorrichtung 2 mittels zumindest einer organischen Leuchtdiode 3, welche wenigstens eine reflektierende Kathodenschicht 4, zumindest eine organische Halbleiterschicht 5 und eine semitransparente Schicht 6 aufweist, wobei die Kathodenschicht 4, die organische Halbleiterschicht 5 und die semitransparente Schicht 6 eine Mikroresonatorstruktur 7 ausbilden. Nachfolgend wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand des Blockschaltbildes in 1 mit Bezug auf die 24 erläutert. Das erfindungsgemäße Verfahren weist folgende Verfahrensschritte S1–S5 auf:
  • Verfahrensschritt S1:
  • Die organische Leuchtdiode 3 wird auf dem Messobjekt 1 angeordnet. Beispielsweise wird die organische Leuchtdiode 3 mittels eines doppelseitigen Klebebandes auf dem Messobjekt 1 fixiert.
  • Verfahrensschritt S2:
  • Die Detektionsvorrichtung 2 wird in einem der gegenüber auf dem Messobjekt 1 angeordneten, organischen Leuchtdiode 3 zu ermittelnden Winkel α bereitgestellt oder angeordnet.
  • Verfahrensschritt S3:
  • Eine vorbestimmte Spannung wird an die organische Leuchtdiode 3 angelegt. Die angelegte Spannung erzeugt eine vom jeweiligen Abstrahlwinkel abhängige, vorbestimmte Abstrahlcharakteristik mittels der Mikroresonatorstruktur 7. Vorzugsweise wird die vom jeweiligen Abstrahlwinkel und der angelegten Spannung abhängige Abstrahlcharakteristik der organischen Leuchtdiode 3 mittels einer Referenzmessung vorbestimmt. Insbesondere beinhaltet die Abstrahlcharakteristik ein Abstrahlspektrum und eine zugehörige Abstrahlintensitätsverteilung.
  • Verfahrensschritt S4:
  • Die Abstrahlcharakteristik der auf dem Messobjekt 1 angeordneten, organischen Leuchtdiode 3 wird mittels der bereitgestellten Detektionsvorrichtung 2 gemessen.
  • Verfahrensschritt S5:
  • Der Winkel α zwischen dem Messobjekt 1 und der Detektionsvorrichtung 2 wird in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik ermittelt.
  • In 2 ist ein schematisches Blockschaltbild einer Vorrichtung zur Durchführung des oben erläuterten Verfahrens zum Ermitteln eines Winkels α eines Messobjektes 1 gegenüber einer Detektionsvorrichtung 2 abgebildet. Die organische Leuchtdiode 3 wird auf dem Messobjekt 1 beispielsweise mittels eines doppelseitigen Klebebandes fixiert. Im Folgenden wird die Detektionsvorrichtung 2 in einem gegenüber der auf dem Messobjekt 1 angeordneten, organischen Leuchtdiode 3 zu ermittelnden Winkel α bereitgestellt oder angeordnet. Dann misst die Detektionsvorrichtung 2 die Abstrahlcharakteristik der organischen Leuchtdiode 3, an welcher die vorbestimmte Spannung angelegt ist.
  • Weiterhin weist die Vorrichtung nach 2 Mittel zum Ermitteln des Winkels α zwischen dem Messobjekt 1 und der Detektionsvorrichtung 2 in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik auf. Insbesondere ist dieses Mittel als eine Berechnungsvorrichtung ausgebildet, welche in der Detektionsvorrichtung 2 integriert ist und den Winkel α aus der gemessenen Abstrahlcharakteristik berechnet. Vorzugsweise weist die Detektionsvorrichtung 2 eine Photodiode oder ein Spektrometer zur Messung der Abstrahlcharakteristik auf.
  • 3 zeigt eine schematische Darstellung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiode 3 für eine Vorrichtung nach 2. Die organische Leuchtdiode 3 weist eine reflektierende Kathodenschicht 4, zumindest eine organische Halbleiterschicht 5 und eine semitransparente Schicht 6 auf. Die Kathodenschicht 4, die organische Halbleiterschicht und die semitransparente Schicht 6 bilden eine Mikroresonatorstruktur 7 aus. Die semitransparente Schicht 6 kann elektrisch leitfähig ausgebildet sein und in einem solchen Fall als Anode der organischen Leuchtdiode 3 eingesetzt werden.
  • Vorzugsweise weist die organische Leuchtdiode 3 eine transparente Anodenschicht 8 und/oder eine transparente Substratschicht 9 auf. Die semitransparente Schicht 6 kann zwischen der organischen Halbleiterschicht 5 und der transparenten Anodenschicht 8 angeordnet werden, wobei dann die semitransparente Schicht 6 zur Sicherstellung des elektrischen Kontaktes zwischen der organischen Halbleiterschicht 5 und der transparenten Anodenschicht 8 elektrisch leitfähig ausgestaltet wird.
  • Alternativ kann die semitransparente Schicht 6 zwischen der transparenten Anodenschicht 8 und der transparenten Substratschicht 9 angeordnet werden (nicht gezeigt). In einem solchen Fall muss die semitransparente Schicht 6 nicht leitfähig ausgestaltet sein.
  • Die semitransparente Schicht 6 ist beispielsweise eine dünne Metallschicht, welche vorzugsweise als eine Silberschicht oder Aluminiumschicht ausgebildet ist. Die Silberschicht oder Aluminiumschicht weist eine Schichtdicke von 1 bis 20 nm, vorzugsweise von 5 bis 10 nm auf.
  • Die organische Halbleiterschicht 5 besitzt vorzugsweise eine Schichtdicke von 1 bis 1000 nm, bevorzugt 10 bis 500 nm, besonders bevorzugt von 30 bis 400 nm.
  • Vorzugsweise ist die Kathodenschicht 4 als eine Barium/Aluminium-Schicht oder eine Calcium-Aluminium-Schicht oder eine Litium-Fluor-Aluminium-Schicht und/oder die Anodenschicht als ein Indium-Zinn-Oxid(ITO)-Schicht und/oder die Substratschicht 9 als eine Glas- oder Folienschicht ausgebildet. Die organische Leuchtdiode 3 ist insbesondere mittels einer Glaskappe 10 zum Schutz vor Wasser und/oder Sauerstoff verkapselt.
  • 4 zeigt eine schematische Darstellung einer Mikroresonatorstruktur 7 einer organischen Leuchtdiode 3 für eine Vor richtung nach 2. Die Mikroresonatorstruktur 7 ist durch die Kathodenschicht 4, zumindest eine organische Halbleiterschicht 5 und die semitransparente Schicht 6 ausgebildet. Beim Anlegen einer Spannung zwischen der Kathodenschicht 4 und der semitransparenten Schicht 6, welche in diesem Ausführungsbeispiel als Anode eingesetzt werden kann, werden positive (Löcher) und negative (Elektronen) Ladungsträger in die organische Halbleiterschicht 4 injiziert. Bei Rekombination der Elektronen und Löcher in der elektrolumineszierenden, organischen Halbleiterschicht 4 können neutrale, angeregte Zustände entstehen, die unter Aussendung von Licht in den Grundzustand zurückkehren können. Bezugszeichen 11 zeigt einen beispielhaften Emissionsort einer solchen Aussendung von zwei Photonen. Dabei bezeichnet das Bezugszeichen 12 einen ersten Weg eines ersten Photons und Bezugszeichen 13 einen zweiten Weg eines zweiten Photons. Die Teilstrahlen des ersten und zweiten Photons des emittierten und des reflektierten Lichts können je nach Phasendifferenz konstruktiv oder destruktiv interferieren. Diese Interferenz führt zur Ausbildung charakteristischer Schwingungsmoden. Die Winkel α1 und α2 zeigen verschiedene, entstehende Abstrahlwinkel, welche die für die dargestellte organische Leuchtdiode 3 charakteristische Abstrahlcharakteristik bedingen.
  • 5 zeigt ein Diagramm zur Darstellung der Abhängigkeit der Transmission von der Wellenlänge für ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer semitransparenten Schicht 6. In dem Ausführungsbeispiel nach 5 ist die semitransparente Schicht 6 als eine Aluminiumschicht mit einer Schichtdicke von 10 nm ausgebildet. 5 zeigt dabei, dass die semitransparente Aluminiumschicht eine sich über die Wellenlänge ändernde Transmissionscharakteristik aufweist. Beispielsweise werden bei einer Wellenlänge von 600 nm etwa 10 % des auf die Aluminiumschicht 6 einfallenden Lichtes transmittiert oder durchgelassen und die übrigen 90 % werden reflektiert. Somit ist gezeigt, dass eine dünne Aluminiumschicht von 10 nm sowohl reflektierende als auch transmittierende Eigenschaften aufweist.
  • 6 zeigt eine zugehörige CIE-Normtafel mit einem Abstrahlspektrum einer organischen Leuchtdiode 3 gemäß 4 über verschiedenen Abstrahlwinkel. Dabei zeigt 6 insbesondere das Abstrahlspektrum einer organischen Leuchtdiode 3 mit einer nach 5 ausgebildeten Aluminiumschicht 6 ohne eine zusätzliche ITO-Anode. 6 zeigt deutlich, dass sich die Farbe des abgestrahlten Lichtes mit einer Änderung des Betrachtungswinkels deutlich ändert. Nachdem das Abstrahlspektrum durch eine Referenzmessung vorbestimmt werden kann, kann aus einem gemessenen Abstrahlspektrum auf den Winkel rückgeschlossen werden.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar. Beispielsweise ist es denkbar, auf einem Messobjekt mehrere erfindungsgemäße organische Leuchtdioden vorzusehen, um mehrere Raumwinkel zu messen.

Claims (13)

  1. Verfahren zum Ermitteln eines Winkels (α) eines Messobjektes (1) gegenüber einer Detektionsvorrichtung (2) mittels zumindest einer organischen Leuchtdiode (3), welche wenigstens eine reflektierende Kathodenschicht (4), zumindest eine organische Halbleiterschicht (5) und eine semitransparente Schicht (6) aufweist, wobei die Kathodenschicht (4), die organische Halbleiterschicht (5) und die semitransparente Schicht (6) eine Mikroresonatorstruktur (7) ausbilden, mit den Schritten: a) Anordnen der organischen Leuchtdiode (3) auf dem Messobjekt (1); b) Bereitstellen der Detektionsvorrichtung (2) in einem gegenüber der auf dem Messobjekt (1) angeordneten, organischen Leuchtdiode (3) zu ermittelnden Winkel (α); c) Anlegen einer vorbestimmten Spannung an die organische Leuchtdiode (3) zum Erzeugen einer vom jeweiligen Abstrahlwinkel abhängigen, vorbestimmten Abstrahlcharakteristik mittels der Mikroresonatorstruktur (7); d) Messen der Abstrahlcharakteristik mittels der bereitgestellten Detektionsvorrichtung (2); und e) Ermitteln des Winkels (α) zwischen dem Messobjekt (1) und der Detektionsvorrichtung (2) in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die semitransparente Schicht (6) elektrisch leitfähig ist, welche insbesondere eine Anode der organischen Leuchtdiode (3) ausbildet.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Leuchtdiode (3) weiter eine transparente Anodenschicht (8) und/oder eine transparente Substratschicht (9) aufweist.
  4. Verfahren nach den Ansprüchen 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitfähige, semitransparente Schicht (6) zwischen der organischen Halbleiterschicht (5) und der transparenten Anodenschicht (8) angeordnet ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die semitransparente Schicht (6) zwischen der transparenten Anodenschicht (8) und der transparenten Substratschicht (9) angeordnet ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die semitransparente Schicht (6) als eine Silberschicht oder eine Aluminiumschicht ausgebildet ist, welche insbesondere eine Schichtdicke von 1 bis 20 nm, vorzugsweise von 5 bis 10 nm aufweist.
  7. Verfahren nach Anspruch 1 oder nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Halbleiterschicht (5) eine Schichtdicke von 1 bis 1000 nm, bevorzugt von 10 bis 500 nm, besonders bevorzugt von 30 bis 400 nm aufweist.
  8. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Kathodenschicht (4) als eine Barium-Aluminium-Schicht oder eine Calzium-Aluminium-Schicht oder eine Litium-Fluor-Aluminuim-Schicht und/oder die Anodenschicht als eine Indium-Zinn-Oxid-Schicht und/oder die Substratschicht (9) als eine Glas- oder Folienschicht ausgebildet ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Leuchtdiode (3) mittels einer Glaskappe zum Schutz vor Wasser und/oder Sauerstoff verkapselt wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektionsvorrichtung (2) als eine Photodiode oder als ein Spektrometer ausgebildet ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die vom jeweiligen Abstrahlwinkel und der angelegten Spannung abhängige Abstrahlcharakteristik der organischen Leuchtdiode (3) mittels einer Referenzmessung vorbestimmt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Abstrahlcharakteristik ein Abstrahlspektrum und eine zugehörige Abstrahlintensitätsverteilung beinhaltet.
  13. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12 zum Ermitteln eines Winkels (α) eines Messobjektes (1) gegenüber einer Detektionsvorrichtung (2), mit: a) zumindest einer organischen Leuchtdiode (3), welche wenigstens eine reflektierende Kathodenschicht (4), zumindest eine organische Halbleiterschicht (5) und eine semitransparente Schicht (6) aufweist, wobei die Kathodenschicht (4), die organische Halbleiterschicht (5) und die semitransparente Schicht (6) eine Mikroresonatorstruktur (7) ausbilden, wobei die organische Leuchtdiode (3) auf dem Messobjekt (1) angeordnet ist, b) der Detektionsvorrichtung (2), welche in einem gegenüber der auf dem Messobjekt (1) angeordneten, organischen Leuchtdiode (3) zu ermittelnden Winkel (α) bereitgestellt ist und die Abstrahlcharakteristik der organischen Leuchtdiode (3) misst; und c) Mittel zum Ermitteln des Winkels (α) zwischen dem Messobjekt (1) und der Detektionsvorrichtung (2) in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik.
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