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Die
vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein Verfahren zur Schaltkreisüberprüfung.
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Üblicherweise
werden elektronische Schaltkreise auf einem Substrat implementiert,
indem gepackte (in Kunstharz vergossene) ICs und Mikrocomputer aufgrund
der einfachen Handhabung und der Widerstandsfähigkeit gegenüber Umgebungseinflüssen verwendet
werden. Die Anforderung nach hoher Funktionalität und immer kompliziertere
Systeme in elektronischen Steuereinheiten (ECUs) erzwingen jedoch
einen Anstieg der Größe der elektronischen Schaltkreise,
trotz eines für
die ECUs reservierten begrenzten Raums.
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Die
den ECUs auferlegten Beschränkungen fördern eine
Volumenverkleinerung der elektronischen Schaltkreise unter Verwendung
kleinerer ICs (gepackte Teile, Packungen nur in Chipgröße, blanke Chips
[IC-Chips ohne Kunstharzverguss] oder dergleichen). In diesem Fall
macht es der verringerte Abstand zwischen den Anschlüssen und/oder
eine verringerte Größe der Anschlüsse an den
kleineren ICs schwieriger, eine Qualitätsüberprüfung durch Kontaktierung der
Anschlüsse
durchzuführen.
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Das
japanische Patentdokument JP-A-H5-72280 beschreibt ein Verfahren
zur Überprüfung eines
elektronischen Schaltkreises für
dessen Qualitätssicherung,
bei dem die elektronischen Schaltkreise in einem Zustand überprüft werden,
in welchem sie auf einer Karte oder Platine implementiert sind.
Der elektronische Schaltkreis, der auf der Karte implementiert ist,
hat jedoch hiermit in Verbindung stehende Peripherieschaltkreise,
so dass Einflüsse
von den Peripherieschaltkreisen während der Überprüfung vorliegen und das Überprüfungsergebnis
ungenau machen können.
D.h., kritische Überprüfungen hinsichtlich
Produktqualität,
beispielsweise eine Leckstrom untersuchung, eine Funktionsüberprüfung oder
dergleichen können
an den elektronischen Schaltkreis nicht durchgeführt werden, wenn dieser auf
der Karte implementiert ist.
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Angesichts
des oben beschriebenen und weiterer Probleme ist es Aufgabe der
vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Überprüfung eines elektronischen Schaltkreises
in dessen Zustand einer Implementierung auf einer Karte oder Platine
bereitzustellen, ohne dass Einflüsse
von anderen Schaltkreisen erfolgen, welche an der Überprüfung nicht
teilnehmen.
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Bei
dem Überprüfungsverfahren
gemäß der vorliegenden
Erfindung zur Überprüfung eines
elektronischen Schaltkreises, der auf einer Karte oder Platine angeordnet
ist, weist das Verfahren die Schritte auf des Bereitstellens eines
Anschlusses zum Eingeben und Ausgeben eines elektronischen Signals
in/aus dem elektronischen Schaltkreis, des Bereitstellens eines
Periperhieschaltkreises, des Bereitstellens einer Impedanzerhöhungseinheit
zur Erhöhung
einer Impedanz einer elektronischen Verbindung zwischen dem elektronischen
Schaltkreis und dem Peripherieschaltkreis, und das Bereitstellen
einer Überprüfungseinheit
zur Überprüfung des
elektronischen Schaltkreises. Die Impedanzerhöhungseinheit führt einen
Prozess des Verhinderns eines Fließens eines elektrischen Stroms
von dem Peripherieschaltkreis in den elektronischen Schaltkreis oder
einen Prozess des Verhinderns des Fließens des elektrischen Stroms
aus dem elektronischen Schaltkreis heraus zu dem Peripherieschaltkreis
vor der Durchführung
des Überprüfungsvorgangs
des elektronischen Schaltkreises mit der Überprüfungseinheit durch. Die Überprüfungseinheit
führt den Überprüfungsprozess
an dem elektronischen Schaltkreis durch elektrisches Verbinden des
Anschlusses mit der Überprüfungseinheit
und durch entweder die Bereitstellung eines Überprüfungssignals für oder eines
Empfangsüberprüfungssignals
von dem elektronischen Schaltkreis durch. Die Impedanzerhöhungseinheit
führt einen elektrischen
Verbindungsprozess zwischen dem elektronischen Schaltkreis und dem Peripherieschaltkreis
nach dem Überprüfungsprozess
durch.
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Der
betreffende zu überprüfende elektronische
Schaltkreis kann einen Einfluss durch andere Schaltkreise vermeiden,
indem die Impedanz des betreffenden elektronischen Schaltkreises
selbst relativ zu dem Peripherieschaltkreis erhöht wird. Auf diese Weise kann
eine Leckstromüberprüfung oder
Funktionsüberprüfung des
elektronischen Schaltkreises in einem Zustand dessen Implementierung
auf der Karte oder Platine durchgeführt werden.
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Das
Verfahren zur Überprüfung des
elektronischen Schaltkreises, der auf einer Karte ausgebildet ist,
kann auch als die Zustände
elektronischer Schaltkreises in Relation zu dem Peripherieschaltkreis
beschrieben werden. D.h., das Hineinfließen, Herausfließen des
elektrischen Stroms in/aus dem elektronischen Schaltkreis wird durch
eine Erhöhung der
Impedanz des elektronischen Schaltkreises mit der Impedanzerhöhungseinheit
als Anfangsbedingung verhindert und ein Unterbrechungszustand des elektrischen
Stroms wird während
der Überprüfung aufrechterhalten.
Das Überprüfungssignal
wird von der Überprüfungseinheit
während
der Überprüfung an
den Anschluss angelegt. Die Impedanz des elektronischen Schaltkreises
wird nach der Überprüfung abgesenkt,
um die elektrische Verbindung zwischen dem elektronischen Schaltkreis
und dem Peripherieschaltkreis herzustellen.
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Die
dritte Version einer Beschreibung der Überprüfung ist direkter als die voranstehenden.
Die Überprüfung des
elektronischen Schaltkreises erfolgt durch Erhöhen der Impedanz des elektronischen Schaltkreises
mit der Impedanzerhöhungseinheit und
das Überprüfungssignal
wird an den Schaltkreis geliefert, wobei die erhöhte Impedanz auf dem gleichen
Wert gehalten wird. Nach der Überprüfung wird die
Impedanz abgesenkt, um die elektri sche Verbindung zwischen dem elektronischen
Schaltkreis und dem Peripherieschaltkreis wieder aufzunehmen.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Impedanzerhöhungseinheit als
Schalter ausgeführt.
Beispielsweise kann ein MOS-Schalter verwendet werden, um die Impedanz des
elektronischen Schaltkreises mit Sicherheit zu erhöhen, wobei
ein kleiner Steuerstrom in einem einfachen Schaltkreisaufbau verwendet
wird, ohne dass ein Leckstrom bewirkt wird.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Impedanzerhöhungseinheit
bereitgestellt werden, indem eine Schaltkreisverdrahtung zwischen
dem elektronischen Schaltkreis und dem Peripherieschaltkreis für eine elektrische Verbindung
weggelassen wird. D.h., die Impedanz der elektrischen Verbindung
zwischen Kontaktkissen wird ohne Verwendung eines Schalters oder
dergleichen gesteuert, wenn die Schaltkreisverdrahtung zwischen
den Kontaktkissen nicht vorliegt.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Impedanz des
elektronischen Schaltkreises erhöht
werden, indem eine Diode derart angeordnet wird, dass sie das Fließen eines
elektrischen Stroms von dem Peripherieschaltkreis in den elektronischen
Schaltkreis und/oder das Herausfließen von elektrischem Strom
aus dem elektronischen Schaltkreis in den Peripherieschaltkreis verhindert.
Auf diese Weise kann der elektronische Schaltkreis als vollständiges Produkt
nach der Überprüfung verschickt
werden, ohne dass irgendeine Bearbeitung der Verdrahtung erfolgt.
Weiterhin lässt sich
die Charakteristik der Diode, welche in einem IC des Peripherieschaltkreises
liegt, nach der Überprüfung zur
Steuerung der Impedanz problemlos ändern.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Erhöhung der
Impedanz erreicht werden, indem ein Dreizustandsschaltkreis verwendet
wird, der selektiv den elektrischen Strom entweder von einer Energieversorgung,
von Masse (GND) oder dem Peripherieschaltkreis für den elektronischen Schaltkreis
in einem ersten, zweiten und dritten Betriebszustand unterbricht.
Auf diese Weise kann der elektronische Schaltkreis als vollständiges Produkt überprüft werden,
da nach der Überprüfung die
Verdrahtung nicht notwendigerweise bearbeitet werden muss.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung kann eine Erhöhung der
Impedanz erreicht werden, indem keine Verdrahtung zwischen einem
ersten Kontaktkissen und einem zweiten Kontaktkissen erfolgt, welche
jeweils mit Bündeln
von Schaltkreisverdrahtungen auf gleichem Potential verbunden sind.
Auf diese Weise wird die Anzahl von Kontaktkissen zur Erhöhung der
Impedanz verringert.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung sind der elektronische
Schaltkreis und der Peripherieschaltkreis auf der gleichen Karte oder
Platine angeordnet. Auf diese Weise kann das zu überprüfende Objekt, d.h. kann der
elektronische Schaltkreis und der Peripherieschaltkreis auf der gleichen
Karte implementiert werden, um als annähernd vollständiges Produkt
zur Erreichung einer verbesserten Produktqualität überprüft werden zu können.
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Weitere
Einzelheiten, Aspekte und Vorteil der vorliegenden Erfindung ergeben
sich besser aus der folgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme
auf die beigefügte
Zeichnung.
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Es
zeigt:
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1 im
Blockdiagramm den Schaltkreisaufbau einer Karte oder Platine gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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2 schematisch
den Aufbau des Schaltkreises auf der Karte in einer ersten Ausführungsform;
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3 schematisch
den Aufbau des Schaltkreises auf der Karte in einer zweiten Ausführungsform;
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4 schematisch
den Aufbau des Schaltkreises auf der Karte in einer dritten Ausführungsform;
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5 schematisch
den Aufbau des Schaltkreises auf der Karte in einer vierten Ausführungsform;
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6 schematisch
den Aufbau des Schaltkreises auf der Karte in einer fünften Ausführungsform;
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7 schematisch
den Aufbau des Schaltkreises auf der Karte in einer sechsten Ausführungsform;
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8 schematisch
den Aufbau des Schaltkreises auf der Karte in einer siebten Ausführungsform;
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9 schematisch
den Aufbau des Schaltkreises auf der Karte in einer achten Ausführungsform;
und
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10 schematisch
den Aufbau des Schaltkreises auf der Karte in einer neunten Ausführungsform.
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Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf
die Zeichnung beschrieben.
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1 zeigt
ein Blockdiagramm des Schaltkreisaufbaus auf einer Karte oder Platine 10 gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Wie die Impedanz eines Teils des Schaltkreises durch
eine Impedanzerhöhungseinheit
(HiZ-Einheit) 11 in Relation zu einer Überprüfung eines IC auf der Karte
erhöht
wird, ist ein wesentlicher Punkt der vorliegenden Erfindung.
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Die
Karte 10 hat hierauf einen IC1 12 als Testobjekt
implementiert und jeder Anschluss des IC1 12 ist mit der
HiZ-Einheit 11 über
eine Verdrahtung 13 verbunden. Ein IC2 14 und
ein Pull-Down-Widerstand etc. sind ebenfalls mit dem IC1 12 über eine weitere
Verdrahtung 13 verbunden. Zusätzlich sindeine Energieversorgung 16 und
Masse (GND) 17 mit dem IC1 12 und dem IC2 14 zur
Bereitstellung eines Betriebsstroms verbunden. In diesem Fall sind der
IC2 14, die Versorgung 16, GND 17, elektrische Elemente
wie der Pull-Down-Widerstand etc. als Peripherieschaltkreis 15 eingestuft.
Die Impedanz des IC1 12 wird erhöht durch Verwendung der HiZ-Einheit 11 an
jedem der Anschlüsse
des IC1 12 zur Durchführung
von Überprüfungen,
beispielsweise auf Leckströme
und Funktionen. Auf diese Weise wird ein Hineinfließen/Herausfließen von
elektrischem Strom zwischen dem IC1 12 und dem Peripherieschaltkreis 15 verhindert.
Die HiZ-Einheit 11 als praktischer Schaltkreis wird nachfolgend
noch beschrieben.
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<Erste Ausführungsform>
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2 zeigt
schematisch den Aufbau des Schaltkreises auf der Schaltkreiskarte
oder Platine 10 in einer ersten Ausführungsform. In der ersten Ausführungsform
ist der IC1 12 als das Testobjekt mit einem Schalter 26,
der die HiZ-Einheit 11 bildet, mit dem Peripherieschaltkreis 15 auf
der Karte 10 verbunden, welcher den IC2 14, einen
Pull-Down-Widerstand 20 und ei nen Kondensator 21 enthält, sowie mit
einer Überprüfungseinheit 24,
einem Ampermeter 22 und einem Signalgenerator 23 zum
Testen des Testobjekts.
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Der
Pull-Down-Widerstand 20 und der Kondensator 21 sind
mit dem IC1 12 über
die Verdrahtung 13 verbunden und der IC2 14 enthält einen
analogen Ausgangsschaltkreis, beispielsweise einen Operationsverstärker (Op.
Amp.) 25, wie in 2 gezeigt.
Der IC1 12 steht in Verbindung mit dem Pull-Down-Widerstand 20,
dem Kondensator 21 und dem IC2 14 über den
Schalter 26 als HiZ-Einheit 11. In den folgenden
Ausführungsformen
sind der Pull-Down-Widerstand 20 und der Kondensator 21 mit
GND 17 verbunden, solange nicht anders angegeben. Weiterhin
hat der IC1 12 einen TP-Anschluss 27 zum
Anschluss externer Vorrichtungen, beispielsweise einer Überprüfungseinheit 24.
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Der
Testvorgang für
den IC1 12 wird nachfolgend erläutert.
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Der
IC1 12 wird vom Peripherieschaltkreis 15 durch
Betätigen
des Schalters 26 als HiZ-Einheit 11 elektrisch
isoliert. Der Einfluss vom Peripherieschaltkreis 15 wird
auf diese Weise verhindert. Dann wird der TP-Anschluss 27 verwendet,
um die Überprüfungseinheit 24 mit
dem IC1 12 für
die Lecküberprüfung und
die Funktionsüberprüfung zu
verbinden, ohne dass Einflüsse
von Peripherieschaltkreis 15 vorliegen.
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Der
Schalter 26 kann als mechanischer Schalter ausgelegt sein
oder er kann ein Halbleiterschalter unter Verwendung eines Halbleiterelements sein,
beispielsweise eines p-MOS, eines n-MOS oder eines Analogschalters.
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<Zweite Ausführungsform>
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3 zeigt
schematisch den Schaltkreisaufbau auf der Platine bei einer zweiten
Ausführungsform.
Der Unterschied zwischen dieser Ausführungs form und der voranstehenden
Ausführungsform
liegt darin, dass die HiZ-Einheit 11 durch Weglassen der Verdrahtung
geschaffen ist. Bei dieser Ausführungsform
haben gleiche Teile wie in der voranstehenden Ausführungsform
gleiche Bezugszeichen und eine nochmalige Beschreibung dieser Teile
erfolgt nicht.
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Die
Impedanzerhöhung
bei der zweiten Ausführungsform
erfolgt durch eine Nicht-Anordnung der Verdrahtung 13 zwischen
zwei Kissen 30, welche anstelle des Schalters 26 verwendet
werden, wie in 30 gezeigt. Auf diese
Weise wird die Impedanz erhöht,
ohne dass irgendein zusätzlicher
Schaltkreis, beispielsweise der Schalter 26 hinzugefügt wird,
wobei der gleiche Effekt wie in der ersten Ausführungsform erreicht wird. Weiterhin
werden die Kontaktkissen 30 als TP-Anschlüsse 27 während der Überprüfung verwendet.
Die Kontaktkissen 30 werden nach der Überprüfung elektrisch verbunden.
Auf diese Weise wird die Anzahl von TP-Anschlüssen 27 verringert.
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<Dritte Ausführungsform>
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4 zeigt
schematisch den Schaltkreisaufbau auf der Karte bei einer dritten
Ausführungsform. Der
Unterschied zwischen dieser Ausführungsform und
den voranstehenden Ausführungsformen
liegt darin, dass der Pull-Down-Widerstand 20 und
der Kondensator 21 auf der Karte 10 nach der Inspektion implementiert
werden und der Schalter 26 zwischen dem IC1 12 und
dem Operationsverstärker 25 im
IC2 14 liegt. Bei dieser Ausführungsform haben gleiche Teile
wie in den voranstehenden Ausführungsformen gleiche
Bezugszeichen und eine nochmalige Beschreibung erfolgt nicht.
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Der
IC1 12 wird von GND 17 isoliert, indem der Kondensator 21 und
der Widerstand 20 nicht angeordnet sind und der Schalter 26 im
IC2 14 wird verwendet, den Operationsverstärker 25 vom
IC1 12 zu isolieren, um die Impedanz zu erhöhen und
Einflüsse vom
Peripherieschaltkreis 15 zu unterbinden, wie in 4 gezeigt.
Die TP-Anschlüsse 27 werden
verwendet, ein Überprüfungssignal
einzugeben. Nach der Überprüfung werden
der Kondensator 21 und der Widerstand 20 auf der
Karte 10 implementiert. Auf diese Weise werden Einflüsse vom
Peripherieschaltkreis 15 mit dem IC2 14, GND 17 oder
dergleichen während
der Überprüfung des
IC1 12 verhindert. Ein zusätzliche Schaltkreis oder dergleichen
ist auf der Karte 10 zur Durchführung der Überprüfung nicht notwendig.
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In
diesem Fall kann der Schalter 26 auf einem Teil der Verdrahtung
in Richtung eines Punkts A anstelle des Inneren des IC2 14 angeordnet
sein. Die zur Isolierung des IC1 12 verwendeten Teile müssen nicht
notwendigerweise der Kondensator 21 und der Widerstand 20 sein.
D.h., andere elektronische Teile können auf der Karte 10 während der Überprüfung noch
nicht implementiert sein.
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<Vierte Ausführungsform>
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5 zeigt
schematisch den Schaltkreisaufbau auf der Karte gemäß einer
vierten Ausführungsform.
Der Unterschied zwischen der vierten Ausführungsform und voranstehenden
Ausführungsformen besteht
darin, dass die Schalter 26 zwischen dem Pull-Down-Widerstand 20/dem
Kondensator 21 und GND 17 angeordnet sind. Bei
der vorliegenden Ausführungsform
haben gleiche oder einander entsprechende Teile gleiche Bezugszeichen
wie in den voranstehenden Ausführungsformen
und eine nochmalige Beschreibung erfolgt nicht.
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Der
Schalter 26 zwischen dem Widerstand 20 und GND 17 und
der Schalter 26 zwischen dem Kondensator 21 und
GND 17 werden jeweils ausgeschaltet, um den Widerstand 20/den
Kondensator 21 gegenüber
GND 17 zu isolieren, wie in 5 gezeigt. Der
Schalter 26, der während
der Über prüfung abgeschaltet
ist, kann die Impedanz erhöhen
und der Schalter 26 wird eingeschaltet, um den IC1 12 nach der Überprüfung mit
GND 17 zu verbinden. Auf diese Weise werden Einflüsse seitens
des Peripherieschaltkreises während
der Überprüfung verhindert.
D.h., diese Ausführungsform
hat die gleichen Auswirkungen wie die voranstehenden Ausführungsformen.
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Der
Schalter 26 kann als mechanischer Schalter ausgeführt sein
oder er kann als Halbleiterschalter unter Verwendung eines Halbleiterelements ausgeführt sein,
beispielsweise eines p-MOS, eines n-MOS oder eines Analogschalters.
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<Fünfte
Ausführungsform>
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6 zeigt
schematisch den Schaltkreisaufbau auf der Karte bei einer fünften Ausführungsform. Der
Unterschied zwischen der fünften
Ausführungsform
und voranstehenden Ausführungsformen
liegt darin, dass die Verdrahtung 13 zwischen dem Pull-Down-Widerstand 20/dem
Kondensator 21 und GND 17 nicht vorhanden ist.
Bei der fünften
Ausführungsform
haben gleiche oder einander entsprechende Teile wie in den voranstehenden
Ausführungsformen
gleiche Bezugszeichen und eine nochmalige Beschreibung erfolgt nicht.
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Der
Schalter 26 zwischen dem Widerstand 20/dem Kondensator 21 und
GND 17 wird durch zwei Kontaktkissen 30 ersetzt
und die Isolierung des Widerstands 20/des Kondensators 21 gegenüber GND 17 wird
erreicht, indem die beiden Kontaktkissen 30 nicht verbunden
werden. Die beiden Kontaktkissen 30 werden durch die Verdrahtung 13 oder
durch eine Bondierung nach der Überprüfung unter
Verwendung der TP-Anschlüsse 27 kurzgeschlossen.
Die Verdrahtungen 13 haben eine Äquipotentialspannung und sind
mit einem einzelnen Kontaktkissen 30 als Bündel verbunden,
wie in
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6 gezeigt,
um eine geringere Anzahl von Kontaktkissen 30 zu haben.
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Auf
diese Weise ermöglicht
die vorliegende Erfindung weniger Bearbeitungsschritte und Teilekosten
zum Bondieren oder Neuverdrahten nach der Überprüfung und eine verringerte Schaltkreisgröße zusätzlich zu
den Effekten, welche in den voranstehenden Ausführungsformen erhaltbar sind.
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<Sechste Ausführungsform>
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7 zeigt
schematisch den Schaltkreisaufbau auf der Karte oder Platine bei
der sechsten Ausführungsform.
Der Unterschied zwischen der sechsten Ausführungsform und den voranstehenden
Ausführungsformen
liegt darin, dass der IC1 12 eine externe Energieversorgung 16 hat.
Bei der sechsten Ausführungsform
haben gleiche oder einander entsprechende Teile wie in den voranstehenden
Ausführungsformen
gleiche Bezugszeichen und eine nochmalige Beschreibung erfolgt nicht.
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Der
IC1 12 weist die externe Energieversorgung 16 auf.
An diesem Fall ist der Schalter 26 zwischen der Energieversorgung 16 und
dem Pull-up-Widerstand 20 als HiZ-Einheit 11 vorgesehen.
Auf diese Weise wird ein einfacher Aufbau zum Unterbrechen des elektrischen
Stroms von/zu dem Peripherieschaltkreis 15 geschaffen.
Der Schalter 26 kann in einem Abschnitt zwischen dem Pull-up-Widerstand 20 und
einem Punkt B anstelle eines Abschnitts zwischen der Energieversorgung 16 und dem
Pull-up-Widerstand 20 angeordnet sein.
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<Siebte Ausführungsform>
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8 zeigt
den schematischen Aufbau des Schaltkreises auf der Karte oder Platine
bei einer siebten Ausführungsform.
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Der
Unterschied zwischen der vorliegenden Ausführungsform und den voranstehenden
Ausführungsformen
liegt darin, dass als HiZ-Einheit 11 eine Zenerdiode 80 verwendet
wird. Bei der Ausführungsform
haben gleiche oder einander entsprechende Teile wie in den voranstehenden
Ausführungsformen gleiche
Bezugszeichen und eine nochmalige Beschreibung erfolgt nicht.
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Gemäß 8 wird
anstelle des Schaltkreises 26 die Zenerdiode 80 als
HiZ-Einheit 11 verwendet. In diesem Fall kann eine Zenerdiode 80 nicht verwendet
werden, wenn die Überprüfung eine Spannung
VTP anlegt, welche größer als
eine Durchbruchspannung Vf der Zenerdiode 80 ist und am TP-Anschluss 27 anliegt,
da die Spannung VTP größer als
Vf einen Stromfluss in Richtung Energieversorgung 16 verursacht.
Die Überprüfung kann
mit Sicherheit durchgeführt
werden, wenn der Schaltkreisaufbau die Spannung V23 der Energieversorgung 16 erlaubt.
D.h., die Überprüfung kann
durchgeführt werden,
wenn die Spannung V23 größer als
die Summe der Spannungen von VTP und Vf gemacht ist.
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Auf
diese Weise wird ein elektrischer Strom von der Energieversorgung 16 (d.h.
vom Periperieschaltkreis 15) nur durch ein einzelnes Bauteil, nämlich die
Zenerdiode 80 unterbunden.
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<Achte Ausführungsform>
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9 zeigt
schematisch den Schaltkreisaufbau auf der Karte oder Platine bei
einer achten Ausführungsform.
Der Unterschied zwischen dieser Ausführungsform und den voranstehenden
Ausführungsformen
liegt im Wesentlichen darin, dass ein Digitalausgangsschaltkreis
mit drei Schaltzuständen
in dem IC2 14 verwendet wird. Bei dieser Ausführungsform haben
gleiche oder einander entsprechende Teile wie in den voranstehenden
Ausführungsformen
wieder gleiche Bezugszeichen und eine nochmalige Beschreibung erfolgt
nicht.
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Der
IC1 12 ist mit dem Kondensator 21 und einem Transistor 90 verbunden
und der IC2 14 hat in sich einen digitalen Ausgangsschaltkreis
(CMOS oder dergleichen) ausgebildet, wie in 9 gezeigt. Der
Kondensator 21 und der Transistor 90 sind vom IC1 12 durch
den Schalter 26 isoliert. Die Impedanz des Schaltkreises
dieser Ausführungsform
wird in drei Stufen unter Verwendung eines Schaltkreises erhöht, der
einen p-MOS 91 und einen n-MOS 92 hat (d.h. durch
einen Push-Pull-Schaltkreis). Mit anderen Worten, ein Zustand H
mit einer Ausgangsspannung von der Energieversorgung 16,
ein Zustand L mit einer Ausgangsspannung auf GND 17 und
ein HiZ-Zustand, der als keiner der beiden anderen Zustände eingestuft
ist, sind zu erwarten. Die Überprüfung des IC1 12 wird
in dem HiZ-Zustand durch Verbinden der Überprüfungseinheit 24 mit
den TP-Anschlüssen 27 durchgeführt. Nach
der Überprüfung werden
der HiZ-Zustand des Push-Pull- Schaltkreises aufgehoben und der
Schalter 26 eingeschaltet. Der Push-Pull-Schaltkreis mit den
drei Schaltzuständen kann
in den IC2 14 ohne irgendeinen Einfluss auf den Peripherieschaltkreis 15 auf
der Schaltkreiskarte 10 erreicht werden.
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Der
Push-Pull-Schaltkreis kann die Impedanz nur dann erhöhen, wenn
der Push-Pull-Schaltkreis einen Signaleingang hat (d.h. ein Überprüfungssignal
oder dergleichen). Der Schalter 26 kann mit dem Kissen 30 zur
Isolation des Transistors 90 und des Kondensators 21 vom
IC1 12 ersetzt werden, wie in den 3 und 6 gezeigt.
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<Neunte Ausführungsform>
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10 zeigt
schematisch den Schaltkreisaufbau auf der Karte oder Platine bei
der neunten Ausführungsform.
Der Unterschied zwischen dieser Ausführungsform und voranstehenden
Ausführungsformen
besteht darin, dass die HiZ-Einheit 11 mit dem Pull-Down-Widerstand 20 und
der Zenerdiode 80 im IC2 14 gebildet ist. Auch
bei dieser Ausführungsform
haben gleiche oder einander entsprechende Teile wie in den voranstehenden
Ausführungsformen
gleiche Bezugszeichen und eine nochmalige Beschreibung erfolgt nicht.
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Der
IC1 12 ist mit dem IC2 14 verbunden und der Pull-Down-Widerstand 20 ist
im IC2 14 ausgebildet. Die Zenerdiode 80 ist zwischen
GND 17 und den Pull-Down-Widerstand 20 gesetzt,
um den Widerstand 20 im IC2 14 gegenüber GND 17 im
IC2 14 zu isolieren. Die Anordnung der Zenerdiode 80 erhöht die Impedanz
und verhindert Einflüsse
des Pull-Down-Widerstands 20 auf den IC2 14. Die Überprüfung des
IC1 12 erfolgt in diesem Zustand erhöhter Impedanz, indem die Überprüfungseinheit 24 mit den
TP-Anschlüssen 27 verbunden
wird. Die Überprüfung kann
nicht richtig durchgeführt
werden, wenn die an den TP-Anschlüssen 27 anliegende
Spannung größer als
eine Durchbruchspannung VB der Zenerdiode 80 ist. Die Zenerdiode 80 kann
nach Durchführung
der Überprüfung durch "Zapping" kurzgeschlossen
werden (ein Einstellprozess an der Widerstands/Spannungscharakteristik
eines Halbleiters während
des Herstellungsprozesses unter Verwendung eines Lasers), so dass
es möglich
wird, Einflüsse
der Zenerdiode 80 bei einem normalen Betrieb des IC2 14 auszuschließen.
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Die
Zenerdiode 80 der neunten Ausführungsform kann durch den Schalter 26 gemäß 7 ersetzt
werden.
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Ein
Verfahren zur Überprüfung eines
elektronischen Schaltkreises, der auf einer Platine oder Schaltkreiskarte
zusammen mit einem Peripherieschaltkreis ausgebildet ist, umfasst
insoweit zusammenfassend die Schritte der Bereitstellung eines Anschlusses
zur Eingabe und Ausgabe eines elektronischen Signals, des Bereitstellens
einer Impedanzerhöhungsvorrichtung
zur Erhöhung
einer Impedanz einer elektrischen Verbindung zwischen dem elektronischen
Schaltkreis und dem Peripherieschaltkreis und des Bereitstellens
einer Überprüfungsvorrichtung
zur Überprüfung des
elektronischen Schaltkreises. Die Impedanz des elektronischen Schaltkreises
wird erhöht,
um Einflüsse
des Peripherieschaltkreises vor und während der Überprüfung des elektronischen Schaltkreises
zu verhindern und die Erhöhung
der Impedanz wird nach der Überprüfung aufgehoben.
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Obgleich
die vorliegende Erfindung im Zusammenhang mit bevorzugten Ausführungsformen hiervon
unter Bezugnahme auf die beigefügte
Zeichnung beschrieben wurde, versteht sich, dass eine Vielzahl von Änderungen
und Abwandlungen für
den Fachmann auf diesem Gebiet möglich
ist. Derartige Änderungen
und Abwandlungen liegen im Rahmen der vorliegenden Erfindung, wie
er durch die beigefügten
Ansprüche
und deren Äquivalente
definiert ist.