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DE102005061773B3 - Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul Download PDF

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DE102005061773B3
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Germany
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power semiconductor
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semiconductor module
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DE102005061773A
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English (en)
Inventor
Ronald Eisele
Jens Klinghagen
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Danfoss Silicon Power GmbH
Original Assignee
Danfoss Silicon Power GmbH
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    • H10W90/756—

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Abstract

Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls und ein Leistungshalbleitermodul angegeben, bei dem ein mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement (5) bestückter Träger (2) in eine Form (9, 12) eingelegt wird, die Form (9, 12) geschlossen wird, der Träger (2) mit Hilfe mindestens eines Stempels (14) gegen eine Innenwand (10) der Form (9, 12) gepresst wird und ein Kunststoff in die Form (9, 12) gefüllt wird. DOLLAR A Man möchte die Herstellung eines derartigen Leistungshalbleitermoduls vereinfachen. DOLLAR A Hierzu ist vorgesehen, dass man den Stempel (14) während und nach dem Aushärten des Kunststoffs im Leistungshalbleitermodul belässt.
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