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DE102005046406A1 - Einrichtung zur Regelung der Stärke eines elektrischen Stroms - Google Patents

Einrichtung zur Regelung der Stärke eines elektrischen Stroms Download PDF

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DE102005046406A1 DE102005046406A DE102005046406A DE102005046406A1 DE 102005046406 A1 DE102005046406 A1 DE 102005046406A1 DE 102005046406 A DE102005046406 A DE 102005046406A DE 102005046406 A DE102005046406 A DE 102005046406A DE 102005046406 A1 DE102005046406 A1 DE 102005046406A1
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Abstract

Eine Einrichtung (10) zur Regelung der Stromstärke eines einem Verbraucher (1) zuzuführenden, durch eine Strom-/Spannungsquelle (2) erzeugten elektrischen Stroms weist auf: einen Halbleiterkörper (11), eine erste Elektrode (12), die mit der Vorderseite (13) des Halbleiterkörpers elektrisch verbunden und mit der Strom-/Spannungsquelle (2) elektrisch verbindbar ist, eine zweite Elektrode (14), die mit der Rückseite (15) des Halbleiterkörpers (11) elektrisch verbunden und mit dem Verbraucher (1) elektrisch verbindbar ist, einen in dem Halbleiterkörper (11) ausgebildeten vertikalen Transistor (19, 20, 21), durch den elektrische Stromflüsse zwischen der ersten und zweiten Elektrode (12, 14) erzeugbar/steuerbar sind, und eine Steuerschaltung (22), die den Transistor (19, 20, 21) so ansteuert, dass die Stärke der Stromflüsse zwischen der ersten und zweiten Elektrode (12, 14) auf bestimmte Werte geregelt werden.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Regelung der Stromstärke eines einem Verbraucher zuzuführenden, durch eine Strom-/Spannungsquelle erzeugten elektrischen Stroms. Die Erfindung betrifft weiterhin einen elektrischen Verbraucher.
  • Elektrische Verbraucher sind häufig direkt mit der sie speisenden Strom-/Spannungsversorgung verbunden. Der Strompfad zwischen Strom-/Spannungsversorgung und elektrischem Verbraucher weist in der Regel einen bestimmten Widerstand auf, der durch zusätzliche, in den Strompfad geschaltete Widerstände vergrößert werden kann.
  • In 1 ist eine Anordnung aus elektrischem Verbraucher 1 und Strom-/Spannungsversorgung 2 gezeigt, wobei hier der elektrische Verbraucher 1 eine lichtemittierende Diode (LED) ist, die über einen Widerstand R an die Strom-/Spannungsversorgung 2 angeschlossen ist. Der Widerstand R fungiert als Strombegrenzer.
  • Nachteilig an der in 1 beschriebenen Anordnung ist, dass Leistungsschwankungen der Strom-/Spannungsversorgung unmittelbar auf die Lichtintensität des durch die lichtemittierende Diode 1 erzeugten Lichts "durchschlägt". Ein weiterer Nachteil ist, dass bei schwankender Leistung der Strom-/Spannungsversorgung 2 auch die in der lichtemittierenden Diode 1 erzeugte Verlustleistung und damit die in der lichtemittierenden Diode 1 vorherrschende Temperatur stark variiert, womit die Diode 1 auf hohe thermische Belastbarkeit ausgelegt werden muss.
  • Um diesem Problem zu begegnen ist es bekannt, in den Strompfad zwischen der Strom-/Spannungsversorgung 2 und dem elektrischen Verbraucher 1 eine Einrichtung 3 zur Regelung der Stromstärke des durch die Strom-/Spannungsversorgung 2 erzeugten Stroms zu schalten, wie in 2 gezeigt ist ("aktive Stromquelle"). Die Einrichtung 3 weist eine Steuerschaltung zur Regelung der Stromstärke auf, die in einen Halbleiterchip 4 integriert ist. Der Halbleiterchip 4 ist auf einen Träger 5 montiert, wobei zwischen dem Träger 5 und dem Halbleiterchip 4 eine Isolationsschicht 6 vorgesehen ist. Der Halbleiterchip 4 wird auf dessen Oberseite durch Bonddrähte 7 kontaktiert, die mit Anschlussbeinchen 8 elektrisch verbunden sind. Die gesamte Einrichtung 3 ist von einem Gehäuse 9 umschlossen.
  • Die in 2 gezeigte Anordnung hat, wie bereits erwähnt, den Vorteil, dass die lichtemittierende Diode 1 mit einem konstanten Eingangsstrom versorgt wird. Nachteilig ist jedoch, dass die Kosten des Gehäuses 9 sowie die Kosten zum Montieren des Halbleiterchips und des Trägers 5 in das Gehäuse 9 relativ hoch sind.
  • Die der Erfindung zugrunde liegenden Aufgabe ist, eine Einrichtung zur Regelung der Stromstärke eines einem Verbraucher zuzuführenden, durch eine Strom-/Spannungsversorgung erzeugten elektrischen Stroms anzugeben, der kostengünstig hergestellt werden kann.
  • Zur Lösung der Aufgabe stellt die Erfindung eine Einrichtung zur Regelung einer Stromstärke gemäß Patentanspruch 1 bereit. Weiterhin stellt die Erfindung einen elektrischen Verbraucher gemäß Patentanspruch 11 bereit. Vorteilhafte Ausgestaltungen bzw. Weiterbildungen des Erfindungsgedankens finden sich in den Unteransprüchen.
  • Die erfindungsgemäße Einrichtung zur Regelung der Stromstärke eines einem Verbraucher zuzuführenden, durch eine Strom-/Spannungsquelle erzeugten elektrischen Stroms weist auf:
    • – einen Halbleiterkörper,
    • – eine erste Elektrode, die die Vorderseite des Halbleiterkörpers elektrisch verbunden und mit der Strom-/Spannungsquelle elektrisch verbindbar ist, und
    • – eine zweite Elektrode, die mit der Rückseite des Halbleiterkörpers elektrisch verbunden und mit dem Verbraucher elektrisch verbindbar ist,
    • – einen in dem Halbleiterkörper ausgebildeten vertikalen Transistor, durch den elektrische Stromflüsse zwischen der ersten und zweiten Elektrode erzeugbar/steuerbar sind, und
    • – eine Steuerschaltung, die den Transistor so ansteuert, dass die Stärken der Stromflüsse zwischen der ersten und zweiten Elektrode auf bestimmte Werte geregelt werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform grenzt die erste Elektrode direkt an die Vorderseite des Halbleiterkörpers an. Auf analoge Art und Weise kann die zweite Elektrode direkt an die Rückseite des Halbleiterkörpers angrenzen. Die Herstellung einer Einrichtung mit vertikalem Aufbau ist fertigungstechnisch gesehen einfacher als die Herstellung einer Einrichtung mit planarem Aufbau.
  • Vorteilhafterweise sollten die Flächenausmaße der ersten und/oder zweiten Elektrode den Ausmaßen der Vorderseite beziehungsweise Rückseite des Halbleiterkörpers entsprechen. Damit stehen im Vergleich zu einer lateralen Ausgestaltung der Einrichtung relativ große Kontaktflächen (jede Elektrode kann auf die gesamte Oberfläche, die durch die Vorderseite beziehungsweise Rückseite des Halbleiterkörpers ausgebildet wird, ausgedehnt werden; damit steht im Vergleich zu einer Stromstärken-Regelungseinrichtung mit planarem Aufbau für die Elektroden die doppelte Grundfläche zur Verfügung) zum Verbinden der Einrichtung mit der Strom-/Spannungsquelle bzw. mit dem elektrischen Verbraucher zur Verfügung, was entsprechende Kontaktierprozesse der Einrichtung erleichtert.
  • Bondingprozesse zum Verbinden der Einrichtung mit elektrischen Anschlüssen, wie dies in der in 2 gezeigten Einrichtung notwendig ist, entfallen.
  • Der Transistor kann beispielsweise ein MOS-(Metall-Oxid-Halbleiter-)Transistor oder ein Bipolartransistor sein. Die Erfindung ist jedoch nicht hierauf beschränkt. In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Emitter bzw. das Sourcegebiet des Transistors mit der ersten Elektrode, und der Kollektor bzw. das Draingebiet des Transistors mit der zweiten Elektrode elektrisch verbunden.
  • Zwischen der ersten Elektrode und der Vorderseite des Halbleiterkörpers kann eine Isolationsschicht angeordnet sein, die von einer elektrischen Durchführung durchsetzt ist, derart, dass der Emitter bzw. das Sourcegebiet über die elektrische Durchführung mit der ersten Elektrode elektrisch verbunden ist.
  • Die Steuerschaltung zur Ansteuerung des Transistors ist vorteilhafterweise in den Halbleiterkörper integriert. Um den Transistor ansteuern zu können, muss die Steuerschaltung hierbei mit der Basis bzw. der Gateelektrode elektrisch verbunden sein. Ist zwischen der ersten Elektrode und der Vorderseite des Halbleiterkörpers und/oder zwischen der zweiten Elektrode und der Rückseite des Halbleiterkörpers eine Isolationsschicht angeordnet, so kann eine entsprechende elektrische Verbindung zwischen der Steuerschaltung und der Basis bzw. Gateelektrode innerhalb der Isolationsschicht verlaufen. Dasselbe gilt analog für elektrische Verbindungen zwischen der Steuerschaltung und dem Emitter bzw. dem Sourcegebiet oder dem Kollektor bzw. dem Draingebiet des Transistors. Innerhalb der Isolationsschichten können also "Verdrahtungsebenen" zur Verbindung von Transistor und Steuerschaltung oder zur Erfüllung anderer Zwecke vorgesehen werden. Alternativ ist es möglich, den Emitter bzw. das Sourcegebiet sowie den Kollektor bzw. das Draingebiet des Transistors mit der Steuerschaltung über die erste und zweite Elektrode zu verbinden.
  • Der Halbleiterkörper besteht vorzugsweise aus Silizium, das eine gute mechanische Stabilität aufweist, kann jedoch auch aus anderen Materialien bestehen.
  • Die Erfindung stellt weiterhin einen elektrischen Verbraucher bereit, der einen Kontakt aufweist, über den diesem ein elektrischer Strom zuführbar ist. Der elektrische Verbraucher zeichnet sich dadurch aus, dass dieser mit einer erfindungsgemäßen Einrichtung zur Regelung der Stromstärke eines elektrischen Stroms versehen ist, wobei die zweite Elektrode der Einrichtung mit dem Kontakt des Verbrauchers elektrisch verbunden ist, und die erste Elektrode mit einer Strom-/Spannungsversorgung verbindbar ist.
  • Vorteilhafterweise ist der Kontakt des elektrischen Verbrauchers als Kontaktfläche ausgestaltet, auf der die zweite Elektrode der erfindungsgemäßen Einrichtung direkt aufliegt. Der Vorteil eines derartigen elektrischen Verbrauchers ist, dass das "Ensemble" aus elektrischem Verbraucher und der erfindungsgemäßen Regelungseinrichtung fertigungstechnisch äußerst einfach herstellbar ist. Weiterhin können die Abmessungen des Ensembles gering gehalten werden. Schließlich kann auf ein Gehäuse zur Aufnahme der Einrichtung verzichtet werden, was die Herstellungskosten weiter senkt.
  • Der elektrischer Verbraucher kann prinzipiell ein beliebiger Verbraucher sein. Die Erfindung lässt sich jedoch insbesondere im Zusammenhang mit einem LED-Bauteil als elektrischer Verbraucher vorteilhaft einsetzen.
  • Die Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die Figuren in beispielsweiser Ausführungsform näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 ein Ersatzschaltbild einer bekannten aus Strom-/Spannungsquelle, Widerstand und lichtemittierender Diode bestehende Anordnung.
  • 2 eine schematische Darstellung einer aus Strom-/Spannungsquelle, Strombegrenzer sowie lichtemittierender Diode bestehenden bekannten Anordnung.
  • 3 eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Einrichtung.
  • 4 eine schematische Darstellung einer aus Strom-/Spannungsquelle, lichtemittierender Diode sowie der in 3 gezeigten Einrichtung bestehenden Anordnung.
  • 5 eine Detaildarstellung der in 3 gezeigten erfindungsgemäßen Einrichtung.
  • 6 ein Ersatzschaltbild einer Steuerschaltung, die in den in 3 und 5 gezeigten erfindungsgemäßen Einrichtungen zum Einsatz kommen kann.
  • 7 eine mögliche Realisierung der in 4 schematisch angedeuteten Anordnung.
  • In den Figuren sind identische bzw. einander entsprechende Bereiche, Bauteile oder Bauteilgruppen mit denselben Bezugsziffern gekennzeichnet. Weiterhin können die Dotiertypen der Halbleitergebiete in sämtlichen Ausführungsformen invers ausgestaltet sein, d. h. p-Gebiete können durch n-Gebiete ersetzt werden und umgekehrt.
  • In 3 ist eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Einrichtung gezeigt. Eine Einrichtung 10 weist einen Halbleiterkörper 11, eine erste Elektrode 12, die mit der Vorderseite 13 des Halbleiterkörpers 11 elektrisch verbunden ist, eine zweite Elektrode 14, die mit der Rückseite 15 des Halbleiterkörpers 11 elektrisch verbunden ist, eine Isolationsschicht 16, die zwischen der ersten Elektrode 12 und der Vorderseite 13 des Halbleiterkörpers 11 angeordnet ist, eine elektrische Durchführung 17 sowie eine Verdrahtungsstruktur 18, wobei die elektrische Durchführung 17 ("Via") sowie die Verdrahtungsstruktur 18 innerhalb der Isolationsschicht 16 angeordnet sind. Innerhalb des Halbleiterkörpers 11 ist ein vertikaler pnp-Transistor ausgebildet, der aus einem p+-dotierten Emitter 19, einer n-dotierten Basis 20 sowie einem p-dotierten Kollektor 21 besteht.
  • Durch den vertikalen Transistor kann die Stärke eines elektrischen Stroms, der von der ersten Elektrode 12 zu der zweiten Elektrode 14 durch den Halbleiterkörper 11 hindurchfließt, gesteuert werden.
  • Die erste Elektrode 12 ist über die elektrische Durchführung 17 und die Verdrahtungsstruktur 18 mit dem Emitter 19 des vertikalen Transistors elektrisch verbunden. Die Verdrahtungsstruktur 18 kann beispielsweise auch den Zweck erfüllen, eine (hier nicht gezeigte) Steuerschaltung mit dem Emitter 19 elektrisch zu verbinden. Weiterhin kann über die Verdrahtungsstruktur 18 die Basis 20 des vertikalen Transistors mit der Steuerschaltung verbunden werden (hier nicht gezeigt). Die Verdrahtungsstruktur 18 kann also gleichermaßen zum Verbinden von Emitter 19, Basis 20 sowie Kollektor 21 mit der Steuerschaltung dienen.
  • In 5 ist eine Ausführungsform der in 3 gezeigten Einrichtung dargestellt, bei der die Steuerschaltung 22 (in vorzugsweise planarer Ausführungsform) direkt in den Halbleiterkörper 11 integriert ist, wobei die Steuerschaltung 22 durch eine Isolationsschicht 23 gegenüber dem Halbleiterkörper 11 elektrisch isoliert ist. Links der gestrichelten Linie L ist die Steuerschaltung 22, rechts der gestrichelten Linie L der vertikale Transistor 24 zu sehen. Über die Verdrahtungsstruktur 18 wird die Steuerschaltung 22 mit der Basis 20 sowie dem Emitter 19 elektrisch verbunden. Die Verbindung des Kollektors 21 mit der Steuerschaltung 22 erfolgt über die zweite Elektrode 14.
  • Die Steuerschaltung 22 kann jedoch auch an einer anderen Stelle vorgesehen werden, beispielsweise in einem externen Chip, der mit der Einrichtung 10 mechanisch als auch elektrisch verbunden ist (beispielsweise in Form einer "Chip-on-Chip"-Anordnung).
  • Eine bevorzugte Ausgestaltung der Steuerschaltung 22 ist in 6 gezeigt. Prinzipiell können beliebige Steuerschaltungen zum Einsatz kommen.
  • Die in 3 gezeigte Einrichtung 10 zeichnet sich durch äußerst kompakte Abmessungen sowie durch eine hohe mechanische Robustheit aus. Da die erste und zweite Elektrode 12, 14 sowohl als elektrische Kontakte als auch als mechanische Auflageflächen genutzt werden können, kann auf ein die Einrichtung 10 einschließendes Gehäuse, wie in 2 gezeigt, verzichtet werden. Damit lassen sich die Herstellungskosten deutlich reduzieren. Außerdem kann hierdurch das Herstellungsverfahren vereinfacht werden.
  • In 4 ist (schematisch) gezeigt, wie sich die in 3 gezeigte Einrichtung 10 mit einer Strom-/Spannungsversorgung 2 sowie einem elektrischen Verbraucher 1 verschalten lässt.
  • In 7 ist eine mögliche Realisierung des in 4 gezeigten Ensembles gezeigt. Zu sehen ist eine lichtemittierende Diode 1, die einen elektrischen Verbraucher darstellt, wobei auf der Oberseite der lichtemittierenden Diode 1 zwei elektrisch voneinander getrennte Kontaktflächen 25 und 26 vorgesehen sind. Die Kontaktfläche 26 dient hierbei als Kontakt zum Zuführen eines durch eine Strom-/Spannungsversorgung (hier nicht gezeigt) bereitgestellten elektrischen Stroms, der über die Leitung 27 zugeführt wird. Zwischen die Leitung 27 und die Kontaktfläche 26 ist die in 3 gezeigte Einrichtung 10 geschaltet, wobei die zweite Elektrode 14 direkt auf der Kontaktfläche 26 aufliegt. Die erste Elektrode 12 der Einrichtung 10 ist mit der Leitung 27 über einen Bonddraht 28 elektrisch verbunden. Die erste Kontaktfläche 25 ist über einen Bonddraht 29 mit einer Leitung 30 elektrisch verbunden und dient zum Schließen des Stromkreises.
  • Wie 7 zu entnehmen ist, benötigt die Einrichtung 10 kein separates gehäuse und lässt sich auf äußerst einfache Art und Weise mit dem elektrischen Verbraucher 1 verschalten. Die gesamte in 7 gezeigte Anordnung kann von einem Gehäuse 31 umschlossen werden.
  • 1
    elektrischer Verbraucher
    2
    Strom-Spannungsversorgung
    R
    Widerstand
    3
    Einrichtung
    4
    Halbleiterchip
    5
    Träger
    6
    Isolationsschicht
    7
    Bonddraht
    8
    Anschlussbeinchen
    9
    Gehäuse
    10
    Einrichtung
    11
    Halbleiterkörper
    12
    erste Elektrode
    14
    Vorderseite
    15
    Rückseite
    16
    Isolationsschicht
    17
    elektrische Durchführung
    18
    Verdrahtungsstruktur
    19
    Emitter
    20
    Basis
    21
    Kollektor
    22
    Steuerschaltung
    23
    Isolationsschicht
    L
    Linie
    24
    Transistor
    25, 26
    Kontaktfläche
    27
    Leitung
    28, 29
    Bonddraht
    30
    Leitung
    31
    Gehäuse

Claims (13)

  1. Einrichtung (10) zur Regelung der Stromstärke eines einem Verbraucher (1) zuzuführenden, durch eine Strom-/Spannungsquelle (2) erzeugten elektrischen Stroms, mit: – einem Halbleiterkörper (11), – einer ersten Elektrode (12), die mit der Vorderseite (13) des Halbleiterkörpers elektrisch verbunden und mit der Strom-/Spannungsquelle elektrisch verbindbar ist, – einer zweiten Elektrode (14), die mit der Rückseite (15) des Halbleiterkörpers elektrisch verbunden und mit dem Verbraucher (1) elektrisch verbindbar ist, – einem in dem Halbleiterkörper (11) ausgebildeten vertikalen Transistor (19, 20, 21), durch den elektrische Stromflüsse zwischen der ersten und zweiten Elektrode (12, 14) erzeugbar/steuerbar sind, und – einer Steuerschaltung (22), die den Transistor (19, 20, 21) so ansteuert, dass die Stärken der Stromflüsse zwischen der ersten und zweiten Elektrode (12, 14) auf bestimmte Werte geregelt werden.
  2. Einrichtung (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Transistor (19, 20, 21) ein MOS-Transistor oder ein Bipolartransistor ist.
  3. Einrichtung (10) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Emitter/das Sourcegebiet (19) des Transistors mit der ersten Elektrode (12), und der Kollektor/das Draingebiet (21) des Transistors mit der zweiten Elektrode (14) elektrisch verbunden ist.
  4. Einrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der ersten Elektrode (12) und der Vorderseite (13) des Halbleiterkörpers (11) eine Isolationsschicht (16) angeordnet ist, wobei der Emitter/das Sourcegebiet (19) über eine elektrische Durchführung (17, 18), die die Isolationsschicht (16) durchsetzt, mit der ersten Elektrode (12) elektrisch verbunden ist.
  5. Einrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und/oder zweite Elektrode (12, 14) direkt an die Vorderseite beziehungsweise Rückseite (13, 15) des Halbleiterkörpers (11) angrenzt.
  6. Einrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Flächenausmaße der ersten und/oder zweiten Elektrode (12, 14) den Ausmaßen der Vorderseite beziehungsweise Rückseite (13, 15) des Halbleiterkörpers (11) entsprechen.
  7. Einrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerschaltung (22) zur Ansteuerung des Transistors (19, 20, 21) in den Halbleiterkörper (11) integriert ist.
  8. Einrichtung (10) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerschaltung (22) mit der Basis/der Gateelektrode (20) und/oder dem Emitter/dem Sourcegebiet (19) des Transistors durch elektrische Leitungen (18) verbunden ist, die gegenüber der ersten und zweiten Elektrode (12, 14) elektrisch isoliert sind.
  9. Einrichtung (10) nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerschaltung (22) mit der ersten und zweiten Elektrode (12, 14) elektrisch verbunden ist.
  10. Einrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (11) aus Silizium besteht.
  11. Elektrischer Verbraucher (1), mit einem Kontakt (26), über den dem elektrischen Verbraucher (1) ein elektrischer Strom zuführbar ist, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (10) gemäß einem der Patentansprüche 1 bis 10, deren zweite Elektrode (14) mit dem Kontakt (26) des Verbrauchers (1) elektrisch verbunden ist, und deren erste Elektrode (12) mit einer Strom-/Spannungsversorgung (2) verbindbar ist.
  12. Elektrischer Verbraucher (1) nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Kontakt (26) als Kontaktfläche ausgestaltet ist, und die zweite Elektrode (14) direkt auf der Kontaktfläche (26) aufliegt.
  13. Elektrischer Verbraucher (1) nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Verbraucher ein LED-Bauteil ist.
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