DE102005044375A1 - Automated positioning method for objects, involves carrying out of approximate adjustment on basis of existing coordinate information and fine adjustment on basis of coordinate information determined from additional information - Google Patents
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Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Objektpositionierung in Systemen zur Inspektion von mikrostrukturierten Objekten, welches vorzugsweise im Review in der Halbleiterfertigung eingesetzt wird, um die Positionen, die bei der Inspektion als kritische Orte erkannt wurden, mit möglichst hoher Präzision anzufahren.The The present invention relates to a method for object positioning in systems for the inspection of microstructured objects, which preferably used in the review in semiconductor manufacturing, around the positions detected by the inspection as critical places were, with as high as possible precision to approach.
Bei der Fertigung von Halbleitern und Halbleiterschaltungen, aber auch allgemein bei der lithographischen Übertragung von Strukturen, werden sowohl die Qualitäten von Urbild und Bild im Prozess oft recht detailliert und kritisch überwacht. Im Umfeld der Halbleiterindustrie trifft das auch für die Herstellung von Masken, Wafern, hochintegrierten und zum Teil stark miniaturisierten Schaltungen oder auf Flüssigkristallen oder Spiegeln basierende Arrays zu. Bei diesen Fertigungsprozessen ist es weiterhin üblich, bei Problemen in der Fertigung nach einzelnen Fertigungsschritten Kontroll- und Reparaturschritte einzufügen. In diesen Reparaturschritten können dann bei den feinen Strukturen z. B. auf Lithographiemasken auch Reparatursysteme mit Elektronen- oder Ionenstrahlen eingesetzt werden.at the manufacture of semiconductors and semiconductor circuits, as well generally in the lithographic transfer of structures, Both the qualities Of prototype and image in the process often quite detailed and critically monitored. In the semiconductor industry this also applies to the production of Masks, wafers, highly integrated and sometimes highly miniaturized Circuits or on liquid crystals or mirror based arrays too. In these manufacturing processes it is still common at Problems in production after individual production steps and insert repair steps. In these repair steps can then with the fine structures z. B. on lithography masks also Repair systems are used with electron or ion beams.
Zur Maskeninspektion und insbesondere zur Kontrolle der Reparaturschritte werden dabei Reviewsysteme, wie beispielsweise das AIMS-System eingesetzt. Reviewsysteme sind nicht in der Lage gezielt kritische Stellen und/oder Regionen zu identifizieren, sondern benötigen die Bereitstellung der Koordinateninformationen der betreffenden Stellen, um diese gezielt bzw. sicher im Gesichtsfeld der Optik positionieren zu können.to Mask inspection and in particular to control the repair steps It uses review systems such as the AIMS system. Review systems are not capable of targeting critical posts and / or Regions need to identify, but need the provision of Coordinate information of the relevant bodies to this targeted or to be able to position it safely in the visual field of the optics.
In
der
Eine Methode und eine Vorrichtung zur Maskeninspektion durch Aereal Images wird in der US 2001/0019625 A1 beschrieben. Dieses Reticle-Kontroll-System für das Kontrollieren von Reticles kann sowohl zur periodischen Kontrolle als auch als Vorbelichtungswerkzeug genutzt werden. Mit der beschriebenen Lösung können sowohl Defekte in der Strukturbreite des gedruckten Bildes als auch Oberflächendefekte detektiert werden. Während Defekte in der Strukturbreite ermittelt werden, indem das Bild des Reticle unter den gleichen optischen Bedingungen wie die Belichtung erzeugt wird und ähnliche Strukturen miteinander verglichen werden, erfolgt das Auffinden von Oberflächendefekten über dem ganzen Reticle anhand kombinierter Informationen aus Transmissions- und Dunkelfeldbildern des Reticles.A Method and device for mask inspection by Aereal Images is described in US 2001/0019625 A1. This reticle control system for the Controlling reticles can be both for periodic control as well as Vorexichtungswerkzeug be used. With the described solution can both defects in the pattern width of the printed image as well surface defects be detected. While Defects in the structure width can be determined by taking the picture of the Reticle under the same optical conditions as the exposure is generated and similar structures are compared with each other, the finding of surface defects over the whole takes place Reticle using combined information from transmission and darkfield images of the reticle.
Ein System und eine Methode des Analysierens von Defekten auf einer, in der Lithographie genutzten Maske wird in der US 2002/0019729 A1 beschrieben. Bei diesem visuellen Inspektions- und Verifikationssystem wird die Maske mit einem simulierten Bild verglichen, welches unter den gleichen optischen Bedingungen wie die reale Waferbelichtung erzeugt wird. Die Detektion der Defekte erfolgt auf der Basis des simulierten Bildes, der gewählten Lithographieparameter und der vorhandenen Metrologiedaten der Maske.One System and a method of analyzing defects on one, The mask used in lithography is described in US 2002/0019729 A1 described. In this visual inspection and verification system the mask is compared with a simulated image which under generated the same optical conditions as the real wafer exposure becomes. The detection of defects is based on the simulated Picture, the chosen one Lithography parameters and the existing metrology data of the mask.
In der US 2002/0035461 A1 wird ebenfalls eine Methode und ein Apparat für das Überprüfen einer photolithographischen Maske beschrieben. Auch bei diesem visuellen Analyse- und Verifikationssystem wird die Maske mit einem si mulierten Bild verglichen, welches unter den gleichen optischen Bedingungen wie die reale Waferbelichtung erzeugt wird. Die Detektion der Defekte erfolgt auf der Basis des simulierten Bildes und der jeweils gewählten Lithographieparameter, wobei vorzugsweise Bilder bei unterschiedlichen Lithographieparametern erzeugt werden.In US 2002/0035461 A1 also discloses a method and an apparatus for checking one photolithographic mask described. Also in this visual Analysis and verification system is the mask with a si mulierten Image compared, which under the same optical conditions how the real wafer exposure is generated. Detection of defects takes place on the basis of the simulated image and the respectively selected lithography parameters, preferably images at different lithographic parameters be generated.
Ein System und ein Verfahren zur Bestimmung der Printability von Masken wird in der US 2002/0-126888 A1 beschrieben. Bei dieser Lösung zur Bestimmung der Printability von Defekten auf einem Reticle oder einer Photomaske wird ein Pixelrasterfeldbild erzeugt, das eine Mehrzahl der einzelnen Pixelbilder beinhaltet, die die Defekte zeigen. Nach Abschätzung des körperlichen Umfangs eines Defektes wird dessen Abstand zu einem Musterrand auf dem Reticle oder der Photomaske bestimmt. Anhand von Teststrukturen mit bekannten Strukturgrößen kann dann auf die Printability von Defekten geschlossen werden. Diese Ergebnisse können dann vorteilhafterweise in den Maskenherstellungsprozess einfließen.One System and method for determining the printability of masks is described in US 2002 / 0-126888 A1. In this solution to Determining the Printability of Defects on a Reticle or a photomask, a pixel grid field image is generated, which is a Contains a plurality of individual pixel images showing the defects. To appraisal of the physical Perimeter of a defect becomes its distance to a pattern edge the reticle or photomask. Based on test structures with known feature sizes then be closed to the printability of defects. These Results can then advantageously incorporated into the mask manufacturing process.
Auch das in der US 2002/0164065 A1 beschriebene System und die Methode dienen der Analyse der Printability von Maskendefekten. Hierbei wird ein simuliertes Bild der Maske mit einem fehlerfreien Bezugsbild verglichen, um die Schwere des Defekts zu klassifizieren und über die Verwendung oder die Reparatur der Maske zu entscheiden. Aus dem simulierten Bild der Maske können zusätzliche Informationen zur Qualität der Maske hinsichtlich Strukturrauheit und -Genauigkeit ermittelt werden.The system and the method described in US 2002/0164065 A1 are also used to analyze the printability of mask defects. Here, a simulated image of the mask is compared with a defect-free reference image to determine the severity of the image Classify defect and decide on the use or repair of the mask. From the simulated image of the mask additional information on the quality of the mask with respect to structure roughness and accuracy can be determined.
Nach dem Stand der Technik werden verschiedene Methoden zur Ausrichtung der zu untersuchenden Objekte verwendet. Den unterschiedlichen Methoden liegt prinzipiell eine vergleichbare Strategie zu Grunde. Zuerst wird das Objekt an gut erkennbaren und groben Strukturen orientiert, bevor man aufbauend auf dieser Grobjustage kleinere Strukturen sucht, um dessen Ausrichtung zu verbessern. Diese iterative Vorgehensweise kann dabei mehrstufig erfolgen bis die gewünschte Genauigkeit erreicht wurde.To The prior art uses various methods of alignment the objects to be examined used. The different methods is based in principle on a comparable strategy. First the object is oriented to well recognizable and coarse structures, before building on this rough adjustment looking for smaller structures, to improve its alignment. This iterative approach This can be done in several stages until the desired accuracy has been achieved.
Bei der Qualitätskontrolle von Prüflingen, insbesondere Masken und Wafern in der Halbleiterindustrie, werden zum Beispiel in Inspektionssystemen die Prüflinge vollständig abgetastet und mögliche Fehlerstellen ermittelt und bezeichnet. Diese Koordinatenlisten ermöglichen es, zu einem späteren Zeitpunkt die mögliche Fehlerstelle auf einem anderen System wieder aufzufinden. Auf diese Weise wird eine Übergabe des Prüflings von einem System zu einem anderen ermöglicht. In der Halbleiterindustrie werden solche Koordinatenlisten oftmals als Inspektionsfiles bezeichnet. Die Inhalte dieser Dateien sind abhängig vom jeweiligen Inspektionssystem unterschiedlich detailliert und umfangreich. Auch die Präzision der Koordinateninformation kann von Gerät zu Gerät deutlich variieren. Neben der Koordinateninformation sollte es dann auch die Möglichkeit geben, optional Bilder der entsprechenden Region auf dem Prüfling als Referenz für die nächste Ausrichtung zu verwenden.at the quality control of specimens, in particular Masks and wafers in the semiconductor industry, for example in inspection systems the candidates Completely sampled and possible flaws determined and designated. These coordinate lists allow it, at a later time Time the possible Fault location on another system to find again. To this Way becomes a handover of the test piece from one system to another. In the semiconductor industry Such coordinate lists are often referred to as inspection files. The contents of these files are dependent on the respective inspection system different detailed and extensive. Also the precision of Coordinate information can vary significantly from device to device. Next The coordinate information should then also the possibility give optional images of the corresponding region on the examinee as Reference for the next To use alignment.
Bei dieser iterativen Vorgehensweise kann es insbesondere bei Prüflingen, die periodische Strukturen mit kurzer Periodizitätslänge enthalten, zu Problemen kommen, da für die Inspektion sicher gewährleistet sein muss, dass die richtige der periodisch wiederkehrenden Strukturen untersucht wird. Gerade hier können schnell Fehler passieren. Die Analyse einer falschen, nicht fehlerbehafteten Struktur kann dazu führen, dass die eigentliche Fehlerstelle unerkannt bleibt.at This iterative approach can be used in particular for examinees, which contain periodic structures with a short periodicity length, cause problems come, there for Ensuring the inspection safely that must be the right one of the periodically recurring structures is examined. Right here you can fast mistakes happen. The analysis of a false, not faulty Structure can cause that the actual fault remains undetected.
Insbesondere bei der Kontrolle von Fehlstellen, die repariert wurden, ist es besonders schwierig, die Fehlstelle noch zu erkennen. Je besser die Reparatur gelungen ist, um so schwieriger ist es, die frühere Fehlstelle noch zu erkennen. Da der Prüfling sich zur Reparatur auf einer Maschine befindet und auf einer anderen die Qualität der Reparatur kontrolliert wird, bringt die erforderliche Ausrichtung und das Verfahren auf der jeweiligen Positioniereinheit Unsicherheiten und Fehlermöglichkeiten mit sich. Bei Inspektionssystemen, die in der Halbleiterindustrie eingesetzt werden, ist es üblich, den Prüfling mit unterschiedlichen Abbildungsmethoden parallel abzutasten, um so aus den Unterschieden in den Abbildungseigenschaften mögliche Defekte zu erkennen. Systeme, die das leisten sind beispielsweise die Maschinen der KLA-Tencor Corporation mit STAR-lightTM technology. In Reviewsystemen, wie z. B. dem AIMS System von Carl Zeiss werden zur Messung nur Bilder verwendet, die im Durchlicht verwendet werden. Ist das Messobjekt eine Lithographiemaske, so muss diese auch nur im Durchlicht funktionieren.In particular, in the inspection of defects that have been repaired, it is particularly difficult to detect the defect. The better the repair has succeeded, the more difficult it is to recognize the former defect. Since the test object is located on one machine for repair and on another the quality of the repair is checked, the required alignment and the method on the respective positioning unit brings with it uncertainties and possibilities of errors. For inspection systems used in the semiconductor industry, it is common to scan the sample in parallel with different imaging methods in order to detect possible defects from the differences in imaging properties. Systems that do this include, for example, KLA-Tencor Corporation's STAR-light TM technology machines. In review systems, such. For example, the AIMS system from Carl Zeiss uses only images that are used in transmitted light. If the object to be measured is a lithography mask, then this must also only work in transmitted light.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur automatisierten Objektpositionierung in Systemen zur Maskeninspektion, insbesondere für AIMS-Systeme, zu schaffen, um als kritisch erkannte Regionen und/oder Stellen mit den Abbildungsmethoden des Systems detailliert zu analysieren.Of the The present invention is based on the object, a method for automated object positioning in mask inspection systems, in particular for AIMS systems, to create as critical regions and / or bodies to analyze in detail with the imaging methods of the system.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.According to the invention Problem solved by the features of the independent claims. preferred Further developments and embodiments are the subject of the dependent claims.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur automatisierten Objektpositionierung in Systemen zur Maskeninspektion, um eine detaillierte Analyse der als kritisch beurteilten Regionen und/oder Stellen zu ermöglichen, erfolgt das Anordnen und Ausrichten der Probe auf einer Positioniereinheit, die zumindest in zwei der möglichen Bewegung X, Y, Z bzw. auch Kippungen eine Positionierung der Probe ermöglicht. Nach dem Einstellen der entsprechenden Messbedingungen erfolgt eine Grobjustierung der als kritisch beurteilten Regionen (ROI – region of interest) anhand vorhandener Koordinateninformationen und eine Feinjustierung der als kritisch beurteilten Stellen (POI – position of interest) anhand von Zusatzinformationen ermittelter Koordinateninformationen.at the method according to the invention for automated object positioning in mask inspection systems, for a detailed analysis of the regions assessed as critical and / or bodies to enable the positioning and alignment of the sample is carried out on a positioning unit, which at least in two of the possible Movement X, Y, Z or also tilting a positioning of the sample allows. To The adjustment of the corresponding measurement conditions is a coarse adjustment the critical regions (ROI - region of interest) existing coordinate information and a fine adjustment of as critically assessed (POI) positions of interest from additional information determined coordinate information.
Obwohl das erfindungsgemäße Verfahren vorzugsweise zur automatisierten Objektpositionierung in Systemen zur Maskeninspektion vorgesehen ist und im Review in der Halbleiterfertigung eingesetzt wird, kann das Verfahren auch in anderen Systemen angewendet werden. Neben der Bewertung von Defektstel len von Masken, Wafern, Displays o. ä. ist dies insbesondere auch in Feinpositioniersystemen für Reparatur- und Reviewsysteme oder die gezielte Inspektion an vordefinierten, bekannten Punkten möglich.Even though the inventive method preferably for automated object positioning in mask inspection systems is intended and used in the review in semiconductor manufacturing The method can also be used in other systems. In addition to the evaluation of defect sites of masks, wafers, displays o. Ä. Is this especially in fine positioning systems for repair and review systems or targeted inspection of predefined, known points possible.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher beschrieben.The Invention will be described below with reference to embodiments.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur automatisierten Objektpositionierung in Systemen zur Maskeninspektion, um eine detaillierte Analyse der als kritisch beurteilten Regionen und/oder Stellen zu ermöglichen, erfolgt nach dem Anordnen und Ausrichten der Probe auf einer Positioniereinheit und dem Einstellen der entsprechenden Messbedingungen eine Grobjustierung der als kritisch beurteilten Regionen (ROI) anhand vorhandener Koordinateninformationen und eine Feinjustierung der als kritisch beurteilten Stellen (POI) anhand aus Zusatzinformationen ermittelter Koordinateninformationen.at the method according to the invention for automated object positioning in mask inspection systems, for a detailed analysis of the regions assessed as critical and / or bodies to enable takes place after arranging and aligning the sample on a positioning unit and adjusting the appropriate measurement conditions, a coarse adjustment Critical Regions (ROI) based on existing coordinate information and a fine-tuning of the Critically-Evaluated Points (POI) based on additional information determined coordinate information.
Die zur Feinjustierung der als kritisch beurteilten Stellen (POI) erforderlichen zusätzlichen Koordinateninformationen werden dabei aus den Vergleichsbildern eines Inspektions-Tools bzw. den Referenzbildern oder auch den Referenzmarken eines Repair-Tools ermittelt.The for the fine adjustment of the critical points (POIs) required additional Coordinate information will be taken from the comparison images an inspection tool or the reference images or the reference marks of a repair tool.
Existieren zu den als kritisch beurteilten Stellen (POI) Referenzbilder, so können diese vorteilhafterweise zur Bestimmung der zusätzlichen Koordinateninformationen und zur Feinpositionierung genutzt werden.Exist to the critically judged bodies (POI) reference images, so can this advantageously for determining the additional coordinate information and used for fine positioning.
Wurde die Probe bereits auf einem Repair-Tool, beispielsweise einem ionen- oder elektronenstrahlbasiertem Repair-Tool bearbeitet, so können die zusätzlichen Koordinateninformationen zur Feinpositionierung aus den Positionen der üblicherweise vorhandenen Referenzmarken zur Driftkompensation und zur Stabilisierung des Reparaturvorganges ermittelt werden.Has been the sample already on a repair tool, such as an ion or electron beam based Repair tool edited, so can the additional Coordinate information for fine positioning from the positions the usual existing reference marks for drift compensation and stabilization the repair process are determined.
Es ist aber auch möglich die zusätzlichen Koordinateninformationen zur Feinpositionierung aus Bildern zu ermitteln, die mit dem Ionen- oder Elektronenstrahl im Abbildungsmodus erzeugt wurden. Diese Bilden beinhalten dann zugleich die Referenzpunkte als auch die Reparaturstellen.It but it is also possible the additional Determine coordinate information for fine positioning from images which generates with the ion or electron beam in the imaging mode were. These forms then also contain the reference points as well as the repair sites.
Die Ermittlung der zur Feinjustierung der als kritisch beurteilten Stellen (POI) erforderlichen zusätzlichen Koordinateninformationen erfolgt nacheinander für jede als kritisch beurteilten Stellen (POI) oder zu Beginn der detaillierten Analyse der Probe für alle als kritisch beurteilten Stellen (POI).The Determination of the fine adjustment of the critical areas (POI) required additional Coordinate information is sequentially scored for each one critically judged (POI) or at the beginning of the detailed analysis of the sample for all as critically assessed bodies (POI).
Die zur Verfügung stehenden hochpräzisen Koordinateninformationen aus einem Inspektions- und/oder Repair-Tool werden dazu genutzt, die als kritisch beurteilten Stellen (POI) mit sehr hoher Genauigkeit zu positionieren, um diese detailliert zu analysieren.The to disposal high-precision coordinate information from an inspection and / or repair tool are used to the critical points (POI) with very high accuracy to position in order to analyze them in detail.
Es zeigt sich, dass präzise Koordinateninformation zu den als kritisch beurteilten Stellen (POI) aus verschiedenen Quellinformationen gewonnen werden können.It shows that precise Coordinate information for the critically judged bodies (POIs) different source information can be obtained.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung werden bei dem Verfahren zur automatisierten Objektpositionierung zur Feinjustierung der als kritisch beurteilten Stellen (POI) die zusätzlich im Repair-Prozess angebrachten Kontrollmarken verwendet, wobei diese Kontrollmarken so positioniert sind, dass weder die Funktion der Probe noch nachfolgende Prozessschritte beeinträchtigt werden.In An advantageous embodiment of the method for automated Object positioning for the fine adjustment of the critical areas (POI) the additional used in the repair process control marks, which control marks are positioned so that neither the function of the sample nor subsequent Process steps impaired become.
Im Repair-Prozess werden besondere Marken auf dem Prüfling gesetzt, die dann für eine präzise Repositionierung des Prüflings verwendet werden können. Bei Repair-Systemen, die beispielsweise mit einem Elektronenstrahl arbeiten, werden kleine Marken gesetzt, die während der Reparatur zur Driftkompensation, d. h. zur Detektion und ggf. Korrektur einer lateralen Bewegungen während des Reparaturprozesses, verwendet werden. Diese Marken werden typischerweise auf der Strukturseite der Maske angebracht, so dass sie sich auf der Seite befinden, die bei der Belichtung im Stepper der Abbildungsoptik zugewandt ist und somit im „Schatten" der Struktur liegt und so nicht wirksam werden kann. Somit stören diese Marken weder bei der Anwendung der Maske, noch bei nachfolgenden Prozessschritten. Diese Marken sind zu erkennen, wenn man den Prüfling auf der Strukturseite mit Auflicht betrachtet und eine hinreichend hohe Auflösung wählt. Für die sichere Kontrolle z. B. einer Reparaturstelle kann dann der Prüfling nach der Ausrichtung auf der Positioniereinheit durch Beobachtung mit Auflicht, d. h. von der Strukturseite her, feinpositioniert werden. Wird dann in den Durchlicht-Abbildungsbetrieb umgeschalten, so ist sicher gewährleistet, dass die richtige Struktur geprüft wird,in the Repair process, special brands are set on the test piece, then for a precise one Repositioning of the test piece can be used. For repair systems, for example, with an electron beam work, small marks are set, which during the repair for drift compensation, d. H. for detecting and possibly correcting a lateral movement while of the repair process. These brands are typically attached to the structure side of the mask, so that they are on the side facing the imaging optics during exposure in the stepper is and thus lies in the "shadow" of the structure and so can not be effective. Thus, these brands do not interfere with the application of the mask, even at subsequent process steps. These marks can be recognized when looking at the test object on the structure side viewed with incident light and selects a sufficiently high resolution. For the safe Control z. B. a repair site can then examine the test the orientation on the positioning unit by observation with Reflected light, d. H. from the structural side, finely positioned. Is then switched to the transmitted light imaging mode, it is safely ensured that the right structure is checked,
Die Kontrollmarken können dabei im Repair-Prozess dauerhaft oder temporär angebracht werden, wobei auch hierbei gewährleistet werden muss, dass weder die Funktion der Probe noch nachfolgende Prozessschritte beeinträchtigt werden.The Control marks can be permanently or temporarily attached in the repair process, wherein also guaranteed here must be that neither the function of the sample nor subsequent Process steps impaired become.
Bei den während der Reparatur zur Driftkompensation gesetzten Marken handelt es sich beispielsweise um dauerhafte Marken, da diese mit einem Elektronenstrahl gesetzt werden.at while This is the repair of drift compensation marks For example, to permanent brands, as these with an electron beam be set.
Im Gegensatz dazu können temporäre Marken beispielsweise in nachfolgenden Prozessschritten rückstandfrei entfernt werden. Hierbei lassen sich wasserlösliche Markierungen verwenden, da die Prüflinge zumeist in wässrigen Lösungen gereinigt werden. Ebenso können bevorzugt andere Lösungsmittel für Markierungen verwendet werden, die im Herstellungsprozess des Prüflings sowieso vorkommen und somit nicht die Einführung neuer Prozessschritte bedeuten. Natürlich können auch andere Substanzen verwendet werden, die dann in zusätzlichen Prozessschritten entfernt werden.In contrast, temporary marks can be removed without residue, for example, in subsequent process steps. In this case, water-soluble markers can be used, since the test specimens are usually cleaned in aqueous solutions. Likewise, preference may be given to using other solvents for markings which anyway occur in the production process of the test specimen and thus do not imply the introduction of new process steps. Of course, others can Substances are used, which are then removed in additional process steps.
Falls der Prüfling noch Abdeckschichten enthält, die in einem späteren Prozessschritt entfernt werden, kann auch eine Markierung auf solchen Schichten erfolgen, wenn sichergestellt ist, dass die Markierung mit Abtrag der Abdeckschicht bzw. einer Hilfsschicht sicher entfernt wird.If the examinee still contains cover layers, in a later one Process step can also be marked on such layers, if it is ensured that the marking with removal of the covering layer or an auxiliary layer is safely removed.
Ebenso gut ist es auch möglich, wie im Falle von Wafern, die nur von einer Seite strukturiert werden, diese Markierung auch auf der nicht genutzten Rückseite anzubringen, so dass dann wieder das Prinzip bleibt, die Positionierung auf der einen Seite des Prüfling vorzunehmen und auf der anderen Seite des Prüflings die interessierende Struktur zu vermessen.As well well, it is also possible as in the case of wafers, which are structured from one side only, this mark also on the unused back to attach, so that then the principle remains, the positioning on the one hand Side of the test piece and on the other side of the examinee the person of interest Structure to measure.
Für das vorgeschlagene Verfahren stellt es keinen Unterschied dar, ob die Marken zur Feinpositionierung auf der gleichen Seite oder einer anderen Seite des Prüflings liegen. Wichtig ist nur, dass zwischen der Marke und der jeweils zu kontrollierenden Stelle des Prüflings eine feste räumliche Beziehung besteht, die dann für die Positionierung genutzt werden kann.For the proposed Procedure, it makes no difference whether the marks for fine positioning lying on the same side or another side of the test object. It is only important that between the mark and the place to be checked of the test piece a solid spatial Relationship exists then for the positioning can be used.
Vorteilhafterweise werden die Marken so angebracht, dass sie bei einer Beobachtung mit hinreichend großer Auflösung noch im Gesichtsfeld des Beobachtungs- und Messsystems liegen.advantageously, the marks are placed so that they are in an observation with sufficiently large resolution still in the visual field of the observation and measuring system.
Die zu positionierende Struktur kann dabei bezüglich mehrerer Marken positioniert werden, wobei die Struktur beispielsweise in der Mitte von drei Marken liegt. Es ist aber auch möglich die zu positionierenden Struktur nur in Bezug auf eine Marke, in Richtung und Abstand auszurichten. Dies hat zudem den Vorteil, dass der Aufwand für die Markierung und damit die Gefahr, den Prüfling durch die Markierung zu schädigen, minimiert wird.The The structure to be positioned can be positioned with respect to several brands For example, the structure being in the middle of three marks lies. It is also possible the structure to be positioned only with respect to one brand, in the direction and to align distance. This also has the advantage that the effort for the Marking and thus the risk of the test specimen through the marking damage, is minimized.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren zur automatisierten Objektpositionierung in Systemen zur Maskeninspektion ist eine extrem genaue Positionierung der als kritisch beurteilten Stellen (POI) anhand aus Zusatzinformationen ermittelter Koordinateninformationen möglich.With the method according to the invention for automated object positioning in mask inspection systems is an extremely accurate positioning of those considered critical Points (POI) based on additional information determined coordinate information possible.
Das Verfahren ist zwar vorzugsweise zur automatisierten Objektpositionierung in Systemen zur Maskeninspektion vorgesehen, kann aber auch im Review in der Halbleiterfertigung oder in anderen Systemen angewendet werden. Neben der Bewertung von Defektstellen von Masken, Wafern, Displays o. ä. ist das Verfahren insbesondere auch in Feinpositioniersystemen für Reparatur- und Reviewsysteme oder für die gezielte Inspektion an vordefinierten, bekannten Punkten anwendbar.The Although the method is preferably for automated object positioning provided in systems for mask inspection, but can also be used in review used in semiconductor manufacturing or other systems. In addition to the evaluation of defects of masks, wafers, displays o. Ä., That is Method especially also in fine positioning systems for repair and review systems or for the targeted inspection applicable to predefined, known points.
Als System zur Inspektion in der Halbleiter- und Begleitindustrie, die sich auch auf Technologien zur Reproduktion von Strukturen, wie z. B. der Mikrolithograhie stützt bzw. Mirkostrukturen unmittelbar erzeugt, insbesondere zur Analyse von Defekten im Maskenherstellungsprozess hinsichtlich der Printability ist das seit 10 Jahren im Markt etablierte AIMSTM (Aerial Imaging Measurement System) der Carl Zeiss SMS GmbH genannt.As a system for inspection in the semiconductor and associated industries, which also relates to technologies for the reproduction of structures such. As the microlithography supports or Mirkostrukturen generated directly, especially for the analysis of defects in the mask manufacturing process in terms of printability is the established for 10 years in the market AIMS TM (Aerial Imaging Measurement System) of Carl Zeiss SMS GmbH.
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| US4737920A (en) * | 1983-11-30 | 1988-04-12 | Nippon Kogaku K. K. | Method and apparatus for correcting rotational errors during inspection of reticles and masks |
| US6037087A (en) * | 1997-05-16 | 2000-03-14 | Micron Technology, Inc. | Method to accurately correlate defect coordinates between photomask inspection and repair systems |
-
2005
- 2005-09-16 DE DE200510044375 patent/DE102005044375A1/en not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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