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DE102005038639B4 - Method and device for measuring, aligning and fixing and fixing single crystals on a common carrier - Google Patents

Method and device for measuring, aligning and fixing and fixing single crystals on a common carrier Download PDF

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DE102005038639B4
DE102005038639B4 DE102005038639A DE102005038639A DE102005038639B4 DE 102005038639 B4 DE102005038639 B4 DE 102005038639B4 DE 102005038639 A DE102005038639 A DE 102005038639A DE 102005038639 A DE102005038639 A DE 102005038639A DE 102005038639 B4 DE102005038639 B4 DE 102005038639B4
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Hans Dr. Sc. Nat. Berger
Hartmut Dr. Schwabe
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Abstract

Verfahren zur Vermessung, Ausrichtung und Fixierung sowie Befestigung von Einkristallen auf einem gemeinsamen Träger,
– wobei die Einkristalle einzeln in stapelbaren Kristallhalterungen, die jeweils eine Justier- und Fixiereinrichtung aufweisen, angeordnet und um zwei Kippachsen verstellbar derart nacheinander auf einem Drehtisch positioniert werden, dass der Schnittpunkt der Achse des Drehtisches mit einer als Messfläche dienenden Kristallfläche des Einkristalls als Reflexpunkt für einen Röntgenstrahl einer goniometrischen Messeinrichtung dient, mit der die Winkel der Koordinatenachsen des Kristallgitters zur Achse des Drehtisches während mindestens einer Umdrehung des Drehtisches anhand von drehpositionsabhängigen Röntgenreflexen als Istwerte ermittelt werden,
– wobei bei Abweichungen der Istwerte von vorgegebenen Sollwerten eine Korrektur der Winkel gegenüber der als Bezugsrichtung dienenden Achse des Drehtisches durch eine Verstellung um die Kippachsen und eine Fixierung der ausgerichteten Einkristalle in den Kristallhalterungen erfolgt, wobei zur Positionierung eines jeweils weiteren Einkristalls auf dem Drehtisch auf eine Kristallhalterung mit einem zuvor ausgerichteten und fixierten...Method for measuring, aligning and fixing and fixing single crystals on a common support,
- Wherein the single crystals individually in stackable crystal holders, each having an adjusting and fixing arranged and positioned about two tilt axes adjustable so successively on a turntable that the intersection of the axis of the turntable with serving as a measuring surface crystal surface of the single crystal as a reflection point for an X-ray beam of a goniometric measuring device is used with which the angles of the coordinate axes of the crystal lattice to the axis of the turntable are determined during at least one revolution of the turntable on the basis of rotational position-dependent X-ray reflections as actual values,
- In case of deviations of the actual values of predetermined target values, a correction of the angle with respect to the axis serving as the reference direction of the turntable by an adjustment about the tilt axes and a fixation of the aligned single crystals in the crystal holders, wherein for positioning a respective further single crystal on the turntable on a Crystal holder with a previously aligned and fixed ...

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung, Ausrichtung und Fixierung sowie Befestigung von Ein Kristallen auf einem gemeinsamen Träger. method and device for measuring, alignment and fixation as well Attachment of one crystals on a common carrier.

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Vermessung, Ausrichtung und Fixierung sowie Befestigung von Einkristallen auf einem gemeinsamen Träger, sowie auf eine darauf gerichtete Vorrichtung.The The invention relates to a method of measurement, alignment and fixation and attachment of single crystals on a common Carrier, and to a device directed thereto.

Einkristalle müssen zur Anwendung in der Halbleiter- und der optischen Industrie bekanntermaßen entlang von Schnittebenen getrennt werden, die zu den Koordinatenachsen des Kristallgitters eine vorgegebene Ausrichtung aufweisen.Single crystals have to As is known, for use in the semiconductor and optical industries be separated from cutting planes that go to the coordinate axes of the crystal lattice have a predetermined orientation.

Es wurde bereits erkannt, dass die hierfür notwendige Ermittlung der Kristallorientierung, d. h. die Beziehung der kristallographischen Achsen zu den geometrischen Achsen und die vorgegebene Positionierung der Einkristalle zur Schnittebene einer Schneideeinrichtung, wie z. B. einer Drahtsäge, außerhalb dieser Einrichtung erhebliche Vorteile bringt.It was already recognized that the necessary determination of the Crystal orientation, d. H. the relationship of crystallographic Axes to the geometric axes and the specified positioning the single crystals to the cutting plane of a cutting device, such as z. B. a wire saw, outside This device brings significant benefits.

Die DE 197 23 083 A1 sieht hierfür eine lösbar an einem Werkstücktisch einer Drahtsäge anbringbare Neigungseinheit vor, mit der eine Ausrichtung eines auf der Neigungseinheit befestigten Rohblocks außerhalb der Drahtsäge erfolgen kann.The DE 197 23 083 A1 For this purpose, a tilting unit which can be detachably attached to a work table of a wire saw is provided, with which an alignment of an ingot attached to the tilting unit can take place outside the wire saw.

Da der Rohblock in der Neigungseinheit verbleibt, ist es für das gleichzeitige Schneiden mehrerer Rohblöcke in der Drahtsäge auch erforderlich, dass mehrere Neigungseinheiten mit jeweils einem darauf befestigten Rohblock an dem Werkstücktisch angebracht werden müssen.There the ingot remains in the tilt unit, it is for the simultaneous Cutting several rough blocks in the wire saw also required that several tilt units with one each mounted thereon Rohblock must be attached to the workpiece table.

Diesen Mangel beseitigt die EP 0 802 029 B1 , indem mehrere kreiszylindrische Einkristalle einzeln nacheinander auf einem Schneidträger außerhalb der Schneideeinrichtung mittels einer rotatorisch und translatorisch verstellbaren Aufnahmeeinrichtung relativ zueinander ausgerichtet derart befestigt werden, so dass sie mit Hilfe der Schneideeinrichtung gleichzeitig in definierten Richtungen relativ zum Kristallgitter geschnitten werden können.The deficiency eliminates this EP 0 802 029 B1 in that a plurality of circular cylindrical single crystals are fastened one after the other on a cutting carrier outside the cutting device by means of a rotatably and translatorily adjustable receiving device so that they can be simultaneously cut with the aid of the cutting device in defined directions relative to the crystal lattice.

Es ist von Nachteil, dass sich das vorgeschlagene Verfahren und die Einrichtung darauf verlassen, dass die vermessenen Einkristalle auf dem Schneidträger tatsächlich mit der erforderlichen Genauigkeit befestigt werden. Jeder Einkristall muss nach seiner Ausrichtung translatorisch verschoben werden, um auf dem Schneidträger an den richtigen Platz gebracht zu werden. Damit verbunden ist zwangsläufig ein nicht feststellbarer Genauigkeitsverlust.It is a disadvantage that the proposed method and the Device rely on that the measured single crystals on the cutting support indeed be fastened with the required accuracy. Each single crystal must be translated translationally to its orientation on the cutting support to be put in the right place. This is inevitably connected undetectable loss of accuracy.

Eine nachträgliche Überprüfung ist ausgeschlossen, da die für die Einzelkristalle vorgesehene Stirnflächenmessung keinen Zugriff mehr auf die innen liegenden Einkristalle nach deren Fixierung auf dem Träger zulasst. Außerdem muss der Schneidträger für jeden Einkristall in eine andere Aufnahmelage gebracht werden, womit ein erhöhter technologischer Aufwand durch eine Vielfalt an Arbeitsschritten verbunden ist.A subsequent verification is excluded, since the for the single crystals provided end face measurement no access more on the internal single crystals after their fixation on the carrier allows. Furthermore must be the cutter carrier for each Single crystal can be brought into a different recording position, which means a increased technological effort through a variety of work steps connected is.

Ein weiteres Problem besteht darin, dass die zur Ermittlung der Kristallorientierung üblicherweise verwendeten Röntgendiffraktometer, mit denen z. B. gemäß der JP 09-033456 A mittels eines Theta-Scans nacheinander die Ausrichtung von zwei Netzebenen bestimmt wird, nicht mit der für bestimmte Anwendungen erforderlichen Genauigkeit arbeiten können. Das liegt u. a. darin begründet, dass der notwendige absolute Bezug der zwei Messungen zueinander nicht genau genug herzustellen ist.One Another problem is that the ones commonly used to determine crystal orientation X-ray diffractometer, with those z. B. according to JP 09-033456 A sequentially aligning with a theta scan is determined by two network levels, not with that for certain Applications required accuracy can work. The is u. a. founded in that the necessary absolute relation of the two measurements to each other is not accurate enough to produce.

Zu den Anwendungen, bei denen eine deutlich höhere Schnittpräzision als z. B. in der Silizium-Chipherstellung erforderlich ist, gehören u. a. die Herstellung von weißen Leuchtdioden, die bereits in Scheinwerfern von Kraftfahrzeugen eingesetzt werden und die künftig auch Glüh- und Fluoreszenzlampen ersetzen können sowie die Herstellung von im blauen und ultravioletten Spektralbereich emittierenden Leuchtdioden für die Datenspeicherung. Sollen als Substrate für eine derartige Bauelementeproduktion Saphir oder Siliziumkarbid dienen, ist aufgrund der erforderlichen Heteroepitaxie eine erhöhte Genauigkeit der Oberflächenorientierung entscheidend für die Qualität des Wachstums der i. a. Galliumnitrid-basierten Funktionsschichten.To the applications where a significantly higher cutting precision than z. B. is required in the silicon chip manufacture include u. a. the production of white Light-emitting diodes already used in headlights of motor vehicles and the future also annealing and replace fluorescent lamps as well as the production of blue and ultraviolet spectral range emitting light-emitting diodes for the data storage. Shall be used as substrates for such a component production Serving sapphire or silicon carbide is due to the required Heteroepitaxy increased Accuracy of surface orientation crucial for the quality the growth of i. a. Gallium nitride-based functional layers.

Die Bestimmung der Kristallorientierung kann auch mittels Röntgenstrahlen erfolgen, die von der Oberfläche eines rotierenden Einkristalls reflektiert werden ( US 4 771 446 , EP 0 245 923 A2 ).The determination of the crystal orientation can also be carried out by means of X-rays, which are reflected by the surface of a rotating single crystal ( US 4,771,446 . EP 0 245 923 A2 ).

Die US 4 412 345 verwendet außer einem Drehtisch eine Röntgenstrahlquelle mit kontinuierlichem Spektrum und wenigstens zwei positionsempfindliche Flächenempfänger zum gleichzeitigen Strahlungsempfang.The US 4,412,345 uses, in addition to a turntable, a continuous spectrum X-ray source and at least two position sensitive area receivers for simultaneous radiation reception.

Aufgabe der Erfindung ist es, die Ausrichtung der Einkristalle bei der Befestigung auf einem gemeinsamen Träger mit höherer Genauigkeit und unabhängig von der äußeren Geometrie der Einkristalle einzuhalten.task The invention is the alignment of the single crystals in the attachment on a common carrier with higher Accuracy and independent from the outer geometry to comply with the single crystals.

Die Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Vermessung, Ausrichtung und Fixierung sowie Befestigung von Einkristallen auf einem gemeinsamen Träger gelöst,

  • – wobei die Einkristalle einzeln in stapelbaren Kristallhalterungen, die jeweils eine Justier- und Fixiereinrichtung aufweisen, angeordnet und um zwei Kippachsen verstellbar derart nacheinander auf einem Drehtisch positioniert werden, dass der Schnittpunkt der Achse des Drehtisches mit einer als Messfläche dienenden Kristallfläche des Einkristalls als Reflexpunkt für einen Röntgenstrahl einer goniometrischen Messeinrichtung dient, mit der die Winkel der Koordinatenachsen des Kristallgitters zur Achse des Drehtisches während mindestens einer Umdrehung des Drehtisches anhand von drehpositionsabhängigen Röntgenreflexen als Istwerte ermittelt werden,
  • – wobei bei Abweichungen der Istwerte von vorgegebenen Sollwerten eine Korrektur der Winkel gegenüber der als Bezugsrichtung dienenden Achse des Drehtisches durch eine Verstellung um die Kippachsen und eine Fixierung der ausgerichteten Einkristalle in den Kristallhalterungen erfolgt, wobei zur Positionierung eines jeweils weiteren Einkristalls auf dem Drehtisch auf eine Kristallhalterung mit einem zuvor ausgerichteten und fixierten Kristall eine Kristallhalterung mit dem weiteren Einkristall gestapelt wird, wonach
  • – eine gleichzeitige Befestigung der gestapelten, vermessenen, ausgerichteten und fixierten Einkristalle auf dem zur Bezugsrichtung ausgerichteten gemeinsamen Träger vorgenommen wird.
The object is achieved by a method for measuring, alignment and fixation as well as loading solidification of single crystals on a common carrier,
  • - Wherein the single crystals individually in stackable crystal holders, each having an adjusting and fixing arranged and positioned about two tilt axes adjustable so successively on a turntable that the intersection of the axis of the turntable with serving as a measuring surface crystal surface of the single crystal as a reflection point for an X-ray beam of a goniometric measuring device is used with which the angles of the coordinate axes of the crystal lattice to the axis of the turntable are determined during at least one revolution of the turntable on the basis of rotational position-dependent X-ray reflections as actual values,
  • - In case of deviations of the actual values of predetermined target values, a correction of the angle with respect to the axis serving as the reference direction of the turntable by an adjustment about the tilt axes and a fixation of the aligned single crystals in the crystal holders, wherein for positioning a respective further single crystal on the turntable on a Crystal holder with a previously aligned and fixed crystal, a crystal holder is stacked with the other single crystal, after which
  • - A simultaneous attachment of the stacked, measured, aligned and fixed single crystals is made on the aligned to the reference direction common carrier.

Dabei werden Reflexe an mehreren Netzebenen der Einkristalle zur Ermittlung der Winkelablagen erzeugt und ausgewertet.there reflexes are detected at several lattice planes of single crystals the angle shelves generated and evaluated.

Die vorgegebenen Sollwerte werden durch eine Weiterverarbeitung bestimmt. Insbesondere bestimmen sich diese dadurch, dass die Koordinatenachsen des Kristallgitters zu einer vorgegeben Schnittebene definiert ausgerichtet sein müssen.The predetermined setpoints are determined by further processing. In particular, these are determined by the fact that the coordinate axes the crystal lattice defined aligned to a given cutting plane have to be.

Die fixierte Ausrichtung der einzelnen Einkristalle kann überprüft und bei vorliegenden Abweichungen von einer Sollausrichtung kann eine erneute Ausrichtung und Fixierung vorgenommen werden.The fixed orientation of the single crystals can be checked and at deviations from a target orientation may be reoriented and fixation are made.

Das Verfahren kann weiterhin derart ausgestaltet sein, dass an jedem Einkristall vor der Positionierung ein Hilfsträger kristallographisch orientiert angebracht wird, der zur Verbindung mit dem gemeinsamen Träger dient.The Method may further be configured such that at each Single crystal attached prior to positioning a subcarrier crystallographically oriented which serves to connect to the common carrier.

Mit dem Verfahren wird im Vergleich zu bekannten Lösungen eine um ca. eine Größenordnung bessere Orientierungsgenauigkeit bei der Klebung von Einkristallen auf einem Träger erreicht.With The process is compared to known solutions by about one order of magnitude better Orientation accuracy in the bonding of single crystals on one carrier reached.

Vorteilhaft lässt das Verfahren eine Kontrolle des Klebeergebnisses zu, indem die mit dem gemeinsamen Träger verbundenen Einkristalle auf die tatsächlich erreichte Kristallgitterausrichtung an einer zur ursprünglichen, als Messfläche dienenden Kristallfläche annähernd senkrechten Kristallfläche mit Hilfe geeigneter Röntgenreflexe überprüft werden. Dazu wird der auf dem Träger fixierte Stapel der Einkristalle mit seiner Stapelrichtung senkrecht zur Achse des Drehtisches verschiebbar positioniert, so dass der Reflexpunkt jeweils auf einen zu vermessenden Einkristall gelegt werden kann.Advantageous lets that go Method to control the gluing result by using the with the common carrier connected single crystals on the actually achieved crystal lattice orientation at one to the original, as a measuring surface serving crystal surface nearly vertical crystal surface be checked with the help of suitable X-ray reflections. To that will be on the carrier fixed stacks of single crystals with its stacking direction vertically slidably positioned to the axis of the turntable, so that the Reflex point each placed on a single crystal to be measured can be.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren sind Messungen an verschiedenen geeigneten Netzebenen aus beliebigen geometrischen Positionen heraus möglich, und es können Einkristalle beliebiger Form und beliebiger Art orientiert und fixiert werden, da die Einkristalle in der Vorrichtung verbleiben und Messung und Ausrichtung nur auf rein kristallographischen Parametern beruhen.With the method according to the invention are measurements at various suitable network levels of any geometric positions out possible, and there may be single crystals be oriented and fixed in any shape and of any kind, because the single crystals remain in the device and measurement and Orientation based only on purely crystallographic parameters.

So ist es unerheblich, ob der Einkristall scheibenförmig (Wafer), als kreisförmiger oder quadratischer Zylinder (Ingot) ausgebildet oder ob eine geometrische Achse definierbar ist oder nicht. Auch ein (äußerlich) völlig unregelmäßiger Einkristall kann vermessen, orientiert und fixiert werden.So It is irrelevant whether the single crystal disk-shaped (wafer), as a circular or square cylinder (ingot) formed or whether a geometric Axis is definable or not. Also a (outwardly) completely irregular single crystal can be measured, oriented and fixed.

Die Messdaten (Reflexintensitäten pro Winkelintervall) werden während einer gesamten Messperiode (z. B. während einer kontinuierlichen oder schrittweisen Drehung des Einkristalls um 360°) in Abhängigkeit vom Drehwinkel aufgezeichnet. Die erforderliche Messgenauigkeit, die primär durch eine hochgenaue Ermittlung der Drehpositionen des hochkonstant rotierenden Drehtisches und die Zuordnung der Maxima der Röntgensignale zu den Drehpositionen bestimmt ist, kann entweder durch Wahl der Rotationsgeschwindigkeit während der Messung bzw. der Messzeit pro Messschritt oder durch Akkumulation der Messdaten über mehrere Messperioden weiter erhöht werden.The Measurement data (reflex intensities per angular interval) during an entire measurement period (eg during a continuous measurement period) or stepwise rotation of the single crystal by 360 °) depending recorded by the angle of rotation. The required measurement accuracy, the primary by a highly accurate determination of the rotational positions of the highly constant rotating turntable and the assignment of the maxima of the X-ray signals Determined to the rotational positions, either by choice of Rotation speed during the measurement or the measurement time per measurement step or by accumulation the measured data over several measuring periods further increased become.

Die obenstehende Aufgabe wird ferner durch eine Vorrichtung zur Vermessung, Ausrichtung und Fixierung sowie Befestigung von Einkristallen auf einem gemeinsamen Träger gelöst, enthaltend

  • – einen Drehtisch,
  • – stapelbare Kristallhalterungen, die übereinander gestapelt fest mit dem Drehtisch verbindbar sind und jeweils eine Justier- und Fixiereinrichtung zum Ausrichten der Koordinatenachsen des Kristallgitters von einzeln in den jeweiligen Kristallhalterungen angeordneten Einkristallen zur Achse des Drehtisches als Bezugsrichtung und zum Ausrichten und Fixieren des Einkristalls aufweisen,
  • – eine gegenüber dem Drehtisch höhenverstellbare Messeinrichtung, enthaltend eine Röntgenquelle und einen Detektor, mit der bei mindestens einer Umdrehung des Drehtisches eine Ermittlung der Winkel der Koordinatenachsen des Kristallgitters eines Einkristalls zur Achse des Drehtisches anhand von drehpositionsabhängigen Röntgenreflexen als Istwerte durchführbar ist, wobei die Justier- und Fixiereinrichtungen der Kristallhalterungen zur Korrektur der Winkel bei Abweichungen der Istwerte von vorgegebenen Sollwerten ausgebildet sind, und
  • – einen zur Achse des Drehtisches ausgerichteten gemeinsamen Träger, der zur gleichzeitigen Befestigung mehrerer gestapelter, vermessener, ausgerichteter und fixierter Einkristalle ausgebildet ist.
The above object is further achieved by a device for measuring, alignment and fixation and attachment of single crystals on a common carrier, containing
  • - a turntable,
  • Stackable crystal holders, which are stacked fixedly connected to the turntable and each having an adjusting and fixing means for aligning the coordinate axes of the crystal lattice of individually arranged in the respective crystal holders single crystals to the axis of the turntable as a reference direction and for aligning and fixing the single crystal
  • - A height-adjustable relative to the turntable measuring device, comprising an X-ray source and a detector, with the at least one revolution of the turntable a determination the angle of the coordinate axes of the crystal lattice of a single crystal to the axis of the turntable can be carried out as actual values on the basis of rotational position-dependent X-ray reflections, the adjusting and fixing devices of the crystal holders being designed to correct the angles in the event of deviations of the actual values from predetermined nominal values, and
  • - A aligned to the axis of the turntable common carrier, which is designed for the simultaneous attachment of a plurality of stacked, metered, aligned and fixed single crystals.

Die Kristallhalterungen bestehen aus einem äußeren Rahmen mit einem kardanisch aufgehängten inneren Halterahmen für den Einkristall und ersten Stellmitteln zur Justierung und Fixierung des inneren Halterahmens gegenüber dem äußeren Rahmen. Außerdem ist in dem äußeren Rahmen eine Horizontalführung für ein senkrecht zur Achse des Drehtisches gerichtet arbeitendes und an dem Träger angreifendes zweites Stellmittel vorgesehen.The Crystal brackets consist of an outer frame with a gimbal suspended inner support frame for the single crystal and first adjusting means for adjustment and fixation of the inner support frame opposite the outer frame. Furthermore is in the outer frame a horizontal guide for a directed and working perpendicular to the axis of the turntable attacking the carrier provided second actuating means.

Die Vorrichtung ist besonders vorteilhaft dafür geeignet, die erreichte Genauigkeit bei der ausgerichteten Befestigung der Einkristalle auf dem gemeinsamen Träger zu überprüfen, indem zur Aufnahme des Trägers mit den darauf ausgerichtet befestigten Einkristallen auf dem Drehtisch eine Linearführung mit senkrecht zur Achse des Drehtisches verlaufender Führungsrichtung vorgesehen ist.The Device is particularly advantageous for this, the accuracy achieved at the aligned fixing of single crystals on the common carrier check by for receiving the carrier with the attached single crystals on the turntable a linear guide with perpendicular to the axis of the turntable extending guide direction is provided.

Das Verfahren und die verwendete Vorrichtung soll nachstehend anhand der schematischenThe The method and the device used will be described below the schematic

Zeichnung näher erläutert werden. Das Ausführungsbeispiel bezieht sich auf den in der Praxis überwiegend gegebenen Spezialfall, bei dem auf etwa 1° vororientierte Einkristalle präzise orientiert werden sollen. Es zeigen:drawing be explained in more detail. The embodiment refers to the special case predominantly given in practice, in which about 1 ° ahead Single crystals precise should be oriented. Show it:

1 eine Vorrichtung zur Orientierung und ausgerichteten Fixierung von Einkristallen, wobei nur ein Ein Kristall dargestellt ist 1 a device for orientation and oriented fixation of single crystals, wherein only a single crystal is shown

2 die Vorrichtung gemäß 1, in der mehrere Einkristalle übereinander gestapelt und mit einem gemeinsamen Träger verbunden sind 2 the device according to 1 in which several monocrystals are stacked on top of each other and connected to a common carrier

3 eine Vorrichtung zum Heranführen eines Trägers an einen Verbund von übereinander gestapelten Einkristallen 3 a device for bringing a carrier to a composite of stacked single crystals

4 eine Skizze zur Verdeutlichung des bei der Erfindung verwendeten Messverfahrens zur Ermittlung eines Netzebenenwinkels 4 a sketch to illustrate the measuring method used in the invention for determining a network plane angle

5 die Anordnung eines Verbundes von gestapelten Einkristallen auf dem Drehtisch zur Überprüfung der Ausrichtung der einzelnen Einkristalle. 5 the arrangement of a composite of stacked single crystals on the turntable to check the orientation of the individual single crystals.

Die in 1 und 2 dargestellte Vorrichtung weist einen zur Einzelmessung eines Einkristalls 1 oder insbesondere zur aufeinander folgenden Vermessung mehrerer übereinander zu stapelnder Einkristalle 1 (hier beispielhaft kreiszylindrische Ingots mit gleichem Durchmesser und (mit Ausnahme des untersten) gleicher Höhe) dienenden Drehtisch 2 auf, der sich durch hohe Gleichlaufwerte und geringes Achstaumeln auszeichnet. Für jeden bereits annähernd parallel zur vorgesehenen Schnittebene geschnittenen Einkristall 1 ist eine Kristallhalterung 3 vorhanden, die gemäß 3 aus einem äußeren Rahmen 4 mit einem kardanisch aufgehängten inneren Halterahmen 5 für den Einkristall 1 und Stellschrauben 6 mit Gegenfedern 7 als feststellbare erste Stellmittel zur Justierung und Fixierung des an dem inneren Halterahmen 5 befestigten Einkristalls 1 besteht.In the 1 and 2 The device shown has one for single measurement of a single crystal 1 or in particular for successively measuring a plurality of monocrystals to be stacked one above the other 1 (Here, by way of example circular cylindrical ingots of the same diameter and (with the exception of the lowest) the same height) serving turntable 2 on, which is characterized by high synchronization and low Achstapeleln. For each already approximately parallel to the intended cutting plane cut single crystal 1 is a crystal holder 3 present, according to 3 from an outer frame 4 with a gimbaled inner support frame 5 for the single crystal 1 and set screws 6 with counter springs 7 as lockable first adjusting means for adjusting and fixing the on the inner support frame 5 attached single crystal 1 consists.

Der innere Halterahmen 5. der Kristallhalterung 3, die zuunterst mit dem äußeren Rahmen 4 mit einer Aufnahme 8 auf dem Drehtisch 2 fest verbunden wird, gestattet die Justierung von Einkristallen 1 in einem bestimmten Höhenbereich.The inner support frame 5 , the crystal holder 3 At the bottom of the outer frame 4 with a recording 8th on the turntable 2 firmly connected, allows the adjustment of single crystals 1 in a certain altitude range.

Eine Röntgenquelle 14 zur Erzeugung eines Röntgenstrahls 13 und ein Detektor 15 zum Empfang von Röntgenreflexen von mehreren Netzebenen des Einkristalls 1 nacheinander während mindestens einer Umdrehung des Drehtisches 2 sind unter Berücksichtigung des Braggwinkels der zu vermessenden Netzebenen und ihrer Neigung zur Kristalloberfläche fest zueinander ausgerichtet und werden zur Höhenanpassung des Reflexionspunktes von einer vertikal gerichteten Linearführung 16 getragen. Ein Detektorfenster 17 (4) wird mit einer Bleimaske versehen, die so gestaltet ist, dass nur die gewünschten Reflexe R zur Messung gelangen. Ein optisches System dient zur automatischen Regelung der erforderlichen Höhe gegenüber dem Drehtisch 2, Die Ermittlung des Netzebenenwinkels, d. h. die Winkelabweichung der Lage der Normalen auf der Netzebene NE zur Achse X-X des Drehtisches 2 erfolgt, wie 4 verdeutlicht, bei mit konstanter Geschwindigkeit oder schrittweise umlaufendem Drehtisch 2 (Achse X-X liegt in der von dem Röntgenstrahl 13 und der Detektorachse D-D aufgespannten Ebene) durch Messung an einer Netzebene NE, deren Normale um einen Winkel ε gegen die Achse des Drehtisches 2 geneigt ist, indem der Röntgenstrahl 13 um einen Winkel δ abweichend vom Winkel ΘB + ε, also unter dem Winkel ΘB + ε – δ (ΘB ... Braggscher Winkel) eingestrahlt wird. Das hat zur Folge, dass die zur Messung dienende Netzebene NE bei Rotation des Drehtisches 2 ihre Neigung infolge einer Taumelbewegung gegenüber dem einfallenden Röntgenstrahl 13 ändert und bei bestimmten Drehwinkeln +Ω und –Ω Reflexe auftreten, aus deren Winkelabstand 2Ω sich die Winkelabweichung ε der Netzebenennormalen von der Achse X-X des Drehtisches 2 in einigen Sekunden Messzeit auf einige Winkelsekunden genau bestimmen lässt. Ist die Normale der vorgesehenen Schnittebene annähernd eine Symmetrieachse des Kristalls, z. B. eine dreizählige Achse bei (0001)-Schnitten von Saphir, werden in diesem Beispiel jeweils nach 120° annähernd gleiche Eigenschaften für die Erfüllung der Reflexionsbedingung vorhanden sein, so dass bei einer vollen Umdrehung drei Reflexpaare auftreten. Ein Näherungswert von jedem ε wird zunächst unter Vorgabe des annähernd bekannten Winkels ΘB + ε – δ mit Hilfe der Beziehung cosΩ = [sinΘB – sin(ΘB + ε – δ)cosε]/[cos(ΘB + ε – δ)sinε]berechnet. Durch ein Minimierungsverfahren können unter Ausnutzung der Netzebenenwinkel aller gemessenen Reflexe sowie der Winkelabstände der Reflexe auf dem Drehkreis die genauen Netzebenenwinkel ermittelt werden.An x-ray source 14 for generating an X-ray 13 and a detector 15 for receiving X-ray reflections from multiple lattice planes of the single crystal 1 successively during at least one revolution of the turntable 2 are aligned with each other taking into account the Bragg angle of the network planes to be measured and their inclination to the crystal surface and are used for height adjustment of the reflection point of a vertically oriented linear guide 16 carried. A detector window 17 ( 4 ) is provided with a lead mask, which is designed so that only the desired reflections R come to the measurement. An optical system is used to automatically control the required height with respect to the turntable 2 , The determination of the network plane angle, ie the angular deviation of the position of the normals on the network level NE to the axis XX of the turntable 2 done, like 4 clarified, with constant speed or gradually rotating rotary table 2 (Axis XX lies in that of the X-ray beam 13 and the detector axis DD spanned plane) by measuring at a network level NE, the normal by an angle ε against the axis of the turntable 2 is inclined by the X-ray beam 13 by an angle δ deviating from the angle Θ B + ε, that is at the angle Θ B + ε - δ (Θ B ... Bragg angle) is irradiated. This has the consequence that the serving for measuring network level NE upon rotation of the turntable 2 their inclination due to a tumbling motion against over the incident x-ray 13 changes and at certain angles of rotation + Ω and -Ω reflections occur, from whose angular distance 2Ω the angular deviation ε of the network plane normals from the axis XX of the turntable 2 in a few seconds measuring time can be determined to a few angular seconds. Is the normal of the intended cutting plane approximately one symmetry axis of the crystal, z. Example, a threefold axis at (0001) cuts of sapphire, will be present in this example each 120 ° approximately the same properties for the fulfillment of the reflection condition, so that three reflex pairs occur in a full revolution. An approximation value of each ε is first given the approximate known angle Θ B + ε - δ by means of the relationship cosΩ = [sinΘ B - sin (Θ B + ε - δ) cosε] / [cos (Θ B + ε - δ) sinε] calculated. Using a minimization method, the exact plane plane angles can be determined by exploiting the plane plane angles of all measured reflections and the angular distances of the reflections on the turning circle.

Da die Reflexpositionen bei mehrfacher Umdrehung des Drehtisches 2 periodisch wiederkehrend gemessen werden können, lassen sich vorteilhaft Mittelwerte bilden, so dass gegenüber statischen Messmethoden, wie etwa dem Theta-Scan, eine Genauigkeitserhöhung resultiert.Since the reflex positions with multiple rotation of the turntable 2 can be measured periodically recurring, advantageously mean values can form, so that compared to static measurement methods, such as the theta scan results in an increase in accuracy.

Aus den ermittelten Netzebenenwinkeln können bei bekannter Kristallgittergeometrie in bekannter Weise die Winkel der Koordinatenachsen des Kristallgitters bezüglich der Achse des Drehtisches berechnet werden. Daraus werden die Kippwinkel um die Kippachsen 11, 12 der kardanischen Aufhängung durch Koordinatentransformation so berechnet, dass eine Ausrichtung gegenüber dem Koordinatensystem der Vorrichtung, insbesondere der Achse X-X des Drehtisches 2 als Bezugsrichtung, mit Hilfe der Stellmittel vorgenommen werden kann. Das Koordinatensystem der Vorrichtung weist zu dem der Schneideeinrichtung eine definierte Ausrichtung auf, bevorzugt sind beide gleichgerichtet.From the determined network plane angles, with known crystal lattice geometry, the angles of the coordinate axes of the crystal lattice with respect to the axis of the turntable can be calculated in a known manner. From this, the tilt angles around the tilting axes become 11 . 12 the gimbal by coordinate transformation calculated so that an alignment with the coordinate system of the device, in particular the axis XX of the turntable 2 as a reference direction, can be made with the help of the adjusting means. The coordinate system of the device has a defined orientation to that of the cutting device, preferably both are rectified.

Die Einstellwerte können entweder manuell oder automatisch über entsprechende, nicht dargestellte Antriebe, wie z. B.The Setting values can either manually or automatically via corresponding, not shown Drives, such as. B.

Stellmotoren oder Piezoaktoren, auf die Stellmittel übertragen werden.servomotors or piezoelectric actuators to which actuating means are transferred.

Nachdem die Ausrichtung des Einkristalls 1 gegenüber der Achse X-X des Drehtisches 2 erfolgt ist, wird diese Ausrichtung über die Stellmittel fixiert.After the orientation of the single crystal 1 opposite the axis XX of the turntable 2 is done, this alignment is fixed on the adjusting means.

Erforderlichenfalls kann die fixierte Ausrichtung mit der beschriebenen Messmethode nochmals überprüft und gegebenenfalls geändert werden.if necessary can the fixed orientation with the described measuring method checked again and if necessary changed become.

Die Vorrichtung eignet sich besonders dazu, mehrere Einkristalle 1 für die gleichzeitige Bearbeitung in einer Schneideeinrichtung, wie etwa einer Vielfach-Drahtsäge, vorzubereiten. Da die Einkristalle 1 aus fertigungstechnischen. Gründen meist nicht das für eine optimale Füllung der Drahtsäge erforderliche Maß erreichen, ist es üblich, mehrere der Einkristalle 1 zueinander ausgerichtet zu fixieren, um sie gemeinsam in die Drahtsäge überführen und zum Koordinatensystem der Drahtsäge ausrichten zu können.The device is particularly suitable for several single crystals 1 for simultaneous processing in a cutting device, such as a multi-wire saw. Because the single crystals 1 from production engineering. Reasons do not usually reach the level required for optimum filling of the wire saw, it is common to more of the single crystals 1 to fix aligned with each other to transfer them together in the wire saw and to align the coordinate system of the wire saw can.

Deshalb werden mehrere Einkristalle 1 einzeln nacheinander zur Bildung eines Stapels übereinander positioniert, vermessen, relativ zur Achse X-X des Drehtisches 2 definiert ausgerichtet und fixiert und anschließend, nach Erreichen der erforderlichen Stapelhöhe, gleichzeitig mit einem gemeinsamen Träger 18 fest verbunden, der die Ausrichtung in der Schneideeinrichtung realisiert.That's why there are several single crystals 1 positioned one after the other to form a stack one above the other, measured relative to the axis XX of the turntable 2 defined aligned and fixed and then, after reaching the required stack height, simultaneously with a common carrier 18 firmly connected, which realizes the alignment in the cutting device.

Jeder der weiteren Einkristalle 1 wird, wie der zuunterst auf dem Drehtisch 2 positionierte Einkristall 1, in einer Kristallhalterung 3 befestigt, so dass jeder weitere Einkristall 1 einem zuvor ausgerichtet fixierten Einkristall 1 direkt benachbart ist.Each of the other single crystals 1 will, like the bottom of the turntable 2 positioned single crystal 1 , in a crystal holder 3 attached so that each additional single crystal 1 a previously aligned fixed single crystal 1 is directly adjacent.

Die Stapelung der Einkristalle 1 erfolgt derart, dass die Kristallhalterungen 3 mit dem äußeren Rahmen 4 übereinander gestellt und fest miteinander verbunden werden, so dass der Bezug zur Achse X-X des Drehtisches 2 hergestellt wird. Nachdem eine weitere Kristallhalterung 3 auf eine Kristallhalterung 3 mit einem zuvor ausgerichtet fixierten Einkristall 1 aufgesetzt wurde, erfolgt nach einer Anhebung der Röntgenquelle 14 und des Detektors 15 in eine höhere Position, so dass der Röntgenstrahl 13 auf den weiteren Einkristall 1 gerichtet ist, die Ermittlung der Netzebenenwinkel, die Ausrichtung und die Fixierung des weiteren Einkristalls 1 in der bereits beschriebenen Weise.The stacking of single crystals 1 takes place in such a way that the crystal holders 3 with the outer frame 4 superimposed and firmly connected, so that the reference to the axis XX of the turntable 2 will be produced. After another crystal mount 3 on a crystal mount 3 with a previously aligned fixed single crystal 1 was placed after an increase in the X-ray source 14 and the detector 15 in a higher position, so that the x-ray beam 13 on the other single crystal 1 Determining the lattice plane angles, the orientation and the fixation of the further single crystal 1 in the manner already described.

Zum gleichzeitigen Verbinden der Einkristalle 1 mit dem gemeinsamen Träger 18 ist es vorteilhaft, wenn an jedem Einkristall vor der Befestigung in der Kristallhalterung 3 ein z. B. als Kunststoffformteil ausgebildeter Hilfsträger 20 kristallographisch orientiert, z. B. durch Kleben, angebracht wird. Der Hilfsträger 20, dessen Längsausdehnung die des Einkristalls 1 nicht überschreitet, ist entsprechend der Mantelfläche des Einkristalls 1 ausgeformt und bildet mit seiner der Ausformung gegenüberliegenden Seite eine hinreichend große Klebefläche zu dem gemeinsamen Träger 18.For simultaneously connecting the single crystals 1 with the common carrier 18 it is advantageous if at each single crystal prior to attachment in the crystal holder 3 a z. B. trained as a plastic molding subcarrier 20 crystallographically oriented, z. B. by gluing, is attached. The subcarrier 20 whose longitudinal extent is that of the single crystal 1 does not exceed, is corresponding to the lateral surface of the single crystal 1 formed and forms with its opposite side of the molding a sufficiently large adhesive surface to the common carrier 18 ,

Eine oft wünschenswerte Ausrichtung einer bestimmten Kristallachse in Richtung des Vorschubes beim Sägen kann durch die geeignete Anbringung der Hilfsträger 20 festgelegt werden. Zur Bestimmung und Markierung der Klebestelle wird eine gleichartige Röntgenmessung an dem einfach auf dem Drehtisch 2 aufliegenden Einkristall 1 durchgeführt. Die Klebung erfolgt außerhalb der Vorrichtung.An often desirable orientation of a particular crystal axis in the direction of advancement bes sawing can be achieved by the appropriate attachment of the subcarrier 20 be determined. To determine and mark the splice, a similar X-ray measurement is made on the turntable 2 resting single crystal 1 carried out. The bonding takes place outside the device.

Ferner sind zum gleichzeitigen Verbinden der Einkristalle 1 mit dem gemeinsamen Träger 18 in dem äußeren Rahmen 4 entsprechende Führungen 21 sowie eine Klebetraverse 22 vorgesehen, wobei von den Führungen 21 getragene zweite Stellmittel 23, senkrecht zur Achse X-X des Drehtisches 2 wirkend, den von einer Magnetleiste 24 gehaltenen Träger 18 an die in einer Reihe angeordneten Hilfsträger 20 leicht andrücken. Damit der Träger 18 die Hilfsträger 20 auch erreichen kann, weisen die inneren Halterahmen 5 miteinander fluchtende Aussparungen (nicht dargestellt) auf, in die hinein der Träger 18 eintaucht.Further, for simultaneously connecting the single crystals 1 with the common carrier 18 in the outer frame 4 appropriate guides 21 as well as an adhesive traverse 22 provided by the guides 21 worn second adjusting means 23 , perpendicular to the axis XX of the turntable 2 acting on a magnetic strip 24 held carrier 18 to the arranged in a row subcarrier 20 Lightly press. So that the carrier 18 the subcarriers 20 can also reach, have the inner support frame 5 mutually aligned recesses (not shown), in which the carrier 18 dips.

Da die Klebeflächen der Hilfsträger 20 im Allgemeinen nicht genau parallel zueinander verlaufen, kann der gemeinsame Träger 18 an seiner der Verbindung zu den Einkristallen 1 dienenden Fläche ausgleichendes schaumstoffartiges Material aufweisen, das mit einem Kleber getränkt ist. Nach dem Aushärten des Klebers kann der Einkristallstapel entnommen und aufgrund der präzisen Gestaltung des Trägers 18 in eine Aufnahme der Drahtsäge überführt werden, so dass die gewünschte Ausrichtung des Kristallgitters zur Schnittrichtung vorliegt.Since the adhesive surfaces of the subcarrier 20 generally not exactly parallel to each other, may be the common carrier 18 at its connection to the single crystals 1 serving surface balancing foam-like material, which is impregnated with an adhesive. After curing of the adhesive, the monocrystal stack can be removed and due to the precise design of the carrier 18 be transferred into a recording of the wire saw, so that the desired orientation of the crystal lattice to the cutting direction is present.

Zuvor kann aber auch der wesentliche Vorteil der Erfindung ausgenutzt werden, die miteinander verbundenen Einkristalle 1 auf die tatsächlich erreichte Ausrichtung der gewünschten Schnittrichtung zum Kristallgitter nochmals zu überprüfen.Beforehand, however, the essential advantage of the invention can be exploited, the interconnected single crystals 1 to recheck the actually achieved alignment of the desired cutting direction to the crystal lattice.

Dazu wird der gemeinsame Träger 18 mit den Einkristallen 1 gemäß 5 auf eine auf dem Drehtisch 2 befindliche Linearführung 25 gebracht, deren Führungsrichtung senkrecht zur Achse X-X des Drehtisches 2 verläuft. Zur Messung werden Röntgenreflexe an Netzebenen ausgewählt, die unter geeigneten Winkeln zur Drehachse liegen. Durch eine horizontale Verschiebung des gemeinsamen Trägers 18 (Pfeilrichtung = Stapelrichtung) bei einer gegebenenfalls notwendigen Änderung der Ausrichtung der Röntgenquelle 14 und des Detektors 15 zueinander wird erreicht, dass der Röntgenstrahl 13 auf den jeweils zu vermessenden Einkristall 1 gerichtet wird.This will be the common carrier 18 with the single crystals 1 according to 5 on one on the turntable 2 located linear guide 25 brought, whose guide direction perpendicular to the axis XX of the turntable 2 runs. For measurement, X-ray reflections are selected at network planes that lie at suitable angles to the axis of rotation. By a horizontal displacement of the common carrier 18 (Arrow direction = stacking direction) with a possibly necessary change in the orientation of the X-ray source 14 and the detector 15 it is achieved that the x-ray beam to each other 13 on each to be measured single crystal 1 is directed.

Ergibt die Messung, dass die eingestellten, auf das Kristallgitter bezogenen Schnittebenen jedes Einkristalls 1 parallel zur Achse X-X des Drehtisches 2 und senkrecht zur Verschieberichtung verlaufen, so ist die Klebung mit der erforderlichen hohen Genauigkeit ohne Kristallverkippung ausgeführt worden.If the measurement shows that the set sectional planes of each single crystal related to the crystal lattice 1 parallel to the axis XX of the turntable 2 and perpendicular to the direction of displacement, the bonding has been carried out with the required high accuracy without crystal tilting.

Claims (9)

Verfahren zur Vermessung, Ausrichtung und Fixierung sowie Befestigung von Einkristallen auf einem gemeinsamen Träger, – wobei die Einkristalle einzeln in stapelbaren Kristallhalterungen, die jeweils eine Justier- und Fixiereinrichtung aufweisen, angeordnet und um zwei Kippachsen verstellbar derart nacheinander auf einem Drehtisch positioniert werden, dass der Schnittpunkt der Achse des Drehtisches mit einer als Messfläche dienenden Kristallfläche des Einkristalls als Reflexpunkt für einen Röntgenstrahl einer goniometrischen Messeinrichtung dient, mit der die Winkel der Koordinatenachsen des Kristallgitters zur Achse des Drehtisches während mindestens einer Umdrehung des Drehtisches anhand von drehpositionsabhängigen Röntgenreflexen als Istwerte ermittelt werden, – wobei bei Abweichungen der Istwerte von vorgegebenen Sollwerten eine Korrektur der Winkel gegenüber der als Bezugsrichtung dienenden Achse des Drehtisches durch eine Verstellung um die Kippachsen und eine Fixierung der ausgerichteten Einkristalle in den Kristallhalterungen erfolgt, wobei zur Positionierung eines jeweils weiteren Einkristalls auf dem Drehtisch auf eine Kristallhalterung mit einem zuvor ausgerichteten und fixierten Kristall eine Kristallhalterung mit dem weiteren Einkristall gestapelt wird, wonach – eine gleichzeitige Befestigung der gestapelten, vermessenen, ausgerichteten und fixierten Einkristalle auf dem zur Bezugsrichtung ausgerichteten gemeinsamen Träger vorgenommen wird.Method for measurement, alignment and fixation and attachment of single crystals on a common support, - in which the single crystals individually in stackable crystal holders, the each having an adjusting and fixing arranged and adjustable by two tilt axes so successively on a turntable be positioned that the intersection of the axis of the turntable with a serving as a measuring surface crystal face of the single crystal as a reflection point for an X-ray beam of a goniometric measuring device serves with which the angles of the coordinate axes of the crystal lattice to the axis of the turntable during at least one revolution of the turntable based on rotational position-dependent X-ray reflections be determined as actual values, - where deviations of the Actual values of predefined setpoints a correction of the angle with respect to Serving as a reference direction axis of the turntable by an adjustment about the tilt axes and a fixation of the aligned single crystals takes place in the crystal holders, wherein for positioning a each additional single crystal on the turntable on a crystal holder with a previously aligned and fixed crystal a crystal holder is stacked with the further single crystal, after which - a simultaneous Fixing the stacked, measured, aligned and fixed Single crystals on the common to the reference direction aligned carrier is made. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die fixierte Ausrichtung überprüft und bei vorliegenden Abweichungen von einer Sollausrichtung erneut eine Ausrichtung und Fixierung vorgenommen wird.The method of claim 1, wherein the fixed orientation is checked and at present deviations from a target orientation again a Alignment and fixation is made. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei an jedem Einkristall vor der Positionierung ein Hilfsträger kristallographisch orientiert angebracht wird, der zur Verbindung mit dem gemeinsamen Träger dient.The method of claim 1 or 2, wherein at each Single crystal before positioning a subcarrier crystallographically oriented is attached, which serves for connection to the common carrier. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die mit dem gemeinsamen Träger verbundenen Einkristalle auf die tatsächlich erreichte Kristallgitterausrichtung an einer zur ursprünglichen, als Messfläche dienenden Kristallfläche annähernd senkrechten Kristallfläche mit Hilfe von geeigneten Röntgenreflexen überprüft werden.The method of claim 3, wherein the common carrier connected single crystals on the actually achieved crystal lattice orientation at one to the original, as a measuring surface serving crystal surface nearly vertical crystal surface with Help by appropriate X-ray reflections are checked. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Stapel der Einkristalle zur Überprüfung der Ausrichtung der gewünschten Schnittrichtung zum Kristallgitter mit seiner Stapelrichtung senkrecht zur Achse des Drehtisches verschiebbar positioniert wird, so dass der Reflexpunkt jeweils auf einen der zu vermessenden Einkristalle gelegt werden kann.The method of claim 4, wherein the stack of single crystals to check the Alignment of the desired Cutting direction to the crystal lattice with its stacking direction vertically is slidably positioned to the axis of the turntable so that the reflex point in each case to one of the single crystals to be measured can be placed. Vorrichtung zur Vermessung, Ausrichtung und Fixierung sowie Befestigung von Einkristallen (1) auf einem gemeinsamen Träger (18), enthaltend – einen Drehtisch (2), – stapelbare Kristallhalterungen (3), die übereinander gestapelt fest mit dem Drehtisch (2) verbindbar sind und jeweils eine Justier- und Fixiereinrichtung (4, 5, 6, 7) zum Ausrichten der Koordinatenachsen des Kristallgitters von einzeln in den jeweiligen Kristallhalterungen (3) angeordneten Einkristallen (1) zur Achse (X-X) des Drehtisches (2) als Bezugsrichtung und zum Ausrichten und Fixieren des Einkristalls (1) aufweisen, – eine gegenüber dem Drehtisch (2) höhenverstellbare Messeinrichtung, enthaltend eine Röntgenquelle (14) und einen Detektor (15), mit der bei mindestens einer Umdrehung des Drehtisches (2) eine Ermittlung der Winkel der Koordinatenachsen des Kristallgitters eines Einkristalls (1) zur Achse (X-X) des Drehtisches (2) anhand von drehpositionsabhängigen Röntgenreflexen als Istwerte durchführbar ist, wobei die Justier- und Fixiereinrichtungen (4, 5, 6, 7) der Kristallhalterungen (3) zur Korrektur der Winkel bei Abweichungen der Istwerte von vorgegebenen Sollwerten ausgebildet sind, und – einen zur Achse (X-X) des Drehtisches (2) ausgerichteten gemeinsamen Träger (18), der zur gleichzeitigen Befestigung mehrerer gestapelter, vermessener, ausgerichteter und fixierter Einkristalle (1) ausgebildet ist.Device for measuring, aligning and fixing and fixing single crystals ( 1 ) on a common carrier ( 18 ), comprising - a turntable ( 2 ), - stackable crystal holders ( 3 ) stacked on top of each other firmly with the turntable ( 2 ) are connectable and in each case an adjusting and fixing device ( 4 . 5 . 6 . 7 ) for aligning the coordinate axes of the crystal lattice of individually in the respective crystal holders ( 3 ) arranged single crystals ( 1 ) to the axis (XX) of the turntable ( 2 ) as a reference direction and for aligning and fixing the single crystal ( 1 ), - one opposite the turntable ( 2 ) height-adjustable measuring device, comprising an X-ray source ( 14 ) and a detector ( 15 ), with at least one revolution of the turntable ( 2 ) a determination of the angles of the coordinate axes of the crystal lattice of a single crystal ( 1 ) to the axis (XX) of the turntable ( 2 ) can be carried out on the basis of rotational position-dependent X-ray reflections as actual values, wherein the adjusting and fixing devices ( 4 . 5 . 6 . 7 ) of the crystal holders ( 3 ) are formed for correcting the angles in the case of deviations of the actual values from predetermined set values, and - one to the axis (XX) of the turntable ( 2 ) common carrier ( 18 ) for simultaneous attachment of a plurality of stacked, metered, aligned and fixed single crystals ( 1 ) is trained. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei die Kristallhalterungen (3) aus einem äußeren Rahmen (4) mit einem kardanisch aufgehängten inneren Halterahmen (5) für den Einkristall (1) und ersten Stellmitteln zur Justierung und Fixierung des inneren Halterahmens (5) gegenüber dem äußeren Rahmen (4) besteht.Apparatus according to claim 6, wherein the crystal holders ( 3 ) from an outer frame ( 4 ) with a gimbaled inner support frame ( 5 ) for the single crystal ( 1 ) and first adjusting means for adjusting and fixing the inner support frame ( 5 ) in relation to the outer frame ( 4 ) consists. Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei in dem äußeren Rahmen (4) eine Horizontalführung (21) für ein senkrecht zur Achse (X-X) des Drehtisches (2) gerichtet arbeitendes und an dem Träger (18) angreifendes zweites Stellmittel (23) vorhanden ist.Apparatus according to claim 7, wherein in the outer frame ( 4 ) a horizontal guide ( 21 ) for a perpendicular to the axis (XX) of the turntable ( 2 ) and on the support ( 18 ) engaging second actuating means ( 23 ) is available. Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, wobei zur Aufnahme des Trägers (18) mit den darauf ausgerichtet befestigten Einkristallen (1) auf dem Drehtisch (2) eine Linearführung (25) mit senkrecht zur Achse X-X) des Drehtisches (2) verlaufender Führungsrichtung vorhanden ist.Apparatus according to claim 7 or 8, wherein for receiving the carrier ( 18 ) with the monocrystals attached thereto ( 1 ) on the turntable ( 2 ) a linear guide ( 25 ) perpendicular to the axis XX) of the turntable ( 2 ) extending guide direction is present.
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