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DE102005016845B4 - Leuchtdiodenarray mit einer Haftschicht - Google Patents

Leuchtdiodenarray mit einer Haftschicht Download PDF

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DE102005016845B4 DE102005016845.0A DE102005016845A DE102005016845B4 DE 102005016845 B4 DE102005016845 B4 DE 102005016845B4 DE 102005016845 A DE102005016845 A DE 102005016845A DE 102005016845 B4 DE102005016845 B4 DE 102005016845B4
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Abstract

Leuchtdiodenarray (100) mit:- einem Substrat (10);- einer auf dem Substrat (10) gebildeten isolierenden Haftschicht (12), wobei die isolierende Haftschicht (12) zumindest ein Material ausgewählt aus der Gruppe Polyimid, Benzocyclobuten und Perfluorocyclobuten umfasst, mit einem ersten Haftbereich und einem von diesem räumlich getrennten, zweiten Haftbereich;- einer ersten epitaktischen lichtemittierenden Stapelschicht, die auf dem ersten Haftbereich der isolierenden Haftschicht (12) angeordnet ist,- einer zweiten epitaktischen lichtemittierenden Stapelschicht, die auf dem zweiten Haftbereich der isolierenden Haftschicht (12) angeordnet ist,- wobei die erste und zweite Stapelschicht durch einen geätzten Graben, der sich bis auf das Substrat (10) erstreckt, voneinander getrennt sind,- wobei die epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten jeweils eine untere transparente leitende Schicht (13), darauf eine erste leitende Schicht (14), darauf eine lichtemittierende Schicht (15) und darauf eine zweite leitende Halbleiterstapelschicht (16) aufweisen,- wobei die zweite leitende Halbleiterstapelschicht (16), die lichtemittierende Schicht (15) und die erste leitende Schicht (14) der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten nur in einem kleinem Eckbereich durch selektives Ätzen entfernt sind und die transparente leitende Schicht (13) nur in diesem kleinen Eckbereich freigelegt ist,- wobei jede der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten einen p-Kontakt und einen n-Kontakt umfasst, wobei der eine Kontakt auf der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht (16) und der andere Kontakt auf der transparenten leitenden Schicht (13) im kleinen Eckbereich angeordnet sind und die Kontakte an jeweils gegenüberliegenden Eckbereichen der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten angeordnet sind.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Leuchtdiode, und insbesondere ein Leuchtdiodenarray mit einer Haftschicht.
  • Leuchtdioden (LEDs) werden in einer breiten Vielfalt von Anwendungen, einschließlich optischen Anzeigevorrichtungen, Verkehrslichtzeichen, Datenspeichereinrichtungen, Kommunikationsvorrichtungen, Beleuchtungsapparaten und medizinischer Behandlungsäusrüstungen eingesetzt. Eines der wichtigsten Ziele der Ingenieure, die LEDs entwerfen, ist die Erhöhung der Helligkeit des emittierten Lichts.
  • Die US 6,547,249 offenbart monolithische serielle/parallele LED-Arrays, die auf hochohmigen Substraten gebildet werden. Gemäß der US 6,547,249 wird eine lichtemittierende III-V-Gruppen-Nitrid Stapelschicht auf einem isolierenden Substrat gebildet. Ein Abschnitt der Stapelschicht wird weggeätzt, um einen Graben, und als Ergebnis ein LED-Array zu bilden, das eine Vielzahl von durch den Graben geteilte Leuchtdioden umfaßt. Da das isolierende Substrat nicht leitfähig ist, müssen sowohl p-Kontakte als auch n-Kontakte für das LED-Array auf der gleichen Seite des LED-Arrays gebildet werden. Im Gebrauch können zwei LED-Arrays entweder in Serie oder parallel verbunden werden. Das durch die US 6,547,249 offenbarte LED-Array kann jedoch nicht auf eine quaternäre Al-In-Ga-P Leuchtdiode angewendet werden, die ein leitendes Substrat statt eines isolierenden Substrats umfasst, wobei p-Kontakte auf der einen Seite des leitenden Substrats gebildet werden und n-Kontakte auf der anderen Seite gebildet werden müssen. Daher können zwei quaternäre Al-In-Ga-P Leuchtdiodenarrays nicht sowohl in Serie als auch parallel verbunden werden. Außerdem wird, wenn die Größe des LED-Arrays größer wird, die Arbeitsspannung des LED-Arrays entsprechend höher und Wärmeableitung wird für das LED-Array wichtig.
  • Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, ein LED-Array mit einer Haftschicht zu schaffen, um die Nachteile des Standes der Technik zu überwinden.
  • Entsprechend der vorliegenden Erfindung umfasst das Leuchtdiodenarray ein Substrat, eine auf dem Substrat gebildete reflektierende Schicht, eine auf der reflektierenden Schicht gebildete isolierende transparente Haftschicht, eine auf der isolierenden transparenten Haftschicht gebildete transparente leitende Schicht, eine auf der transparenten leitenden Schicht gebildete erste leitende Halbleiterstapelschicht, eine auf der ersten leitenden Halbleiterstapelschicht gebildete lichtemittierende Schicht und eine auf der lichtemittierenden Schicht gebildete zweite leitende Halbleiterstapelschicht.
  • Ein Graben wird durch das aufeinander folgende Wegätzen eines Abschnitts der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht, der lichtemittierenden Schicht, der ersten leitenden Halbleiterstapelschicht, der transparenten leitenden Schicht und der isolierenden transparenten Haftschicht gebildet. Daher ist das LED-Array geteilt in eine erste LED und eine zweite LED, die beide das Substrat gemeinsam haben. Darüber hinaus wird ein freiliegender Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht durch Ätzen sowohl der ersten LED als auch der zweiten LED tief bis zur transparenten leitenden Schicht gebildet. Das LED-Array umfasst ferner eine isolierende Schicht, die die erste LED und die zweite LED umgebend gebildet wird, um die erste LED von der zweiten LED elektrisch zu isolieren. Erste Kontakte werden auf der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht der ersten LED beziehungsweise der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht der zweiten LED gebildet. Zweite Kontakte werden auf dem freiliegenden Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht der ersten LED beziehungsweise dem freiliegenden Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht der zweiten LED gebildet, und zum elektrischen Verbinden eines zweiten Kontakts der ersten LED mit einem ersten Kontakt der zweiten LED wird eine leitende Leitung gebildet.
  • Das Substrat umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus GaP, GaAs, Si, SiC, Al2O3. Glas, Quarz, GaAsP, AlN, Metall und AlGaAs besteht. Die isolierende transparente Haftschicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Polyimid (PI), Benzocyclobuten (BCB) und Perfluorocyclobuten (PFCB) besteht. Die reflektierende Schicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ge, Ag, Ti, Pb, Pd, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn, AuZn und Indium-Zinnoxid (ITO) besteht. Die lichtemittierende Schicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlGaInP, GaN, InGaN, AlInGaN und ZnSe besteht. Die transparente leitende Schicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Indium-Zinnoxid (ITO), Cadmium-Zinnoxid (CTO), Antimonium-Zinnoxid (ATO), Zinkoxid und Zink-Zinnoxid besteht. Die isolierende Schicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus SiO2 und SiNx besteht. Die erste Halbleiterstapelschicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlInP. AlN, GaN, InGaN, AlGaN und AlInGaN besteht. Die zweite Halbleiterstapelschicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlInP, AlN, GaN, InGaN, AlGaN und AlInGaN besteht.
  • Die Erfindung wird im Folgenden beispielsweise anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
    • 1 eine schematische Schnittdarstellung eines Leuchtdiodenarrays mit einer Haftschicht entsprechend einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,
    • 2 eine schematische Draufsicht auf ein in Serie geschaltetes LED-Array nach 1,
    • 3 ein Ersatzschaltbild des in 2 gezeigten LED-Arrays,
    • 4 eine schematische Draufsicht auf ein in Serie und parallel geschaltetes LED-Array nach 1, und
    • 5 ein Ersatzschaltbild des in 4 gezeigten LED-Arrays.
  • Es wird Bezug genommen auf 1, die einen Querschnitt eines Leuchtdiodenarrays 100 eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung zeigt. Das LED-Array 100 umfasst ein Substrat 10, eine reflektierende Schicht 11 gebildet auf dem Substrat 10, eine isolierende transparente Haftschicht 12 gebildet auf der reflektierenden Schicht 11, eine transparente leitende Schicht 13 gebildet auf der isolierenden transparenten Haftschicht 12, eine erste leitende Halbleiterstapelschicht 14 gebildet auf der transparenten leitenden Schicht 13, eine lichtemittierende Schicht 15 gebildet auf der ersten leitenden Halbleiterstapelschicht 14 und eine zweite leitende Halbleiterstapelschicht 16 gebildet auf der lichtemittierenden Schicht 15.
  • Ein Graben wird gebildet durch das aufeinander folgende Wegätzen eines Abschnitts der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht 16, der lichtemittierenden Schicht 15, der ersten leitenden Halbleiterstapelschicht 14, der transparenten leitenden Schicht 13 und der isolierenden transparenten Haftschicht 12, und daher ist das LED-Array 100 in eine erste LED 110 und eine zweite LED 120 geteilt, welche beide das Substrat 10 gemeinsam haben. Darüber hinaus wird ein freiliegender Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht durch selektives Ätzen sowohl der ersten LED 110 als auch der zweiten LED 120 bis zu der transparenten leitenden Schicht 13 gebildet. Wie insbesondere in 1 und 2 zu erkennen ist, werden dabei die Schichten 16, 15, 14 nur in einem relativ kleinen Flächenbereich, z. B. an einer Ecke, entfernt, um die transparente leitende Schicht 13 freizulegen.
  • Das LED-Array 100 umfasst ferner eine isolierende Schicht 17, die zum elektrischen Isolieren der ersten LED 110 von der zweiten LED 120 so gebildet wird, dass sie die erste LED 110 und die zweite LED 120 umgibt. Erste Kontakte 18 werden auf der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht 16 der ersten LED 110 beziehungsweise der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht 16 der zweiten LED 120 gebildet. Zweite Kontakte 19 werden auf dem freiliegenden Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht der ersten LED beziehungsweise dem freiliegenden Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht der zweiten LED gebildet, und dann wird eine leitende Leitung zum elektrischen Verbinden des zweiten Kontakts der ersten LED 110 mit dem ersten Kontakt der zweiten LED 120 gebildet.
  • Die reflektierende Schicht 11 kann auch zwischen der transparenten leitenden Schicht 13 und der Haftschicht 12 gebildet werden. Die reflektierende Schicht 11 ist vorgesehen, um die Leuchtdichte des LED-Arrays 100 durch Reflektieren des auf das Substrat 10 geworfenen Lichtes zu erhöhen. Das LED-Array 100 kann jedoch auch ohne die reflektierende Schicht 11 arbeiten.
  • Die isolierende transparente Haftschicht 12 wird eingebaut, um die erste LED 110 und die zweite LED 120 von dem Substrat 10 elektrisch zu isolieren. Die isolierende transparente Haftschicht 12 kann durch eine leitende Haftschicht aus Metall oder Lot ersetzt werden. Es muß jedoch eine isolierende Schicht, die eine elektrische Isolation schafft, zusätzlich zwischen dem Substrat 10 und der leitenden Haftschicht 12 oder zwischen der leitenden Haftschicht 12 und der transparenten leitenden Schicht 13 eingerichtet werden, um die erste LED 110 und die zweite LED 120 von dem Substrat 10 zu isolieren.
  • Der Graben isoliert elektrisch zusammen mit der isolierenden Schicht 17 die erste LED 110 von der zweiten LED 120. Das LED-Array 100 kann jedoch ferner einen zwischen der ersten LED 110 und der zweiten LED 120 gebildeten ionenimplantierten Bereich zum elektrischen Isolieren der ersten LED 110 von der zweiten LED 120 umfassen.
  • Das Substrat 10 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus GaP. GaAs, Si, SiC, Al2O3, Glas, Quarz, GaAsP, AlN. Metall und AlGaAs besteht. Die isolierende transparente Haftschicht 12 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Polyimid (PI), Benzocyclobuten (BCB) und Perfluorocyclobuten (PFCB) besteht. Die reflektierende Schicht 11 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist. die aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ge, Ag, Ti, Pb, Pd, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn. AuZn und Indium-Zinnoxid (ITO) besteht. Die lichtemittierende Schicht 15 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlGaInP, GaN, InGaN, AlInGaN und ZnSe besteht. Die transparente leitende Schicht 13 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Indium-Zinnoxid (ITO), Cadmium-Zinnoxid (CTO), Antimonium-Zinnoxid (ATO), Zinkoxid und Zink-Zinnoxid besteht. Die isolierende Schicht 17 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus SiO2 und SiNx besteht. Die erste leitende Halbleiterstapelschicht 14 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlInP, AlN, GaN, InGaN, AlGaN und AlInGaN besteht. Die zweite leitende Halbleiterstapelschicht 16 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist. die aus AlInP, AlN, GaN, InGaN, AlGaN und AlInGaN besteht.
  • Da die isolierende transparente Haftschicht 12 einen hohen Widerstand aufweist und in der Lage ist, das Substrat 10 von der ersten LED 110 und der zweiten LED 120 elektrisch zu isolieren, wenn sie zwischen diesen eingebracht wird, kann die erste LED 110 und die zweite LED 120 nicht nur ein III-V-Nitridmaterial, sondern auch ein quaternäres Material umfassen. Darüber hinaus kann, da das Substrat 10 von den LEDs 110 und 120 elektrisch isoliert ist, das Substrat 10 ein isolierendes Substrat, ein Substrat mit einem hohen Widerstand, ein leitendes Substrat oder ein Substrat mit einer hohen thermischen Leitfähigkeit sein, welches die Fähigkeit aufweist, die Wärmeableitung des LED-Arrays 100 zu verbessern.
  • Ein Leuchtdiodenarray gemäß der vorliegenden Erfindung weist also zumindest zwei, im dargestellten Ausführungsbeispiel 4 LEDs auf, die jeweils als Stapelschicht auf einer auf einem Substrat vorgesehenen Haftschicht ausgebildet sind. Je nach den Anforderungen an das Leuchtdiodenarray kann dieses auch jede andere beliebige Vielzahl von LEDs umfassen.
  • Jede dieser lichtemittierenden Stapelschichten umfasst in dieser Reihenfolge eine transparente leitende Schicht 13, eine erste Halbleiterstapelschicht 14 eines ersten Halbleitertyps, eine lichtemittierende Schicht 15 und eine zweite Halbleiterstapelschicht 16 eines zweiten Leitertyps. Ein erster Kontakt 18 ist auf der zweiten Halbleiterstapelschicht 16 vorgesehen, während die erste Halbleiterstapelschicht 14 mit einem zweiten Kontakt 19 elektrisch verbunden ist. Im dargestellten Ausführungsbeispiel erfolgt die elektrische Verbindung des zweiten Kontakts 19 mit der ersten Halbleiterstapelschicht 14 über die transparente leitende Schicht 13.
  • Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die erste oder untere Halbleiterstapelschicht 14 eine n-leitende Halbleiterstapelschicht während die zweite oder obere Halbleiterstapelschicht 16 p-leitend ist.
  • Verschiedene Änderungen und Modifikationen des erfindungsgemäßen Leuchtdiodenarrays sowie der einzelnen LEDs sind möglich. Beispielsweise ist es denkbar, die elektrische Verbindung zwischen der ersten, unteren Halbleiterstapelschicht 14 und dem zweiten Kontakt 19 nicht über die transparente leitende Schicht 13 zu realisieren, sondern den Kontakt 19 in einem oberen Flächenbereich der ersten Halbleiterstapelschicht 14 vorzusehen, der in ähnlicher Weise freigelegt ist, wie der Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht 13 beim Ausführungsbeispiel nach 1 und 2.
  • Ein erfindungsgemäßes Leuchtdiodenarray umfasst, also ein Substrat, eine Haftschicht gebildet auf dem Substrat und eine Vielzahl von elektrisch verbundenen epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten, die auf der Haftschicht angeordnet sind. Jede der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten weist einen p-Kontakt und n-Kontakt auf, der auf der gleichen Seite der Stapelschicht wie der p-Kontakt liegt. Das Leuchtdiodenarray weist verbesserte Wärmebelüftungseigenschaften auf.

Claims (5)

  1. Leuchtdiodenarray (100) mit: - einem Substrat (10); - einer auf dem Substrat (10) gebildeten isolierenden Haftschicht (12), wobei die isolierende Haftschicht (12) zumindest ein Material ausgewählt aus der Gruppe Polyimid, Benzocyclobuten und Perfluorocyclobuten umfasst, mit einem ersten Haftbereich und einem von diesem räumlich getrennten, zweiten Haftbereich; - einer ersten epitaktischen lichtemittierenden Stapelschicht, die auf dem ersten Haftbereich der isolierenden Haftschicht (12) angeordnet ist, - einer zweiten epitaktischen lichtemittierenden Stapelschicht, die auf dem zweiten Haftbereich der isolierenden Haftschicht (12) angeordnet ist, - wobei die erste und zweite Stapelschicht durch einen geätzten Graben, der sich bis auf das Substrat (10) erstreckt, voneinander getrennt sind, - wobei die epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten jeweils eine untere transparente leitende Schicht (13), darauf eine erste leitende Schicht (14), darauf eine lichtemittierende Schicht (15) und darauf eine zweite leitende Halbleiterstapelschicht (16) aufweisen, - wobei die zweite leitende Halbleiterstapelschicht (16), die lichtemittierende Schicht (15) und die erste leitende Schicht (14) der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten nur in einem kleinem Eckbereich durch selektives Ätzen entfernt sind und die transparente leitende Schicht (13) nur in diesem kleinen Eckbereich freigelegt ist, - wobei jede der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten einen p-Kontakt und einen n-Kontakt umfasst, wobei der eine Kontakt auf der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht (16) und der andere Kontakt auf der transparenten leitenden Schicht (13) im kleinen Eckbereich angeordnet sind und die Kontakte an jeweils gegenüberliegenden Eckbereichen der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten angeordnet sind.
  2. Leuchtdiodenarray (100) nach Anspruch 1, wobei die Haftschicht (12) für Licht von der ersten lichtemittierenden Stapelschicht und der zweiten lichtemittierenden Stapelschicht im Wesentlichen transparent ist.
  3. Leuchtdiodenarray (100) nach Anspruch 2, weiter aufweisend eine auf der transparenten Haftschicht (12) gebildete reflektierende Schicht (11).
  4. Leuchtdiodenarray (100) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Substrat (10) zumindest ein Material umfasst, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Al2O3, Glas, und AlN besteht.
  5. Leuchtdiodenarray (100) nach Anspruch 1, weiter aufweisend eine elektrische Leitung, die den p-Kontakt der ersten lichtemittierenden Stapelschicht mit dem n-Kontakt der zweiten lichtemittierenden Stapelschicht verbindet.
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Families Citing this family (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7880182B2 (en) * 2002-07-15 2011-02-01 Epistar Corporation Light-emitting element array
KR100691191B1 (ko) * 2005-07-15 2007-03-09 삼성전기주식회사 Led를 이용한 면광원 및 이를 구비하는 lcd 백라이트유닛
JP4966199B2 (ja) * 2005-09-20 2012-07-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Led光源
US8405106B2 (en) 2006-10-17 2013-03-26 Epistar Corporation Light-emitting device
TW200717843A (en) * 2005-10-19 2007-05-01 Epistar Corp Light-emitting element with high-light-extracting-efficiency
US9530940B2 (en) 2005-10-19 2016-12-27 Epistar Corporation Light-emitting device with high light extraction
US8928022B2 (en) 2006-10-17 2015-01-06 Epistar Corporation Light-emitting device
DE112006002927B4 (de) 2006-01-09 2010-06-02 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Licht emittierende Diode mit ITO-Schicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen
US20070281375A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device
US8698184B2 (en) * 2011-01-21 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting diodes with low junction temperature and solid state backlight components including light emitting diodes with low junction temperature
US9443903B2 (en) 2006-06-30 2016-09-13 Cree, Inc. Low temperature high strength metal stack for die attachment
DE102006051745B4 (de) * 2006-09-28 2024-02-08 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
DE102007004302A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
DE102007009351A1 (de) * 2007-02-23 2008-08-28 Noctron Holding S.A. Leuchtmittel
KR100974923B1 (ko) * 2007-03-19 2010-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드
DE102008011848A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
CN101960601B (zh) * 2008-02-29 2013-02-20 欧司朗光电半导体有限公司 单片的光电子半导体本体及其制造方法
TWI392114B (zh) * 2008-03-04 2013-04-01 Huga Optotech Inc 發光二極體及其形成方法
TWI464921B (zh) * 2009-02-25 2014-12-11 晶元光電股份有限公司 主波長分佈收斂之發光元件及其製造方法
JP5380451B2 (ja) * 2008-08-11 2014-01-08 ローム株式会社 照明装置
US7939839B2 (en) * 2008-09-11 2011-05-10 Bridgelux, Inc. Series connected segmented LED
EP2356533B1 (de) * 2008-11-25 2016-06-29 Linear Technology Corporation Schaltung, trimmung und layout zur temperaturkompensation von metallwiderständen in halbleiterchips
US7982409B2 (en) 2009-02-26 2011-07-19 Bridgelux, Inc. Light sources utilizing segmented LEDs to compensate for manufacturing variations in the light output of individual segmented LEDs
TWI470824B (zh) 2009-04-09 2015-01-21 廣鎵光電股份有限公司 電極結構及其發光元件
US8338837B2 (en) * 2009-06-08 2012-12-25 Epistar Corporation Light emitting device
US8207547B2 (en) * 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
DE102009039890A1 (de) * 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper, einer Isolationsschicht und einer planaren Leitstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009039891A1 (de) 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul aufweisend zumindest einen ersten Halbleiterkörper mit einer Strahlungsaustrittsseite und einer Isolationsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI527261B (zh) * 2009-09-11 2016-03-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
US20120176789A1 (en) * 2009-09-30 2012-07-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light output sticker
US8581229B2 (en) 2009-11-23 2013-11-12 Koninklijke Philips N.V. III-V light emitting device with thin n-type region
TWI397989B (zh) * 2009-12-07 2013-06-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體陣列
TWI420712B (zh) * 2009-12-09 2013-12-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體結構及其封裝元件
KR101114782B1 (ko) * 2009-12-10 2012-02-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
TWI499347B (zh) * 2009-12-31 2015-09-01 晶元光電股份有限公司 發光元件
CN102130241B (zh) * 2010-01-15 2013-10-30 晶元光电股份有限公司 发光二极管阵列结构及其制造方法
US8658513B2 (en) 2010-05-04 2014-02-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Isolation by implantation in LED array manufacturing
US8723160B2 (en) 2010-07-28 2014-05-13 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) die having peripheral electrode frame and method of fabrication
US8283652B2 (en) 2010-07-28 2012-10-09 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical light emitting diode (VLED) die having electrode frame and method of fabrication
ES2531050T5 (es) 2010-09-08 2021-05-04 Zhejiang Ledison Optoelectronics Co Ltd Bombilla LED y barra de iluminación LED capaz de emitir luz por encima de 4 PI
US20120097985A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-26 Wen-Huang Liu Light Emitting Diode (LED) Package And Method Of Fabrication
CN102468123B (zh) * 2010-11-04 2015-05-13 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法
JP2012199231A (ja) 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US20120269520A1 (en) * 2011-04-19 2012-10-25 Hong Steve M Lighting apparatuses and led modules for both illumation and optical communication
CN102299233A (zh) * 2011-05-10 2011-12-28 江西科技师范学院 一种不带黄圈聚光性好的大功率led灯珠
US8794501B2 (en) 2011-11-18 2014-08-05 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a light emitting diode
US8518204B2 (en) 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
US8333860B1 (en) 2011-11-18 2012-12-18 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a micro device
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US8349116B1 (en) 2011-11-18 2013-01-08 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US9773750B2 (en) 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
WO2013168929A1 (en) * 2012-05-11 2013-11-14 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having plurality of light emitting elements and method of fabricating the same
US9162880B2 (en) 2012-09-07 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Mass transfer tool
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US8941215B2 (en) 2012-09-24 2015-01-27 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US9105714B2 (en) 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US9166114B2 (en) 2012-12-11 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity
JP6854643B2 (ja) 2013-06-12 2021-04-07 ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー 付着された光発生源を用いたキーボードバックライティング
US9035279B2 (en) 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US9296111B2 (en) 2013-07-22 2016-03-29 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array alignment encoder
US9087764B2 (en) 2013-07-26 2015-07-21 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
US9153548B2 (en) 2013-09-16 2015-10-06 Lux Vue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation
US9367094B2 (en) 2013-12-17 2016-06-14 Apple Inc. Display module and system applications
US9768345B2 (en) 2013-12-20 2017-09-19 Apple Inc. LED with current injection confinement trench
US9450147B2 (en) 2013-12-27 2016-09-20 Apple Inc. LED with internally confined current injection area
US9583466B2 (en) 2013-12-27 2017-02-28 Apple Inc. Etch removal of current distribution layer for LED current confinement
US9542638B2 (en) 2014-02-18 2017-01-10 Apple Inc. RFID tag and micro chip integration design
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
US9522468B2 (en) 2014-05-08 2016-12-20 Apple Inc. Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
US9741286B2 (en) 2014-06-03 2017-08-22 Apple Inc. Interactive display panel with emitting and sensing diodes
US9624100B2 (en) 2014-06-12 2017-04-18 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements
US9425151B2 (en) 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
US9570002B2 (en) 2014-06-17 2017-02-14 Apple Inc. Interactive display panel with IR diodes
US11997768B2 (en) 2014-09-28 2024-05-28 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11421827B2 (en) 2015-06-19 2022-08-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11543083B2 (en) 2014-09-28 2023-01-03 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11686436B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and light bulb using LED filament
US11085591B2 (en) 2014-09-28 2021-08-10 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11525547B2 (en) 2014-09-28 2022-12-13 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11073248B2 (en) 2014-09-28 2021-07-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
US12007077B2 (en) 2014-09-28 2024-06-11 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament and LED light bulb
US9705432B2 (en) 2014-09-30 2017-07-11 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount design for strain amplification
US9828244B2 (en) 2014-09-30 2017-11-28 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with defined cavity
US9478583B2 (en) 2014-12-08 2016-10-25 Apple Inc. Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate
WO2017124109A1 (en) 2016-01-15 2017-07-20 Rohinni, LLC Apparatus and method of backlighting through a cover on the apparatus
CN105895654B (zh) * 2016-05-16 2019-01-18 华南师范大学 内嵌入式照明通信双功能led器件及其制作方法
TWI634673B (zh) * 2017-08-09 2018-09-01 國立交通大學 覆晶式發光二極體元件及其製造方法
US11355549B2 (en) * 2017-12-29 2022-06-07 Lumileds Llc High density interconnect for segmented LEDs
US10982048B2 (en) 2018-04-17 2021-04-20 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd Organosilicon-modified polyimide resin composition and use thereof
TWI821302B (zh) 2018-11-12 2023-11-11 晶元光電股份有限公司 半導體元件及其封裝結構
CN119604108A (zh) 2019-06-19 2025-03-11 上海显耀显示科技有限公司 用于多色led像素单元的系统和方法
AU2021282566A1 (en) 2020-06-03 2023-02-02 Jade Bird Display (shanghai) Limited Systems and methods for multi-color led pixel unit with horizontal light emission
US12074151B2 (en) 2020-06-03 2024-08-27 Jade Bird Display (shanghai) Limited Systems and methods for multi-color LED pixel unit with vertical light emission

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3005956A1 (de) 1980-02-16 1981-09-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Anordnung zur darstellung von bildinhalten mit lichtemittierenden dioden
DE10125341A1 (de) 2001-05-23 2002-12-05 Ivoclar Vivadent Ag Beleuchtungsvorrichtung
US6547249B2 (en) 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
DE10329884A1 (de) 2002-07-15 2004-03-04 Epistar Corp. Lichtemissionsdiode mit einer Kleberschicht und einer Reflexionsschicht und Herstellverfahren für diese

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06152070A (ja) 1992-11-12 1994-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光材料および電子線励起レーザー
JP3236774B2 (ja) 1996-02-16 2001-12-10 日本電信電話株式会社 半導体集積回路
DE10051159C2 (de) * 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
JP2003068109A (ja) 2001-08-23 2003-03-07 Sony Corp 照明装置及び投影装置
TW522579B (en) 2001-12-27 2003-03-01 Epistar Corp Metal-bonded light emitting diode having insulation medium layer and its manufacturing method
JP4053926B2 (ja) 2002-05-27 2008-02-27 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子とそれを用いた発光装置
JP2004014899A (ja) 2002-06-10 2004-01-15 Para Light Electronics Co Ltd 発光ダイオードチップの直列構造
JP3870848B2 (ja) * 2002-06-10 2007-01-24 セイコーエプソン株式会社 半導体集積回路、電気光学装置、電子機器および半導体集積回路の製造方法
TW543211B (en) 2002-07-08 2003-07-21 Epistar Corp Manufacturing method of LED having transparent conduction adhesion layer
JP4254266B2 (ja) * 2003-02-20 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3005956A1 (de) 1980-02-16 1981-09-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Anordnung zur darstellung von bildinhalten mit lichtemittierenden dioden
US6547249B2 (en) 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
DE10125341A1 (de) 2001-05-23 2002-12-05 Ivoclar Vivadent Ag Beleuchtungsvorrichtung
DE10329884A1 (de) 2002-07-15 2004-03-04 Epistar Corp. Lichtemissionsdiode mit einer Kleberschicht und einer Reflexionsschicht und Herstellverfahren für diese

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TWI249148B (en) 2006-02-11
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