DE102005016845B4 - Leuchtdiodenarray mit einer Haftschicht - Google Patents
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Abstract
Leuchtdiodenarray (100) mit:- einem Substrat (10);- einer auf dem Substrat (10) gebildeten isolierenden Haftschicht (12), wobei die isolierende Haftschicht (12) zumindest ein Material ausgewählt aus der Gruppe Polyimid, Benzocyclobuten und Perfluorocyclobuten umfasst, mit einem ersten Haftbereich und einem von diesem räumlich getrennten, zweiten Haftbereich;- einer ersten epitaktischen lichtemittierenden Stapelschicht, die auf dem ersten Haftbereich der isolierenden Haftschicht (12) angeordnet ist,- einer zweiten epitaktischen lichtemittierenden Stapelschicht, die auf dem zweiten Haftbereich der isolierenden Haftschicht (12) angeordnet ist,- wobei die erste und zweite Stapelschicht durch einen geätzten Graben, der sich bis auf das Substrat (10) erstreckt, voneinander getrennt sind,- wobei die epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten jeweils eine untere transparente leitende Schicht (13), darauf eine erste leitende Schicht (14), darauf eine lichtemittierende Schicht (15) und darauf eine zweite leitende Halbleiterstapelschicht (16) aufweisen,- wobei die zweite leitende Halbleiterstapelschicht (16), die lichtemittierende Schicht (15) und die erste leitende Schicht (14) der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten nur in einem kleinem Eckbereich durch selektives Ätzen entfernt sind und die transparente leitende Schicht (13) nur in diesem kleinen Eckbereich freigelegt ist,- wobei jede der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten einen p-Kontakt und einen n-Kontakt umfasst, wobei der eine Kontakt auf der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht (16) und der andere Kontakt auf der transparenten leitenden Schicht (13) im kleinen Eckbereich angeordnet sind und die Kontakte an jeweils gegenüberliegenden Eckbereichen der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten angeordnet sind.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Leuchtdiode, und insbesondere ein Leuchtdiodenarray mit einer Haftschicht.
- Leuchtdioden (LEDs) werden in einer breiten Vielfalt von Anwendungen, einschließlich optischen Anzeigevorrichtungen, Verkehrslichtzeichen, Datenspeichereinrichtungen, Kommunikationsvorrichtungen, Beleuchtungsapparaten und medizinischer Behandlungsäusrüstungen eingesetzt. Eines der wichtigsten Ziele der Ingenieure, die LEDs entwerfen, ist die Erhöhung der Helligkeit des emittierten Lichts.
- Die
US 6,547,249 offenbart monolithische serielle/parallele LED-Arrays, die auf hochohmigen Substraten gebildet werden. Gemäß derUS 6,547,249 wird eine lichtemittierende III-V-Gruppen-Nitrid Stapelschicht auf einem isolierenden Substrat gebildet. Ein Abschnitt der Stapelschicht wird weggeätzt, um einen Graben, und als Ergebnis ein LED-Array zu bilden, das eine Vielzahl von durch den Graben geteilte Leuchtdioden umfaßt. Da das isolierende Substrat nicht leitfähig ist, müssen sowohl p-Kontakte als auch n-Kontakte für das LED-Array auf der gleichen Seite des LED-Arrays gebildet werden. Im Gebrauch können zwei LED-Arrays entweder in Serie oder parallel verbunden werden. Das durch dieUS 6,547,249 offenbarte LED-Array kann jedoch nicht auf eine quaternäre Al-In-Ga-P Leuchtdiode angewendet werden, die ein leitendes Substrat statt eines isolierenden Substrats umfasst, wobei p-Kontakte auf der einen Seite des leitenden Substrats gebildet werden und n-Kontakte auf der anderen Seite gebildet werden müssen. Daher können zwei quaternäre Al-In-Ga-P Leuchtdiodenarrays nicht sowohl in Serie als auch parallel verbunden werden. Außerdem wird, wenn die Größe des LED-Arrays größer wird, die Arbeitsspannung des LED-Arrays entsprechend höher und Wärmeableitung wird für das LED-Array wichtig. - Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, ein LED-Array mit einer Haftschicht zu schaffen, um die Nachteile des Standes der Technik zu überwinden.
- Entsprechend der vorliegenden Erfindung umfasst das Leuchtdiodenarray ein Substrat, eine auf dem Substrat gebildete reflektierende Schicht, eine auf der reflektierenden Schicht gebildete isolierende transparente Haftschicht, eine auf der isolierenden transparenten Haftschicht gebildete transparente leitende Schicht, eine auf der transparenten leitenden Schicht gebildete erste leitende Halbleiterstapelschicht, eine auf der ersten leitenden Halbleiterstapelschicht gebildete lichtemittierende Schicht und eine auf der lichtemittierenden Schicht gebildete zweite leitende Halbleiterstapelschicht.
- Ein Graben wird durch das aufeinander folgende Wegätzen eines Abschnitts der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht, der lichtemittierenden Schicht, der ersten leitenden Halbleiterstapelschicht, der transparenten leitenden Schicht und der isolierenden transparenten Haftschicht gebildet. Daher ist das LED-Array geteilt in eine erste LED und eine zweite LED, die beide das Substrat gemeinsam haben. Darüber hinaus wird ein freiliegender Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht durch Ätzen sowohl der ersten LED als auch der zweiten LED tief bis zur transparenten leitenden Schicht gebildet. Das LED-Array umfasst ferner eine isolierende Schicht, die die erste LED und die zweite LED umgebend gebildet wird, um die erste LED von der zweiten LED elektrisch zu isolieren. Erste Kontakte werden auf der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht der ersten LED beziehungsweise der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht der zweiten LED gebildet. Zweite Kontakte werden auf dem freiliegenden Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht der ersten LED beziehungsweise dem freiliegenden Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht der zweiten LED gebildet, und zum elektrischen Verbinden eines zweiten Kontakts der ersten LED mit einem ersten Kontakt der zweiten LED wird eine leitende Leitung gebildet.
- Das Substrat umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus GaP, GaAs, Si, SiC, Al2O3. Glas, Quarz, GaAsP, AlN, Metall und AlGaAs besteht. Die isolierende transparente Haftschicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Polyimid (PI), Benzocyclobuten (BCB) und Perfluorocyclobuten (PFCB) besteht. Die reflektierende Schicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ge, Ag, Ti, Pb, Pd, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn, AuZn und Indium-Zinnoxid (ITO) besteht. Die lichtemittierende Schicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlGaInP, GaN, InGaN, AlInGaN und ZnSe besteht. Die transparente leitende Schicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Indium-Zinnoxid (ITO), Cadmium-Zinnoxid (CTO), Antimonium-Zinnoxid (ATO), Zinkoxid und Zink-Zinnoxid besteht. Die isolierende Schicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus SiO2 und SiNx besteht. Die erste Halbleiterstapelschicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlInP. AlN, GaN, InGaN, AlGaN und AlInGaN besteht. Die zweite Halbleiterstapelschicht umfasst zumindest ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlInP, AlN, GaN, InGaN, AlGaN und AlInGaN besteht.
- Die Erfindung wird im Folgenden beispielsweise anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine schematische Schnittdarstellung eines Leuchtdiodenarrays mit einer Haftschicht entsprechend einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, -
2 eine schematische Draufsicht auf ein in Serie geschaltetes LED-Array nach1 , -
3 ein Ersatzschaltbild des in2 gezeigten LED-Arrays, -
4 eine schematische Draufsicht auf ein in Serie und parallel geschaltetes LED-Array nach1 , und -
5 ein Ersatzschaltbild des in4 gezeigten LED-Arrays. - Es wird Bezug genommen auf
1 , die einen Querschnitt eines Leuchtdiodenarrays100 eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung zeigt. Das LED-Array100 umfasst ein Substrat10 , eine reflektierende Schicht11 gebildet auf dem Substrat10 , eine isolierende transparente Haftschicht12 gebildet auf der reflektierenden Schicht11 , eine transparente leitende Schicht13 gebildet auf der isolierenden transparenten Haftschicht12 , eine erste leitende Halbleiterstapelschicht14 gebildet auf der transparenten leitenden Schicht13 , eine lichtemittierende Schicht15 gebildet auf der ersten leitenden Halbleiterstapelschicht14 und eine zweite leitende Halbleiterstapelschicht16 gebildet auf der lichtemittierenden Schicht15 . - Ein Graben wird gebildet durch das aufeinander folgende Wegätzen eines Abschnitts der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht
16 , der lichtemittierenden Schicht15 , der ersten leitenden Halbleiterstapelschicht14 , der transparenten leitenden Schicht13 und der isolierenden transparenten Haftschicht 12, und daher ist das LED-Array100 in eine erste LED110 und eine zweite LED120 geteilt, welche beide das Substrat10 gemeinsam haben. Darüber hinaus wird ein freiliegender Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht durch selektives Ätzen sowohl der ersten LED110 als auch der zweiten LED120 bis zu der transparenten leitenden Schicht13 gebildet. Wie insbesondere in1 und2 zu erkennen ist, werden dabei die Schichten 16, 15, 14 nur in einem relativ kleinen Flächenbereich, z. B. an einer Ecke, entfernt, um die transparente leitende Schicht13 freizulegen. - Das LED-Array
100 umfasst ferner eine isolierende Schicht17 , die zum elektrischen Isolieren der ersten LED110 von der zweiten LED120 so gebildet wird, dass sie die erste LED110 und die zweite LED120 umgibt. Erste Kontakte18 werden auf der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht16 der ersten LED110 beziehungsweise der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht 16 der zweiten LED120 gebildet. Zweite Kontakte19 werden auf dem freiliegenden Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht der ersten LED beziehungsweise dem freiliegenden Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht der zweiten LED gebildet, und dann wird eine leitende Leitung zum elektrischen Verbinden des zweiten Kontakts der ersten LED110 mit dem ersten Kontakt der zweiten LED120 gebildet. - Die reflektierende Schicht
11 kann auch zwischen der transparenten leitenden Schicht13 und der Haftschicht12 gebildet werden. Die reflektierende Schicht11 ist vorgesehen, um die Leuchtdichte des LED-Arrays100 durch Reflektieren des auf das Substrat10 geworfenen Lichtes zu erhöhen. Das LED-Array100 kann jedoch auch ohne die reflektierende Schicht11 arbeiten. - Die isolierende transparente Haftschicht
12 wird eingebaut, um die erste LED 110 und die zweite LED120 von dem Substrat10 elektrisch zu isolieren. Die isolierende transparente Haftschicht12 kann durch eine leitende Haftschicht aus Metall oder Lot ersetzt werden. Es muß jedoch eine isolierende Schicht, die eine elektrische Isolation schafft, zusätzlich zwischen dem Substrat10 und der leitenden Haftschicht12 oder zwischen der leitenden Haftschicht12 und der transparenten leitenden Schicht13 eingerichtet werden, um die erste LED110 und die zweite LED120 von dem Substrat10 zu isolieren. - Der Graben isoliert elektrisch zusammen mit der isolierenden Schicht
17 die erste LED110 von der zweiten LED120 . Das LED-Array100 kann jedoch ferner einen zwischen der ersten LED110 und der zweiten LED120 gebildeten ionenimplantierten Bereich zum elektrischen Isolieren der ersten LED110 von der zweiten LED120 umfassen. - Das Substrat
10 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus GaP. GaAs, Si, SiC, Al2O3, Glas, Quarz, GaAsP, AlN. Metall und AlGaAs besteht. Die isolierende transparente Haftschicht12 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Polyimid (PI), Benzocyclobuten (BCB) und Perfluorocyclobuten (PFCB) besteht. Die reflektierende Schicht11 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist. die aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ge, Ag, Ti, Pb, Pd, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn. AuZn und Indium-Zinnoxid (ITO) besteht. Die lichtemittierende Schicht15 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlGaInP, GaN, InGaN, AlInGaN und ZnSe besteht. Die transparente leitende Schicht13 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Indium-Zinnoxid (ITO), Cadmium-Zinnoxid (CTO), Antimonium-Zinnoxid (ATO), Zinkoxid und Zink-Zinnoxid besteht. Die isolierende Schicht17 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus SiO2 und SiNx besteht. Die erste leitende Halbleiterstapelschicht14 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlInP, AlN, GaN, InGaN, AlGaN und AlInGaN besteht. Die zweite leitende Halbleiterstapelschicht16 besteht zumindest aus einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist. die aus AlInP, AlN, GaN, InGaN, AlGaN und AlInGaN besteht. - Da die isolierende transparente Haftschicht
12 einen hohen Widerstand aufweist und in der Lage ist, das Substrat10 von der ersten LED110 und der zweiten LED120 elektrisch zu isolieren, wenn sie zwischen diesen eingebracht wird, kann die erste LED110 und die zweite LED120 nicht nur ein III-V-Nitridmaterial, sondern auch ein quaternäres Material umfassen. Darüber hinaus kann, da das Substrat10 von den LEDs110 und120 elektrisch isoliert ist, das Substrat10 ein isolierendes Substrat, ein Substrat mit einem hohen Widerstand, ein leitendes Substrat oder ein Substrat mit einer hohen thermischen Leitfähigkeit sein, welches die Fähigkeit aufweist, die Wärmeableitung des LED-Arrays100 zu verbessern. - Ein Leuchtdiodenarray gemäß der vorliegenden Erfindung weist also zumindest zwei, im dargestellten Ausführungsbeispiel 4 LEDs auf, die jeweils als Stapelschicht auf einer auf einem Substrat vorgesehenen Haftschicht ausgebildet sind. Je nach den Anforderungen an das Leuchtdiodenarray kann dieses auch jede andere beliebige Vielzahl von LEDs umfassen.
- Jede dieser lichtemittierenden Stapelschichten umfasst in dieser Reihenfolge eine transparente leitende Schicht
13 , eine erste Halbleiterstapelschicht14 eines ersten Halbleitertyps, eine lichtemittierende Schicht15 und eine zweite Halbleiterstapelschicht16 eines zweiten Leitertyps. Ein erster Kontakt18 ist auf der zweiten Halbleiterstapelschicht16 vorgesehen, während die erste Halbleiterstapelschicht14 mit einem zweiten Kontakt19 elektrisch verbunden ist. Im dargestellten Ausführungsbeispiel erfolgt die elektrische Verbindung des zweiten Kontakts19 mit der ersten Halbleiterstapelschicht14 über die transparente leitende Schicht13 . - Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die erste oder untere Halbleiterstapelschicht
14 eine n-leitende Halbleiterstapelschicht während die zweite oder obere Halbleiterstapelschicht16 p-leitend ist. - Verschiedene Änderungen und Modifikationen des erfindungsgemäßen Leuchtdiodenarrays sowie der einzelnen LEDs sind möglich. Beispielsweise ist es denkbar, die elektrische Verbindung zwischen der ersten, unteren Halbleiterstapelschicht
14 und dem zweiten Kontakt19 nicht über die transparente leitende Schicht13 zu realisieren, sondern den Kontakt19 in einem oberen Flächenbereich der ersten Halbleiterstapelschicht14 vorzusehen, der in ähnlicher Weise freigelegt ist, wie der Oberflächenbereich der transparenten leitenden Schicht13 beim Ausführungsbeispiel nach1 und2 . - Ein erfindungsgemäßes Leuchtdiodenarray umfasst, also ein Substrat, eine Haftschicht gebildet auf dem Substrat und eine Vielzahl von elektrisch verbundenen epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten, die auf der Haftschicht angeordnet sind. Jede der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten weist einen p-Kontakt und n-Kontakt auf, der auf der gleichen Seite der Stapelschicht wie der p-Kontakt liegt. Das Leuchtdiodenarray weist verbesserte Wärmebelüftungseigenschaften auf.
Claims (5)
- Leuchtdiodenarray (100) mit: - einem Substrat (10); - einer auf dem Substrat (10) gebildeten isolierenden Haftschicht (12), wobei die isolierende Haftschicht (12) zumindest ein Material ausgewählt aus der Gruppe Polyimid, Benzocyclobuten und Perfluorocyclobuten umfasst, mit einem ersten Haftbereich und einem von diesem räumlich getrennten, zweiten Haftbereich; - einer ersten epitaktischen lichtemittierenden Stapelschicht, die auf dem ersten Haftbereich der isolierenden Haftschicht (12) angeordnet ist, - einer zweiten epitaktischen lichtemittierenden Stapelschicht, die auf dem zweiten Haftbereich der isolierenden Haftschicht (12) angeordnet ist, - wobei die erste und zweite Stapelschicht durch einen geätzten Graben, der sich bis auf das Substrat (10) erstreckt, voneinander getrennt sind, - wobei die epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten jeweils eine untere transparente leitende Schicht (13), darauf eine erste leitende Schicht (14), darauf eine lichtemittierende Schicht (15) und darauf eine zweite leitende Halbleiterstapelschicht (16) aufweisen, - wobei die zweite leitende Halbleiterstapelschicht (16), die lichtemittierende Schicht (15) und die erste leitende Schicht (14) der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten nur in einem kleinem Eckbereich durch selektives Ätzen entfernt sind und die transparente leitende Schicht (13) nur in diesem kleinen Eckbereich freigelegt ist, - wobei jede der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten einen p-Kontakt und einen n-Kontakt umfasst, wobei der eine Kontakt auf der zweiten leitenden Halbleiterstapelschicht (16) und der andere Kontakt auf der transparenten leitenden Schicht (13) im kleinen Eckbereich angeordnet sind und die Kontakte an jeweils gegenüberliegenden Eckbereichen der epitaktischen lichtemittierenden Stapelschichten angeordnet sind.
- Leuchtdiodenarray (100) nach
Anspruch 1 , wobei die Haftschicht (12) für Licht von der ersten lichtemittierenden Stapelschicht und der zweiten lichtemittierenden Stapelschicht im Wesentlichen transparent ist. - Leuchtdiodenarray (100) nach
Anspruch 2 , weiter aufweisend eine auf der transparenten Haftschicht (12) gebildete reflektierende Schicht (11). - Leuchtdiodenarray (100) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Substrat (10) zumindest ein Material umfasst, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Al2O3, Glas, und AlN besteht.
- Leuchtdiodenarray (100) nach
Anspruch 1 , weiter aufweisend eine elektrische Leitung, die den p-Kontakt der ersten lichtemittierenden Stapelschicht mit dem n-Kontakt der zweiten lichtemittierenden Stapelschicht verbindet.
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