DE102005001484A1 - Switching arrangement for data processing system, has p-channel transistors provided for generation of potential equilibrium condition, in which potential at complementary data output nodes are same - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 2
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
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- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Mathematical Physics (AREA)
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Verarbeitung eines Dual-Rail-Signals mit komplementären Dateneingangsknoten (a, aq) zum Empfang eines Dual-Rail-Datensignals und komplementären Datenausgangsknoten (z, zq) zum Ausgeben eines Dual-Rail-Datensignals. Die Schaltungsanordnung ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, dass Mittel (P1, P2, P2q) zur Erzeugung eines Potentialausgleichzustands vorgesehen sind, in dem die Potentiale an den komplementären Datenausgangsknoten (z, zq) gleich sind und in einem Zwischenbereich zwischen einem High-Signalpegel und einem Low-Signalpegel liegen.The The invention relates to a circuit arrangement for processing a Dual rail signal with complementary Data input node (a, aq) for receiving a dual-rail data signal and complementary Data output node (z, zq) for outputting a dual-rail data signal. The circuit arrangement according to the invention is characterized in that Means (P1, P2, P2q) for generating a potential equalization state are provided, in which the potentials at the complementary data output node (z, zq) are the same and in an intermediate area between a High signal level and a low signal level.
Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Verarbeitung eines Dual-Rail-Signals mit komplementären Dateneingangsknoten zum Empfang eines Dual-Rail-Datensignals und komplementären Datenausgangsknoten zum Ausgeben eines Dual-Rail-Datensignals.The The invention relates to a circuit arrangement for processing a Dual rail signal with complementary Data input node for receiving a dual-rail data signal and complementary Data output node for outputting a dual-rail data signal.
Bei der so genannten Dual-Rail-Schaltungstechnik handelt es sich um einen unter Sicherheitsaspekten verbesserten Aufbau von Schaltungsanordnungen, insbesondere von Datenverarbeitungsvorrichtungen. Üblicherweise sind Schaltungen in der so genannten „Single-Rail-Schaltungstechnik" ausgeführt. Dabei sind Schaltnetze mikroelektronisch so aufgebaut, dass jedes Bit der zu verarbeitenden Information physikalisch durch genau einen elektrischen Knoten dargestellt wird. Solche Schaltnetze sind verhältnismäßig unsicher gegenüber der so genannten differenziellen Stromprofilanalyse, die oft beim Versuch des Zugriffs unberechtigter Dritter auf geheime Informationen angewandt wird. Die differenzielle Stromprofilanalyse, englisch als Differential Power Analysis (DPA) bezeichnet, ist eine der wichtigsten Methoden zum Angriff auf beispielsweise Chipkarten für Sicherheitsanwendungen. Für ein gegebenes Programm beziehungsweise einen gegebenen Algorithmus werden mit statistischen Methoden gemessene Stromprofile der Chipkarte beziehungsweise deren über ein oder mehrere Takte berechnete Ladungsintegrale ausgewertet, wobei – für eine Vielzahl von Programmausführungen – aus der Korrelation von systematischer Datenvariation und jeweiligem Ladungsintegral Rückschlüsse auf die zu schützenden Informationen gezogen werden können.at The so-called dual-rail circuit technology is about a safety-enhanced structure of circuit arrangements, in particular of data processing devices. Usually are circuits in the so-called "single-rail circuit technology" running Switching networks are microelectronics designed so that every bit the information to be processed physically by exactly one electrical node is shown. Such switching networks are relatively uncertain across from the so-called differential current profile analysis, often at Attempt of unauthorized third party access to classified information is applied. The differential power profile analysis, English referred to as Differential Power Analysis (DPA), is one of the most important Methods of attacking, for example, smart cards for security applications. For a given program or a given algorithm Current profiles of the chip card measured with statistical methods or their over evaluated one or more cycles calculated charge integrals, being - for a variety of Program executions - from the Correlation of systematic data variation and respective charge integral Conclusions on the ones to be protected Information can be pulled.
Eine Möglichkeit, DPA-Angriffe zumindest wesentlich zu erschweren, besteht darin, Daten zwischen Teilsystemen eines integrierten Schaltkreises soweit wie möglich nur verschlüsselt auszutauschen beziehungsweise zu übertragen. Ein hierfür geeignetes Kryptosystem ist die so genannte One-Time-Pad-Verschlüsselung. Aus Zufallsfolgen gewonnene Schlüssel werden bitweise über eine XOR-Verknüpfung mit zu übertragenden Texten verknüpft. Zur Entschlüsselung wird wiederum eine XOR-Verknüpfung vorgenommen. Für das One-Time-Pad-Kryptosystem ist es wichtig, dass jede Schlüsselfolge nur einmal zum Ver- und Entschlüsseln verwendet wird, denn anderenfalls können mit statistischen Methoden Informationen über Klartexte ermittelt werden.A Possibility, At least significantly complicating DPA attacks is to Data between subsystems of an integrated circuit so far as possible only encrypted exchange or transfer. A suitable for this Cryptosystem is the so-called one-time-pad encryption. From random sequences won keys become bitwise over an XOR link with to be transferred Linked texts. For decryption In turn, an XOR operation is performed. For the One-time pad cryptosystem, it is important that every key sequence only once to connect and decipher otherwise, statistical methods can be used information about Plain texts are determined.
Dieses „verschlüsselte Rechnen" in Single-Rail-Schaltungstechnik erfordert jedoch einen sehr hohen Schaltungs- und dadurch Flächenaufwand, sowie einen in der Folge erhöhten Energiebedarf. Zur Vermeidung des Erfordernisses der Verschlüsselung wird die Dual-Rail-Schaltungstechnik eingesetzt. Aus dem oben zur differenziellen Stromprofilanalyse Gesagten folgt, dass die auf einem integrierten Schaltkreis vorhandenen Schaltungskomponenten gegenüber DPA-Angriffen im Idealfall so ausgelegt sein sollten, dass sie unabhängig von den zu verarbeitenden Daten immer das gleiche Stromprofil liefern. Für die Single-Rail-Implementierung ist dies jedoch sicher nicht der Fall, denn das dem zeitlichen Verlauf der Zustände einer Schaltung zugeordnete Ladungsintegral ist eine Funktion derjenigen Knoten beziehungsweise elektrischen Kapazitäten, die elektrisch umgeladen werden, weist also eine starke Abhängigkeit von den zeitlichen Änderungen der zu verarbeitenden Daten auf.This "encrypted calculation" in single-rail circuitry However, requires a very high Schaltungs- and thereby area overhead, as well one increased in consequence Energy demand. To avoid the requirement of encryption will used the dual-rail circuit technology. From the above to the differential Power profile analysis said that follows on an integrated Circuit existing circuit components against DPA attacks ideally should be designed to be independent of always provide the same power profile to the data to be processed. For the single-rail implementation However, this is certainly not the case, because the time course the states A charge integral associated with a circuit is a function of those Node or electrical capacitances that are electrically recharged be, thus has a strong dependence on the temporal changes the data to be processed.
Bei der Dual-Rail-Schaltungstechnik wird im Gegensatz zur herkömmlichen Single-Rail-Schaltungstechnik jedes Bit durch zwei Knoten k und kq dargestellt, wobei ein übertragenes Bit einen gültigen logischen Wert aufweist, wenn k dem wahren logischen Wert b dieses Bits entspricht und kq dem negierten Wert bn = not(b).at The dual rail circuit technology is in contrast to the conventional one Single-rail circuit technology each bit through two nodes k and kq, wherein a transmitted Bit a valid logical Value if k corresponds to the true logical value b of this bit and kq the negated value bn = not (b).
Wenn also der Wert b = 1 übertragen werden soll, so geschieht dies durch eine "1" im Knoten k. Gleichzeitig wird jedoch der Wert "0" am Knoten kq übertragen, so dass insgesamt also sowohl eine "1" als auch eine "0" übertragen wird. Wenn der Wert b = 0 zu übertragen ist, erfolgt gleichzeitig eine Übertragung des Wertes "1" am Knoten kq. In beiden Fällen wird also eine "1" und eine "0" übertragen. Physikalische Äquivalenz der Knoten k und kq vorausgesetzt, ist nun mittels einer differentiellen Stromprofilanalyse nicht mehr erkennbar, ob als Datum eine "1" oder eine "0" übertragen wurde.If So the value b = 1 transferred is to be done, this is done by a "1" in the Knot k. At the same time, however, the value "0" on Transmit node kq, so that a total of both a "1" as also a "0" is transmitted. If the value b = 0 to transmit is, there is a simultaneous transfer of the value "1" at node kq. In both cases will So a "1" and a "0" transferred. Physical equivalence assuming the nodes k and kq is now by means of a differential Power profile analysis no longer recognizable, whether as date a "1" or a "0" transmitted has been.
Bekannte Dual-Rail-Schaltungen, die auch als differentielle Logik bezeichnet werden, weisen allerdings einige Nachteile auf. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn zusätzlich eine so genannte Pass-Gate-Logik eingesetzt wird. Bei dieser wird ein Schaltungseingang mit einem Schaltungsausgang durch einen Schalter verbunden, wobei logische Funktionen implementiert werden. In Signalflussrichtung hinter dem Transistor wird nicht der volle High-Signalpegel erreicht, sondern die Spannung steigt nur auf circa Uein-VTN, wobei Uein die Spannung des Signals am Schaltungseingang und VTN die Einsatzspannung des verwendeten Transistors ist. Am Ausgang der Schaltungsordnung ist deswegen oft eine Signalauffrischung erforderlich, um eine logische „1" mit dem vollen Versorgungsspannungspegel auszugeben. Bei einem Signalwechsel kann es an den beteiligten Knoten zu einer Konkurrenzsituation kommen. Ein Knoten, der beispielsweise zunächst auf High-Signalpegel war, muss auf den Low-Signalpegel entladen werden. Dies erfolgt in der Regel durch einen oder mehrere in Reihe geschaltete n-Kanal-Transistoren. Gleichzeitig ist aber eine Schaltung vorhanden, um ein Knotenpotential zur Signalauffrischung auf das volle Versorgungsspannungspotential zu ziehen. Diese Transistoren arbeiten bei einem Signalwechsel gegeneinander, wobei es zu dem Fließen von Querströmen kommt. Diese verursachen eine signifikante Erhöhung des Energieumsatzes in der Schaltung. Aus funktioneller Sicht ist zudem problematisch, dass es zu einem unkontrollierten Schaltverhalten von Transistoren kommen kann, insbesondere wenn der Entladepfad mehrere in Reihe geschalteter Transistoren aufweist. Dadurch kann es zu Schaltverzögerungen kommen, im schlimmsten Fall kommt es zu einer vollständigen Fehlfunktion der Schaltungsanordnung.Known dual rail circuits, which are also referred to as differential logic, however, have some disadvantages. This is the case in particular when additionally a so-called pass-gate logic is used. In this, a circuit input is connected to a circuit output through a switch, implementing logic functions. In the signal flow direction behind the transistor of the full high signal level is not achieved, but the voltage rises only to approximately a U-VTN, where U is a voltage of the signal at the circuit input and VTN is the threshold voltage of the transistor used. At the output of the circuitry, therefore, signal refresh is often required to output a logic "1" at the full supply voltage level, and a signal change may result in a contention at the involved nodes, such as a node that was initially high-level This is usually done by one or more series-connected n-channel transistors, but at the same time is a circuit present to pull a node potential for signal refresh to the full supply voltage potential. These transistors work against each other at a signal change, which leads to the flow of cross currents. These cause a significant increase in energy expenditure in the circuit. From a functional point of view is also problematic that it can lead to an uncontrolled switching behavior of transistors, especially when the discharge path has several series-connected transistors. This can lead to switching delays, in the worst case, it comes to a complete malfunction of the circuit.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung zur Verarbeitung eines Dual-Rail-Signals anzugeben, die stromsparend arbeitet und dabei eine zuverlässige Funktionsfähigkeit sicherstellt.task The invention is a circuit arrangement for processing specify a dual-rail signal that works to save power and doing a reliable operability ensures.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art gelöst, die dadurch gekennzeichnet ist, dass Mittel zur Erzeugung eines Potentialausgleichszustands vorgesehen sind, in dem die Potentiale an den komplementären Datenausgangsknoten gleich sind und in einem Zwischenbereich zwischen einem High-Signalpegel und einem Low-Signalpegel liegen.These The object is achieved by a Circuit arrangement of the type mentioned, which characterized in that means for generating a potential equalization state provided in which the potentials at the complementary data output nodes are the same are and in an intermediate range between a high signal level and a low signal level.
Durch die Angleichung der Signalpegel, so dass diese in dem genannten Zwischenbereich liegen, werden gleich mehrere Effekte erzielt. Das Potential an den Datenausgangsknoten liegt in einem Bereich, in dem auch die Schaltschwellen der Transistoren zur Signalauffrischung liegen. Durch eine geringe Absenkung des Potentials an einem der Datenausgangsknoten kann ein Kippen des Schaltzustandes bewirkt werden, so dass nicht mehr versucht wird, die Spannung auf ein oberes Versorgungsspannungspotential zu ziehen. Die eingangs beschriebene Konkurrenzsituation zwischen einem Entladetransistor und einem Spannungsauffrischungstransistor tritt nicht mehr oder nur sehr kurz auf. Querströme werden auf diese Weise vermieden, so dass es zu einer effektiven Energieeinsparung kommt. Gleichzeitig ist verhindert, dass Transistoren unzuverlässig schalten, so dass im Ergebnis auch die Funktionsfähigkeit der Schaltung verbessert ist. Der Zwischenbereich liegt bei einer Versorgungsspannung von 1,5 V vorzugsweise zwischen 0,9 V und 1,1 V. Die obere Grenze wird durch die Versorgungsspannung minus die Einsatzspannung der verwendeten Transistoren von beispielsweise 0,5 V bestimmt. Bei einer Versorgungsspannung von 1,2 V liegt der Zwischenbereich vorzugsweise zwischen 0,6 V und 0,8 V.By the approximation of the signal levels, so that these in the mentioned Intermediate area are equal, several effects are achieved. The Potential at the data output node is in an area in also the switching thresholds of the transistors for signal refreshment lie. By a small lowering of the potential at one of the Data output node can cause a tilting of the switching state so that there is no more temptation, the tension on an upper one To draw supply voltage potential. The initially described Contention occurs between a discharge transistor and a voltage refresh transistor no more or only very briefly. Cross currents are avoided in this way so that it comes to an effective energy saving. simultaneously prevents transistors from switching unreliable, so as a result also the functionality the circuit is improved. The intermediate area is at one Supply voltage of 1.5 V, preferably between 0.9 V and 1.1 V. The upper limit is determined by the supply voltage minus the Threshold voltage of the transistors used, for example Determined 0.5V. At a supply voltage of 1.2 V is the Intermediate region preferably between 0.6 V and 0.8 V.
Ein zusätzlicher Vorteil ergibt sich dadurch, dass das Schalten der Transistoren wesentlich schneller erfolgen kann, da weniger Ladung transportiert werden muss. Dies resultiert in einen Geschwindigkeitsvorteil bei der Datenverarbeitung.One additional Advantage results from the fact that the switching of the transistors can be done much faster because less cargo is transported must become. This results in a speed advantage in the data processing.
Der Potentialausgleich erfolgt vorteilhafterweise durch einen Verbindungstransistor, der zwischen den komplementären Datenausgangsknoten angeordnet ist und durch ein Steuersignal ansteuerbar ist. Bei entsprechender Ansteuerung des Verbindungstransistors werden die komplementären Datenausgangsknoten in dem Potentialausgleichszustand niederohmig verbunden.Of the Potential equalization is advantageously carried out by a connection transistor, the between the complementary Data output node is arranged and controlled by a control signal is. With appropriate control of the connection transistor the complementary ones Data output node in the equipotential state of low impedance connected.
Zur Einstellung des Potentials der komplementären Datenausgangsknoten in dem genannten Zwischenbereich sind vorzugsweise zwei kreuzgekoppelte p-Kanal-Transistoren vorgesehen, deren Source-Anschlüsse jeweils mit einem Versorgungsspannungsanschluss verbunden sind, der auf einem oberen Versorgungsspannungspotential liegt, während Drain-Anschlüsse jeweils mit einem der komplementären Datenausgangsknoten verbunden sind, und deren Gate-Anschlüsse jeweils mit dem Drain-Anschluss des anderen Transistors verbunden sind zur Realisierung der Kreuzkopplung. In vorteilhafter Weise wird dadurch einerseits in dem Potentialausgleichszustand die Festlegung des Potentials der Datenausgangsknoten in dem Zwischenbereich bestimmt und gleichzeitig in einer Bewertungsphase sichergestellt, dass ein High-Signal "aufgefrischt" wird, das heißt auf das volle Versorgungsspannungspotential gezogen wird.to Setting the potential of the complementary data output nodes in the said intermediate region are preferably two cross-coupled P-channel transistors are provided, whose source terminals respectively are connected to a supply voltage terminal, the on an upper supply voltage potential, while drain terminals respectively with one of the complementary Data output nodes are connected, and their gate terminals respectively with the drain connection the other transistor are connected to realize the cross-coupling. On the one hand, this advantageously results in the potential equalization state determines the determination of the potential of the data output nodes in the intermediate area and at the same time in an evaluation phase ensures that a High signal is "refreshed", that is on the full supply voltage potential is drawn.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung sind zwischen die Dateneingangsknoten und den Verbindungstransistor weitere Signalverarbeitungseinheiten wie beispielsweise XOR-Gatter oder Multiplexer geschaltet. Diese können ebenfalls durch Dual-Rail-Steuersignale ansteuerbar sein. In einer günstigen Ausführung können in den Steuersignalen optionale Precharge-Phasen eingefügt werden, so dass die gesamte Schaltung optional auch in einem Sicherheitsmodus genannten Betriebsmodus betrieben werden kann. Die Precharge-Phasen werden dabei zeitlich mit dem Potentialausgleichszustand zusammengelegt, so dass nach außen hin die gleiche Funktionalität gegeben ist, der Stromverbrauch der Schaltungsanordnung jedoch unabhängig von den verarbeiteten Daten ist. Sofern ein Multiplexer verwendet wird, ist es von Vorteil, wenn die dort verwendeten Steuersignale, also die Auswahlsignale, während des Potentialausgleichszustands den gleichen Signalpegel auf weisen. Dies ist zwar ein ungültiges Steuersignal, da dadurch alle Datenquellen ausgewählt werden würden, was jedoch unerheblich ist, da ohnehin aufgrund der niederohmigen Verbindung der Datenausgangsknoten am Ausgang ein ungültiges Signal ausgegeben wird.In an advantageous embodiment of the invention are between the Data input node and the connection transistor further signal processing units such as XOR gates or multiplexer switched. These can also be controlled by dual-rail control signals be controllable. In a cheap execution can optional precharge phases are inserted in the control signals, so that the entire circuit is optional also in a safety mode operating mode can be operated. The precharge phases are temporally merged with the equipotential bonding state, so that outward the same functionality is given, the power consumption of the circuit, however, regardless of the processed data is. If a multiplexer is used, It is advantageous if the control signals used there, ie the selection signals while of the equipotential state have the same signal level. Although this is an invalid control signal, because it would select all data sources, which However, it is irrelevant, because anyway because of the low-resistance connection the data output node at the output an invalid signal is output.
In einem Stromsparmodus genannten Betriebsmodus ist es hingegen nicht erforderlich, bei den Steuersignalen Precharge-Phasen vorzusehen. Dies ist allenfalls dann erforderlich, wenn die Funktion der Schaltungsanordnung dadurch mitbestimmt wird. Beispielsweise ist das der Fall, wenn statt eines Verbindungstransistors, wie oben in einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung vorgeschlagen ist, eine den Datenausgangsknoten vorgeschaltete Signalverarbeitungseinheit so ausgestaltet ist, dass in dieser ebenfalls eine niederohmige Verbindung zwischen den Datenausgangsknoten hergestellt werden kann. In diesem Fall kann es erforderlich sein, diese Signalverarbeitungseinheit mit einem Precharge-Signal anzusteuern, um den Potentialausgleichszustand zu erzeugen, in dem die niederohmige Verbindung zur Anpassung der Potentiale an den komplementären Datenausgangsknoten notwendig ist.In a power saving mode named Be In contrast, it is not necessary to provide drive mode with precharge phases for the control signals. This is at most necessary if the function of the circuit is determined by. For example, this is the case if instead of a connection transistor, as proposed above in an advantageous embodiment of the invention, a data processing node upstream of the data output node is configured so that in this also a low-resistance connection between the data output node can be made. In this case, it may be necessary to drive this signal processing unit with a precharge signal in order to generate the equipotential state in which the low-impedance connection is necessary for adaptation of the potentials at the complementary data output node.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.Further advantageous embodiments of the invention are specified in the subclaims.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigt:The The invention will be explained in more detail with reference to embodiments. It shows:
Die Datenausgangsknoten z und zq sind durch einen Verbindungstransistor P1 miteinander verbindbar. Bei diesem Transistor handelt es sich um einen p-Kanal-Transistor, der durch ein Steuersignal eqq ansteuerbar ist. Wenn das Steuersignal eqq auf „0" liegt, ist der Transistor P1 niederohmig, so dass auch die Knoten z und zq niederohmig miteinander verbunden sind. Ist das Steuersignal eqq „1", so sperrt der Transistor P1 und die Knoten z und zq sind getrennt. Weiterhin sind Transistoren P2 und P2q vorgesehen, deren Lastanschlüsse jeweils zwischen einen der Datenausgangsknoten z und zq sowie einen Versorgungsspannungsanschluss VDD geschaltet sind, der ein oberes Versorgungsspannungspotential VDD führt. Bei beiden Transistoren handelt es sich ebenfalls um p-Kanal-Transistoren. Der Gate-Anschluss des Transistors P2, der zwischen den Datenausgangsknoten z und VDD geschaltet ist, ist mit dem Drain-Anschluss des anderen Transistors P2q verbunden, der gleichzeitig mit dem zweiten Datenausgangsknoten zq verbunden ist. Der Gate-Anschluss des Transistors P2q ist dagegen mit dem Drain-Anschluss des Transistors P2 und dem Datenausgangsknoten z verbunden. Auf diese Weise ist eine Kreuzkopplung realisiert, deren Funktionsweise unten erläutert wird. Zwischen die Dateneingangsknoten a und aq und den Verbindungstransistor P1 sind zwei Pass-Gate-Transistoren geschaltet, um die Dateneingangsknoten von dem Rest der Schaltung abtrennen zu können. Es handelt sich hierbei um n-Kanal-Transistoren N3 und N3q, die von einem Steuersignal s angesteuert werden.The Data output nodes z and zq are through a connection transistor P1 connectable to each other. This transistor is around a p-channel transistor, which can be controlled by a control signal eqq is. When the control signal eqq is at "0", the transistor P1 is low-ohmic, so that also the nodes z and zq are connected to each other with low resistance are. If the control signal eqq "1", the transistor P1 and the locks Nodes z and zq are separated. Furthermore, transistors P2 and P2q provided their load connections in each case between one of the data output nodes z and zq and one Supply voltage terminal VDD are connected, the upper one Supply voltage potential VDD leads. For both transistors these are also p-channel transistors. The gate terminal of the Transistor P2, which is connected between the data output nodes z and VDD is connected to the drain of the other transistor P2q, simultaneously connected to the second data output node zq is. In contrast, the gate terminal of the transistor P2q is connected to the drain terminal of the transistor P2 and the data output node z. On In this way, a cross-coupling is realized, whose operation is below explained becomes. Between the data input nodes a and aq and the connection transistor P1, two pass-gate transistors are connected to the data input nodes to disconnect from the rest of the circuit. These are around n-channel transistors N3 and N3q, which are controlled by a control signal s.
Zunächst wird angenommen, die Transistoren N3 und N3q seien niederohmig gesteuert. Aufgrund des Spannungsabfalls über den Pass-Gate-Transistoren N3 und N3q ist das Potential ausgangsseitig eigentlich geringer als an den eingangseitigen Knoten a und aq. Durch die kreuzgekoppelten Transistoren P2 und P2q wird das Potential jedoch auf das Versorgungsspannungspotential VDD angehoben, wobei dies natürlich nur für den Knoten mit einem High-Signalpegel gilt. Dies ergibt sich daraus, dass der andere Dateneingangsknoten einen Low-Signalpegel führt. Es wird zum Zweck der Erläuterung angenommen, der Dateneingangsknoten a liege auf High-Signalpegel und der Knoten aq liege auf Low-Signalpegel. Das Gate des Transistors P2 wird daher mit einem Low-Signalpegel angesteuert, so dass der Transistor P2 niederohmig ist. Dadurch ist die Verbindung zwischen VDD und dem Datenausgangsknoten z niederohmig, was zu einer Potentialanhebung an dem Knoten z führt. Andererseits wird der Gate-Anschluss des Transistors P2q mit einem High-Signalpegel beaufschlagt, so dass der Transistor P2q hochohmig ist und daher keinen Einfluss auf die Potentiale der Datenausgangsknoten hat.First, will assumed, the transistors N3 and N3q are controlled low resistance. Due to the voltage drop over the pass-gate transistors N3 and N3q, the potential is the output side actually lower than at the input-side nodes a and aq. The cross-coupled transistors P2 and P2q become the potential however, raised to the supply voltage potential VDD, wherein this of course only for the node with a high signal level applies. This results from the other data input node carries a low signal level. It is for the purpose of explanation assume the data input node a is at high signal level and the node aq is at low signal level. The gate of the transistor P2 is therefore driven with a low signal level, so that the transistor P2 is low impedance. This is the connection between VDD and the data output node z low, resulting in a potential increase at the node z leads. On the other hand, the gate terminal of the transistor P2q becomes one High signal level applied, so that the transistor P2q high impedance and therefore has no influence on the potentials of the data output nodes.
Zur Erzeugung eines Potentialausgleichzustandes werden die Dateneingangsknoten a und aq von den Datenaungangsknoten z und zq getrennt, indem die Transistoren N3 und N3q hochohmig gesteuert werden. Sodann wird der Verbindungstransistor P1 durch das Signal eqq niederohmig gesteuert, so dass die Datenausgangsknoten z und zq niederohmig leitend miteinander verbunden sind. Nach einer Übergangsphase werden daher die Knoten z und zq das gleiche Potential annehmen. Durch die Trennung des Knotens zq von dem Knoten aq wird der Knoten zq nicht mehr auf das Bezugspotential entsprechend einem Low-Signalpegel gezogen. Aufgrund der niederohmigen Verbindung über den Transistor P1 steigt das Potential am Knoten zq an. Dadurch wird der Transistor P2 hochohmiger, so dass das Potential am Knoten z sinkt. Gleichzeitig steigt das Potential am Knoten zq weiter an, da über den Transistor P1 ein Ladungsausgleich zwischen den Knoten z und zq erfolgt. Zunächst kann über den Transistor P2 noch ein Strom fließen, der dazu führt, dass das Potential an den Knoten z und zq sich nicht in der Mitte zwischen den früheren Potentialen der Knoten z und zq einstellt, sondern im stationären Zustand einen Wert erreicht, der zwar über dem Mittelwert der Potentiale von z und zq, aber unterhalb des Versorgungsspannungspotentials VDD liegt. Denn bei Erreichen der Spannung VDD minus der Einsatzspannung VTP des Transistors P2 sperrt dieser vollständig, so dass kein weiterer Stromfluss von VDD nach z erfolgen kann. Der Transistor P2q spielt bei diesem Vorgang keine Rolle, da er nicht in den leitenden Zustand übergeht.To generate a potential equalization state, the data input nodes a and aq are separated from the data output nodes z and zq by controlling the transistors N3 and N3q in a high-impedance manner. Then, the connection transistor P1 is low-resistance controlled by the signal eqq, so that the data output nodes z and zq are conductively connected to each other in a low-impedance manner. After a transitional phase, therefore, the nodes z and zq will assume the same potential. Through the doors When the node zq of the node aq is approached, the node zq is no longer pulled to the reference potential corresponding to a low signal level. Due to the low-resistance connection via the transistor P1, the potential at node zq increases. As a result, the transistor P2 becomes higher-impedance, so that the potential at node z drops. At the same time, the potential at the node zq continues to rise, since charge equalization takes place between the nodes z and zq via the transistor P1. First, a current can flow through the transistor P2, which results in that the potential at the nodes z and zq does not settle in the middle between the earlier potentials of the nodes z and zq, but reaches a value in the steady state, although is above the mean of the potentials of z and zq, but below the supply voltage potential VDD. Because when the voltage VDD minus the threshold voltage VTP of the transistor P2 is reached, it completely blocks, so that no further current flow from VDD to z can take place. The transistor P2q plays no role in this process because it does not go into the conductive state.
In einer anschließenden Bewertungsphase wird die Verbindung zwischen z und zq wieder getrennt, indem der Verbindungstransistor P1 hochohmig gesteuert wird. Zudem werden die Transistoren N3 und N3q leitend gesteuert. Wird angenommen, dass der am Dateneingangsknoten aq weiter auf Low-Signalpegel liegt, so wird der Transistor P2 wieder leitend und der Knoten z wird auf das Potential VDD angehoben.In a subsequent Evaluation phase, the connection between z and zq is separated again, by controlling the connection transistor P1 with high resistance. moreover For example, the transistors N3 and N3q are turned on. It is assumed that which is at the data input node aq continues to low signal level, so transistor P2 becomes conductive again and node z goes high raised the potential VDD.
In dem Fall, dass der Knoten a auf Low-Signalpegel liegt, wird dadurch der Knoten z auf Low-Signalpegel gezogen, was dazu führt, dass der Transistor P2q leitend wird und somit den Knoten zq mit VDD verbindet.In in the event that node a is at low signal level, it will the node z is pulled to low signal level, which causes that the transistor P2q becomes conductive and thus the node zq with VDD combines.
Die
Nachfolgend
ist der Multiplexer
Wie
aus der
Bei
Schaltungsanordnungen zur Verarbeitung von Dual-Rail-Signalen kann die
Sicherheit erhöht
werden, indem die Dual-Rail-Signale
mit einer sogenannten Precharge-Phase ausgestattet werden. Die gewünschte Invarianz
der Ladungsintegrale wird nun dadurch erreicht, dass zwischen je
zwei Zuständen
mit gültigen
logischen Werten (b, bn) = (1,0) oder (0,1) ein sogenannter Vorladezustand,
im englischen auch Precharge genannt, eingefügt ist, für den sowohl k als auch kq
auf das selbe elektrische Potential geladen werden, also logisch
ungültige
Werte (1,1) oder (0,0) annehmen. Für den Vorlade-Zustand (1,1) könnte also
eine Zustandsfolge aussehen wie folgt:
(1,1) → (0,1) → (1,1) → (1,0) → (1,1) → (1,0) → (1,1) → (0,1) → ...In circuit arrangements for processing dual-rail signals, the security can be increased by the dual-rail signals are equipped with a so-called precharge phase. The desired invariance of the charge integrals is now achieved by inserting between each two states with valid logic values (b, bn) = (1,0) or (0,1) a so-called precharge state, also called precharge Both k and kq are charged to the same electrical potential, thus assuming logically invalid values (1,1) or (0,0). For the precharge state (1,1), a state sequence could look like this:
(1.1) → (0.1) → (1.1) → (1.0) → (1.1) → (1.0) → (1.1) → (0.1) → .. ,
Für jede beliebige solcher Zeichenfolgen gilt, dass für jeden Übergang (1,1) → (b, bn) genau ein Knoten von "1" nach "0" umgeladen wird, und für alle (b, bn) → (1,1) genau ein Knoten von "0" nach "1", unabhängig vom logischen gültigen Wert b des in Frage stehenden Zustandsbits. Analoges gilt für Zustandsfolgen mit dem Vorlade-Zustand (0,0) oder für Zwischenzustände, die unter Umständen nicht eindeutig einem der beiden logischen Pegel zugeordnet werden kann.For any such strings, for each transition (1,1) → (b, bn) exactly one node is reloaded from "1" to "0", and for all (b, bn) → (1,1) exactly one node from "0" to "1", regardless of the logical valid value b in question standing status bits. The same applies to state sequences with the precharge state (0,0) or for intermediate states, which under certain circumstances can not be unambiguously assigned to one of the two logic levels.
Daraus folgt, dass die diesen Zustandsfolgen entsprechenden Ladungsintegrale unabhängig von der Abfolge (b, bn) der logisch gültigen Werte sind, falls dafür Sorge getragen wird, dass die Knoten k und kq gleiche elektrische Kapazitäten aufweisen. Das Stromprofil eines so implementierten Datenpfades hängt also nicht von zeitlichen Variationen der zu verarbeitenden Daten ab und ist somit resistent gegen differentielle Stromprofilanalyse.from that it follows that the charge integrals corresponding to these state sequences independent of the sequence (b, bn) of the logically valid values are, if necessary is carried that the nodes k and kq have the same electrical capacity. The Current profile of a data path thus implemented depends so not from temporal variations of the data to be processed and is thus resistant to differential current profile analysis.
Beim
Ausführungsbeispiel
gemäß
Ein Nachteil des Betriebs im Sicherheitsmodus ist, dass verhältnismäßig viel Energie umgesetzt wird. Es ist deshalb günstig, die Schaltung in einem Stromsparmodus zu betreiben, wenn keine sicherheitskritischen Daten zu verarbeiten sind. In diesem Stromsparmodus werden die Dual-Rail-Signale ohne Precharge verarbeitet. Ein vollständiges Entladen oder vollständiges Aufladen eines Knotens, obwohl dies aufgrund der Werte der zu übertragenden Daten nicht erforderlich ist, kann dadurch entfallen. Trotzdem können Potentialausgleichszustände, wie sie oben beschrieben wurden, sowohl im Datenpfad als auch in den Steuersignalpfaden eingesetzt werden.One The disadvantage of operating in safety mode is that relatively much Energy is implemented. It is therefore convenient to power the circuit in a power-saving mode operate if no security critical data to process are. In this power-saving mode, the dual-rail signals without precharge processed. A complete Unloading or complete Recharge a node, although this is due to the values of the transferred Data is not required, can be omitted. Nevertheless, equipotential states, such as as described above, both in the data path and in the Control signal paths are used.
Die
Durch
den Multiplexer
Das
Betriebsverhalten der Schaltungsanordnung von
In der nachfolgenden Bewertungsphase innerhalb des Zeitraums Z1 liegen eingangsseitig gültige Dual-Rail-Signale <a, aq>, <ar, arq> und <al, alq> an. Auch die Steuersignale <k0, k0q>, <kr, kr>, <kl, klq>, sr, s0, sl sind gültig. Entsprechend der Schaltungslogik wird an den Ausgängen ein Signal <z, zq> = <1,0> ausgegeben. Die Potentiale an den Knoten z und zq werden dabei durch die Transistoren P2 und P2q in der oben beschriebenen Weise auf VDD bzw. Bezugspotential gezogen. Dadurch ist eine Signalauffrischung mit sauberen Signalpegeln gegeben. In dem Zeitraum Z2 findet ebenfalls eine Datenverarbeitung im Sicherheitsmodus statt, wie anhand der Precharge-Phasen in der ersten Hälfte des Zeitraums erkennbar ist. Im Vergleich zum Zeitraum Z1 werden andere Steuersignale <kr, krq>, <k1, k1q> und sr, s0, sl verarbeitet.In the subsequent evaluation phase within the period Z1 valid on the input side Dual Rail Signals <a, aq>, <ar, arq> and <al, alq>. Also the control signals <k0, k0q>, <kr, kr>, <kl, klq>, sr, s0, sl are valid. Corresponding The circuit logic outputs a signal <z, zq> = <1,0> at the outputs. The potentials at the nodes z and zq are through the transistors P2 and P2q in the manner described above to VDD or reference potential drawn. This is a signal refresh with clean signal levels given. In the period Z2 also finds a data processing in safety mode, as based on the precharge phases in the first half of the period is recognizable. Compared to the period Z1 will be other control signals <kr, krq>, <k1, k1q> and sr, s0, sl are processed.
Nach Ende des Zeitraums Z2 wird die Schaltung in den Stromsparmmodus umgeschaltet, was daran ersichtlich ist, dass zu Beginn des Zeitraums Z3 nicht bei allen Dual-Rail-Signalen eine Precharge-Phase eingefügt wird. Lediglich die Datensignale <ar, arq>, <a, aq> und <al, alq> besitzen eine Precharge-Phase. Dies zeigt, dass auch im Stromsparmodus Dual-Rail-Signale mit Precharge verarbeitet werden können. Wie auch im Sicherheitsmodus stellen sich Potentialausgleichzustände an den Ausgangsknoten z und zq ein. Im Zeitraum Z4 besitzen die Datensignale keine Precharge-Phase, jedoch ist bei den Steuersignalen <kr, krq>, <k0, k0q> und <kl, klq> eine Precharge-Phase vorgesehen. Dies zeigt, dass eine Verarbeitung von Dual-Rail-Signalen ohne Precharge auch mit Steuersignalen erfolgen kann, die eine Precharge-Phase aufweisen. Das Erzeugen des Potentialausgleichzustandes erfolgt wie auch im Zeitraum Z3 durch das Ansteuern des Transistors P1, so dass er niederohmig wird.To At the end of period Z2, the circuit enters the power save mode switched, which shows that at the beginning of the period Z3 not all dual-rail signals a precharge phase is inserted. Only the data signals <ar, arq>, <a, aq> and <al, alq> have a precharge phase. This shows that even in power-saving mode, dual-rail signals are processed with precharge can be. As in the safety mode, equipotential bonding states are set to Output nodes z and zq. In period Z4, the data signals have no precharge phase, but with the control signals <kr, krq>, <k0, k0q> and <kl, klq> a precharge phase is planned. This shows that processing of dual-rail signals without precharge can also be done with control signals, which is a precharge phase exhibit. The generation of the potential equalization state takes place as well as in the period Z3 by the driving of the transistor P1, so that it becomes low impedance.
Wie
anhand der Signalverläufe
im Zeitraum Z5 erkennbar ist, kann ein Potentialausgleichszustand
auch ohne Verwendung des Transistors P1 erzeugt werden. Das Steuersignal
eqq für
den Transistor P1 bleibt auf High-Signalpegel, so dass der Transistor
P1 hochohmig ist. Allerdings ist das Steuersignal <k1, k1q> = <1,1>,
wodurch die Transistoren N6 und N6q sowie N7 und N7q niederohmig
gesteuert werden. Über
die Transistoren N6 und N7 bzw. N6q und N7q ist eine niederohmige
Verbindung zwischen den Datenausgangsknoten z und zq gegeben, so dass
sich ein Potentialausgleich zwischen den Knoten z und zq einstellen
kann. Wenn durch die Steuereinheit
Selbstverständlich sind
für den
Fachmann alternative Ausgestaltungen erfindungsgemäßer Schaltungsanordnungen
gegeben, so dass die Erfindung nicht auf die beschriebenen konkreten
Ausführungsbeispiele
beschränkt
ist. Insbesondere sind die Funktionen der Signalverarbeitungseinheiten
- 1111
- erste Signalverarbeitungseinheitfirst Signal processing unit
- 1212
- zweite Signalverarbeitungseinheitsecond Signal processing unit
- 1313
- Multiplexermultiplexer
- 1414
- Steuereinheitcontrol unit
- N1...N22N1 ... N22
- n-Kanal-Transistorenn-channel transistors
- N1q...N22qN1q ... N22q
- n-Kanal-Transistorenn-channel transistors
- P1, P2, P2qP1, P2, P2q
- p-Kanal-Transistorenp-channel transistors
- s0, sr, sls0, Sr, sl
- Steuersignale für den Multiplexercontrol signals for the multiplexer
- <k0, k0q><k0, k0q>
- Steuersignalcontrol signal
- <kr, krq><kr, krq>
- Steuersignalcontrol signal
- <kl, klq><kl, klq>
- Steuersignalcontrol signal
- <k1, k1q><k1, k1q>
- Steuersignalcontrol signal
- <a, aq><a, aq>
- Datensignaldata signal
- <ar, arq><ar, arq>
- Datensignaldata signal
- <al, alq><al, alq>
- Datensignaldata signal
- <x0, x0q><x0, x0q>
- Zwischensignalintermediate signal
- <xr, xrq><xr, xrq>
- Zwischensignalintermediate signal
- <xl, xlq><xl, xlq>
- Zwischensignalintermediate signal
- <y, yq><y, yq>
- Datensignaldata signal
- <z, zq><z, zq>
- Datensignaldata signal
Claims (17)
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE200510001484 DE102005001484A1 (en) | 2005-01-12 | 2005-01-12 | Switching arrangement for data processing system, has p-channel transistors provided for generation of potential equilibrium condition, in which potential at complementary data output nodes are same |
| FR0510941A FR2880217A1 (en) | 2004-11-03 | 2005-10-26 | MOUNTING WITH SAFETY MODE AND ENERGY SAVING MODE. |
| US11/264,703 US7248506B2 (en) | 2004-11-03 | 2005-10-31 | Circuit arrangement having security and power saving modes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE200510001484 DE102005001484A1 (en) | 2005-01-12 | 2005-01-12 | Switching arrangement for data processing system, has p-channel transistors provided for generation of potential equilibrium condition, in which potential at complementary data output nodes are same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102005001484A1 true DE102005001484A1 (en) | 2006-03-23 |
Family
ID=36001719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE200510001484 Ceased DE102005001484A1 (en) | 2004-11-03 | 2005-01-12 | Switching arrangement for data processing system, has p-channel transistors provided for generation of potential equilibrium condition, in which potential at complementary data output nodes are same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102005001484A1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19631911A1 (en) * | 1996-07-24 | 1998-01-29 | Lg Semicon Co Ltd | Charge feedback differential logic circuit, e.g. for VLSI technology and multimedia system |
| US20020109530A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Atsuki Inoue | Reduced swing charge recycling circuit arrangement and adder including the same |
| DE10324049A1 (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-23 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit and method for operating the integrated circuit |
-
2005
- 2005-01-12 DE DE200510001484 patent/DE102005001484A1/en not_active Ceased
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| OAV | Applicant agreed to the publication of the unexamined application as to paragraph 31 lit. 2 z1 | ||
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8131 | Rejection |