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DE102005006822A1 - Lichtemissions-Bauteil mit organischem Kleber und mit Vertikalstruktur - Google Patents

Lichtemissions-Bauteil mit organischem Kleber und mit Vertikalstruktur Download PDF

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Abstract

Ein Lichtemissions-Bauteil (1, 2) mit organischem Kleber mit Vertikalstruktur ist mit Folgendem versehen: einer ersten Halbleiter-Stapelschicht mit konkav-konvexer Oberfläche; einer darauf hergestellten ersten Metallschicht; einem darauf hergestellten organischen Klebematerial und einer darauf hergetellten zweiten Halbleiter-Stapelschicht; wobei auf Grund des Vorliegens der konkav-konvexen Oberfläche die Gesamtheit oder ein Teil der ersten Metallschicht auf derselben das organische Klebematerial durchstoßen kann, um einen ohmschen Kontakt zur zweiten Halbleiter-Stapelschicht zu bilden.

Description

  • Priorität: 20. Feb. 2004, Rep. China (TW), 93104392
  • Die Erfindung betrifft ein Lichtemissions-Bauteil mit organischem Kleber und Vertikalstruktur, insbesondere eine LED (Licht emittierende Diode).
  • LEDs haben umfangreiche Anwendungen, und sie werden bei optischen Anzeigevorrichtungen, Verkehrssignalen, Datenspeichern, Kommunikationsvorrichtungen, Beleuchtungsvorrichtungen und medizinischen Geräten angewandt. Infolge dessen ist es wesentlich, die Helligkeit von LEDs zu erhöhen und ihren Herstellprozess zu vereinfachen, um ihre Kosten zu senken.
  • Eine LED und ein Verfahren zu deren Herstellung sind in der US-Veröffentlichung Nr. 2004-0106225 offenbart, wobei eine LED-Stapelschicht durch eine transparente Klebeschicht auf ein transparentes Substrat geklebt ist, damit zu diesem emittiertes Licht nicht absorbiert wird, um so die Helligkeit der Diode zu verbessern. Jedoch ist die bekannte Technik auf Grund der fehlenden Leitfähigkeit der transparenten Klebeschicht zwar zur Verwendung bei Dioden, bei denen sich zwei Elektroden auf derselben Seite befinden, geeignet, jedoch ist sie ungeeignet zur Verwendung bei Dioden, bei denen Elektroden auf der Ober- bzw. der Unterseite ausgebildet sind. Außerdem muss ein Teil der Dioden-Stapelschicht durch einen Ätzprozess entfernt werden, um zwei Elektroden auf derselben Seite zu erzeugen. Bei dieser Vorgehensweise wird nicht nur Material vergeudet, sondern es wird auch die Kompliziertheit der Prozesse erhöht.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Lichtemissions-Bauteil mit Vertikalstruktur zu schaffen, bei dem eine Licht emittierende Stapelschicht und ein leitendes Substrat miteinander in ohmschem Kontakt stehen.
  • Diese Aufgabe ist durch das Lichtemissions-Bauteil gemäß dem beigefügten Anspruch 1 gelöst. Das erfindungsgemäße Lichtemissions-Bauteil ist einfacher und damit billiger als herkömmliche derartige Bauteile herstellbar. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand abhängiger Ansprüche.
  • Bei einem erfindungsgemäße Lichtemissions-Bauteil sind die folgenden Schichten in der genannten Reihenfolge vorhanden: ein leitendes Substrat mit zerklüfteter Oberfläche; eine erste Metallschicht; ein organisches Klebematerial; eine zweite Metallschicht, wobei ein Teil derselben oder die gesamte über das organische Klebematerial auf Grund der zerklüfteten Oberfläche mit der ersten Metallschicht in Kontakt steht; eine Reflexionsschicht und eine Licht emittierende Stapelschicht. Durch die Verwendung der ersten und der zweiten Metallschicht ist die Haftfestigkeit verbessert.
  • Die vorstehenden und andere Aufgaben der Erfindung werden dem Fachmann beim Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung der durch die Figuren veranschaulichten bevorzugten Ausführungsform ersichtlich werden.
  • Die 1 und 2 sind schematische Querschnitte zum Veranschaulichen einer ersten und einer zweiten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Lichtemissions-Bauteils mit organischem Kleber mit Vertikalstruktur.
  • Das in der 1 dargestellte Lichtemissions-Bauteil 1 mit organischem Kleber verfügt über die folgenden Schichten in der genannten Reihenfolge: eine erste Elektrode 20; ein leitendes Substrat 10 mit konkav-konvexer Oberfläche, eine erste Metallschicht 110; ein organisches Klebematerial 122; eine zweite Metallschicht 111, die über einen Teil oder ihre Gesamtheit nach einem Pressprozess über das organische Kle bematerial 122 mit der ersten Metallschicht 110 in Kontakt steht; eine Reflexionsschicht 13, eine transparente, leitende Schicht; eine erste Kontaktschicht 15; eine erste Verbindungsschicht 16; eine Licht emittierende Schicht 17, eine zweite Verbindungsschicht 18; eine zweite Kontaktschicht 19 und eine zweite Elektrode 21. Die erste und die zweite Metallschicht werden dazu verwendet, die Haftung zum Klebematerial zu verstärken. Zum Ausbilden der konkav-konvexen Oberfläche mit einem vorbestimmten Muster, oder als unregelmäßig aufgerauhte Oberfläche, ist ein Ätzen des leitenden Substrats erforderlich. Die zum Verbessern der Helligkeit verwendete Reflexionsschicht 13 ist nicht zwingend erforderlich, kann also weggelassen werden.
  • Die in der 2 dargestellte zweite Ausführungsform verfügt über die folgenden Schichten in der genannten Reihenfolge: eine erste Elektrode 220; ein leitendes Substrat 210; eine erste Metallschicht 2120; ein organisches Klebematerial 2112; eine zweite Metallschicht 2121 mit konkav-konvexer Oberfläche; eine Reflexionsschicht 212; eine transparente, leitende Schicht 213 und eine erste Kontaktschicht 214 mit konkav-konvexer Unterseite. Die an diese konkav-konvexe Unterseite angrenzende transparente, leitende Schicht, die zu dieser wiederum benachbarte Reflexionsschicht sowie die zu dieser benachbarte liegende zweite Metallschicht verfügen auf Grund eines Pressprozesses über jeweilige konkav-konvexen Flächen. Ferner steht die Gesamtheit oder ein Teil der zweiten organische 2121 durch das organische Klebematerial 2112 mit der ersten Metallschicht 2120 in ohmschem Kontakt. Das genannte Lichtemissions-Bauteil 2 verfügt auch über die folgenden weiteren Schichten in der genannten Reihenfolge über der ersten Kontaktschicht: eine erste Verbindungsschicht 215; eine Licht emittierende Schicht 216; eine zweite Verbindungsschicht 217; eine zweite Kontaktschicht 218 und eine zweite Elektrode 221. Die erste und die zweite Me tallschicht verstärken die Haftkraft zum Klebematerial. Zum Ausbilden der genannten konkav-konvexen Unterseite mit einem vorbestimmten Muster oder als unregelmäßig aufgerauhte Oberfläche ist ein Ätzvorgang erforderlich. Die zum Verbessern der Helligkeit verwendete Reflexionsschicht 212 ist nicht erforderlich, kann also weggelassen werden.
  • Das leitende Substrat besteht aus mindestens einem Material, das aus der aus GaP, GaAsP, AlGaAs, Si, SiC, Ge, Cu, Al, Mo, einem MMC(metal matrix composite = Metallmatrix-Verbundstoff)-Träger und anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist, wobei der MMC-Träger ein Träger mit mit einer Metallmatrix gefüllten Löchern und mit einstellbarem Wärmeübertragungskoeffizient und/oder einstellbarem Wärmeexpansionskoeffizient ist. Das Klebematerial besteht aus mindestens einem Material, das aus der aus Polyimid (PI), Benzocyclobutan (BCB) und Perfluorcyclobutan (PFCB) bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die Reflexionsschicht besteht aus mindestens einem Material, das aus der aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ge, Ag, Ti, Pb, Pd, Cu, AuBe, AuGe, Bi, Cr, PbSn, AuZn und Indiumzinnoxid bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die erste und die zweite besteht aus mindestens einem Material, das aus der aus bestehen aus mindestens einem Material, das aus der aus Ti und Cr bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die erste und die zweite Verbindungsschicht bestehen aus mindestens einem Material, das aus der aus AlIn-GaP, AlInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlInGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die Licht emittierende Stapelschicht besteht aus mindestens einem Material, das aus der aus AlIn-GaP, GaN, InGaN und AlInGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die erste und die zweite Kontaktschicht bestehen aus mindestens einem Material, das aus der aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlInGaP, AlGaAs, GaN, InGaN und AlGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die transparente, leitende Schicht besteht aus mindestens einem Material, das aus der aus Indi umzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid, Zinkzinnoxid, Be/Au, Ge/Au und Ni/Au bestehenden Gruppe ausgewählt ist.

Claims (26)

  1. Lichtemissions-Bauteil (1, 2) mit organischem Kleber mit Vertikalstruktur; mit: – einer ersten Halbleiter-Stapelschicht mit konkav-konvexer Oberfläche; – einer darauf hergestellten ersten Metallschicht (110; 2120); – einem darauf hergestellten organischen Klebematerial (122; 2112); und – einer darauf hergestellten zweiten Halbleiter-Stapelschicht; – wobei auf Grund des Vorliegens der konkav-konvexen Oberfläche die Gesamtheit oder ein Teil der ersten Metallschicht auf derselben das organische Klebematerial durchstoßen kann, um einen ohmschem Kontakt zur zweiten Halbleiter-Stapelschicht zu bilden.
  2. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Halbleiter-Stapelschicht ein leitendes Substrat (10; 210) ist.
  3. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Halbleiter-Stapelschicht aus Folgendem besteht: – einer ersten leitenden Halbleiter-Stapelschicht; – einer auf dieser hergestellten Licht emittierenden Schicht; und – einer darauf hergestellten zweiten leitenden Halbleiter-Stapelschicht.
  4. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Halbleiter-Stapelschicht ein leitendes Substrat (10; 210) ist.
  5. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Halbleiter-Stapelschicht aus Folgendem besteht: – einer ersten leitenden Halbleiter-Stapelschicht; – einer auf dieser hergestellten Licht emittierenden Schicht; und – einer darauf hergestellten zweiten leitenden Halbleiter-Stapelschicht.
  6. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem organischen Klebematerial und der zweiten Halbleiter-Stapelschicht eine Reflexionsschicht vorhanden ist.
  7. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der ersten Metallschicht und der ersten Halbleiter-Stapelschicht eine Reflexionsschicht vorhanden ist.
  8. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die konkav-konvexe Oberfläche eine unregelmäßig aufgerauhte Fläche ist.
  9. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Halbleiter-Stapelschicht mit der ersten Metallschicht in ohmschem Kontakt steht.
  10. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem organischen Klebematerial und der Reflexionsschicht eine zweite Metallschicht ausgebildet ist.
  11. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die leitende Schicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus GaP, GaAsP, AlGaAs, Si, SiC, Ge, Cu, Al, Mo und einem MMC-Träger bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  12. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche eine durch Ätzen ausgebildete gleichmäßige Verteilung aufweist.
  13. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das organische Klebematerial aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus Polyimid (PI), Benzocyclobutan (BCB) und Perfluorcyclobutan (PFCB) bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  14. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus Ti und Cr bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  15. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zweite Metallschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus Ti und Cr bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  16. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflexionsschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ge, Ag, Ti, Pb, Pd, Cu, AuBe, AuGe, Bi, Cr, PbSn, AuZn und Indiumzinnoxid bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  17. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem organischen Klebematerial und der zweiten Halbleiter-Stapelschicht eine zweite Metallschicht ausgebildet ist, wobei die Gesamtheit oder ein Teil der ersten Metallschicht auf der konkav-konvexen Oberfläche das organische Klebematerial durchstößt, um mit der zweiten Metallschicht in ohmschem Kontakt zu stehen.
  18. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem organischen Klebematerial und der ersten Halbleiter-Stapelschicht eine erste Metallschicht ausgebildet ist, wobei die Gesamtheit oder ein Teil der zweiten Metallschicht auf der konkav-konvexen Oberfläche das organische Klebematerial durchstößt, um mit der ersten Metallschicht in ohmschem Kontakt zu stehen.
  19. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass zweite Metallschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus Ti und Cr bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  20. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass zweite Metallschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus Ti und Cr bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  21. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Reflexionsschicht und der zweiten Halbleiter-Stapelschicht eine transparente, leitende Schicht vorhanden ist.
  22. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Reflexionsschicht und der ersten Halbleiter-Stapelschicht eine transparente, leitende Schicht vorhanden ist.
  23. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Licht emittierende Stapelschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus AlInGaP, GaN, InGaN und AlInGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  24. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Licht emittierende Stapelschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus AlInGaP, GaN, InGaN und AlInGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  25. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die transparente, leitende Schicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid, Zinkzinnoxid, Be/Au, Ge/Au und Ni/Au bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  26. Lichtemissions-Bauteil nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die transparente, leitende Schicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid, Zinkzinnoxid, Be/Au, Ge/Au und Ni/Au bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI270991B (en) * 2004-01-16 2007-01-11 Epistar Corp Organic adhesive light-emitting device with ohmic metal contact
TWI236837B (en) * 2004-02-20 2005-07-21 Epistar Corp Organic adhesive light emitting element with ohmic metal protrusion
TWI243492B (en) * 2004-11-03 2005-11-11 Epistar Corp Light-emitting diodes
JP5032017B2 (ja) * 2005-10-28 2012-09-26 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
JP2009530798A (ja) * 2006-01-05 2009-08-27 イルミテックス, インコーポレイテッド Ledから光を導くための独立した光学デバイス
DE102007004302A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
KR20090064474A (ko) 2006-10-02 2009-06-18 일루미텍스, 인크. Led 시스템 및 방법
KR20080049947A (ko) * 2006-12-01 2008-06-05 엘지전자 주식회사 방송 시스템, 인터페이스 방법, 및 데이터 구조
TWI394290B (zh) * 2006-12-18 2013-04-21 台達電子工業股份有限公司 電激發光裝置及其製造方法
US8299501B2 (en) 2007-05-30 2012-10-30 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
JP5123573B2 (ja) 2007-06-13 2013-01-23 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US7829358B2 (en) 2008-02-08 2010-11-09 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
KR20100008123A (ko) * 2008-07-15 2010-01-25 고려대학교 산학협력단 이중 히트 씽크층으로 구성된 지지대를 갖춘 고성능수직구조의 반도체 발광소자
JP2010034100A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Oki Data Corp 半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置
KR100992728B1 (ko) * 2008-10-20 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR100992776B1 (ko) 2008-11-14 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101047634B1 (ko) * 2008-11-24 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8450767B2 (en) * 2009-05-08 2013-05-28 Epistar Corporation Light-emitting device
US7906795B2 (en) 2009-05-08 2011-03-15 Epistar Corporation Light-emitting device
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
KR101081166B1 (ko) * 2009-09-23 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR20110062128A (ko) * 2009-12-02 2011-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
KR100986397B1 (ko) * 2010-02-08 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
CN101820040A (zh) * 2010-05-11 2010-09-01 武汉迪源光电科技有限公司 一种发光二极管
TWI513038B (zh) * 2011-01-12 2015-12-11 Epistar Corp 發光裝置
JP4940359B1 (ja) 2011-01-17 2012-05-30 Dowaエレクトロニクス株式会社 発光素子と発光素子および半導体素子の製造方法
CN102148324B (zh) * 2011-01-24 2012-11-21 中微光电子(潍坊)有限公司 一种带有衬底聚光反射镜的led芯片及其制作方法
KR101742618B1 (ko) * 2011-01-26 2017-06-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법
JP2012175040A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Toshiba Corp 半導体発光素子及び発光装置
JP5743806B2 (ja) * 2011-08-23 2015-07-01 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光装置、及び窒化物半導体発光素子の製造方法
US8518204B2 (en) 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
US8809875B2 (en) 2011-11-18 2014-08-19 LuxVue Technology Corporation Micro light emitting diode
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
JP5661660B2 (ja) * 2012-02-07 2015-01-28 株式会社東芝 半導体発光素子
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US8546831B1 (en) * 2012-05-17 2013-10-01 High Power Opto Inc. Reflection convex mirror structure of a vertical light-emitting diode
US8816379B2 (en) 2012-05-17 2014-08-26 High Power Opto, Inc. Reflection curved mirror structure of a vertical light-emitting diode
US8748928B2 (en) 2012-05-17 2014-06-10 High Power Opto, Inc. Continuous reflection curved mirror structure of a vertical light-emitting diode
US8941215B2 (en) 2012-09-24 2015-01-27 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
JP5396526B2 (ja) * 2012-10-23 2014-01-22 ローム株式会社 半導体発光素子
US9105714B2 (en) * 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US9166114B2 (en) 2012-12-11 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity
US9035279B2 (en) 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US9087764B2 (en) 2013-07-26 2015-07-21 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
JP6027511B2 (ja) 2013-09-12 2016-11-16 株式会社東芝 半導体装置
US9153548B2 (en) 2013-09-16 2015-10-06 Lux Vue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation
TWI578582B (zh) * 2015-04-16 2017-04-11 凱鈺科技股份有限公司 發光二極體載板及其製造方法
CN105226154B (zh) * 2015-10-27 2019-03-05 天津三安光电有限公司 一种led芯片结构与制造方法
CN106784223B (zh) * 2016-12-22 2019-05-14 天津三安光电有限公司 发光二极管及其制作方法
US10734269B1 (en) * 2017-06-07 2020-08-04 Apple Inc. Micro device metal joint process
JP2023136805A (ja) * 2022-03-17 2023-09-29 日本碍子株式会社 Si-SiC系複合構造体の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100437886B1 (ko) * 2001-09-25 2004-06-30 한국과학기술원 고발광효율 광결정 유기발광소자
DE10158754A1 (de) * 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Halbleiderbauelement
US6900476B2 (en) * 2001-11-30 2005-05-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting semiconductor component
TW513820B (en) * 2001-12-26 2002-12-11 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and its manufacturing method
TW577178B (en) * 2002-03-04 2004-02-21 United Epitaxy Co Ltd High efficient reflective metal layer of light emitting diode
TW544958B (en) 2002-07-15 2003-08-01 Epistar Corp Light emitting diode with an adhesive layer and its manufacturing method
TWI270991B (en) * 2004-01-16 2007-01-11 Epistar Corp Organic adhesive light-emitting device with ohmic metal contact

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