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DE102004052445A1 - Nanostructure carrier, process for its preparation and its use - Google Patents

Nanostructure carrier, process for its preparation and its use Download PDF

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DE102004052445A1
DE102004052445A1 DE200410052445 DE102004052445A DE102004052445A1 DE 102004052445 A1 DE102004052445 A1 DE 102004052445A1 DE 200410052445 DE200410052445 DE 200410052445 DE 102004052445 A DE102004052445 A DE 102004052445A DE 102004052445 A1 DE102004052445 A1 DE 102004052445A1
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Germany
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substrate
nanotubes
nanostructure
layer
nanoporous
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DE200410052445
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German (de)
Inventor
Meinhard Prof. Dr. Knoll
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Westfaelische Wilhelms Universitaet Muenster
Original Assignee
Westfaelische Wilhelms Universitaet Muenster
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Publication date
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    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Nanostrukturträger, ein Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung. Die so hergestellten Nanostrukturträger besitzten Nanoröhren, Nanodrähte oder Nanostege, deren Achsen lateral, d. h. parallel, zur Substratoberfläche liegen, wobei die Achsrichtungen für unterschiedliche Substrat-Flächenelemente gleich oder unterschiedlich definiert sein können. Solche Nanostrukturen werden für die Weiterentwicklung der Mikroelektronik zur Nanoelektronik sowie für sensorische bzw. analytische Zwecke und als Werkzeuge in der Nano-Biotechnologie verwendet.The invention relates to a nanostructure support, a process for its preparation and its use. The nanostructured supports thus prepared had nanotubes, nanowires, or nanorods whose axes are lateral, d. H. parallel to the substrate surface, wherein the axial directions for different substrate surface elements may be defined the same or different. Such nanostructures are used for the further development of microelectronics for nanoelectronics as well as for sensory or analytical purposes and as tools in nano-biotechnology.

Description

Die Erfindung betrifft einen Nanostrukturträger, ein Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung. Die so hergestellten Nanostrukturträger besitzen Nanoröhren, Nanodrähte oder Nanostege, deren Achsen lateral, d.h. parallel zur Substratoberfläche liegen, wobei die Achsrichtungen für unterschiedliche Substrat-Flächenelemente gleich oder unterschiedlich definiert sein können. Solche Nanostrukturen werden für die Weiterentwicklung der Mikroelektronik zur Nanoelektronik sowie für sensorische bzw. analytische Zwecke und als Werkzeuge in der Nano-Biotechnologie verwendet.The The invention relates to a nanostructure support, a method for the same Production as well as its use. The nanostructure carriers produced in this way have nanotubes, nanowires or Nanostege whose axes are lateral, i. lie parallel to the substrate surface, where the axis directions for different substrate surface elements can be defined the same or different. Such nanostructures be for the advancement of microelectronics to nanoelectronics as well for sensory analytical purposes and as tools in nano-biotechnology used.

Im Stand der Technik sind sehr dünne Röhren und Drähte mit Durchmessern von einigen 10 bis 100 nm auf Substraten bekannt. So lehrt W.S.Shi et al. Chemical Physics Letters 345 (2001), S. 377 bis 380 derartige Röhren, deren Achsen unregelmäßig in alle Richtungen ausgerichtet sind.in the State of the art are very thin roar and wires with diameters of some 10 to 100 nm on substrates known. Thus W.S.Shi et al. Chemical Physics Letters 345 (2001), p. 377 to 380 such tubes, their axes are irregular in all Directions are aligned.

Aus K. Nielsch et al., Matt. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 705 (2003), S. Y 9.3.1 bis Y 9.3.6 sind Nanostrukturen bekannt, die senkrecht zur Substratoberfläche mit einer regelmäßigen Verteilung angeordnet sind.Out K. Nielsch et al., Matt. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 705 (2003), S. Y 9.3.1 to Y 9.3.6 are known nanostructures that are perpendicular to the substrate surface with a regular distribution are arranged.

Unter den Herstellungstechniken sind elektrochemische Verfahren, z.B. durch anodische Oxidation, zur Herstellung von senkrechten und regelmäßig verteilten Poren in Form von senkrechten Nanoröhren bekannt. Die Anordnung der Poren ergibt sich dabei durch Selbstorganisation. Es können hierbei Porenlängen von 0,2 bis 200 μm und Porenabstände und Porendurchmesser von 50 bis 500 nm erzeugt werden (K. Nielsch et al., Adv. Matr. 2000, 12, Nr. 8, S. 582 bis 586).Under The fabrication techniques are electrochemical methods, e.g. by anodic oxidation, for the production of vertical and regularly distributed Pores in the form of vertical nanotubes known. The order The pores result from self-organization. It can do this pore lengths from 0.2 to 200 μm and pore distances and pore diameters of 50 to 500 nm are produced (K. Nielsch et al., Adv. Matr. 2000, 12, No. 8, pp. 582 to 586).

Mit diesem Stand der Technik ist jedoch der Nachteil verbunden, dass Nanoröhren und Nanodrähte nicht lateral in dünnen Schichten und mit unterschiedlich definierten Winkeln in unterschiedlichen Substratflächenelementen hergestellt werden können. Somit existiert bislang keine Technologie, die das Potential für eine Massenproduktion und Parallelfertigung für die Nanoelektronik, für sensorische bzw. analytische Zwecke oder für Werkzeuge der Nano-Biotechnologie bietet.With However, this prior art has the disadvantage that nanotubes and nanowires not lateral in thin Layers and with differently defined angles in different substrate surface elements can be produced. So far there is no technology that has the potential for mass production and parallel production for the nanoelectronics, for sensory or analytical purposes or for tools of nano-biotechnology offers.

Ausgehend hiervon war es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Nanostrukturträger bereit zu stellen, die den Einsatz in der Nanoelektronik, für sensorische oder analytische Zwecke sowie für Werkzeuge der Nano-Biotechnologie erlauben. Diese sollen einfach und kostengünstig herstellbar sein, sodass sie der Massenproduktion zugänglich sind.outgoing It was an object of the present invention to provide nanostructured supports to put to the use in nanoelectronics, for sensory or analytical purposes and tools of nano-biotechnology allow. These should be easy and inexpensive to produce, so they are accessible to mass production are.

Diese Aufgabe wird durch das Verfahren zur Herstellung eines Nanostrukturträgers mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie durch den Nanostrukturträger mit den Merkmalen des Anspruchs 11 gelöst. Die weiteren abhängigen Ansprüche zeigen vorteilhafte Weiterbildungen auf. In den Ansprüchen 21 bis 25 werden Verwendungen der erfindungsgemäßen Nanostrukturträger beschrieben.These The object is achieved by the method for producing a nanostructure carrier the features of claim 1 and by the nanostructured with the features of claim 11 solved. The further dependent claims show advantageous developments. In claims 21 to 25 are uses the nanostructure carrier according to the invention.

Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung eines Nanostrukturträgers bereitgestellt, das auf folgenden Schritten beruht:

  • a) Eine Oberfläche eines Substrats wird mit einer Beschichtung aus einem nanoporös strukturierbaren Material versehen.
  • b) Auf dem beschichteten Substrat wird eine Abdeckschicht aufgebracht, sodass mindestens eine zur Substratoberfläche senkrechte Oberfläche unbedeckt bleibt.
  • c) Anschließend erfolgt eine elektrochemische Oxidation unter Ausbildung von zur Substratoberfläche lateral angeordneten, selbst organisierten Nanoröhren.
According to the invention, a method is provided for producing a nanostructure carrier based on the following steps:
  • a) A surface of a substrate is provided with a coating of a nanoporous structurable material.
  • b) A covering layer is applied to the coated substrate so that at least one surface perpendicular to the substrate surface remains uncovered.
  • c) Subsequently, an electrochemical oxidation takes place with formation of self-organized nanotubes arranged laterally to the substrate surface.

Die mit der Erfindung erzielten Vorteile liegen insbesondere darin, dass laterale Nanoröhren, Nanostege und Nanodrähte in dünnen Schichten auf Substraten so hergestellt werden können, dass ihre Achsen parallel zur Substratoberfläche liegen und ihre Ausrichtungen für unterschiedliche Substrat-Flächenelemente gleich oder unterschiedlich definiert sind. Damit wird es zum ersten Mal ermöglicht, solche Nanostrukturträger für eine Weiterentwicklung der Mikroelektronik zur Nanoelektronik, für sensorische bzw. analytische Zwecke und als Werkzeug der Nano-Biotechnologie herzustellen und einzusetzen.The particular advantages of the invention are that lateral nanotubes, Nanostege and nanowires in thin Layers on substrates can be made so that their axes are parallel to the substrate surface lie and their orientations for different substrate surface elements are defined the same or different. This will be the first Time allows such nanostructure carriers for further development of the Microelectronics for nanoelectronics, for sensory and analytical To create purposes and as a tool of nano-biotechnology and use.

Die Schichtdicke der Beschichtung aus einem nanoporös strukturierbaren Material kann im Bereich einer Monolage gewählt werden, wodurch Monolagen von Nanoröhren erzeugt werden können.The Layer thickness of the coating of a nanoporous structurable material can be chosen in the range of a monolayer, creating monolayers of nanotubes can be generated.

Das nanoporös strukturierbare Material, bspw. aus Aluminium, kann z.B. durch Aufdampfung im Vakuum oder durch einen Sputterprozess aufgebracht und anschließend in seiner Struktur günstig für die elektrochemische Oxidation vorbereitet werden. Hierzu kann eine Temperung unter Stickstoffatmosphäre bei Temperaturen von z.B. 500 °C durchgeführt werden. Dabei wachsen die zunächst kleinen Kristallite auf Größen im mm-Bereich an. Vor der Oxidation kann die freiliegende Fläche des zu strukturierenden Materials nach dem Stand der Technik z.B. nasschemisch, elektrochemisch oder im Plasma gereinigt sowie auch elektropoliert werden. Das Material der nanoporös strukturierbaren Schicht wird als Anode kontaktiert. Als Kathodenmaterial können dienen: Pt, Ag, Ag/AgCl, Pb. Als Elektrolyte können z.B. Oxalsäure, Schwefelsäure und Phosphorsäure eingesetzt werden. Die Oxidation kann bei elektrischen Spannungen zwischen 10 V und 200 V durchgeführt werden: z.B. 25 V bei Schwefelsäure, 40 V bei Oxalsäure, 195 V bei Phosphorsäure. Die Temperatur des Elektrolyten kann bei 25 °C liegen. Für eine langsame Prozessführung sind geringere Temperaturen von 0 bis 5 °C geeignet.The nanoporous structurable material, for example of aluminum, can be applied, for example, by vapor deposition in vacuo or by a sputtering process and then be prepared in its structure favorable for the electrochemical oxidation. For this purpose, a heat treatment under a nitrogen atmosphere at temperatures of, for example, 500 ° C can be performed. The initially small crystallites grow to sizes in the mm range. Before the oxidation, the exposed surface of the material to be structured according to the prior art, for example, wet-chemical, electrochemical or plasma cleaned and also electropolished. The material of the nanoporous structurable layer is contacted as an anode. The following can be used as the cathode material: Pt, Ag, Ag / AgCl, Pb. As electrolytes, for example Oxalic acid, sulfuric acid and phosphoric acid are used. The oxidation can be carried out at electrical voltages between 10 V and 200 V: for example, 25 V for sulfuric acid, 40 V for oxalic acid, 195 V for phosphoric acid. The temperature of the electrolyte may be 25 ° C. Lower temperatures of 0 to 5 ° C are suitable for slow process control.

Weiterhin ist es möglich, im Anschluss an Schritt c) die Abdeckschicht zu entfernen. Wird hierbei eine Schichtdicke der Beschichtung aus dem nanoporös strukturierbaren Material im Bereich einer Monolage gewählt, so bleiben nach Entfernung der Abdeckschicht die Seitenwände der Nanoröhren als Nanostege zurück.Farther Is it possible, following step c) to remove the cover layer. Becomes In this case, a layer thickness of the coating from the nanoporous structurable Material chosen in the area of a monolayer, so stay after removal the cover layer the side walls the nanotubes back as a nanostege.

Als nanoporös strukturierbares Material werden solche Materialien ausgewählt, die elektrochemisch oxidierbar sind, wie Aluminium, Titan, u.a.When nanoporous structurable material, such materials are selected which are electrochemically oxidizable, such as aluminum, titanium, u.a.

Das Substrat besteht vorzugsweise aus einem elektrisch isolierenden Material oder einem Material mit einem höheren spezifischen Widerstand als dem spezifischen Widerstand des Beschichtungsmaterials, d.h. des nanoporös strukturierbaren Materials. Besonders bevorzugt ist das Substrat ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Glas, Keramik und Kunststoff. Besteht das Substrat aus einem anderen Material, z.B. einem Metall oder einem Halbleiter wie Silizium, so kann es durch Abdeckung mit einem Material, das die genannten Kriterien für das Substrat erfüllt, versehen werden. Vorzugsweise sind dies z.B. auf Silizium-Substraten Isolationsschichten aus Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid u.a.The Substrate is preferably made of an electrically insulating Material or a material with a higher resistivity as the resistivity of the coating material, i. of the nanoporous structurable material. Particularly preferred is the substrate selected from the group consisting of glass, ceramics and plastic. Consists the substrate of another material, e.g. a metal or a semiconductor such as silicon, so it can by covering with a Material that meets the criteria for the substrate, provided become. Preferably, these are e.g. on silicon substrates insulating layers Silicon dioxide, silicon nitride, alumina, and the like.

Die Ausrichtung der Nanoröhren, Nanodrähte und/oder Nanostege wird durch die Wahl der Randkonturen der Beschichtung bestimmt. Damit werden auch die Achsrichtungen der Nanostrukturen durch die Randbedingungen bei der elektrochemischen Oxidation definiert. So liegen die Achsen senkrecht zu der/den zur Substratoberfläche senkrechten Oberflächen der unbedeckten Beschichtung aus nanoporös strukturierbarem Material und parallel zur Substratoberfläche. Weitere Randbedingungen ergeben sich aus der Kontur der zu strukturierenden Schicht, der Art des Substrats, z.B. einem elektrisch nicht leitenden Substrat oder gegebenen falls einem abschnittsweise elektrisch leitenden Substrat, und aus der Form der Substratoberfläche und der Abdeckschicht sowie dem Schichtdickenverlauf.The Alignment of the nanotubes, nanowires and / or Nanostege is determined by the choice of the edge contours of the coating certainly. This also allows the axial directions of the nanostructures to penetrate defines the boundary conditions in electrochemical oxidation. Thus the axes are perpendicular to the surface (s) perpendicular to the substrate surface uncovered coating of nanoporous structurable material and parallel to the substrate surface. Further boundary conditions result from the contour of the layer to be structured, the type of substrate, e.g. an electrically non-conductive substrate or, if appropriate, a partially electrically conductive substrate, and from the shape of the substrate surface and the cover layer as well the layer thickness profile.

Die Haft- und Kontakteigenschaften zwischen dem Substrat und der Beschichtung aus dem nanoporös strukturierbaren Material können bevorzugt durch Temperprozesse gezielt eingestellt werden.The Adhesive and contact properties between the substrate and the coating from the nanoporous structurable material can preferably be adjusted by annealing processes targeted.

Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens werden auf den lateral angeordneten, selbst organisierten Nanoröhren, Nanodrähten und/oder Nanostegen durch Wiederholung der Schritte a) bis c) weitere Nanoröhren, Nanodrähte und/oder Nanostege erzeugt. Hierdurch können zwei übereinander liegende Schichten von Nanostrukturen, die z.B. senkrecht zueinander angeordnet sind, erzeugt werden. Gleichzeitig ist es auch möglich, dass zwischen diesen Nanostrukturschichten eine zusätzliche Zwischenschicht angeordnet ist. Es handelt sich hierbei um typische Anordnungen, wie sie z.B. in der Nanoelektronik für Speicheranordnungen Verwendung finden.To a further preferred embodiment the method according to the invention be on the laterally arranged, self-organized nanotubes, nanowires and / or Nanostegen by repeating the steps a) to c) further nanotubes, nanowires and / or Nanostege generated. This allows two on top of each other lying layers of nanostructures, e.g. perpendicular to each other are arranged to be generated. At the same time it is also possible that an additional intermediate layer is arranged between these nanostructure layers is. These are typical arrangements, e.g. in nanoelectronics for Memory arrangements find use.

Zur Herstellung von Nanodrähten können die Nanoröhren mit einem Metall, einem Polymer, einer metallhaltigen anorganischen Verbindung oder deren Gemischen gefüllt werden, wobei dann im Anschluss die Nanoröhren unter Zurückbleiben der Nanodrähte chemisch, z.B. durch Ätzen, zerstört werden. Alternativ lassen sich Nanodrähte dadurch herstellen, dass Nanostege z.B. nach Beschichtung mit einem Metall oder einem anderen Material entfernt werden (LIFT-OFF-Verfahren). Das zwischen den Nanostegen zurückbleibende Material bildet dann die Nanodrähte.to Production of nanowires can the nanotubes with a metal, a polymer, a metal-containing inorganic Are filled compound or mixtures thereof, in which case then the nanotubes staying behind the nanowires chemically, e.g. by etching, destroyed become. Alternatively, nanowires can be produced by using Nanostege e.g. after coating with a metal or other material be removed (LIFT-OFF method). That between the nano lines remaining Material then forms the nanowires.

Erfindungsgemäß wird ebenso ein Nanostrukturträger aus einem Substrat und mindestens einer Schicht aus einem durch elektrochemische Oxidation nanoporös strukturierbaren Material bereitgestellt, wobei die Schicht aus lateral zur Substratoberfläche ausgerichteten, selbst organisierten nanoporösen Strukturen in Form von Röhren, Drähten und/oder Stegen aufgebaut ist.According to the invention as well a nanostructure carrier from a substrate and at least one layer of a through electrochemical oxidation nanoporous structurable material provided, wherein the layer of laterally aligned to the substrate surface, self-organized nanoporous ones Structures in the form of tubes, Wires and / or Webs is constructed.

Vorzugsweise weisen die Nanoröhren einen Innendurchmesser im Bereich von 10 nm bis 1 μm, besonders bevorzugt von 10 nm bis 500 nm auf.Preferably show the nanotubes an inner diameter in the range of 10 nm to 1 μm, especially preferably from 10 nm to 500 nm.

Im Falle von Nanodrähten weisen diese bevorzugt einen Außendurchmesser im Bereich von 10 nm bis 1 μm, besonders bevorzugt von 10 nm bis 500 nm auf.in the Trap of nanowires these preferably have an outer diameter in the range of 10 nm to 1 μm, more preferably from 10 nm to 500 nm.

Wird die Beschichtung aus dem nanoporös strukturierbaren Material wie oben beschrieben mit einer Schichtdicke im Bereich einer Nanolage aufgetragen, so weisen die nach Entfernung der Abdeckschicht verbleibenden Nanostege bevorzugt eine Steghöhe im Bereich von 10 nm bis 1 μm, vorzugsweise 10 nm bis 500 nm auf.Becomes the coating of the nanoporous structurable Material as described above with a layer thickness in the range a Nanolage applied, so have the after removal of the cover layer remaining nanorrows preferably has a ridge height in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 nm to 500 nm.

Die Länge der nanoporösen Strukturen ist beliebig wählbar. Bevorzugt beträgt die Länge derartiger Strukturen jedoch 100 nm bis 1 mm, besonders bevorzugt 100 nm bis 200 μm.The Length of nanoporous Structures can be chosen arbitrarily. Preferred is the length However, such structures 100 nm to 1 mm, more preferably 100 nm to 200 μm.

Das nanoporös strukturierbare Material ist vorzugsweise ausgewählt aus der Gruppe, die elektrochemisch oxidierbar ist, wie z.B. Aluminium, Titan, u.a.The nanoporous structurable material is preferably selected from the group that elek is chemically oxidizable, such as aluminum, titanium, etc.

Die Ausrichtung der einzelnen Nanostrukturen zueinander kann durch entsprechende Wahl der oben beschrie benen Randbedingungen vor der elektrochemischen Oxidation durch Wahl der Schichtkonturen sowie der freiliegenden Oberflächen festgelegt werden. Bevorzugt sind hierbei die einzelnen Nanostrukturen zueinander parallel, konvergierend oder gekrümmt ausgerichtet.The Alignment of the individual nanostructures to each other can be achieved by appropriate Choice of the above-described boundary conditions before the electrochemical Oxidation by choice of the layer contours and the exposed ones surfaces be determined. Preference is given here to the individual nanostructures aligned parallel, converging or curved.

Weiterhin ist es bevorzugt, dass der Nanostrukturträger neben einer ersten Schicht nanoporöser Strukturen mindestens eine weitere Schicht nanoporöser Strukturen aufweist. Die nanoporösen Strukturen der ersten Schicht können z.B. zu den nanoporösen Strukturen der weiteren Schichten nicht parallel angeordnet sein, wobei die nanoporösen Strukturen der weiteren Schichten ebenfalls zur Substratoberfläche lateral ausgerichtet sind.Farther it is preferred that the nanostructured support adjacent to a first layer nanoporous structures has at least one further layer of nanoporous structures. The nanoporous Structures of the first layer can e.g. to the nanoporous ones Structures of the further layers should not be arranged in parallel, being the nanoporous ones Structures of the further layers also lateral to the substrate surface are aligned.

Verwendung finden die erfindungsgemäßen Nanostrukturträger als Funktionselement in der Nanoelektronik, hierbei insbesondere als Träger für Leiterbahnen. Eine weitere Verwendung der Nanostrukturträger betrifft Funktionselemente für sensorische oder analytische Zwecke, z.B. als Kapillarstrukturen. Ebenso können die erfindungsgemäßen Nanostrukturträger als Werkzeuge in der Nano-Biotechnologie verwendet werden. Hierbei bietet sich beispielsweise die Verwendung als Struktur zur elektrischen Kontaktierung von Biomaterialien an. Weiterhin können die erfindungsgemäßen Nanostrukturen als Maskierungsstrukturen, insbesondere in Lithographie- oder Lift-off-Prozessen eingesetzt werden. Dies ermöglicht insbesondere die Herstellung von Nanodots. Ebenso ist es möglich, solche Nanostrukturträger für die Herstellung von photonischen Kristallen einzusetzen.use find the nanostructure carriers according to the invention as Functional element in nanoelectronics, here in particular as carrier for printed conductors. Another use of nanostructure carriers relates to functional elements for sensory or analytical purposes, e.g. as capillary structures. Likewise, the Nanostrukturträger invention as Tools used in nano-biotechnology. Hereby offers For example, the use as a structure for electrical Contacting biomaterials. Furthermore, the nanostructures according to the invention can as masking structures, especially in lithography or lift-off processes be used. this makes possible in particular the production of nanodots. It is also possible to do such Nanostructure carrier for the Production of photonic crystals use.

Anhand der nachfolgenden Figuren soll der erfindungsgemäße Gegenstand beispielhaft näher erläutert wer den, ohne diesen auf die Breite der hier gezeigten Ausführungsformen zu beschränken.Based The following figures are intended to exemplify the subject matter of the invention explained in more detail who without this to the breadth of the embodiments shown here to restrict.

1 zeigt anhand einer schematischen Darstellung die Herstellung der erfindungsgemäßen Nanostrukturträger. 1 shows a schematic representation of the preparation of the nanostructure according to the invention.

2 zeigt Schichten unterschiedlicher Kontur beim Einsatz des erfindungsgemäßen Verfahrens. 2 shows layers of different contour when using the method according to the invention.

3 zeigt weitere Beispiele von beim Verfahren verwendeten Schichten. 3 shows further examples of layers used in the process.

4 zeigt schematisch die Darstellung von Nanoröhren bzw. Nanostegen. 4 schematically shows the representation of nanotubes or nanorods.

5 zeigt mögliche Ausrichtungen von Nanoröhren anhand verschiedener Schichten. 5 shows possible orientations of nanotubes on the basis of different layers.

6 zeigt beispielhafte Ausrichtungen der Achsen einzelner Nanoröhren. 6 shows exemplary orientations of the axes of individual nanotubes.

7 zeigt mehrschichtige Varianten von Nanostrukturen sowie Beispiele für deren Verwendung. 7 shows multilayered variants of nanostructures and examples of their use.

In 1 wird schematisch das erfindungsgemäße Verfahren im Vergleich zu den aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren dargestellt. So wird in 1a) auf einem Substrat 1 eine zu strukturierende Schicht 2, z.B. aus Aluminium, abgeschieden. Durch elektrochemische Oxidation der Schicht 2 werden in dieser Nanoporen bzw. Nanoröhren erzeugt, deren Achsrichtungen 3 senkrecht zur Schichtoberfläche stehen. Diese Ausführungsform entspricht dem Stand der Technik.In 1 the process according to the invention is shown schematically in comparison to the processes known from the prior art. So will in 1a) on a substrate 1 a layer to be structured 2 , For example, made of aluminum, deposited. By electrochemical oxidation of the layer 2 are generated in this nanopores or nanotubes whose axial directions 3 stand perpendicular to the layer surface. This embodiment corresponds to the prior art.

In 1b) wird im Gegensatz zu 1a) gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren der elektrochemische Angriff auf die Schicht 2.1 nicht von oben, sondern von der Kante mit der Richtung 3 geführt. Realisiert wird dieser seitliche elektrochemische Angriff mittels einer Anordnung nach 1c). In 1c) wird auf einem Substrat 1 eine zu strukturierende Schicht 2.1, z.B. aus Aluminium, abgeschieden, die wiederum durch eine Deckschicht 4 an deren Oberfläche geschützt ist. Durch elektrochemische Oxidation der Schicht 2.1 werden in dieser von der vorderen freiliegenden Kante her Nanoporen bzw. Nanoröhren erzeugt, deren Achsrichtungen 3.1 senkrecht zur Kante und parallel zur Substratoberfläche sind. In 1c) wird nur ein Ausschnitt solcher Schichten dargestellt, sodass hier die seitlichen Kanten der Schicht 2.1 nicht als freiliegend betrachtet werden sollen. Ein seitlicher Schutz dieser Schichten wird z.B. durch eine Anordnung gemäß 1d) erreicht.In 1b) is unlike 1a) according to the method of the invention, the electrochemical attack on the layer 2.1 not from above, but from the edge with the direction 3 guided. This lateral electrochemical attack is realized by means of an arrangement 1c) , In 1c) is on a substrate 1 a layer to be structured 2.1 , For example, made of aluminum, deposited, in turn, by a cover layer 4 is protected on the surface. By electrochemical oxidation of the layer 2.1 Nanopores or nanotubes whose axial directions are generated in this from the front exposed edge ago 3.1 perpendicular to the edge and parallel to the substrate surface. In 1c) Only a section of such layers is shown, so here the lateral edges of the layer 2.1 should not be considered exposed. A lateral protection of these layers is, for example, by an arrangement according to 1d) reached.

1d) zeigt ein Substrat 1, auf dem eine zu strukturierende Schicht 2.2, z.B. aus Aluminium, abgeschieden ist, die wiederum durch eine Deckschicht 4.1 an der Oberfläche und an den Seiten geschützt ist. Hier liegt nur die vordere Kante frei. Durch elektrochemische Oxidation der Schicht 2.2 werden nun in dieser Schicht von der vorderen freiliegenden Kante her Nanoporen bzw. Nanoröhren erzeugt, deren Achsrichtung 3 senkrecht zur Kante und parallel zur Substratoberfläche sind. Bei der Herstellung wird z.B. die Schicht 2.2 aus Aluminium lithographisch strukturiert und anschließend mit einer Schicht 4.1 aus Aluminiumoxid oder Siliziumnitrid, z.B. mit Hilfe des CVD-Verfahrens (Chemical Vapor Deposition), überdeckt. 1d) shows a substrate 1 on which a layer to be structured 2.2 , For example, made of aluminum, deposited, in turn, by a cover layer 4.1 is protected on the surface and on the sides. Here only the front edge is exposed. By electrochemical oxidation of the layer 2.2 Nanopores or nanotubes are now generated in this layer from the front exposed edge, their axial direction 3 perpendicular to the edge and parallel to the substrate surface. In the production, for example, the layer 2.2 made of aluminum lithographically structured and then with a layer 4.1 made of aluminum oxide or silicon nitride, for example by means of the CVD process (Chemical Vapor Deposition), covered.

In 2 sind Drauf sichten für beispielhafte zu strukturierende Schichten 2.3 bis 2.6 dargestellt. Aus Gründen der Vereinfachung sind hierbei das Substrat und die Abdeckschichten nicht dargestellt.In 2 are top views of exemplary layers to be structured 2.3 to 2.6 shown. For reasons of simplification, the substrate and the cover layers are not shown here.

Sämtliche in 2 dargestellte Achsrichtungen 3.3 bis 3.6 sind an der Kante der Schichten 2.3 bis 2.6 angegeben, sodass die Pfeile hier außerhalb der Schichten liegen.All in 2 illustrated axis directions 3.3 to 3.6 are at the edge of the layers 2.3 to 2.6 indicated so that the arrows are outside of the layers here.

So zeigt 2a) den elektrochemischen Angriff auf die Schicht 2.3 in Richtung 3.3, sodass Nanoporen bzw. Nanoröhren mit der Achsrichtung 3.3 entstehen. Hierbei ist die Schicht 2.3 gegen einen seitlichen Angriff, z.B. durch eine seitlich überlappende Abdeckschicht gemäß 1d) geschützt. In 2b) erfolgt der elektrochemische Angriff von beiden Seiten der Schicht 2.4 mit den Richtungen 3.4.1 und 3.4.2. In diesem Fall ist die vordere Kante durch die Abdeckschicht geschützt. In 2c) weist die Schicht 2.5 eine halbkreisförmige Kante auf, sodass der elektrochemische Angriff Nanoporen bzw. Nanoröhren mit Achsrichtung 3.5 erzeugt, die radial zum Mittelpunkt der Halbkreisstruktur verlaufen. In 2d) weist die zu strukturierende Schicht 2.6 eine kreisrunde Öffnung auf, sodass der elektrochemische Angriff vom Zentrum radial nach außen in die Schicht 2.6 erfolgt.So shows 2a) the electrochemical attack on the layer 2.3 in the direction 3.3 so that nanopores or nanotubes with the axis direction 3.3 arise. Here is the layer 2.3 against a lateral attack, for example, by a laterally overlapping cover according to 1d) protected. In 2 B) the electrochemical attack takes place from both sides of the layer 2.4 with the directions 3.4.1 and 3.4.2 , In this case, the front edge is protected by the cover layer. In 2c) assigns the layer 2.5 a semicircular edge, so that the electrochemical attack nanopores or nanotubes in the axial direction 3.5 generated, which extend radially to the center of the semicircular structure. In 2d) indicates the layer to be structured 2.6 a circular opening so that the electrochemical attack from the center radially outward into the layer 2.6 he follows.

In 3 werden im Gegensatz zu 2 die Achsrichtungen 3.7 und 3.8 an den Kanten der Schichten 2.7 und 2.8 so angegeben, dass die Pfeile hier innerhalb dieser Schichten liegen und den Verlauf der Nanoporen bzw. Nanoröhren angeben. In 3a) erfolgt der elektrochemische Angriff auf die Schicht 2.7 von einer kreisförmigen Kante aus, sodass Nanoporen bzw.In 3 be unlike 2 the axis directions 3.7 and 3.8 at the edges of the layers 2.7 and 2.8 indicated that the arrows lie within these layers and indicate the course of the nanopores or nanotubes. In 3a) the electrochemical attack on the layer takes place 2.7 from a circular edge so that nanopores or

Nanoröhren mit Achsrichtungen 3.7 entstehen, die radial zum Mittelpunkt der Kreisstruktur verlaufen. In 3b) befindet sich in der zu strukturierenden Schicht 2.8 eine kreisrunde Öffnung, sodass der elektrochemische Angriff radial nach außen in die Schicht 2.8 hinein erfolgt.Nanotubes with axial directions 3.7 arise, which extend radially to the center of the circular structure. In 3b) is located in the layer to be structured 2.8 a circular opening, so that the electrochemical attack radially outward into the layer 2.8 into it.

In 4 wird die Strukturierung von sehr dünnen Schichten dargestellt. So zeigt 4a) ein Substrat 1, auf dem eine sehr dünne zu strukturierende Schicht 5, z.B. aus Aluminium, abgeschieden ist. Die Dicke der Schicht 5 liegt dabei in der Größenordnung von Porendurchmessern, d.h. einige 10 nm, wie sie typischerweise nach elektrochemischer Oxidation in Al2O3-Schichten auftreten. Durch elektrochemische Oxidation der Schicht 5 wird in dieser von der vorderen freiliegenden Kante her eine Monolage von Nanoporen bzw. Nanoröhren erzeugt, deren Achsrichtungen 3.20 senkrecht zur Kante und parallel zur Substratoberfläche sind. In dieser Darstellung sind von den Nanoporen nur die seitlichen Stege aus Al2O3 gezeigt. In 4b) ist die Abdeckschicht 4 aus 4a) entfernt, sodass nur die seitlichen Stege der Nanoporen bzw. Nanoröhren aus Al2O3 dargestellt sind. Somit zeigt 4b) erfindungsgemäße Nanostege.In 4 the structuring of very thin layers is shown. So shows 4a) a substrate 1 on which a very thin layer to be structured 5 , For example, made of aluminum, is deposited. The thickness of the layer 5 lies in the order of pore diameters, ie some 10 nm, as typically occur after electrochemical oxidation in Al 2 O 3 layers. By electrochemical oxidation of the layer 5 A monolayer of nanopores or nanotubes whose axial directions are generated in this from the front exposed edge forth 3.20 perpendicular to the edge and parallel to the substrate surface. In this representation of the nanopores only the lateral webs of Al 2 O 3 are shown. In 4b) is the cover layer 4 out 4a) removed, so that only the lateral webs of nanopores or nanotubes of Al 2 O 3 are shown. Thus shows 4b) Nanostege according to the invention.

In 5 sind Drauf sichten beispielhafter zu strukturierender Schichten 2.9 bis 2.12 dargestellt. Auch hier sind aus Gründen der Vereinfachung das Substrat und die Abdeckschichten nicht gezeigt. Gemäß 5a) erfolgt der elektrochemische Angriff mit der Richtung 3.9. Dabei entstehen aufgrund der parallelen Randkonturen der Schicht 2.9 parallele Nanoporen bzw. Nanoröhren 7.1 mit den Achsrichtungen 3.9. Gemäß 5b) erfolgt der elektrochemische Angriff an der vorderen Kante der Schicht 2.10 zunächst mit der Richtung 3.10. Aufgrund der gekrümmten Randkonturen der Schicht 2.10 wachsen Nanoporen bzw. Nanoröhren 7.2 selbst organisiert mit gekrümmten bzw. halbkreisförmigen Achsen. In 5c) erfolgt der elektrochemische Angriff an der vorderen Kante der Schicht 2.11 zunächst mit der Richtung 3.11. Aufgrund der konvergierenden Randkonturen der Schicht 2.11 wachsen Nanoporen bzw. Nanoröhren 7.3 selbst organisiert mit divergierenden Achsen.In 5 are top views of exemplary layers to be structured 2.9 to 2.12 shown. Again, for reasons of simplicity, the substrate and the cover layers are not shown. According to 5a) the electrochemical attack takes place with the direction 3.9 , This results from the parallel edge contours of the layer 2.9 parallel nanopores or nanotubes 7.1 with the axis directions 3.9 , According to 5b) the electrochemical attack takes place at the front edge of the layer 2.10 first with the direction 3.10 , Due to the curved edge contours of the layer 2.10 grow nanopores or nanotubes 7.2 self-organized with curved or semicircular axes. In 5c) the electrochemical attack takes place at the front edge of the layer 2.11 first with the direction 3.11 , Due to the converging edge contours of the layer 2.11 grow nanopores or nanotubes 7.3 self-organized with divergent axes.

In 5d) wiederum erfolgt der elektrochemische Angriff an der vorderen Kante der Schicht 2.12 zunächst mit der Richtung 3.12. Aufgrund der divergierenden Randkonturen der Schicht 2.12 wachsen Nanoporen bzw. Nanoröhren 7.4 selbst organisiert mit konvergierenden Achsen.In 5d) Again, the electrochemical attack takes place at the front edge of the layer 2.12 first with the direction 3.12 , Due to the diverging edge contours of the layer 2.12 grow nanopores or nanotubes 7.4 self-organized with converging axes.

6 zeigt eine Schnittdarstellung von Nanoröhren einer Monolage mit deren Nanoröhrenwänden 8.1 und 8.2 sowie mit ihren Achsrichtungen 3.13 bis 3.18. Die Nanoröhren erstrecken sich hierbei bis zu deren Ende 10.1 bzw. 10.2. Die Schnittebene der vorliegenden Figur liegt parallel zur Substratoberfläche. Gemäß 6a) sind aufgrund paralleler Randkonturen die Achsrichtungen 3.13 parallel. Eine derartige Anordnung wird z.B. durch ein Substrat gemäß 5a) realisiert. In 6b) konvergieren aufgrund konvergierender Randkonturen die Achsrichtungen 3.14 bis 3.18. Dies entspricht einer Substratform, wie sie in 5d) dargestellt ist. Eine Konvergenz der Achsrichtung wird ebenfalls bei Anordnung gemäß 2c) und 3a) erreicht. Da die Nanoröhren aufgrund ihrer Achsenkonvergenz beim Wachstum gegenseitig ihren Raum zunehmend einschränken, kommt es durch Selbstorganisation zu einer begrenzten Auswahl weiter wachsender Nanoröhren, die sich dann über eine größe re Länge erstrecken. 6 shows a sectional view of nanotubes of a monolayer with their nanotube walls 8.1 and 8.2 as well as with their axis directions 3.13 to 3.18 , The nanotubes extend to their end 10.1 respectively. 10.2 , The cutting plane of the present figure is parallel to the substrate surface. According to 6a) are due to parallel edge contours the axial directions 3.13 parallel. Such an arrangement is, for example, by a substrate according to 5a) realized. In 6b) converge due to converging edge contours the axial directions 3.14 to 3.18 , This corresponds to a substrate shape, as in 5d) is shown. A convergence of the axial direction is also in arrangement according to 2c) and 3a) reached. As the nanotubes, because of their axial convergence in growth, increasingly restrict their space to one another, self-assembly leads to a limited selection of further growing nanotubes, which then extend over a greater length.

In 7 ist die Verfahrensführung zur Herstellung mehrerer Schichten von Nanostrukturen schematisch dargestellt. So sind in 7a) Nanostrukturen 6.1, z.B. aus Al2O3 gezeigt. Diese können z.B. gemäß der Anordnung aus 4b) hergestellt werden. Es können aber auch Nanodrähte sein, die durch elektrolytische Abscheidung in Nanoröhren oder durch lithographische Prozesse mit Hilfe von Nanostegen entstanden sind. Rechtwinklig zu diesen ist nun eine zweite Monolage solcher Nanostrukturen 6.2 angeordnet. Zwischen beiden Schichten kann sich auch eine Zwischenschicht, die im vorliegenden Fall nicht dargestellt ist, befinden. Dies ist eine typische Anordnung, wie sie z.B. in einer Nanoelektronik für Speicheranordnung Verwendung finden kann. Gemäß 7b) wird die Struktur aus Nanostegen gemäß 7a) als Maskierungsschicht eingesetzt. Mit dieser Rasterstruktur können z.B. mit Dünnschichtprozessen Nanodots 9, wie sie in 7c) dargestellt sind, hergestellt werden, die in den Freiräumen der Nanostrukturen aus 6.1 und 6.2 erzeugt werden. Durch anschließendes Entfernen der Nanostrukturen 6.1 und 6.2 bleiben dann die entsprechenden Nanodots zurück.In 7 the procedure for producing multiple layers of nanostructures is shown schematically. So are in 7a) nanostructures 6.1 , eg from Al 2 O 3 . These can, for example, according to the arrangement of 4b) getting produced. But it can also be nanowires that were formed by electrolytic deposition in nanotubes or by lithographic processes using nanostrints. At right angles to these is now a second monolayer of such nanostructures 6.2 arranged. Between both layers can also be an intermediate layer, which is not shown in the present case, are located. This is a typical arrangement such as may be used in nanoelectronics for memory devices. According to 7b) The structure of Nanostegen becomes according to 7a) used as a masking layer. With this raster structure nanodots can be used, eg with thin-film processes 9 as they are in 7c) are prepared, which are made in the free spaces of the nanostructures 6.1 and 6.2 be generated. By subsequent removal of the nanostructures 6.1 and 6.2 then the corresponding nanodots will be left behind.

Claims (25)

Verfahren zur Herstellung eines Nanostrukturträgers, bei dem a) eine Oberfläche eines Substrates (1) mit einer Beschichtung (2) aus einem nanoporös strukturierbarem Material versehen wird, b) das beschichtete Substrat mit einer Abdeckschicht (4) so versehen wird, dass mindestens eine sowohl zur Substratoberfläche als auch zur Achsrichtung 3 senkrechte Seitenfläche des Substrats unbedeckt bleibt und c) eine elektrochemische Oxidation unter Ausbildung von zur Substratoberfläche lateral angeordneten, selbstorganisierten Nanoröhren mit Achsrichtungen 3 durchgeführt wird.Process for producing a nanostructure carrier, in which a) a surface of a substrate ( 1 ) with a coating ( 2 ) is provided from a nanoporous structurable material, b) the coated substrate with a cover layer ( 4 ) is provided so that at least one both to the substrate surface and to the axial direction 3 vertical side surface of the substrate remains uncovered and c) an electrochemical oxidation to form the substrate surface laterally arranged, self-assembled nanotubes with axial directions 3 is carried out. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke der Beschichtung im Bereich einer Monolage liegt und nach elektrochemischer Oxidation die Seitenwände der Nanoröhren als Nanostege zurückbleiben.Method according to claim 1, characterized in that that the layer thickness of the coating in the range of a monolayer and after electrochemical oxidation the side walls of the nanotubes to remain as nanostees. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im Anschluss an Schritt c) die Abdeckschicht (4) entfernt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that following step c) the cover layer ( 4 ) Will get removed. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das nanoporös strukturierbare Material elektrochemisch oxidierbar ist, wie z.B. Aluminium und Titan.Method according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the nanoporous structurally material is electrochemically oxidizable, e.g. Aluminum and titanium. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus einem elektrisch isolierenden Material oder einem Material mit einem höheren spezifischen Widerstand als dem des Beschichtungsmaterials besteht.Method according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the substrate is made of an electrically insulating Material or a material with a higher resistivity than that of the coating material. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ausgewählt ist aus der Gruppe Glas, Keramik und Kunststoff.Method according to the preceding claim, characterized characterized in that the substrate is selected from the group of glass, Ceramic and plastic. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausrichtung der Nanoröhren und/oder Nanodrähte durch die Wahl der Randkonturen der Beschichtung (2) bestimmt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the alignment of the nanotubes and / or nanowires by the choice of the edge contours of the coating ( 2 ) is determined. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Haft- und Kontakteigenschaften zwischen Substrat (1) und Beschichtung (2) durch Temperprozesse gezielt eingestellt werden.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the adhesion and contact properties between substrate ( 1 ) and coating ( 2 ) can be specifically adjusted by annealing processes. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Nanoröhren mit einem Metall, einem Polymer, einer metallhaltigen anorganischen Verbindung oder deren Gemischen gefüllt werden und anschließend die Nanoröhren unter Ausbildung von Nanodrähten chemisch oder thermisch zerstört werden.Method according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the nanotubes with a metal, a polymer, a metal-containing inorganic Compound or mixtures thereof are filled and then the nanotubes under formation of nanowires destroyed chemically or thermally become. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf den lateral angeordneten, selbstorganisierten Nanoröhren, Nanodrähten und/oder Nanostegen durch Wiederholung der Schritte a) bis c), wobei anstelle des Substrates eine Zwischenschicht tritt, weitere Nanoröhren, Nanodrähte und/oder Nanostege erzeugt werden.Method according to one of the preceding claims, characterized characterized in that on the laterally arranged, self-organized nanotubes, nanowires and / or Nanostegen by repeating steps a) to c), wherein instead of the substrate, an intermediate layer occurs, further nanotubes, nanowires and / or Nanostege be generated. Nanostrukturträger aus einem Substrat (1) und mindestens einer Schicht (2) aus einem durch elektrochemische Oxidation nanoporös strukturierbarem Material, wobei die Schicht aus lateral zur Substratoberfläche ausgerichteten nanoporösen Strukturen in Form von Röhren, Drähten und/oder Stegen aufgebaut ist.Nanostructure carrier from a substrate ( 1 ) and at least one layer ( 2 ) made of a nanoporous structurable by electrochemical oxidation material, wherein the layer of laterally aligned to the substrate surface nanoporous structures in the form of tubes, wires and / or webs is constructed. Nanostrukturträger nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Nanoröhren einen Innendurchmesser im Bereich von 10 nm bis 1 μm, insbesondere von 10 bis 500 nm besitzen.Nanostructure carrier according to claim 11, characterized in that the nanotubes have an inner diameter in the range of 10 nm to 1 μm, in particular from 10 to 500 nm. Nanostrukturträger nach einem der Ansprüche 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Nanodrähte einen Außendurchmesser im Bereich von 10 nm bis 1 μm, insbesondere von 10 bis 500 nm besitzen.Nanostructure carrier according to one of the claims 11 or 12, characterized in that the nanowires a outer diameter in the range of 10 nm to 1 μm, especially from 10 to 500 nm. Nanostrukturträger nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Nanostege eine Steghöhe im Bereich von 10 nm bis 1 μm, insbesondere von 10 nm bis 500 nm aufweisen.Nanostructure carrier according to one of the claims 11 to 13, characterized in that the nanorange a ridge height in the range from 10 nm to 1 μm, in particular from 10 nm to 500 nm. Nanostrukturträger nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoporösen Strukturen eine Länge von 100 nm bis 1 mm, ins besondere von 100 nm bis 200 μm besitzen.Nanostructure carrier according to one of claims 11 to 14, characterized in that the nanoporous structures have a length of 100 nm to 1 mm, in particular from 100 nm to 200 microns own. Nanostrukturträger nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass das nanoporös strukturierbare Material elektrochemisch oxidierbar ist, wie z.B. Aluminium und Titan.Nanostructure carrier according to one of the claims 11 to 15, characterized in that the nanoporous structurable Material is electrochemically oxidizable, such. Aluminum and Titanium. Nanostrukturträger nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus einem elektrisch isolierenden Material oder einem Material mit einem höheren spezifischen Widerstand als dem des Beschichtungsmaterials besteht.Nanostructure carrier according to one of the claims 11 to 16, characterized in that the substrate consists of an electric insulating material or a material with a higher resistivity than that of the coating material. Nanostrukturträger nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ausgewählt ist aus der Gruppe Glas, Keramik und Kunststoff.Nanostructure carrier according to one of the claims 11 to 17, characterized in that the substrate is selected from the group glass, ceramics and plastic. Nanostrukturträger nach einem der Ansprüche 11 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoprösen Strukturen zueinander parallel, konvergierend oder gekrümmt ausgerichtet sind.Nanostructure carrier according to one of the claims 11 to 18, characterized in that the nanoporous structures aligned parallel, converging or curved. Nanostrukturträger nach einem der Ansprüche 11 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass auf der ersten Schicht nanoporöser Strukturen mindestens eine weitere Schicht nanoporöser Strukturen angeordnet ist.Nanostructure carrier according to one of the claims 11 to 19, characterized in that on the first layer of nanoporous structures at least one further layer of nanoporous structures is arranged. Verwendung der Nanostrukturträger nach einem der Ansprüche 11 bis 20 als Funktionselement in der Nanoelektronik, insbesondere als Träger für Leiterbahnen.Use of the nanostructure carriers according to one of Claims 11 to 20 as a functional element in nanoelectronics, in particular as carrier for printed conductors. Verwendung der Nanostrukturträger nach einem der Ansprüche 11 bis 20 als Funktionselemente für sensorische oder analytische Zwecke, insbesondere als Kapillarstrukturen.Use of the nanostructure carriers according to one of Claims 11 to 20 as functional elements for sensory or analytical purposes, in particular as capillary structures. Verwendung der Nanostrukturträger nach einem der Ansprüche 11 bis 20 als Werkzeuge in der Nanobiotechnologie, insbesondere als Struktur zur elektrischen Kontaktierung von Biomaterialien.Use of the nanostructure carriers according to one of Claims 11 to 20 as tools in nanobiotechnology, especially as a structure for electrical contacting of biomaterials. Verwendung der Nanostrukturträger nach einem der Ansprüche 11 bis 20 als Maskierungsstrukturen, insbesondere in Lithographie- oder Lift-Off-Prozessen.Use of the nanostructure carriers according to one of Claims 11 to 20 as masking structures, in particular in lithography or lift-off processes. Verwendung nach Anspruch 24 zur Herstellung von Nanodots.Use according to claim 24 for the preparation of Nanodots.
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