DE102004052303A1

DE102004052303A1 - Verfahren zur Herstellung von Funktionselementstrukturen

Info

Publication number: DE102004052303A1
Application number: DE102004052303A
Authority: DE
Inventors: Jens Freye; Manfred Hellmich; Martin Novotny
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2004-10-27
Filing date: 2004-10-27
Publication date: 2006-05-11

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Funktionselementstrukturen, insbesondere von Leiterplatten, wobei mittels eines Energiestrahls oder Energiepulses die Funktionselementstrukturen erzeugt werden, wobei im Falle einer Leiterbahnstruktur mindestens eine leiterbahnstrukturfreie Funktionselementstruktur erzeugt wird.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Funktionselementstrukturen, Funktionselementstrukturen als solche, entsprechende Vorrichtungen sowie Verwendungen.
Leiterbahnplatten sowie sogenannte MIDs (Moulded Interconnect Devices) sind als Träger zum Aufbringen von Leiterbahnstrukturen für elektronische Schaltungen heutzutage unentbehrlich geworden, wobei die Anforderungen an eine flexible Ausgestaltung hinsichtlich der Dimensionierung einzelner Leiterbahnstrukturen immer höher werden.
DE 197 31 346 C2 offenbart Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägermaterial, die durch Aufbrechen eines als Beschichtung aufgebrachten Schwermetallkomplexes mittels elektromagnetischer Strahlung und nachfolgender Metallisierung entstanden sind, bei dem der auf eine mikroporöse Oberfläche aufgebrachte Schwermetallchelatkomplex thermisch hochstabil und auf der Basis von polyfunktionellen Chelatkomplexbildern mit molekularen Kombinationen von sterisch gehinderten Aromaten und metallkomplexierenden Gruppen gebildet ist und der Schwermetallchelatkomplex in nicht-bestrahlten Bereichen verbleibt, wobei die mikroporöse Oberfläche durch in dem Trägermaterial enthaltene mikroporöse/mikrorauhe gegen UV-Strahlung resistente Trägerpartikel gebildet ist.
Solche Verfahren sind insbesondere zur Herstellung von Schaltungsträgern aus thermoplastischen Kunststoffen mittels eines Spritzgießverfahrens einsetzbar, wobei jedoch die Metallchelatkomplexe in vergleichsweise hoher Dosierung zugesetzt werden müssen, um bei Laseraktivierung eine hinreichend dichte Bekeimung für schnelle Metallisierung zu erhalten. Darüber hinaus beeinträchtigt der hohe Komplexanteil in vielen Fällen wichtige Gebrauchseigenschaften des Trägermaterials, wie beispielsweise die Schlagfähigkeit und Bruchdehnung.
DE 101 32 092 A1 offenbart Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägermaterial, die aus Metallkeimen und einer nachfolgenden auf diese aufgebrachten Metallisierung bestehen, wobei die Metallkeime durch Aufbrechen von feinstverteilt in dem Trägermaterial enthaltenen nichtleitenden Metallverbindungen durch elektromagnetische Strahlung entstanden sind, wobei die nichtleitenen Metallverbindungen von thermisch hochstabilen, in wässrigen sauren oder alkalischen Metallisierungsbädern beständigen und nicht löslichen anorganischen Metallverbindungen gebildet sind, die in nicht-bestrahlten Bereichen unverändert verbleiben.
Nachteilig hierbei ist jedoch, daß ein nach Entstehen entsprechender Metallkeime aufgebrachte Metallisierung durchgeführt werden muß, um die Leiterbahnstrukturen als solche zu fixieren und dies daher mit weiteren teilweise aufwändigen Verfahrensschritten verbunden ist, die einem Komplexizitätsgrad der Leiterbahnstrukturen eine Grenze setzt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, die oben genannten Nachteile zumindest teilweise zu vermeiden; insbesondere ist es Problemstellung der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung von Strukturen, beispielsweise Leiterbahnstrukturen, bereitzustellen, das mit wenigen Verfahrensschritten die Realisierung auch kompliziertester Strukturen zuläßt.
Dieses Problem wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren nach Anspruch 1, eine Funktionselementstruktur nach Anspruch 19, eine Leiterplatte, Leiterfolie, MID oder Gehäuse nach Anspruch 20, eine Vorrichtung nach Anspruch 21, eine Vorrichtung nach Anspruch 22 sowie durch Verwendungen nach den Ansprüchen 23 bis 26 gelöst.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von Funktionselementstrukturen, insbesondere für Leiterplatten, werden diese innerhalb eines Trägermaterials mittels eines Energiestrahls oder Energiepulses, beispielsweise eines Laserimpulses oder durch ein Magnetfeld oder eine Ionenstrahlung, erzeugt, wobei im Falle einer Leiterbahnstruktur mindestens eine leiterbahnstrukturfreie Funktionselementstruktur erzeugt wird.
Erfindungsgemäß bedeutet dies, daß insbesondere bei einer Leiterplatte diese entweder entsprechende Funktionselementstrukturen wie beispielsweise Kapazitäten und/oder Induktivitäten und keine weiteren Leiterbahnstrukturen aufweist oder aber bei mindestens einer vorhandenen Leiterbahnstruktur dann die jeweilige Leiterplatte mindestens ein Funktionselement entsprechend aufweist. Erfindungsgemäß ist es somit nicht vorgesehen, daß eine Leiterplatte lediglich Leiterbahnstrukturen aufweist.
Erfindungsgemäß ist unter den Begriff Funktionselementstruktur zunächst jede Struktur auch eines einzelnen Funktionselementes, also ein einzelnes Funk tionselement auch als solches, zu verstehen, wobei Funktionselemente beispielsweise und insbesondere Kapazitäten, beispielsweise in Form von Kondensatoren, Induktivitäten, beispielsweise in Form von Spulen, Widerstände, LEDs, OLEDs, Batterien, Akkumulatoren, Photozellen, Sensoren jeglicher Art oder ICs sein können. Leiterbahnstrukturen fallen auch unter den Begriff der Funktionselementstrukturen.
Zunächst ist es vorteilhaft, wenn die Erzeugung unterhalb der Oberfläche eines Trägermaterials, und nicht nur auf dem Trägermaterial durchgeführt werden kann, so daß beliebige dreidimensionale Strukturen möglich sind.
Die Erzeugung solcher Strukturen findet vorteilhafterweise durch eine chemische Umwandlung einer sich im Trägermaterial befindenden chemischen Verbindung statt, wobei es sich hier insbesondere und beispielhaft um einen Kupfer-Dibutylentriamin-Komplex handelt.
Beispielhaft und vorteilhafterweise, da in der Praxis bewährt, wird mittels eines Energiestrahls oder Energiepulses (s. oben) mindestens eine chemische Verbindung eine zumindest hinsichtlich einer der elektrischen und optischen Eigenschaften des Trägermaterial unterschiedliche Eigenschaft aufweisende Substanz freisetzend umgewandelt.
Hierbei ist es von Vorteil, wenn als chemische Verbindung ein Kupfer-Dibutylentriamin-Komplex verwendet wird, da nach entsprechender Umwandlung diese entstehende Substanz ausgezeichnete Eigenschaften hinsichtlich einer intrinsischen Metallisierung im Trägermaterial aufweist.
In vorteilhafter Weise wird mittels einer bezüglich verschiedener Ebenen – bezogen auf die Schichtdicke des Trägermaterials – einstellbaren Energiefokus sierung des Energiestrahls oder Energiepulses eine zwei- und/oder dreidimensionale Funktionselementstrukturierung durchführbar bzw. durchgeführt. Durch die Energiefokussierung können bei Einprogrammierung des Verfahrungsweges insbesondere eines Lasers, mehrere Strukturen übereinander in Ebenen innerhalb des Trägermaterials realisiert werden, wobei die verschiedenen Ebenen an den gewünschten Stellen miteinander verbunden sein können, hergestellt durch Verfahren des Brennpunktes von einer Ebene in eine andere Ebene.
Darüber hinaus ist es von Vorteil, wenn Kapazitäten und/oder Induktivitäten und/oder Widerstände und/oder LEDs und/oder OLEDs und/oder Batterien und/oder Photozellen und/oder Sensoren und/oder ICs in das Trägermaterial und/oder in die Funktionselementstrukturen, insbesondere Leiterbahnstrukturen, selbst eingebracht werden, da auf diese Weise insbesondere neben den eigentlichen Leiterbahnen auch einfache elektrische Elemente oder lediglich diese wie Kondensatoren, Spulen und Widerstände für die verschiedensten Zwecke, beispielsweise für die induktive Erfassung bestimmter Informationen direkt in das Trägermaterial eingefügt werden können. Hierbei ist es denkbar, daß unterschiedlich tiefe – im Querschnitt breite – Schichten mit bestimmten Dielektrizitäten quasi übereinander schichtartig ausgebildet werden, wobei insbesondere die Leiterbahnen die Schichten voneinander trennen. Selbstverständlich sind auch andere Funktionselemente wie Dioden denkbar.
In der Praxis hat es sich – wie schon erwähnt – bewährt, wenn als die Substanz freisetzende chemische Verbindung mindestens ein Metallkomplex verwendet wird, beispielsweise ein Kupfer-Dibutylentriamin-Komplex.
Weiterhin ist es von Vorteil, wenn die Erzeugung der Funktionselementstrukturen, insbesondere der Leiterbahnstrukturen, hinsichtlich einer nachträglichen Verstärkung der Strukturen, insbesondere Metallisierung, behandlungsfrei, insbesondere galvanisierungsfrei, durchgeführt wird, da in der Regel nach entsprechender Erzeugung der Struktur die intrinsischen Eigenschaften, insbesondere bei Leiterbahnstrukturen die Leitfähigkeiten, ausreichend hoch sind, so daß zusätzliche kostenintensive Verfahrensschritte vermieden werden können.
Darüber hinaus ist es von Vorteil, wenn das Trägermaterial mindestens eine Substanz aus der Gruppe der anorganischen Oxide enthält oder daraus besteht, wobei diese eine spinellartige oder Spinell-Struktur aufweisen, und/oder es sich bei den Oxiden um d-Metalloxide und/oder f-Metalloxide und/oder deren Gemische und/oder Gemischt-Metallverbindungen handelt, die den Spinellstrukturen verwandt sind, da sich diese Materialien hinsichtlich ihrer mechanischen und elektrischen Eigenschaften als ausgesprochen zuverlässig bewährt haben.
In diesem Zusammenhang haben sich insbesondere anorganische Oxide bewährt, die Kupfer enthalten. Darüber hinaus hat es sich in der Praxis als ausgesprochen vorteilhaft herausgestellt, wenn zusätzlich oder alternativ das Trägermaterial mindestens ein ICP (ein intrinsisch leitfähiges Polymer) enthält oder daraus besteht, wobei es sich vorteilhafterweise um Polyanilin handelt. Durch entsprechende erfindungsgemäße Aktivierung mittels Laserstrahlenbeaufschlagung wird das Polyanilin derart aktiviert, daß dessen elektrische und/oder optische Eigenschaften modifiziert und im Verhältnis zum ursprünglichen Zustand verändert werden, daß eine der Applikation und Beaufschlagung gemäße Einstellung der gewünschten Eigenschaften möglich ist. Auf diese Art und Weise kann das Polyanilin auch in der Negativtechnik eingesetzt werden; beispielsweise ist es denkbar, daß dieses in einem optisch definierten Bereich aufgrund seiner speziellen elektrochemischen Eigenschaften als Leiter oder Nichtleiter fungieren kann. Dies ist selbstverständlich auch hinsichtlich der elektrischen Eigenschaften entsprechend möglich. Die zum Polyanilin gemachten Ausführungen sind entsprechend auch auf die offenbarten Metallkomplexe anwendbar.
Hinsichtlich der weiteren Eigenschaften sei auf Römpp Chemielexikon, 9. Auflage, Band PL – S, Seite 3513, hingewiesen.
Die nachführenden Ausführungsformen haben sich in der Praxis ausgesprochen bewährt und sind daher als positiv anzusehen: Es handelt sich hierbei um die folgenden:
Das Trägermaterial enthält mindestens einen anorganischen Füllstoff.
Das Trägermaterial enthält Kieselsäure und/oder Kieselsäurederivat.
Als Metallkomplex wird ein Metallchelatkomplex verwendet.
Beim Metallkomplex handelt es sich um einen Aminkomplex.
Der Komplex enthält Kupfer.
Beim Komplex handelt es sich um einen aus der Gruppe Kupfer-EDTA-Komplex, Bis(2,3-butandiondioximato)-Kupfer, Kupfer-Ethylendiamin-Komplex, Kupfer-Propandiamin-Komplex, Kupfer-Butandiamin-Komplex, Kupfer-Diethylentriamin-Komplex, Kupfer-Dipropylentriamin-Komplex, Kupfer-Dibutylentriamin-Komplex, Kupfer-Trietethylentetraamin-Komplex, Kupfer-Tripropylentetraamin-Komplex, Kupfer-Tributylentetraamin-Komplex.
Die erfindungsgemäß hergestellten Strukturen bzw. Leiterplatten, Leiterfolien, Gehäuse sowie MIDs und entsprechende Vorrichtungen, die solche Strukturen bzw. Leiterplatten, Leiterfolien, Gehäuse bzw. MIDs enthalten, können viele Strukturebenen im Abstand von beispielsweise oder insbesondere 25 μm bis 100 μm aufweisen, so daß hochkomplexe Multilayer-Ausgestaltungen realisierbar sind.
Durch die Verwendung des Kupfer-Dibutylentriamin-Komplexes zur Herstellung von Funktionselementstrukturen, als chemische Verbindung in einem Trägermaterial von Leiterplatten, Leiterfolien, MIDs und Gehäusen sowie im erfindungsgemäßen Verfahren führt zu gut reproduzierbaren insbesondere Leiterbahnstrukturen mit scharfen Randbereichen bei gleichzeitiger Möglichkeit, viele Einzelebenen an Leiterbahnstrukturen übereinander anzuordnen und gegebenenfalls an bestimmten Stellen miteinander zu verbinden. Schließlich ist festzustellen, daß eine nachträgliche Metallisierung auch an den Oberflächen des Trägermaterials aufgrund der hohen physikalischen und chemischen Beständigkeit gegen Umwelteinflüsse und der immanent nach Umwandlung intrinsischen elektrischen Leitfähigkeit nicht notwendig ist.
Es sei expressis verbis darauf hingewiesen, daß es erfindungsgemäß auch möglich ist, bereits ein vollständig elektrisch leitfähiges Material, beispielsweise auf Polymerbasis, zu verwenden und durch Energieeinbringung eine räumlich begrenzte elektrische Isolation in Form einer Leiterbahnstruktur zu erzeugen. Dadurch ist die Herstellung eines Produktes in "Negativtechnik" möglich.
Das erzeugte Produkt kann erfindungsgemäß nach Wahl der Stärke des Trägermaterials und dessen geometrische Formauslegung starr, beispielsweise als Platte, oder dreidimensionales Gebilde oder als flexible Fo lienauslegung ausgeführt sein.
Vorteil eines solchen Produktes und dessen Herstellungsverfahrens ist die Möglichkeit, die Miniaturisierung in der Elektronik weiter fortzuführen und in den Bereich von Verbindungsleitern von nur wenigen Mikrometern oder noch weniger zu gelangen. Somit können alle elektronischen Endprodukte, die eine Reduzierung der Geräteabmessungen anstreben, durch diese Technik hergestellt werden. Insbesondere bietet sich der Einsatz in Mobilfunktelephonen an, die damit kleiner und effektiver gestaltet werden können. Weiterhin können alle Verbindungsfunktionen in der Automobilindustrie dargestellt und flexible Leiterplatten (sog. Flexleiter) ersetzt werden.
Bei der Einbringung von Kondensatoren, Induktivitäten oder Widerständen – bis hin zu einfachen ICs – können auch mehrere Materialien, beispielsweise und insbesondere mehrere Polymermaterialien, miteinander gemischt werden, um dann beispielsweise und insbesondere durch unterschiedliche Wellenlängen eines Lasers entsprechend angeregt zu werden, so daß auf diese Art und Weise eine einfache und reproduzierbare Herstellungsmöglichkeit bereitgestellt wird.
Weiterhin können mit dem erfindungsgemäßen Verfahren elektrische und optische Signalleiter direkt nebeneinander/übereinander bzw. miteinander/übereinander verbindend hergestellt werden, was in der Regel den Einsatz von Polymeren und/oder Gläsern oder jedoch andere geeignete Kombinationen voraussetzt, wobei die Struktur, insbesondere die Leiterbahnstruktur, selbst jedoch parallel sowohl optisch als auch elektrisch genutzt werden kann.
Der optische Signalleiter wird beispielsweise und insbesondere durch ein Acrylat-Polymer oder Glas her gestellt, wobei durch entsprechend energetische Aktivierung im Bereich der Außen- bzw. Grenzfläche des gewünschten optischen Signalleiters – also auch im Inneren des Trägermaterials – eine Mantelfläche im optisch leitfähigen Material selbst oder im angrenzenden Umgebungsmaterial des Trägermaterials erzeugt werden kann, dessen Brechungsindex, vorteilhafterweise deutlich, unterschiedlich zu dem des optischen Signalleiters ist. Es wird somit insbesondere eine Totalreflexion an der Grenzfläche des optischen Signalleiters möglich.
Darüber hinaus ist es möglich, ein optisch nicht leitfähiges Material, beispielhaft und insbesondere ein Polymermaterial, durch Energieeinbringung in einem räumlich begrenzten Bereich in eine optische Leitfähigkeit umzuwandeln.
Durch diese Technik werden Bauteilträger für die Datenübertragungstechnik ausgesprochen wirtschaftlich herstellbar, beispielsweise im Bereich einer neuartigen Serverproduktfamilie. Ebenfalls werden neuartige Produkte im Bereich der Bussteuerung im Automobilbau sowie der Datenübertragung im Handheld bzw. im Mobilfunktelephonbereich möglich.
Nur der guten Ordnung halber sei darüber hinaus darauf hingewiesen, daß auch eine im optischen Bereich analoge "Negativtechnik" – wie für den elektrischen Fall oben beschrieben – möglich ist.
Das nachfolgende Ausführungsbeispiel dient zur näheren Erläuterung der Erfindung.
In der 1 zeigt:
1 – eine schematische dreidimensionale Skizze eines Trägermaterials.
In 1 ist schematisch eine dreidimensionale Darstellung eines Trägermaterials einer Leiterplatte dargestellt.
In der Skizze sind verschiedene Leiterbahnen 1, 2, 3 dargestellt, die miteinander verbunden sind. Beispielhafte Beschreibung eines Schaltungsaufbaus:
Auf der Unterseite einer 1 mm dicken Polymerplatte wird auf der Oberfläche die erste leitfähige Ebene durch die Energiequelle erzeugt. Im Abstand von 120 μm können durch die Fokusverstellung der Energiequelle S in Z-Achse (also entlang der Dicke d der Polymerplatte) weitere leitfähige Leiterbahnstrukturen in verschiedenen Ebenen erzeugt werden. Die leitfähigen Strukturen in unterschiedlichen Ebenen e1, e2, e3 werden durch Bahnen z1,z2, die sich entlang der Z-Achse erstrecken (also entlang der Dicke der Polymerplatte) leitfähig miteinander verbunden, wobei ein Multilayer mit insgesamt neun leitfähigen Ebenen (es sind lediglich drei Ebenen eingezeichnet) entsteht.
Das Polymer ist beispielsweise ein teiltransparentes Polyamid, welches mit Partikeln durchsetzt ist, die aufgrund einer Behandlung mit einer Laserquelle in ausgewählten Bereichen elektrisch leitfähig bzw. isolierend eingestellt werden können oder nach entsprechender Aktivierung ein intrinsisch leitfähiges Polymer bilden, beispielsweise mittels oxidativ gekoppelter Monomere, die unter den genannten Einflüssen zu einem polymeren Material umgesetzt werden und dabei metallische Eigenschaten besitzen/erhalten.
Darüber hinaus ist in der Ebene e2 neben der eigentlichen Leiterbahn eine induktive Funktionselementstruktur FES1 in Form mehrerer unterschiedlich nebeneinander angeordneter Induktivitäten (in Form von verschiedenen Spulengrößen) angeordnet, die bei Passieren in einem Magnetfeld ein entsprechendes Muster aufeinanderfolgender Induktionssignale in Form einer bestimmten Signalfolge entstehen lassen, die als solche beispielsweise zur Identifizierung einer Leiterplatte innerhalb eines aufzubauenden Gerätes quasi als zusätzliche Fertigungskontrolle dienen können.

Claims

Verfahren zur Herstellung von Funktionselementstrukturen, insbesondere von Leiterplatten, wobei mittels eines Energiestrahls oder Energiepulses die Funktionselementstrukturen erzeugt werden, wobei im Falle einer Leiterbahnstruktur mindestens eine leiterbahnstrukturfreie Funktionselementstruktur erzeugt wird.
Verfahren nach Ansprch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Funktionselemente unterhalb der Oberfläche eines Trägermaterials erzeugt werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Erzeugung durch eine chemische Umwandlung einer sich im Trägermaterial befindenden chemischen Verbindung durchgeführt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß mittels eines Energiestrahls oder Energiepulses mindestens eine chemische Verbindung eine zumindest hinsichtlich einer der elektrischen und optischen Eigenschaften des Trägermaterials unterschiedliche Eigenschaft aufweisende Substanz freisetzend umgewandelt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet daß Kapazitäten und/oder Indukti vitäten und/oder Widerstände und/oder LEDs und/oder OLEDs und/oder Batterien und/oder Photozellen und/oder Sensoren und/oder ICs in das Trägermaterial und/oder in die Funktionselementstrukturen, insbesondere Leiterbahnstrukturen, eingebracht werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß mittels einer bezüglich verschiedener Ebenen einstellbaren Energiefokussierung des Energiestrahles oder Energiepulses eine zwei- und/oder dreidimensionale Funktionselementstrukturierung durchführbar ist/durchgeführt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als die Substanz freisetzende chemische Verbindung mindestens ein Metallkomplex verwendet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Erzeugung der Funktionselementstrukturen hinsichtlich einer nachträglichen Verstärkung der Funktionselementstrukturen, insbesondere Metallisierung, behandlungsfrei, insbesondere galvanisierungsfrei, durchgeführt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial mindestens eine Substanz aus der Gruppe der anorganischen Oxide enthält oder daraus besteht, wobei diese eine spinellartige oder Spinell-Struktur aufweisen, und/oder es sich bei den Oxiden um d-Metalloxide und/oder f-Metalloxide und/oder deren Gemische und/oder Gemischtmetallverbindungen handelt, die den Spinellstrukturen verwandt sind.
Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die anorganischen Oxide Kupfer enthalten.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial mindestens ein ICP enthält oder daraus besteht.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß es sich beim ICP um Polyanilin handelt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial mindestens einen anorganischen Füllstoff enthält.
Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial Kieselsäure und/oder Kieselsäurederivat enthält.
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß als Metallkomplex ein Metallchelatkomplex verwendet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß es sich beim Metallkomplex um einen Aminkomplex handelt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Komplex Kupfer enthält.
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß es sich beim Komplex um einen aus der Gruppe, bestehend aus Kupfer-EDTA-Komplex, Bis(2,3-butandiondioximato)-Kupfer, Kupfer-Ethylendiamin-Komplex, Kupfer-Propandiamin-Komplex, Kupfer-Butandi amin-Komplex, Kupfer-Diethylentriamin-Komplex, Kupfer-Dipropylentriamin-Komplex, Kupfer-Dibutylentriamin-Komplex, Kupfer-Trietethylentetraamin-Komplex, Kupfer-Tripropylentetraamin-Komplex, Kupfer-Tributylentetraamin-Komplex, handelt.
Funktionselementstruktur, dadurch gekennzeichnet, daß diese nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18 hergestellt worden ist.
Leiterplatte, Leiterfolie, Gehäuse oder MID, dadurch gekennzeichnet, daß diese/dieses in ihrem/seinem Trägermaterial eine Funktionselementstruktur nach Anspruch 19 enthält.
Vorrichtung, insbesondere Mobilfunk-Telephon, enthaltend eine Funktionselementstruktur nach Anspruch 19.
Vorrichtung, enthaltend eine Leiterplatte und/oder eine Leiterfolie und/oder ein Gehäuse und/oder ein MID nach Anspruch 20.
Verwendung eines Komplexes aus der Gruppe, bestehend aus Kupfer-EDTA-Komplex, Bis(2,3-butandiondioximato)-Kupfer, Kupfer-Ethylendiamin-Komplex, Kupfer-Propandiamin-Komplex, Kupfer-Butandiamin-Komplex, Kupfer-Diethylentriamin-Komplex, Kupfer-Dipropylentriamin-Komplex, Kupfer-Dibutylentriamin-Komplex, Kupfer-Trietethylentetraamin-Komplex, Kupfer-Tripropylentetraamin-Komplex, Kupfer-Tributylentetraamin-Komplex, und/oder eines ICP, insbesondere Polyanilin, zur Herstellung von Funktionselementstrukturen.
Verwendung eines Komplexes aus der Gruppe, beste hend aus Kupfer-EDTA-Komplex, Bis(2,3-butandiondioximato)-Kupfer, Kupfer-Ethylendiamin-Komplex, Kupfer-Propandiamin-Komplex, Kupfer-Butandiamin-Komplex, Kupfer-Diethylentriamin-Komplex, Kupfer-Dipropylentriamin-Komplex, Kupfer-Dibutylentriamin-Komplex, Kupfer-Trietethylentetraamin-Komplex, Kupfer-Tripropylentetraamin-Komplex, Kupfer-Tributylentetraamin-Komplex, und/oder eines ICP, insbesondere Polyanilin, als chemische Verbindung in einem Trägermaterial von Leiterplatten, Leiterfolien, MIDs oder Gehäusen.
Verwendung eines Komplexes aus der Gruppe, bestehend aus Kupfer-EDTA-Komplex, Bis(2,3-butandiondioximato)-Kupfer, Kupfer-Ethylendiamin-Komplex, Kupfer-Propandiamin-Komplex, Kupfer-Butandiamin-Komplex, Kupfer-Diethylentriamin-Komplex, Kupfer-Dipropylentriamin-Komplex, Kupfer-Dibutylentriamin-Komplex, Kupfer-Trietethylentetraamin-Komplex, Kupfer-Tripropylentetraamin-Komplex, Kupfer-Tributylentetraamin-Komplex, und/oder eines ICP, insbesondere Polyanilin, in einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18.
Verwendung von hinsichtlich einer nachträglichen Verstärkung der Funktionselementstrukturen, insbesondere Metallisierung, behandlungsfreien, insbesondere galvanisierungsfreier, Funktionselementstrukturen in Vorrichtungen nach einem der Ansprüche 21 bis 22.