DE102004044394A1

DE102004044394A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Halbleitersubstraten

Info

Publication number: DE102004044394A1
Application number: DE102004044394A
Authority: DE
Inventors: Sang-Oh Park; Hun-Jung Suwon Yi
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2003-11-04
Filing date: 2004-09-14
Publication date: 2005-06-16
Also published as: JP4694814B2; JP2005142548A

Abstract

Eine Trockenvorrichtung und ein Verfahren zum Trocknen eines Wafers mit dem Einspeisen eines Trockenstoffes zum Trocknen eines Wafers und dem Steuern einer Strömung des Trockenstoffes, um den Wafer gleichmäßig oder weitestgehend gleichmäßig zu trocknen. Die Strömung des Trockenmaterials kann durch eine Belüftungseinheit mit zumindest einem Teil zum Steuern der Strömung des Trockenmaterials, um den Wafer gleichmäßig oder weitestgehend gleichmäßig zu trocknen, gesteuert werden.

Description

Die vorliegende Erfindung beansprucht die Priorität der am 04. November 2003 eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr. 2003-0077781 und der am 26. April 2004 eingereichten U.S.S.N. 10/831,175, deren Inhalt hiermit durch Bezug in seiner Vollständigkeit aufgenommen wird.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Trocknen von Halbleitersubstraten und insbesondere eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Trocknen von Halbleitersubstraten, welche eine Belüftungseinheit verwenden.

Beschreibung des Standes der Technik

Reine Halbleitersubstrate sind nützlich, um die Effizienz und den korrekten Betrieb einer Halbleitervorrichtung zu verbessern. Unreine Halbleitersubstrate können zu Problemen führen. Diese Probleme können eine Ineffizienz und/oder inkorrekte Funktion des hergestellten Halbleiters enthalten.

Ein herkömmliches Verfahren des Reinigens von Halbleitersubstraten schließt ein Naßreinigungsverfahren ein, wobei eine chemische Lösung verwendet wird, um Störstellen in dem Halbleitersubstrat zu entfernen. Nach dem Naßreinigungsverfahren kann es notwendig sein, eine verbleibende chemische Lösung, die in dem Naßreinigungsverfahren verwendet worden ist, von dem Halbleitersubstrat zu entfernen.

Ein herkömmliches Verfahren zum Entfernen einer chemischen Lösung von einem Halbleitersubstrat im Anschluß an ein Naßreinigungsverfahren schließt die Passage des Halbleitersubstrats durch zwei verschiedene Phasen ein, eine Spülphase und eine Trockenphase. Eine in 1 gezeigte Spül-Trockenvorrichtung kann eine Spülkammer 101, eine Trockenkammer 103, eine Gasversorgung 105 mit einer Gaseinlaßleitung 105a und eine Belüftung 107 enthalten.

Während der Spülphase kann entionisiertes Wasser 109, wie in 1 gezeigt, in die Spülkammer 101 eingeleitet werden. Der Halbleiterwafer 111, welcher die Rückstände der chemischen Lösung enthält, wird in das entionisierte Wasser 109 getaucht. Die Rückstände der chemischen Lösung werden in der Spülkammer 101 entfernt und das entionisierte Wasser 109 wird auf der Oberfläche des gespülten Halbleiterwafers 111 absorbiert.

Anschließend an die oben beschriebene Spülphase wird eine Trockenphase eingeleitet. Während der Trockenphase wird der gespülte Halbleiterwafer 111 von der Spülkammer 101 in die Trockenkammer 103 angehoben. Gleichzeitig wird ein Gas 115, das z.B. Isopropylalkohol (IPA) sein kann, von der Gasversorgung 105 in das Innere der Trockenkammer 103 eingespeist. Das in die Trockenkammer 103 eingespeiste Gas 115 wird in Richtung des Halbleiterwafers 111 geleitet. Nachdem es über den Halbleiterwafer 111 passiert ist, wird das Gas 115 durch die Belüftung 107 aus der Trockenkammer 103 entlüftet. Wenn der Halbleiterwafer 111 ausreichend trocken ist, ist die Trockenphase beendet und das Verfahren zum Entfernen der auf dem Halbleiterwafer 111 während dem Naßreinigungsverfahren verbleibenden chemischen Lösung ist abgeschlossen.

Bei herkömmlichen Verfahren und Vorrichtungen können Wasserflecken 113a und 113b wie in 2 gezeigt im Anschluß an die Trockenphase auf dem Halb leiterwafer 111 verbleiben. Ein Grund, weshalb die Wasserflecken 113a und 113b auftreten können, ist aufgrund von ungleichmäßiger Strömung des Gases 115 während der Trockenphase, wenn das Gas 115 in die Trockenkammer 103 eingespeist und in Richtung des Halbleiterwafers 111 geleitet wird. Diese Wasserflecken 113a und 113b können an zumindest zwei unterschiedlichen Stellen ausgebildet sein. Die ersten Wasserflecken 113a können auf beiden Seiten des oberen Bereichs des Halbleiterwafers 111 in gegenüberliegender Richtung einer Füllzone 111a ausgebildet sein. Die Wasserflecken 113b können benachbart an die Füllzone 111a ausgebildet sein.

Wasserflecken können wie oben beschrieben Probleme bei dem Halbleiterherstellungsverfahren, wie z.B. eine Verringerung des Ertrags der produzierten Halbleitervorrichtungen verursachen.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Exemplarische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen eine Trockenvorrichtung mit einer Trockenkammer zum Zuführen eines Trockenstoffes zum Trocknen eines Wafers und einer Belüftungseinheit zum Steuern einer Strömung des Trockenstoffes, um den Wafer gleichmäßig oder im wesentlichen gleichmäßig zu trocknen.

Examplarische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen eine Belüftungseinheit mit zumindest einem Teil zum Steuern einer Strömung des Trockenstoffes, um der Wafer gleichmäßig oder im wesentlichen gleichmäßig zu trocknen.

Exemplarische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen ein Verfahren zum Trocknen eines Wafers einschließlich dem Zuführen eines Trockenstoffes zum Trocknen des Wafers und zum Steuern einer Strömung des Trockenmaterials, um den Wafer gleichmäßig oder im wesentlichen gleichmäßig zu trocknen.

In exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann die Vorrichtung zum Trocknen und Spülen des Halbleitersubstrats eine Spülkammer, eine Trockenkammer und/oder eine Belüftungseinheit enthalten. In exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann die Spülkammer ausreichenden Raum für ein Spülverfahren als auch ein Naßreinigungsverfahren vorsehen. In exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann die Spülkammer zwei oder mehr horizontale Belüftungsöffnungen, insbesondere Schlitze aufweisen, welche an einem oberen Bereich gegenüberliegender Seiten der Spülkammer angeordnet sind.

In exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann die Trockenkammer über der Spülkammer angeordnet sein und einen offenen unteren Bereich aufweisen. Der offene untere Bereich kann den gespülten Wafern erlauben, von der Spülkammer während einer Trockenphase durchzutreten bzw. durchzupassieren. Das Innere der Trockenkammer kann ausreichenden Raum für die Durchführung der Trockenphase aufweisen.

In exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann die Trockenkammer eine Gasversorgung enthalten, welche ein Spülgas einschließlich aber nicht begrenzt auf Stickstoff einspeist, um in der Trockenkammer befindliche verunreinigte Luft während einer Spülphase oder dem Naßreinigungsverfahren zu entlüften. Die Gasversorgung kann ferner ein Trockengas einschließlich aber nicht begrenzt auf IPA, während einer Trockenphase zuführen.

In exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann die Trockenkammer eine erste Öffnung, insbesondere einen Schlitz und eine zweite Öffnung, insbesondere einen Schlitz aufweisen, welche durch jede ihrer unteren Seiten durchdringen.

Exemplarische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können eine Belüftungseinheit einschließen, welche in einer horizontalen Richtung durch die erste Öffnung, insbesondere den Schlitz, und die zweite Öffnung, insbesondere Schlitz, in die Trockenkammer bewegt werden kann.

In exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann sich die Belüftungseinheit durch die erste Öffnung, insbesondere den Schlitz und die zweite Öffnung, insbesondere Schlitz bewegt werden, um die Strömung zwischen der Spülkammer und der Trockenkammer steuern.

In exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann die Belüftungseinheit eine erste Tür mit Öffnungen, insbesondere Schlitzen und eine zweite Tür mit Öffnungen, insbesondere Schlitzen enthalten, welche identisch oder nicht identisch sein können, und entworfen sind, um durch die erste Öffnung insbesondere den Schlitz und die zweite Öffnung, insbesondere den Schlitz bewegt zu werden. Die erste Tür kann horizontal durch die erste Öffnung, insbesondere den Schlitz bewegt werden und die zweite Tür kann horizontal durch die zweite Öffnung, insbesondere den Schlitz bewegt werden. In exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können die in den Türen enthaltenen Öffnungen, insbesondere Schlitze entworfen sein, so daß sie der Trockenkammer und der Spülkammer erlauben, teilweise oder vollständig voneinander isoliert zu werden. In exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können die in den Türen enthaltenen Öffnungen, insbesondere Schlitze die Strömung zwischen der Trockenkammer und der Spülkammer steuern. Es können verschiedene exemplarische Ausführungsformen im Hinblick auf die spezifischen Ausbildungen der Öffnungen, insbesondere Schlitze in der ersten und zweiten Tür bestehen.

In exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann die durch die Belüftungseinheit ermöglichte Strömungssteuerung eine gleichmäßige oder gleichmäßigere Verteilung des Trockengases erlauben, daß während der Trockenphase auf den Halbleiterwafer angewendet wird. Exemplarische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können dementsprechend die oben erwähnten Wasserflecken vermindern oder beseitigen.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Exemplarische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind anhand der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung und der begleitenden Zeichnungen, welche ausschließlich zum Zwecke der Darstellung vorgesehen sind und somit die Erfindung nicht beschränken, ersichtlich.

1 stellt eine Spülkammer und eine Trockenkammer einer herkömmlichen Vorrichtung dar.

2 stellt eine Draufsicht von auf Halbleitersubstraten ausgebildeten Wasserflecken unter Verwendung einer herkömmlichen Vorrichtung dar.

3 stellt eine Trockenvorrichtung entsprechend einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar.

4a stellt eine Belüftungseinheit entsprechend einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar und 4b stellt einen Querschnitt einer Belüftungseinheit von 4a entlang der I-I Linie dar.

5a stellt eine Belüftungseinheit entsprechend einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar und 5b stellt einen Querschnitt der Belüftungseinheit von 5a entlang der II-II Linie dar.

5c stellt eine andere Querschnittsansicht der Belüftungseinheit von 5a dar.

6a stellt eine Belüftungseinheit entsprechend einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar und 6b stellt ei nen Querschnitt der Belüftungseinheit von 6a entlang der III-III Linie dar.

6c stellt eine andere Querschnittsansicht der Belüftungseinheit von 6a dar.

7 stellt ein Verfahren mit einem Spülvorgang entsprechend einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welche eine Belüftungseinheit einschließt, dar.

8 stellt ein Verfahren mit einem Trockenvorgang entsprechend einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welche eine Belüftungseinheit einschließt, dar.

Es sollte beachtet werden, daß diese Figuren gedacht sind, um die allgemeinen Eigenschaften der Verfahren und Vorrichtungen der exemplarischen Ausführungsformen dieser Erfindung zum Zwecke der Beschreibung solcher exemplarischen Ausführungsformen hierin darzustellen. Diese Zeichnungen sind jedoch nicht maßstabsgetreu und können die Eigenschaften einer gegebenen Ausführungsform nicht präzise wiedergeben. Sie sollten daher nicht als definierend oder begrenzend in Bezug auf den Bereich der Werte und Eigenschaften der exemplarischen Ausführungsformen innerhalb des Umfangs dieser Erfindung interpretiert werden.

Ausführliche Beschreibung der exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung

Eine Trockenvorrichtung entsprechend einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält wie in 3 gezeigt eine erste Kammer 1 und eine zweite Kammer 3. Die erste Kammer 1 kann Raum für ein Spül- oder Reinigungsver fahren vorsehen, welches vor Eingabe eines Halbleitersubstrats in die in 3 gezeigte Trockenvorrichtung durchgeführt wird.

Die erste Kammer 1 kann einen offenen oberen Bereich und eine erste Belüftungsöffnung, insbesondere einen Schlitz 1S', und eine zweite Belüftungsöffnung, insbesondere einen Schlitz 1S'', an einem oberen Bereich beider Seiten der Kammer enthalten. Es sollte beachtet werden, daß obwohl 3 eine erste Belüftungsöffnung, insbesondere einen Schlitz 1S', und eine zweite Belüftungsöffnung, insbesondere einen Schlitz 1S'', darstellt, ebenfalls jegliche Anzahl beider Belüftungsöffnungen, insbesondere Schlitze verwendet werden kann, wie dem Fachmann ersichtlich ist.

Die zweite Kammer 3 kann einen offenen unteren Bereich enthalten, welcher es Halbleiterwafern (z.B. gespülten Halbleiterwafern) erlaubt, vor der ersten Kammer 1 in das Innere der zweiten Kammer 3 hindurch zu passieren. Der offene untere Bereich der zweiten Kammer 3 kann Raum für einen Roboterarm oder einen anderen Mechanismus zum Bewegen von Wafern enthalten, um beim Trocknen von Halbleiterwafern zu assistieren.

Die zweite Kammer 3 kann eine Gasversorgung 7, welche ein Spülgas zum Entlüften von verunreinigtem Gas (z.B. verunreinigter Luft) aus der zweiten Kammer 3 während dem Spül- oder Reinigungsvorgang einleitet, enthalten und kann ein Trockengas während einem Trockenverfahren in der zweiten Kammer 3 vorsehen.

Die zweite Kammer 3 kann ferner eine erste Öffnung, insbesondere einen Schlitz S1 und eine zweite Öffnung, insbesondere einen Schlitz S2 an jedem der unteren Bereiche beider Seiten der zweiten Kammer 3 enthalten. Es sollte beachtet werden, daß obwohl 3 eine Öffnung, insbesondere einen Schlitz S1 und eine Öffnung, insbesondere einen Schlitz S2 darstellt, ebenfalls jegliche Anzahl beider Belüftungsöffnungen, insbesondere Schlitze, verwendet werden können, wie dem Fachmann ersichtlich ist.

Eine Belüftungseinheit 5 ist in einer horizontalen oder im wesentlichen horizontalen Richtung durch die Belüftungsöffnungen, insbesondere Schlitze S1, S2 bewegbar, wobei die Innenräume der ersten und zweiten Kammern 1, 3 (abhängig von der Position der Belüftungseinheit 5) getrennt oder verbunden werden. Die Belüftungseinheit 5 kann eine erste schiebetürartige Entlüftungseinheit 5a enthalten, welche horizontal oder im wesentlichen horizontal durch die erste Öffnung, insbesondere den Schlitz S1 verläuft und eine zweite schiebetürartige Entlüftungseinheit 5b, welche horizontal oder im wesentlichen horizontal durch die zweite Öffnung, insbesondere den Schlitz S2 verläuft. Die zweite Kammer 3 kann abgeschottet werden, wenn die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b in der zweiten Kammer 3 Kontakt bilden. In diesem Fall kann die in der zweiten Kammer 3 befindliche Luft durch eine Vielzahl von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern, welche in den ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b ausgebildet sind, entlüftet werden.

Die 4a und 4b stellen eine Entlüftungseinheit 5, entsprechend einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. Die Belüftungseinheit 5 kann eine erste schiebetürartige Belüftungseinheit 5a und eine zweite schiebetürartige Belüftungseinheit 5b enthalten. Die erste schiebetürartige Belüftungseinheit 5a kann einen ersten Körper 11' und eine erste Entlüftungsleitung 11e' enthalten. Der erste Körper 11' kann eine erste untere Platte 11g', einen ersten Innenraum 11s', eine erste obere Platte 11t', und eine erste Wand aufweisen, welche eine erste innere Seitenwand 11d', eine erste äußere Seitenwand 11w', eine erste Vorderwand 11f' und eine erste Rückwand 11r' aufweist.

Die erste obere Platte 11t' kann erste Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher mit ersten, zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11a', 11b', 11c' aufweisen. Es sollte beachtet werden, daß, obwohl die 4a und 4b drei Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern darstellen, jegliche Anzahl von Belüftungslochgruppen (oder Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern) verwendet werden kann, wie dem Fachmann ersichtlich ist.

Der erste Körper 11' kann in einen ersten Mittelbereich R1', einen ersten Randbereich R3', und einen ersten intermediären Bereich R2' unterteilt werden. Es sollte beachtet werden, daß, obwohl 4a und 4b einen Mittelbereich R1', einen ersten Randbereich R3' und einen ersten intermediären Bereich R2' darstellen, jegliche Anzahl von Mittelbereichen R1', Randbereichen R3' und/oder intermediären Bereichen R2', verwendet werden kann, wie dem Fachmann ersichtlich ist.

Die erste Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11a' kann eine erste Breite W1 aufweisen, die zweite Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11b' kann eine zweite Breite W2 aufweisen und die dritte Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11c' kann eine dritte Breite W3 aufweisen. Die ersten, zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern können alle die gleiche Länge L aufweisen. Falls die erste Breite W1 größer als die zweiten und dritten Breiten W2, W3 und die zweite Breite W2 gleich der dritten Breite W3 ist, kann die erste Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11a' mit der gleichen Dichte (Lochzahl) als die zweite Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11b' angeordnet werden, und die dritte Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11c' kann mit einer geringeren Dichte (Lochzahl) als die zweite Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11b' angeordnet werden.

Alternativ kann die erste Breite W1 größer als die zweite Breite W2 sein, und die zweite Breite W2 kann größer als die dritte Breite W3 sein. In diesem Fall können die ersten, zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11a', 11b', 11c' alle mit der gleichen Dichte angeordnet werden. Ebenfalls können die ersten, zweiten und dritten Breiten W1, W2, W3 alle gleich ausfallen. In diesem Fall kann die erste Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11a' mit einer höheren Dichte als die zweite Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11b' angeordnet werden und die dritte Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11c' kann mit einer geringeren Dichte als die zweite Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11b' angeordnet werden. Es sollte beachtet werden, daß andere Breiten, Längen, Dichten und/oder Kombinationen deren ebenfalls verwendet werden könnten, wie dem Fachmann ersichtlich ist.

Die ersten, zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11a', 11b', 11c' können ebenso verschiedene Formen aufweisen, z.B. eine quadratische, eine kreisförmige, eine rechteckige, oder eine andere geometrische Form. Der erste Körper 11' kann ebenso in andere Bereiche als die mittleren, intermediären und Randbereiche R1, R2, R3 unterteilt werden.

Die zweite schiebetürartige Entlüftungseinheit 5b kann gleich oder unterschiedlich als die erste schiebetürartige Entlüftungseinheit 5a ausfallen. Die zweite schiebetürartige Entlüftungseinheit 5b kann die Elemente 11'', 11a'', 1b'', 11c'', 11d'', 11e'', 11f'', 11g'', 11r'', 11s'', 11t'', 11w'', R1'', R2'' und R3'' enthalten, welche den Elementen 11', 11a', 11b', 11c', 11d', 11e', 11f', 11g', 11r', 11s', 11t', 11w', R1', R2' und R3' der ersten schiebetürartigen Entlüfteinheit 5a entsprechen.

Die 5a bis 5c stellen eine Belüftungseinheit 5 entsprechend einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. Die Belüftungseinheit 5 kann eine variable schiebetürartige Entlüftungseinheit sein und eine erste schiebetürartige Entlüftungseinheit 31a, sowie eine zweite schiebetürartige Entlüftungseinheit 31b enthalten, welche in die erste schiebetürartige Entlüftungseinheit 31a eingefügt ist. Die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 31a, 31b können eine ähnliche Form als die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b aufweisen. Die erste schiebetürartige Entlüftungseinheit 31a kann einen ersten Körper 33' und eine erste Entlüftungsleitung 33e' enthalten.

Der erste Körper 33' kann eine erste obere Platte 33t', eine erste untere Platte 33g', eine erste Vorderwand 33f, eine erste Rückwand 33r', und eine erste äußere Seitenwand 33w' aufweisen. Die erste obere Platte 33t' kann erste, zweite und dritte Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 33a', 33b', 33c' aufweisen, welche durch die erste obere Platte 33t' passieren. Der erste Körper 33' kann einen ersten Öffnungsbereich 33h' gegenüberliegend der ersten äußeren Seitenwand 33w' aufweisen.

Die zweite schiebetürartige Entlüftungseinheit 31b kann gleich oder unterschiedlich als die erste schiebetürartige Entlüftungseinheit 31a ausfallen. Die zweite schiebetürartige Entlüftungseinheit 31b kann die Elemente 33'', 33a'', 33b'', 33c'', 33e'', 33f'', 33g'', 33r'', 33t'', 33w'', R1'', R2'' und R3'' enthalten, welche den Elementen 33', 33a', 33b', 33c', 33e', 33f, 33g', 33r', 33t', 33w', R1', R2' und R3' der ersten schiebetürartigen Entlüftungseinheit 31a entsprechen.

Der zweite Öffnungsbereich 33h'' kann kleiner als der erste Öffnungsbereich 33h' ausfallen. Die zweite Kammer 3 kann durch Kontaktbilden der ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 31a, 31b abgeschottet werden, indem diese jeweils in die Öffnungen, insbesondere Schlitze S1, S2 der zweiten Kammer 3 eingefügt werden. D.h. der zweite Öffnungsbereich 33h'' kann in den ersten Öffnungsbereich 33h' eingefügt werden (oder umgekehrt), wie nachfolgend in Bezug auf die 5b und 5c beschrieben wird.

Ein Abschnitt der Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher 33a', 33b', 33c' des ersten Körpers 33' kann mit einem Abschnitt der Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher 33a'', 33b'', 33c'' des zweiten Körpers 33'' überlappen, indem die Überlappung zwischen den ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 31a, 31b vergrößert wird. Die erste Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 33a' des ersten Körpers 33' kann zum Beispiel mit der ersten Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 33a'' des zweiten Körpers 33'' überlappen. In diesem Fall kann eine Dichte der Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher, welche derart angeordnet sind, daß sie beiderseits die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 31a, 31b bedecken, verringert werden und eine Breite der variablen schiebetürartigen Entlüftungseinheit, welche die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 31a, 31b enthält, kann ebenfalls verringert werden. Demzufolge kann sich die variable schiebetürartige Entlüftungseinheit dafür eignen, Wafer mit verschiedenen (z.B. kleineren) Durchmessern zu trocknen.

Es sollte beachtet werden, daß die oben beschriebenen Variationen und/oder Kombinationen in Bezug auf die 4a und 4b ebenfalls auf die 5a bis 5c anwendbar sind, wie dem Fachmann ersichtlich ist.

6a bis 6c stellen eine Belüftungseinheit 5 entsprechend einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. Die Belüftungseinheit 5 kann erste und zweite schiebetürartige Entlüftungseinheiten 41a, 41b enthalten. Die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 41a, 41b können eine den ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b oder 31a, 31b ähnliche Form aufweisen. D.h. die erste schiebetürartige Entlüftungseinheit 41a kann einen ersten Körper 43' und eine erste Entlüftungsleitung 43e' aufweisen. Ähnlicherweise kann die zweite schiebetürartige Entlüftungseinheit 41b einen zweiten Körper 43'' und eine zweite Entlüftungsleitung 43e'' aufweisen.

Die zweite schiebetürartige Entlüftungseinheit 41b kann gleich oder unterschiedlich als die erste schiebetürartige Entlüftungseinheit 41a ausfallen. Die zweite schiebetürartige Entlüftungseinheit 41b kann die Elemente 43'', 43a'', 43b'', 43c'', 43d'', 43e'', 43f'', 43g'', 43r'', 43t'', 43w'', R1'', R2'' und R3'' enthalten, welche den Elementen 43', 43a', 43b', 43c', 43d', 43e', 43f, 43g', 43r', 43t', 43w', R1', R2' und R3' der ersten schiebetürartigen Entlüftungseinheit 31a entsprechen.

Der erste Körper 43' kann eine erste obere Platte 43t', eine erste untere Platte 43g', eine erste Vorderwand 43f, eine erste Rückwand 43r', eine erste äußere Seitenwand 43w' und eine erste innere Seitenwand 43d', aufweisen. Der zweite Körper 43'' kann eine zweite obere Platte 43t'', eine zweite untere Platte 43g'', eine zweite Vorderwand 43f'', eine zweite Rückwand 43r'', eine zweite äußere Seitenwand 43w'', und einen zweite innere Seitenwand 43d'', aufweisen.

Die ersten und zweiten oberen Platten 43t', 43t'' können jeweils erste und zweite Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher aufweisen. Die erste obere Platte 43t' kann erste, zweite und dritte Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43b', 43c', aufweisen. Die ersten Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher können erste, zweite und dritte Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43b', 43c', aufweisen. Die zweite obere Platte 43t'' kann erste, zweite und dritte Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a'', 43b'', 43c'' aufweisen. Die ersten, zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43a'', 43b', 43b'', 43c', 43c'' können alle die gleiche Breite (W) aufweisen.

Eine erste Länge L1 der ersten Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43a'' kann größer als eine zweite Länge L2 der zweiten Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43b', 43b'' sein. Eine dritte Länge L3 der dritten Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43c', 43c'' kann kleiner als eine zweite Länge L2 sein. Der erste Körper 43' kann eine erste Zusatzplatte 45' aufweisen, um eine Öffnungsfläche der Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher 43a', 43b', 43c' des ersten Körpers 43' durch Schieben in horizontaler Richtung entlang einer Oberfläche der ersten oberen Platte 43t' zu variieren.

Der zweite Körper 43'' kann ebenfalls eine zweite Zusatzplatte 45'' aufweisen, um eine Öffnungsfläche der Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher 43a'', 43b'', 43c'' des zweiten Körpers 43'' durch Schieben in horizontaler Richtung entlang einer Oberfläche der zweiten oberen Platte 43t'' zu variieren.

Die erste Zusatzplatte 45' kann erste, zweite und dritte Gruppen von zusätzlichen Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 45a', 45b', 45c' aufweisen, welche die gleiche Größe und/oder (oder nicht bzw. weder) die gleiche Anordnung als die ersten, zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43b', 43c' aufweisen. Die zweite Zusatzplatte 45'' kann erste, zweite und dritte Gruppen von zusätzlichen Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 45a'', 45b'', 45c'' aufweisen, welche die gleiche Größe und/oder (oder nicht bzw. weder) die gleiche Anordnung als die ersten, zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a'', 43b'', 43c'' aufweisen. Falls die ersten, zweiten und dritten Gruppen der zusätzlichen Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher 45a', 45a'', 45b', 45b'', 45c', 45c'', wie in den 6a und 6b gezeigt, jeweils vollständig mit den ersten, zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43a'', 43b', 43b'', 43c', 43c'' durch Einstellen der Position der ersten und zweiten Zusatzplatten 45', 45'' überlappen, können die Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher der ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 41a, 41b die größte Öffnungsfläche aufweisen.

Es sollte beachtet werden, daß die in Bezug auf die 4a bis 4b und 5a bis 5c oben beschriebenen Variationen und/oder Kombinationen ebenfalls auf die 6a bis 6c anwendbar sind, wie dem Fachmann ersichtlich ist.

Nachdem die in 3 gezeigte zweite Kammer 3 bezugnehmend auf 6c durch Kontaktbilden der ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 41a, 41b abgeschottet ist, kann eine Größe der Öffnungsfläche der ersten, zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43a'', 43b', 43b'', 43c', 43c'' durch Ein- und Ausschieben der ersten und zweiten Zusatzplatten 45', 45'' in horizontaler Richtung variiert werden.

Falls jede der ersten und zweiten Zusatzplatten 45', 45'' die halbe Breite W in Richtung der ersten und zweiten inneren Seitenwände 43d', 43d'' bewegt wird, nimmt die Öffnungsfläche aller Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher um die Hälfte ab, ohne daß die Dichte der Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher variiert wird. Die Entlüftungsfähigkeit der variablen schiebetürartigen Entlüftungseinheit kann demzufolge durch Bewegung der ersten und zweiten Zusatzplatten 45', 45'' gesteuert werden. Die variable schiebetürartige Entlüftungseinheit kann ebenfalls dazu verwendet werden, den Druck in der zweiten Kammer 3 nach einem Trockenverfahren zu variieren.

Falls ein in die zweite Kammer 3 eingespeistes Trockengas (wie z.B. Trockengas 27 in 8) eine normale Temperatur oder eine geringere Temperatur als die Normaltemperatur des Trockenverfahrens aufweist, kann der Druck in der zweiten Kammer 3 gesenkt werden, um zu verhindern, daß das Trockengas kondensiert.

Falls ferner die Temperatur des Trockengases 27 gering und der Druck in der zweiten Kammer 3 hoch ist, kann eine Größe der Öffnungsfläche der Entlüftungslöcher durch Einstellen der ersten und zweiten Zusatzplatten 45', 45'' so groß wie möglich gemacht werden.

7 stellt ein Verfahren mit einem Spülvorgang entsprechend einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welche eine Belüftungseinheit enthält, dar. Eine Spülflüssigkeit, z.B. entionisiertes Wasser 21, wird in die erste Kammer 1 geleitet und ein Halbleiterwafer 23 wird in das entionisierte Wasser getaucht, um den Wafer 23 zu spülen. Das Spülen kann das Überfüllen der ersten Kammer mit dem entionisierten Wasser 21 enthalten.

Die Luftfeuchtigkeit in der zweiten Kammer 3 kann konstant oder im wesentlichen konstant durch Zuführen eines Spülgases 25, wie z.B. auf Stickstoff basierendes Gas in die zweite Kammer 3 beibehalten werden und verunreinigte Luft in der zweiten Kammer 3 kann entlüftet werden. Das Spülgas 25 kann durch die Gasversorgung 7 der zweiten Kammer 3 eingespeist werden. Die Gasversorgung 7 kann eine Gaseinlaßleitung 7a zum Zuführen des Gases, wie z.B. dem Spülgas 25 in die zweite Kammer 3 enthalten. Während dem Spülverfahren können die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b (oder 31a, 31b oder 41a, 41b) in den ersten und zweiten Öffnungen, insbesondere Schlitze S1, S2, welche in gegenüberliegenden Seitenwänden der zweiten Kammer 3 ausgebildet sind, angeordnet sein. Die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b können derart angeordnet sein, daß sie der ersten inneren Seitenwand 11d' und der zweiten inneren Seitenwand 11d'' jeweils gegenüberliegen.

Während dem Spülverfahren können die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b positioniert werden, um einen gewünschten (und vielleicht konstanten) Spalt dazwischen zu erreichen. In diesem Fall kann das in die zweite Kammer 3 eingespeiste Spülgas 25 durch die ersten und zweiten Entlüftungsöffnungen, insbesondere Schlitze 1S', 1S'', welche in den Seitenwänden der zweiten Kammer 3 (oder der ersten Kammer 1) ausgebildet sind, entlüftet werden. Während dem Spülverfahren können die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b in horizontaler Richtung näher aneinander oder um einander zu berühren, repositioniert werden. D.h. die zweite Kammer 3 kann durch Kontaktbilden der ersten und zweiten inneren Seitenwände 11d', 11d'' abgeschottet werden. In diesem Fall kann das in die zweite Kammer 3 eingespeiste Spülgas 25 durch die Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher 11a', 11a'', 11b', 11b'', 11c', 11c'' der ersten und zweiten Entlüftungseinheiten 5a, 5b entlüftet werden.

Falls die zweite Kammer 3 während dem Spülverfahren durch Kontaktbilden der ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b abgeschottet ist, kann das Spülgas 25 nicht eingespeist werden. Nach Beendung des Spülverfahrens kann der gespülte Wafer 23 wie in 8 gezeigt angehoben und in die zweite Kammer 3 bewegt werden. Falls die zweite Kammer während dem Spülverfahren durch die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b getrennt wird, wird vor dem Anheben des Wafers 23 eine Bewegungsbahn für den Wafer 23 durch Trennung der ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b voneinander ausgebildet. Während dem Spülen des Wafers 23 kann das Spülgas 25 fortlaufend zugeführt werden. Nach dem Spülen des Wafers 23 in der zweiten Kammer 3, können die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b in horizontaler Richtung geschoben werden, so daß sie gegenseitig Kontakt bilden. D.h. ein oberer offener Bereich der zweiten Kammer 3 kann durch die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b geschlossen werden. Das Trockengas 27 kann über die Gasversorgung 27 eingespeist werden. Das Trockengas 27 kann ein volatiles Gas sein, das in der Lage ist, das entionisierte Wasser durch Reaktion miteinander zu ersetzen. Das Trockengas 27 kann zum Beispiel eines oder mehrere aus der Gruppe von Ethylglykol, 1-Propanol, 2-Propanol, Tetrahydrofuran, 4-Hydroxy-4-methyl-2-pentamon, 1-Butanol, 2-Butanol, Methanol, Ethanol, Isopropylalkohol, Aceton, n-Propylalkohol und Dimethylether sein.

Alternativ kann das Trockengas zusammen mit einem Trägergas eingespeist werden. In diesem Fall kann das Trockengas 27 eine Mischung aus dem Trägergas und einem aus der Gruppe von Ethylglykol, 1-Propanol, 2-Propanol, Tetrahydrofuran, 4-Hydroxy-4-methy-3-pentamon, 1-Butanol, 2-Butanol, Methanol, Ethanol, Isopropylalkohol, Aceton, n-Propylalkohol und Dimethylether sein. Das Trägergas kann Stickstoffgas sein. Das Trägergas kann eine normale oder eine höhere Temperatur aufweisen. Falls das Trägergas eine Temperatur aufweist, welche höher als eine Normaltemperatur ist, kann das Trockengas 27 ebenfalls eine Temperatur aufweisen, welche höher als die Normaltemperatur ist. Falls das Trockengas 27 z.B. eine Mischung von Isopropylalkoholgas, welches eine Normaltemperatur aufweist und Stickstoffgas, welches eine Temperatur aufweist, die höher als die Normaltemperatur ist, kann das Isopropylalkoholgas ebenfalls eine Temperatur aufweisen, welche höher als die Normaltemperatur ist.

Das Trockengas 27 kann in die zweite Kammer 3 wie in 8 gezeigt, eingespeist werden und durch die Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher 11a', 11a'', 11b', 11b'', 11c', 11c'' der ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b entlüftet werden. Die Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöcher 11a', 11a'' können derart angeordnet werden, daß sie die höchste Anzahl von Löchern und/oder die größte Größe in dem zu den inneren Seitenwänden 11d', 11d'' benachbarten Bereich aufweisen. In dieser Anordnung ist der Trockeneffekt des Trockengases 27 an der ersten Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11a', 11a'' benachbart zu den inneren Seitenwänden 11d', 11d'' wie in 8 gezeigt am größten. Demzufolge fließt das Trockengas 27, welches durch einen oberen Bereich der unteren Oberflächen B des Wafers hindurch passiert, gleichmäßig oder im wesentlichen gleichmäßig entlang einer zu einer Abgrenzung bzw. einer Kontur der Ecke des Wafers 23 parallelen oder im wesentlichen parallelen Richtung (in dem Beispiel der 8 die abgerundete Ecke). Dies kann entsprechend auf die Oberfläche des Wafers 23 ausgebildete Wasserflecken vermindern.

Dem Fachmann ist ersichtlich, daß andere Änderungen und Modifikationen in den oben beschriebenen Ausführungsformen vorgenommen werden können, ohne von dem Umfang der Erfindung abzuweichen und es ist beabsichtigt, daß sämtlicher in der obigen Beschreibung enthaltene Inhalt in einem darstellenden und nicht einschränkenden Sinn interpretiert werden soll.

Claims

Trockenvorrichtung mit: einer Trockenkammer zum Einspeisen eines Trockenstoffes zum Trocknen eines Wafers; und einer Belüftungseinheit zum Steuern einer Strömung des Trockenstoffes, um den Wafer gleichmäßig oder im wesentlichen gleichmäßig zu trocknen.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Belüftungseinheit eine Vielzahl von Belüftungsöffnungen enthält, welche eine Strömungsmenge und ein Strömungsmuster des Trockenstoffes durch die Belüftungseinheit bestimmen.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl der Belüftungsöffnungen eine im wesentlichen gleiche Größe und Verteilung aufweisen.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Belüftungseinheit die Strömung des Trockenstoffes steuert, so daß mehr Trockensstoff über einen Mittelbereich der Belüftungseinheit als über einen Randbereich der Belüftungseinheit strömt.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 2, wobei mehr Belüftungsöffnungen in einem Mittelbereich der Belüftungseinheit als in einem Randbereich der Belüftungseinheit angeordnet sind.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 2, wobei in einem Mittelbereich der Belüftungseinheit größere Belüftungsöffnungen als in einem Randbereich der Belüftungseinheit angeordnet sind.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 2, wobei in einem Mittelbereich der Belüftungseinheit mehr Belüftungsöffnungen und größere Belüftungsöffnungen als in einem Randbereich der Belüftungseinheit angeordnet sind.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Belüftungseinheit zumindest zwei Entlüftungsteile enthält, welche zusammenwirken, um die Strömung des Trockenstoffes durch die Vielzahl von Belüftungsöffnungen zu verändern.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 8, wobei die zumindest zwei Entlüftungsteile zusammenwirken, um mehr Belüftungsöffnungen in einem Mittelbereich der Belüftungseinheit als in einem Randbereich der Belüftungseinheit vorzusehen.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 8, wobei die zumindest zwei Entlüftungsteile zusammenwirken, um in einem Mittelbereich der Belüftungseinheit größere Belüftungsöffnungen als in einem Randbereich der Belüftungseinheit vorzusehen.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 8, wobei die zumindest zwei Entlüftungsteile zusammenwirken, um in einem Mittelbereich der Belüftungseinheit mehr Belüftungsöffnungen und größere Belüftungsöffnungen als in einem Randbereich der Belüftungseinheit vorzusehen.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 11, wobei die zumindest zwei Entlüftungsteile zueinander gleitend angeordnet sind.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 12, wobei ein erstes der zumindest zwei Entlüftungsteile größer als ein zweites der zumindest zwei Entlüftungsteile ist.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 12, wobei ein erstes der zumindest zwei Entlüftungsteile von einem zweiten der zumindest zwei Entlüftungsteile versetzt angeordnet ist.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Belüftungseinheit zumindest zwei Entlüftungsteile und zumindest zwei Zusatzteile enthält, welche zusammenwirken, um eine Strömung eines Trockenmaterials durch die Vielzahl der Belüftungsöffnungen zu verändern.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 15, wobei die zumindest zwei Entlüftungsteile und die zumindest zwei Zusatzteile in einem Mittelbereich der Belüftungseinheit mehr Belüftungsöffnungen als in einem Randbereich der Belüftungseinheit vorsehen.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 15, wobei die zumindest zwei Entlüftungsteile und die zumindest zwei Zusatzteile in einem Mittelbereich der Belüftungseinheit größere Belüftungsöffnungen als in einem Randbereich der Belüftungseinheit vorsehen.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 15, wobei die zumindest zwei Entlüftungsteile und die zumindest zwei Zusatzteile in einem Mittelbereich der Belüftungseinheit mehr Belüftungsöffnungen und größere Belüftungsöffnungen als in einem Randbereich der Belüftungseinheit vorsehen.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 18, wobei die zumindest zwei Entlüftungsteile und die zumindest zwei Zusatzteile zueinander gleitend angeordnet sind.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Vielzahl von Belüftungsöffnungen in Gruppen angeordnet ist.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 20, wobei die Gruppen in der Größe variieren.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 20, wobei die Gruppen in der Dichte variieren.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 20, wobei die Gruppen in der Form variieren.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 20, wobei die Gruppen in der Lage der Belüftungseinheit variieren.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Belüftungseinheit in einen Schlitz in der Trockenkammer eingefügt wird.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 1, ferner aufweisend: eine Reinigungskammer, welche einen Reinigungsstoff zum Reinigen des Wafers enthält.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 26, wobei der Reinigungsstoff HF ist.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Reinigungskammer ferner Spülstoff zum Spülen des Wafers enthält.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 28, wobei der Spülstoff aus entionisiertem Wasser besteht.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Trockenstoff ein Alkohol mit niedrigem Molekülgewicht ist, eine geringe Oberflächenspannung aufweist oder volatil ist.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Trockenmaterial Isopropylalkoholgas ist.
Trockenvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Belüftungseinheit zumindest ein Abführloch enthält.
Belüftungseinheit mit: zumindest einem Teil zum Steuern einer Strömung eines Trockenmaterials, um den Wafer gleichmäßig oder im wesentlichen gleichmäßig zu trocknen.
Belüftungseinheit nach Anspruch 33, wobei das zumindest eine Teil eine Vielzahl von Belüftungsöffnungen enthält, welche eine Strömungsmenge und ein Strömungsmuster des Trockenmaterials durch die Belüftungseinheit bestimmen.
Belüftungseinheit nach Anspruch 33, wobei das zumindest eine Teil die Strömung des Trockenmaterials so steuert, daß mehr Trockenmaterial über einem Mittelbereich des mindestens einen Teils als einem Randbereich des zumindest einen Teils strömt.
Belüftungseinheit nach Anspruch 34, wobei mehr Belüftungsöffnungen in einem Mittelbereich des zumindest einen Teils als in einem Randbereich des zumindest einen Teils angeordnet sind.
Belüftungseinheit nach Anspruch 34, wobei in einem Mittelbereich des zumindest einen Teils größere Belüftungsöffnungen als in einem Randbereich des zumindest einen Teils angeordnet sind.
Belüftungseinheit nach Anspruch 34, wobei in einem Mittelteil des zumindest einen Teils mehr Belüftungsöffnungen und größere Belüftungsöffnungen als in einem Randbereich des zumindest einen Teils angeordnet sind.
Belüftungseinheit nach Anspruch 34, wobei die Belüftungseinheit zumindest zwei Teile enthält, welche zusammenwirken, um die Strömung des Trockenmaterials durch die Belüftungsöffnungen zu verändern.
Belüftungseinheit nach Anspruch 34, wobei die Belüftungseinheit zumindest zwei Teile und zumindest zwei Zusatzteile enthält, welche zusammenwirken, um die Strömung des Trockenmaterials durch die Belüftungsöffnungen zu verändern.
Verfahren zum Trocknen eines Wafers mit: einem Zuführen eines Trockenstoffes zum Trocknen des Wafers; und einem Steuern einer Strömung des Trockenmaterials um den Wafer gleichmäßig oder im wesentlichen gleichmäßig zu trocknen.
Verfahren nach Anspruch 41, wobei die Strömung des Trockenmaterials durch Vorsehen einer Belüftungseinheit mit zumindest einem Teil, welches eine Vielzahl von Belüftungsöffnungen aufweist, gesteuert wird, welche eine Strömungsmenge und ein Strömungsmuster des Trockenmaterials durch die Belüftungseinheit bestimmen.
Verfahren nach Anspruch 41, wobei die Strömung des Trockenmaterials derart gesteuert wird, daß mehr Trockenmaterial über einen Mittelbereich des zumindest einen Teils als über einen Randbereich des zumindest einen Teils strömt.
Verfahren nach Anspruch 42, wobei die Strömung des Trockenmaterials durch Vorsehen von mehr Belüftungsöffnungen in einem Mittelbereich des zumindest einem Teils als in einem Randbereich des zumindest einem Teils gesteuert wird.
Verfahren nach Anspruch 42, wobei die Strömung des Trockenmaterials durch das Vorsehen größerer Belüftungsöffnungen in einem Mittelbereich des zumindest einen Teils als in einem Randbereich des zumindest einen Teils gesteuert wird.
Verfahren nach Anspruch 42, wobei die Strömung des Trockenmaterials durch das Vorsehen von mehr Belüftungsöffnungen und größeren Belüftungsöffnungen in einem Mittelbereich des zumindest einen Teils als in einem Randbereich des zumindest einen Teils gesteuert wird.
Verfahren nach Anspruch 42, wobei die Strömung des Trockenmaterials durch das Vorsehen von zumindest zwei Teilen gesteuert wird, welche zusammenwirken, um die Strömung des Trockenmaterials durch die Belüftungsöffnungen zu verändern.
Verfahren nach Anspruch 42, wobei die Strömung des Trockenmaterials durch Vorsehen von zumindest zwei Teilen und zumindest zwei Zusatzteilen gesteuert wird, welche zusammenwirken, um die Strömung des Trockenmaterials durch die Belüftungsöffnungen zu verändern.
Trockenvorrichtung mit: einer Trockenkammer zum Zuführen eines Trockenstoffes zum Trocknen eines Wafers; und Mittel zum Steuern einer Strömung des Trockensstoffes, um den Wafer gleichmäßig oder im wesentlichen gleichmäßig zu trocknen.