[go: up one dir, main page]

DE102004030748A1 - Electro-acoustic back electret converter - Google Patents

Electro-acoustic back electret converter Download PDF

Info

Publication number
DE102004030748A1
DE102004030748A1 DE200410030748 DE102004030748A DE102004030748A1 DE 102004030748 A1 DE102004030748 A1 DE 102004030748A1 DE 200410030748 DE200410030748 DE 200410030748 DE 102004030748 A DE102004030748 A DE 102004030748A DE 102004030748 A1 DE102004030748 A1 DE 102004030748A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electret
electro
counter electrode
converter
membrane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE200410030748
Other languages
German (de)
Inventor
Vladimir Dr. Gorelik
Vladimir Dr. Zaporojtchenko
Stefan Dipl.-Ing. Rehders
Franz Prof. Dr. Faupel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sennheiser Electronic GmbH and Co KG
Original Assignee
Sennheiser Electronic GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sennheiser Electronic GmbH and Co KG filed Critical Sennheiser Electronic GmbH and Co KG
Priority to DE200410030748 priority Critical patent/DE102004030748A1/en
Priority to PCT/EP2005/006769 priority patent/WO2006000402A1/en
Publication of DE102004030748A1 publication Critical patent/DE102004030748A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/01Electrostatic transducers characterised by the use of electrets
    • H04R19/016Electrostatic transducers characterised by the use of electrets for microphones

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen elektro-akustischen Backelektret-Wandler (1) mit einer Membran (2), einer Gegenelektrode (3) und einer auf der Membran zugewandten Seite der Gegenelektrode aufgebrachten Elektretschicht (4) sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen elektro-akustischen Backelektret-Wandlers (1). Um einen elektro-akustischen Backelektret-Wandler (1) zu schaffen, der einen geringeren Abstand zwischen Membran (2) und Gegenelektrode (3) und eine glatte Elektretschicht (4) aufweist, auch wenn die Gegenelektrode (3) Löcher (5) aufweist, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass die Elektretschicht (4) durch Abscheidung im Vakuum verdampft wird.The invention relates to an electro-acoustic back electret transducer (1) having a membrane (2), a counterelectrode (3) and an electret layer (4) applied to the membrane side of the counterelectrode and a method for producing such an electro-acoustic back electret Converter (1). In order to provide an electro-acoustic back electret transducer (1) having a smaller distance between the membrane (2) and counter electrode (3) and a smooth electret layer (4), even if the counter electrode (3) has holes (5), According to the invention, it is proposed that the electret layer (4) be vaporized by deposition in vacuo.

Description

Die Erfindung betrifft einen elektro-akustischen Backelektret-Wandler mit einer Membran, einer Gegenelektrode und einer auf der der Membran zugewandten Seite der Gegenelektrode aufgebrachten Elektretschicht sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen elektro-akustischen Backelektret-Wandlers.The The invention relates to an electro-acoustic back electret converter with a membrane, a counter electrode and one on the membrane facing Side of the counter electrode applied electret layer and a Method for producing such an electro-acoustic back electret converter.

Seit vielen Jahren finden Elektretmaterialien immer breitere Verwendung in elektroakustischen Wandlern und vor allem in Mikrofonen. Als bestes Elektretmaterial hat sich Fluorethylenpropylen-Folie (FEP-Folie) etabliert, die eine hervorragende Stabilität der Ladung gewährleistet. Hohe Ladungsstabilität ist aber nur bei Folien zu erreichen, die dicker als 10 μm sind. Üblicherweise verwendet man Folien von 12,5 und 25 μm Dicke.since Electret materials are becoming more widely used for many years in electroacoustic transducers and especially in microphones. When best electret material has fluoroethylene propylene film (FEP film) established, which ensures excellent stability of the charge. High charge stability is but only to reach with films that are thicker than 10 microns. Usually one uses films of 12.5 and 25 microns thick.

In ersten elektro-akustischen Elektret-Wandlern wurde diese Folie als Membran benutzt. Obgleich eine solche Membran die Elekret-Aufgaben erfüllt, wird sie den mechanischen Anforderungen als Membran nur unzureichend gerecht. Bei den weiterentwickelten Backelektret-Wandlern wird eine außen metallisierte Membran aus einer dünnen Folie mit sehr guten mechanischen Eigenschaften, aber ohne Elektreteigenschaften verwendet. Die Elektretschicht ist direkt auf der Gegenelektrode aufgetragen. Obwohl die FEP-Folie auch für Beschichtungszwecke entwickelt wurde, ist ihre Anwendung in elektro-akustischen Backelektret-Wandlern mit einigen Problemen verbunden.In The first electro-acoustic electret transducers were this film as Membrane used. Although such a membrane is the Elekret task Fulfills, it is only inadequate to the mechanical requirements as a membrane just. In the advanced back electret converters is a metallized outside Membrane made of a thin Film with very good mechanical properties, but without electret properties used. The electret layer is directly on the counterelectrode applied. Although the FEP film is also designed for coating purposes Their use in electro-acoustic back-electret transducers has been with some Problems connected.

Die Folie wird üblicherweise auf die Gegenelektrode laminiert. Das Laminieren der Folie erfolgt bei Temperaturen oberhalb von 300°C, wodurch die Wahl der Werkstoffe für die Gegenelektrode stark eingrenzt ist. Beim Laminieren bilden sich zudem oft unerwünschterweise kleine Luftblasen oder Falten an der Elektretoberfläche.The Foil is usually laminated to the counter electrode. The lamination of the film takes place at Temperatures above 300 ° C, whereby the choice of materials for the counter electrode greatly limited is. When laminating also often form undesirably small air bubbles or wrinkles on the electret surface.

Noch größere Schwierigkeiten bringen die Löcher in der Gegenelektrode mit sich, die aus akustischen Gründen notwendig sind und deren Größe und Verteilung entscheidenden Einfluss auf die elektro-akustischen Parameter des Wandlers haben. Die Möglichkeiten der bekannten Technologien (Stanzen der Gegenelektrode zusammen mit der FEP-Folie, Ausschneiden der Folie mit Eximer-Lasern, Plasmaätzen oder ähnliches) kommen oft in Widerspruch mit dem optimalen Lochmuster. Da der Luftspalt zwischen Membran und Gegenelektrode zumeist nur 20 – 30 μm beträgt, ist ein Grat an den Lochkanten äußerst unerwünscht, kann jedoch mit existierenden Technologien nicht immer vermieden werden.Yet bigger difficulties bring the holes in the counter electrode with it, which is necessary for acoustic reasons are and their size and distribution decisive influence on the electro-acoustic parameters of the Have converter. The possibilities the known technologies (punching the counter electrode together with the FEP film, cutting out the film with Eximer lasers, plasma etching or the like) often come into conflict with the optimal hole pattern. Because the air gap between membrane and counter electrode is usually only 20-30 microns, is a ridge at the hole edges extremely undesirable, can However, with existing technologies not always be avoided.

Ein Kleben der FEP-Folie ist zwar prinzipiell möglich, wird aber in der Praxis nicht benutzt, da das Kleben neue Probleme mit sich bringt.One Adhesion of the FEP film is possible in principle, but in practice not used because sticking brings new problems.

Aus Gründen der besseren Handhabbarkeit wird in Backelektret-Wandlern vorwiegend 25 μm dicke FEP-Folie benutzt. Der effektive Abstand zwischen Metallisierung auf der Membran und der eigentlichen Gegenelektrode wird dadurch wesentlich größer, die Kapazität der Kapsel wird kleiner und dies führt zu einer Verschlechterung der Wandlereigenschaften.Out establish the better handling is predominantly in Backelektret converters 25 μm thick FEP film used. The effective distance between metallization on the membrane and the actual counter electrode is characterized much larger, the capacity the capsule gets smaller and this leads to a deterioration the converter characteristics.

Beim Aufbringen eines Elektretmaterials mittels des Verfahrens des „spincoating", also beim Aufbringen des Materials in flüssiger oder in flüssigem Lö sungsmittel aufgelöster Form, kann zwar die Bildung von Blasen oder Falten auf der Gegenelektroden ohne Löcher vermieden werden, es ergeben sich hier jedoch die selben Probleme beim nachträglichen Erstellung der Löcher wie bei der Folie. Ist die Gegenelektrode bereits vor dem Aufbringen des Materials mit Löchern versehen, bilden sich unerwünschte Wülste an den Lochkanten.At the Applying an electret material by means of the method of "spincoating", ie during application of the material in liquid or in liquid solvent resolved Form, though, can cause the formation of bubbles or wrinkles on the counter electrodes without holes avoided, but the same problems arise here for subsequent creation the holes like the foil. Is the counter electrode already before application of the material with holes provided, form unwanted beads on the hole edges.

Auch das Verfahren der Laserablation gestattet die Abscheidung von organischen Schichten für Elektretanwendungen. Bei der Laserablation wird aber die chemische und physikalische Struktur des Ausgangspolymers stark verändert, und es ist eine thermische Nachbehandlung erforderlich, die für die hier vorgesehene Anwendung unbedingt zu vermeiden ist. Die Schichten weisen auch für die vorgesehene Anwendung eine viel zu raue Oberfläche auf. Ursache sind eine zu große Korngröße und bei der Laserablation abgeschiedenen größere Partikel. (siehe hierzu: M. Hauser et al., Appl. Surf. Sci., 208-209 (2003) 107-112; J. E. Mahan, "Physical Vapor Deposition of Thin Films", John Wiley & Sons, Inc. New York, S. 142.; D. Bäuerle et al., Appl. Phys. A 69 [Suppl], (1999) S. 47).Also The method of laser ablation allows the deposition of organic Layers for Elektretanwendungen. In the case of laser ablation, however, the chemical and physical structure of the starting polymer changed greatly, and It is a thermal aftertreatment required for here intended use must be avoided. The layers also show for the intended application on a much too rough surface. reason are too big Grain size and at the laser ablation deposited larger particles. (see also: M. Hauser et al., Appl. Surf. Sci., 208-209 (2003) 107-112; J.E. Mahan, "Physical Vapor Deposition of Thin Films ", John Wiley & Sons, Inc. New York, p. 142; D. Bäuerle et al., Appl. Phys. A 69 [Suppl], (1999) p. 47).

Aufgabe der Erfindung ist es, die oben aufgeführten Probleme zu beseitigen oder zu umgehen, und einen elektro-akustischen Backelektret-Wandler vorzustellen, der einen geringeren Abstand zwischen Membran und Gegenelektrode und eine glatte Elektretschicht aufweist, auch wenn die Gegenelektrode Löcher aufweist. Zudem soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem ein erfindungsgemäßer elektro-akustischer Backelektret-Wandler hergestellt werden kann.task The invention is to eliminate the problems listed above or bypass, and introduce an electro-acoustic back-electret transducer, the smaller the distance between the membrane and the counter electrode and has a smooth electret layer, even if the counter electrode has holes. In addition, a method is to be specified, with which an inventive electro-acoustic Back electret converter can be made.

Diese Aufgabe wird bei dem eingangs genannten elektro-akustischen Wandler dadurch gelöst, dass die Elektretschicht durch Abscheidung im Vakuum aufgedampft ist.These Task is in the aforementioned electro-acoustic transducer solved by that the electret layer is deposited by deposition in a vacuum is.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass zum einen durch das Aufdampfen eine sehr glatte Oberfläche erreicht werden kann und zum anderen die Dicke der Elektretschicht nicht durch eine nötige Handhabbarkeit oder Festigkeit einer Folie eingegrenzt ist. Mit dem Aufdampfen ergibt sich die Aufhebung einer Beschränkung für die Wahl der Materialien für die Gegenelektrode, da zum Be schichten die Temperatur der Gegenelektrode praktisch nicht bzw. nur unwesentlich erhöht werden muss.Of the The invention is based on the finding that on the one hand by the Vaporizing a very smooth surface can be achieved and on the other hand, the thickness of the electret layer not by a necessary handling or strength of a film is limited. With the evaporation there is the removal of a restriction on the choice of materials for the Counter electrode, as to Be the temperature of the counter-electrode layers practically not or only slightly increased must be.

In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung weist die Elektretschicht eine Schichtdicke im Bereich von 1 bis 25 μm, insbesondere 6 bis 12 μm auf. Diese Schicht weist mit der bekannten FEP-Folie vergleichbare oder sogar bessere Elektreteigenschaften auf und ist dabei dünner als die FEP-Folie. Dies ermöglicht einen geringeren effektiven Abstand zwischen Metallisierung der Membran und der Gegenelektrode und verbessert damit die Eigenschaften des elektroakustischen Wandlers. Die Kapazität der Kapsel ist höher und das Eigenrauschen des Wandlers geringer. Bei Miniaturmikrofonen mit einem Kapseldurchmesser von weniger als 4 mm lässt sich beispielsweise so eine Verbesserung des Rauschabstandes von 1,5 bis 2 dB erreichen.In A preferred embodiment of the invention comprises the electret layer a layer thickness in the range of 1 to 25 .mu.m, in particular 6 to 12 .mu.m. These Layer has comparable or even with the known FEP film better electret properties and is thinner than the FEP film. this makes possible a lower effective distance between metallization of the Membrane and the counter electrode, thus improving the properties of the electroacoustic transducer. The capacity of the capsule is higher and higher the self-noise of the converter lower. For miniature microphones with a capsule diameter of less than 4 mm, for example achieve such an improvement of the signal to noise ratio of 1.5 to 2 dB.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist die von der Gegenelektrode abgewandte Oberfläche der Elektretschicht eine Oberflächenrauhigkeit im Bereich von 0,5 μm, insbesondere im Bereich von 0,1 μm, oder kleiner auf. Aufgrund der im Vergleich zum Abstand zwischen Elektretmaterial und Membran geringen Oberflächenrauhigkeit ist das im Wandler aufgebaute elektrische Feld homogener und zudem werden Streuungen in den Eigenschaften verschiedener elektro-akustischer Backelektret-Wandler verringert. Weiterhin weist eine glatte Oberfläche reproduzierbarere Reibungseigenschaften gegenüber der bewegten Luftschicht zwischen Membran und Gegenelektrode auf.In an advantageous embodiment of the invention, the of the Counter electrode remote surface the electret layer has a surface roughness in the range of 0.5 μm, especially in the range of 0.1 μm, or less. Because of the distance between Electret material and membrane low surface roughness is that in the transducer built-up electric field more homogeneous and also become scattering in the properties of various electro-acoustic back electret transducers reduced. Furthermore, a smooth surface has reproducible friction characteristics across from the moving air layer between the membrane and counter electrode.

In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist das aufgebrachte Elektretmaterial ein Copolymer, insbesondere von Tetrafluorethylen und Perfluor-2,2-Dimethyl-1,3-Dioxol. Versuche haben gezeigt, dass Elektreteigenschaften dieses Materials wie Ladungsstabilität und Oberflächenladungsdichte bei einer gegenüber der konventionell verwendeten FEP-Folie verringerter Schichtdicke mit denen der FEP-Folie vergleichbar oder besser sind. Im Prinzip ist jedes Dielektrikum als Elektretmaterial verwendbar, sofern ausreichende Ladungsstabilität und Oberflächenladungsdichte eine praktische Verwendung erlauben.In a further embodiment of the invention is the applied Electret material is a copolymer, in particular of tetrafluoroethylene and perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole. Experiments have shown that electret properties of this material like load stability and surface charge density one opposite the conventionally used FEP film reduced layer thickness with those of the FEP film are comparable or better. In principle is any dielectric usable as the electret material, if sufficient load stability and surface charge density allow a practical use.

In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die Elektretschicht nur in einem vorbestimmten Oberflächenbereich der der Membran zugewandten Seite der Gegenelektrode aufgebracht. Durch die Verwendung von Masken beim Aufbringen der Elektretschicht können gezielt Bereiche der Gegenelektrode von der Beschichtung ausgenommen werden. Weist nur der zentrale Bereich der Gegenelektrode die Beschichtung auf, so kann der Peripheriebereich als Bezugsebene für den Abstandshalter zwischen Membran und Gegenelektrode genutzt werden.In A preferred embodiment of the invention is the electret layer only in a predetermined surface area of the membrane applied facing side of the counter electrode. By use of masks when applying the electret layer can specifically areas of the counter electrode be excluded from the coating. Only the central one knows Area of the counter electrode the coating on, so can the peripheral area as reference plane for the spacer between membrane and counter electrode can be used.

Erfindungsgemäße elektro-akustische Wandler finden bevorzugt Verwendung in einem Elektretmikrofon oder einem Lautsprecher, insbesondere für einen Kopfhörer.Inventive electro-acoustic transducer preferably find use in an electret microphone or a Speakers, especially for a headphone.

In einer bevorzugten Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines elektro-akustischen Backelektret-Wandlers wird die Elektretschicht durch Abscheidung im Vakuum aufgedampft, wobei die Abscheidungsrate im Bereich von 0,5 – 3 μm/min, insbesondere im Bereich von 0,5 – 1 μm/min, liegt. Bei dieser Geschwindigkeit lassen sich Gegenelektroden in kurzer Zeit und damit kostengünstig herstellen. Die Abscheidungsrate ist niedrig genug, um Abscheidungsfehler zu vermeiden, die zu einer Verschlechterung der Oberflächeneigenschaften der Elektretschicht führen können, und um die Schichtdicke präzise kontrollieren zu können.In a preferred embodiment of a method according to the invention for the production of an electro-acoustic back electret converter the electret layer is vapor-deposited by deposition in a vacuum, wherein the deposition rate in the range of 0.5 - 3 microns / min, especially in the range from 0.5 to 1 μm / min. At this speed, counter electrodes can be in short Time and therefore cost-effective produce. The deposition rate is low enough to cause deposition errors to avoid the deterioration of the surface properties lead the electret layer can, and the layer thickness precisely to be able to control.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Temperatur des Elektretmaterial so gesteuert, dass die Zersetzungstemperatur des Elektretmaterials während des Aufdampfens nicht wesentlich überschritten wird. Knapp oberhalb der Zersetzungstemperatur geht das Elektretmaterial aufgrund der Zersetzung in die Gasphase über, es behält jedoch die Möglichkeit, sich wieder abzuscheiden und danach wieder Elektreteigenschaften aufzuweisen. Wird die Zersetzungstemperatur wesentlich überschritten, wird das Material vollständig zersetzt, was zur Folge hat, dass sich bei der Abscheidung unerwünschte Nebenprodukte bilden, die die Elektreteigenschaften der Schicht stören.In an advantageous embodiment of a method according to the invention the temperature of the electret material is controlled so that the Decomposition temperature of the electret material during the vapor deposition not significantly exceeded becomes. Just above the decomposition temperature, the electret material goes due to decomposition into the gas phase over, it retains the possibility to separate again and then again electret properties exhibit. If the decomposition temperature is significantly exceeded, the material is complete decomposed, with the result that in the deposition unwanted by-products form, which disturb the electret properties of the layer.

Bei einer weiteren Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird auf mehrere Gegenelektroden für mehrere elektro-akustische Wandler gleichzeitig das Elektretmaterial aufgebracht. Damit ist eine erhöhte Produktionsrate möglich.at a further embodiment of the method according to the invention is based on several Counterelectrodes for several electro-acoustic transducers simultaneously the electret material applied. This is an increased Production rate possible.

Im folgenden wird eine vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung mit Bezug auf 1 beschrieben. Diese Figur zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Backelektret-Wandler 1 mit einer Membran 2, einer Gegenelektrode 3 und einer auf der Membran zugewandten Seite der Gegenelektrode aufgebrachten Elektretschicht 4. Weitere Bestandteile des elektro-akustischen Wandlers wie Gehäuse, Leitungen, Elektronikteile, Anschlusselemente oder integrierte Schaltungen sind aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht gezeigt. Die Gegenelektrode 3 weist Löcher 5 auf. Eine Gegenelektrode mit Löchern wird, wie allgemein bekannt ist, bereits in vielen Fällen eingesetzt. Der Abstand zwischen Membran 2 und Gegenelektrode 3, die Dicken von Membran 2, Gegenelektrode 3 und Elektretschicht 4 sowie die Größe der Löcher 5 sind nicht maßstäblich gezeigt. Eine geringe Dicke der Elektretschicht 4 erlaubt einen kleinen Abstand zwischen Membran 2 und Gegenelektrode und damit eine große Kapazität des Backelektret-Wandlers 1.In the following, an advantageous embodiment of the invention with reference to 1 described. This figure shows a schematic cross section through a back electret converter 1 with a membrane 2 , a counter electrode 3 and an electret layer applied on the membrane side of the counterelectrode 4 , Other components of the electro-acoustic transducer such as housings, cables, electronic parts, connecting elements or integrated circuits are for the sake of Clarity not shown. The counter electrode 3 has holes 5 on. As is well known, a counter electrode with holes is already used in many cases. The distance between membrane 2 and counter electrode 3 , the thicknesses of membrane 2 , Counter electrode 3 and electret layer 4 as well as the size of the holes 5 are not shown to scale. A small thickness of the electret layer 4 allows a small distance between membrane 2 and counter electrode and thus a large capacity of the back electret converter 1 ,

Bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen elektro-akustischen Backelektret-Wandlers werden in die Gegenelektrode 3 zunächst mit herkömmlichen Mitteln Löcher 5 eingebracht und anschließend werden dabei gegebenenfalls entstandene Grate oder ähnliches entfernt. Auf die mit Löchern 5 versehene Gegenelektrode 3 wird durch Abscheidung im Vakuum eine Elektretschicht 4 aufgedampft. Die beschichtete Gegenelektrode 3 kann ohne weitere Bearbeitungen im elektro-akustischen Backelektret-Wandler verwendet werden.In the production of an electro-acoustic back electret transducer according to the invention are in the counter electrode 3 first holes with conventional means 5 introduced and then optionally resulting burrs or the like are removed. On the with holes 5 provided counter electrode 3 becomes an electret layer by deposition in vacuum 4 evaporated. The coated counterelectrode 3 Can be used without further processing in the electro-acoustic Backelektret converter.

Die Erfindung stellt einen elektro-akustischen Backelektret-Wandler zur Verfügung, der die oben aufgeführten Nachteile überwindet. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines solchen elektro-akustischen Backelektret-Wandlers erlaubt eine effiziente Herstellung mit Eigenschaften, die für verschiedene Wandler nur gering streuen. Gegenelektroden mit weitgehend beliebigen Lochanordnungen zur akustischen Optimierung können verwendet werden.The The invention provides an electro-acoustic back electret converter to disposal, the ones listed above Overcomes disadvantages. The inventive method allowed for the production of such an electro-acoustic back electret converter efficient production with properties that are different for Scatter converter only slightly. Counterelectrodes with largely arbitrary Hole arrangements for acoustic optimization can be used.

Claims (11)

Elektro-akustischer Backelektret-Wandler (1) mit – einer Membran (2), – einer Gegenelektrode (3) und – einer auf der der Membran (2) zugewandten Seite der Gegenelektrode (3) aufgebrachten Elektretschicht (4), dadurch gekennzeichnet, dass die Elektretschicht (4) durch Abscheidung im Vakuum aufgedampft ist.Electro-acoustic back electret converter ( 1 ) with - a membrane ( 2 ), - a counterelectrode ( 3 ) and - one on the membrane ( 2 ) facing side of the counter electrode ( 3 ) applied electret layer ( 4 ), characterized in that the electret layer ( 4 ) is evaporated by deposition in vacuo. Elektro-akustischer Backelektret-Wandler (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektretschicht (4) eine Schichtdicke im Bereich von 1 – 25 μm, insbesondere im Bereich von 6 – 12 μm, aufweist.Electro-acoustic back electret converter ( 1 ) according to claim 1, characterized in that the electret layer ( 4 ) has a layer thickness in the range of 1 to 25 μm, in particular in the range of 6 to 12 μm. Elektro-akustischer Backelektret-Wandler (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die von der Gegenelektrode (3) abgewandte Oberfläche der Elektretschicht (4) eine Oberflächenrauhigkeit im Bereich von 0,5 μm, insbesondere im Bereich von 0,1 μm, oder kleiner aufweist.Electro-acoustic back electret converter ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that that of the counter electrode ( 3 ) opposite surface of the electret layer ( 4 ) has a surface roughness in the range of 0.5 .mu.m, in particular in the range of 0.1 .mu.m, or smaller. Elektro-akustischer Backelektret-Wandler (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das aufgebrachte Elektretmaterial (4) ein Copolymer, insbesondere von Tetrafluorethylen und Perfluor-2,2-Dimethyl-1,3-Dioxol, ist.Electro-acoustic back electret converter ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the applied electret material ( 4 ) is a copolymer, in particular of tetrafluoroethylene and perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole. Elektro-akustischer Backelektret-Wandler (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektretschicht (4) nur in einem vorbestimmten Oberflächenbereich der der Membran (2) zugewandten Seite der Gegenelektrode (3) aufgebracht ist.Electro-acoustic back electret converter ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the electret layer ( 4 ) only in a predetermined surface area of the membrane ( 2 ) facing side of the counter electrode ( 3 ) is applied. Elektretmikrofon mit einem elektro-akustischen Backelektret-Wandler (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche.Electret microphone with an electro-acoustic back electret converter ( 1 ) according to any one of the preceding claims. Lautsprecher insbesondere für einen Kopfhörer mit einem elektroakustischen Backelektret-Wandler (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche.Speaker in particular for a headphone with an electroacoustic back electret converter ( 1 ) according to any one of the preceding claims. Verfahren zur Herstellung eines elektro-akustischen Backelektret-Wandlers (1) mit einer Membran (2), einer Gegenelektrode (3) und einer auf der der Membran (2) zugewandten Seite der Gegenelektrode (3) aufgebrachten Elektretschicht (4), dadurch gekennzeichnet, dass die Elektretschicht (4) durch Abscheidung im Vakuum aufgedampft wird.Method for producing an electro-acoustic back electret converter ( 1 ) with a membrane ( 2 ), a counter electrode ( 3 ) and one on the membrane ( 2 ) facing side of the counter electrode ( 3 ) applied electret layer ( 4 ), characterized in that the electret layer ( 4 ) is evaporated by deposition in vacuo. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektretschicht (4) mit einer Abscheidungsrate im Bereich von 0,5 – 3 μm/min, insbesondere 0,5 – 1 μm/min, aufgedampft wird.Method according to claim 8, characterized in that the electret layer ( 4 ) is vapor-deposited at a deposition rate in the range of 0.5-3 μm / min, in particular 0.5-1 μm / min. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur des Elektretmaterials (4) bei der Abscheidung so gesteuert wird, dass die Zersetzungstemperatur des Elektretmaterials (4) während des Aufdampfens nicht wesentlich überschritten wird.Method according to claim 8 or 9, characterized in that the temperature of the electret material ( 4 ) is controlled during the deposition so that the decomposition temperature of the electret material ( 4 ) is not significantly exceeded during the vapor deposition. Verfahren nach Anspruch 8, 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass auf mehrere Gegenelektroden (3) für mehrere elektro-aktustische Backelektret-Wandler (1) gleichzeitig das Elektretmaterial (4) aufgebracht wird.Method according to claim 8, 9 or 10, characterized in that a plurality of counterelectrodes ( 3 ) for a plurality of electro-acoustic back electret transducers ( 1 ) simultaneously the electret material ( 4 ) is applied.
DE200410030748 2004-06-25 2004-06-25 Electro-acoustic back electret converter Withdrawn DE102004030748A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200410030748 DE102004030748A1 (en) 2004-06-25 2004-06-25 Electro-acoustic back electret converter
PCT/EP2005/006769 WO2006000402A1 (en) 2004-06-25 2005-06-23 Electro-acoustic back electret transducer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200410030748 DE102004030748A1 (en) 2004-06-25 2004-06-25 Electro-acoustic back electret converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102004030748A1 true DE102004030748A1 (en) 2006-01-12

Family

ID=35058940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200410030748 Withdrawn DE102004030748A1 (en) 2004-06-25 2004-06-25 Electro-acoustic back electret converter

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102004030748A1 (en)
WO (1) WO2006000402A1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4329993A1 (en) * 1993-09-04 1995-03-09 Sennheiser Electronic Electro-acoustic capacitive transducer, particularly an electret capacitor microphone

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0748451B2 (en) * 1987-08-12 1995-05-24 住友化学工業株式会社 Method for manufacturing laminated plate for electret
JPH07320981A (en) * 1994-05-25 1995-12-08 Sumitomo Chem Co Ltd Laminated plate for electret and manufacturing method thereof
JP3363359B2 (en) * 1997-09-05 2003-01-08 ホシデン株式会社 Electret condenser microphone
KR200218653Y1 (en) * 2000-11-01 2001-04-02 주식회사비에스이 An electret condenser microphone
KR100512960B1 (en) * 2002-09-26 2005-09-07 삼성전자주식회사 Flexible MEMS transducer and its manufacturing method, and flexible MEMS wireless microphone

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4329993A1 (en) * 1993-09-04 1995-03-09 Sennheiser Electronic Electro-acoustic capacitive transducer, particularly an electret capacitor microphone

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BÄUERLE,D.,et.al.:Pulsed laser deposition.In: Appl.Phys. A.69,(Suppl.),1999,S.45-48 *
BÄUERLE,D.,et.al.:Pulsed laser deposition.In: Appl.Phys. A.69,(Suppl.),1999,S.45-48;
FEDOSOV,S.,et.al.:Electret properties of polymer films deposited by vacuum evaporation.In:7th International Symposium on Electrets. 1991, Proceedings.,S.272-274 *
FEDOSOV,S.,et.al.:Electret properties of polymer films deposited by vacuum evaporation.In:7th International Symposium on Electrets. 1991, Proceedings.,S.272-274;
HAUER,M.,et.al.:Laser ablation of polymers studied by ns-interferometry and ns-shadowgraphy measurements. In:Applied Surface Science 208-209,2003,S.107-112 *
HAUER,M.,et.al.:Laser ablation of polymers studied by ns-interferometry and ns-shadowgraphy measurements. In:Applied Surface Science 208-209,2003,S.107-112;
MAHAN,J.E.:Physical Vapor Deposition of Thin Films., New York, John Wiley & Sons,S.142 *
MAHAN,J.E.:Physical Vapor Deposition of Thin Films., New York, John Wiley & Sons,S.142;

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006000402A1 (en) 2006-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69730165T2 (en) ELECTRIC ACOUSTIC CONVERTER PRODUCED ON A SUBSTRATE DISC
DE2435430C2 (en) Electrostatic converter
EP1502269B1 (en) Electrode and method for the production thereof
DE102017218635B4 (en) Method for closing an access opening to a cavity and a MEMS component with a closing element
DE69830987T2 (en) ELECTRONIC COMPONENT
EP2328360A1 (en) Ferroelectric dual and multiple layer compound and method for its manufacture
DE112016005824T5 (en) MICROPHONE WITH HYDROPHOBIC IMPACT PROTECTION
EP0362213B1 (en) Process for manufacturing a structured ceramic film or a ceramic object composed of such films
EP3058760A1 (en) Electret structure
DE19715365C2 (en) Condenser microphone
DE3724290A1 (en) ELECTRODE FOR PIEZOELECTRIC COMPOSITES
DE3431535A1 (en) USE OF A BUNDLED LASER BEAM FOR PRODUCING AN ACOUSTIC FRICTION RESISTOR FOR ELECTROACOUSTIC TRANSDUCERS
DE2624037A1 (en) VIBRATING LINK FOR ACOUSTIC CONVERTERS AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING
WO2008135004A1 (en) Ultrasound converter array for applications in gaseous media
DE102008034372A1 (en) Method for producing a dielectric layer in an electroacoustic component and electroacoustic component
DE102004030748A1 (en) Electro-acoustic back electret converter
DE2851745C2 (en) Multi-layer membrane for an electroacoustic transducer
DE3408849A1 (en) METHOD FOR PRODUCING LAYERED MULTI-CHANNEL PLATES FROM METAL FOR IMAGE AMPLIFIER
DE2239696B2 (en) High frequency piezoelectric thickness resonator and method for its manufacture
DE102014108740B4 (en) MEMS microphone with improved sensitivity and method of manufacture
DE3026204C2 (en) Process for the production of a membrane for use in electroacoustic sound pressure transducers
DE3138249C2 (en) Synthetic resin-impregnated piezoceramic body
DE10221660B4 (en) Method for producing a micromechanical, capacitive transducer
EP2522153A1 (en) Component having a micromechanical microphone structure and method for the production thereof
EP0910795B1 (en) Sensor and/or separation element, and process for the production and use thereof

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee