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DE102004037524A1 - Display und Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein Display - Google Patents

Display und Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein Display Download PDF

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Michael Dr. Redecker
Markus Schaedig
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Display mit mindestens einer Elektrodenschicht aus einer Vielzahl linienförmiger Leiterbahnen (z. B. Bus und Adress Elektroden) sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein Display.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Display mit einer Elektrodenschicht aus einer Vielzahl linienförmiger Leiterbahnen anzugeben, welches eine verbesserte Haftfestigkeit zwischen elektrisch leitenden Metalllinien (Leiterbahnen) und Glas- oder ITO (Indium-Zinn Oxid)-Substrat aufweist.
Dazu wird zwischen einem Grundsubstrat (1) und einer Elektrodenschicht eine Schicht (2) eines Silan-Derivats angeordnet, wobei die Elektrodenschicht eine Vielzahl linienförmiger Leiterbahnen (3) aufweist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Display mit mindestens einer Elektrodenschicht aus einer Vielzahl linienförmiger Leiterbahnen (Bus und Adress Elektroden) sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein Display mit den in den Oberbegriffen der Ansprüche 1 und 12 genannten Merkmalen.
  • Tintenstrahl-gedruckte Bus und Adress Elektroden werden mit Hilfe von Tinten, die metallische Nanopartikel beinhalten, gedruckt. So ist zum Beispiel aus EP 1349135 A1 und US 20040043691 A1 eine Silber-Nanotinte bekannt, die aus einer Dispersion von Silber-Nanopartikeln, Tensiden und organischen Materialien besteht.
  • US 20040038616 A1 (Fujitsu) beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Flachbildschirms, wobei Rillen in ein Glas gefräst oder geätzt werden und in die Rillen danach mittels Tintenstrahl-Druckens die Adress Elektrode gedruckt wird.
  • Eine weitere Möglichkeit, um schmale Metall-Linien auf ein Glas- oder ITO (Indium-Zinn Oxid)-Substrat mittels Tintenstrahltechnik zu Drucken, besteht darin, das Substrat vorher so zu behandeln, dass der Kontaktwinkel zwischen Substrat und der Metall-Tinte im Bereich von 30° bis 60° liegt. Dies verhindert das unkontrollierte Verlaufen der Tinte auf dem Substrat. (US 20030083203 A1, Seiko Epson; M. Furusawa et al, SID 02 Digest, 753 – 755). Dabei kommt eine Oberflächen-Behandlung durch Plasma zum Einsatz. Im Allgemeinen wird durch eine Plasma-Fluorierung mit CF4, C2F6 oder C3F8 ein Kontaktwinkel von 20° bis 60° erzielt. Hieran ist jedoch nachteilig, dass die Adhesion oder Haftfestigkeit der gedruckten und gesinterten Tinte auf dem Substrat nur sehr gering ist.
  • Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Display mit einer Elektrodenschicht aus einer Vielzahl linienförmiger Leiterbahnen anzugeben, welches einen Kontaktwinkel zwischen Substrat und der Metall-Tinte im Bereich von 30° bis 60° und gleichzeitig eine verbesserte Haftfestigkeit zwischen elektrisch leitenden Metalllinien (Leiterbahnen) und Glas- oder ITO (Indium-Zinn Oxid)-Substrat aufweist. Hierdurch sollen Ablöseerscheinungen bzw. Beschädigungen der Elektrodenlinien verhindert sowie eine höhere Auflösung von tintenstrahlgedruckten elektrisch leitenden Metall-Linien auf einem Glas- oder ITO (Indium-Zinn Oxid)-Substrat ermöglicht werden. Insbesondere sollen Bus- und Adress-Elektroden für Plasmabildschirme durch Tintenstrahltechnik mit hoher Auflösung bei einer hohen Haftfestigkeit auf das Substrat druckbar sein. Darüber hinaus soll ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein Display angegeben werden, wobei das Substrat eine höhere Haftfestigkeit zwischen elektrisch leitenden Metall-Linien und Glas- oder ITO (Indium-Zinn Oxid)-Substrat aufweist.
  • Diese Aufgaben werden erfindungsgemäß gelöst durch die Merkmale im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 (Vorrichtungsanspruch) und im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 12 (Verfahrensanspruch) im Zusammenwirken mit den Merkmalen im Oberbegriff. Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen enthalten.
  • Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass Leiterbahnen, zum Beispiel von Bus- oder Adresselektroden, mit hoher Haftfestigkeit auf ein Substrat, beispielsweise ein Glassubstrat oder ein mit Indium-Zinnoxid beschichtetes Substrat, aufgebracht werden können. Hierdurch kann insbesondere die Auflösung der elektrisch leitenden Metalllinien (z. B. Leiterbahnen der Bus- und Adresselektroden) und somit die Auflösung des Displays erhöht werden. Weiterhin können Ablöseerscheinungen oder eine Beschädigung der Metalllinien (welche einen Defekt zur Folge hätte und damit die Prozeßausbeute minimieren würde) vermieden werden. Dazu ist beim erfindungsgemäßen Display zwischen einem Grundsubstrat und einer Elektrodenschicht, welche eine Vielzahl linienförmiger Leiterbahnen aufweist, eine Schicht eines Silan-Derivats angeordnet. Eine solche Zwischenschicht (Schicht eines Silan-Derivats) kann durch Plasmapolymerisation und/oder Abscheidungsprozesse aus geeigneten Lösungen, die zur Ausbildung einer sehr dünnen Schicht mit den gewünschten Oberflächeneigenschaften führen, gewonnen werden. Die erfindungsgemäße Zwischenschicht muss eine gute Haftung auf dem Grundsubstrat aufweisen. Dies kann durch entspre chende reaktive Gruppen beziehungsweise durch kationische Gruppen in der Struktur der Zwischenschicht erreicht werden. Darüber hinaus muss zwischen der erfindungsgemäßen Zwischenschicht und dem erzeugten Metallfilm (linienförmige Leiterbahnen der Elektrodenschicht) eine gute Haftung gewährleistet sein. Die linienförmigen Leiterbahnen werden vorzugsweise mittels Tintenstrahldrucken einer metallhaltigen Lösung oder einer metallhaltigen Suspension aufgebracht.
  • Um zwischen den Leiterbahnen und der Zwischenschicht eine gute Haftung zu gewährleisten, ist es erfindungsgemäß vorgesehen, dass in der Struktur der Zwischenschicht entsprechende chemische Ankergruppen zur Erhöhung der Haftung vorgesehen sind. Im Falle von Silber als abzuscheidendem Metall sind schwefelhaltige Strukturelemente, wie Thiolgruppen, Dialkylsulfidgruppen sowie Disulfidgruppen oder stickstoffhaltige Strukturen wie Amingruppen geeignet. Weiterhin geeignet sind chelatbildende Gruppen wie Ethylendiamin, Diethylentriamin sowie verwandte Carboxilate.
  • In einer bevorzugten Ausführungsvariante ist das Grundsubstrat ein Glassubstrat oder ein mit einer Schicht aus Indium-Zinnoxid beschichtetes Substrat. Vorzugsweise wird das Silan-Derivat aus Hexamethyldisiloxan oder Hexamethyldisilazan oder einer Mischung aus Dimethyldiethoxysilan, Trimethoxy-propylsilan oder Bis-Tetramethylammoniumsiloxanolat und 3-Mercaptopropyltrimethoxylsilan, Bis(3-Trimethoxysilyl)propyl-ethylendiamin, 3-(Trimethoxysilyl)propyl-diethylentriamin und Salzen von N-Trimethoxysilylpropyl-ethylendiamintetraessigsäure hergestellt.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsvariante weist die Mischung Zusätze aus Siliziumdioxidpartikeln, Silikaten und/oder Stellpolymeren auf.
  • In einer bevorzugten Ausführungsvariante besteht das Stellpolymer aus Polydimethylsiloxan. Die Zwischenschicht des Silan-Derivats wird vorzugsweise durch Plasmapolymerisation oder Plasmaabscheidung, z. B. durch Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Aufschleudern, Aufsprühen oder Siebdruck aufgebracht. Die Schichtdicke des Silan-Derivats beträgt im Falle der Plasmapolymerisation, des Aufschleuderns oder des Aufsprühens zwischen 1 nm und 50 nm und im Falle des Siebdrucks zwischen 50 nm und 10 μm.
  • Das erfindungsgemäße Display kann ein LC-Display, ein OLED-Display oder ein Plasmadisplay sein. Kennzeichnend ist in jedem Falle, dass zwischen mindestens einer Elektrodenschicht (mit einer Vielzahl von linienförmigen Leiterbahnen) und einem Grundsubstrat eine Schicht eines Silan-Derivats angeordnet ist. Die linienförmigen Leiterbahnen bilden vorzugsweise Adress-Elektroden oder Bus-Elektroden des Displays aus.
  • Ein Substrat für ein Display (LC-Display, OLED-Display oder Plasmadisplay) ist erfindungsgemäß durch ein Grundsubstrat und eine auf dem Grundsubstrat angeordnete Elektrodenschicht (mit einer Vielzahl von linienförmigen Leiterbahnen) gekennzeichnet, wobei zwischen der Elektrodenschicht und dem Grundsubstrat eine Schicht eines Silan-Derivats angeordnet ist.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein Display mit einer auf einem Grundsubstrat angeordneten Elektrodenschicht mit einer Viel zahl linienförmiger Leiterbahnen ist dadurch gekennzeichnet, dass vor Aufbringen der linienförmigen Leiterbahnen eine Schicht eines Silan-Derivats auf das Grundsubstrat aufgebracht wird. Nachfolgend werden die linienförmigen Leiterbahnen, welche eine der Elektrodenschichten des später herzustellenden Displays ausbilden, aufgebracht. Vorzugsweise wird das Silan-Derivat aus Hexamethyldisiloxan oder Hexamethyldisilazan hergestellt. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsvariante wird das Silan-Derivat aus einer Mischung aus Dimethyldiethoxysilan, Trimethoxy-propylsilan oder Bis-Tetramethylammoniumsiloxanolat und 3-Mercaptopropyltrimethoxylsilan, Bis(3-Trimethoxysilyl)propyl-ethylendiamin, 3-(Trimethoxy silyl)propyl-diethylentriamin und Salzen von N-Trimethoxysilylpropyl-ethylendiamintetraessigsäure hergestellt. Für die Mischung werden vorzugsweise Zusätze aus Siliziumdioxidpartikeln, Silikaten und/oder Stellpolymeren verwendet. Als Stellpolymer wird vorzugsweise Polydimethylsiloxan verwendet. Die Zwischenschicht aus einem Silan-Derivat ist vorzugsweise elektrisch nicht isolierend, jedoch zumindest in Richtung quer zu Längsachse der Leiterbahnen elektrisch isolierend ausgebildet. Dies kann durch eine entsprechend geringe Schichtdicke bis hin zum Monolayer realisiert werden. Erfindungsgemäß weist die Zwischenschicht aus einem Silan-Derivat Si-O und/oder Si-N und/oder Si-P und/oder Si-C und/oder Si-H und/oder Si-Si Bindungen auf.
  • Die Elektrode (Elektrodenschicht) wird durch eine Vielzahl von Metalllinien oder metallhaltigen Linien gebildet, welche aus Silber- oder anderen Metallpartikeln bestehen. Diese Linien werden durch Tintenstrahldrucktechniken erzeugt. Dazu wird vorzugesweise eine unter anderem aus Silberpartikeln bestehende Tinte tropfenförmig derart auf das Substrat mit der Silan-Zwischenschicht gedruckt, dass eine Linie entsteht. Um eine geringe Linienbreite zu erzielen, ist der Einsatz von Druckköpfen zur Erzeugung kleiner Tropfenvolumina vorteilhaft. Eine geringe Linienbreite und damit eine hohe Auflösung der Leiterbahnen/Elektrodenschicht wird weiterhin durch die Vorbehandelung des Substrates mit der darauf befindlichen Zwischenschicht aus einem Silan-Derivat erreicht. Dabei wird die Oberflächenenergie beispielsweise mittels eines Plasmaprozesses (wie zum Beispiel PECVD=Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) so eingestellt, dass ein möglichst hoher Kontaktwinkel zur aufgedruckten Tinte erzielt wird. Dadurch wird das unkontrollierte Verlaufen der Tinte verhindert.
  • Ein mehrfaches Bedrucken der selben Substratbereiche ist ebenfalls möglich. Letzteres führt zu einer Erhöhung der Schichtdicke der einzelnen Metalllinien.
  • Die maximale Leitfähigkeit der Silbertinte wird durch abschließendes thermisches Behandeln erzielt. Die thermische Behandlung erfolgt vorzugsweise bei einer Temperatur zwischen 100°C und 300°C für die Dauer von 5 Minuten bis 30 Minuten. Dabei erfolgt ein Sintern der Silbernanopartikel. Ein Leitungswiderstand von < 1 Ohm/cm ist auf diese Weise unter Verwendung einer silberhaltigen Tinte realisierbar.
  • Zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Displays wird das erfindungsgemäße Substrat (Grundsubstrat mit darauf angeordneter Zwischenschicht aus einem Silan-Derivat und darauf angeordneter Elektrodenschicht) dem weiteren Herstellungsprozeß für das Display (nach dem Stand der Technik) übergeben. Beispielsweise wird für ein OLED- Display lichtemittierendes, organisches Material zwischen zwei Elektrodenschichten angeordnet, wobei das Display mindestens ein erfindungsgemäßes Substrat aufweist, d.h. mindestens eine Elektrodenschicht auf einer Schicht aus einem Silan-Derivat angeordnet ist, wobei diese Schicht (aus einem Silan-Derivat) auf einem Grundsubstrat angeordnet ist.
    •
  • Die Erfindung soll nachstehend anhand eines zumindest teilweise in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert werden.
  • Es zeigt:
  • 1: eine schematische Darstellung der Prozessschritte zur Herstellung eines Substrats für ein Plasma Display mit einer auf einem Grundsubstrat angeordneten Elektrodenschicht mit einer Vielzahl linienförmiger Leiterbahnen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren.
  • Der Herstellungsprozess von Bus- und Adress-Elektroden für Plasma-Bildschirme wird auf zwei unterschiedlichen Substraten realisiert, einem Glassubstrat (Adress-Elektroden) und einem mit ITO-beschichtetem Glassubstrat (Bus-Elektroden). Im weiteren wird der Herstellungsprozess von Adress-Elektroden beschrieben (1). Hier wird ein zunächst gereinigtes, aus Glas bestehendes Grundsubstrat 1 als Ausgangssubstrat verwendet.
  • Dieses gereinigte Grundsubstrat 1 wird einem Plasmapolymerisationsprozess mit HMDSO (Hexamethyldisiloxan) unterzogen, so dass eine Zwischenschicht 2 von 5 nm Schichtdicke abgeschieden wird und der Kontakt-Winkel eines Silbertinten-Tropfens auf der Zwischenschicht 2 etwa 30° aufweist. Die Plasmapolymerisation wird durch einen PECVD-Prozess (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) mit HMDSO (Hexamethyldisiloxan) realisiert. Die Prozeßparameter sind:
    Druck 5 × 10–2 mbar,
    Leistung 200 W,
    RF-Frequency: 13.56 MHz,
    Flußrate des HMDSO (monomer): 5.5 sccm und
    Behandlungsdauer: 10 s.
  • Die Silbertinte besteht aus einer Dispersion von Silber-Nanopartikeln (Partikelgröße ca. 7 nm im Durchmesser) in einem organischen Lösungsmittel. Diese Silbertinte wird auf das oben beschriebene Substrat 1, 2 mit Hilfe eines Piezo-Druckkopfes aufgedruckt, so dass die Silbertinte linienförmig trocknet, wodurch die Adress-Elektroden 3 mit einer Linienbreite von 100 μm ausgebildet werden.
  • Im Anschluss daran wird das bedruckte Substrat 1, 2, 3 einer Temperatur von 250° C ausgesetzt. Dieser Temperaturprozess führt zum Sintern der Silber-Nanopartikel, so dass die gedruckten Adress-Elektroden 3 elektrisch leitend werden und eine Schichtdicke von > 2 μm aufweisen.
  • Schließlich wird das so bedruckte Substrat 1, 2, 3 dem weiteren PDP-Herstellungsprozess übergeben.
    • 1
    Grundsubstrat
    2
    Schicht eines Silan-Derivats
    3
    Adresselektrode

Claims (23)

  1. Display mit einer ersten Elektrodenschicht mit einer Vielzahl linienförmiger Leiterbahnen (3) und einer zweiten Elektrodenschicht mit einer Vielzahl linienförmiger Leiterbahnen (3), wobei mindestens eine der Elektrodenschichten auf einem Grundsubstrat (1) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Grundsubstrat (1) und erster Elektrodenschicht und/oder zwischen Grundsubstrat (1) und zweiter Elektrodenschicht eine Schicht (2) eines Silan-Derivats angeordnet ist.
  2. Display nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Grundsubstrat (1) ein Glassubstrat oder ein mit Indium-Zinnoxid beschichtetes Substrat ist.
  3. Display nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (2) eines Silan-Derivats Si-O und/oder Si-N und/oder Si-P und/oder Si-C und/oder Si-H und/oder Si-Si Bindungen aufweist.
  4. Display nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Silan-Derivat aus Hexamethyldisiloxan oder Hexamethyldisilazan hergestellt ist.
  5. Display nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Silan-Derivat aus einer Mischung aus Dimethyldiethoxysilan, Trimethoxy-propylsilan oder Bis-Tetramethylammoniumsiloxanolat und 3-Mercaptopropyltrimethoxylsilan, Bis(3-Trimethoxysilyl)propyl-ethylendiamin, 3-(Trimethoxysilyl)propyl-diethylentriamin und Salzen von N-Trimethoxysilylpropylethylendiamintetraessigsäure hergestellt ist.
  6. Display nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Mischung Zusätze aus Siliziumdioxidpartikeln, Silikaten und/oder Stellpolymeren aufweist.
  7. Display nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Stellpolymer Polydimethylsiloxan ist.
  8. Display nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke des Silan-Derivats zwischen 1 nm und 50 nm beträgt.
  9. Display nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke des Silan-Derivats zwischen 50 nm und 10 μm beträgt.
  10. Display nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Display ein LC-Display, ein OLED-Display oder ein Plasma-Display ist.
  11. Display nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die linienförmigen Leiterbahnen (3) Adresselektroden oder Buselektroden ausbilden.
  12. Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein Display mit einer auf einem Grundsubstrat (1) angeordneten Elektrodenschicht mit einer Vielzahl linienförmiger Leiterbahnen (3), dadurch gekennzeichnet, dass vor Aufbringen der linienförmigen Leiterbahnen (3) eine Schicht (2) eines Silan-Derivats auf das Grundsubstrat (1) aufgebracht wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Silan-Derivat aus Hexamethyldisiloxan oder Hexamethyldisilazan hergestellt wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Silan-Derivat aus einer Mischung aus Dimethyldiethoxysilan, Trimethoxy-propylsilan oder Bis-Tetramethylammoniumsiloxanolat und 3-Mercaptopropyltrimethoxylsilan, Bis(3-Trimethoxysilyl)propyl-ethylendiamin, 3-(Trimethoxysilyl)propyl-diethylentriamin und Salzen von N-Trimethoxysilylpropyl-ethylendiamintetraessigsäure hergestellt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass für die Mischung Zusätze aus Siliziumdioxidpartikeln, Silikaten und/oder Stellpolymeren verwendet werden.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass als Stellpolymere Polydimethylsiloxane verwendet werden.
  17. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (2) eines Silan-Derivats durch Plasmapolymerisation oder Plasmaabscheidung aufgebracht wird.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Plasmapolymerisation oder Plasmaabscheidung durch einen Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition-Prozess realisiert wird.
  19. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (2) eines Silan-Derivats durch Aufschleudern, Aufsprühen oder Siebdruck auf gebracht wird.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die linienförmigen Leiterbahnen (3) durch Tintenstrahldrucken einer metallhaltigen Lösung oder einer metallhaltigen Suspension aufgebracht werden.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (2) eines Silan-Derivats mit darauf befindlichen linienförmigen Leiterbahnen (3) einer thermischen Behandlung bei einer Temperatur zwischen 100°C und 300°C unterzogen wird..
  22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Trocknungsdauer zwischen 5 Minuten und 30 Minuten beträgt.
  23. Verwendung eines nach dem Verfahren der Ansprüche 12 bis 22 hergestellten Substrates zur Herstellung eines OLED-Displays, LC-Displays oder eines Plasma-Displays.
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CNB2005100737447A CN100520866C (zh) 2004-07-29 2005-05-20 显示器及其制备方法
JP2005210423A JP2006039550A (ja) 2004-07-29 2005-07-20 ディスプレイ装置及びその製造方法

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012203166A1 (de) 2012-02-29 2013-08-29 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren zum Herstellen elektrisch leitfähiger Strukturen
DE102012105765A1 (de) * 2012-06-19 2013-12-19 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Herstellung einer dreidimensionalen Leiterbahnstruktur sowie eine nach diesem Verfahren hergestellte Leiterbahnstruktur

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101996436B1 (ko) * 2013-02-14 2019-07-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 봉지 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
US9831468B2 (en) 2013-02-14 2017-11-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device having thin film encapsulation structure and method of fabricating the same
KR102457537B1 (ko) 2017-12-05 2022-10-20 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 기판과 이를 포함하는 플렉서블 표시장치
KR102192462B1 (ko) * 2017-12-14 2020-12-17 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막, 및 전자소자

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4244838C2 (de) * 1991-08-08 1997-01-23 Mitsubishi Electric Corp Organische Silanverbindung zur Bildung einer Antireflexionsschicht
US6344309B2 (en) * 1998-10-22 2002-02-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polysilane composition for forming a coating suitable for bearing a metal pattern, metal pattern forming method, wiring board preparing method
US20040043691A1 (en) * 2000-12-04 2004-03-04 Noriyuki Abe Method for forming electrode for flat panel display

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60177319A (ja) 1984-02-23 1985-09-11 Sharp Corp 液晶表示素子
JPH0545645U (ja) 1991-11-27 1993-06-18 シヤープ株式会社 プラスチツク液晶表示素子
JPH10339869A (ja) 1997-06-09 1998-12-22 Toyo Ink Mfg Co Ltd ディスプレイ表示素子用基材フィルム
JP2000019497A (ja) 1998-07-07 2000-01-21 Sony Corp 液晶表示装置及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4244838C2 (de) * 1991-08-08 1997-01-23 Mitsubishi Electric Corp Organische Silanverbindung zur Bildung einer Antireflexionsschicht
US6344309B2 (en) * 1998-10-22 2002-02-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polysilane composition for forming a coating suitable for bearing a metal pattern, metal pattern forming method, wiring board preparing method
US20040043691A1 (en) * 2000-12-04 2004-03-04 Noriyuki Abe Method for forming electrode for flat panel display

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012203166A1 (de) 2012-02-29 2013-08-29 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren zum Herstellen elektrisch leitfähiger Strukturen
DE102012105765A1 (de) * 2012-06-19 2013-12-19 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Herstellung einer dreidimensionalen Leiterbahnstruktur sowie eine nach diesem Verfahren hergestellte Leiterbahnstruktur

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Publication number Publication date
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