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DE102004021231B4 - Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials - Google Patents

Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Abscheiden eines Materials (5) auf einen Körper (1, 2), unter Ausnutzung von elektrostatischen Kräften zwischen Material (5) und Körper (1, 2), wobei
– das Material (5) wenigsten ein Lumineszenzkonversionsmaterial enthält, und
– der Körper (1, 2) ein optoelektronisches Bauteil enthält, das vor dem Abscheiden zumindest stellenweise mit einem Isolator (4) bedeckt wird, wobei der Isolator (4) ein transparentes Elektret ist, so dass das Material (5) an denjenigen Stellen abgeschieden wird, an denen sich der Isolator (4) befindet.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials auf einen Körper. Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein optoelektronisches Bauteil, das gemäß dieses Verfahrens hergestellt ist.
  • Die Druckschrift DE 103 31 698 A1 beschreibt ein oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauteil und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Bei diesem Bauteil ist der strahlungsemittierende Chip mit einer Formmasse umhüllt, die auf der Basis eines Harzes gebildet ist. Bevorzugt wird der Formmasse ein Lumineszenzkonversionsmaterial beigemischt, das beispielsweise durch ein anorganisches Leuchtstoff- Pigmentpulver gegeben sein kann. Die Druckschrift DE 103 31 698 A1 gibt darüber hinaus ein Verfahren an, ein solches Pulver mit mittleren Korndurchmessern zwischen 2 und 20 μm herzustellen.
  • Die Druckschrift DE 100 10 638 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Licht abstrahlenden Halbleiterkörpers mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial. Dabei wird das Lumineszenzkonversionsmaterial direkt auf den Halbleiterkörper aufgebracht. Bei einem ersten Verfahren wird eine Suspension, die einen Haftvermittler und mindestens einen Leuchtstoff enthält, schichtartig auf den Halbleiterkörper aufgebracht. Im nächsten Verfahrensschritt entweicht ein Lösungsmittel aus der Suspension, so dass nur noch der Leuchtstoff mit dem Haftvermittler auf dem Halbleiterkörper verbleibt. In einem zweiten Verfahren wird der Halbleiterkörper mit einer Haftschicht versehen, auf die der Leuchtstoff unmittelbar aufgebracht wird. Dazu wird der Leuchtstoff beispielsweise auf den Haftvermittler gestreut, aufgeblasen oder aufgestäubt.
  • Die Druckschriften DE 102 25 778 A1 , DE 28 13 661 A1 , US 5 817 374 A und DE 696 06 871 T2 beschreiben jeweils ein elektrostatisches Verfahren zum Aufbringen verschiedenster Schichten.
  • Es ist Aufgabe der Vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials auf einen Körper anzugeben, das eine besonders gleichmäßige Schicht aus Lumineszenzkonversionsmaterial auf dem Körper erzeugt. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung ein optoelektronisches Bauteil anzugeben, das mittels solch eines Verfahrens hergestellt ist.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren nach Patentanspruch 1 und ferner durch ein optoelektronisches Bauteil nach Patentanspruch 12. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand von Unteransprüchen.
  • Es wird ein Verfahren zum Abscheiden eines Materials auf einen Körper angegeben, unter Ausnutzung elektrostatischer Kräfte zwischen Material und Körper, wobei das Material wenigstens ein Lumineszenzkonversionsmaterial enthält.
  • Unter Lumineszenzkonversionsmaterialien werden hierbei Stoffe oder Stoffgemische verstanden, die elektromagnetische Strahlung einer bestimmten Wellenlänge in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge umwandeln. Als Lumineszenzkonversionsmateriale finden dabei bevorzugt anorganische Phosphore, dotierte Granate, Ce- oder Tb-aktivierte Granate (wie beispielsweise YAG:Ce, TAG:Ce, TbY-AG:Ce), Erdalkalisulfate oder organische Farbstoffe Verwendung.
  • Das hier angegebene Verfahren macht sich die Idee zunutze unter Ausnutzung elektrostatischer Anziehung ein Material auf einen Körper abzuscheiden. Besonders vorteilhaft ergibt sich dabei, dass durch dieses Verfahren das Material in einer sehr gleichmäßigen Schicht auf den Körper aufgebracht werden kann. Das heißt die Schicht weißt an jeder Stelle ungefähr die gleiche Dicke und Zusammensetzung auf.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens weißt das Material zusätzlich zum Lumineszenzkonversionsmaterial wenigstens einen Haftvermittler auf. Dieser Haftvermittler hat die Aufgabe die Haftung des Materials auf den Körper nach Abschluss des Verfahrens zu gewährleisten. So kann der Haftvermittler ein Harz, beispielsweise ein Trockenmatrix-Polymerharz (Thermoplast) sein. Nach dem Abscheiden des Materials auf den Körper findet dann ein zusätzlicher Einbrenn- und Aushärteprozess, beispielsweise durch Erhitzen der Anordnung aus Körper und abgeschiedenen Material über den Schmelzpunkt des verwendeten Harzes und anschließendes Abkühlen der Anordnung, statt. Das Erhitzen der Anordnung kann dabei beispielsweise in einem atmosphärenkontrollierten Ofen stattfinden. Dadurch entsteht eine gleichmäßige Schicht aus Haftvermittler und Lumineszenzkonversionsmaterial auf dem Körper, die dauerhaft und stabil auf dem Körper haftet. Handelt es sich bei dem Körper um ein elektromagnetische Strahlung erzeugendes Bauteil so ist der Haftvermittler vorteilhaft transparent für die erzeugte Strahlung. Bevorzugt ist der Haftvermittler auch beständig gegenüber elektromagnetischer Strahlung, so dass durch den Betrieb des Bauteils seine Eigenschaften nicht nachteilig beeinflusst werden.
  • In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens ist das Material dabei als ein Pulver gegeben. Das heißt sowohl das Lumineszenzkonversionsmaterial als auch andere beigemischte Stoffe wie ein Haftvermittler sind in Pulverform gegeben. Bevorzugt werden die Pulver der verschiedenen Stoffe dabei vor dem Abscheiden gleichmäßig in einem bestimmten Mischverhältnis zueinander vermischt.
  • Bevorzugt beträgt die mittlere Korngröße des Lumineszenzkonversionsmaterials bei dem verwendeten Pulver maximal 30 μm. Besonders vorteilhaft erweist sich dabei eine mittlere Korngröße, zwischen 2 und 6 μm. Es hat sich nämlich gezeigt, dass bei dieser Korngröße die Lumineszenzkonversion besonders effizient erfolgen kann. Die Korngröße des Haftvermittlers hängt von den dielektrischen Eigenschaften des verwendeten Haftvermittlers ab. Bevorzugt wird die Korngröße des Haftvermittlers so optimiert, dass die Partikel des Lumineszenzkonversionsmaterials und des Haftvermittlers ungefähr die gleiche Ladung tragen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens enthält der Körper ein Halbleitermaterial. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform enthält der Körper eine Vielzahl von optoelektronischen Bauteilen im Wafer-Verbund. Das heißt auf einen Substrat-Wafer sind mehrere optoelektronische Bauteile, wie beispielsweise Leuchtdioden oder Diodenlaser, zum Beispiel epitaktisch abgeschieden. Das Material wird dann auf die Oberfläche dieser Bauteile, die dem Substrat-Wafer gegenüberliegt, unter Ausnutzung elektrostatischer Anziehung abgeschieden. Dabei ist es möglich, dass nicht die gesamte Oberfläche mit dem Material bedeckt wird, sondern ausgewählte Stellen der Oberfläche vom Material unbedeckt bleiben. Dies erweist sich beispielsweise als besonders vorteilhaft, wenn sich auf der Oberfläche Anschlussstellen zum elektrischen Kontaktieren der Bauteile befinden. Diese Anschlussstellen werden bevorzugt nicht vom Material bedeckt.
  • Es ist aber auch möglich das beschriebene Abscheide-Verfahren auf einzelne Bauteile, beispielsweise einzelne Leuchtdioden oder Diodenlaser, anzuwenden um sie auf diese Weise mit einer Lumineszenzkonversionsschicht zu versehen.
  • In einer weiteren Ausführungsform des Verfahren ist der Körper auf dem das Material abgeschieden wird elektrisch leitend.
  • In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird der Körper vor dem Abscheiden des Materials zumindest stellenweise mit einem Isolator bedeckt. Besonders bevorzugt wird der Isolator während des Abscheidens elektrisch geladen. Auch das Material kann elektrisch geladen sein. Die elektrische Ladung ist dann bevorzugt ungleichnamig zur Ladung des Isolators. Der Körper wird während des Abscheide-Vorgangs bevorzugt geerdet.
  • Falls das Material elektrisch polarisierbar ist, ist vorteilhafterweise ein elektrisches Laden des Materials nicht notwendig. Besonders vorteilhaft ergibt sich bei dieser Ausführungsform des Verfahrens, dass Teile des Körpers, die von Isolator ungedeckt sind keine elektrostatische Anziehung auf das Material ausüben und so im Wesentlichen unbedeckt vom Material bleiben. Auf diese Weise ist eine besonders einfache Strukturierung von Konversionsmaterial auf der Oberfläche des Körpers möglich.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird an den Körper eine kleine Spannung angelegt, die ungleichnamig zur Ladung der Material-Teilchen ist. Dadurch wird die elektrostatische Anziehung zwischen Material und Körper verbessert.
  • Es wird darüber hinaus ein optoelektronisches Bauteil angegeben, das gemäß einer Ausführungsform des vorgestellten Verfahrens gefertigt ist. Bevorzugt handelt es sich bei dem Bauteil um eine Leuchtdiode oder einen Diodenlaser. Die vom Bauteil erzeugte elektromagnetische Strahlung wird in der, mittels des beschriebenen Abscheideverfahrens, aufgebrachten Lumineszenzkonversionsschicht zu Strahlung einer anderen Wellenlänge umgewandelt. Strahlt das Bauteil beispielsweise Licht im blauen oder ultravioletten Bereich ab, so kann mit geeigneten Lumineszenzkonversionsmaterialien Licht anderer Farben auf diese Weise erzeugt werden.
  • Mit besonderem Vorteil kann das beschriebene Verfahren auch zur Herstellung von Weißlichtleuchtdioden verwendet werden. Hierbei sind der Leuchtstoff und der Halbleiterkörper so aufeinander abgestimmt, dass die Farbe des vom Bauteil erzeugten Primärlichts und das Fluoreszenzlicht des Konversionsmaterials zueinander komplementär sind. Durch additive Farbmischung wird der Eindruck von weißem Licht hervorgerufen.
  • Es erweist sich als besonders vorteilhaft, dass die mittels eines beschriebenen Abscheideverfahrens aufgebrachte Konversionsschicht von besonders gleichmäßiger Dicke und Zusämmensetzung ist. Durch die Gleichmäßigkeit der Konversionsschicht wird eine besonders gleichmäßige Abstrahlcharakteristik der abgegebenen Strahlung erreicht. Die Dicke der Konversionsschicht beträgt bevorzugt zwischen 15 und 25 μm.
  • Weitere Merkmale und Vorteile des hier beschriebenen Verfahrens ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von drei Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den 1 bis 4.
  • 1a bis 1d zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel des hier beschriebenen Verfahrens anhand von Prinzipskizzen.
  • 2 zeigt eine Aufsicht auf einen Ausschnitt von optoelektronischen Bauteilen im Wafer-Verbund.
  • In den Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr sind einige Details der Figuren zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt.
  • 1a zeigt auf einem Wafer 1 angeordnete Bauteile 2. 4 zeigt eine Aufsicht auf einen Ausschnitt der im Wafer-Verbund angeordneten Bauteile 2. Die Bauteile können beispielsweise optoelektronische Bauteile wie Leuchtdiode oder Diodenlaser sein. An der dem Substrat-Wafer 1 gegenüberliegenden Oberfläche des Bauteils 2 befindet sich ein Bondpad zum elektrischen Anschließen des Bauteils, beispielsweise mittels Wire-Bonden.
  • 1b zeigt einen Isolator 4, der auf die Oberfläche der Bauteile 2 aufgebracht ist. Der Isolator 4 wird dabei durch eine geeignete Depositionsmethode auf die Bauteile 2 aufgebracht, welche die Bauteile 2 nicht beschädigt. Der Isolator kann beispielsweise aufgesprüht, aufgerakelt, aufgedruckt oder mittels CVD- oder PVD-Techniken aufgebracht werden. Bevorzugt ist der Isolator 4 für die vom optoelektronischen Bauteil 2 erzeugte Strahlung transparent.
  • Als Materialien für den Isolator eignen sich beispielsweise transparente Elektrete oder anorganische Verbindungen wie Siliziumnitrid.
  • Vorteilhaft kann der Isolator 4 durch phototechnische Behandlung strukturiert werden, so dass nur gewünschte Stellen der Bauteiloberfläche vom Isolator 4 bedeckt werden. So ist es, je nach den späteren Anforderungen an das Bauteil 2 möglich den Isolator 4 in bestimmten Mustern auf das Bauteil 2 aufzubringen. Die Bondpads 3 bleiben vom Isolator 4 bevorzugt ungedeckt. Nach der gewünschten Strukturierung des Isolators 4 wird der Isolator beispielsweise mittels eines Korona-, eines Korona-Trioden-, eines Tribo-Ladegrätes oder einer anderen geeigneten Methode elektrisch geladen. Die angelegte Spannung beträgt dabei bevorzugt zwischen 30 kV und 100 kV. Der Verbund von Substrat-Wafer 1 und Bauteilen 2 wird geerdet.
  • 1d zeigt wie das Material 5, welches wenigstens ein Lumineszenzkonversionsmaterial und wenigstens einen Haftvermittler enthält, die jeweils in Pulverform vorliegen, auf die Bauteile 2 abgeschieden wird. Das elektrisch polarisierbare Material 5 wird auf die Bauteile 2 aufgestäubt, aufgestreut oder als Aerosol aufgeblasen.
  • Als besonders vorteilhaft ergibt sich bei diesem Ausführungsbeispiel, dass das Material 5 nur vom Isolator 4 elektrostatisch angezogen wird. Die elektrostatische Anziehung wirkt in Richtung der Pfeile 6. Das Material 5 wird damit lediglich auf vom Isolator 4 bedeckten Stellen des Bauteils 2 abgeschieden. Die Bondpads 3 und alle anderen Stellen der Bauteile 2, auf die kein Isolator 4 aufgebracht ist bleiben so, ohne dass zusätzliche Maßnahmen notwendig sind, unbedeckt. Das Verfahren ermöglicht also eine schnelle und gezielte Beschichtung der Bauteile mit Konvertermaterial.
  • 1d zeigt die Wafer-Anordnung, bestehend aus Substrat-Wafer 1 und Bauteilen 2, nach dem Aushärten des Materials 5 zu einer Konversionsschicht 7. Das Aushärten kann dabei beispielsweise durch Erhitzen der Anordnung über den Schmelzpunkt des Haftvermittlers erfolgen. Nach diesem Aushärte-Schritt kann dann eine Vereinzelung der Anordnung in einzelne Bauteile 2 zum Beispiel durch Sägen oder Brechen erfolgen.

Claims (12)

  1. Verfahren zum Abscheiden eines Materials (5) auf einen Körper (1, 2), unter Ausnutzung von elektrostatischen Kräften zwischen Material (5) und Körper (1, 2), wobei – das Material (5) wenigsten ein Lumineszenzkonversionsmaterial enthält, und – der Körper (1, 2) ein optoelektronisches Bauteil enthält, das vor dem Abscheiden zumindest stellenweise mit einem Isolator (4) bedeckt wird, wobei der Isolator (4) ein transparentes Elektret ist, so dass das Material (5) an denjenigen Stellen abgeschieden wird, an denen sich der Isolator (4) befindet.
  2. Verfahren nach Anspruch 1,` wobei das Material (5) wenigstens einen Haftvermittler enthält.
  3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei das Material (5) ein Pulver ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei eine mittlere Korngröße des Lumineszenzkonversionsmaterials maximal 30 μm beträgt.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 4, wobei die mittlere Korngröße des Lumineszenzkonversionsmaterials zwischen 2 und 6 μm beträgt.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Körper ein Halbleitermaterial enthält.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Körper eine Vielzahl von optoelektronischen Bauteilen im Wafer-Verbund enthält.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Körper elektrisch leitend ist.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Isolator elektrisch geladen wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Körper geerdet und das Material elektrisch geladen wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei an dem Körper eine elektrische Spannung angelegt und das Material ungleichnamig zu der Spannung elektrisch geladen wird.
  12. Optoelektronisches Bauteil, hergestellt mittels eines Verfahrens gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11.
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