DE102004021231B4 - Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials - Google Patents
Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials Download PDFInfo
- Publication number
- DE102004021231B4 DE102004021231B4 DE102004021231A DE102004021231A DE102004021231B4 DE 102004021231 B4 DE102004021231 B4 DE 102004021231B4 DE 102004021231 A DE102004021231 A DE 102004021231A DE 102004021231 A DE102004021231 A DE 102004021231A DE 102004021231 B4 DE102004021231 B4 DE 102004021231B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- insulator
- luminescence conversion
- components
- conversion material
- depositing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013036 cure process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Verfahren zum Abscheiden eines Materials (5) auf einen Körper (1, 2), unter Ausnutzung von elektrostatischen Kräften zwischen Material (5) und Körper (1, 2), wobei
– das Material (5) wenigsten ein Lumineszenzkonversionsmaterial enthält, und
– der Körper (1, 2) ein optoelektronisches Bauteil enthält, das vor dem Abscheiden zumindest stellenweise mit einem Isolator (4) bedeckt wird, wobei der Isolator (4) ein transparentes Elektret ist, so dass das Material (5) an denjenigen Stellen abgeschieden wird, an denen sich der Isolator (4) befindet.
– das Material (5) wenigsten ein Lumineszenzkonversionsmaterial enthält, und
– der Körper (1, 2) ein optoelektronisches Bauteil enthält, das vor dem Abscheiden zumindest stellenweise mit einem Isolator (4) bedeckt wird, wobei der Isolator (4) ein transparentes Elektret ist, so dass das Material (5) an denjenigen Stellen abgeschieden wird, an denen sich der Isolator (4) befindet.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials auf einen Körper. Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein optoelektronisches Bauteil, das gemäß dieses Verfahrens hergestellt ist.
- Die Druckschrift
DE 103 31 698 A1 beschreibt ein oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauteil und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Bei diesem Bauteil ist der strahlungsemittierende Chip mit einer Formmasse umhüllt, die auf der Basis eines Harzes gebildet ist. Bevorzugt wird der Formmasse ein Lumineszenzkonversionsmaterial beigemischt, das beispielsweise durch ein anorganisches Leuchtstoff- Pigmentpulver gegeben sein kann. Die DruckschriftDE 103 31 698 A1 gibt darüber hinaus ein Verfahren an, ein solches Pulver mit mittleren Korndurchmessern zwischen 2 und 20 μm herzustellen. - Die Druckschrift
DE 100 10 638 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Licht abstrahlenden Halbleiterkörpers mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial. Dabei wird das Lumineszenzkonversionsmaterial direkt auf den Halbleiterkörper aufgebracht. Bei einem ersten Verfahren wird eine Suspension, die einen Haftvermittler und mindestens einen Leuchtstoff enthält, schichtartig auf den Halbleiterkörper aufgebracht. Im nächsten Verfahrensschritt entweicht ein Lösungsmittel aus der Suspension, so dass nur noch der Leuchtstoff mit dem Haftvermittler auf dem Halbleiterkörper verbleibt. In einem zweiten Verfahren wird der Halbleiterkörper mit einer Haftschicht versehen, auf die der Leuchtstoff unmittelbar aufgebracht wird. Dazu wird der Leuchtstoff beispielsweise auf den Haftvermittler gestreut, aufgeblasen oder aufgestäubt. - Die Druckschriften
DE 102 25 778 A1 ,DE 28 13 661 A1 ,US 5 817 374 A undDE 696 06 871 T2 beschreiben jeweils ein elektrostatisches Verfahren zum Aufbringen verschiedenster Schichten. - Es ist Aufgabe der Vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials auf einen Körper anzugeben, das eine besonders gleichmäßige Schicht aus Lumineszenzkonversionsmaterial auf dem Körper erzeugt. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung ein optoelektronisches Bauteil anzugeben, das mittels solch eines Verfahrens hergestellt ist.
- Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren nach Patentanspruch 1 und ferner durch ein optoelektronisches Bauteil nach Patentanspruch 12. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand von Unteransprüchen.
- Es wird ein Verfahren zum Abscheiden eines Materials auf einen Körper angegeben, unter Ausnutzung elektrostatischer Kräfte zwischen Material und Körper, wobei das Material wenigstens ein Lumineszenzkonversionsmaterial enthält.
- Unter Lumineszenzkonversionsmaterialien werden hierbei Stoffe oder Stoffgemische verstanden, die elektromagnetische Strahlung einer bestimmten Wellenlänge in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge umwandeln. Als Lumineszenzkonversionsmateriale finden dabei bevorzugt anorganische Phosphore, dotierte Granate, Ce- oder Tb-aktivierte Granate (wie beispielsweise YAG:Ce, TAG:Ce, TbY-AG:Ce), Erdalkalisulfate oder organische Farbstoffe Verwendung.
- Das hier angegebene Verfahren macht sich die Idee zunutze unter Ausnutzung elektrostatischer Anziehung ein Material auf einen Körper abzuscheiden. Besonders vorteilhaft ergibt sich dabei, dass durch dieses Verfahren das Material in einer sehr gleichmäßigen Schicht auf den Körper aufgebracht werden kann. Das heißt die Schicht weißt an jeder Stelle ungefähr die gleiche Dicke und Zusammensetzung auf.
- In einer Ausführungsform des Verfahrens weißt das Material zusätzlich zum Lumineszenzkonversionsmaterial wenigstens einen Haftvermittler auf. Dieser Haftvermittler hat die Aufgabe die Haftung des Materials auf den Körper nach Abschluss des Verfahrens zu gewährleisten. So kann der Haftvermittler ein Harz, beispielsweise ein Trockenmatrix-Polymerharz (Thermoplast) sein. Nach dem Abscheiden des Materials auf den Körper findet dann ein zusätzlicher Einbrenn- und Aushärteprozess, beispielsweise durch Erhitzen der Anordnung aus Körper und abgeschiedenen Material über den Schmelzpunkt des verwendeten Harzes und anschließendes Abkühlen der Anordnung, statt. Das Erhitzen der Anordnung kann dabei beispielsweise in einem atmosphärenkontrollierten Ofen stattfinden. Dadurch entsteht eine gleichmäßige Schicht aus Haftvermittler und Lumineszenzkonversionsmaterial auf dem Körper, die dauerhaft und stabil auf dem Körper haftet. Handelt es sich bei dem Körper um ein elektromagnetische Strahlung erzeugendes Bauteil so ist der Haftvermittler vorteilhaft transparent für die erzeugte Strahlung. Bevorzugt ist der Haftvermittler auch beständig gegenüber elektromagnetischer Strahlung, so dass durch den Betrieb des Bauteils seine Eigenschaften nicht nachteilig beeinflusst werden.
- In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens ist das Material dabei als ein Pulver gegeben. Das heißt sowohl das Lumineszenzkonversionsmaterial als auch andere beigemischte Stoffe wie ein Haftvermittler sind in Pulverform gegeben. Bevorzugt werden die Pulver der verschiedenen Stoffe dabei vor dem Abscheiden gleichmäßig in einem bestimmten Mischverhältnis zueinander vermischt.
- Bevorzugt beträgt die mittlere Korngröße des Lumineszenzkonversionsmaterials bei dem verwendeten Pulver maximal 30 μm. Besonders vorteilhaft erweist sich dabei eine mittlere Korngröße, zwischen 2 und 6 μm. Es hat sich nämlich gezeigt, dass bei dieser Korngröße die Lumineszenzkonversion besonders effizient erfolgen kann. Die Korngröße des Haftvermittlers hängt von den dielektrischen Eigenschaften des verwendeten Haftvermittlers ab. Bevorzugt wird die Korngröße des Haftvermittlers so optimiert, dass die Partikel des Lumineszenzkonversionsmaterials und des Haftvermittlers ungefähr die gleiche Ladung tragen.
- In einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens enthält der Körper ein Halbleitermaterial. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform enthält der Körper eine Vielzahl von optoelektronischen Bauteilen im Wafer-Verbund. Das heißt auf einen Substrat-Wafer sind mehrere optoelektronische Bauteile, wie beispielsweise Leuchtdioden oder Diodenlaser, zum Beispiel epitaktisch abgeschieden. Das Material wird dann auf die Oberfläche dieser Bauteile, die dem Substrat-Wafer gegenüberliegt, unter Ausnutzung elektrostatischer Anziehung abgeschieden. Dabei ist es möglich, dass nicht die gesamte Oberfläche mit dem Material bedeckt wird, sondern ausgewählte Stellen der Oberfläche vom Material unbedeckt bleiben. Dies erweist sich beispielsweise als besonders vorteilhaft, wenn sich auf der Oberfläche Anschlussstellen zum elektrischen Kontaktieren der Bauteile befinden. Diese Anschlussstellen werden bevorzugt nicht vom Material bedeckt.
- Es ist aber auch möglich das beschriebene Abscheide-Verfahren auf einzelne Bauteile, beispielsweise einzelne Leuchtdioden oder Diodenlaser, anzuwenden um sie auf diese Weise mit einer Lumineszenzkonversionsschicht zu versehen.
- In einer weiteren Ausführungsform des Verfahren ist der Körper auf dem das Material abgeschieden wird elektrisch leitend.
- In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird der Körper vor dem Abscheiden des Materials zumindest stellenweise mit einem Isolator bedeckt. Besonders bevorzugt wird der Isolator während des Abscheidens elektrisch geladen. Auch das Material kann elektrisch geladen sein. Die elektrische Ladung ist dann bevorzugt ungleichnamig zur Ladung des Isolators. Der Körper wird während des Abscheide-Vorgangs bevorzugt geerdet.
- Falls das Material elektrisch polarisierbar ist, ist vorteilhafterweise ein elektrisches Laden des Materials nicht notwendig. Besonders vorteilhaft ergibt sich bei dieser Ausführungsform des Verfahrens, dass Teile des Körpers, die von Isolator ungedeckt sind keine elektrostatische Anziehung auf das Material ausüben und so im Wesentlichen unbedeckt vom Material bleiben. Auf diese Weise ist eine besonders einfache Strukturierung von Konversionsmaterial auf der Oberfläche des Körpers möglich.
- In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird an den Körper eine kleine Spannung angelegt, die ungleichnamig zur Ladung der Material-Teilchen ist. Dadurch wird die elektrostatische Anziehung zwischen Material und Körper verbessert.
- Es wird darüber hinaus ein optoelektronisches Bauteil angegeben, das gemäß einer Ausführungsform des vorgestellten Verfahrens gefertigt ist. Bevorzugt handelt es sich bei dem Bauteil um eine Leuchtdiode oder einen Diodenlaser. Die vom Bauteil erzeugte elektromagnetische Strahlung wird in der, mittels des beschriebenen Abscheideverfahrens, aufgebrachten Lumineszenzkonversionsschicht zu Strahlung einer anderen Wellenlänge umgewandelt. Strahlt das Bauteil beispielsweise Licht im blauen oder ultravioletten Bereich ab, so kann mit geeigneten Lumineszenzkonversionsmaterialien Licht anderer Farben auf diese Weise erzeugt werden.
- Mit besonderem Vorteil kann das beschriebene Verfahren auch zur Herstellung von Weißlichtleuchtdioden verwendet werden. Hierbei sind der Leuchtstoff und der Halbleiterkörper so aufeinander abgestimmt, dass die Farbe des vom Bauteil erzeugten Primärlichts und das Fluoreszenzlicht des Konversionsmaterials zueinander komplementär sind. Durch additive Farbmischung wird der Eindruck von weißem Licht hervorgerufen.
- Es erweist sich als besonders vorteilhaft, dass die mittels eines beschriebenen Abscheideverfahrens aufgebrachte Konversionsschicht von besonders gleichmäßiger Dicke und Zusämmensetzung ist. Durch die Gleichmäßigkeit der Konversionsschicht wird eine besonders gleichmäßige Abstrahlcharakteristik der abgegebenen Strahlung erreicht. Die Dicke der Konversionsschicht beträgt bevorzugt zwischen 15 und 25 μm.
- Weitere Merkmale und Vorteile des hier beschriebenen Verfahrens ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von drei Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den
1 bis4 . -
1a bis1d zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel des hier beschriebenen Verfahrens anhand von Prinzipskizzen. -
2 zeigt eine Aufsicht auf einen Ausschnitt von optoelektronischen Bauteilen im Wafer-Verbund. - In den Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr sind einige Details der Figuren zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt.
-
1a zeigt auf einem Wafer1 angeordnete Bauteile2 .4 zeigt eine Aufsicht auf einen Ausschnitt der im Wafer-Verbund angeordneten Bauteile2 . Die Bauteile können beispielsweise optoelektronische Bauteile wie Leuchtdiode oder Diodenlaser sein. An der dem Substrat-Wafer1 gegenüberliegenden Oberfläche des Bauteils2 befindet sich ein Bondpad zum elektrischen Anschließen des Bauteils, beispielsweise mittels Wire-Bonden. -
1b zeigt einen Isolator4 , der auf die Oberfläche der Bauteile2 aufgebracht ist. Der Isolator4 wird dabei durch eine geeignete Depositionsmethode auf die Bauteile2 aufgebracht, welche die Bauteile2 nicht beschädigt. Der Isolator kann beispielsweise aufgesprüht, aufgerakelt, aufgedruckt oder mittels CVD- oder PVD-Techniken aufgebracht werden. Bevorzugt ist der Isolator4 für die vom optoelektronischen Bauteil2 erzeugte Strahlung transparent. - Als Materialien für den Isolator eignen sich beispielsweise transparente Elektrete oder anorganische Verbindungen wie Siliziumnitrid.
- Vorteilhaft kann der Isolator
4 durch phototechnische Behandlung strukturiert werden, so dass nur gewünschte Stellen der Bauteiloberfläche vom Isolator4 bedeckt werden. So ist es, je nach den späteren Anforderungen an das Bauteil2 möglich den Isolator4 in bestimmten Mustern auf das Bauteil2 aufzubringen. Die Bondpads3 bleiben vom Isolator4 bevorzugt ungedeckt. Nach der gewünschten Strukturierung des Isolators4 wird der Isolator beispielsweise mittels eines Korona-, eines Korona-Trioden-, eines Tribo-Ladegrätes oder einer anderen geeigneten Methode elektrisch geladen. Die angelegte Spannung beträgt dabei bevorzugt zwischen 30 kV und 100 kV. Der Verbund von Substrat-Wafer1 und Bauteilen2 wird geerdet. -
1d zeigt wie das Material5 , welches wenigstens ein Lumineszenzkonversionsmaterial und wenigstens einen Haftvermittler enthält, die jeweils in Pulverform vorliegen, auf die Bauteile2 abgeschieden wird. Das elektrisch polarisierbare Material5 wird auf die Bauteile2 aufgestäubt, aufgestreut oder als Aerosol aufgeblasen. - Als besonders vorteilhaft ergibt sich bei diesem Ausführungsbeispiel, dass das Material
5 nur vom Isolator4 elektrostatisch angezogen wird. Die elektrostatische Anziehung wirkt in Richtung der Pfeile6 . Das Material5 wird damit lediglich auf vom Isolator4 bedeckten Stellen des Bauteils2 abgeschieden. Die Bondpads3 und alle anderen Stellen der Bauteile2 , auf die kein Isolator4 aufgebracht ist bleiben so, ohne dass zusätzliche Maßnahmen notwendig sind, unbedeckt. Das Verfahren ermöglicht also eine schnelle und gezielte Beschichtung der Bauteile mit Konvertermaterial. -
1d zeigt die Wafer-Anordnung, bestehend aus Substrat-Wafer1 und Bauteilen2 , nach dem Aushärten des Materials5 zu einer Konversionsschicht7 . Das Aushärten kann dabei beispielsweise durch Erhitzen der Anordnung über den Schmelzpunkt des Haftvermittlers erfolgen. Nach diesem Aushärte-Schritt kann dann eine Vereinzelung der Anordnung in einzelne Bauteile2 zum Beispiel durch Sägen oder Brechen erfolgen.
Claims (12)
- Verfahren zum Abscheiden eines Materials (
5 ) auf einen Körper (1 ,2 ), unter Ausnutzung von elektrostatischen Kräften zwischen Material (5 ) und Körper (1 ,2 ), wobei – das Material (5 ) wenigsten ein Lumineszenzkonversionsmaterial enthält, und – der Körper (1 ,2 ) ein optoelektronisches Bauteil enthält, das vor dem Abscheiden zumindest stellenweise mit einem Isolator (4 ) bedeckt wird, wobei der Isolator (4 ) ein transparentes Elektret ist, so dass das Material (5 ) an denjenigen Stellen abgeschieden wird, an denen sich der Isolator (4 ) befindet. - Verfahren nach Anspruch 1,` wobei das Material (
5 ) wenigstens einen Haftvermittler enthält. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei das Material (
5 ) ein Pulver ist. - Verfahren nach Anspruch 3, wobei eine mittlere Korngröße des Lumineszenzkonversionsmaterials maximal 30 μm beträgt.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 4, wobei die mittlere Korngröße des Lumineszenzkonversionsmaterials zwischen 2 und 6 μm beträgt.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Körper ein Halbleitermaterial enthält.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Körper eine Vielzahl von optoelektronischen Bauteilen im Wafer-Verbund enthält.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Körper elektrisch leitend ist.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Isolator elektrisch geladen wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Körper geerdet und das Material elektrisch geladen wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei an dem Körper eine elektrische Spannung angelegt und das Material ungleichnamig zu der Spannung elektrisch geladen wird.
- Optoelektronisches Bauteil, hergestellt mittels eines Verfahrens gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102004021231A DE102004021231B4 (de) | 2004-04-30 | 2004-04-30 | Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102004021231A DE102004021231B4 (de) | 2004-04-30 | 2004-04-30 | Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102004021231A1 DE102004021231A1 (de) | 2005-12-01 |
| DE102004021231B4 true DE102004021231B4 (de) | 2012-12-06 |
Family
ID=35267175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102004021231A Expired - Fee Related DE102004021231B4 (de) | 2004-04-30 | 2004-04-30 | Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102004021231B4 (de) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI404189B (zh) | 2009-02-06 | 2013-08-01 | 億光電子工業股份有限公司 | 複晶式發光二極體元件及其製造方法 |
| CN101807566B (zh) * | 2009-02-13 | 2012-08-22 | 亿光电子工业股份有限公司 | 复晶式发光二极管组件及其制造方法 |
| DE102011111980A1 (de) | 2011-08-29 | 2013-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode |
| DE102012107797A1 (de) * | 2012-08-23 | 2014-02-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements und Licht emittierendes Halbleiterbauelement |
| DE102023117219A1 (de) * | 2023-06-29 | 2025-01-02 | Ams-Osram International Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| FR3156998B1 (fr) * | 2023-12-14 | 2025-11-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d’un dispositif optoélectronique a conversion de couleur par depôt localise de particules photoluminescentes sur des zones de conversion prédéfinies a potentiel de surface structuré |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2813661A1 (de) * | 1978-03-30 | 1979-10-11 | Licentia Gmbh | Leuchtstoff, verfahren zu dessen herstellung und verfahren zu dessen anwendung |
| US5817374A (en) * | 1996-05-31 | 1998-10-06 | Electrox Corporation | Process for patterning powders into thick layers |
| DE69409265T2 (de) * | 1993-01-15 | 1998-12-24 | Flowil International Lighting (Holding) B.V., Haarlem | Entladungslampe hoher Intensität |
| DE69606871T2 (de) * | 1995-08-30 | 2000-12-07 | The Dow Chemical Co., Midland | Verfahren zur herstellung überzogener gegenstände |
| DE10010638A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement |
| DE10225778A1 (de) * | 2001-06-11 | 2003-04-03 | Lumileds Lighting Us | Leuchtstoff umgewandelte, Licht emittierende Anordnung |
| WO2003093393A1 (de) * | 2002-05-06 | 2003-11-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement |
| DE10331698A1 (de) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Thomas Boroske | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung des Durchflusses von dampf- oder gasförmigen Stoffen durch eine Rohrleitung |
-
2004
- 2004-04-30 DE DE102004021231A patent/DE102004021231B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2813661A1 (de) * | 1978-03-30 | 1979-10-11 | Licentia Gmbh | Leuchtstoff, verfahren zu dessen herstellung und verfahren zu dessen anwendung |
| DE69409265T2 (de) * | 1993-01-15 | 1998-12-24 | Flowil International Lighting (Holding) B.V., Haarlem | Entladungslampe hoher Intensität |
| DE69606871T2 (de) * | 1995-08-30 | 2000-12-07 | The Dow Chemical Co., Midland | Verfahren zur herstellung überzogener gegenstände |
| US5817374A (en) * | 1996-05-31 | 1998-10-06 | Electrox Corporation | Process for patterning powders into thick layers |
| DE10010638A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement |
| DE10225778A1 (de) * | 2001-06-11 | 2003-04-03 | Lumileds Lighting Us | Leuchtstoff umgewandelte, Licht emittierende Anordnung |
| WO2003093393A1 (de) * | 2002-05-06 | 2003-11-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement |
| DE10331698A1 (de) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Thomas Boroske | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung des Durchflusses von dampf- oder gasförmigen Stoffen durch eine Rohrleitung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102004021231A1 (de) | 2005-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1800353B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips | |
| DE10225778B4 (de) | Leuchtstoff umgewandelte, Licht emittierende Anordnung | |
| DE10340004B4 (de) | Elektrophoreseprozesse für die selektive Aufbringung von Materialien auf ein Halbleiterbauelement | |
| DE102004063824B4 (de) | Leuchtdioden-Baugruppe mit antiparallelem Diodenchip | |
| DE102010053362B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement | |
| WO2013174977A1 (de) | Verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente und vorrichtung zum herstellen optoelektronischer bauelemente | |
| DE102013103983B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips | |
| EP1556904A2 (de) | Verfahren zum herstellen einer leuchtdioden-lichtquelle mit lumineszenz-konversionselement | |
| EP1917686B1 (de) | Verfahren zum herstellen eines lumineszenzdiodenchips und lumineszenzdiodenchip | |
| EP2223354B1 (de) | Optoelektronisches bauelement | |
| WO2012080263A1 (de) | Verfahren zum erzeugen einer lumineszenzkonversionsstoffschicht, zusammensetzung hierfür und bauelement umfassend eine solche lumineszenzkonversionsstoffschicht | |
| WO2016180732A1 (de) | Verfahren zur herstellung optoelektronischer bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement | |
| DE112014001966B4 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE102004021231B4 (de) | Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials | |
| DE102007054800B4 (de) | Lumineszenzdiodenchip mit Lumineszenzkonversionsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips mit Lumineszenzkonversionsvorrichtung | |
| DE112018004215B4 (de) | Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung | |
| DE102011111980A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode | |
| DE102015214360A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines LED-Moduls | |
| DE102009029874A1 (de) | Beleuchtungsvorrichtung mit einer Mehrzahl von Lichtquellen | |
| DE102016121099A1 (de) | Herstellung von strahlungsemittierenden halbleiterbauelementen | |
| DE102008022542A1 (de) | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE102005012953B9 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement | |
| EP2132792B1 (de) | Verfahren zum herstellen eines lumineszenzdiodenchips und lumineszenzdiodenchip | |
| DE102014100542A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer solchen Schicht | |
| DE102011056813A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
| R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000 Ipc: H01L0033500000 Effective date: 20120718 |
|
| R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20130307 |
|
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |