DE102004029077B4

DE102004029077B4 - Vorrichtung und Verfahren zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat

Info

Publication number: DE102004029077B4
Application number: DE102004029077A
Authority: DE
Inventors: Dong-Gyun Han; Sang-Jun Choi; Hyung-Ho Ko; Hyo-San Lee; Woo-Sung Han; Chang-Ki Hong
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2003-06-26
Filing date: 2004-06-16
Publication date: 2010-07-22
Anticipated expiration: 2024-06-17
Also published as: DE102004029077A1; JP4489513B2; JP2005020011A

Abstract

Verfahren zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat, umfassend folgende Verfahrensschritte:
Behandeln des Photoresists mit einem ersten Reaktanden zur Bewirkung eines Aufquellens, Brechens oder Delaminieren des Photoresists;
Behandeln des Photoresists mit einem zweiten Reaktanden zur chemischen Veränderung des Photoresists, wobei die Behandlung des Photoresists mit dem zweiten Reaktanden in einem separaten Prozessschritt nach der Behandlung mit dem ersten Reaktanden ausgeführt wird; und
nachfolgendes Entfernen des chemisch veränderten Photoresists mit einem dritten Reaktanden.

Description

Hintergrund der Erfindung
Ein Photoresist ist ein organisches Polymer, das löslich wird, wenn es Licht ausgesetzt wird. Photoresists werden in vielen Anwendungen innerhalb verschiedener Industriezweige verwendet, wie bei Halbleitern, biomedizinischen Konstruktionen, in der Holographie, Elektronik und in Nanofabrikationsindustrien. Als ein Beispiel wird ein Photoresist verwendet um dabei zu helfen, Schaltkreismuster während der Chipherstellung in der Halbleiterindustrie zu definieren. Die Verwendung eines Photoresists verhindert das Ätzen oder Plattieren in dem Bereich, den das Photoresist abdeckt (dies ist auch als Resist bekannt).
Der Entfernung des Photoresists, allgemein als „stripping” bekannt, geht ein Plasmaveraschen, Ätzen oder andere Herstellungsschritte voraus. Diese Schritte können das Photoresist abbauen oder carbonisieren und lassen einen Photoresist-Rückstand zurück, der durch derzeitige Stripping-Verfahren schwierig zu entfernen ist. Insbesondere erzeugt eine Ionenimplantation mit einer Dosis von 3 × 10¹⁵ Ionen/cm² oder größer ein Photoresist, das eine harte äußere Kruste zeigt, die einen weichen Kern bedeckt. 1A zeigt eine Querschnittsansicht und 1B eine Draufsicht auf einen Photoresist, der eine harte äußere Kruste 40' zeigt, die durch Ionenimplantation erzeugt wurde. Wie in den 1A und 1B dargestellt, kann die harte äußere Kruste 40' in der Größenordnung von 200 bis 300 Å dick sein.
2 ist ein Querschnitt, der den Schritt der Ionenimplantation erläutert. 2 zeigt ein Substrat 110, eine Gate-Elektrode 10, einen Isolationsfilm 11, und einen Source/Drain-Bereich 20, einen Abstandshalter 30, ein Photoresistmuster 40, und ein Well 50. Wenn das Photoresistmuster 40 einer Ionenimplantation 45 ausgesetzt ist, wird eine harte äußere Kruste 40' auf dem Photoresistmuster 40 ausgebildet.
Der Rückstand kann auch ein Problem darstellen. 3A zeigt einen Querschnitt und 3B eine Draufsicht eines Photoresists, der nach einem Ätzverfahren oder einem Prozeß des chemisch mechanischen Polierens (CMP) einen Rückstand zeigt. 3A zeigt ein Substrat 110, eine geätzte Aktivschicht 60, ein Photoresistmuster 70 und eine harte äußere Kruste 70', die gebildet wird, wenn das Photoresistmuster 70 einer Ionenimplantation 75 ausgesetzt wird. Die 3A und 3B zeigen einen Rückstand 80 und einen organischen Defekt 90.
Herkömmlicherweise wurde das Photoresist durch ein Plasmaveraschungsverfahren, gefolgt von einem Stripping-Prozeß, entfernt. Das Plasmaveraschungsverfahren verwendet O₂ Plasma, das Schäden an der Unterschicht bewirken und dadurch die elektrische Leistung der darunter liegenden Halbleitervorrichtung verschlechtern kann. Der Stripping-Prozeß erfordert hohe Mengen an toxischen und/oder korrosiven Chemikalien, um photoreaktive Polymere oder Photoresist von Chipoberflächen zu entfernen.
Zur Überwindung dieser Probleme sind andere Stripping-Verfahren entwickelt worden, einschließlich organischer und/oder anorganischer Stripping-Lösungsmittel mit superkritischem Kohlendioxid (SCCO₂) oder Ozon (O₃) Gas. Techniken, die Resist unter Verwendung von SCCO₂ entfernen, benutzen eine verdichtete CO₂-Reinigungszusammensetzung, die CO₂ und wenigstens ein Co-Lösungsmittel einschließt, wie ein Tensid, einen Alkohol oder ein Amin. Die Verfahren, welche SCCO₂ und ein Co-Lösungsmittel verwenden, sind jedoch unfähig eine harte äußere Kruste eines Photoresists, die durch Ionenimplantation hervorgerufen wurde, aufzulösen.
Ein zweites Verfahren zur Entfernung eines Photoresists oder anderen organischen Materials von einem Substrat, wie einem Halbleiterwafer, schließt teilweises Eintauchen des Substrats in ein Lösungsmittel, zum Beispiel deionisiertes Wasser, in einer Reaktionskammer ein, Injizieren eines oxidierenden Gases, zum Beispiel Ozon, in die Reaktionskammer und Rotieren oder anderweitiges Bewegen des Substrats durch das Lösungsmittel zum Aufbringen eines dicken Films des Lösungsmittels über dem organischen Bestandteil auf der Substratoberfläche und Aussetzen der lösungsmittelbeschichteten Komponente gegenüber Ozongas, um das organische Material von der Oberfläche zu entfernen. Ozon verwendende Resistentfernungstechniken sind jedoch nicht fähig, eine harte äußere Kruste aufzulösen, die durch einen Schritt der Ionenimplantation hervorgerufen wurde. 4 erläutert ein Versagen von Resistentfernungstechniken unter Verwendung von Ozon zur Entfernung einer harten äußeren Kruste des Photoresists, die durch Ionenimplantation mit einer Dosis von 3 × 10¹⁵ Ionen/cm² oder größer hervorgerufen wurde.
Die US 6,306,564 B1 offenbart ein Verfahren zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat, bei dem der eines Photoresist mit superkritischem Kohlendioxid als ersten Reaktanden behandelt wird. Ferner erfolgt eine Behandlung des eines Photoresists mittels Ozon als zweitem Reaktanden, wonach der behandelte eines Photoresist zu spüren mit deionisiertem Wasser als drittem Reaktanden entfernt wird. Offenbarungsgemäß wird die Behandlung des Photoresists nicht in unterschiedlichen Kammern durchgeführt. Ein solcher Hinweis ist dem Dokument auch an keiner Stelle zu entnehmen.
Die US 2002/0014257 A1 betrifft ein Trockenverfahren zum Reinigen von Präzisionsoberflächen, wie denen von Halbleiterwerfern. Die hierbei verwendeten Materialien wie Kohlendioxid und andere nützliche Zusätze werden ausschließlich in gasförmigen und superkritischen Zuständen zugeführt.
Die WO 02/11191 A2 offenbart ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Behandeln eines Substrats mit einem Reaktionslösungsmittel, welches aus superkritischem Ozon gebildet ist. Ein Verfahren gemäß dem das Entfernen eines Photoresists in zwei separaten Schritten mit zwei unterschiedlichen Reaktanden erfolgt, ist diesem Dokument nicht zu entnehmen.
Zusammenfassung der Erfindung
In beispielhaften Ausführungsformen ist die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat gerichtet, das ein Behandeln des Photoresists mit einem ersten Reaktanden zum Bewirken eines Aufquellens, Brechens oder Delaminierens des Photoresists, Behandeln des Photoresists mit einem zweiten Reaktanden zur chemischen Veränderung des Photoresists, wobei die Behandlung des Photoresists möit dem zweiten Reaktanden in einem separaten Prozesschritt nachfolgend der Behandlung mit dem ersten Reaktanden ausgeführt wird; und nachfolgendes Entfernen des chemisch veränderten Photoresists mit einem dritten Reaktanden umfaßt.
In beispielhaften Ausführungsformen ist die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat gerichtet, das ein Laden des Substrats in eine Kammer, Injizieren eines ersten Reaktanden in die Kammer und Umwandeln des ersten Reaktanden in einen superkritischen Zustand, Beibehalten des Kontakts zwischen dem Substrat und dem superkritischen ersten Reaktanden; Druck in der Kammer herabsetzen; Injizieren eines zweiten Reaktanden in den Kammer; Beibehalten des Kontakts zwischen dem Substrat und dem zweiten Reaktanden, Spülen der Kammer und Entladen des Substrats, Entfernen des Photoresists und Trocknen des Substrats, ferner vor dem Injizieren des zweiten Reaktanden ein Laden des Substrats in eine zweite Kammer umfassend, wobei das Beibehalten des Kontakts und das Spülen in der zweiten Kammer erfolgt, umfaßt.
In beispielhaften Ausführungsformen ist die vorliegende Erfindung auf eine Vorrichtung zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat gerichtet, die wenigstens eine erste Kammer zum Behandeln des Photoresists mit einem ersten Reaktanden zum Bewirken eines Aufquellens, Brechens oder Delaminieren des Photoresists, eine zweite Kammer zur Behandlung des Photoresists mit einem zweiten Reaktanden zur chemischen Veränderung des Photoresists, eine dritte Kammer zum Abspülen des Substrats, eine vierte Kammer zum Trocknen des Substrats und zum Halten desselben und eine Transfereinrichtung zum Transferieren des Substrats zwischen Kammern umfaßt.
Kurze Beschreibung der Figuren
Die vorliegende Erfindung wird besser von der nachfolgend gegebenen Beschreibung und den beigefügten Figuren verstanden, die nur dem Zwecke der Erläuterung dienen und somit die Erfindung nicht beschränken.
1A zeigt einen Querschnitt und 1B eine Draufsicht eines Photoresists, der eine durch Ionenimplantation hervorgerufene harte äußere Kruste 40' zeigt.
2 ist ein Querschnitt, der einen herkömmlichen Schritt der Ionenimplantation zeigt.
3A zeigt einen Querschnitt und 3B eine Draufsicht eines Photoresists, der einen Rückstand nach einem herkömmlichen Ätzverfahren oder einem herkömmlichen Prozeß des chemisch mechanischen Polierens (CMP) zeigt.
4 zeigt das Verfahren herkömmlicher Resistentfernungstechniken, die Ozon zur Entfernung einer harten äußeren Kruste des Photoresists verwenden, die durch Ionenimplantation mit einer Dosis von 3 × 10¹⁵ Ionen/cm² oder größer hervorgerufen wurde.
5 zeigt eine Vorrichtung zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
6 erläutert eine SCCO₂ Behandlungskammer aus 5 und damit verbundene Elemente gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
7 erläutert die Ozon-Dampfbehandlungskammer in 5 in einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
8A zeigt ein Flußdiagramm eines beispielhaften Verfahrens der vorliegenden Erfindung und 8B ein beispielhaftes Diagramm von Druck gegen Zeit für das Flußdiagramm aus 8A.
9A zeigt ein Flußdiagramm einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die in einer monolitischen Kammer erfolgt, und 9B zeigt das korrespondierende Diagramm Druck gegen Zeit.
10 zeigt ein Phasendiagramm für CO₂, das den Bereich Druck gegen Temperatur zeigt, an dem CO₂ superkritisch wird.
11 erläutert ein Verfahren der vorliegenden Erfindung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
Ausführliche Beschreibung der beispielhaften Ausführungsformen
5 zeigt eine Vorrichtung zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie in 5 dargestellt, umfaßt die Vorrichtung wenigstens eine Kammer 100. Wenigstens ein Substrat ist in wenigstens einer Kammer 100 vorgesehen. Das Substrat 110 kann über eine Kassette 120 bereitgestellt werden. Die Vorrichtung kann auch eine Transferkammer 200 umfassen, eine SCCO₂ Behandlungskammer 300, eine Ozon-Dampfbehandlungskammer 400, eine Spül-(oder Bade-)kammer 500 und eine Trocknungskammer 600. Das Substrat 110 kann von den Kammern 100 bis 600 über eine mechanische oder elektromechanische Vorrichtung, wie einem Roboterarm 210, bewegt werden.
6 stellt die SCCO₂ Behandlungskammer 300 aus 5 und damit verbundene Elemente gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. 6 zeigt die SCCO₂ Behandlungskammer 300, eine Waferplatte 301, einen Heizmantel 305, eine CO₂-Zylinder 310, eine CO₂-Einlaßleitung 312, eine CO₂-Kompressionspumpe 314 und eine CO₂-Heizeinrichtung 316. 6 zeigt auch einen SCCO₂-Generator 317, ein oder mehrere CO₂-Steuerventile 318, 328, 338, 348, ein entlüftetes CO₂-Reservoir 320, eine entlüftete CO₂-Auslaßleitung 322, eine Zirkulationsleitung 332, eine Zirkulationspumpe 334 und eine CO₂-Rückführung 342.
7 erläutert die Ozon-Dampfbehandlungskammer 400 aus 5 in einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 7 zeigt die Ozon-Dampfbehandlungskammer 400, eine Waferplatte 401, einen Heizmantel 405, einen Ozondampfgenerator 410, eine Ozongaseinlaßleitung 412 und ein Ozonsteuerventil 418. 7 zeigt ferner einen Dampfgenerator 420, eine Dampfeinlaßleitung 422 und ein Dampfsteuerventil 428. Die Ozon-Dampfbehandlungskammer 400 umfaßt ferner ein entlüftetes Gasreservoir 430, eine entlüftete Gasauslaßleitung 432 und ein entlüftetes Gassteuerventil 438.
8A zeigt ein Flußdiagramm eines beispielhaften Verfahrens der vorliegenden Erfindung und 8B zeigt ein Diagramm Druck gegen Zeit für das Flußdiagramm der 8A. In Schritt 42 wird ein Substrat 110 in die SCCO₂-Behandlungskammer 300 geladen. In Schritt 44 wird CO₂ in die SCCO₂-Behandlungskammer 300 injiziert und CO₂ wird zu SCCO₂ umgewandelt. In Schritt 46 wird das SCCO₂ mit dem Substrat 110 in Kontakt gehalten. In Schritt 48 wird der Druck der SCCO₂ Behandlungskammer 300 herabgesetzt und der Wafer 110 entfernt. Im Schritt 50 wird das Substrat 110 in die Ozon-Dampfbehandlungskammer 400 geladen und in Schritt 52 wird Ozondampf in die Ozon-Dampfbehandlungskammer 400 unter gewünschten Bedingungen injiziert. In Schritt 54 wird der Ozondampf mit dem Substrat 110 in Kontakt gehalten. In Schritt 56 wird die Ozondampfkammer 400 gespült und das Substrat 110 entfernt. In Schritt 58 wird das Substrat 110 in eine Spül- oder Badkammer 500 zum Abspülen bewegt und in Schritt 60 wird das Substrat 110 zum Trocknen in die Trockenkammer bewegt.
Obwohl 5 der vorliegenden Anmeldung eine Mehrkammervorrichtung zeigt, können die Lehren der vorliegenden Erfindung auch auf eine Vorrichtung mit monolitischer Kammer angewendet werden.
9A zeigt ein Flußdiagramm einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welche in einer monolitischen Kammer erfolgt, und 9B zeigt das korrespondierende Diagramm Druck gegen Zeit.
Wie in 9A dargestellt, wird das Substrat 110 in Schritt 62 in die monolitische Kammer geladen. In Schritt 64 wird CO₂ in die monolitische Kammer injiziert und zu SCCO₂ umgewandelt. In Schritt 66 wird das SCCO₂ mit dem Substrat 110 in Kontakt gehalten. In Schritt 68 wird der Druck in der monolitischen Kammer herabgesetzt und in Schritt 70 wird Ozondampf injiziert. In Schritt 72 wird der Ozondampf in Kontakt mit dem Substrat 110 gehalten und in Schritt 74 wird die monolitische Kammer gespült und das Substrat 110 entladen. Nachfolgend kann, wie in Schritt 76 und 78 angedeutet, das Substrat außerhalb der monolitischen Kammer abgespült und getrocknet werden.
10 zeigt ein Phasendiagramm für CO₂, das den Bereich von Druck gegen Temperatur zeigt, an dem CO₂ superkritisch wird.
11 erläutert ein Verfahren der vorliegenden Erfindung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform. Wie in Schritt 802 dargestellt, wird ein Substrat 110 in der Druckkammer plaziert. In Schritt 804 wird die Druckkammer abgedichtet. In Schritt 806 wird in der Druckkammer mit CO₂-Druck aufgebaut und in Schritt 808 wird das CO₂ durch Erhöhen des Drucks und der Temperatur in SCCO₂ umgewandelt. Damit CO₂ kritisch wird, muß der Druck über 73 Bar und die Temperatur über 31°C sein, wie in 10 dargestellt. In Schritt 810 wird das SCCO₂ mit dem Substrat 110 in Kontakt gehalten. Schritt 810 bewirkt auf ein Aufquellen, Brechen und/oder Delaminieren des Photoresists auf dem Substrat 110. In einer beispielhaften Ausführungsform wird die Temperatur bei ungefähr 100°C und der Druck bei ungefähr 150 Bar gehalten. In Schritt 812 wird der Druck der Kammer auf normalen Atmosphärendruck herabgesetzt und dieselbe wird belüftet. In Schritt 814 wird das Substrat 110 in eine zweite Druckkam mer transferiert und in Schritt 816 wird diese Druckkammer abgedichtet. In Schritt 818 wird der Druck in der zweiten Druckkammer erhöht. In einer beispielhaften Ausführungsform ist der Druck größer als 60 kPa.
Ferner werden in Schritt 818 Ozongas und Wasserdampf bei erhöhter Temperatur zugeführt. In einer beispielhaften Ausführungsform wird das Ozongas bei einer Temperatur von ungefähr 105°C zugeführt und Wasserdampf bei einer Temperatur von ungefähr 115°C. In Schritt 820 wird die Reaktion aufrechterhalten, bis das Photoresist in ein wasserlösliches Produkt umgewandelt ist, und in Schritt 822 wird der Druck in der zweiten Kammer auf normalen Atmosphärendruck gesenkt und es wird belüftet. In Schritt 824 wird das Substrat abgespült und das wasserlösliche Produkt entfernt.
Eine beispielhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens umfaßt drei Schritte. Der erste Schritt ist eine Behandlung mit einem ersten Reaktanden, um ein Aufquellen, Brechen oder Delaminieren eines Photoresists zu bewirken, der zweite Schritt ist ein Behandeln mit einem zweiten Reaktanden zur chemischen Veränderung des Photoresists und der dritte Schritt ist das Entfernen des chemisch veränderten Photoresists mit einem dritten Reaktanden. In einer beispielhaften Ausführungsform ist der erste Recktand SCCO₂, der zweite Recktand ist ein Recktand auf Ozonbasis und der dritte Recktand ist deionisiertes Wasser. In weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist der Recktand auf Ozonbasis Ozondampf, in einer weiteren beispielhaften Ausführungsform hoch konzentrierter Ozondampf. In anderen beispielhaften Ausführungsformen liegt der Ozondampf in einer Konzentration gleich oder größer als 90.000 ppm vor. In anderen beispielhaften Ausführungsformen ist der Recktand auf Ozonbasis mit Wasserdampf gemischtes Ozongas.
Eine weitere beispielhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens umfaßt drei Schritte. Der erste Schritt ist eine Behandlung mit SCCO₂, der zweite Schritt ist eine Behandlung mit einem Reaktanden auf Ozonbasis und der dritte Schritt ist ein Schritt des Abspülens. Für jeden dieser drei Schritte können beispielhafte Verfahrensbedingungen eingehalten werden. Mit Bezug auf den Schritt der SCCO₂-Behandlung kann die Temperatur innerhalb der Kammer zwischen 100 und 150°C und der Druck zwischen 150 und 200 Bar gehalten werden. Mit Bezug auf die Behandlung mit hoch gesättigtem Ozondampf kann die Temperatur der Kammer bei 105°C und die Temperatur des Dampfs bei 115°C gehalten werden. In einer beispielhaften Ausführungsform ist ein Temperaturabstand zwischen der Kammer und dem Dampf im Bereich von ungefähr 10°C bis 15°C und eine Druckdifferenz ist zwischen 60 kPa und 80 kPa. Es ist anzumerken, daß ein Druck von größer als 80 kPa eingehalten werden kann, so lange ausreichende Sicherheitsvorkehrungen beachtet werden. Bezüglich der Konzentration des Ozongases beträgt die Konzentration in einer beispielhaften Ausführungsform 90.000 ppm oder größer an dem Ozongenerator.
Es ist anzumerken, daß die Anordnung der in den 5 bis 7 dargestellten Vorrichtungen beispielhaft sind und modifiziert werden können, um Elemente hinzuzufügen, zu ersetzen oder zu entfernen, wie es dem Fachmann geläufig ist. Es ist ferner anzumerken, daß die in den 8A, 9A und 11 erläuterten Verfahren ebenfalls beispielhaft sind und verschiedene Schritte hinzugefügt, ersetzt oder fortgelassen werden können, wie es dem Fachmann ebenfalls bekannt ist.
Die so beschriebene Erfindung kann offensichtlich auf vielfältige Weise variiert werden. Solche Variationen werden nicht als Abkehr vom Geist und Rahmen der Erfindung angesehen und sämtliche dieser Modifikationen, die für den Fachmann offensichtlich sind, liegen somit im Rahmen der folgenden Ansprüche.

Claims

Verfahren zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat, umfassend folgende Verfahrensschritte: Behandeln des Photoresists mit einem ersten Reaktanden zur Bewirkung eines Aufquellens, Brechens oder Delaminieren des Photoresists; Behandeln des Photoresists mit einem zweiten Reaktanden zur chemischen Veränderung des Photoresists, wobei die Behandlung des Photoresists mit dem zweiten Reaktanden in einem separaten Prozessschritt nach der Behandlung mit dem ersten Reaktanden ausgeführt wird; und nachfolgendes Entfernen des chemisch veränderten Photoresists mit einem dritten Reaktanden.
Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Photoresist eine durch Ionenimplantation gebildete harte Kruste aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei das Ionenimplantieren bei einer Dosis von 3 × 10¹⁵ Ionen/cm² oder größer durchgeführt wurde.
Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der erste Recktand superkritisches Kohlendioxid ist.
Verfahren gemäß Anspruch 4, wobei das superkritische Kohlendioxid eine Temperatur von 100–150°C aufweist und einen Druck von 150–200 bar.
Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der zweite Recktand ein Recktand auf Ozonbasis ist.
Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei der Recktand auf Ozonbasis Ozondampf ist.
Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei der Recktand auf Ozonbasis mit Wasserdampf gemischtes Ozongas ist.
Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei der Ozondampf eine Temperatur von 105–115°C aufweist und einen Druck von 60–80 kPa.
Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei der Ozondampf in einer Konzentration von 90.000 ppm oder größer vorliegt.
Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der chemisch veränderte Photoresist durch Spülen entfernt wird.
Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der dritte Recktand deionisiertes Wasser ist.
Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Photoresist ein durch Ätzen beschädigter Photoresist ist.
Verfahren zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat, das folgende Schritte umfaßt: Laden des Substrats in eine Kammer; Injizieren eines ersten Reaktanden in die Kammer und Umwandeln des ersten Reaktanden in einen superkritischen Zustand; Beibehalten des Kontakts zwischen dem Substrat und dem superkritischen ersten Reaktanden; Druck in der Kammer herabsetzen; Injizieren eines zweiten Reaktanden in die Kammer; Beibehalten des Kontakts zwischen dem Substrat und dem zweiten Reaktanden; Spülen der Kammer und Entladen des Substrats; Entfernen des Photoresists; und Trocknen des Substrats, ferner vor dem Injizieren des zweiten Reaktanden ein Laden des Substrats in eine zweite Kammer umfassend, wobei das Beibehalten des Kontakts und das Spülen in der zweiten Kammer erfolgt.
Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei der erste Recktand superkritisches Kohlendioxid ist.
Verfahren gemäß Anspruch 15, wobei das superkritische Kohlendioxid eine Temperatur von 100–150°C aufweist und einen Druck von 150–200 bar.
Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei der zweite Recktand ein Recktand auf Ozonbasis ist.
Verfahren gemäß Anspruch 17, wobei der Recktand auf Ozonbasis Ozondampf ist.
Verfahren gemäß Anspruch 17, wobei ein Unterschied von 10–15° zwischen der zweiten Kammer und dem Reaktanden auf Ozonbasis besteht.
Verfahren gemäß Anspruch 19, wobei die zweite Kammer eine Temperatur von 105°C aufweist und der Recktand auf Ozonbasis eine Temperatur von 115°C und einen Druck von 60–80 kPa.
Verfahren gemäß Anspruch 17, wobei der Recktand auf Ozonbasis in einer Konzentration von 90.000 ppm vorliegt.
Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei das Spülen ein Spülen mit deionisiertem Wasser ist.
Verfahren gemäß Anspruch 15, wobei das superkritische Kohlendioxid ein Aufquellen, Brechen oder ein Delaminieren des Photoresists bewirkt.
Verfahren gemäß Anspruch 18, wobei der Ozondampf das Photoresist zu einem wasserlöslichen Produkt verändert.
Vorrichtung zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat, umfassend: eine erste Kammer zur Behandlung des Photoresists mit einem ersten Reaktanden zur Bewirkung eines Aufquellens, Brechens oder Delaminieren des Photoresists; eine zweite Kammer zur Behandlung des Photoresists mit einem zweiten Reaktanden zur chemischen Veränderung des Photoresists; eine dritte Kammer zum Abspülen des Substrats; eine vierte Kammer zum Trocknen und zum Halten desselben; und Transfermittel zum Transferieren des Substrats zwischen Kammern.
Vorrichtung nach Anspruch 25, wobei das Transfermittel einen Roboterarm einschließt.
Vorrichtung nach Anspruch 25, wobei der erste Recktand superkritisches Kohlendioxid ist.
Vorrichtung nach Anspruch 27, wobei das superkritische Kohlendioxid eine Temperatur von 100–150°C aufweist und einen Druck von 150–200 bar.
Vorrichtung nach Anspruch 25, wobei der zweite Recktand ein Recktand auf Ozonbasis ist.
Vorrichtung nach Anspruch 29, wobei der Recktand auf Ozonbasis Ozondampf ist.
Vorrichtung nach Anspruch 30 wobei der Ozondampf eine Temperatur von 105–115°C aufweist und einen Druck von 60–80 kPa.
Vorrichtung nach Anspruch 30, wobei die Konzentration des Ozons in einem Ozongenerator 90.000 ppm oder größer ist.
Vorrichtung nach Anspruch 25, wobei das Abspülen ein Abspülen mit deionisiertem Wasser ist.
Vorrichtung nach Anspruch 25, wobei der erste Recktand superkritisches Kohlendioxid ist und der zweite Recktand Ozon, die zweite Kammer einen Heizmantel umfaßt, eine Kohlendioxid-Quelle, einen Generator zur Erzeugung von superkritischem Kohlendioxid, einen Zirkulator für superkritisches Kohlendioxid, eine Kohlendioxid-Rückführung, einen Ozongas-Generator, einen Dampfgenerator und einen Auslass.
Vorrichtung nach Anspruch 34, wobei der Generator für das superkritische Kohlendioxid eine Kohlendioxid-Kompressionspumpe und eine Kohlendioxid-Heizeinrichtung umfaßt.
Vorrichtung nach Anspruch 25, wobei der erste Recktand superkritisches Kohlendioxid ist und die erste Kammer einen Heizmantel umfaßt, eine Kohlendioxid-Quelle, einen Generator zur Erzeugung von superkritischem Kohlendioxid, einen Zirkulator für superkritisches Kohlendioxid und eine Kohlendioxid-Rückführung.
Vorrichtung nach Anspruch 36, wobei der Generator für das superkritische Kohlendioxid eine Kohlendioxid-Kompressionspumpe und eine Kohlendioxid-Heizeinrichtung umfaßt.
Vorrichtung nach Anspruch 25, wobei der zweite Recktand ein Recktand auf Ozonbasis ist und die zweite Kammer einen Heizmantel umfaßt, einen Ozongas-Generator, einen Dampfgenerator und einen Auslass.
Vorrichtung nach Anspruch 38, wobei der Recktand auf Ozonbasis Ozondampf ist.