DE102004010002B4

DE102004010002B4 - Mask holder for holding a lithographic reflection mask and method

Info

Publication number: DE102004010002B4
Application number: DE102004010002A
Authority: DE
Inventors: Frank-Michael Dr. Kamm
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Qimonda AG
Priority date: 2004-03-01
Filing date: 2004-03-01
Publication date: 2007-10-31
Anticipated expiration: 2024-03-02
Also published as: DE102004010002A1

Abstract

Beschrieben wird ein Maskenhalter (10) zum Halten einer lithografischen Maske (20), wobei der Maskenhalter (10) mindestens eine Auflagefläche (17a) zum Auflegen eienr lithografischen Maske (20) und elektrisch vorspannbare Elektroden (13) aufweist, wobei die Elektroden (13) mithilfe elektrischer Vorspannungen Abstände zwischen einer auf den Maskenhalter (10) aufgelegten lithografischen Maske (20) und den Elektroden (13) durch elektrostatische Anziehung der lithografischen Maske (20) verringern und wobei eine Vielzahl (12) der Elektroden (13) jeweils an individuell einstellbare elektrische Vorspannungen anschließbar ist. Durch die Vielzahl individuell vorspannbarer Elektroden (13) wird eine Maske (20) so an den Maskenhalter (10) gezogen, dass Höhentoleranzen einer Oberfläche der Maske (20) ausgeglichen werden und eine lagegenauere Abbildung von Maskenstrukturen ermöglicht wird.A mask holder (10) for holding a lithographic mask (20) is described, the mask holder (10) having at least one support surface (17a) for placing a lithographic mask (20) and electrically pretensionable electrodes (13), the electrodes (13 ) using electrical biases to reduce the distances between a lithographic mask (20) placed on the mask holder (10) and the electrodes (13) by electrostatic attraction of the lithographic mask (20) and wherein a plurality (12) of the electrodes (13) are each individually adjustable electrical biases can be connected. A mask (20) is drawn onto the mask holder (10) through the large number of individually preloadable electrodes (13) in such a way that height tolerances of a surface of the mask (20) are compensated and a more accurate mapping of mask structures is made possible.

Description

Die Erfindung betrifft einen Maskenhalter zum Halten einer lithografischen Reflexionsmaske sowie ein Verfahren zum Anordnen einer lithografischen Reflexionsmaske auf einem Maskenhalter.The The invention relates to a mask holder for holding a lithographic Reflection mask and a method for arranging a lithographic Reflection mask on a mask holder.

In der Halbleiterfertigung werden Halbleiterprodukte mit einer Vielzahl von Strukturebenen hergestellt, die jeweils durch ganzflächiges Abscheiden eines Schichtmaterials auf dem Halbleiterprodukt und durch lithografisches Strukturieren der abgeschiedenen Schicht hergestellt werden. Dabei wird ein Maskenmuster einer lithografischen Reflexionsmaske, eines sogenannten Reticles, in einer lithografischen Belichtungseinrichtung auf die Oberfläche des Halbleiterprodukts abgebildet. Durch anschließendes Ätzen werden entweder nur die belichteten oder nur die unbelichteten Bereiche der Oberfläche des Halbleiterprodukts entfernt.In Semiconductor manufacturing becomes semiconductor products with a variety made of structural planes, each by whole-surface deposition of a Layer material on the semiconductor product and by lithographic Structuring the deposited layer can be produced. there becomes a mask pattern of a lithographic reflection mask, a so-called reticles, in a lithographic exposure device on the surface of the Semiconductor product shown. By subsequent etching either only the exposed or only the unexposed areas of the surface of the Semiconductor product removed.

Eine Reflexionsmaske enthält ein auf ein Halbleiterprodukt zu übertragenes Strukturmuster in vergrößertem Maßstab. Das Strukturmuster auf der Reflexionsmaske wird hergestellt, indem eine intransparente Schicht, etwa eine Chromschicht, auf ein Maskensubstrat abgeschieden und mit Hilfe eines Maskenschreibers, beispielsweise eines Elektronenstrahlschreibers oder eines Lasers, strukturiert wird. Die Reflexionsmaske wird in den optischen Strahlengang einer lithografischen Belichtungseinrichtung eingesetzt und das Strukturmuster der Maske wird verkleinert auf eine Vielzahl von Halbleiterprodukte übertragen.A Reflection mask contains a structural pattern to be transferred to a semiconductor product on an enlarged scale. The Structure pattern on the reflection mask is made by a non-transparent layer, such as a chromium layer, on a mask substrate deposited and with the help of a mask writer, for example an electron beam writer or a laser is structured. The reflection mask is in the optical beam path of a lithographic Exposure device used and the pattern of the mask is downsized to a variety of semiconductor products.

Die hohe Integrationsdichte integrierter Halbleiterprodukte erfordert eine lagegenaue Abbildung der Strukturen der Reflexionsmaske auf die Halbleiterprodukte. Voraussetzung hierfür ist, dass die Strukturen auf der Reflexionsmaske selbst innerhalb der Maskenfläche lagegenau positioniert sind. Doch auch bei lagegenau gefertigten Maskenstrukturen können Höhentoleranzen der Maskenoberfläche zu Lageabweichungen der Bildstrukturen auf den Halbleiterprodukten führen. Eine Maske, die nicht exakt planparallel geformt ist, erzeugt bei einer nicht telezentrischen Abbildung, bei der die elektromagnetische Strahlung schräg auf die Maske fällt, als "in-planedistortions" bezeichnete unerwünschte Lageabweichungen der Bildstrukturen der belichteten Halbleiterprodukte. Insbesondere bei Abbildungen im EUV-Bereich (extreme ultra-violet) von vorzugsweise 13,4 bis 13,5 nm Wellenlänge, bei der nur Reflexionsmasken verfügbar sind, wird die Reflexionsmaske unter einem Winkel von etwa 5° gegenüber dem Lot auf die Maskenoberfläche belichtet, so dass eine gewölbte Maskenoberfläche zu seitlichen Versetzungen der Bildstrukturen führt.The high integration density of integrated semiconductor products a positionally accurate mapping of the structures of the reflection mask on the semiconductor products. Condition for this is that the structures on the reflection mask itself within the mask area are positioned. However, height tolerances can also be achieved with precisely shaped mask structures the mask surface to positional deviations of the image structures on the semiconductor products to lead. A mask that is not exactly plane-parallel formed, at a non-telecentric mapping in which the electromagnetic Radiation at an angle falls on the mask, "in-planedistortions" refers to undesirable positional deviations the image structures of the exposed semiconductor products. Especially for images in the EUV range (extreme ultra-violet) of preferably 13.4 up to 13.5 nm wavelength, in which only reflection masks are available, the reflection mask is under an angle of about 5 ° relative to the Lot on the mask surface exposed, leaving a curved mask surface leads to lateral dislocations of the image structures.

Um solchen Lagefehlern vorzubeugen, werden an die Ebenheit der Oberflächen von Reflexionsmasken hohe Anforderungen gestellt. Maskenrohlinge dürfen Unebenheiten von höchstens 50 nm besitzen, damit Lagefehler auf den Halbleiterprodukten unterhalb von 2 nm liegen. Die Einhaltung enger Toleranzen hinsichtlich der Ebenheit von Maskensubstraten verteuert die Halbleiterfertigung erheblich. Auch Maskenhalterchucks dürfen keine Unebenheiten größer als typischerweise 50 nm aufweisen.Around To prevent such misalignments, the flatness of the surfaces of Reflection masks high demands. Mask blanks may be uneven from at most 50 nm, so that positional errors on the semiconductor products below of 2 nm. The adherence to close tolerances regarding the Flatness of mask substrates makes semiconductor manufacturing more expensive considerably. Also mask holder chucks must not be larger than typically 50 nm.

Aus DE 100 51 466 A1 ist eine flexible Membranmaske bekannt, die lediglich an ihrem Rand mithilfe eines Maskenrahmen aufgespannt wird.Out DE 100 51 466 A1 is known a flexible membrane mask, which is spanned only at its edge by means of a mask frame.

Aus US 4,666,291 sowie aus US 2004/0 013 956 A1 ist ein Substrathalter bekannt, der eine Vielzahl von Stützelementen zum Stützen eines Substrats aufweist. Hierbei werden Piezoelemente eingesetzt, um die Höhe einzelner Stützelemente zu verändern. Wenn solch ein Substrathalter als Maskenhalter für eine lithografische Maske eingesetzt wird, können durch die Bewegungen der Piezoelemente an der Unterseite einer aufliegenden Maske Kratzspuren entstehen. Dadurch werden Partikel erzeugt, die zwischen den Maskenhalter und die Maske gelangen können und die Maske von dem Maskenhalter abheben.Out US 4,666,291 and US 2004/0 013 956 A1 discloses a substrate holder which has a multiplicity of support elements for supporting a substrate. Here, piezo elements are used to change the height of individual support elements. When such a substrate holder is used as a mask holder for a lithographic mask, scratching may occur due to the movements of the piezo elements on the underside of a resting mask. This creates particles that can get between the mask holder and the mask and lift the mask from the mask holder.

Die mit Piezoelementen ausgestatteten Maskenhalter sind außerdem nicht geeignet, um eine aufliegende Maske an sich zu ziehen. Stattdessen drücken Piezoelemente lediglich gegen das Gewicht einer aufliegenden Maske.The In addition, mask holders equipped with piezo elements are not suitable for attracting an overlying mask. Instead to press Piezo elements only against the weight of a resting mask.

Maskenhalter, die eine aufliegende Maske an sich ziehen, sind mithilfe von Unterdruck- oder Vakuumleitungen einsetzbar, wenn die Maske in einer Reinraumatmosphäre auf dem Maskenhalter ruht. Im Bereich der EUV-Lithografie (extreme ultraviolet) mit Wellenlängen von etwa 13,4 bis 13,5 nm erfolgt die Belichtung jedoch im Vakuum, weshalb diese Art von Maskenhaltern nicht einsetzbar ist.Mask holder, which attract an overlaying mask are by means of vacuum or vacuum lines used when the mask in a clean room atmosphere on the Mask holder rests. In the field of EUV lithography (extreme ultraviolet) with wavelengths from about 13.4 to 13.5 nm, however, the exposure is done in a vacuum, which is why this type of mask holders can not be used.

Aus EP 1 391 786 A1 ist ein Maskenhalter mit einer einzigen unteren Elektrode und einer einzigen oberen Elektrode offenbart, die gegeneinander vorspannbar sind. Aus US 2001/0 006 763 A1 ist schließlich eine Vorrichtung bekannt, mit deren Hilfe Substrate durch elektrisch vorspannbare Elektroden entlang horizontaler Transportstrecken transportierbar sind.Out EP 1 391 786 A1 For example, there is disclosed a mask holder having a single lower electrode and a single upper electrode which are biased against each other. US 2001/0 006 763 A1 finally discloses a device with the aid of which substrates can be transported by electrically prestressable electrodes along horizontal transport paths.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Maskenhalter bereitzustellen, mit dem angesichts von Höhentoleran zen einer aufliegenden Reflexionsmaske eine bessere Planlage der Reflexionsmaske erreichbar ist. Der Maskenhalter soll die als "in-plane-distortions" bekannten Abbildungsfehler verringern und auch für Belichtungen im EUV-Bereich geeignet sein. Es ist ferner die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren bereitzustellen, mit dem die Planlage lithografischer Reflexionsmaske und die Lagegenauigkeit lithografisch erzeugter Bildstrukturen auf Halbleiterprodukten verbessert wird.It is the object of the present invention to provide a mask holder, with the zen of Höhentoleran an overlying reflection mask a better flatness of the reflection mask can be achieved. The mask holder is intended to reduce the aberrations known as "in-plane distortions" and also be suitable for exposures in the EUV area. It is also the task of It is an object of the present invention to provide a method by which the flatness of a lithographic reflection mask and the positional accuracy of lithographically produced image structures on semiconductor products are improved.

Diese Aufgabe wird durch einen Maskenhalter zum Halten einer lithografischen Reflexionsmaske gelöst,

– wobei der Maskenhalter mindestens eine Auflagefläche zum Auflegen einer lithografischen Reflexionsmaske und elektrisch vorspannbare Elektroden aufweist,
– wobei die Elektroden mithilfe elektrischer Vorspannungen Abstände zwischen einer auf den Maskenhalter aufgelegten lithografischen Reflexionsmaske und den Elektroden durch elektrostatische Anziehung der lithografischen Reflexionsmaske verringern und
– wobei eine Vielzahl der Elektroden jeweils an individuell einstellbare elektrische Vorspannungen anschließbar ist und durch die individuell einstellbaren elektrischen Vorspannungen Höhentoleranzen einer auf dem Maskenhalter aufliegenden lithografischen Reflexionsmaske kompensiert.

This object is achieved by a mask holder for holding a lithographic reflection mask,

- wherein the mask holder has at least one support surface for laying a lithographic reflection mask and electrically biasable electrodes,
Wherein the electrodes reduce by means of electrical bias voltages distances between a deposited on the mask holder lithographic reflection mask and the electrodes by electrostatic attraction of the lithographic reflection mask and
- Wherein a plurality of the electrodes can be connected to individually adjustable electrical bias voltages and compensated by the individually adjustable electrical bias voltages height tolerances of resting on the mask holder lithographic reflection mask.

Erfindungsgemäß wird ein Maskenhalter bereitgestellt, mit dem Höhentoleranzen einer Maske durch lokale elektrostatische Anziehung zwischen der Maske und dem Maskenhalter kompensiert werden. Die elektrisch vorspannbaren Elektroden des Maskenhalters erzeugen elektrische Felder, die zu lokalen Ladungs verschiebungen in einer leitfähigen Schicht einer aufliegenden Maske führen. Die Ladungsverschiebungen führen zu einer Ansammlung von über den Elektroden konzentrierten Ladungsmengen, deren Ladungstyp zu der Vorspannung der jeweiligen Elektrode entgegengesetzt ist. In der leitfähigen Schicht der Maske werden daher durch die Elektroden Gegenelektroden induziert, die durch die jeweilige Elektrode angezogen werden. Durch die Anziehungskraft zwischen der Elektrode des Maskenhalters und der Maske wird der Abstand zwischen Maske und Maskenhalter lokal geringfügig verringert. Die elektrischen Vorspannungen der Elektroden werden erfindungsgemäß eingesetzt, um eine aufliegende Maske an den Maskenhalter zu ziehen, wobei die Stärke der lokalen Anziehung durch das elektrische Potential der Elektroden einstellbar ist. Das individuelle elektrische Vorspannen der Elektroden des erfindungsgemäßen Maskenhalters ermöglicht ein gezieltes Ausgleichen lokaler Höhenunterschiede, wodurch eine auf dem Maskenhalter angeordnete Maske so verformt wird, dass fertigungsbedingte Höhentoleranzen der Maskenoberfläche ausgeglichen werden. Dadurch werden Lagefehler (in-plane-distortions), die herkömmlich beim Belichten von Halbleiterprodukten mit einer nicht exakt planparallelen Maske entstehen, verringert.According to the invention is a Mask holder provided with the height tolerances of a mask local electrostatic attraction between the mask and the mask holder be compensated. The electrically biasable electrodes of the mask holder generate electric fields that lead to local charge shifts in a conductive layer lead a resting mask. The charge shifts lead to a collection of over the charges concentrated to the electrodes whose charge type is too the bias of the respective electrode is opposite. In the conductive one Layer of the mask are therefore counter electrodes through the electrodes induced by the respective electrode. By the attraction between the electrode of the mask holder and The mask becomes local to the distance between the mask and the mask holder slight reduced. The electrical biases of the electrodes will be used according to the invention, to draw an overlying mask on the mask holder, whereby the strength of the local attraction by the electrical potential of the electrodes is adjustable. The individual electrical biasing of the electrodes of the mask holder according to the invention allows a targeted balancing of local differences in height, whereby a arranged on the mask holder mask is deformed so that production-related height tolerances the mask surface be compensated. This causes in-plane distortions, the conventional when exposing semiconductor products with a not exactly plane-parallel Mask arise, reduced.

Bei dem erfindungsgemäßen Maskenhalter wird der Abstand einer aufliegenden Maske von den Elektroden mithilfe der elektrisch vorspannbaren Elektroden selbst verringert. Diese Verringerung geschieht nicht etwa in der Weise, dass die Elektroden die Position einer Auflagefläche zum Auflegen einer Maske verändern, sondern dadurch, dass die Maske selbst durch die elektrostatische Anziehung zum Maskenhalter hin gezogen wird, wodurch sich die Maske verformt. Durch die Vielzahl von Elektroden, die jeweils an individuell einstellbare elektrische Vorspannungen anschließbar sind, kann die Stärke der lokal über den jeweiligen Elektroden wirkende Anziehungskraft so dosiert und über die Maskenfläche verteilt werden, dass fertigungsbedingte Höhentoleranzen der Oberfläche der Maske kompensiert werden. Erfindungsgemäß wird eine Oberfläche der Maske, die zunächst uneben ist, so verformt, dass die Unebenheiten vorübergehend ausgeglichen werden. In diesem Zustand wird die Maske zum Belichten eingesetzt, wodurch eine präzisere optische Abbildung erzielt wird.at the mask holder according to the invention is the distance of an overlying mask from the electrodes using the electrically biased electrodes themselves reduced. These Reduction does not happen in such a way that the electrodes the Position of a bearing surface change to apply a mask, but in that the mask itself by the electrostatic Attraction is pulled towards the mask holder, which causes the mask deformed. Due to the large number of electrodes, each individual adjustable electrical biases can be connected, the strength of the locally over the dosing force acting on respective electrodes and dosed over the mask area be distributed that manufacturing height tolerances of the surface of the Mask can be compensated. According to the invention, a surface of Mask, the first is uneven, so deformed that the bumps temporarily be compensated. In this state, the mask becomes exposed used, creating a more precise optical image is achieved.

Bei dem erfindungsgemäßen Maskenhalter bewirkt das Anlegen elektrischer Vorspannungen an die Elektroden keine Veränderung der Höhe der Auflagefläche für die Maske wie etwa bei Piezoelementen. Dadurch werden Kratzspuren an der Maskenunterseite vermieden.at causes the mask holder according to the invention the application of electrical bias to the electrodes causes no change the height the bearing surface for the Mask as with piezo elements. This will scratch marks the mask bottom avoided.

Gegenüber Maskenhaltern mit Piezoelementen kann der erfindungsgemäße Maskenhalter die Maske außerdem an sich ziehen, wohingegen ein Piezoelement nur gegen das Gewicht der Maske drückt.Towards mask holders with piezo elements of the mask holder according to the invention, the mask also on pull, whereas a piezoelectric element only against the weight of Mask presses.

Die elektrischen Vorspannungen der Elektroden sind zum Einstellen lokaler Anziehungskräfte individuell veränderbar. Beispielsweise kann jede Elektrode einzeln mit einem individuell einstellbaren elektrischen Potential vorspannbar sein, um die Stärke der lokal über der jeweiligen Elektrode wirkenden elektrostatischen Anziehungskraft zu vergrößern oder zu verkleinern.The electrical biases of the electrodes are for adjusting local attractions individually changeable. For example, each electrode can be individually customized adjustable electrical potential be biased to the strength of the locally over the respective electrode acting electrostatic attraction to enlarge or to downsize.

Vorzugsweise ist vorgesehen, dass jede Elektrode einen eigenen Spannungsanschluss aufweist, durch den die jeweilige Elektrode individuell vorspannbar ist.Preferably It is envisaged that each electrode has its own voltage connection has, by the respective electrode individually biased is.

Insbesondere ist vorgesehen, dass der Maskenhalter eine Vielzahl individuell einstellbarer Spannungsquellen aufweist, wobei jeweils an einen positiven Pol eine erste Elektrode und an einen negativen Pol eine zweite Elektrode angeschlossen ist. Die Spannungen der Spannungsquellen sind unabhängig voneinander einstellbar und steuern die Stärke der lokal wirkenden elektrostatischen Anziehung zwischen Maskenhalter und Maske im Bereich der angeschlossenen zwei Elektroden.Especially It is envisaged that the mask holder a variety individually adjustable voltage sources, each with a positive pole a first electrode and to a negative pole one second electrode is connected. The voltages of the voltage sources are independent adjustable and control the strength of the locally acting electrostatic Attraction between mask holder and mask in the area of connected two electrodes.

Vorzugsweise ist vorgesehen, dass jeweils eine erste Elektrode und eine unmittelbar neben der ersten Elektrode angeordnete zweite Elektrode an dieselbe Spannungsquelle angeschlossen sind. Da sowohl die an den positiven Polen als auch die an den negativen Polen angeschlossene Elektrode jeweils entgegengesetzte Ladungsmengen in der Maske induzieren, wirken beide Elektroden anziehend. Die Stärke der Anziehungskraft wird unter anderem durch die Spannung zwischen dem positiven und dem negativen Pol der jeweiligen Spannungsquelle eingestellt.Preferably is provided that in each case a first electrode and a directly adjacent to the first electrode disposed second electrode to the same Voltage source are connected. Because both to the positive Poland and the electrode connected to the negative poles each induce opposite amounts of charge in the mask, Both electrodes are attractive. The strength of attraction becomes among other things by the tension between the positive and the negative pole of the respective voltage source.

Vorzugsweise ist vorgesehen, dass die Elektroden in Form eines Musters von abwechselnd positiv und negativ vorspannbaren Elektroden angeordnet sind, wobei jede positiv vorspannbare Elektrode von jeweils vier nächstbenachbarten negativ vorspannbaren Elektroden umgeben ist und jede negativ vorspannbare Elektrode von jeweils vier nächstbenachbarten positiv vorspannbaren Elektroden umgeben ist. Dadurch entsteht eine beispielsweise schachbrettartige Anordnung alternierend positiv und negativ vorspannbarer Elektroden. Je eine negativ vorspannbare und eine positiv vorspannbare Elektrode können an die entgegengesetzten Pole jeweils einer Spannungsquelle angeschlossen sein. Dadurch sind die elektrischen Potentiale aller negativ vorspannbaren Elektroden unabhängig voneinander einstellbar, insbesondere unterschiedlich hoch. Ebenso sind die elektrischen Vorspannungen der positiv einstellbaren Elektroden unterschiedlich hoch, je nach erforderlicher lokaler Anziehungskraft zum Ausgleichen der bestehenden Maskenunebenheiten.Preferably is provided that the electrodes in the form of a pattern of alternating positively and negatively biased electrodes are arranged, wherein each positive bias electrode of four adjacent each surrounded by negatively biasable electrodes and any negatively biased Electrode of four adjacent each surrounded by positive biased electrodes. This creates a For example, checkerboard arrangement alternately positive and negatively biasable electrodes. Depending on a negative biased and a positively biasable electrode may be opposite to one another Pole each be connected to a voltage source. Thereby are the electrical potentials of all negatively biased electrodes independently adjustable from each other, in particular different heights. As well are the electrical biases of the positively adjustable electrodes different levels, depending on the required local appeal to compensate for existing mask bumps.

Alternativ ist vorgesehen, dass jede Elektrode einzeln an einen eigenen Vorspannungsregler angeschlossen ist. Dadurch kann die Vorspannung jeder einzelnen Elektrode unmittelbar gegenüber einer externen Spannungsversorgung eingestellt werden, ohne dass der Maskenhalter eine Vielzahl einzelner Spannungsquellen aufweisen muss, durch welche jeweils zwei oder mehr Elektroden gegeneinander vorgespannt werden.alternative It is envisaged that each electrode individually to its own bias regulator connected. This allows the bias of each one Electrode immediately opposite an external power supply can be set without the mask holder having a plurality of individual voltage sources must, by which two or more electrodes against each other be biased.

Beispielsweise können die elektrischen Vorspannungen der Elektroden jeweils einzeln gegenüber einem einheitlichen Referenzpotential einstellbar sein. Das Referenzpotential wieder um kann beispielsweise gegenüber einem Potential einer leitfähigen Schicht eines Maskensubstrats einstellbar sein. Die Spannungen zwischen dem einheitlichen Referenzpotential und dem individuellen Potential einer einzelnen Elektrode reguliert dann die Stärke der lokalen Anziehung zwischen der Elektrode und dem über ihr angeordneten Bereich der Maskenunterseite.For example can each of the electrical bias voltages of the electrodes relative to one be set uniform reference potential. The reference potential Again, for example, to a potential of a conductive layer a mask substrate be adjustable. The tensions between the unified reference potential and the individual potential of a single electrode then regulates the strength of the local attraction the electrode and the over her arranged area of the mask base.

Vorzugsweise ist vorgesehen, dass der Maskenhalter einen Grundkörper aufweist. Die Elektroden können an einer Unterseite des Grundkörpers angeordnet sein.Preferably it is provided that the mask holder has a base body. The electrodes can arranged on an underside of the base body be.

Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass der Maskenhalter eine Vielzahl von Stützelementen aufweist, die aus dem Grundkörper herausragen und jeweils eine eigene Auflagefläche zum Auflegen einer lithografischen Reflexionsmaske aufweisen.A Development of the invention provides that the mask holder a Variety of support elements that is from the main body stand out and each have their own support surface for laying a lithographic Have reflection mask.

In den Zwischenräumen zwischen den Stützelementen können von Verunreinigungen stammende Partikel gesammelt werden, damit sie nicht zwischen die Oberseiten der Stützelemente und die Unterseite der Maske gelangen und die Maske abheben. Beim erfindungsgemäßen Maskenhalter ist die Länge der Stützelemente nicht durch die Stärke der an die Elektroden angelegten Spannungen veränderlich, so dass eine Partikelbildung durch Reibung an der Maskenunterseite verhindert wird.In the gaps between the support elements can Contaminated particles are collected so that Do not place between the tops of the support elements and the bottom get the mask and lift off the mask. In the mask holder according to the invention is the length the support elements not by the strength the voltages applied to the electrodes vary, so that particle formation is prevented by friction on the underside of the mask.

Die Stützelemente sind vorzugsweise in einer Oberseite des Grundkörpers angeordnet und besitzen eine jeweils identische, vorzugsweise konstante Länge, die unabhängig von den an den Elektroden angelegten Vorspannungen ist. Zwar können zusätzlich mithilfe weiterer Elektroden verformbare Piezoelemente vorgesehen sein, die die Länge der Stützelemente zusätzlich verändern. Die erfindungsgemäße Anpassung einer zunächst un ebenen Maskenoberfläche erfolgt jedoch mithilfe von solchen Elektroden, die, ohne die Länge der Stützelemente unmittelbar zu beeinflussen, die Maske an den Maskenhalter ziehen. Diese elektrostatischen Zugkräfte wirken in die entgegengesetzte Richtung wie die durch Piezoelemente ausgeübten Druckkräfte.The support elements are preferably arranged in an upper side of the base body and have a respectively identical, preferably constant length, the independently of the biases applied to the electrodes. Although you can additionally use be provided further electrodes deformable piezoelectric elements, the the length the support elements additionally change. The adaptation according to the invention one at first un flat mask surface However, with the help of such electrodes, without the length of the support elements to influence directly, pull the mask to the mask holder. These electrostatic tensile forces act in the opposite direction as that through piezo elements exerted Compressive forces.

Vorzugsweise ist jedoch vorgesehen, dass die Auflageflächen der Stützelemente jeweils in konstantem Abstand von den Elektroden angeordnet sind. Bei dieser Ausführungsform, bei der keine Piezoelemente vorgesehen sind, sind alle Elektroden des Maskenhalters ausschließlich nebeneinander angeordnet und wirken jeweils als Einzelelektrode, die in einer darüberliegenden Maske eine Gegenelektrode induziert und elektrostatisch anzieht. Dadurch wird zwar die Maske verformt und bewegt, der Abstand der Auflageflächen auf der Oberseite der Stützelemente von den Elektroden bleibt jedoch konstant. Der Abstand zwischen den Enden der Stützelemente, auf denen die Maske aufliegen soll, und den Elektroden ist insbesondere unabhängig von der Höhe der jeweils eingestellten Vorspannung der Elektrode.Preferably However, it is provided that the bearing surfaces of the support elements in each case in constant Distance from the electrodes are arranged. In this embodiment, in which no piezoelectric elements are provided, all electrodes of the Mask holder exclusively arranged side by side and each act as a single electrode, the in an overlying one Mask induces a counter electrode and electrostatically attracts. As a result, although the mask is deformed and moved, the distance of support surfaces on top of the support elements however, the electrodes remain constant. The distance between the ends of the support elements, on which the mask is to rest, and the electrodes in particular independently from the height the set bias voltage of the electrode.

Vorzugsweise ist vorgesehen, dass zentral unter jedem Stützelement genau eine Elektrode angeordnet ist. Sie befindet sich vorzugsweise in der Verlängerung der Mittelachse des Stützelementes, das über ihm angeordnet ist.Preferably is provided that centrally under each support element exactly one electrode is arranged. It is preferably in the extension the central axis of the support element, above it is arranged.

Die Stützelemente bestehen vorzugsweise aus einem dielektrischen Material und sind insbesondere stiftförmig ausgebildet.The support elements are preferably made of a dielectric material and are especially pen-shaped educated.

Eine alternative Ausführungsform sieht vor, dass die Auflagefläche eine Fläche des Grundkörpers ist. Somit dient die Oberseite des Grundkörpers selbst als Auflagefläche zum Auflegen einer lithografischen Reflexionsmaske; bei dieser Ausfüh rungsform sind keine Stützelemente vorgesehen. Die Elektroden können an der Unterseite des Grundkörpers angeordnet sein.A alternative embodiment provides that the bearing surface an area of the basic body is. Thus, the top of the body itself serves as a support surface for Applying a lithographic reflection mask; in this embodiment are not supporting elements intended. The electrodes can arranged at the bottom of the body be.

Der erfindungsgemäße Maskenhalter ist insbesondere zum Halten einer lithografischen Reflexionsmaske verwendbar, die mindestens eine elektrisch leitfähige Schicht aufweist. In der Regel ist die zu strukturierende Maskenschicht der Reflexionsmaske aus Chrom gefertigt und daher leitfähig. Für eine noch bessere elektrostatische Anziehung durch den Maskenhalter kann auf der Unterseite einer Maske auch noch eine weitere elektrisch leitfähige Schicht aufgebracht sein.Of the Mask holder according to the invention is in particular for holding a lithographic reflection mask usable, which has at least one electrically conductive layer. In the The rule is the mask layer of the reflection mask to be structured made of chrome and therefore conductive. For an even better electrostatic Attraction through the mask holder may be on the bottom of a mask also be applied yet another electrically conductive layer.

Der erfindungsgemäße Maskenhalter kann sowohl in einem Maskenschreiber, in einer lithografischen Belichtungseinrichtung zum Belichten von Halbleiterprodukten als auch in einer Maskenvermessungseinrichtung zum Vermessen der Lagegenauigkeit der Maskenstrukturen oder der Ebenheit der Maske eingesetzt werden.Of the Mask holder according to the invention can both in a mask writer, in a lithographic exposure device for the exposure of semiconductor products as well as in a mask measuring device for measuring the positional accuracy of the mask structures or the Flatness of the mask can be used.

Durch den erfindungsgemäßen Maskenhalter wird gemeinsam mit einer lithografischen Reflexionsmaske, die eine elektrisch leitfähige Schicht aufweist, eine Anordnung bereitgestellt, die ein lagegenaueres Abbilden von Maskenstrukturen auf Halbleiterprodukte ermöglicht.By the mask holder according to the invention is used together with a lithographic reflection mask, the one electrically conductive Layer has provided an arrangement which is a locationally accurate Mapping of mask patterns to semiconductor products.

Die Anordnung kann ferner eine Messeinrichtung zum Messen von Höhentoleranzen einer Oberfläche der Maske aufweisen. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass die elektrischen Vorspannungen der Elektroden durch einen mit der Messeinrichtung verbundenen Rückkopplungsschaltkreis einstellbar sind. Die Messeinrichtung kann ein Interferometer zur interferometrischen Vermessung des Höhenverlaufs der Maskenoberfläche oder einen kapazitiven Sensor aufweisen. Mit Hilfe des Rückkopp lungsschaltkreises lassen sich die elektrischen Vorspannungen der einzelnen Elektroden so einstellen, dass zunächst bestehende Unebenheiten der vermessenen Maskenoberfläche durch leichtes Verspannen der Maske kompensiert werden.The Arrangement may further comprise a measuring device for measuring height tolerances a surface have the mask. In particular, it can be provided that the electrical biasing of the electrodes by one with the measuring device adjustable feedback circuit adjustable are. The measuring device can be an interferometer for interferometric Surveying the height course the mask surface or have a capacitive sensor. With the help of the feedback coupler circuit can be the electrical biases of the individual electrodes so adjust that first existing unevenness of the measured mask surface slight distortion of the mask can be compensated.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird ferner gelöst durch ein Verfahren zum Anordnen einer lithografischen Reflexionsmaske auf einem Maskenhalter, der mindestens eine Auflagefläche zum Auflegen einer lithografischen Reflexionsmaske und eine Vielzahl elektrisch vorspannbarer Elektroden aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:

– Auflegen der lithografischen Reflexionsmaske auf den Maskenhalter,
– Messen von Höhentoleranzen einer Oberfläche der auf dem Maskenhalter aufliegenden Reflexionsmaske und
– elektrostatisches Anziehen der lithografischen Reflexionsmaske an den Maskenhalter durch Anlegen individuell eingestellter elektrischer Vorspannungen an die Elektroden.

The object underlying the invention is further achieved by a method for arranging a lithographic reflection mask on a mask holder which has at least one support surface for laying on a lithographic reflection mask and a plurality of electrically biasable electrodes, the method having the following steps:

Placing the lithographic reflection mask on the mask holder,
- Measuring height tolerances of a surface of the resting on the mask holder reflection mask and
- electrostatically attracting the lithographic reflection mask to the mask holder by applying individually adjusted electrical bias voltages to the electrodes.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden zunächst die bestehenden Höhentoleranzen einer auf den Maskenhalter aufgelegten lithografischen Reflexionsmaske vermessen. Das Messen von Höhentoleranzen kann je nach Messverfahren sowohl eine direkte Höhenmessung oder eine Messung einer anderen Größe sein, aus deren Wert anschließend die Höhentoleranzen errechnet werden. Nachdem die tatsächlich bestehenden Höhentoleranzen bekannt sind, werden an die Elektroden elektrische Vorspannungen angelegt, deren Höhe individuell für jede einzelne Elektrode oder für kleinere Gruppen von Elektroden einstellbar und veränderbar ist. Auf diese Weise wird in unterschiedlichen Flächenbereichen der Maskenfläche die Stärke der lokal wirkenden elektrischen Anziehungskraft durch die elektrische Vorspannung der Elektrode, die unter dem jeweiligen Flächen bereich angeordnet ist, dosiert. Dazu werden die elektrischen Vorspannungen der Elektroden in Abhängigkeit von den gemessenen Höhentoleranzen eingestellt, so dass nach dem Anlegen der Vorspannungen die Höhentoleranzen weitgehend ausgeglichen sind.at the method according to the invention be first the existing height tolerances a lithographic reflection mask placed on the mask holder measured. The measurement of height tolerances Depending on the measuring method, either a direct height measurement or a measurement be of a different size, from their value afterwards the height tolerances be calculated. After the actual existing height tolerances known are applied to the electrodes electrical biases, their height individually for each single electrode or for smaller groups of electrodes adjustable and changeable is. This way, in different surface areas the mask area the strenght the locally acting electrical attraction by the electric Preloading the electrode under the respective areas area is arranged, dosed. These are the electrical bias voltages of the electrodes in dependence from the measured height tolerances adjusted so that after applying the bias voltages, the height tolerances are largely balanced.

Vorzugsweise wird nach dem Anlegen der Vorspannungen an die Elektroden der Höhenverlauf der Maskenoberfläche nochmals vermessen; vorzugsweise kann auch eine wiederholte Rückkopplung zwischen dem gemessenen Höhenverlauf und der Einstellung der individuellen Elektrodenpotentiale erfolgen, bis eine optimale Planlage einer strukturierten Maskenschicht der Reflexionsmaske erreicht ist.Preferably After applying the bias voltages to the electrodes, the height profile of the mask surface measure again; preferably also a repeated feedback between the measured height course and adjusting the individual electrode potentials, until an optimal flatness of a structured mask layer of Reflection mask is reached.

Der Höhenverlauf der Maskenoberfläche wird beispielsweise interferometrisch oder kapazitiv vermessen.Of the height profile the mask surface becomes for example, measured interferometrically or capacitively.

Die Erfindung wird nachstehend mit Bezug auf die 1 bis 10 beschrieben. Es zeigen:The invention will be described below with reference to FIGS 1 to 10 described. Show it:

1 eine Querschnittsansicht eines Maskensubstrats mit einem unebenen Höhenverlauf einer Oberfläche, 1 a cross-sectional view of a mask substrate with an uneven height profile of a surface,

2 den Höhenverlauf eines auf einem Maskenhalter angeordneten Maskensubstrats im freischwebenden und im aufliegenden Zustand, 2 the height profile of a mask substrate arranged on a mask holder in the free-floating and in the resting state,

3 eine schematische Darstellung einer Messung von Höhentoleranzen einer Oberfläche einer auf einem Maskenhalter aufliegenden Reflexionsmaske, 3 a schematic representation of a measurement of height tolerances of a surface of a resting on a mask holder reflection mask,

4 eine Querschnittsansicht eines erfindungsgemäßen Maskenhalters und einer Reflexionsmaske, 4 a cross-sectional view of a mask holder according to the invention and a reflection mask,

5 eine Draufsicht auf eine Anordnung elektrisch vorspannbarer Elektroden eines erfindungsgemäßen Maskenhalters mit schematischer Darstellung der elektrischen Verschaltung gemäß einer ersten Ausführungsform, 5 1 a top view of an arrangement of electrically biasable electrodes of a mask holder according to the invention with a schematic representation of the electrical connection according to a first embodiment,

6 eine schematische Darstellung einer elektrischen Verschaltung der Elektroden des erfindungsgemäßen Maskenhalters gemäß einer zweiten Ausführungsform, 6 1 is a schematic representation of an electrical connection of the electrodes of the mask holder according to the invention according to a second embodiment,

7 eine Anordnung mit einem erfindungsgemäßen Maskenhalter, einem Maskensubstrat und einer Messeinrichtung zum Vermessen einer Substratoberfläche, 7 an arrangement with a mask holder according to the invention, a mask substrate and a measuring device for measuring a substrate surface,

8 eine Anordnung mit einem erfindungsgemäßen Maskenhalter gemäß einer alternativen Ausführungsform und einer Reflexionsmaske, 8th an arrangement with a mask holder according to the invention according to an alternative embodiment and a reflection mask,

9 eine schematische Darstellung von Höhentoleranzen einer auf einem Maskenhalter aufliegenden Reflexionsmaske und 9 a schematic representation of height tolerances of resting on a mask holder reflection mask and

10 ein Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens. 10 a flowchart of a method according to the invention.

1 zeigt einen Querschnitt durch eine Reflexionsmaske 20, die eine obere Oberfläche 20a und eine untere Oberfläche 20b besitzt. Die Oberflächen besitzen einen wellenförmigen, unebenen Höhenverlauf, wobei in 1 der wellenförmige Höhenverlauf der oberen Oberfläche 20a übertrieben groß dargestellt ist. Der wellenförmige Höhenverlauf entsteht durch fertigungsbedingte Höhentoleranzen h gegenüber einer Ebene 1. Bei einer Reflexion elektromagnetischer Strahlung 2 an der Oberfläche 20a entstehen dadurch laterale Verschiebungen 1 der reflektierten Strahlung. Dadurch werden Maskenstrukturen der Maske nicht lagegenau, sondern in lateraler Richtung versetzt lithografisch auf die mit der Maske belichteten Halbleiterprodukte übertragen. 1 shows a cross section through a reflection mask 20 which has an upper surface 20a and a lower surface 20b has. The surfaces have a wave-shaped, uneven height profile, wherein in 1 the wave-shaped height course of the upper surface 20a is shown exaggeratedly large. The wave-shaped height course is caused by production-related height tolerances h with respect to a plane 1 , In a reflection of electromagnetic radiation 2 on the surface 20a this causes lateral shifts 1 the reflected radiation. As a result, mask structures of the mask are not precisely aligned, but are transferred lithographically in the lateral direction to the semiconductor products exposed to the mask.

2 zeigt den Höhenverlauf einer oberen Oberfläche 20a und einer unteren Oberfläche 20b einer Reflexionsmaske 20, wobei die jeweiligen Oberflächenverläufe durch durchgezogene, dicke Linien dargestellt sind. Die Unebenheiten sind übertrieben groß dargestellt und dienen nur zur Illustration. Durch die unebenen Maskenflächen entstehen insbesondere bei nicht telezentrischer optischer Abbildung seitliche Versetzungen von Bildstrukturen auf den belichteten Halbleitersubstraten. Wird die in 2 dargestellte Reflexionsmaske 20 mit ihrer Unterseite 20b gegen einen Maskenhalter 10 gedrückt oder von diesem angezogen, so kann eine absolute Planlage der Unterseite 20b die Unebenheiten im Verlauf der oberen Maskenfläche 20a noch verstärken. Die obere Maskenfläche einer auf einem Maskenhalter 10 aufliegenden Reflexionsmaske 20 ist in 2 gestrichelt dargestellt und zeigt, dass in der Mitte des dargestellten Maskenausschnitts die Vertiefung der Oberseite der Reflexionsmaske 20 noch größer ist als vor dem Aufsetzen auf den Maskenhalter. Die Verschiebungen der Oberflächenbereiche beim Aufsetzen auf die Oberfläche 11 des Maskenhalters 10 sind in 2 durch Pfeile gekennzeichnet. 2 shows the height course of an upper surface 20a and a lower surface 20b a reflection mask 20 , wherein the respective surface curves are represented by solid, thick lines. The bumps are exaggeratedly large and are for illustration purposes only. As a result of the uneven mask areas, lateral displacements of image structures on the exposed semiconductor substrates occur, particularly in the case of non-telecentric optical imaging. Will the in 2 illustrated reflection mask 20 with her bottom 20b against a mask holder 10 pressed or attracted by this, so can an absolute flatness of the bottom 20b the bumps in the course of the upper mask surface 20a even stronger. The upper mask area of a mask holder 10 Overlying reflection mask 20 is in 2 dashed lines and shows that in the middle of the mask section shown, the recess of the top of the reflection mask 20 even larger than before putting on the mask holder. The shifts of the surface areas when placed on the surface 11 of the mask holder 10 are in 2 indicated by arrows.

3 zeigt eine schematische Darstellung einer Messung von Höhentoleranzen einer Maskenoberfläche 20a einer Reflexionsmaske 20 in Richtung z vertikal zur Flächenausdehnung x, y der Reflexionsmaske 20. Die Reflexionsmaske 20 ist hier auf einem Maskenhalter 10 angeordnet, der mehrere Stützelemente 16 zum Stützen der Reflexionsmaske 20 aufweist. Infolge der Unebenheiten ihrer Unterseite 20b liegt die Reflexionsmaske 20 nicht gleichzeitig auf allen Stützelementen 16 auf. Der Höhenverlauf einer Oberfläche 20a der Reflexionsmaske 20, etwa ihrer Oberseite, kann mit Hilfe einer Messeinrichtung 26, beispielsweise eines Interferometers, vermessen werden. Auf der Unterseite 6 eines Grundkörpers 5 des Maskenhalters 10 sind jeweils die erfindungsgemäßen Elektroden angeordnet. 3 shows a schematic representation of a measurement of height tolerances of a mask surface 20a a reflection mask 20 in the direction z vertical to the surface extent x, y of the reflection mask 20 , The reflection mask 20 is here on a mask holder 10 arranged, the plurality of support members 16 for supporting the reflection mask 20 having. As a result of the bumps of their bottom 20b lies the reflection mask 20 not at the same time on all supporting elements 16 on. The height gradient of a surface 20a the reflection mask 20 , about its top, can with the help of a measuring device 26 , For example, an interferometer to be measured. On the bottom 6 of a basic body 5 of the mask holder 10 in each case the electrodes according to the invention are arranged.

4 zeigt einen erfindungsgemäßen Maskenhalter 10 sowie eine Reflexionsmaske 20 mit einem Maskensubstrat 15, einer elektrisch leitfähigen Schicht 22 und einer strukturierten Maskenschicht 21. Der erfindungsgemäße Maskenhalter besitzt einen Grundkörper 5, an dem eine Vielzahl von Elektroden 13 angebracht ist, die jeweils elektrisch vorspannbar sind und mit denen elektrische Felder E zum elektrostatischen Anziehen der leitfähigen Schicht 22 der Reflexionsmaske 20 erzeugt werden. Bei der in 4 dargestellten Ausführungsform sind die Elektroden 13 jeweils paarweise an entgegengesetzte Pole p, n individueller Spannungsquellen 14 angeschlossen, wobei jeweils eine erste Elektrode 13a positiv vorgespannt und eine zweite Elektrode 13b negativ vorgespannt wird. In 4 ist jeweils zentral unter jedem Stützelement in Verlängerung von dessen Mittelachse eine einzige Elektrode ohne Gegenelektrode angeordnet. Die Gegenelektrode wird in der leitfähigen Schicht 22 der aufliegenden Reflexionsmaske 20 durch lokale Anhäufung von Gegenladungen erzeugt. Unabhängig davon, ob eine bestimmte Elektrode 13 an einen positiven oder einen negativen Pol einer Spannungsquelle 14 angeschlossen ist, besitzt die in der leitfähigen Schicht 22 induzierte Gegenladung stets den entgegengesetzten Ladungstyp (positive oder negative Ladung) zu der unter ihr angeordneten Elektrode; in beiden Fällen entsteht somit eine elektrostatische Anziehung. Von links nach rechts sind die Elektroden in 4 alternierend an einen positiven und einen negativen Pol einer Spannungsquelle 14 angeschlossen. 4 shows a mask holder according to the invention 10 and a reflection mask 20 with a mask substrate 15 , an electrically conductive layer 22 and a structured mask layer 21 , The mask holder according to the invention has a base body 5 to which a plurality of electrodes 13 is attached, each of which is electrically biased and with which electric fields E for electrostatic attraction of the conductive layer 22 the reflection mask 20 be generated. At the in 4 illustrated embodiment, the electrodes 13 in pairs to opposite poles p, n of individual voltage sources 14 connected, each with a first electrode 13a positively biased and a second electrode 13b is biased negative. In 4 is in each case centrally under each support member in extension of the central axis of a single electrode arranged without counter electrode. The counter electrode becomes in the conductive layer 22 the overlying reflection mask 20 generated by local accumulation of countercharges. Regardless of whether a particular electrode 13 to a positive or a negative pole of a voltage source 14 connected in the conductive layer 22 induced counter-charge always the opposite the charge type (positive or negative charge) to the electrode arranged below it; In both cases an electrostatic attraction is created. From left to right, the electrodes are in 4 alternately to a positive and a negative pole of a voltage source 14 connected.

5 zeigt eine Draufsicht auf die Anordnung 12 der Elektroden 13; 13a, 13b, die in verschiedenen Positionen in lateraler Richtung x, y innerhalb einer Grundfläche des Maskenhalters angeordnet sind. Die Elektroden sind ebenso wie in 4 paarweise an einzelne Spannungsquellen 14 angeschlossen, die individuell einstellbare Vorspannungen Vxy erzeugen und jeweils eine erste Elektrode 13a positiv vorspannen und eine zweite Elektrode 13b negativ vorspannen. Der Höhenverlauf der Oberseite des Maskenhalters, beispielsweise die Höhe einzelner Auflageflächen 17 auf den Oberseiten der Stützelemente 16 in 4, wird durch die elektrischen Vorspannungen der Elektroden nicht verändert. Die Elektroden des erfindungsgemäßen Maskenhalters dienen somit ausschließlich zum Influenzieren elektrischer Ladungen in einer leitfähigen Schicht eines aufliegenden Maskensubstrats, um eine elektrostatische Anziehung zu bewirken. In 5 ist erkennbar, dass beispielsweise die positiv vorspannbare Elektrode 13c der Position x = 3 und y = 3 von vier nächstbenachbarten negativ vorspannbaren Elektroden 13d umgeben ist. Umgekehrt ist beispielsweise die negativ vorspannbare Elektrode 13d an der Position x = 2 und y = 3 von vier nächstbenachbarten positiv vorspannbaren Elektroden 13c umgeben. Das in 5 abgebildete Muster aus abwechselnd positiv und negativ vorspannbaren Elektroden setzt sich außerhalb der sechzehn abgebildeten Elektroden fort, so dass eine schachbrettartige Anordnung alternierend positiv und negativ vorspannbarer Elektroden entsteht, die eine sehr kompakte Bauweise ermöglicht. Die in der Draufsicht der 5 quadratisch dargestellten Elektroden 13 sind im Querschnitt vorzugsweise stiftförmig ausgebildet, wobei die Länge der Elektroden vorzugsweise wesentlich größer ist als ihre Breite, die in 5 übertrieben groß dargestellt ist. Jede Elektrode 13 ist mit einem positiven oder negativen Pol einer Spannungsquelle 14 verbunden. Dadurch ist an jeder einzelnen Elektrode ein jeweils unterschiedliches elektrisches Potential anlegbar, das von den elektrischen Potentialen aller übrigen Elektroden abweichen kann. In 5 sind exemplarisch die elektrischen Vorspannungen von vier Elektroden dargestellt. Die Elektrode mit den (x, y)-Koordinaten (1, 1) besitzt ein positives Potential von 1100 Volt, wohingegen die an dieselbe Spannungsquelle 14 angeschlossene Elektrode unter ihr (mit den Koordinaten x = 1 und y = 2) eine Vorspannung von –1100 Volt besitzt. Die beiden Elektroden rechts davon in 5 mit den Koordinaten (x, y) (2,1) und (2,2) besitzen elektrische Vorspannungen von 1150 Volt und –1150 Volt. Somit erzeugen die Elektroden mit den Koordinaten (2, 1) und (2, 2) jeweils eine stärkere elektrostatische Anziehung als die Elektroden mit den Koordinaten (1, 1) und (1, 2). Die vier Elektroden bilden zwei Elektrodenpaare, die jeweils an die Pole zweier Spannungsquellen 14 angeschlossen sind. Durch eine einzelne Spannungsquelle ist jeweils eine Elektrode positiv und eine weitere Elektrode negativ gegenüber einem (nicht dargestellten) Referenzpotential vorspannbar. 5 shows a plan view of the arrangement 12 the electrodes 13 ; 13a . 13b which are arranged in different positions in the lateral direction x, y within a base area of the mask holder. The electrodes are as well as in 4 in pairs to individual voltage sources 14 connected to generate the individually adjustable biases Vxy and each a first electrode 13a positively bias and a second electrode 13b to bias negatively. The height profile of the top of the mask holder, for example, the height of individual bearing surfaces 17 on the tops of the support elements 16 in 4 , is not affected by the electrical biases of the electrodes. The electrodes of the mask holder according to the invention thus serve exclusively for influencing electrical charges in a conductive layer of a resting mask substrate in order to bring about an electrostatic attraction. In 5 it can be seen that, for example, the positively biasable electrode 13c the position x = 3 and y = 3 of four nearest negatively biased electrodes 13d is surrounded. Conversely, for example, the negative-biased electrode 13d at the position x = 2 and y = 3 of four nearest positive-biased electrodes 13c surround. This in 5 Imaged patterns of alternating positive and negative biased electrodes continues outside the sixteen imaged electrodes, resulting in a checkerboard arrangement of alternating positively and negatively biased electrodes, allowing for a very compact design. The in the top view of 5 square electrodes 13 are preferably formed pin-shaped in cross-section, wherein the length of the electrodes is preferably substantially greater than their width, the in 5 is shown exaggeratedly large. Each electrode 13 is with a positive or negative pole of a voltage source 14 connected. As a result, a respective different electrical potential can be applied to each individual electrode, which can deviate from the electrical potentials of all the other electrodes. In 5 For example, the electrical biases of four electrodes are shown. The electrode with the (x, y) coordinates (1, 1) has a positive potential of 1100 volts, whereas those at the same voltage source 14 connected electrode under it (with the coordinates x = 1 and y = 2) has a bias voltage of -1100 volts. The two electrodes to the right of it in 5 with coordinates (x, y) (2,1) and (2,2) have electrical biases of 1150 volts and -1150 volts. Thus, the electrodes having the coordinates (2, 1) and (2, 2) each produce a stronger electrostatic attraction than the electrodes having the coordinates (1, 1) and (1, 2). The four electrodes form two electrode pairs, each to the poles of two voltage sources 14 are connected. By a single voltage source one electrode is positive and a further electrode negative biased against a (not shown) reference potential.

Die Höhe der durch die Spannungsquellen 14 erzeugten Spannungen zwischen benachbarten Elektroden beträgt beispielsweise jeweils zwischen 1 und 3 kV. Die Maske ist vorzugsweise nicht elektrisch vorgespannt.The height of the voltage sources 14 generated voltages between adjacent electrodes, for example, each between 1 and 3 kV. The mask is preferably not electrically biased.

6 zeigt eine schematische Darstellung der elektrischen Verschaltung von Elektroden eines erfindungsgemäßen Maskenhalters gemäß einer anderen Ausführungsform. Gemäß 6 sind die Elektroden 13 jeweils einzeln mit individuellen Vorspannungen Vxy elektrisch vorspannbar, die relativ zu einem einheitlichen Referenzpotential V0 einstellbar und variierbar sind. Die Vorspannungen Vxy können individuell so eingestellt werden, dass bestehende oder durch das Auflegen auf den Maskenhalter entstehende Unebenheiten einer Maskenoberfläche 20a kompensiert werden. Die Kompensation geschieht dadurch, dass eine leitfähige Schicht der Maske lokal über den Elektroden jeweils mehr oder weniger stark elektrostatisch angezogen wird, je nach Stärke des angelegten individuellen Elektrodenpotentials Vxy. Bei der Ausführungsform der 6 sind die Elektroden 13 nicht paarweise gegeneinander, sondern einzeln gegenüber einem einheitlichen Referenzpotential V0 vorgespannt. Zur Einstellung der individuellen Elektrodenpotentiale sind Vorspannungsregler Rxy vorgesehen, mit denen die Vorspannung Vxy der jeweiligen Elektrode 13 individuell einstellbar ist, wie durch die Pfeile gekennzeichnet. Beispielsweise sind die obersten vier Elektroden in 6 mit regelbaren Spannungen von +1150 Volt, –1100 Volt, 800 Volt und –850 Volt gegenüber einem Referenzpotential V0 (von vorzugsweise 0 Volt) vorgespannt. 6 shows a schematic representation of the electrical interconnection of electrodes of a mask holder according to the invention according to another embodiment. According to 6 are the electrodes 13 each individually with individual bias voltages Vxy electrically biased, which are adjustable and variable relative to a uniform reference potential V0. The bias voltages Vxy can be individually adjusted so that existing or by applying to the mask holder resulting unevenness of a mask surface 20a be compensated. The compensation takes place in that a conductive layer of the mask is attracted more or less strongly electrostatically locally above the electrodes, depending on the strength of the applied individual electrode potential Vxy. In the embodiment of the 6 are the electrodes 13 not in pairs against each other, but individually biased against a uniform reference potential V0. To set the individual electrode potentials, bias regulators Rxy are provided, with which the bias voltage Vxy of the respective electrode 13 individually adjustable, as indicated by the arrows. For example, the top four electrodes are in 6 with adjustable voltages of +1150 volts, -1100 volts, 800 volts and -850 volts biased to a reference potential V0 (preferably 0 volts).

7 zeigt eine Anordnung mit einem erfindungsgemäßen Maskenhalter 10 und einer aufliegenden lithografischen Reflexionsmaske 20, die ein Maskensubstrat 15, eine elektrisch leitfähige Schicht 22 sowie eine weitere, noch unstrukturierte Maskenschicht 21 aufweist. Ferner ist eine Messeinrichtung 26 vorgesehen, um eine Oberfläche 20a der Reflexionsmaske 20 interferometrisch zu vermessen. 7 shows an arrangement with a mask holder according to the invention 10 and an overlying lithographic reflection mask 20 containing a mask substrate 15 , an electrically conductive layer 22 and another, still unstructured mask layer 21 having. Furthermore, a measuring device 26 provided a surface 20a the reflection mask 20 to measure interferometrically.

Der Maskenhalter 10 besitzt unterhalb eines Maskenkörpers 5 paarweise gegeneinander vorspannbare Elektroden 13, über denen jeweils Stützelemente 16 angeordnet sind. Die Reflexionsmaske 20 ist auf den erfindungsgemäßen Maskenhalter 10 aufgesetzt. Der Grundkörper 5 und die Stützelemente 16 des erfindungsgemäßen Maskenhalters bestehen vorzugsweise aus einem Material mit einem niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffi zienten. Solche ULE-Materialien (ultralow expansion) sind beispielsweise hochdotierte Gläser, beispielsweise Quarzgläser oder keramische Materialien, etwa Zerodur. Innerhalb der elektrisch leitfähigen Schicht 22 der Reflexionsmaske 20 werden Ladungen 19 influenziert, wobei in 7 die Höhe der induzierten Ladungsverteilung 19 die Dichte der induzierten Ladungen andeutet.The mask holder 10 owns below a mask body 5 in pairs against each other preloaded electrodes 13 above which are each supporting elements 16 are arranged. The reflection mask 20 is on the mask holder according to the invention 10 placed. The main body 5 and the supporting elemen th 16 of the mask holder according to the invention are preferably made of a material with a low coefficient of thermal expansion. Such ULE materials (ultralow expansion) are, for example, highly doped glasses, for example quartz glasses or ceramic materials, such as Zerodur. Within the electrically conductive layer 22 the reflection mask 20 become charges 19 influenziert, where in 7 the height of the induced charge distribution 19 indicates the density of the induced charges.

Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Maskenhalters wird somit eine lokale Gegenelektrode in der aufliegenden Maske induziert. Dieser Effekt wird bei herkömmlich eingesetzten Maskenhaltern nicht technisch ausgenutzt und ist allenfalls als Effekt untergeordneter Größenordnung vorhanden. Die mit dem erfindungsgemäßen Maskenhalter zu haltenden Maskensubstrate können auf ihrer Unterseite mit einer leitfähigen Schicht 22 beschichtet sein. Die leitfähige Schicht kann ganzflächig auf ein Maskensubstrat 15. einer Reflexionsmaske 20 aufgebracht sein oder nur dort, wo der Maskenhalter 10 die Elektroden 13 aufweist, auf der Reflexionsmaske 20 ausgebildet sein. Im Gegensatz zu Maskenhaltern mit Piezoelementen wird die Vorspannung der Elektroden 13 des erfindungsgemäßen Maskenhalters nicht durch eine weitere Elektrode des Maskenhalters über ihr, sondern durch die induzierte Gegenladung in der Maske kompensiert.With the help of the mask holder according to the invention thus a local counter electrode is induced in the overlying mask. This effect is not technically exploited in conventionally used mask holders and is present at most as an effect of subordinate magnitude. The mask substrates to be held with the mask holder according to the invention may be provided on their underside with a conductive layer 22 be coated. The conductive layer can be applied over the whole area to a mask substrate 15 , a reflection mask 20 be applied or only where the mask holder 10 the electrodes 13 on the reflection mask 20 be educated. In contrast to mask holders with piezo elements, the bias voltage of the electrodes 13 of the mask holder according to the invention is not compensated by a further electrode of the mask holder over it, but by the induced counter-charge in the mask.

7 zeigt ferner einen Rückkopplungsschaltkreis 27, durch den die Elektroden 13 mit einer Messeinrichtung 26 zum Vermessen eines Höhenverlaufs einer Maskenoberfläche 20a verbunden sind. Mit Hilfe des Rückkopplungsschaltkreises 27 lassen sich die Elektrodenpotentiale Vxy ihrer Stärke nach variieren, um eine möglichst ebene Form der Oberfläche 20a der Reflexionsmaske 20 zu erzielen. Ist die Oberfläche 20a in einem Teilbereich beispielsweise zu hoch, kann die Vorspannung der unter ihr angeordneten Elektrode verstärkt werden, bis die entstehende Anziehungskraft einen kleineren Abstand der Oberfläche 20a zur Elektrode erzwingt. 7 further shows a feedback circuit 27 through which the electrodes 13 with a measuring device 26 for measuring a height profile of a mask surface 20a are connected. With the help of the feedback circuit 27 The electrode potentials Vxy can be varied according to their strength, in order to obtain as even a surface shape as possible 20a the reflection mask 20 to achieve. Is the surface 20a for example, in a partial area too high, the bias of the electrode arranged below it can be amplified until the resulting attraction force has a smaller distance from the surface 20a forces to the electrode.

Der erfindungsgemäße Maskenhalter ist beispielsweise in einem Maskenschreiber 23, in einer lithografischen Belichtungseinrichtung 24 zum Belichten von Halbleiterprodukten oder in einer Maskenvermessungseinrichtung 25 einsetzbar.The mask holder according to the invention is, for example, in a mask writer 23 , in a lithographic exposure device 24 for exposing semiconductor products or in a mask measuring device 25 used.

8 zeigt eine Maske und einen erfindungsgemäßen Maskenhalter 10 gemäß einer anderen Ausführungsform, bei der anstelle von Stützelementen der Grundkörper 5 die Auflagefläche 17b zum Auflegen der lithografischen Reflexionsmaske 20 bildet. Die Reflexionsmaske 20 wird mit ihrer Unterseite, auf der sich vorzugsweise eine leitfähige Schicht 22 befindet, unmittelbar auf die Auflagefläche 17b aufgelegt, wobei jedoch aufgrund von Unebenheiten der Maskenunterseite die Reflexionsmaske 20 nur in Teilbereichen der Auflagefläche 17b auf dieser aufliegt. Insbesondere ist auch die Oberseite der Maske, auf der sich die strukturierte Schicht 21 befindet, nicht plan, sondern besitzt Höhentoleranzen, die durch die erfindungsgemäß angeordneten Elektroden 13 zumindest während der lithografischen Belichtung kompensiert werden. Die in 8 dargestellte Ausführungsform hat den Vorteil, dass die Elektroden 13 näher an der Maskenunterseite angeordnet sind. Jedoch können Partikel zwischen den aufeinanderliegenden Flächen des Maskenhalters 10 und der Reflexionsmaske 20 die Maske abheben. Außerdem sind die elektrischen Felder, die durch die Elektroden erzeugt werden, in vertikaler Richtung nicht so stark gebündelt wie mithilfe der aus einem dielektrischen Material bestehenden Stützelemente der Ausführungsformen der 4 und 7. 8th shows a mask and a mask holder according to the invention 10 according to another embodiment, in which instead of supporting elements of the main body 5 the bearing surface 17b for placing the lithographic reflection mask 20 forms. The reflection mask 20 with its bottom, on which preferably a conductive layer 22 located directly on the support surface 17b but due to unevenness of the mask underside, the reflection mask 20 only in partial areas of the support surface 17b rests on this. In particular, also the top of the mask, on which the structured layer 21 is not plan, but has height tolerances by the present invention arranged electrodes 13 at least during the lithographic exposure are compensated. In the 8th illustrated embodiment has the advantage that the electrodes 13 are arranged closer to the mask bottom. However, particles may form between the mating surfaces of the mask holder 10 and the reflection mask 20 lift off the mask. In addition, the electric fields generated by the electrodes are not concentrated in the vertical direction as much as by means of the dielectric material supporting elements of the embodiments of FIGS 4 and 7 ,

9 zeigt eine vergrößerte Darstellung der auftretenden Abstände zwischen der Maskenunterseite und der Auflagefläche, wobei zur einfacheren Darstellung diskreter Messwerte der Maskenhalter 10 in der Ausführungsform gemäß 4, d.h. mit Stützelementen 16 dargestellt ist. Zusätzlich sind auf der Unterseite der Elektroden 13 Spannungsanschlüsse 3 dargestellt, durch welche jede Elektrode einzeln von der Unterseite des Maskenhalters 10 her einzeln elektrisch kontaktierbar ist. Die dargestellten fünf Stützelemente 16 besitzen auf ihrer Oberseite jeweils eine Auflagefläche, die in einem konstanten Abstand D0 zur zentral unter dem jeweiligen Stützelement 16 angeordneten Elektrode 13 angeordnet ist. Die Oberseiten der Stützelemente 16 sind somit nicht höhenbeweglich. Der dargestellte Verlauf der Maskenunterseite der Reflexionsmaske 20 jedoch besitzt einen Abstand D von den Elektroden 13, der aufgrund fertigungsbedingter Unebenheiten teilweise größer ist, wodurch ein freier Zwischenraum d über den meisten der Elektroden entsteht. In 9 liegt die Reflexionsmaske 20 auf dem Stützelement 16 unmittelbar auf, wohingegen über dem zweiten Stützelement von links ein Zwischenraum d2 von 500 nm und über weiteren drei Stützelementen ein Zwischenraum von 350, von 50 und 450 nm verbleibt. Eine Anpassung an einen möglichst einheitlichen Abstand von den Elektroden erfolgt erfindungsgemäß durch eine geeignete Einstellung der individuellen Elektrodenpotentiale über die Anschlussleitungen 3, um die Reflexionsmaske 20 so zu deformieren, dass die auf ihrer Oberseite angeordnete strukturierte Schicht 21 möglichst eben ist. In 9 sind die dargestellten Unebenheiten der Oberseite und der Unterseite der Reflexionsmaske 20 übertrieben dargestellt, um die Funktionsweise des erfindungsgemäßen Maskenhalters besser zu verdeutlichen. Die derzeit erforderlichen Toleranzen von Maskensubstraten liegen unterhalb von 50 nm. Mit dem erfindungsgemäßen Maskenhalter können jedoch auch weitaus höhere Höhentoleranzen von bis zu beispielsweise 500 nm kompensiert werden. Dazu ist der erfindungsgemäße Maskenhalter vorzugsweise mit bis zu 1.000 Elektroden ausgestattet. 9 shows an enlarged view of the occurring distances between the mask base and the support surface, wherein for ease of representation of discrete measured values of the mask holder 10 in the embodiment according to 4 ie with support elements 16 is shown. Additionally are on the bottom of the electrodes 13 voltage connections 3 represented by which each electrode individually from the bottom of the mask holder 10 can be contacted individually electrically. The illustrated five support elements 16 have on their upper side in each case a bearing surface which at a constant distance D0 to the center under the respective support element 16 arranged electrode 13 is arranged. The tops of the support elements 16 are therefore not höhenbeweglich. The illustrated course of the mask underside of the reflection mask 20 however, it has a distance D from the electrodes 13 , which is partially larger due to manufacturing unevenness, creating a free gap d over most of the electrodes. In 9 lies the reflection mask 20 on the support element 16 directly on, whereas over the second support element from the left a gap d2 of 500 nm and over a further three support elements, a gap of 350, 50 and 450 nm remains. An adaptation to the most uniform possible distance from the electrodes takes place according to the invention by a suitable adjustment of the individual electrode potentials via the connection lines 3 to the reflection mask 20 deform so that the structured layer disposed on its top 21 as even as possible. In 9 The illustrated bumps are the top and bottom of the reflection mask 20 exaggerated to better illustrate the operation of the mask holder according to the invention. The currently required tolerances of mask substrates are below 50 nm. With the mask holder according to the invention, however, also much higher Hö tolerances of up to 500 nm, for example. For this purpose, the mask holder according to the invention is preferably equipped with up to 1,000 electrodes.

10 zeigt einen schematischen Ablauf eines erfindungsgemäßen Verfahrens. Gemäß 10 wird zunächst eine Reflexionsmaske 20 auf den erfindungsgemäßen Maskenhalter 10 aufgelegt, wobei die Maske in der Regel keine exakte plane Oberfläche 20a, sondern einen unebenen Oberflächenverlauf H aufweist, der Höhentoleranzen h von etwa 50 bis 500 nm aufweisen kann. Bei herkömmlichen Maskenhaltern dürfen die Höhentoleranzen höchstens 50 nm betragen. Bei dem erfindungsgemäßen Maskenhalter jedoch können Höhenschwankungen durch gezielt veränderbare Elektrodenpotentiale ausgeglichen werden. Hierzu wird zunächst der Höhenverlauf einer Oberfläche 20a der Reflexionsmaske 20 vermessen, beispielsweise mit Hilfe der interferometrischen Messeinrichtung 26 aus 7. Dabei wird ein zweidimensionales Höhenprofil erstellt, dessen Messpunkte den lateralen Positionen der Elektroden 13 des Maskenhalters 10 entsprechen. Über diesen Messpunkten besitzt die Oberfläche 20a Höhenpositionen, die nach oben oder unten korrigiert werden müssen. Dazu werden die Elektrodenpotentiale Vxy so verändert, dass die lokal über der jeweiligen Elektrode 13 entstehende elektrostatische Anziehung zwischen der Elektrode und der in der leitfähigen Schicht 22 influenzierten Ladungsmenge die Höhenabweichung unmittelbar über der jeweiligen Elektrode ausgleicht. Nach dieser Korrektur wird die Vermessung der Maskenfläche wiederholt, vorzugsweise auch mehrfach, wobei nach jeder Vermessung eine weitere Feinkorrektur der Elektrodenpotentiale erfolgen kann. Dabei werden die elektrischen Vorspannungen der Elektroden jeweils individuell in Abhängigkeit von dem gemessenen Höhenverlauf verändert. 10 shows a schematic sequence of a method according to the invention. According to 10 first becomes a reflection mask 20 on the mask holder according to the invention 10 The mask usually does not have an exact plane surface 20a but has an uneven surface course H, which may have height tolerances h of about 50 to 500 nm. With conventional mask holders, the height tolerances must not exceed 50 nm. In the mask holder according to the invention, however, height fluctuations can be compensated by specifically variable electrode potentials. For this purpose, the height profile of a surface is first 20a the reflection mask 20 measured, for example, using the interferometric measuring device 26 out 7 , In this case, a two-dimensional height profile is created whose measuring points the lateral positions of the electrodes 13 of the mask holder 10 correspond. The surface has over these measuring points 20a Height positions that need to be corrected up or down. For this purpose, the electrode potentials Vxy are changed so that the locally above the respective electrode 13 resulting electrostatic attraction between the electrode and in the conductive layer 22 influenzierten amount of charge compensates for the height deviation immediately above the respective electrode. After this correction, the measurement of the mask surface is repeated, preferably also several times, after each measurement a further fine correction of the electrode potentials can take place. In this case, the electrical bias voltages of the electrodes are each changed individually as a function of the measured height profile.

Durch die lokale Veränderung der Stärke der elektrostatischen Chuck-Kräfte, die die Reflexionsmaske 20 an den Maskenhalter 10 ziehen, sind Masken mit größeren Toleranzen hinsichtlich der Oberflächenplanarität einsetzbar, ohne dass eine Erhöhung von Lagefehlern (in-plane-distortions) der Bildstrukturen auf den belichteten Halbleitersubstraten entsteht. Dies senkt die Kosten der Maskenfertigung.Due to the local change in the strength of the electrostatic chuck forces, the reflection mask 20 to the mask holder 10 masks can be used with larger tolerances with respect to the surface planarity, without causing an increase of in-plane-distortions of the image structures on the exposed semiconductor substrates. This lowers the cost of mask fabrication.

11: Ebenelevel
22: elektromagnetische Strahlungelectromagnetic radiation
33: Spannungsanschlussvoltage connection
55: Grundkörperbody
66: Unterseitebottom
1010: Maskenhaltermask holder
1111: Oberseitetop
1212: Anordnungarrangement
1313: Elektrodeelectrode
13a13a: erste Elektrodefirst electrode
13b13b: zweite Elektrodesecond electrode
13c13c: positiv vorspannbare Elektrodepositive preloadable electrode
13d13d: negativ vorspannbare Elektrodenegative preloadable electrode
1414: Spannungsquellevoltage source
1515: Maskensubstratmask substrate
1616: Stützelementsupport element
17a; 17b17a; 17b: Auflagefläche bearing surface
1919: induzierte Ladunginduced charge
2020: Reflexionsmaskereflection mask
20a, 20b20a, 20b: Oberfläche der Reflexionsmaske Surface of the reflection mask
2121: Maskenschichtmask layer
2222: elektrisch leitfähige Schichtelectrical conductive layer
2323: Maskenschreibermask writer
2424: lithografische Belichtungseinrichtunglithographic exposure means
2525: MaskenvermessungseinrichtungMask measuring device
2626: Messeinrichtungmeasuring device
2727: RückkopplungsschaltkreisFeedback circuit
dd: Zwischenraumgap
DD: Abstanddistance
D0D0: konstanter Abstandconstant distance
Ee: elektrisches Feldelectrical field
HH: Höhenverlaufheight profile
hH: Höhentoleranzenheight tolerances
ll: laterale Verschiebunglateral shift
nn: negativer Polnegative pole
pp: positiver Polpositive pole
RxyRxy: Vorspannungsreglerbias regulator
Vxyv xy: elektrische Vorspannungelectrical preload
V0V0: Referenzpotentialreference potential
VnVn: negative Vorspannungnegative preload
Vpvp: positive Vorspannungpositive preload
x, yx, y: laterale Positionlateral position
zz: Höhenpositionheight position

Claims

Mask holder ( 10 ) for holding a lithographic reflection mask ( 20 ), - wherein the mask holder ( 10 ) at least one bearing surface ( 17a ; 17b ) for applying a lithographic reflection mask ( 20 ) and electrically biasable electrodes ( 13 ), wherein the electrodes ( 13 ) using electrical bias voltages (Vxy) distances (D) between one on the mask holder ( 10 ) applied lithographic reflection mask ( 20 ) and the electrodes ( 13 ) by electrostatic attraction of the lithographic reflection mask ( 20 ) and where a plurality ( 12 ) of the electrodes ( 13 ) can each be connected to individually adjustable electrical bias voltages (Vxy) and by the individually adjustable electrical bias voltages (Vxy) height tolerances (h) one on the mask holder ( 10 ) lying lithographic reflection mask ( 20 ) compensated.

Mask holder according to claim 1, characterized in that each electrode ( 13 ) a eige NEN voltage connection ( 3 ), through which the respective electrode ( 13 ) is individually biased.

Mask holder according to claim 1 or 2, characterized in that the mask holder ( 10 ) a plurality of individually adjustable voltage sources ( 14 ), wherein in each case at a positive pole (p) a first electrode ( 13a ) and to a negative pole (n) a second electrode ( 13b ) connected.

A mask holder according to claim 3, characterized in that in each case a first electrode ( 13a ) and one immediately next to the first electrode ( 13a ) arranged second electrode ( 13b ) to the same voltage source ( 14 ) are connected.

Mask holder according to one of claims 1 to 4, characterized in that the electrodes ( 13 ) in the form of a pattern of alternating positively and negatively biased electrodes ( 13c . 13d ), each positively biasable electrode ( 13c ) each of four nearest negatively biasable electrodes ( 13d ) and any negatively biasable electrode ( 13d ) each of four nearest adjacent positively biasable electrodes ( 13c ) is surrounded.

Mask holder according to claim 1 or 2, characterized in that each electrode ( 13 ) is individually connected to its own bias regulator (Rxy).

A mask holder according to claim 6, characterized in that the electrical bias voltages (Vxy) of the electrodes ( 13 ) are each individually adjustable relative to a uniform reference potential (V0).

Mask holder according to one of claims 1 to 7, characterized in that the mask holder ( 10 ) a basic body ( 5 ) having.

Mask holder according to claim 8, characterized in that the electrodes ( 13 ) on a lower side ( 6 ) of the basic body ( 5 ) are arranged.

Mask holder according to one of claims 1 to 9, characterized in that the mask holder ( 10 ) a plurality of supporting elements ( 16 ), which consists of the basic body ( 5 protrude and each have their own support surface ( 17a ) for applying a lithographic mask ( 20 ) exhibit.

Mask holder according to claim 10, characterized in that the bearing surfaces ( 17a ) of the supporting elements ( 16 ) each at a constant distance (D0) from the electrodes ( 13 ) are arranged.

Mask holder according to claim 10 or 11, characterized in that centrally under each support element ( 16 ) exactly one electrode ( 13 ) is arranged.

Mask holder according to one of claims 10 to 12, characterized in that the support elements ( 16 ) consist of a dielectric material.

Mask holder according to one of claims 10 to 13, characterized in that the support elements ( 16 ) are formed pin-shaped.

Mask holder according to one of claims 1 to 9, characterized in that the bearing surface ( 17b ) an area of the basic body ( 5 ).

Using a mask holder ( 10 ) according to one of claims 1 to 15 for holding a lithographic reflection mask ( 20 ).

Use of a mask holder according to one of Claims 1 to 15 in a mask writer ( 23 ), in a lithographic exposure apparatus ( 24 ) or in a mask measuring device ( 25 ).

Arrangement with a mask holder ( 10 ) according to one of claims 1 to 15 and with a lithographic reflection mask ( 20 ), the lithographic reflection mask ( 20 ) an electrically conductive layer ( 22 ) having.

Arrangement according to claim 18, characterized in that the arrangement further comprises a measuring device ( 26 ) for measuring height tolerances (h) of a surface ( 20a ) of the reflection mask ( 20 ) having.

Arrangement according to claim 18 or 19, characterized in that the electrical bias voltages (Vxy) of the electrodes ( 13 ) by one with the measuring device ( 26 ) connected feedback circuit ( 27 ) are adjustable.

Method for arranging a lithographic reflection mask ( 20 ) on a mask holder ( 10 ), the at least one bearing surface ( 17a ; 17b ) for applying a lithographic reflection mask ( 20 ) and a plurality of electrically biasable electrodes ( 13 ), the method comprising the following steps: - applying the lithographic reflection mask ( 20 ) on the mask holder ( 10 ), - measuring height tolerances (h) of a surface ( 20a ) of the reflection mask resting on the mask holder ( 20 ) and - electrostatic attraction of the lithographic reflection mask ( 20 ) to the mask holder ( 10 ) by applying individually adjusted electrical Vor voltages (Vxy) to the electrodes ( 13 ).

A method according to claim 21, characterized in that the electrical bias voltages (Vxy) of the electrodes ( 13 ) depending on the measured height tolerances (h).

A method according to claim 21 or 22, characterized by the further step - again measuring height tolerances (h) of the surface ( 20a ) of the reflection mask ( 20 ) after the application of the bias voltages (Vxy) to the electrodes ( 13 ).

Method according to one of claims 21 to 23, characterized in that the height tolerances (h) of the surface ( 20a ) of the reflection mask ( 20 ) be measured interferometrically or capacitively.