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Die
Erfindung betrifft eine Eingangsschaltung für eine elektronische Schaltung,
insbesondere eine Eingangsschaltung für eine integrierte Schaltung,
wie beispielsweise eine integrierte Speicherschaltung.
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Digitale
integrierte Schaltungen, wie beispielsweise Speicherbausteine, kommunizieren
mit anderen integrierten Schaltungen über Signale auf Leitungen,
deren elektrisches Potential die Information enthält. Die
Signale sind beispielsweise Daten, Adress-, Takt- und/oder andere
Signale. Um die Signale zu empfangen und zu bewerten, sind in den
integrierten Schaltungen Eingangsschaltungen vorgesehen, die die
von außen
an die integrierte Schaltung angelegten Signale empfangen und bewerten.
Im allgemeinen wird das Potential des angelegten Signals mit einer
zweiten Spannung, die als Referenzspannung konstant oder gegenphasig
zum Eingangssignal sein kann, verglichen, um dem Ergebnis des Vergleichs
einen Zustandspegel zuordnen zu können. Eingangsschaltungen tragen
in großen
Maße zum Stromverbrauch
einer integrierten Schaltung bei, so dass es insbesondere bei stromverbrauchskritischen Anwendungen
wünschenswert
ist, den Stromverbrauch der Eingangsschaltungen einer integrierten Schaltung
zu reduzieren. Weiterhin ist es bei herkömmlichen Eingangsschaltungen
nicht möglich,
das Timingverhalten zum Erkennen von steigender und fallender Flanke
des Eingangssignals getrennt einzustellen.
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Aus
der Druckschrift
US
6,327,190 B1 ist eine Eingangsschaltung einer integrierten
Schaltung bekannt, bei der den Eingangssignalen zwei komplementäre Stromspiegel/Differenzverstärker-Eingangsbuffer
zugeordnet sind, die gleichzeitig aktiv sind, um die Eingangssignale
zu treiben.
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Es
ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Eingangsschaltung
zur Verfügung
zu stellen, mit der sich sowohl der Stromverbrauch reduzieren lässt, als
auch das Timingverhalten gezielter einzustellen ist.
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Diese
Aufgabe wird durch die Eingangsschaltung nach Anspruch 1 gelöst.
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Weitere
vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Eingangsschaltung
für eine elektronische
Schaltung zum Empfangen und Bewerten eines Eingangssignals und zum
Treiben des Eingangssignals an einen nachfolgenden Schaltkreis vorgesehen.
Die Eingangsschaltung weist eine erste Empfangsschaltung zum Empfangen
und zum Treiben des Eingangssignals mit einer ersten Stromaufnahme-Charakteristik
auf, wobei die Stromaufnahme der ersten Empfangsschaltung von dem
zu treibenden Eingangssignal abhängt.
Die Eingangsschaltung weist weiterhin eine zweite Empfangsschaltung
zum Empfangen und zum Treiben des Eingangssignals mit einer zweiten
Stromaufnahmecharakteristik auf, wobei die Stromaufnahme der zweiten
Empfangsschaltung von dem zu treibenden Eingangssignal abhängt. Die
erste und die zweite Empfangsschaltung sind jeweils getrennt voneinander
aktivierbar. Durch eine Steuerschaltung wird abhängig von der Stromaufnahme
der ersten und zweiten Empfangsschaltung bei dem zu treibenden Eingangssignal
entweder die erste Empfangsschaltung oder die zweite Empfangsschaltung
aktiviert.
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Dadurch,
dass die Empfangsschaltungen unterschiedliche Stromaufnahmecharakteristiken aufweisen,
kann die Empfangsschaltung mit der geringsten Stromaufnahme abhängig von
dem Eingangssignals ausgewählt
und die jeweils andere Empfangsschaltung deaktiviert werden. Da
das Treiben des anliegenden Eingangssignals eine unterschiedliche
Stromaufnahme der Empfangsschaltung beim Treiben einer logischen „1" und einer logischen „0" bewirkt, kann eine
Empfangsschaltung für
das Treiben eines niedrigen Signalpegels und eine andere Empfangsschaltung
für das
Treiben eines hohen Signalpegels ausgewählt werden, um die Stromaufnahme
zu optimieren.
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Gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform kann
die Steuerschaltung einen ersten Schalter aufweisen, um die erste
Empfangsschaltung zu schalten, und einen zweiten Schalter aufweisen,
um die zweite Empfangsschaltung zu schalten.
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Die
erste und/oder zweite Empfangsschaltung können jeweils eine Differenzverstärkerstufe und
einen Stromspiegel aufweisen, wobei die Differenzverstärkerstufe
einen Referenzspannungsanschluss und einen Eingangssignalanschluss
aufweist, um das Eingangssignal bezüglich einer angelegten Referenzspannung
zu bewerten. Die Differenzverstärkerstufe
der ersten Empfangsschaltung kann mit n-Kanal-Feldeffekttransistoren
und die Stromspiegelschaltung der ersten Empfangsschaltung mit p-Kanal-Feldeffekttransistoren
gebildet sein. Die Differenzverstärkerstufe der zweiten Empfangsschaltung
kann mit p-Kanal-Feldeffekttransistoren und
die Stromspiegelschaltung der zweiten Empfangsschaltung mit n-Kanal-Feldeffekttransistoren gebildet
sein.
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Vorzugsweise
ist die Differenzverstärkerstufe
der ersten Empfangsschaltung mit einem hohen Versorgungspotential
und die Stromspiegelschaltung der ersten Empfangsschaltung mit einem
niedrigen Versorgungspotential verbunden. Die Differenzverstärkerstufe
der zweiten Empfangsschaltung kann mit dem niedrigen Versorgungspotential
und die Stromspiegelschaltung der zweiten Empfangsschaltung mit
dem hohen Versorgungspotential verbunden sein.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform kann
der erste Schalter als n-Kanal-Feldeffekttransistor ausgebildet
sein, der zwischen dem niedrigen Versorgungspotential und der Differenzverstärkerstufe
der ersten Empfangsschaltung angeordnet ist. Entsprechend kann der
zweite Schalter als p-Kanal-Feldeffekttransistor ausgebildet sein,
der zwischen dem hohen Versorgungspotential und der Differenzverstärkerstufe
der zweiten Empfangsschaltung angeordnet ist.
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Insbesondere
wird der als erster Schalter ausgebildete n-Kanal-Feldeffekttransistor
und der als zweiter Schalter ausgebildete p-Kanal-Feldeffekttransistor
mit dem nicht invertierten getriebenen Eingangssignal, das von dem
Ausgang der Eingangsschaltung entnommen wird, gesteuert.
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Die
Steuerschaltung kann ein Verzögerungselement
aufweisen, um entweder die erste Empfangsschaltung oder die zweite
Empfangsschaltung nach einer vorbestimmten Verzögerungszeit, abhängig von
dem getriebenen Eingangssignal, zu aktivieren.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung kann die erste und/oder die zweite Empfangsschaltung
eine Treiberschaltung aufweisen, die abhängig von dem getriebenen Eingangssignal
inaktiv oder aktiv schaltbar ist.
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Die
jeweilige Treiberschaltung kann im inaktiven Zustand hochohmig geschaltet
werden.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum
Empfangen und Bewerten eines Eingangssignals und zum Treiben des
Eingangssignals an einen nachfolgenden Schaltkreis vorgesehen. Dabei
wird das Eingangssignal sowohl von einer ersten Empfangsschaltung
mit einer ersten Stromaufnahmecharakteristik, wobei die Stromaufnahme
der ersten Empfangsschaltung von dem zu treibenden Eingangssignal
abhängt,
als auch von einer zweiten Empfangsschaltung mit einer zweiten Stromaufnahmecharakteristik,
wobei die Stromaufnahme der zweiten Empfangsschaltung von dem zu
treibenden Eingangssignal abhängt,
empfangen. Die erste oder die zweite Empfangsschaltung wird abhängig von
dem getriebenen Eingangssignal aktiviert, während die jeweils andere Empfangsschaltung
deaktiviert wird.
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Beispielhafte
Ausführungsformen
werden nachfolgend in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es
zeigen:
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1a eine
Empfangsschaltung für
eine erste Ausführungsform
einer erfindungsgemäßen Eingangsschaltung
mit einem Differenzverstärker, der
n-Kanal-Feldeffekttransistoren
aufweist;
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1b eine
weitere Empfangsschaltung für eine
erfindungsgemäße Eingangsschaltung,
die einen Differenzverstärker
mit p-Kanal-Feldeffekttransistoren aufweist;
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2 ein
Diagramm für
eine Stromaufnahme der Empfangsschaltung nach 1a bei
Eingangsspannungen zwischen 0 und 1,8 V;
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3 ein
Blockschaltbild einer erfindungsgemäßen Eingangsschaltung gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform;
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4a eine
Empfangsschaltung nach 1a mit einer Treiberschaltung
zum Treiben des zu treibenden Eingangssignals;
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4b eine
Empfangsschaltung entsprechend 1b mit
einer aktivierbaren Treiberschaltung zum Treiben des zu treibenden
Eingangsignals, und
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5 zeigt
ein Timing-Diagramm zum Veranschaulichen des Aktivierens der jeweiligen
Empfangsschaltung in der Eingangsschaltung.
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In
den 1a und 1b sind
Empfangsschaltungen nach dem Stand der Technik dargestellt, die üblicherweise
als Eingangsschaltung verwendet werden. Die gezeigten Empfangsschal tungen
werden üblicherweise
in integrierten Schaltungen zum Empfangen von Eingangssignalen und
zum Bewerten der Eingangssignale eingesetzt. Beide Empfangsschaltungen
werden in einer erfindungsgemäßen Eingangsschaltung
verwendet, die weiter unten mit Bezug auf 3 beschrieben
wird. Nachfolgend wird der Aufbau und die Funktion der Eingangsschaltungen
anhand der in 1a dargestellten Eingangsschaltung
näher beschrieben.
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1a zeigt
eine erste Empfangsschaltung 1 zum Empfangen und zum Bewerten
des Eingangssignals. Die Empfangsschaltung 1 weist eine
Stromspiegelschaltung 3 auf, die einen Strom in einem Referenzstrompfad 4 in
einen Spiegelstrompfad 5 spiegelt. Die Stromspiegelschaltung 3 ist
mit einer Differenzverstärkerschaltung 6 gekoppelt,
die einen ersten n-Kanaltransistor 7 und
einen zweiten n-Kanaltransistor 8 aufweist. Der erste n-Kanaltransistor
ist in dem Referenzstrompfad angeordnet. Ein Steuereingang des ersten
n-Kanal-Feldeffekttransistors 7 ist mit
einer Referenzspannung VREF verbunden. Der zweite
n-Kanal-Feldeffekttransistor ist in dem Spiegelstrompfad 5 angeordnet,
und an dessen Steuereingang ist die Eingangsspannung angelegt. Die Source-Anschlüsse des
ersten und des zweiten n-Kanal-Feldeffekttransistors 7, 8 sind über einen
Widerstand 9 mit einem niedrigen Versorgungsspannungspotential
VSS verbunden.
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Die
Stromspiegelschaltung 3 ist mit einem ersten und einem
zweiten p-Kanal-Feldeffekttransistor in bekannter Weise aufgebaut,
wobei die Source-Anschlüsse
des ersten und des zweiten p-Kanal-Feldeffekttransistors 10, 11 mit
einem hohen Versorgungsspannungspotential VDD verbunden sind. Die
Gate-Anschlüsse der
p-Kanal-Feldeffektransistoren 10, 11 der Stromspiegelschaltung 3 sind
mit einem Drain-Anschluss des ersten p-Kanal-Feldeffektransistors 10 bzw.
des ersten n-Kanaltransistors 7 verbunden.
Auf diese Weise wird der Strom in dem Referenzstrompfad 4 in
den Spiegelstrompfad 5 gespiegelt.
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Abhängig von
dem an dem Gate-Eingang des zweiten n-Kanal-Feldeffekttransistors 8 angelegten
Eingangssignal kann ein entsprechend bewertetes Zwischensignal an
den Drain-Anschlüssen des zweiten
n-Kanal-Feldeffekttransistors 8 und des zweiten p-Kanal-Feldeffekttransistors 11 abgegriffen werden.
Das Zwischensignal wird an einen Eingang einer Treiberschaltung 12 angelegt,
die das zu treibende Eingangssignal an einen Ausgang der Eingangsschaltung 1 anlegt.
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Eine
alternative Aufbauweise einer Empfangsschaltung ist in 1b dargestellt.
Die Empfangsschaltung 21 umfasst in analoger Weise die Empfangsschaltung 1 nach 1a,
eine Stromspiegelschaltung 23 mit einem Referenzstrompfad 24 und
einem Spiegelstrompfad 25. Es ist weiterhin eine Differenzverstärkerschaltung 26 vorgesehen,
die einen ersten p-Kanal-Feldeffekttransistor 27 und
einen zweiten p-Kanal-Feldeffekttransistor 28 aufweist
und somit komplementär
zur Differenzverstärkerschaltung
der 1a ausgebildet ist. Die Source-Anschlüsse des
ersten und des zweiten p-Kanal-Feldeffekttransistors 27, 28 sind über einen
Widerstand 29 mit dem hohen Versorgungsspannungspotential VDD
verbunden.
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Die
Stromspiegelschaltung 23 weist einen ersten n-Kanal-Feldeffekttransistor 30 und
einen zweiten n-Kanal-Feldeffekttransistor 31 auf,
deren Source-Anschlüsse
mit dem niedrigen Versorgungsspannungspotential VSS verbunden sind.
Die Gate-Anschlüsse
des ersten und des zweiten n-Kanal-Feldeffekttransistors 30, 31 sind
mit den Drain-Anschlüssen
des ersten p-Kanal-Feldeffekttransistors 27 und des ersten
n-Kanal-Feldeffekttransistors 30 verbunden.
Das an dem zweiten p-Kanal-Feldeffekttransistor 28 angelegte
Eingangssignal wird in der Differenzverstärkerschaltung 26 bewertet und
das bewertete Eingangssignal an dem Ausgang der Empfangsschaltung
angelegt, der durch die Drain-Anschlüsse des zweiten p-Kanal-Feldeffekttransistors 28 und
des zweiten n-Kanal-Feldeffekttransistors 31 gebildet wird.
Ein Zwischensignal wird an einen Eingang einer Treiberschaltung 32 angelegt,
die das Zwischensignal invertiert und das getriebene Eingangssignal
an einen Ausgang der Empfangsschaltung 21 anlegt. An den
Gate-Anschluss des ersten p-Kanal-Feldeffekttransistors 27 wird
die Referenzspannung VREF angelegt.
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Man
erkennt, dass die Empfangsschaltungen 1, 21 nach 1a und 1b im
Wesentlichen analog zueinander mit jeweils komplementären Feldeffekttransistoren
aufgebaut sind. Die Stromaufnahme-Charakteristiken der beiden Empfangsschaltungen
weichen daher voneinander ab.
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In 2 ist
die Stromaufnahme-Charakteristik der Eingangsschaltung nach 1a dargestellt.
In dem oberen Diagramm ist für
eine beispielhafte Empfangsschaltung, die entsprechend der 1a aufgebaut
ist und an die eine Referenzspannung von 0,9 V angelegt ist, ein
Spannungsverlauf der Ausgangsspannung dargestellt, der sich aus
einer zwischen 0 und 1,8 V bewegenden Eingangsspannung ergibt. In dem
unteren Diagramm ist entsprechend die Stromaufnahme an den Versorgungsspannungsanschlüssen dargestellt,
die sich aus dem anliegenden Eingangssignal bzw. aus dem ausgegebenen
Ausgangssignal ergibt. Man erkennt, dass bei verschiedenen Zuständen des
Ausgangssignalpegels sich unterschiedliche Stromaufnahmen der Empfangsschaltung
ergeben. Während
bei Anliegen eines Eingangssignals mit einem niedrigen Zustandspegel eine
Stromaufnahme von etwa 92 μA
ergibt, steigt diese Stromaufnahme auf etwa 133 μA an, wenn ein hoher Zustandspegel
ausgegeben werden soll. In Anbetracht der Tatsache, dass eine integrierte
Schaltung in der Regel eine große
Anzahl von Empfangsschaltungen dieser oder vergleichbarer Art aufweist, ergibt
sich eine nicht unerhebliche Stromaufnahme, die abhängig ist
von den anliegenden Empfangssignalen. Der Stromverlauf als Funktion
der Eingangsspannung ist bei der weiteren Eingangsschaltung, die
in 1b gezeigt ist, entsprechend umgekehrt, so dass
bei Ausgabe eines niedrigen Zustandspotentials ein hoher Versorgungsstrom
und bei Ausgabe eines hohen Zustandspotentials ein niedriger Versorgungsstrom
fließt.
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In 3 ist
ein Blockschaltbild einer erfindungsgemäßen Eingangsschaltung 40 dargestellt. Die
erfindungsgemäße Eingangsschaltung 40 weist zwei
zueinander komplementäre
Empfangsschaltungen auf, die eine unterschiedliche Stromaufnahme-Charakteristik
aufweisen. Z.B. kann die in 1a dargestellte
Empfangsschaltung 1 und die in 1b dargestellte
Empfangsschaltung 21 verwendet werden, da diese eine zueinander
komplementäre Stromaufnahme-Charakteristik
aufweisen. Die in 3 gezeigte Eingangsschaltung 40 weist
also eine erste Empfangsschaltung 41 mit einer ersten Stromaufnahme-Charakteristik und
eine zweite Empfangsschaltung 42 mit einer zweiten Stromaufnahme-Charakteristik
auf. Beide der Empfangsschaltungen 41, 42 erhalten
dieselbe Referenzspannung VREF, bezüglich der
das anliegende Eingangssignal bewertet wird.
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Das
Eingangssignal wird ebenfalls an beide Empfangsschaltungen 41, 42 angelegt.
Die erste und zweite Empfangsschaltung 41, 42 sind über einen ersten
Schalter 43 bzw. einen zweiten Schalter 44 so mit
der Versorgungsspannung verbunden, dass diese ein- oder ausgeschaltet
werden können.
Der erste und zweite Schalter 43, 44 werden so
angesteuert, dass nur entweder die erste Empfangsschaltung 41 oder
die zweite Empfangsschaltung 42 mit der Versorgungsspannung
verbunden sind, so dass jeweils einer arbeiten kann. Der erste Schalter
und zweite Schalter 43, 44 sind vorzugsweise als
Feldeffekttransistoren ausgebildet, die zueinander komplementär sind.
So ist der erste Schalter als n-Kanal-Feldeffekttransistor und der
zweite Schalter 44 als p-Kanal-Feldeffekttransistor ausgebildet.
An die jeweiligen Gate-Anschlüsse
der Feldeffekttransistoren 43, 44 wird ein verzögertes getriebenes
Empfangssignal angelegt, das an einem Ausgang der Eingangsschaltung 40 entnommen
wird. Durch die komplementäre Ausgestaltung
des ersten und zweiten Schalters 43, 44 wird dadurch
immer nur jeweils einer der beiden als Feldeffekttransistoren aus gebildeten
Schalter 43, 44 durchgeschaltet, während der
andere gesperrt ist. Somit ist stets die Stromversorgung von einer
der Empfangsschaltungen 41, 42 unterbrochen.
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Der
erste und der zweite Schalter 43, 44 können auch
mit einem invertierten Ansteuersignal angesteuert werden. Es muss
lediglich die Funktion gewährleistet
sein, dass immer nur einer der beiden Schalter 43, 44 durchgeschaltet
ist, der diejenige Empfangsschaltung 41, 42 aktiviert,
die bei dem auszugebenden Eingangssignal den geringeren Versorgungsstrom
benötigt.
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Entspricht
die erste Empfangsschaltung der Eingangsschaltung nach 1a und
die zweite Empfangsschaltung 42 der Eingangsschaltung nach 1b,
so wird bei einem Zustandspotential des Eingangssignals, das größer ist
als die Referenzspannung die zweite Empfangsschaltung aktiviert
und die erste Empfangsschaltung deaktiviert. Liegt am Eingang IN
ein Zustandspotential an, das kleiner ist als die Referenzspannung,
so wird die erste Empfangsschaltung 41 aktiviert, während die
zweite Empfangsschaltung 42 deaktiviert wird. Das Schalten
des ersten und zweiten Schalters 43, 44 wird verzögert durchgeführt. Dazu
ist ein Verzögerungselement 45 vorgesehen,
welches das getriebene Eingangssignal an dem Ausgang OUT der Eingangsschaltung 40 empfängt und
dieses Signal verzögert
als Ansteuersignal für
den ersten und zweiten Schalter 43, 44 zur Verfügung stellt.
Die Verzögerungsschaltung 45 kann das
Ansteuersignal sowohl invertiert als auch nicht invertiert zur Verfügung stellen,
so dass eine Realisierung des ersten und zweiten Schalters 43, 44 jeweils
sowohl mit n-Kanal-Feldeffekttransistoren als auch mit p-Kanal-Feldeffekttransistoren
realisiert werden kann. Auch die Verwendung anderer Bauelemente
als Schalter ist möglich.
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Die
Empfangsschaltungen 41, 42 sind mit ihren Ausgängen miteinander
verbunden, die den Ausgang der Eingangsschaltung 40 darstellen.
Damit beim Treiben des empfangenen Eingangssig nals kein Strom durch
die jeweils deaktivierte Empfangsschaltung abfließen kann,
weisen die Empfangsschaltungen 41, 42 jeweils
Treiberschaltungen auf, die so deaktivierbar sind, dass der jeweilige
Ausgang der Empfangsschaltung 41, 42 beim Deaktivieren hochohmig
geschaltet wird. Sowohl die erste als auch die zweite Empfangsschaltung 41, 42 weisen daher
Treiberschaltungen auf, die z.B. in Form eines geschalteten Inverters
ausgebildet sind. Ein geschalteter Inverter weist zwei p-Kanal-Feldeffekttransistoren
und zwei n-Kanal-Feldeffekttransistoren,
die in Reihe zwischen dem hohen Versorgungspotential und dem niedrigen
Versorgungspotential geschaltet sind, auf. Einer der p-Kanal-Feldeffekttransistoren wird
mit einem invertierten Ansteuersignal und einer der n-Kanal-Feldeffekttransistoren
mit einem nicht invertierten Ansteuersignal angesteuert, so dass
die Treiberschaltung deaktiviert wird, wenn die gesamte Empfangsschaltung
deaktiviert wird. Auf diese Weise ist es möglich, den Ausgang der jeweiligen
Empfangsschaltung beim Deaktivieren auch hochohmig zu schalten,
ohne dass z.B. durch Floaten von nicht mit einem festen Potential
verbundenen Schaltungsteilen ein Strompfad zur hohen bzw. zur niedrigen Versorgungspotential
entstehen kann.
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In 4a ist
eine solche Schaltung für
die Eingangsschaltung nach 1a beispielhaft
dargestellt. Aus 4b lässt sich analog die komplementäre Schaltung
entsprechend der Eingangsschaltung nach 1b entnehmen.
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In 5 ist
der zeitliche Ablauf der Aktivierung der verschiedenen Empfangsschaltungen
der Eingangsschaltung dargestellt. Durch das Auftrennen der Eingangsschaltung
in einen Teil, der die Low-High-Flanke des Eingangssignals detektiert
und einen der die High-Low-Flanke des Eingangssignals detektiert,
können
die Timing-Eigenschaften der Eingangsschaltung getrennt voneinander
eingestellt werden. Aus 5 ist zu entnehmen, dass nach
einer Verzögerungszeit
nach einem Zustandswechsel des getriebenen Eingangssignals auch
die Emp fangsschaltung, die das angelegte Eingangssignal interpretiert
und bewertet, gewechselt wird, und somit die Stromaufnahme der gesamten
Eingangsschaltung reduziert wird, indem die Empfangsschaltung ausgewählt wird,
die die niedrigere Stromaufnahme aufweist.
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- 1
- Empfangsschaltung
- 3
- Stromspiegelschaltung
- 4
- Referenzstrompfad
- 5
- Spiegelstrompfad
- 7
- erster
n-Kanalfeldeffekttransistor
- 8
- zweiter
n-Kanalfeldeffekttransistor
- 9
- Widerstand
- 10
- erster
p-Kanalfeldeffekttransistor
- 11
- zweiter
p-Kanalfeldeffekttransistor
- 12
- Treiberschaltung
- 21
- weitere
Empfangsschaltung
- 23
- Stromspiegelschaltung
- 24
- Referenzstrompfad
- 25
- Spiegelstrompfad
- 26
- Differenzverstärkerschaltung
- 27
- erster
p-Kanalfeldeffekttransistor
- 28
- zweiter
p-Kanalfeldeffekttransistor
- 29
- Widerstand
- 30
- erster
n-Kanalfeldeffekttransistor
- 31
- zweiter
n-Kanalfeldeffekttransistor
- 32
- Treiberschaltung
- VREF
- Referenzspannung
- VDD
- hohes
Versorgungspotential
- VSS
- niedriges
Versorgungspotential
- 40
- Einganqsschaltunq
- 41
- erste
Empfangsschaltung
- 42
- zweite
Empfangsschaltung
- 43
- erster
Schalter
- 44
- zweiter
Schalter
- 45
- Verzögerungselement