DE102004014179A1

DE102004014179A1 - Polierkissen, Auflageplatte, Überwachungsverfahren, Herstellungsverfahren und Verfahren zum Detektieren

Info

Publication number: DE102004014179A1
Application number: DE102004014179A
Authority: DE
Inventors: Young-Sam Lim; Kyoung-Moon Gwangmyeong Kang; Dong-Jun Lee; Nam-Soo Suwon Kim; Sung-Taek Suwon Moon; Jae-Hyun So
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2003-06-16
Filing date: 2004-03-23
Publication date: 2005-01-13
Anticipated expiration: 2024-03-24
Also published as: JP2005012182A; US20090029630A1; US7229337B2; JP2012039140A; KR100541545B1; US20040253910A1; KR20040108008A; US7662022B2; US20070212980A1; US7442111B2; DE102004014179B4

Abstract

Es sind ein Polierkissen, eine Auflageplatte, ein Verfahren zum Überwachen, ein Herstellungsverfahren und ein Verfahren zum Detektieren unter Verwendung eines Pseudofensterbereiches offenbart, wobei der Pseudofensterbereich eine Dicke aufweist, die geringer ist als eine Dicke einer Polierschicht, und eine Dicke aufweist, die größer ist als Null.

Description

QUERVERWEIS AUF EINE BEZUGSANMELDUNG
Die vorliegende Erfindung Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 2003-38740, eingereicht am 16. Juni 2003, an das Koreanische Intellectual Property Office, deren Inhalte hier unter Bezugnahme in vollem Umfang mit einbezogen werden.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Polierkissen, wie beispielsweise chemisch-mechanische Polierkissen (CMP), werden weit verbreitet auf dem Gebiet der Halbleiterherstellung verwendet, um vielfältige Typen von Schichten, wie beispielsweise Oxidschichten; Nitridschichten, Metallschichten usw., horizontal zu ebnen. Bei einer herkömmlichen Anordnung ist ein CMP-Kissen mit einem Loch H ausgestattet. Ein Einspannfutter, welches einen zu planarisierenden Wafer festhält, wird in Berührung mit dem CMP-Kissen plaziert, welches in dem Loch H enthalten ist. Es wird dem Polierkissen eine Aufschlämmung zugeführt, um den CMP-Prozeß zu vereinfachen, und es wird eine Lichtreflexionsmeßeinheit dafür verwendet, um zu bestimmen, wann der Wafer in ausreichender Weise planiert bzw. geebnet worden ist. Der Endpunkt des Polierprozesses wird mit Hilfe der Lichtreflexionsmeßeinheit bestimmt, indem das Licht gemessen wird, welches durch das Loch oder Fenster H hindurch reflektiert wird. Jedoch reduziert die Möglichkeit, daß die Aufschlämmung durch das Loch in dem CMP-Kissen hindurchfällt, die Genauigkeit der Messungen, die mit Hilfe der Lichtreflexionsmeßeinheit vorgenommen werden.

Bei einer anderen herkömmlichen Vorrichtung enthält das CMP-Kissen kein Loch. Bei solch einer Anordnung kann der Fortschritt des Poliervorganges nicht an Ort und Stelle überwacht werden und es wird eine Herstellungsverzögerung eingeführt, wenn der Wafer aus dem CMP-Prozeß entfernt werden muß, um den Fortschritt des Poliervorganges zu überprüfen. Bei solch einem System kann der Endpunkt des Polierprozesses unter Verwendung einer voreingestellten Zeitsteuerperiode bestimmt werden. Jedoch sind solche Systeme inhärent ungenau.

Bei noch einer anderen herkömmlichen Vorrichtung ist ein Kissenfenster in das Loch eines oberen Polierkissens eingefügt. Das Kissenfenster ist aus einem transparenten Material hergestellt, welches die Möglichkeit schafft, daß ein Laserstrahl hindurch übertragen werden kann. Jedoch sackt bei der herkömmlichen Vorrichtung das Kissenfenster nach unten hin ab und/oder es tritt ein Zwischenschichtspalt zwischen dem oberen Polierkissen und dem Fenster auf, und zwar auf Grund des mechanischen Polierdruckes. Als ein Ergebnis kann sich die Aufschlämmung auf der oberen Oberfläche des eingesackten Kissenfensters ansammeln oder die Aufschlämmung kann durch die Spalte in der Seite hindurch sickern. Jede dieser Ursachen bewirkt ein Streuen des Laserstrahls und verschlechtert die Übertragung.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Gemäß den als Beispiele gewählten Ausführungsformen betrifft die vorliegende Erfindung ein chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) für eine Überwachung an Ort und Stelle, welches eine Polierschicht enthält mit einem Pseudo-Fensterbereich, wobei der Pseudo-Fensterbereich eine Dicke aufweist, die geringer ist als eine Dicke der Polierschicht, und eine Dicke besitzt, die größer ist als Null.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen betrifft die vorliegende Erfindung ein chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) für eine Überwachung an Ort und Stelle, welches eine Polierschicht aufweist, die eine Ausnehmungszone besitzt, wodurch ein Pseudofensterbereich gebildet wird, und zwar benachbart zu der Ausnehmungszone.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen befaßt sich die vorliegende Erfindung mit einem chemisch-mechanischen Polierkissen (CMP) für eine Überwachung an Ort und Stelle, welches eine Polierschicht aufweist, die eine transparente Abstützschicht enthält, wodurch ein Pseudofensterbereich gebildet wird, und zwar benachbart der transparenten Abstützschicht.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen betrifft die vorliegende Erfindung eine chemisch-mechanische Polierauflageplatte (CMP) für eine Überwachung an Ort und Stelle, mit einer Plattenschicht mit einem Plattenfenster, wobei das Plattenfenster innerhalb der Plattenschicht als Ausnehmung oder rückspringend ausgebildet ist.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen besteht die vorliegende Erfindung aus einer chemisch-mechanischen Polierplatte (CMP) für eine Überwachung an Ort und Stelle, die eine Plattenschicht mit einem Plattenfenster enthält, wobei das Plattenfenster höher vorspringt als eine Höhe der Plattenschicht.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen wird gemäß der vorliegenden Erfindung auch ein Verfahren zur Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle geschaffen, welcher Prozeß den Schritt umfaßt gemäß Vorsehen eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) auf einer Auflageplatte, wobei das chemisch-mechanische Polierkissen (CMP) eine Polierschicht und einen Pseudofensterbereich enthält, wobei der Pseudofensterbereich eine Dicke besitzt, die geringer ist als eine Dicke der Polierschicht, und eine Dicke besitzt, die größer ist als Null, und wobei ein Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den chemisch-mechanischen Polierprozeß (CMP) zu steuern.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Überwachen eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle realisiert, welches den Schritt umfaßt gemäß Vorsehen eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) auf einer Auflageplatte, wobei das chemisch-mechanische Polierkissen (CMP) eine Polierschicht enthält mit einer rückspringenden Zone oder Ausnehmungszone, wodurch ein Pseudofensterbereich benachbart der rückspringenden Zone oder Ausnehmungszone gebildet wird, wobei der Pseudofensterbereich eine Dicke besitzt, die kleiner ist als eine Dicke der Polierschicht, und auch eine Dicke besitzt, die größer ist als Null, und wobei ein Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurch geschickt wird, um den chemisch-mechanischen Polierprozeß (CMP) zu steuern.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen befaßt sich die vorliegende Erfindung auch mit einem Verfahren zum Überwachen eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, welches den Schritt umfaßt gemäß Vorsehen eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) auf einer Auflageplatte, wobei das chemisch-mechanische Polierkissen (CMP) eine Polierschicht und eine transparente Abstützschicht enthält, wodurch ein Pseudofensterbereich der transparenten Abstützschicht gebildet wird und Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den chemisch-mechanischen Polierprozeß (CMP) zu steuern.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen befaßt sich die vorliegende Erfindung mit einem Verfahren zum Überwachen eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, welches den Schritt umfaßt gemäß Vorsehen eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) auf einer Auflageplatte, wobei das chemisch-mechanische Polierkissen (CMP) eine Polierschicht und einen Pseudofensterbereich aufweist und wobei die Auflageplatte eine Plattenschicht und ein Plattenfenster enthält, so daß das Plattenfenster höher vorragt als eine Höhe der Plattenschicht beträgt, und wobei Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den chemisch-mechanischen Polierprozeß (CMP) zu steuern.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen befaßt sich die vorliegende Erfindung auch mit einem Verfahren zur Herstellung eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) für eine Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, welches eine Polierschicht aufweist, und wobei in der Po lierschicht ein Pseudofensterbereich ausgebildet wird, der Pseudofensterbereich eine Dicke besitzt, die kleiner ist als eine Dicke der Polierschicht, und eine Dicke besitzt, die größer ist als Null.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen befaßt sich die vorliegende Erfindung auch mit einem Verfahren zur Herstellung eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) für eine Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, welches den Schritt umfaßt gemäß Vorsehen einer Polierschicht und Ausbilden einer Ausnehmungszone in der Polierschicht, um dadurch einen Pseudofensterbereich benachbart der Ausnehmungszone auszubilden.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen ist die vorliegende Erfindung durch ein Verfahren zur Herstellung eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) für eine Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle gekennzeichnet, welches Verfahren einen Schritt umfaßt gemäß Vorsehen einer Polierschicht, Ausbilden einer Ausnehmungszone in der Polierschicht und Anordnen einer transparenten Abstützschicht in der Ausnehmungszone, wodurch ein Pseudofensterbereich benachbart der transparenten Abstützschicht ausgebildet wird.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen besteht die vorliegende Erfindung auch aus einem Verfahren zur Herstellung einer Auflageplatte zur Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, welches Verfahren einen Schritt gemäß Vorsehen einer Auflageplattenschicht enthält, ferner Ausbilden eines Loches in der Auflageplattenschicht und Anordnen eines Auflageplattenfensters in dem Loch, wobei das Auflageplattenfenster höher vorspringt als eine Höhe der Auflageplattenschicht beträgt.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen ist die vorliegende Erfindung auch durch ein Verfahren zum Detektieren eines Endpunktes an Ort und Stelle gekennzeichnet, welches den Schritt umfaßt gemäß Vorsehen eines Kissens auf einer Auflageplatte, wobei das Kissen eine Polierschicht und einen Pseudofensterbereich enthält, wo bei der Pseudofensterbereich eine Dicke besitzt, die kleiner ist als eine Dicke der Polierschicht, und eine Dicke aufweist, die größer ist als Null, und wobei Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den Endpunkt zu detektieren.

Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen befaßt sich die vorliegende Erfindung ferner mit einem Verfahren zum Detektieren eines Endpunktes an Ort und Stelle, welches den Schritt umfaßt gemäß Vorsehen eines Kissens auf einer Auflageplatte, wobei das Kissen eine Polierschicht enthält, in der eine Ausnehmungszone ausgebildet ist, wodurch ein Pseudofensterbereich benachbart der Ausnehmungszone gebildet wird, der Pseudofensterbereich eine Dicke besitzt, die kleiner ist als eine Dicke der Polierschicht, und eine Dicke aufweist, die größer ist als Null, und wobei Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den Endpunkt zu detektieren.

Bei den beispielhaften Ausführungsformen besteht die vorliegende Erfindung auch aus einem Verfahren zum Detektieren eines Endpunktes an Ort und Stelle, welches den Schritt umfaßt gemäß Vorsehen eines Kissens auf einer Auflageplatte, wobei das Kissen eine Polierschicht und eine transparente Abstützschicht enthält, wodurch ein Pseudofensterbereich benachbart der transparenten Abstützschicht gebildet wird, und wobei Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den Endpunkt zu detektieren.

Bei den beispielhaften Ausführungsformen besteht die vorliegende Erfindung auch aus einem Verfahren zum Detektieren eines Endpunktes an Ort und Stelle, welches den Schritt umfaßt gemäß Vorsehen eines Kissens auf einer Auflageplatte, wobei das Kissen eine Polierschicht und einen Pseudofensterbereich enthält, und wobei die Auflageplatte eine Auflageplattenschicht und ein Auflageplattenfenster enthält, wobei das Auflageplattenfenster höher vorspringt als die Höhe der Auflageplattenschicht, und wobei Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den Endpunkt zu detektieren.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die vorliegende Erfindung kann vollständiger anhand der folgenden detaillierten Beschreibung und der beigefügten Zeichnungen verstanden werden, die lediglich zum Zwecke der Veranschaulichung dienen, so daß die Erfindung dadurch nicht eingeschränkt wird.
1 veranschaulicht einen Poliertisch gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
2 veranschaulicht einen Poliertisch gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
3 veranschaulicht einen Poliertisch gemäß einer noch anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
4 veranschaulicht einen Poliertisch gemäß einer noch anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
5 veranschaulicht einen Poliertisch gemäß einer noch weiteren als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
6 zeigt ein Verfahren zum Überwachen eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle gemäß einer anderen als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
7 veranschaulicht ein Verfahren zur Herstellung eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) für eine Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle gemäß einer noch anderen als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
8 veranschaulicht ein Verfahren zur Herstellung einer Auflageplatte für die Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle gemäß einer noch anderen als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
9 veranschaulicht ein Verfahren zum Detektieren eines Endpunktes an Ort und Stelle gemäß einer noch anderen als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ALS BEISPIEL GEWÄHLTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
1 veranschaulicht einen Poliertisch 4a gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie dargestellt ist, enthält der Poliertisch 4a eine Auflageplatte 1 und ein Polierkissen 3. Das Polierkissen 3 enthält einen örtlichen Fensterbereich 3a, der halb durchscheinend ist. Die Auflageplatte 1 kann ein Auflageplattenfenster 1a enthalten. Die Geometrien der Auflageplatte 1 und des Polierkissens 3, die in 1 gezeigt sind, bilden ein Loch H und eine Leerstelle V. Die Leerstelle V (void) kann mit Luft oder irgendeinem Gas gefüllt sein. Wie in 1 dargestellt ist, enthält das Polierkissen 3 kein Durchgangsloch. Die obere Oberfläche der Auflageplatte 1 und eine gestufte Bodenfläche des Polierkissens 3 definieren die Leerstelle V. Bei einer als Beispiel gewählten Ausführungsform besteht das Polierkissen 3 aus syndiotaktischem 1,2-Polybutadien, Polyurethan oder Polybutadien (PBD), die halb lichtdurchlässige Materialien darstellen. Bei einer als Beispiel gewählten Ausführungsform besitzt der örtliche Fensterbereich 3a eine Dicke in dem Bereich zwischen 1,0 mm und 2,0 mm oder 1,5 mm und 2,0 mm, um eine Lichtübertragung zuzulassen.
Bei einer als Beispiel gewählten Ausführungsform besteht die Auflageplatte 1 aus einem Metallmaterial, wie beispielsweise rostfreiem Stahl. Wie in 1 veranschaulicht ist, befindet sich die obere Oberfläche des Auflageplattenfensters 1a auf der glei chen oder im wesentlichen der gleichen Ebene wie die obere Oberfläche der Auflageplatte 1. Bei einer als Beispiel gewählten Ausführungsform besteht das Auflageplattenfenster 1a aus einem transparenten Material, wie beispielsweise Polycarbonat, Polyethylenterephthalatglykol, Polypropylen, 2-Arylglykolcarbonat, Quarz oder Glas. Bei einer beispielhaften Ausführungsform ist die Leerstelle V über dem Loch H der Auflageplatte 1 positioniert. Bei einer als Beispiel gewählten Ausführungsform ist die Leerstelle V durch eine Ausnehmungszone zwischen dem Pseudofenster 3a und dem Auflageplattenfenster 1a gebildet.
2 veranschaulicht eine andere als Beispiel gewählte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie in 2 dargestellt ist, enthält der Poliertisch 4b eine Auflageplatte 51 und ein Polierkissen 53. Bei der beispielhaften Ausführungsform, die in 2 veranschaulicht ist, sind die Auflageplatte 51 und das Polierkissen 53 im wesentlichen gleich der Auflageplatte 1 bzw. dem Polierkissen 3 von 1; jedoch liegt bei der als Beispiel gewählten Ausführungsform von 2 die obere Oberflächenebene bzw. Niveau des Auflageplattenfensters 51a über dem oberen Niveau bzw. Höhe der Auflageplatte 51. Bei der als Beispiel gewählten Ausführungsform kann diese Konfiguration für eine einfachere Selbstausrichtung beitragen.
Bei der als Beispiel gewählten Ausführungsform liegt das obere Oberflächenniveau des Auflageplattenfensters 51a ausreichend höher über dem oberen Niveau der Auflageplatte 51, so daß keine Leerstelle V gebildet wird. Bei der als Beispiel gewählten Ausführungsform ist die Leerstelle V' in 2 kleiner als die Leerstelle V von 1, und zwar auf Grund der Tatsache, daß das obere Oberflächenniveau bzw. -höhe des Auflageplattenfensters 51a über der Höhe des oberen Niveaus der Auflageplatte 51 liegt. Bei der als Beispiel gewählten Ausführungsform ragt das Auflageplattenfenster 51a von der Auflageplatte 51 in einer Richtung vor, die dichter bei dem Polierkissen liegt, so daß dadurch die Größe der Leerstelle V' reduziert wird oder diese Leerstelle vollständig eliminiert wird.
3 veranschaulicht eine weitere als Beispiel gewählte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie in 3 dargestellt ist, enthält der Poliertisch 4c eine Auflageplatte 61 und ein Polierkissen 63. Bei der als Beispiel in 3 gezeigten Ausführungsform besitzt das Polierkissen 63 im wesentlichen die gleiche Konfiguration wie diejenige des Polierkissens 3 von 1; es ist jedoch eine transparente Abstützschicht 63b in die Ausnehmungszone des Polierkissens 63 eingefügt. Bei einer beispielhaften Ausführungsform unterstützt die transparente Abstützschicht 63b zu verhindern, daß der Pseudofensterbereich 63a verformt wird, und zwar auf Grund des mechanischen Druckes durch ein Wafereinspannfutter. Bei einer als Beispiel gewählten Ausführungsform ist die transparente Abstützschicht 63b aus dem gleichen Material hergestellt wie dasjenige des Auflageplattenfensters 61.
Bei einer anderen als Beispiel gewählten Ausführungsform, die in 4 veranschaulicht ist, enthält ein Poliertisch 4d eine Auflageplatte 61 und ein Polierkissen 63. Wie in 4 veranschaulicht ist, ragt das Auflageplattenfenster 62a von der Auflageplatte 61 vor (so wie dies in 2 gezeigt ist, und es ist eine Transporthauptstützschicht 64a zwischen dem örtlichen Fensterbereich und dem Auflageplattenfenster 62a zwischengefügt, wie dies in 3 gezeigt ist).
Bei einer anderen beispielhaften Ausführungsformn, die in 5 veranschaulicht ist, ragt eine transparente Abstützschicht 64b von einer Bodenfläche eines Polierkissens 63 vor und deren Vorsprung ist in das Auflageplattenfenster 62b der Auflageplatte 61 eingeführt.
Bei anderen beispielhaften Ausführungsformen können vielfältige Kissen- und Auflageplattenmerkmale der vorliegenden Erfindung, wie sie in den 1 bis 5 veranschaulicht sind, verwendet werden, und zwar entweder einzeln oder in irgendeiner Kombination.
Bei beispielhaften Ausführungsformen können vielfältige Kissen- und Auflageplattenmerkmale der vorliegenden Erfindung, wie sie in den 1 bis 5 veranschaulicht sind, bei einem örtlichen Endpunktdetektionssystem (EPD) verwendet werden; solch ein beispielhaftes optisches System ist in dem US-Patent 5,433,651 veranschaulicht.
6 veranschaulicht ein Verfahren zur Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie dargestellt ist, umfaßt das Flussdiagramm von 6 einen Schritt 60, bei dem ein Kissen mit einem Pseudofensterbereich vorgesehen wird, und einen Schritt 62, gemäß welchem Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den chemisch-mechanischen Polierprozeß (CMP) zu steuern.
7 veranschaulicht ein Verfahren zur Herstellung eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) für eine Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle gemäß einer anderen als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie dargestellt ist, umfaßt das Flußdiagramm von 7 einen Schritt 70, bei dem eine Polierschicht vorgesehen wird, und einen Schritt 72, bei dem ein Pseudofensterbereich in der Polierschicht ausgebildet wird.
Bei einer als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Plierschicht durch einen der Vorgänge gemäß einem Formungsvorgang, Extrudievorgang oder Schleifvorgang gebildet,
8 veranschaulicht ein Verfahren zur Herstellung einer Auflageplatte für die Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle gemäß einer anderen als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie dargestellt ist, umfaßt das Flußdiagramm von 8 einen Schritt 80, bei dem eine Auflageplattenschicht vorgesehen ist, einen Schritt 82, bei dem ein Loch in der Auflageplattenschicht ausgebildet wird, und einen Schritt 84, bei dem ein Auflageplattenfenster in dem Loch angeordnet wird, wobei das Auflageplattenfenster höher vorspringt als eine Höhe der Auflageplattenschicht beträgt.
9 veranschaulicht ein Verfahren zum Detektieren eines Endpunktes an Ort und Stelle gemäß einer anderen als Beispiel gewählten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie veranschaulicht ist, enthält das Flußdiagramm von 9 einen Schritt 90, bei dem ein Kissen mit einem Pseudofensterbereich vorgesehen wird, und einen Schritt 92, bei dem Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den Endpunkt zu detektieren.
Wie oben beschrieben wurde, können bei anderen beispielhaften Ausführungsformen die vielfältigen Kissen- und Auflageplattenmerkmale der vorliegenden Erfindung, wie sie in den 1 bis 5 veranschaulicht sind, entweder einzeln oder in irgendeiner Kombination bei irgendwelchen Ausführungsformen verwendet werden, die in den 6 bis 9 veranschaulicht sind.
Wie ebenso oben beschrieben wurde, können bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen die verschiedenen Überwachungs-, Herstellungs- und/oder Detektionsmerkmale der vorliegenden Erfindung, wie sie in den 6 bis 9 veranschaulicht sind, für ein Endpunktdetektionssystem (EPD), welches an Ort und Stelle vorgesehen ist, verwendet werden; solch ein Beispiel für ein optisches System ist in dem US-Patent 5,433,651 veranschaulicht.
Bei den als Beispiel gewählten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wurde das Kissen als ein CMP-Kissen oder -Polster beschrieben, es können jedoch die als Beispiel gezeigten Kissen, die hier offenbart sind, auch für andere Typen eines Poliervorganges verwendet werden, wie dies für einen Fachmann möglich ist.
Bei der bis hierher beschriebenen Erfindung ist es offensichtlich, daß diese in vielfältiger Weise abgewandelt werden kann. Solche Abwandlungen müssen jedoch so betrachtet werden, daß sie nicht vom Rahmen der Erfindung abweichen, und alle solche Modifikationen, wie sie für Fachleute offensichtlich sind, fallen in den Rahmen der folgenden Ansprüche.

Claims

Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) für eine Überwachung an Ort und Stelle, mit: einer Polierschicht, die einen Pseudofensterbereich enthält, wobei der Pseudofensterbereich eine Dicke aufweist, die kleiner ist als eine Dicke der Polierschicht, und eine Dicke aufweist, die größer ist als Null.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 1, bei dem sich eine Ausnehmungszone benachbart dem Pseudofensterbereich befindet.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 1, ferner mit einer transparenten Abstützschicht benachbart dem Pseudofensterbereich.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) für eine Überwachung an Ort und Stelle, mit: einer Polierschicht mit einer Ausnehmungszone, durch die ein Pseudofensterbereich benachbart der Ausnehmungszone gebildet wird.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 4, bei dem der Pseudofensterbereich halb lichtdurchlässig ist.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 4, bei dem der Pseudofensterbereich 1,0-2,0 mm dick ist.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 4, bei dem die Polierschicht aus syndiotaktischem 1,2-Polybutadien, Polyurethan oder PBD hergestellt ist.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 4, bei dem die Polierschicht mit einer Auflageplatte eine Wechselwirkung aufweist.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 8, bei dem die Auflageplatte ein Auflageplattenfenster enthält, welches aus einem transparenten Material besteht.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 9, bei dem das transparente Material Polycarbonat, Polyethylenterephthalatglykol, Polypropylen, 2-Arylglykolcarbonat, Quarz oder Glas enthält.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 9, bei dem das Auflageplattenfenster mit der Auflageplatte fluchtet und die Ausnehmungszone zwischen der Auflageplatte und der Polierschicht schützt.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 9, bei dem das Auflageplattenfenster von der Auflageplatte vorragt, um die Ausnehmungszone zwischen der Auflageplatte und der Polierschicht zu reduzieren.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 9, bei dem das Auflageplattenfenster von der Auflageplatte vorragt, um die Ausnehmungszone zwischen der Auflageplatte und der Polierschicht zu füllen.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) für eine Überwachung an Ort und Stelle, mit: einer Polierschicht, die eine transparente Abstützschicht enthält, wodurch ein Pseudofensterbereich nahe der transparenten Abstützschicht gebildet wird.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 14, bei dem das Auflageplattenfenster mit einer Auflageplatte fluchtet und bei dem die transparente Abstützschicht mit der Polierschicht fluchtet bzw. eben abschließt.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 14, bei dem ein Auflageplattenfenster von einer Auflageplatte vorspringt und bei dem die transparente Abstützschicht von der Polierschicht zurückgesetzt ausgebildet ist.
Chemisch-mechanisches Polierkissen (CMP) nach Anspruch 14, bei dem ein Auflageplattenfenster von einer Auflageplatte zurückgesetzt ist und bei dem die transparente Abstützschicht von der Polierschicht vorspringt.
Chemisch-mechanische Polierauflageplatte (CMP) für eine Überwachung an Ort und Stelle, mit: einer Auflageplattenschicht, die ein Auflageplattenfenster enthält, wobei das Auflageplattenfenster höher als eine Höhe der Auflageplattenschicht vorragt.
Chemisch-mechanische Polierauflageplatte (CMP) nach Anspruch 18, bei der ein Auflageplattenfenster von einer Auflageplattenschicht vorspringt, um eine Ausnehmungszone zwischen der Auflageplattenschicht und der Polierschicht zu reduzieren.
Chemisch-mechanische Polierauflageplatte (CMP) nach Anspruch 18, bei der ein Auflageplattenfenster von einer Auflageplatte vorspringt, um eine Ausnehmungszone zwischen der Auflageplattenschicht und der Polierschicht zu füllen.
Chemisch-mechanische Polierauflageplatte (CMP) für eine Überwachung an Ort und Stelle, mit: einer Auflageplattenschicht, die ein Auflageplattenfenster enthält, wobei das Auflageplattenfenster innerhalb der Auflageplattenschicht zurückgesetzt ist.
Chemisch-mechanische Polierkissen (CMP) nach Anspruch 21, bei dem eine transparente Abstützschicht von einer Polierschicht vorspringt, um eine Ausnehmungszone zwischen dem Auflageplattenfenster und der transparenten Abstützschicht zu reduzieren.
Chemisch-mechanische Polierauflageplatte (CMP) nach Anspruch 21, bei der eine transparente Abstützschicht von einer Polierschicht vorragt oder vorspringt, um eine Ausnehmungszone oder zurückgesetzte Zone zwischen dem Auflageplattenfenster und der transparenten Abstützschicht zu füllen.
Verfahren zum Überwachen eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, mit den folgenden Schritten: Vorsehen eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) auf einer Auflageplatte, wobei das chemisch-mechanische Polierkissen (CMP) eine Polierschicht und einen Pseudofensterbereich enthält, der Pseudofensterbereich eine Dicke besitzt, die kleiner ist als eine Dicke der Polierschicht, und eine Dicke hat, die größer ist als Null; und Durchschicken von Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich, um den chemisch-mechanischen Polierprozeß (CMP) zu steuern.
Verfahren nach Anspruch 24, bei dem die Ausnehmungszone benachbart dem Pseudofensterbereich gelegen ist.
Verfahren nach Anspruch 24, ferner mit einer transparenten Abstützschicht benachbart dem Pseudofensterbereich, wobei Überwachungslicht auch durch die transparente Abstützschicht hindurchgeschickt wird.
Verfahren zum Überwachen eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, mit den folgenden Schritten: Vorsehen eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) auf einer Auflageplatte, wobei das chemisch-mechanische Polierkissen (CMP) eine Polierschicht mit einer Ausnehmungszone oder rückspringenden Zone enthält, wodurch ein Pseudofensterbereich benachbart der Ausnehmungszone oder rückspringenden Zone gebildet wird, der Pseudofensterbereich eine Dicke besitzt, die kleiner ist als die Dicke der Polierschicht, und eine Dicke besitzt, die größer ist als Null; und Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den chemisch-mechanischen Polierprozeß (CMP) zu steuern.
Verfahren nach Anspruch 27, bei dem ein Auflageplattenfenster mit der Auflageplatte fluchtend abschließt und die Ausnehmungszone oder rückspringende Zone zwischen der Auflageplatte und der Polierschicht schützt.
Verfahren nach Anspruch 27, bei dem das Auflageplattenfenster von der Auflageplatte vorspringt, um die Ausnehmungszone oder rückspringende Zone zwischen der Auflageplatte und der Polierschicht zu reduzieren.
Verfahren nach Anspruch 27, bei dem ein Auflageplattenfenster von der Auflageplatte vorspringt, um die Ausnehmungszone oder rückspringende Zone zwischen der Auflageplatte und der Polierschicht zu füllen.
Verfahren zum Überwachen eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, mit den folgenden Schritten: Vorsehen eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) auf einer Auflageplatte, wobei das chemisch-mechanische Polierkissen (CMP) eine Polierschicht und eine transparente Abstützschicht enthält, wodurch ein Pseudofensterbereich benachbart der transparenten Abstützschicht gebildet wird; und Hindurchschicken von Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich, um den chemisch-mechanischen Polierprozeß (CMP) zu steuern.
Verfahren nach Anspruch 31, bei dem ein Auflageplattenfenster mit der Auflageplatte fluchtet bzw. eben mit dieser abschließt und bei dem die transparente Abstützschicht mit der Polierschicht fluchtet bzw. eben mit dieser abschließt.
Verfahren nach Anspruch 31, bei dem ein Auflageplattenfenster von der Auflageplatte vorragt und die transparente Abstützschicht von der Polierschicht zurückgesetzt ausgebildet ist.
Verfahren nach Anspruch 31, bei dem ein Auflageplattenfenster von der Auflageplatte zurückgesetzt ist und die transparente Abstützschicht von der Polierschicht vorragt.
Verfahren zum Überwachen eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, mit den folgenden Schntten: Vorsehen eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) auf einer Auflageplatte, wobei das chemisch-mechanische Polierkissen (CMP) eine Polierschicht und einen Pseudofensterbereich enthält, und wobei die Auflageplatte eine Auflageplattenschicht und ein Auflageplattenfenster enthält das Auflageplattenfenster höher als eine Höhe der Auflageplattenschicht vorragt; und Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den chemisch-mechanischen Polierprozeß (CMP) zu steuern (Ausführungsform 2).
Verfahren nach Anspruch 35, bei dem die Auflageplattenschicht mit einer Polierschicht interagiert, die einen Pseudofensterbereich und eine Ausnehmungszone oder rückspringende Zone enthält.
Verfahren nach Anspruch 36, bei dem das Auflageplattenfenster von der Auflageplattenschicht vorragt, um die Ausnehmungszone oder rückspringende Zone zwischen der Auflageplattenschicht und der Polierschicht zu reduzieren.
Verfahren nach Anspruch 36, bei dem das Auflageplattenfenster von der Auflageplatte vorragt, um die Ausnehmungszone oder rückspringende Zone zwischen der Auflageplattenschicht und der Polierschicht zu füllen.
Verfahren zur Herstellung eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) für eine Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, mit den folgenden Schritten: Vorsehen einer Polierschicht; und Ausbilden eines Pseudofensterbereiches in der Polierschicht, wobei der Pseudofensterbereich eine Dicke besitzt, die kleiner ist als eine Dicke der Polierschicht, und eine Dicke hat, die größer ist als Null.
Verfahren nach Anspruch 39, bei dem eine Ausnehmungszone oder rückspringende Zone benachbart dem Pseudofensterbereich vorhanden ist.
Verfahren nach Anspruch 40, ferner mit einer transparenten Abstützschicht benachbart dem Pseudofensterbereich, wobei Überwachungslicht auch durch die transparente Abstützschicht hindurchgeschickt wird.
Verfahren zur Herstellung eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) für eine Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, mit den folgenden Schritten: Vorsehen einer Polierschicht; und Ausbilden einer Ausnehmungszone in der Polierschicht, um einen Pseudofensterbereich benachbart der Ausnehmungszone auszubilden.
Verfahren nach Anspruch 42, bei dem ein Auflageplattenfenster mit einer Auflageplatte fluchtet und dieses die Ausnehmungszone zwischen der Auflageplatte und der Polierschicht schützt.
Verfahren nach Anspruch 42, bei dem ein Auflageplattenfenster von einer Auflageplatte vorragt, um die Ausnehmungszone zwischen der Auflageplatte und der Polierschicht zu reduzieren.
Verfahren nach Anspruch 42, bei dem ein Auflageplattenfenster von einer Auflageplatte vorragt, um die Ausnehmungszone zwischen der Auflageplatte und der Polierschicht zu füllen.
Verfahren zur Herstellung eines chemisch-mechanischen Polierkissens (CMP) zur Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, mit den folgenden Schritten: Vorsehen einer Polierschicht; und Ausbilden einer Ausnehmungszone in der Polierschicht; und Anordnen einer transparenten Abstützschicht in der Ausnehmungszone, um dadurch einen Pseudofensterbereich benachbart der transparenten Abstützschicht auszubilden.
Verfahren nach Anspruch 46, bei dem ein Auflageplattenfenster mit einer Auflageplatte fluchtet bzw. eben abschließt und die transparente Abstützschicht mit der Polierschicht fluchtet bzw. eben mit dieser abschließt.
Verfahren nach Anspruch 46, bei dem ein Auflageplattenfenster von einer Auflageplatte vorragt und die transparente Abstützschicht von der Polierschicht ausgebildet ist.
Verfahren nach Anspruch 46, bei dem ein Auflageplattenfenster von einer Auflageplatte zurückgesetzt ist und die transparente Abstützschicht von der Polierschicht vorspringt bzw. vorragt.
Verfahren nach Anspruch 46, bei dem die Ausnehmungszone auf der Rückseite der Polierschicht ausgebildet ist.
Verfahren nach Anspruch 46, bei dem die transparente Abstützschicht in die Ausnehmungszone hinein extrudiert oder in diese eingepaßt ist.
Verfahren zur Überwachung einer Auflageplatte für eine Überwachung eines chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an Ort und Stelle, mit den folgenden Schritten: Vorsehen einer Auflageplattenschicht; Ausbilden eines Loches in der Auflageplattenschicht; und Anordnen eines Auflageplattenfensters in dem Loch, wobei das Auflageplattenfenster höher als eine Höhe der Auflageplattenschicht vorragt.
Verfahren nach Anspruch 52, bei dem das Auflageplattenfenster von der Auflageplattenschicht vorragt, um die Ausnehmungszone zwischen der Auflageplattenschicht und der Polierschicht zu reduzieren.
Verfahren nach Anspruch 52, bei dem das Auflageplattenfenster von der Auflageplatte vorragt, um die Ausnehmungszone zwischen der Auflageplattenschicht und der Polierschicht zufüllen.
Verfahren zum Detektieren eines Endpunktes an Ort und Stelle, mit den folgenden Schritten: Vorsehen eines Kissens auf einer Auflageplatte, wobei das Kissen eine Polierschicht und einen Pseudofensterbereich enthält, der Pseudofensterbereich eine Dicke besitzt, die kleiner ist als eine Dicke der Polierschicht, und eine Dicke besitzt, die größer als Null ist; und Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den Endpunkt zu detektieren.
Verfahren zum Detektieren eines Endpunktes an Ort und Stelle, mit den folgenden Schritten: Vorsehen eines Kissens auf einer Auflageplatte, wobei das Kissen eine Polierschicht mit einer Ausnehmungszone enthält, wodurch ein Pseudofensterbereich benachbart der Ausnehmungszone gebildet wird, der Pseudofensterbereich eine Dicke besitzt, die geringer ist als eine Dicke der Polierschicht, und eine Dicke besitzt, die größer ist als Null; und Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeleitet wird, um den Endpunkt zu detektieren.
Verfahren zum Detektieren eines Endpunktes an Ort und Stelle, mit den folgenden Schritten: Vorsehen eines Kissens auf einer Auflageplatte, wobei das Kissen eine Polierschicht und eine transparente Abstützschicht enthält, wodurch ein Pseudofensterbereich benachbart der transparenten Abstützschicht gebildet wird; und Hindurchschicken von Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich, um den Endpunkt zu detektieren.
Verfahren zum Detektieren eines Endpunktes an Ort und Stelle, mit den folgenden Schritten: Vorsehen eines Kissens auf einer Auflageplatte, wobei das Kissen eine Polierschicht und einen Pseudofensterbereich enthält und wobei die Auflageplatte eine Auflageplattenschicht und ein Auflageplattenfenster enthält, das Auflageplattenfenster höher vorragt als eine Höhe der Auflageplattenschicht; und Überwachungslicht durch den Pseudofensterbereich hindurchgeschickt wird, um den Endpunkt zu detektieren.