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DE102004002101A1 - Omnidirektionaler eindimensionaler photonischer Kristall und aus demselben hergestelltes lichtemittierendes Bauelement - Google Patents

Omnidirektionaler eindimensionaler photonischer Kristall und aus demselben hergestelltes lichtemittierendes Bauelement Download PDF

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DE102004002101A1
DE102004002101A1 DE102004002101A DE102004002101A DE102004002101A1 DE 102004002101 A1 DE102004002101 A1 DE 102004002101A1 DE 102004002101 A DE102004002101 A DE 102004002101A DE 102004002101 A DE102004002101 A DE 102004002101A DE 102004002101 A1 DE102004002101 A1 DE 102004002101A1
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DE
Germany
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light
reflector
dielectric
wavelength
emitting device
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE102004002101A
Other languages
English (en)
Inventor
Chung-Hsiang Lin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Han Shin Co Ltd
Original Assignee
Han Shin Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Priority claimed from US10/688,625 external-priority patent/US7367691B2/en
Application filed by Han Shin Co Ltd filed Critical Han Shin Co Ltd
Publication of DE102004002101A1 publication Critical patent/DE102004002101A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

Ein lichtemittierendes Bauelement enthält eine Licht-erzeugende Einheit (51) zum Erzeugen eines primären Lichtes in einem ersten Wellenlängenbereich, ein mit der Licht-erzeugenden Einheit (51) verbundenes Wellenlängenwandlerelement (4) zum Umwandeln eines Teils des primären Lichtes in ein sekundäres Licht in einem zweiten Wellenlängenbereich, und einen mit dem Wellenlängenwandlerelement (4) verbundenen omnidirektionalen Reflektor (6), um das sekundäre Licht und den Rest des primären Lichtes, welches nicht von dem Wellenlängenwandlerelement (4) umgewandelt wurde, zu empfangen. Der omnidirektionale Reflektor (6) enthält einen omnidirektionalen, eindimensionalen photonischen Kristall mit einer Reflexionscharakteristik, welche im wesentlichen eine Totalreflexion des Restes des primären Lichtes bei jedem Einfallswinkel und jeder Polarisation zurück zum Wellenlängenwandlerelement (4) ermöglicht.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen omnidirektionalen eindimensionalen photonischen Kristall und ein aus demselben hergestelltes lichtemittierendes Bauelement.
  • Das U.S. Patent Nr. 5,813,753 offenbart eine lichtemittierende Vorrichtung, die eine in einer Vertiefung mit reflektierenden Seitenwänden angeordnete UV/Blau-LED, ein die LED umgebendes und die Vertiefung ausfüllendes lichtdurchlässiges Material, ein Phosphormaterial in der Form von im dem lichtdurchlässigen Material verteilten Partikeln, und ein an einer Vorderseite des lichtdurchlässigen Materials angeordnetes Langwellenpaß-(LWP)-Filter enthält.
  • Die in dem U.S. Patent Nr. 6,155,699 offenbarte lichtemittierende Vorrichtung enthält einen eine Vertiefung ausbildenden Napf, eine in der Vertiefung angeordnete Leuchtdiode, eine die Leuchtdiode einkapselnde domförmige Einkapselungsschicht, einen die Einkapselungsschicht umgebenden verteilten Bragg-Reflektor-(DBR)-Spiegel, ein den DBR-Spiegel umgebendes Wellenlängenwandlerelement, und eine das Wellenlängenwandlerelement einkapselnde Linse. Der DBR-Spiegel ist im Fachgebiet als mehrschichtige dielektrische Struktur mit einer räumlich periodischen Variation der dielektrischen Konstante und mit einer photonischen Frequenzbandlückeneigenschaft bekannt, welche die Ausbreitung von Licht in einem bestimmten Frequenzbereich innerhalb der dielektrischen Struktur verhindert und welche die Totalreflexion des Lichtes ermöglicht. Das Wellenlängenwandlerelement besteht normalerweise aus phosphoreszierenden Materialien, welche im Fachgebiet bekannt sind als ein Mittel zur Absorption und Umwandlung von primärem Licht (z.B. von unsichtbarem oder UV/Blau-Licht), welches einen kürzeren Wellenlängenbereich besitzt, in ein sekundäres Licht (z.B. ein sichtbares oder weißes Licht) welches einen längeren Wellenlängenbereich besitzt. Der DBR-Spiegel besitzt eine Durchlaßcharakteristik, bei der ein Großteil des ersten Lichtes durch ihn und zu dem Wellenlängenwandlerelement durchläuft, und eine Reflexionscharakteristik, die verhindert, daß das vom Wellenlängenwandlerelement erzeugte zweite Licht in die einkapselnde Schicht eintritt. Im Gebrauch emittiert die Leuchtdiode ein primäres Licht, das durch die einkapselnde Schicht und den DBR-Spiegel durchgeht, und das anschließend in ein sekundäres Licht durch ein phosphoreszierendes Material in dem Wellenlängenwandlerelement umgewandelt wird. Ein Teil des sekundären Lichtes verläßt die lichtemittierende Vorrichtung durch die Linse, während der Rest des sekundären Lichtes auf den DBR-Spiegel auftrifft und anschließend von dem letzteren zurück zum Wellenlängenwandlerelement reflektiert wird, um so zu verhindern, daß das sekundäre Licht in die einkapselnde Schicht eintritt; dadurch wird der Wirkungsgrad der lichtemittierenden Vorrichtung erhöht.
  • Da der in das sekundäre Licht umgewandelte Anteil des primären Lichtes von der Konzentration und dem Quantenwirkungsgrad des phosphoreszierenden Materials in dem Wellenlängenwandlerelement abhängt, kann ein erheblicher Anteil des primären Lichtes nicht umgewandelt werden und durch das Wellenlängenwandlerelement und die Linse hindurch und in die Luft austreten, was zu einer Verringerung des Wirkungsgrads der lichtemittierenden Vorrichtung und der Qualität des sekundären Lichtes führt, wie z.B. in der Farbtemperatur und Reinheit, und was schädlich für die Umgebung sein kann, wenn das primäre Licht ein UV-Licht ist. Daher besteht ein Bedarf, den Wirkungsgrad bei der Umwandlung des primären Lichtes in das sekundäre Licht zu verbessern, um so den Wirkungsgrad der lichtemittierenden Vorrichtung zu erhöhen.
  • Der vorstehend erwähnte DBR-Spiegel und das LWP-Filter sind dielektrische Strukturen mit Paaren von Schichten mit hohen und niedrigen Brechungsindizes. Es ist bekannt, daß die herkömmlichen DBR-Spiegel und LWP-Filter Licht über einen weiten Bereich von Einfallswinkeln in Bezug zu einer senkrechten Linie einer Oberfläche der dielektrischen Struktur des DBR-Spiegels oder LWP-Filters nicht so gut reflektieren oder hindurchtreten lassen.
  • Das U.S. Patent Nr. 6,130,780 offenbart einen omnidirektionalen Reflektor, der aus einem omnidirektionalen eindimensionalen photonischen Kristall hergestellt ist, welcher omnidirektionale photonische Bandlücken besitzt, und welcher in der Lage ist, das Licht bei jedem einfallenden Winkel und jeder Polarisation total zu reflektieren, wenn die Frequenz (oder Wellenlänge) des einfallenden Lichtes in den Bandlücken liegt. Der offenbarte Reflektor besteht aus einem Paar von Schichten mit hohem und niedrigem Brechungsindex. Der Reflexionsindexkontrast zwischen den beiden dielektrischen Materialien sollte hoch genug sein, um omnidirektionale photonische Bandlücken auszubilden.
  • Die gesamten Offenbarungen der U.S. Patente Nr. 6,155,699, 5,813,753 und 6,130,780 sind hiermit durch Bezugnahme beinhaltet.
    •
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung oder eines lichtemittierenden Bauelements mit omnidirektionalen Reflektoren, welche in der Lage ist, die vorgenannten Nachteile des Stands der Technik zu überwinden.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine lichtemittierende Vorrichtung bereitgestellt, die aufweist: Eine Licht-erzeugende Einheit zum Erzeugen eines primären Lichtes in einem ersten Wellenlängenbereich; ein Wellenlängenwandlerelement, das mit der Licht-erzeugenden Einheit verbunden ist, um einen Teil des primären Lichtes in ein sekundäres Licht in einem zweiten Wellenlängenbereich umzuwandeln; und wenigstens einen omnidirektionalen Reflektor, der mit dem Wellenlängenwandlerelement verbunden ist, um das sekundäre Licht und den Rest des primären Lichtes, welches nicht durch das Wellenlängenwandlerelement umgewandelt wurde, zu empfangen. Der omnidirektionale Reflektor ist eine dielektrische Struktur mit einer räumlich periodischen Variation der Dielektrizitätskonstante. Er enthält wenigstens eine dielektrische Einheit, die wenigstens zwei dielektrische Schichten aufweist, die sich voneinander im Brechungsindex und der Schichtdicke in einer solchen Weise unterscheiden, daß der Reflektor eine Durchlaßcharakteristik, bei der das sekundäre Licht durch ihn hindurchgeht, und eine Reflexionscharakteristik aufweist, bei der im wesentlichen der Rest des primären Lichtes unter jedem Einfallswinkel und jeder Polarisation total zum Wellenlängenwandlerelement reflektiert wird.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein omnidirektionaler Reflektor bereitgestellt, welcher eine dielektrische Struktur mit einer räumlich periodischen Variation der Dielektrizitätskonstante aufweist. Die dielektrische Struktur enthält wenigstens eine dielektrische Einheit, die drei dielektrische Schichten aufweist, welche sich voneinander im Brechungsindex und der Schichtdicke in einer solchen Weise unterscheiden, daß der Reflektor eine Reflexionscharakteristik, welche im wesentlichen eine Gesamtreflexion eines primären Lichtes in einem ersten Wellenlängenbereich zuläßt, und eine Durchlaßcharakteristik aufweist, welche ein Durchlassen eines sekundären Lichtes in einem zweiten Wellenlängenbereich außerhalb des ersten Wellenlängenbereiches zuläßt.
    •
  • In den Zeichnungen, welche Ausführungsformen der Erfindung veranschaulichen, zeigen:
  • 1 eine schematische Teilschnittansicht einer ersten bevorzugten Ausführungsform einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine schematische Teilschnittansicht zur Veranschaulichung der Struktur eines omnidirektionalen Reflektors der lichtemittierenden Vorrichtung der ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 3 eine Vergleichsgraphik, welche die mittlere Reflexion und Transmission als eine Funktion der Wellenlänge darstellt, indem alle Einfallswinkel und Polarisationen für zwei unterschiedliche omnidirektionale Reflektoren auf derselben lichtemittierenden Vorrichtung der ersten bevorzugten Ausführungsform berücksichtigt werden;
  • 4 eine schematische Teilschnittansicht einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 5 eine schematische Teilschnittansicht einer dritten bevorzugten Ausführungsform einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 6 eine schematische Teilschnittansicht der dritten bevorzugten Ausführungsform einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung, welche von einer anderen Seite der lichtemittierenden Vorrichtung aus betrachtet ist;
  • 7 eine schematische Ansicht der vierten bevorzugten Ausführungsform der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 8 eine schematische Ansicht einer fünften bevorzugten Ausführungsform einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 9 eine graphische Darstellung, welche die photonische Bandstruktur des omnidirektionalen, eindimensionalen photonischen Kristalls der ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung darstellt; und
  • 10 eine graphische Darstellung, welche die mittlere Reflexion und Transmission als eine Funktion der Wellenlänge darstellt, indem alle Einfallswinkel und Polarisationen berücksichtigt werden, wenn die einfallenden Welle aus der Luft kommt.
  • Der Kürze halber werden gleiche Elemente durchgängig durch die Beschreibung mit denselben Bezugszeichen bezeichnet.
  • 1 und 2 veranschaulichen die erste bevorzugte Ausführungsform einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. Die lichtemittierende Vorrichtung enthält: eine Licht-erzeugende Einheit 51, welche wenigstens ein Licht-erzeugendes Element 511 für die Erzeugung eines primären Lichtes in einem ersten Wellenlängenbereich enthält; ein Wellenlängenwandlerelement 4, das mit der Licht-erzeugenden Einheit 51 zum Umwandeln eines Teils des primären Lichtes in ein sekundäres Licht in einem zweiten Wellenlängenbereich verbunden ist; erste und zweite Glassubstrate 31, 32, zwischen denen das Wellenlängenumwandlungselement 4 angeordnet ist; und erste und zweite omnidirektionale Reflektoren 6, zwischen denen das erste und zweite Glassubstrat 31, 32 zum Empfang des sekundären Lichtes und des Restes des primären Lichtes, welches nicht durch das Wellenlängenwandlerelement 4 umgewandelt wurde, angeordnet sind. Jeder der beiden ersten und zweiten omnidirektionalen Reflektoren 6 ist aus einem omnidirektionalen, eindimensionalen photonischen Kristall hergestellt und besitzt eine Durchlaßcharakteristik, welche die Transmission des sekundären Lichtes durch diesen ermöglicht, sowie eine Reflexionscharakteristik, welche im wesentlichen eine Totalreflexion des Restes des primären Lichtes mit jedem Einfallswinkel und jeder Polarisation zum Wellenlängenumwandlungselement 4 ermöglicht. Jeder der beiden ersten und zweiten omnidirektionalen Reflektoren 6 ist eine dielektrische Struktur mit einer räumlich periodischen Variation der Dielektrizitätskonstante und enthält wenigstens eine dielektrische Einheit 61, die wenigstens erste, zweite und dritte dielektrische Schichten 611, 612 und 613 enthält, welche sich voneinander im Brechungsindex und der Schichtdicke unterscheiden. Die zweite dielektrische Schicht 612 ist zwischen der ersten und dritten dielektrischen Schicht 611, 613 angeordnet und besitzt einen niedrigeren Brechungsindex als die erste und dritte dielektrische Schicht 611, 613. Die dritte dielektrische Schicht 613 besitzt einen niedrigeren Brechungsindex als die erste dielektrische Schicht 611. Man beachte, daß die Ausbreitung des Lichtes durch die dielektrische Struktur hauptsächlich durch den Brechungsindex und die Dicke jeder dielektrischen Schicht der dielektrischen Struktur beeinflußt wird. Somit muß die zweite dielektrische Schicht 612, welche zwischen der ersten und dritten dielektrischen Schicht 611, 613 angeordnet ist, keinen niedrigeren Brechungsindex als die erste und dritte dielektrische Schicht 611, 613 haben.
  • Das Wellenlängenwandlerelement 4 weist gegenüberliegende obere und untere Oberflächen 41, 42 auf. Das Licht-erzeugende Element 511 der Licht-erzeugenden Einheit 51 ist in die untere Oberfläche 42 des Wellenlängenwandlerelementes 4 eingelegt. Das zweite Glassubstrat 32 ist an der unteren Oberfläche 42 des Wellenlängenwandlerelementes 4 befestigt und deckt die Licht-erzeugende Einheit 51 ab. Das erste Glassubstrat 31 ist an der oberen Oberfläche 41 des Wellenlängenwandlerelementes 4 befestigt. Der erste und zweite omnidirektionale Reflektor 6 ist an dem ersten bzw. zweiten Glassubstrat 31, 32 befestigt.
  • Durch Verwendung von UV-LED-Chips als Licht-erzeugende Einheit 51 und von Phosphoren als Wellenlängenwandlerelement 4 kann die lichtemittierende Vorrichtung weißes Licht erzeugen.
  • Bei der ersten bevorzugten Ausführungsform ist die erste dielektrische Schicht 611 aus TiO2, die dritte dielektrische Schicht 613 aus Ta2O5, und die zweite dielektrische Schicht 612 aus SiO2 hergestellt. Weitere dielektrische Materialien, welche in den Reflektoren 6 dieser Erfindung verwendet werden können, enthalten Al2O3, MgO, ZrO2, MgF2, BaF2, und CaF2. 9 ist eine graphische Darstellung, welche die photonische Bandstruktur (Frequenz über Wellenvektor kY) des omnidirektionalen, eindimensionalen photonischen Kristalls, der die erste, zweite und dritte dielektrische Schicht 611, 612 und 613 umfasst, darstellt. Dieser photonische Kristall besitzt eine omnidirektionale photonische Bandlücke zwischen den Frequenzen 0,298 (c/a) und 0,295 (c/a) (d.h. den Frequenzen, welche dem Punkt 201 und dem Punkt 202 in 9 entsprechen) für ein einfallendes Licht mit einer Wellenlänge in dem Bereich von 369 nm bis 373 nm, wenn der Gitterabstand des photonischen Kristalls 110,0 nm ist. Definitionen des Wellenvektors (kY) und der Wellenpolarisationen TE und TM können in der Beschreibung des U.S. Patentes Nr. 6,130,780 gefunden werden.
  • In der ersten bevorzugten Ausführungsform enthält jeder der beiden ersten und zweiten omnidirektionalen Reflektoren 6 vierzehn periodisch angeordnete dielektrische Einheiten 61 mit der in 9 dargestellten Bandstruktur.
  • 10 stellt die mittlere Reflexion und Transmission der omnidirektionalen Reflektoren 6 als eine Funktion der Wellenlänge unter Berücksichtigung aller Einfallswinkel und Polarisationen dar, wenn die einfallende Welle aus der Luft kommt. Die Reflexion beträgt bis zu 99 Prozent zwischen Wellenlängen von 366 nm und 378 nm, was mit der Erwartung für die omnidirektionale photonische Bandlücke in 9 übereinstimmt.
  • Nach Optimierung des Verhaltens der omnidirektionalen Reflektoren zeigt 3 einen grafischen Vergleich der Bemittelten Transmission und Reflexion als eine Funktion der Wellenlänge für den aus TiO2/SiO2/Ta2O5 (Trio) hergestellten omnidirektionalen Reflektor 6, und dem aus TiO2/SiO2 (Paar) bestehenden omnidirektioalen Reflektor, wenn das einfallende Licht von dem Wellenlängenwandlerelement 4 kommt. Der omnidirektionale Reflektor 6 aus TiO2/SiO2/Ta2O5 besitzt eine schmalere Wellenlängenspitze als der omnidirektioale Reflektor 6 aus TiO2/SiO2, und ist effizienter bei der Durchlässigkeit des sekundären Lichtes im sichtbaren Bereich, ohne die Reflexion des primären Lichtes, wie z.B. des Lichtes in dem UV-Bereich, zum Wellenlängenwandlerelement 4 zu reduzieren.
  • Das Licht-erzeugende Element 511 liegt in der Form einer lichtemittierenden Diode wie z.B. einer organischen Leuchtdiode oder einer polymerischen Leuchtdiode vor, welche das primäre Licht in dem Wellenlängenbereich zwischen 350 und 470 nm emittiert. Das Wellenlängenwandlerelement 4 enthält eine transparente Harzmatrix mit einem fluoreszierenden Material, wie z.B. darin verteilten Partikeln aus einem Phosphormaterial. Bei der ersten bevorzugten Ausführungsform ist das Wellenlängenwandlerelement 4 ein Gemisch aus dem fluoreszierenden Material und eine Siliconmaterial in einem Verhältnis von 1 zu 20. Das fluoreszierende Material enthält drei (rote, grüne und blaue) Primärfarbenmaterialien und ist in der Lage, das primäre Licht in das sekundäre Licht innerhalb eines Wellenlängenbereiches zwischen 400 und 700 nm umzuwandeln.
  • Üblicherweise ist eine reflektierende Metallschicht auf dem Boden der lichtemittierenden Einheit angeordnet, um das primäre und sekundäre Licht zurück zum Wellenlängenwandlerelement zu reflektieren. Jedoch absorbiert, wenn das primäre Licht innerhalb des UV-Bereiches liegt, die reflektierende Metallschicht einen Teil des primären Lichtes, was wiederum zu einer Verringerung des Wirkungsgrads der lichtemittierenden Vorrichtung führt. Wir nehmen nochmals Bezug auf 1. Anstatt durch die reflektierende Metallschicht absorbiert zu werden, wird das primäre Licht vom zweiten omnidirektionalen Reflektor 6 totalreflektiert. Zusätzlich ist eine reflektierende Metallschicht 71 an der Unterseite des zweiten omnidirektionalen Reflektors 6 angeordnet, um das sekundäre Licht zurück zum Wellenlängenwandlerelement 4 zu reflektieren. Daher verbessert der zweite omnidirektionale Reflektor 6 in Kombination mit der reflektierenden Metallschicht 71 weiter den Wirkungsgrad der lichtemittierenden Vorrichtung. Man beachte, daß die Hauptfunktion des zweiten omnidirektionalen Reflektors 6 in der Totalreflexion des primären Lichtes zurück zum Wellenlängenwandlerelement 4 besteht. Somit kann der zweite Reflektor 6 aus omnidirektionalen, eindimensionalen photonischen Kristallen hergestellt werden, welche aus nur zwei Materialien bestehen (z.B. TiO2/SiO2).
  • 4 veranschaulicht die zweite bevorzugte Ausführungsform der lichtemittierenden Vorrichtung dieser Erfindung, welche der ersten bevorzugten Ausführungsform mit der Ausnahme ähnelt, daß das Wellenlängenwandlerelement 4 und der erste omnidirektionale Reflektor 6 eine im allgemeinen domförmige Struktur aufweisen, um die Transmission des sekundären Lichtes weiter zu erhöhen und den Wirkungsgrad der lichtemittierenden Vorrichtung zu verbessern.
  • 5 und 6 veranschaulichen die dritte bevorzugte Ausführungsform der lichtemittierenden Vorrichtung dieser Erfindung, welche sich von der ersten Ausführungsform dahingehend unterscheidet, daß das Wellenlängenwandlerelement 4 gegenüberliegende obere und untere Oberflächen 41, 42 sowie linke und rechte Seitenflächen 43 besitzt. Die Licht-erzeugende Einheit 51 enthält eine linke Reihe Licht- erzeugender Elemente 511, die in die linke Seitenfläche 43 des Wellenlängenwandlerelementes 4 eingelegt sind, und eine rechte Reihe Licht-erzeugender Elemente 511, die in die rechte Seitenfläche 43 des Wellenlängenwandlerelementes 4 eingelegt sind. Das zweite Glassubstrat 32 ist an der unteren Oberfläche 42 des Wellenlängenwandlerelementes 4 befestigt. Das erste Glassubstrat 31 ist an der oberen Oberfläche 41 des Wellenlängenwandlerelementes 4 befestigt. Der erste und zweite omnidirektionale Reflektor 6 sind an dem ersten bzw. zweiten Glassubstrat 31, 32 befestigt. Linke und rechte reflektierende Metallschichten 72 sind an den linken und rechten Seitenflächen 43 des Wellenlängenwandlerelementes 4 angebracht, und decken die linke bzw. rechte Reihe der Licht-erzeugenden Elemente 511 ab.
  • 7 veranschaulicht die vierte bevorzugte Ausführungsform der lichtemittierenden Vorrichtung dieser Erfindung, welche der ersten Ausführungsform mit der Ausnahme ähnlich ist, daß die Licht-erzeugenden Elemente 511 und der zweite omnidirektionale Reflektor in die untere Oberfläche 42 des Wellenlängenwandlerelementes 4 in einer solchen Weise eingelegt sind, daß eine obere Oberfläche 611 des zweiten omnidirektionalen Reflektors 6 an einer unteren Oberfläche 501 jedes Licht-erzeugenden Elementes 511 angebracht ist, und eine untere Oberfläche 602 des zweiten omnidirektionalen Reflektors 6, welcher der oberen Oberfläche 601 des zweiten Reflektors 6 gegenüberliegt, bündig mit der unteren Oberfläche 42 des Wellenlängenwandlerelementes 4 ist, und daß die reflektierende Metallschicht 71 an der unteren Oberfläche 42 des Wellenlängenwandlerelementes 4 angebracht ist und die untere Oberfläche 602 des Reflektors 6 abdeckt. Das zweite Glassubstrat 32 ist an der reflektierenden Metallschicht 71 angebracht und deckt diese ab.
  • 9 veranschaulicht die fünfte bevorzugte Ausführungsform der lichtemittierenden Vorrichtung dieser Erfindung, welche der vierten Ausführungsform mit der Ausnahme ähnlich ist, daß das zweite Glassubstrat 32 an der unteren Oberfläche 42 des Wellenlängenwandlerelementes 4 angebracht ist und die Oberfläche 602 des omnidirektionalen Reflektors 6 abdeckt, und daß die reflektierende Metallschicht 71 an dem zweiten Glassubstrat 32 angebracht ist und dieses abdeckt.
  • Da der Aufbau des oder der omnidirektionalen Reflektoren 6 in der lichtemittierenden Vorrichtung dieser Erfindung im wesentlichen die Totalreflexion des Primärlichtes bei jedem Einfallswinkel und jeder Polarisation aus der lichtemittierenden Einheit 51 zurück in das Wellenlängenwandlerelement 4 ermöglicht, können die vorgenannten Nachteile des Standes der Technik beseitigt werden.
  • Aufgrund der Trio-Struktur des omnidirektionalen, eindimensionalen photonischen Kristalls, d.h. der ersten, zweiten und dritten dielektrischen Schicht 611, 612, 613, welche sich voneinander im Brechungsindex und den Schichtdicken unterscheiden, besitzt der daraus hergestellte omnidirektionale Reflektor eine schmalere Wellenlängespitze in der Reflexion gegenüber der Wellenlänge (siehe 3) als der omnidirektionale Reflektor mit einer Paar-Struktur.

Claims (24)

  1. Lichtemittierendes Bauelement, gekennzeichnet durch eine Licht-erzeugende Einheit (51) zum Erzeugen eines primären Lichtes in einem ersten Wellenlängenbereich; ein Wellenlängenwandlerelement (4), das mit der Licht-erzeugenden Einheit (51) verbunden ist, um einen Teil des primären Lichtes in ein sekundäres Licht in einem zweiten Wellenlängenbereich umzuwandeln; und wenigstens einen omnidirektionalen Reflektor (6) aus einem omnidirektionalen photonischem Kristall, der mit dem Wellenlängenwandlerelement (4) verbunden ist, um das sekundäre Licht und den Rest des primären Lichtes, welches nicht durch das Wellenlängenwandlerelement umgewandelt wurde, zu empfangen.
  2. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Reflektor (6) wenigstens eine dielektrische Einheit (61) enthält, die wenigstens zwei dielektrische Schichten besitzt, welche sich voneinander im Brechungsindex und der Schichtdicke in einer solchen Weise unterscheiden, daß der Reflektor (6) eine Durchlaßcharakteristik, welche die Transmission des sekundären Lichtes durch diesen ermöglicht, und eine Reflexionscharakteristik besitzt, welche im wesentlichen die Totalreflexion des Restes des primären Lichtes zurück zum Wellenlängenwandlerelement (4) ermöglicht.
  3. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Reflektor (6) wenigstens eine dielektrische Einheit (61) enthält, die wenigstens drei dielektrische Schichten besitzt, welche sich voneinander im Brechungsindex und der Schichtdicke in einer solchen Weise unterscheiden, daß der Reflektor (6) eine Durchlaßcharakteristik, welche die Transmission des sekundären Lichtes durch diesen ermöglicht, und eine Reflexionscharakteristik besitzt, welche im wesentlichen die Totalreflexion des Restes des primären Lichtes zurück zum Wellenlängenwandlerelement (4) ermöglicht.
  4. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 3, ferner dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrischen Schichten erste, zweite und dritte dielektrische Schichten (611, 612, 613) umfassen, wobei die zweite dielektrische Schicht (612) zwischen der ersten und dritten dielektrischen Schicht (611, 613) angeordnet ist und einen kleineren Brechungsindex als die erste und dritte dielektrische Schicht (611, 613) besitzt, wobei die dritte dielektrische Schicht (613) einen kleineren Brechungsindex als die erste dielektrische Schicht besitzt (611).
  5. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 3, ferner dadurch gekennzeichnet, daß die Licht-erzeugende Einheit (51) an einer Seite des Wellenlängenwandlerelementes (4) eingelegt ist, wobei der Reflektor (6) an einer gegenüberliegenden Seite des Wellenlängenwandlerelementes (4) angeordnet ist, die der einen Seite des Wellenlängenwandlerelementes (4) gegenüberliegt.
  6. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 5, ferner gekennzeichnet durch einen zweiten omnidirektionalen Reflektor (6) und ein erstes und zweites Glassubstrat (31, 32), wobei die Licht-erzeugende Einheit (51) und das Wellenlängenwandlerelement (4) zwischen den beiden Glassubstraten (31, 32) angeordnet sind, wobei das Wellenlängenwandlerelement (4) gegenüberliegende obere und untere Oberflächen (41, 42) besitzt, die Licht- Erzeugungseinheit (51) eine ein- oder zweidimensionale Anordnungen von Licht-erzeugenden Elementen (511) besitzt, die in die untere Oberfläche (42) des Wellenlängenwandlerelementes (4) eingelegt sind, das zweite Glassubstrat (32) an der unteren Oberfläche (42) des Wellenlängenwandlerelementes (4) ausgebildet ist und die Licht-erzeugende Einheit (51) abdeckt, das erste Glassubstrat (31) an der oberen Oberfläche (41) des Wellenlängenwandlerelementes (4) ausgebildet ist, der erste und zweite Reflektor (6) auf dem ersten bzw. zweiten Glassubstrat (31, 32) ausgebildet ist.
  7. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 6, ferner dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Reflektor (6) wenigstens eine dielektrische Einheit (61) enthält, die wenigstens zwei dielektrische Schichten besitzt, welche sich voneinander im Brechungsindex und der Schichtdicke unterscheiden.
  8. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 4, ferner dadurch gekennzeichnet, daß die erste dielektrische Schicht (611) aus TiO2 hergestellt ist, die zweite dielektrische Schicht (612) aus SiO2 und die dritte dielektrische Schicht (613) aus Ta2O5 hergestellt ist.
  9. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 6, ferner dadurch gekennzeichnet, daß jedes Licht-erzeugende Element (511) in der Form einer lichtemittierenden Diode vorliegt, die das primäre Licht mit einer Wellenlänge in dem Bereich von 350 bis 470 nm emittiert.
  10. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 9, ferner dadurch gekennzeichnet, daß das Wellenlängenwandlerelement (4) eine transparente Harzmatrix mit einem darin verteilten fluoreszierenden Material in der Weise enthält, daß es das primäre Licht in das sekundäre Licht mit einer Wellenlänge in dem Bereich von 400 bis 700 nm umwandelt.
  11. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 7, ferner durch eine reflektierende Metallschicht (71) gekennzeichnet, die auf dem zweiten Reflektor (6) ausgebildet ist.
  12. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 3, ferner gekennzeichnet durch einen zweiten omnidirektionalen Reflektor (6) und ein erstes und zweites Glassubstrat (31, 32), wobei das Wellenlängenwandlerelement (4) zwischen den beiden Glassubstraten (31, 32) angeordnet ist, wobei das Wellenlängenwandlerelement (4) gegenüberliegende obere und untere Oberflächen (41 und 42) und linke und rechte Seitenflächen (43) aufweist, die Licht-erzeugende Einheit (51) eine linke Reihe von Licht-erzeugenden Elementen (511), die in die linke Seitenfläche des Wellenlängenwandlerelementes (4) eingelegt sind, und eine rechte Reihe von Licht-erzeugenden Elementen (511) enthält, die in die rechte Seitenfläche (43) des Wellenlängenwandlerelementes (4) eingelegt sind, das zweite Glassubstrat (32) auf der unteren Oberfläche (42) des Wellenlängenwandlerelementes (4) ausgebildet ist, die erste Glassubstrat (31) auf der oberen Oberfläche (41) des Wellenlängenwandlerelementes (4) ausgebildet ist, der erste und zweite Reflektor (6) auf dem ersten bzw. zweiten Glassubstrat (31, 32) ausgebildet sind.
  13. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 12, ferner dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Reflektor (6) wenigstens eine dielektrische Einheit (61) enthält, die wenigstens zwei dielektrische Schichten aufweist, welche sich voneinander im Brechungsindex und der Schichtdicke unterscheiden.
  14. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 13, ferner gekennzeichnet durch linke und rechte reflektierende Metallschichten (72), die auf der linken und rechten Seitenfläche (43) des Wellenlängenwandlerelementes (4) ausgebildet sind, und die linke bzw. rechte Reihe der Licht-erzeugenden Elemente (511) abdecken.
  15. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 3, ferner dadurch gekennzeichnet, daß das Wellenlängenwandlerelement (4) gegenüberliegende obere und untere Oberflächen (41, 42) enthält, wobei die lichtemittierende Bauelement ferner ein erstes Glassubstrat (31) aufweist, das auf der oberen Oberfläche (41) des Wellenlängenwandlerelementes (4) ausgebildet ist, der Reflektor (6) auf dem ersten Glassubstrat (31) ausgebildet ist, die Licht-Erzeugungseinheit (51) ein Licht-Erzeugungselement (511) enthält, das in der unteren Oberfläche (42) des Wellenlängenwandlerelementes (4) eingebettet ist.
  16. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 15, ferner gekennzeichnet durch einen zweiten omnidirektionalen Reflektor (6) und eine reflektierende Metallschicht (71), wobei das Licht-Erzeugungselement (511) eine untere Oberfläche (501) aufweist, der zweite Reflektor (6) in der unteren Oberfläche (42) des Wellenlängenwandlerelementes (4) eingebettet ist und eine obere Oberfläche (611), die auf der unteren Oberfläche (501) des Licht-Erzeugungselementes (511) ausgebildet ist, und eine untere Oberfläche (602) besitzt, die der oberen Oberfläche (601) des zweiten Reflektors (6) gegenüberliegt, die reflektierende Metallschicht (71) auf der unteren Oberfläche (42) des Wellenlängenwandlerelementes (4) ausgebildet ist und die untere Oberfläche (602) des zweiten Reflektors (6) abdeckt.
  17. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 16, ferner gekennzeichnet durch ein zweites Glassubstrat (32), das auf der reflektierenden Metallschicht (71) ausgebildet ist.
  18. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Reflektor (6) wenigstens eine dielektrische Einheit (61) enthält, die wenigstens zwei dielektrische Schichten besitzt, welche sich voneinander im Brechungsindex und in der Schichtdicke unterscheiden.
  19. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 15, ferner gekennzeichnet durch einen zweiten omnidirektionalen Reflektor (6) und ein zweites Glassubstrat (32), wobei das Licht-Erzeugungselement (511) eine untere Oberfläche (501) besitzt, der zweite Reflektor (6) in der unteren Oberfläche 42 des Wellenlängenwandlerelementes (4) eingebettet ist und eine obere Oberfläche (601), die auf der unteren Oberfläche (501) des Licht-Erzeugungselementes (511) ausgebildet ist, und eine untere Oberfläche (602) besitzt, die der oberen Oberfläche (601) des zweiten Reflektors (6) gegenüberliegt, das zweite Glassubstrat (32) auf der unteren Oberfläche (42) des Wellenlängenwandlerelementes (4) ausgebildet ist und die untere Oberfläche (602) des zweiten Reflektors (6) abdeckt.
  20. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 19, ferner gekennzeichnet durch eine reflektierenden Metallschicht (71), die auf dem zweiten Glassubstrat (32) ausgebildet ist und dieses abdeckt.
  21. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Reflektor (6) wenigstens eine dielektrische Einheit (61) enthält, die wenigstens zwei dielektrische Schichten besitzt, welche sich voneinander im Brechungsindex und der Schichtdicke unterscheiden.
  22. Omnidirektionaler Reflektor (6), gekennzeichnet durch eine dielektrische Struktur aus einem omnidirektionalen Kristall mit einer räumlich periodischen Variation der Dielektrizitätskonstante, wobei die dielektrische Struktur wenigstens eine dielektrische Einheit (61) enthält, die wenigstens drei dielektrische Schichten besitzt, welche sich voneinander im Brechungsindex und der Schichtdicke in einer solchen Weise unterscheiden, daß der Reflektor (6) eine Streuungscharakteristik, die eine Reflexionscharakteristik zeigt, welche im wesentlichen die Totalreflexion eines primären Lichtes in einem ersten Wellenlängenbereich ermöglicht, sowie eine Transmissionscharakteristik besitzt, welche die Transmission eines sekundären Lichts in einem zweiten Wellenlängenbereich außerhalb des ersten Wellenlängenbereichs ermöglicht.
  23. Reflektor (6) nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrischen Schichten eine erste, zweite und dritte dielektrische Schicht (611, 612, 613) enthält, wobei die zweite dielektrische Schicht (612) zwischen der ersten und dritten dielektrischen Schicht (611, 613) angeordnet ist und einen niedrigeren Brechungsindex als die erste und dritte dielektrische Schicht (611, 613) aufweist, und die dritte dielektrische Schicht (613) einen kleineren Brechungsindex als die erste dielektrische Schicht (611) aufweist.
  24. Reflektor (6) nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die erste dielektrische Schicht (611) aus TiO2, die zweite dielektrische Schicht (612) aus Ta2O5 und die dritte dielektrische Schicht (613) aus SiO2 hergestellt ist.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009031147A1 (de) * 2009-06-30 2011-01-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE102010048162A1 (de) * 2010-10-11 2012-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionsbauteil
DE102015104237A1 (de) * 2015-03-20 2016-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
WO2020028341A1 (en) * 2018-07-30 2020-02-06 Lumileds Llc Infrared light emitting device
US11417806B2 (en) 2018-07-30 2022-08-16 Lumileds Llc Dielectric mirror for broadband IR LEDs

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2300790A1 (de) * 1972-02-02 1973-08-09 Rank Organisation Ltd Farbkorrekturfilter
DE3941859C1 (de) * 1989-12-19 1991-01-24 Deutsche Spezialglas Ag, 3223 Gruenenplan, De
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6130780A (en) * 1998-02-19 2000-10-10 Massachusetts Institute Of Technology High omnidirectional reflector
WO2002015292A2 (en) * 2000-08-15 2002-02-21 Emagin Corporation Organic light emitting diode display devices having barrier structures between sub-pixels

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2300790A1 (de) * 1972-02-02 1973-08-09 Rank Organisation Ltd Farbkorrekturfilter
DE3941859C1 (de) * 1989-12-19 1991-01-24 Deutsche Spezialglas Ag, 3223 Gruenenplan, De
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6130780A (en) * 1998-02-19 2000-10-10 Massachusetts Institute Of Technology High omnidirectional reflector
WO2002015292A2 (en) * 2000-08-15 2002-02-21 Emagin Corporation Organic light emitting diode display devices having barrier structures between sub-pixels

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009031147A1 (de) * 2009-06-30 2011-01-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE102010048162A1 (de) * 2010-10-11 2012-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionsbauteil
US9164354B2 (en) 2010-10-11 2015-10-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Conversion component
DE102015104237A1 (de) * 2015-03-20 2016-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US10153414B2 (en) 2015-03-20 2018-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component
DE102015104237B4 (de) 2015-03-20 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement
WO2020028341A1 (en) * 2018-07-30 2020-02-06 Lumileds Llc Infrared light emitting device
US11417806B2 (en) 2018-07-30 2022-08-16 Lumileds Llc Dielectric mirror for broadband IR LEDs

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