DE10161101A1

DE10161101A1 - Electronic component, used in flip-chip technology, comprises semiconductor chip block with contact surfaces with contact humps on its active chip surface and intermediate support formed as wiring plate with wiring surfaces

Info

Publication number: DE10161101A1
Application number: DE10161101A
Authority: DE
Inventors: Bernd Goller; Robert-Christian Hagen; Gerald Ofner; Christian Stuempfl; Josef Thumbs; Stefan Wein; Holger Woerner; Werner Heindl
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2001-12-12
Filing date: 2001-12-12
Publication date: 2003-03-13

Abstract

Electronic component comprises: (a) semiconductor chip block (1) with contact surfaces (3) with contact humps (12) on its active chip surface; and (b) intermediate support (4) formed as wiring plate with upper wiring surface (6) with conducting strips (9) and contact connecting surfaces (14) and lower wiring surface (7) with outer contact surfaces (15) electrically connected with the contact connecting surfaces. Electronic component comprises: (a) semiconductor chip block (1) with contact surfaces (3) with contact humps (12) on its active chip surface; and (b) intermediate support (4) formed as wiring plate with upper wiring surface (6) with conducting strips (9) and contact connecting surfaces (14) and lower wiring surface (7) with outer contact surfaces (15) electrically connected with the contact connecting surfaces. The heat expansion coefficient in the intermediate support is different in the upper wiring surface than in the lower wiring surface. An Independent claim is also included for a process for the production of the electronic component.

Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil und ein Verfahren zu seiner Herstellung. The invention relates to an electronic component and a Process for its production.

Beim Aufbau eines elektronischen Bauteils sind die Art der mechanischen und/oder der elektrischen Verbindungen der einzelnen beteiligten Bauelemente besonders kritisch zu betrachten. Die zu verbindenden Bauelemente, wie Halbleiterchipbaustein, Substrat, Zwischenträger und Leiterplatte, bestehen funktionsbedingt aus verschiedenen Werkstoffen, wie Silizium, Epoxidharz oder Kupfer, die jeweils einen unterschiedlichen Wärmedehnungskoeffizienten aufweisen. Dies führt dazu, dass es an den Grenzflächen der miteinander verbundenen Bauelemente zu unterschiedlichen Längenausdehnungen der einzelnen Bauelemente kommt, wenn während des Betriebs eines solchen elektronischen Bauteils dasselbe hohen Temperaturen oder Temperaturschwankungen ausgesetzt ist. When building an electronic component, the type of mechanical and / or the electrical connections of the individual components involved particularly critical consider. The components to be connected, such as Semiconductor chip component, substrate, intermediate carrier and printed circuit board exist due to the function of different materials, such as silicon, Epoxy resin or copper, each a different Have coefficients of thermal expansion. This leads to it at the interfaces of the interconnected Components to different lengths of the individual Components comes when operating such electronic component the same high temperature or Is exposed to temperature fluctuations.

Die unterschiedlichen Längenänderungen bewirken erhebliche Spannungen an den Grenzflächen der miteinander verbundenen Bauelemente, die zum Verbiegen der Bauelemente oder im ungünstigsten Fall zum Bruch der Bauelemente führen können. Ein Verbiegen der zusammengefügten Bauelemente tritt vor allem bei starr miteinander verbundenen Bauelementen ein. Bei einer bedingt flexiblen Anordnung der Bauelemente, wie bei einer Flip-Chip-Verbindung mittels Kontakthöckern, führen die unterschiedlichen Längenänderungen der einzelnen Bauelemente zu einer gegenseitigen Relativbewegung, was bei Temperaturwechselbeanspruchungen zum Versagen der Verbindungsstellen durch Ermüdung führen kann. The different changes in length cause considerable Tensions at the interfaces of the interconnected Components used to bend the components or in the worst case can lead to breakage of the components. On Above all, bending of the assembled components occurs with rigidly connected components. At a conditionally flexible arrangement of the components, as in a Flip-chip connection using bumps, lead the different changes in length of the individual components a mutual relative movement, which at Changes in temperature to cause the connection points to fail Can cause fatigue.

Bei den derzeitig angewandten Techniken zur Verbindung der Bauelemente eines elektronischen Bauteils sind verschiedene Gestaltungen und Vorgehensweisen bekannt. In the currently used techniques for connecting the Components of an electronic component are different Designs and procedures known.

Beispielsweise werden bei der Montage eines Flachleitergehäuses auf eine Leiterplatte die unterschiedlichen Längenausdehnungen der beiden Bauelemente infolge der Erwärmung während des Betriebs durch die Anschlussbeinchen der Flachleiter kompensiert. Dabei funktionieren die annähernd s-förmig gebogenen Anschlussbeinchen als Federelemente, die die Relativbewegung zwischen dem Flachleitergehäuse und der Leiterplatte ausgleichen. For example, when installing a Flat conductor housing on a circuit board the different Linear expansion of the two components due to the heating during of operation through the connection legs of the flat conductors compensated. The work almost S-shaped curved connecting legs as spring elements that the Relative movement between the flat conductor housing and the printed circuit board compensate.

Bei einer weiteren bekannten Methode wird der Halleiterchipbaustein unmittelbar auf das aus Silizium bestehende Substrat aufgeklebt. Dabei wird der Ausgleich der thermomechanischen Spannungen zwischen dem Halbleiterchipbaustein und dem Substrat von der elastischen Klebstoffschicht übernommen. In another known method, the Semiconductor chip component directly on the silicon substrate glued. The balancing of the thermomechanical Voltages between the semiconductor chip device and the Substrate taken from the elastic adhesive layer.

Im Falle einer Flip-Chip-Verbindung zwischen einem Halbleiterchipbaustein und den Kontaktanschlussflächen eines Substrats werden die auf die Kontakthöcker einwirkenden Spannungen mittels einer in den Zwischenraum zwischen dem Halbleiterchipbaustein und dem Substrat eingebrachten Unterfüllung aus Kunststoffmasse ausgeglichen. Die Spannung auf den einzelnen Kontakthöcker wird auf diese Weise reduziert und die Zuverlässigkeit der Verbindung der beteiligten Bauelemente zwar erhöht, jedoch nicht entscheidend verbessert. In the case of a flip-chip connection between one Semiconductor chip module and the contact pads of a Substrate become those acting on the bumps Tensions by means of a in the space between the Semiconductor chip component and the underfill introduced into the substrate balanced from plastic mass. The tension on the individual bumps is reduced in this way and the Reliability of the connection of the components involved increased, but not significantly improved.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektronisches Bauteil zu schaffen, das bei einfachem Aufbau und wirtschaftlicher Herstellung einen optimalen Längenausgleich der miteinander verbundenen Bauelemente bei Erwärmung während des Betriebs gewährleistet. The object of the invention is to provide an electronic component create that with a simple structure and more economical Manufacturing an optimal length compensation of each other connected components when heated during operation guaranteed.

Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Merkmale vorteilhafter Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. This task is the subject of independent Claims resolved. Features of advantageous developments of the Invention result from the dependent claims.

Erfindungsgemäß weist das elektronische Bauteil einen Halbleiterchipbaustein mit Kontaktflächen auf seiner aktiven Chipoberfläche auf, die mit Kontakthöckern bestückt ist. Ferner ist ein als Umverdrahtungsplatte ausgebildeter Zwischenträger mit einer ersten oberen Umverdrahtungsebene mit Umverdrahtungsleiterbahnen und Kontaktanschlußflächen vorgesehen, mit denen der Halbleiterchipbaustein mittels Flip-Chip-Technik elektrisch kontaktiert ist. Eine zweite untere Umverdrahtungsebene weist Außenkontaktflächen auf, die mittels Durchkontakte mit Kontaktanschlussflächen elektrisch verbunden sind. Dabei ist der Wärmedehnungskoeffizient in dem als Umverdrahtungsplatte ausgebildeten Zwischenträger zwischen dessen oberer Umverdrahtungsebene und dessen unterer Umverdrahtungsebene unterschiedlich in seinen Werten. According to the invention, the electronic component has one Semiconductor chip component with contact areas on its active Chip surface, which is equipped with bumps. Further is an intermediate carrier designed as a rewiring plate with a first upper rewiring level Rewiring conductor tracks and contact pads provided with those of the semiconductor chip component using flip-chip technology is electrically contacted. A second lower one Rewiring level has external contact areas, which by means of Through contacts electrically connected to contact pads are. The coefficient of thermal expansion is in the as Rewiring plate trained intermediate carrier between the upper rewiring level and its lower Rewiring level different in its values.

Das erfindungsgemäße elektronische Bauteil hat den Vorteil, dass der Wärmedehnungswert im Bereich der Oberseite des als Umverdrahtungsplatte ausgebildeten Zwischenträgers demjenigen Wärmedehnungswert des dort montierten Bauelements und dass der Wärmedehnungswert im Bereich der Unterseite des als Umverdrahtungsplatte ausgebildeten Zwischenträgers demjenigen Wärmedehnungswert des dort montierten Bauelements angepasst ist. Auf diese Weise werden bei Temperaturschwankungen während des Betriebs des elektronischen Bauteils unterschiedliche Längenausdehnungen der miteinander verbundenen Bauelemente vermieden. Die durch Kleben oder Löten hergestellten Verbindungen zwischen einem elektronischen Bauelement und dem Zwischenträger bzw. einem Substrat werden somit keiner Scherspannung oder Biegespannung ausgesetzt und damit nicht überbelastet oder gar zerstört. The electronic component according to the invention has the advantage that the thermal expansion value in the area of the top of the as Rewiring plate trained intermediate carrier Thermal expansion value of the component mounted there and that the thermal expansion value in the area of the bottom of the as Rewiring plate trained intermediate carrier Thermal expansion value of the component mounted there adjusted is. This way, in the event of temperature fluctuations during the operation of the electronic component different lengths of the interconnected Components avoided. Those made by gluing or soldering Connections between an electronic component and the Intermediate carriers or a substrate are therefore none Exposed to shear stress or bending stress and therefore not overloaded or even destroyed.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist der Wärmedehnungskoeffizient in dem als Umverdrahtungsplatte ausgebildeten Zwischenträger im Bereich der oberen die Kontaktanschlussflächen aufweisenden Umverdrahtungsebene größer als im Bereich der unteren die Außenkontaktflächen aufweisenden Umverdrahtungsebene. In one embodiment of the invention, the Thermal expansion coefficient in the formed as a rewiring plate Intermediate beams in the area of the upper Rewiring level having contact pads larger than in the area the lower one having the external contact surfaces Redistribution layer.

Diese Ausführungsform hat den Vorteil, dass gegenüber den bekannten Verbindungstechniken die Belastung durch Spannungen in den besonders empfindlichen Kontaktflächen des Aufbaus ferngehalten und vom eigens dafür ausgelegten Zwischenträger mitgetragen werden. This embodiment has the advantage that compared to the known connection techniques the stress in the particularly sensitive contact areas of the body kept away and from the specially designed intermediate carrier be carried along.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass der als Umverdrahtungsplatte ausgebildete und aus einer Kunststoffmasse bestehende Zwischenträger eine Polymermatrix aufweist, deren Wärmedehnungskoeffizient durch Einlagerung von Füllstoffteilchen zwischen seiner oberen die Kontaktanschlussflächen aufweisenden Umverdrahtungsebene und seiner unteren die Außenkontaktflächen aufweisenden Umverdrahtungsebene graduell veränderbar ist. In another embodiment of the invention provided that the formed as a rewiring plate and from a plastic mass existing intermediate carrier Has polymer matrix whose thermal expansion coefficient by Storage of filler particles between its upper the Rewiring level and contact pads its lower one having the external contact surfaces Rewiring level is gradually changeable.

Dabei nimmt die Dichte der Füllstoffteilchen vom Bereich der oberen Umverdrahtungsebene zum Bereich der unteren Umverdrahtungsebene des Zwischenträgers graduell ab, und die Füllstoffteilchen sind in der horizontalen Ebene des Zwischenträgers ausgerichtet. The density of the filler particles decreases from the range upper rewiring level to the area below Rewiring level of the intermediate carrier gradually, and the Filler particles are in the horizontal plane of the Intermediate carrier aligned.

In dieser Ausführungsform ist von Vorteil, dass durch den Einsatz eines geeigneten Kunststoffmaterials und einer geeigneten graduellen Dotierung der eingelagerten Füllstoffteilchen mit geringem Wärmedehnungswert die Wärmedehnungskoeffizienten zwischen den auf den Zwischenträger montierten Bauelemente und dem Zwischenträger selbst gezielt angepaßt werden könnten. Dadurch werden an den Grenzflächen zweier miteinander verbundenen Bauelemente Spannungen aufgrund von Temperaturschwankungen erfindungsgemäß vermieden. In this embodiment it is advantageous that the Use of a suitable plastic material and one suitable gradual doping of the stored Filler particles with low thermal expansion Coefficient of thermal expansion between those mounted on the intermediate carrier Components and the intermediate carrier itself specifically adapted could become. This will make two at the interfaces interconnected components due to stresses Temperature fluctuations avoided according to the invention.

Bei den erfindungsgemäßen Ausführungsformen können die in dem aus Kunststoffmasse bestehenden Zwischenträger eingelagerten Füllstoffteilchen aus Glasfasern, aus Aramidfasern oder aus Karbonfasern bestehen. In the embodiments according to the invention, the in the intermediate carrier made of plastic mass Filler particles made from glass fibers, from aramid fibers or from Carbon fibers exist.

Dies hat den Vorteil, dass in Anpassung an die für die einzelnen Bauelemente des elektronischen Bauteils verwendeten Materialien eine optimale Steuerung der Wärmedehnungskoeffizienten im Zwischenträger durch die Auswahl des Werkstoff ffs der eingebetteten Füllstoffteilchen möglich ist. This has the advantage of being in alignment with that for the individual components of the electronic component used Optimal control of the materials Thermal expansion coefficients in the intermediate carrier through the selection of the material ffs the embedded filler particles is possible.

Eine weitere Ausführungsform sieht vor, dass der Zwischenträger aus mehreren Laminatschichten besteht, die jeweils eine graduell unterschiedliche Dichte der Füllstoffteilchen aufweisen. Another embodiment provides that the Intermediate carrier consists of several laminate layers, each one gradually different density of the filler particles exhibit.

Diese Ausführungsform hat den Vorteil, dass eine einfache Herstellung des erfindungsgemäßen Zwischenträgers möglich ist, wobei eine präzise Dotierung der Füllstoffteilchen in den einzelnen Schichten möglich ist. This embodiment has the advantage of being simple Production of the intermediate carrier according to the invention possible , with a precise doping of the filler particles in the individual layers is possible.

Eine weitere Ausführungsform kann so aufgebaut sein, dass die Laminatschichten des Zwischenträgers wechselweise aus einem Kunststoffmaterial hoher Biegesteifigkeit und aus einem Kunststoffmaterial mit niedrigem Elastizitätsmodul bestehen. Another embodiment can be constructed so that the Laminate layers of the intermediate carrier alternately from one Plastic material with high bending stiffness and from one Plastic material with a low modulus of elasticity.

Diese Ausführungsform hat den Vorteil, dass durch die wechselnde Folge von Laminatschichten mit unterschiedlichen Materialeigenschaften der als Verbund aufgebaute Zwischenträger auch bei hohen thermomechanischen Spannungen seine plane Form behält. This embodiment has the advantage that changing sequence of laminate layers with different Material properties of the intermediate carrier constructed as a composite its flat shape even at high thermomechanical stresses reserves.

In einer konkreten Ausführungsform der Erfindung entspricht im Bereich der oberen Umverdrahtungsebene der durch die Dichte der Füllstoffteilchen bestimmte Wärmedehnungskoeffizient dem Wärmedehnungskoeffizienten des Siliziumwerkstoffs des Halbleiterchipbausteins und entspricht im Bereich der unteren Umverdrahtungsebene der durch die Dichte der Füllstoffteilchen bestimmte Wärmedehnungskoeffizient dem Wärmekoeffizienten einer Leiterplatte. In a specific embodiment of the invention corresponds in the area of the upper rewiring level by the Density of the filler particles determined coefficient of thermal expansion the coefficient of thermal expansion of the silicon material Semiconductor chip component and corresponds in the area of the lower Rewiring level by the density of the Filler particles determined the coefficient of thermal expansion Thermal coefficient of a printed circuit board.

In einer weiteren Ausführungsform der gattungsgemäßen Erfindung besteht der als Umverdrahtungsplatte ausgebildete Zwischenträger aus einem hochflexiblen Material, in das elektrische Verbindungsleiter eingebettet sind, die die Kontaktanschlussflächen der oberen Umverdrahtungsebene mit den Außenkontaktflächen der unteren Umverdrahtungsebene kontaktieren und die bei Nichtbetrieb des elektronischen Bauteils eine bogenförmige Form aufweisen. Dabei kann der als Umverdrahtungsplatte ausgebildete Zwischenträger aus einem flexiblen, dehnbaren Kunststoffmaterial oder einem gummiartigen Werkstoff bestehen. In a further embodiment of the generic Invention is the one designed as a rewiring plate Intermediate carrier made of a highly flexible material in which electrical connecting conductors are embedded, which the Contact connection areas of the upper rewiring level with the Contact the outer contact areas of the lower rewiring level and the one when the electronic component is not in operation have an arcuate shape. The as Intermediate carrier formed from a flexible, stretchable plastic material or a rubber-like material consist.

Der Vorteil dieser Ausführungsform liegt darin, dass der hochflexible Zwischenträger bei Einwirkung von Wärme die unterschiedlichen Längenausdehnungen des aus Silizium bestehenden Halbleiterchipbausteins einerseits und der Leiterplatte andererseits ausgleicht. Dabei können sich die im Nichtbetriebszustand bogenförmig gestalteten elektrischen Verbindungsleiter in einen mehr oder weniger gestreckten Zustand übergehen und auf diese Weise die elektrischen Verbindungen zwischen dem Halbleiterchipbaustein und der Leiterplatte zuverlässig aufrechterhalten. The advantage of this embodiment is that the highly flexible intermediate carrier when exposed to heat different lengths of the silicon existing semiconductor chip component on the one hand and the circuit board on the other hand compensates. The can in Non-operating state arcuate electrical Connection conductor in a more or less stretched state pass over and in this way the electrical connections between the semiconductor chip component and the circuit board maintained reliably.

Ein Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen elektronischen Bauteils hat mindestens folgende Verfahrensschritte:

- Bereitstellen eines Halbleiterchipbausteins mit Kontaktflächen,
- Bereitstellen eines als Umverdrahtungsplatte ausgebildeten Zwischenträgers mit graduell verlaufender Dichte von Füllstoffteilchen und mit Kontaktanschlussflächen sowie Außenkontaktflächen auf der oberen Umverdrahtungsebene bzw. der unteren Umverdrahtungsebene,
- Vorbereiten des Halbleiterchipbausteins und Bestücken desselben mit Kontakthöckern,
- Aufbringen des Halbleiterchipbausteins auf den Zwischenträger mittels der Flip-Chip-Technik,
- Bestücken der Außenkontaktflächen der unteren Umverdrahtungsebene mit Lötbällchen und
- Eingießen des elektronischen Bauteils in ein Gehäuse aus Kunststoffgußmasse.

A method for producing an electronic component according to the invention has at least the following method steps:

Provision of a semiconductor chip component with contact areas,
Provision of an intermediate carrier designed as a rewiring plate with a gradually running density of filler particles and with contact connection areas and external contact areas on the upper rewiring level or the lower rewiring level,
Preparing the semiconductor chip component and equipping it with contact bumps,
Applying the semiconductor chip component to the intermediate carrier by means of the flip-chip technology,
- Equipping the external contact areas of the lower rewiring level with solder balls and
- Pouring the electronic component into a housing made of plastic casting compound.

Dieses Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils hat den Vorteil, dass es sehr kurze Herstellungszeiten aufweist, weil durch die Anwendung der Flip-Chip-Technik die elektrische Kontaktierung zwischen dem Halbleiterchipbaustein und dem Zwischenträger äußerst zeitsparend und wirtschaftlich durchführbar und als Ergebnis ein sehr kompaktes, kleines elektronisches Bauteil hat. Außerdem werden infolge der graduellen Dotierung des Zwischenträgers mit Füllstoffteilchen die unterschiedlichen Wärmedehnungskoeffizienten der einzelnen Bauelemente des elektronischen Bausteins ausgeglichen. This method of making an electronic The component has the advantage that it has very short manufacturing times has because by using the flip-chip technology electrical contact between the semiconductor chip component and the intermediate carrier extremely time-saving and economical feasible and as a result a very compact, small has electronic component. In addition, as a result of gradual doping of the intermediate carrier with filler particles the different coefficients of thermal expansion of the individual Components of the electronic component balanced.

In einem Durchführungsbeispiel des Verfahrens wird der Zwischenträger anstelle der Dotierung mit Füllstoffteilchen als hochflexibles Bauteil ausgebildet. Ein solches Durchführungsbeispiel weist die folgenden Verfahrensschritte auf:

- Vorbereiten eines Halbleiterchipbausteins (1) mit Kontaktflächen (3),
- Bereitstellen eines als Umverdrahtungsplatte ausgebildeten Zwischenträgers (4), der aus einem hochflexiblen Kunststoffwerkstoff mit in demselben eingebetteten elektrischen Verbindungsleitern (17) zur Kontaktierung der Kontaktanschlussflächen (14) und der Außenkontaktflächen (15) der oberen Umverdrahtungsebene (6) bzw. der unteren Umverdrahtungsebene (7) besteht,
- Vorbereiten des Halbleiterchipbausteins (1) und Bestücken desselben mit Kontakthöckern (12),
- Aufbringen des Halbleiterchipbausteins (1) auf den Zwischenträger (4) mittels Flip-Chip-Technik,
- Bestücken der Außenkontaktflächen (15) der unteren Umverdrahtungsebene (7) des Zwischenträgers (4) mit Lötbällchen (18) und
- Eingießen des elektronischen Bauteils (21) in ein Gehäuse (20) aus Kunststoffgußmasse.

In an exemplary embodiment of the method, the intermediate carrier is designed as a highly flexible component instead of the doping with filler particles. Such an implementation example has the following process steps:

- preparing a semiconductor chip component ( 1 ) with contact areas ( 3 ),
- Providing an intermediate carrier ( 4 ) designed as a rewiring plate, which is made of a highly flexible plastic material with electrical connecting conductors ( 17 ) embedded in it for contacting the contact connection surfaces ( 14 ) and the external contact surfaces ( 15 ) of the upper rewiring level ( 6 ) and the lower rewiring level ( 7 ) there is
- Preparing the semiconductor chip component ( 1 ) and equipping it with contact bumps ( 12 ),
- applying the semiconductor chip component ( 1 ) to the intermediate carrier ( 4 ) by means of flip-chip technology,
- Equipping the outer contact surfaces ( 15 ) of the lower rewiring level ( 7 ) of the intermediate carrier ( 4 ) with solder balls ( 18 ) and
- Pouring the electronic component ( 21 ) into a housing ( 20 ) made of plastic casting compound.

Dieses Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils hat den Vorteil, einer optimalen, wirtschaftlichen Herstellung des elektronischen Bausteins, der darüber hinaus eine flache, kompakte Stapelanordnung aufweist. Infolge der hochflexiblen Beweglichkeit der Grenzflächen zwischen den unterschiedlichen Chipmaterialien gewährleistet ein derartig hergestellter elektronischer Baustein eine hohe Funktionszuverlässigkeit. This method of making an electronic Component has the advantage of an optimal, economical Manufacture of the electronic module, the beyond has a flat, compact stacking arrangement. As a result of highly flexible mobility of the interfaces between the one ensures different chip materials manufactured electronic component a high Functional reliability.

Zusammenfassend ergibt sich, dass bei einem elektronischen Baustein mit einem mittels der Flip-Chip-Technik auf einen Zwischenträger aus Kunststoffwerkstoff montierten Halbleiterchipbaustein und dem mittels Lötbällchen auf eine Leiterplatte montierten Zwischenträger zum Ausgleich der unterschiedlichen Wärmedehnungskoeffizienten der miteinander verbundenen Bauelemente der aus Kunststoffmaterial bestehende Zwischenträger eine graduell verlaufende Dotierung von Füllstoffteilchen aufweist. Dabei ist die Dichte der Füllstoffteilchen auf der Oberseite des Zwischenträgers, also auf dem dem Halbleiterchipbaustein zugekehrten Bereich in Anpassung an den Wärmedehnungskoeffizienten des Halbleiterchipbausteins höher bemessen und auf der Unterseite des Zwischenträgers, also dem der Leiterplatte zugekehrten Bereich in Anpassung an den Wärmedehnungskoeffizienten der Leiterplatte niedriger bemessen. Auf diese Weise verhalten sich die Längenausdehnungen der beteiligten Bauelemente des elektronischen Bauteils gleich bzw. weitgehend gleich, so dass keine thermomechanischen Spannungen an den Grenzflächen der miteinander verbundenen Bauelemente auftreten. In summary, it follows that an electronic Module with one using the flip-chip technology on one Mount the intermediate carrier made of plastic material Semiconductor chip module and the by means of solder balls on a PCB-mounted intermediate carrier to compensate for the different coefficients of thermal expansion of the interconnected Components of the existing plastic material Intermediate carrier a gradual doping of Has filler particles. The density of the filler particles is up the top of the intermediate carrier, that is on the Semiconductor chip module facing area in adaptation to the Thermal expansion coefficient of the semiconductor chip component higher dimensioned and on the underside of the intermediate carrier, that is the area facing the circuit board in adaptation to the The thermal expansion coefficient of the printed circuit board is lower. In this way, the linear expansion of the components of the electronic component involved are the same or largely the same, so no thermomechanical Tensions at the interfaces of the interconnected Components occur.

In einem alternativen weiteren Ausführungsbeispiel besteht der Zwischenträger aus einem hochflexiblen Substrat, in das im Nichtbetriebszustand des elektronischen Bauteils elektrische Verbindungsleiter in gebogener Form eingebettet sind, die die Kontaktierung des Halbleiterchipbausteins mit der Leiterplatte sicherstellen. Bei Erwärmung des elektronischen Bauteils während des Betriebs nimmt das hochflexible Substrat des Zwischenträgers die Längenänderungen der miteinander verbundenen Bauelemente auf, wobei die Verbindungsleiter aus der gebogenen Form in eine mehr oder weniger gestreckte Form gelangen. Auf diese Weise werden die elektrischen Kontakte zwischen dem Halbleiterchipbaustein und der Leiterplatte bei Temperaturschwankungen während des Betriebs zuverlässig aufrechterhalten. In an alternative further embodiment there is the intermediate carrier made of a highly flexible substrate into which in the non-operating state of the electronic component electrical connecting conductors are embedded in a curved shape, which the contacting of the semiconductor chip device with the Make sure the circuit board. When heating the electronic Component during operation takes the highly flexible substrate of the intermediate carrier the changes in length of each other connected components, the connecting conductor from the curved shape into a more or less elongated shape reach. In this way, the electrical contacts between the semiconductor chip component and the circuit board Reliable temperature fluctuations during operation maintained.

Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die beiliegenden Figuren näher erläutert: The invention will now be described with reference to embodiments explained in more detail on the attached figures:

Fig. 1 zeigt eine schematische Querschnitts-Darstellung eines erfindungsgemäßen elektronischen Bausteins, Fig. 1 shows a schematic cross-sectional view of an electronic module according to the invention,

Fig. 2 zeigt eine schematische Querschnitts-Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines elektronischen Bauteils, Fig. 2 shows a schematic cross-sectional representation of another embodiment of an electronic component,

Fig. 3 zeigt eine schematische Querschnitts-Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines elektronischen Bauteils im Zustand des Nichtbetriebs und Fig. 3 shows a schematic cross-sectional representation of another embodiment of an electronic component in a state of non-operation, and

Fig. 4 zeigt eine schematische Querschnitts-Darstellung des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 3 bei Erwärmung während des Betriebs des elektronischen Bauteils. FIG. 4 shows a schematic cross-sectional illustration of the exemplary embodiment according to FIG. 3 during heating during the operation of the electronic component.

In der Fig. 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen elektronischen Bausteins 21 schematisch dargestellt, der einen Aufbau und eine Anordnung seiner einzelnen Bauelemente aufweist, womit die Nachteile des Standes der Technik vermieden werden. In Fig. 1 an embodiment of an electronic device 21 according to the invention is shown schematically, which has a structure and arrangement of its individual components, with which the disadvantages of the prior art are avoided.

In der Fig. 1 bezeichnet die Bezugsziffer 1 einen Halbleiterchipbaustein, die Bezugsziffer 3 Kontaktflächen auf der aktiven Oberfläche des Halbleiterchipbausteins 1, die Bezugsziffer 4 einen Zwischenträger, der zwischen dem Halbleiterchipbaustein und einer mit der Bezugsziffer 10 bezeichneten Leiterplatte angeordnet ist. Mit der Bezugsziffer 6 ist eine Umverdrahtungsebene bezeichnet, die auf dem mit der Bezugsziffer 4 bezeichneten Zwischenträger aufgebracht ist. Der Zwischenträger 4 besteht beispielsweise aus Kunststoffmaterial. auf dessen Oberfläche eine mit der Bezugsziffer 14 bezeichnete Kontaktanschlussfläche und auf dessen Unterfläche eine untere Umverdrahtungsebene 7 mit einer mit 15 bezeichneten Außenkontaktfläche vorgesehen sind. In Fig. 1, reference numeral 1 designates a semiconductor chip package, the reference numeral 3 contact areas on the active surface of the semiconductor chip package 1, the reference numeral 4 an intermediate carrier which is arranged between the semiconductor chip module and a printed circuit board indicated by reference numeral 10. The reference number 6 denotes a rewiring level which is applied to the intermediate carrier designated by the reference number 4 . The intermediate carrier 4 consists for example of plastic material. on the surface of which there is a contact connection area designated by reference numeral 14 and on the lower area of which a lower rewiring level 7 with an external contact area designated by 15 is provided.

Mit der Bezugsziffer 9 ist eine auf der Umverdrahtungsebene 6 ausgebildete Umverdrahtungsleiterbahn bezeichnet, die über die mit der Bezugsziffer 16 bezeichneten Durchkontakte die Kontaktanschlussflächen 14 der Umverdrahtungsebene 6 mit den Außenkontaktflächen der Umverdrahtungsebene 7 elektrisch verbinden. Der Halbleiterchipbaustein 1 ist über seine Kontaktflächen 3 und die mit 12 bezeichneten Kontakthöcker mit den Kontaktanschlussflächen 14 des Zwischenträgers 4 mittels der Flip-Chip-Technik kontaktiert. Diese Kontaktierung erfolgt in mikroskopisch kleinen Dimensionen. In diesem Zusammenhang wird unter mikroskopisch klein eine Dimension im Mikrometerbereich verstanden, die nur mittels eines Lichtmikroskops messbar ist. Reference number 9 denotes a rewiring conductor track formed on the rewiring level 6 , which electrically connect the contact connection areas 14 of the rewiring level 6 to the external contact areas of the rewiring level 7 via the through contacts designated by the reference number 16 . The semiconductor chip component 1 is contacted via its contact areas 3 and the contact bumps denoted by 12 with the contact connection areas 14 of the intermediate carrier 4 by means of the flip-chip technology. This contact is made in microscopic dimensions. In this context, microscopic is understood to mean a dimension in the micrometer range that can only be measured by means of a light microscope.

Mit der Bezugsziffer 18 sind Lötbällchen bezeichnet, die die auf der unteren Umverdrahtungsebene 7 des Zwischenträgers 4 angeordneten Außenkontaktflächen 15 mit den mit der Bezugsziffer 19 bezeichneten Leiterbahnen der mit der Bezugsziffer 10 bezeichneten Leiterplatte elektrisch verbinden. Diese elektrische Verbindung erfolgt in makroskopisch großen Dimensionen. In diesem Zusammenhang wird unter makroskopisch groß eine Dimension verstanden, die mit bloßem Auge messbar ist. The reference number 18 denotes solder balls which electrically connect the external contact surfaces 15 arranged on the lower rewiring level 7 of the intermediate carrier 4 to the conductor tracks designated by the reference number 19 of the printed circuit board designated by the reference number 10 . This electrical connection is made in macroscopically large dimensions. In this context, macroscopically large is understood to mean a dimension that can be measured with the naked eye.

Das Erfindungswesentliche des in der Fig. 1 schematisch dargestellten elektronischen Bausteins 21 besteht in der Struktur des Zwischenträgers 4, in dem in bestimmter Anordnung mit der Bezugsziffer 5 bezeichnete Füllstoffteilchen eingearbeitet sind. Dies in den Zwischenträger 4 in bestimmter Verteilung eingebrachten Füllstoffteilchen 5, die aus Glasfasern, Aramidfasern, Karbonfasern oder dergl. bestehen können, bewirken, dass dem aus einem Kunststoffmaterial bestehenden Zwischenträger 4 ein vorbestimmter Wärmedehnungsgradient innewohnt. So ist bei dem in der Fig. 1 schematisch dargestellten Zwischenträger 4 im Bereich der oberen Umverdrahtungsebene 6 eine dichte Verteilung der Füllstoffteilchen 5 vorgesehen, so dass sich ein Wärmedehnungskoeffizient in diesem Bereich ergibt, der dem Wärmedehnungskoeffizienten des aus Siliziumwerkstoff bestehenden Halbleiterchipbausteins 1 entspricht. The essence of the invention of the electronic component 21 shown schematically in FIG. 1 consists in the structure of the intermediate carrier 4 , in which filler particles designated with the reference number 5 are incorporated in a specific arrangement. The filler particles 5 , which can be made of glass fibers, aramid fibers, carbon fibers or the like and which are introduced into the intermediate carrier 4 in a specific distribution, cause the intermediate carrier 4 , which is made of a plastic material, to have a predetermined thermal expansion gradient. Thus, in the intermediate carrier 4 shown schematically in FIG. 1, a dense distribution of the filler particles 5 is provided in the area of the upper rewiring level 6 , so that a thermal expansion coefficient results in this area which corresponds to the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip component 1 made of silicon material.

Im Bereich der unteren Umverdrahtungsebene 7 des Zwischenträgers 4 ist eine dünne Verteilung der Füllstoffteilchen 5 vorgesehen, so dass sich in diesem Bereich ein Wärmedehnungskoeffizient einstellt, der dem Wärmedehnungskoeffizient der aus einem Kunststoffwerkstoff bestehenden Leiterplatte 10 entspricht. Auf diese Weise weisen die Grenzflächen der miteinander verbundenen Bauelemente gleiche Wärmedehnungswerte auf, wodurch bei Temperaturschwankungen während des Betriebs des elektronischen Bausteins 21 thermomechanische Spannungen infolge unterschiedlicher Längenausdehnungen der miteinander verbundenen Bauelemente vermieden werden. Dies resultiert in einer zuverlässigen Funktion und einer langen Lebensdauer derartig aufgebauter elektronischer Bausteine. A thin distribution of the filler particles 5 is provided in the area of the lower rewiring level 7 of the intermediate carrier 4 , so that a thermal expansion coefficient is established in this area, which corresponds to the thermal expansion coefficient of the printed circuit board 10 made of a plastic material. In this way, the boundary surfaces of the interconnected components have the same thermal expansion values, whereby in case of temperature fluctuations during operation of the electronic component 21 thermo-mechanical stresses due to differential expansions in length of the interconnected components are avoided. This results in a reliable function and a long service life of electronic modules constructed in this way.

In der Fig. 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen elektronischen Bauteils 21 in einer schematischen Schnittdarstellung veranschaulicht. A further exemplary embodiment of an electronic component 21 according to the invention is illustrated in FIG. 2 in a schematic sectional illustration.

Es ist im Prinzip so aufgebaut wie das anhand der Fig. 1 beschriebene elektronische Bauteil; gleiche Bauelemente sind mit gleichen Bezugsziffern bezeichnet. In principle, it is constructed in the same way as the electronic component described with reference to FIG. 1; The same components are identified with the same reference numbers.

Der Unterschied zu dem anhand der Fig. 1 beschriebenen elektronischen Bauteil liegt darin, dass die Verteilung der Füllstoffteilchen 5 nicht kontinuierlich von der Oberseite zur Unterseite des Zwischenträgers 4 verläuft, sondern dass die graduell sich vermindernde Dichte der Füllstoffteilchen 5 schichtweise erfolgt. Wie in der Fig. 2 dargestellt, ist die obere Laminatschicht 13, auf der die obere Umverdrahtungsebene 6 aufgebaut ist, mit einer hohen Dichte von Füllstoffteilchen 5 versehen, wodurch ihr Wärmedehnungswert dem Wärmedehnungswert des Halbleiterchipbausteins 1 angepaßt ist. Die unterste Laminatschicht 13, auf der die Außenkontaktflächen 15 aufgebracht sind ist, ist mit einer niedrigen Dichte von Füllstoffteilchen 5 versehen, wodurch ihr Wärmedehnungswert dem Wärmedehnungswert der Leiterplatte 10 angepaßt ist. The difference from the electronic component described with reference to FIG. 1 is that the distribution of the filler particles 5 does not run continuously from the top to the bottom of the intermediate carrier 4 , but that the gradually decreasing density of the filler particles 5 takes place in layers. As shown in FIG. 2, the upper laminate layer 13 , on which the upper rewiring level 6 is built, is provided with a high density of filler particles 5 , as a result of which its thermal expansion value is matched to the thermal expansion value of the semiconductor chip component 1 . The lowest laminate layer 13 , on which the external contact surfaces 15 are applied, is provided with a low density of filler particles 5 , as a result of which its thermal expansion value is matched to the thermal expansion value of the printed circuit board 10 .

Durch diese erfindungsgemäße Maßnahme wird erreicht, dass bei Temperaturschwankungen die obere Laminatschicht 13 und der Halbleiterchipbaustein 1 sowie die unterste Laminatschicht 13 und die Leiterplatte 10 sich in ihre Länge um gleiche Beträge ausdehnen und zusammenziehen, so dass keine thermomechanischen Spannungen zwischen den verbundenen Bauelementen auftreten. Damit wird das elektronische Bauteil 21 nicht funktionsunfähig, weil die elektrischen Verbindungen zwischen der oberen Umverdrahtungsebene 6 und dem Halbleiterchipbaustein 1 und der unteren Umverdrahtungsebene 7 und Leiterplatte 10 nicht beeinträchtigt werden. This measure according to the invention ensures that, in the event of temperature fluctuations, the upper laminate layer 13 and the semiconductor chip component 1 and the lowermost laminate layer 13 and the printed circuit board 10 expand and contract in length by the same amount, so that no thermomechanical stresses occur between the connected components. The electronic component 21 thus does not become inoperable because the electrical connections between the upper rewiring level 6 and the semiconductor chip component 1 and the lower rewiring level 7 and printed circuit board 10 are not impaired.

In den Fig. 3 und 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen elektronischen Bauteils 21 in einer schematischen Schnittdarstellung veranschaulicht. In FIGS. 3 and 4 is another embodiment of an electronic component 21 according to the invention illustrated in a schematic sectional illustration.

Es ist im Prinzip genau so aufgebaut wie das anhand der Fig. 1 beschriebene elektronische Bauteil; gleiche Bauelemente sind mit gleichen Bezugsziffern bezeichnet. In principle, it is constructed exactly like the electronic component described with reference to FIG. 1; The same components are identified with the same reference numbers.

Der Unterschied zu dem anhand der Fig. 1 geschriebenen elektronischen Bauteils liegt darin, dass anstelle des in gradueller Abstufung mit Füllstoffteilchen 5 versehenen Zwischenträgers 4 derselbe aus einem hochflexiblen Material besteht, beispielsweise einem dehnbaren Kunststoffmaterial bzw. einem Gummiwerkstoff, in das elektrische Verbindungsleiter 17 eingebettet sind. Diese elektrischen Verbindungsleiter 17 sind im Nichtbetriebszustand bogenförmig ausgebildet und verbinden die Kontaktanschlussflächen 14 der oberen Umverdrahtungsebene 6, die über Kontakthöcker 12 mit den Kontaktflächen 3 des Halbleiterchipbausteins 1 kontaktiert sind, mit den Außenkontaktflächen 15 der unteren Umverdrahtungsebene 7, die über Lötbällchen 18 mit den Leiterbahnen 19 der Leiterplatte 10 kontaktiert sind. The difference to the electronic component written with reference to FIG. 1 is that instead of the intermediate carrier 4 provided with filler particles 5 in gradual gradation, the latter consists of a highly flexible material, for example a stretchable plastic material or a rubber material, in which electrical connecting conductors 17 are embedded , In the non-operating state, these electrical connecting conductors 17 are arcuate and connect the contact connection areas 14 of the upper rewiring level 6 , which are contacted via contact bumps 12 with the contact areas 3 of the semiconductor chip component 1 , to the external contact areas 15 of the lower rewiring level 7 , which are connected to the conductor tracks 19 via solder balls 18 the circuit board 10 are contacted.

Bei Temperaturänderungen, beispielsweise bei Temperaturerhöhung, dehnt sich der Halbleiterchipbaustein 1 um eine bestimmte Länge. Infolge der Verbindung des Halbleiterchipbausteins 1 über die Kontaktflächen 3, den Kontakthöckern 12 und den Kontaktanschlussflächen 14 folgt der Zwischenträger 4 aufgrund seiner Flexibilität dieser Bewegung, ohne dass thermomechanische Spannungen in den Verbindungsstellen auftreten. In the event of temperature changes, for example when the temperature rises, the semiconductor chip component 1 expands by a certain length. As a result of the connection of the semiconductor chip component 1 via the contact areas 3 , the contact bumps 12 and the contact connection areas 14 , the intermediate carrier 4 follows this movement due to its flexibility, without thermomechanical stresses occurring in the connection points.

Das gleiche gilt für die Ausdehnung der Leiterplatte 10, die über die Leiterbahnen 19, den Lötbällchen 18 und den Außenkontaktflächen 15 mit dem Zwischenträger 4 verbunden ist. Auch hier folgt der flexible Zwischenträger 4 in seiner Längenausdehnung der Längenausdehnung der Leiterplatte 10, so dass keine thermomechanischen Spannungen zwischen den Bauelementen auftreten. The same applies to the expansion of the circuit board 10 , which is connected to the intermediate carrier 4 via the conductor tracks 19 , the solder balls 18 and the external contact surfaces 15 . Here too, the length of the flexible intermediate support 4 follows the length of the printed circuit board 10 , so that no thermomechanical stresses occur between the components.

Bei der Streckbewegung des Zwischenträgers 4 strecken sich auch die elektrischen Verbindungsleiter 17 bis sie im äußersten Fall aus ihrer gebogenen Form in eine gerade, gestreckte Form übergegangen sind. Dabei ist die Länge der bogenförmigen elektrischen Verbindungsleiter 17 so gewählt, dass sie nicht unter Zugspannung geraten, wodurch die elektrischen Verbindungen zwischen den Kontaktflächen 3 und den Kontaktanschlussflächen 14 sowie zwischen den Außenkontaktflächen 15 und den Leiterbahnen 19 der Leiterplatte 10 nicht einer mechanischen Spannung ausgesetzt und somit stets funktionsfähig sind. During the stretching movement of the intermediate carrier 4 , the electrical connecting conductors 17 also stretch until, in the extreme case, they have changed from their curved shape into a straight, stretched shape. The length of the arc-shaped electrical connecting conductors 17 is selected such that they do not come under tensile stress, as a result of which the electrical connections between the contact surfaces 3 and the contact connection surfaces 14 and between the external contact surfaces 15 and the conductor tracks 19 of the printed circuit board 10 are not exposed to mechanical stress and thus are always functional.

Beim Abkühlen des elektronischen Bauteils 21 in seiner Nichtbetriebslage verkürzen sich der Halbleiterchipbaustein 1 und die Leiterplatte 10 sowie der Zwischenträger 4 wieder und die elektrischen Verbindungsleiter 17 nehmen wieder ihre gebogene Form an. When the electronic component 21 cools down in its non-operating position, the semiconductor chip component 1 and the printed circuit board 10 and the intermediate carrier 4 shorten again and the electrical connecting conductors 17 assume their curved shape again.

Ein Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen elektronischen Bauteils 21 der gattungsgemäßen Art weist folgende Verfahrensschritte auf:

- Bereitstellen eines Halbleiterchipbausteins (1) mit Kontaktflächen (3),
- Bereitstellen eines als Umverdrahtungsplatte ausgebildeten Zwischenträgers (4) mit graduell verlaufender Dichte von Füllstoffteilchen (5) und mit Kontaktanschlussflächen (14) sowie Außenkontaktflächen (15) auf der oberen Umverdrahtungsebene (6) bzw. der unteren Umverdrahtungsebene (7),
- Vorbereiten des Halbleiterchipbausteins (1) und Bestücken desselben mit Kontakthöckern (12),
- Aufbringen des Halbleiterchipbausteins (1) auf den Zwischenträger (4) mittels der Flip-Chip-Technik,
- Bestücken der Außenkontaktflächen (15) der unteren Umverdrahtungsebene (7) mit Lötbällchen (18) und
- Eingießen des elektronischen Bauteils (21) in ein Gehäuse (20) aus Kunststoffgußmasse.

A method for producing an electronic component 21 of the generic type according to the invention has the following method steps:

- Providing a semiconductor chip component ( 1 ) with contact areas ( 3 ),
- Providing an intermediate carrier ( 4 ) designed as a rewiring plate with a gradually running density of filler particles ( 5 ) and with contact connection surfaces ( 14 ) and external contact surfaces ( 15 ) on the upper rewiring level ( 6 ) or the lower rewiring level ( 7 ),
- Preparing the semiconductor chip component ( 1 ) and equipping it with contact bumps ( 12 ),
Applying the semiconductor chip component ( 1 ) to the intermediate carrier ( 4 ) by means of the flip-chip technology,
- Equipping the outer contact surfaces ( 15 ) of the lower rewiring level ( 7 ) with solder balls ( 18 ) and
- Pouring the electronic component ( 21 ) into a housing ( 20 ) made of plastic casting compound.

Ein weiteres Durchführungsbeispiel des Verfahrens weist die folgenden Verfahrensschritte auf:

- Bereitstellen eines Halbleiterchipbausteins (1) mit Kontaktflächen (3),
- Bereitstellen eines als Umverdrahtungsplatte ausgebildeten Zwischenträgers (4) der aus einem hochflexiblen Kunststoffwerkstoff mit in demselben eingebetteten elektrischen Verbindungsleitern (17) zur Kontaktierung der Kontaktanschlussflächen (14) und der Außenkontaktflächen (15) der oberen Umverdrahtungsebene (6) bzw. der unteren Umverdrahtungsebene (7) besteht,
- Vorbereiten des Halbleiterchipbausteins (1) und Bestücken desselben mit Kontakthöckern (12),
- Aufbringen des Halbleiterchipbausteins (1) auf den Zwischenträger (4) mittels Flip-Chip-Technik,
- Bestücken der Außenkontaktflächen (15) der unteren Umverdrahtungsebene (7) des Zwischenträgers (4) mit Lötbällchen (18) und
- Eingießen des elektronischen Bauteils (21) in ein Gehäuse (20) aus Kunststoffgußmasse.

Bezugszeichenliste 1 Halbleiterchipbaustein
2 -
3 Kontaktflächen
4 Zwischenträger
5 Füllstoffteilchen
6 obere Umverdrahtungsebene
7 untere Umverdrahtungsebene
8 -
9 Umverdrahtungsleiterbahn
10 Leiterplatte
11 -
12 Kontakthöcker
13 Laminatschichten
14 Kontaktanschlußflächen
15 Außenkontaktfläche
16 Durchkontakt
17 Elektrische Verbindungsleiter
18 Lötbällchen
19 Leiterbahn
20 Gehäuse
21 Elektronisches Bauteil
Another implementation example of the method has the following method steps:

- Providing a semiconductor chip component ( 1 ) with contact areas ( 3 ),
- Providing an intermediate carrier ( 4 ) designed as a rewiring plate, which is made of a highly flexible plastic material and has electrical connecting conductors ( 17 ) embedded in it for contacting the contact connection surfaces ( 14 ) and the external contact surfaces ( 15 ) of the upper rewiring level ( 6 ) and the lower rewiring level ( 7 ) consists,
- Preparing the semiconductor chip component ( 1 ) and equipping it with contact bumps ( 12 ),
- applying the semiconductor chip component ( 1 ) to the intermediate carrier ( 4 ) by means of flip-chip technology,
- Equipping the outer contact surfaces ( 15 ) of the lower rewiring level ( 7 ) of the intermediate carrier ( 4 ) with solder balls ( 18 ) and
- Pouring the electronic component ( 21 ) into a housing ( 20 ) made of plastic casting compound.

REFERENCE SIGNS LIST 1 semiconductor chip component
2 -
3 contact areas
4 intermediate beams
5 filler particles
6 upper level of rewiring
7 lower level of rewiring
8 -
9 rewiring conductor track
10 circuit board
11 -
12 bumps
13 layers of laminate
14 contact pads
15 external contact surface
16 through-hole
17 Electrical connection conductors
18 solder balls
19 conductor track
20 housing
21 Electronic component

Claims

1. Electronic component ( 21 ) with a semiconductor chip component ( 1 ) with contact areas ( 3 ) equipped with contact bumps ( 12 ) on its active chip surface and an intermediate carrier ( 4 ) designed as a rewiring plate with a first upper rewiring level ( 6 ) with rewiring conductor tracks ( 9 ) and contact pads ( 14 ) with which the semiconductor chip component ( 1 ) is electrically contacted by means of flip-chip technology and a second lower redistribution layer ( 7 ) with external contact pads ( 15 ) that are electrically connected to the contact pads ( 14 ) by means of through contacts ( 16 ) , the coefficient of thermal expansion in the intermediate carrier ( 4 ) designed as a rewiring plate being different in its values between its upper rewiring level ( 6 ) and its lower rewiring level ( 7 ).

2. Electronic component according to claim 1, characterized in that the thermal expansion coefficient in the intermediate carrier designed as a rewiring plate ( 4 ) is larger in the area of the upper contact connection areas ( 14 ) having rewiring level ( 6 ) than in the area of the lower ones having external contact areas ( 15 ) Rewiring level ( 7 ).

3. Electronic component according to claim 1, characterized in that the intermediate carrier ( 4 ) designed as a rewiring plate and consisting of a plastic mass has a polymer matrix whose coefficient of thermal expansion is caused by the incorporation of filler particles ( 5 ) between its upper rewiring level ( 6 ) having the contact connection surfaces ( 14 ) ) and its lower rewiring level ( 7 ) having the external contact surfaces ( 15 ) can be changed gradually.

4. The electronic component according to claim 3, characterized in that the stored in the rewiring formed as intermediate carrier (4) filler particles (5) are aligned in the horizontal plane of the intermediate carrier (4).

5. Electronic component according to claims 1 to 4, characterized in that the density of the filler particles ( 5 ) gradually decreases from the area of the upper rewiring level ( 6 ) to the area of the lower rewiring level ( 7 ) of the intermediate carrier ( 4 ).

6. Electronic component according to claims 1 to 5, characterized in that the filler particles ( 5 ) embedded in the intermediate carrier ( 4 ) made of plastic mass consist of glass fibers.

7. Electronic component according to claims 1 to 5, characterized in that the filler particles ( 5 ) embedded in the intermediate carrier ( 4 ) made of plastic mass consist of aramid fibers.

8. Electronic component according to claims 1 to 5, characterized in that the filler particles ( 5 ) embedded in the intermediate carrier ( 4 ) made of plastic mass consist of carbon fibers.

9. Electronic component according to one of claims 1 to 8, characterized in that the intermediate carrier ( 4 ) consists of a plurality of laminate layers ( 13 ), each having a gradientially different density of the filler particles ( 5 ).

10. Electronic component according to claim 9, characterized in that the laminate layers ( 13 ) alternately consist of a plastic material of high flexural strength and low modulus of elasticity.

11. Electronic component according to one of claims 1 to 10, characterized in that in the area of the upper rewiring level ( 6 ) the thermal expansion coefficient determined by the density of the filler particles ( 5 ) corresponds to the thermal expansion coefficient of the silicon material of the semiconductor chip component ( 1 ) and that in the area the lower rewiring level ( 7 ) the thermal expansion coefficient determined by the density of the filler particles ( 5 ) corresponds to the thermal coefficient of a printed circuit board ( 10 ).

12. Electronic component ( 21 ) with a semiconductor chip component ( 1 ) with contact areas ( 3 ) equipped with contact bumps ( 12 ) on its active chip surface and an intermediate carrier designed as a rewiring plate ( 4 ) with a first upper rewiring level ( 6 ) with rewiring conductor tracks ( 9 ) and contact pads ( 14 ) with which the semiconductor chip component ( 1 ) is electrically contacted by means of flip-chip technology and a second lower redistribution layer ( 7 ) with external contact pads ( 15 ) that are electrically connected to the contact pads ( 14 ) by means of through contacts ( 16 ) The intermediate carrier ( 4 ), which is designed as a rewiring plate, consists of a highly flexible material into which electrical connecting conductors ( 17 ) are embedded, which connect the contact connection surfaces ( 14 ) of the upper rewiring level ( 6 ) with the external contact surfaces ( 15 ) of the lower rewiring level ( 7 ) contact and the at Not operating the electronic component ( 21 ) have an arcuate shape.

13. Electronic component according to claim 12, characterized in that the intermediate carrier designed as a rewiring plate ( 4 ) consists of a flexible, stretchable plastic material.

14. Electronic component according to claim 13, characterized in that the intermediate carrier designed as a rewiring plate ( 4 ) consists of a rubber material.

15. A method for producing an electronic component ( 21 ) with a semiconductor chip component ( 1 ) with contact areas ( 3 ) equipped with contact bumps ( 12 ) on its active chip surface and an intermediate carrier ( 4 ) designed as a rewiring plate with a first upper rewiring level ( 6 ) Rewiring conductor tracks ( 9 ) and contact connection areas ( 14 ) with which the semiconductor chip component ( 1 ) is electrically contacted by means of flip-chip technology and a second lower rewiring level ( 7 ) with external contact areas ( 15 ) which are connected to the contact connection areas ( 14 ) by means of through contacts ( 16 ) ) are electrically connected, the method comprising the following method steps:

- Providing a semiconductor chip component ( 1 ) with contact areas ( 3 ),

- Providing an intermediate carrier ( 4 ) designed as a rewiring plate with a gradual density of filler particles ( 5 ), and with contact connection surfaces ( 14 ) and external contact surfaces ( 15 ) on the upper rewiring level ( 6 ) and the lower rewiring level ( 7 ),

- Preparing the semiconductor chip component ( 1 ) and equipping it with contact bumps ( 12 ),

- applying the semiconductor chip component ( 1 ) to the intermediate carrier ( 4 ) by means of flip-chip technology,

- Equipping the outer contact surfaces ( 15 ) of the lower rewiring level ( 7 ) with solder balls ( 18 ) and

- Pouring the electronic component ( 21 ) into a housing ( 20 ) made of plastic casting compound.

16. A method for producing an electronic component ( 21 ) with a semiconductor chip component ( 3 ) on its active chip surface and an intermediate carrier ( 4 ) designed as a rewiring plate with a first upper rewiring level ( 6 ) with rewiring conductor tracks ( 9 ) and contact connection areas ( 14 ) which the semiconductor chip component ( 1 ) is electrically contacted by means of flip-chip technology and a second lower rewiring level ( 7 ) with external contact areas ( 15 ), which are electrically connected to the contact connection areas ( 14 ) by means of vias ( 16 ), the method following the following Process steps comprises:

- Providing a semiconductor chip component ( 1 ) with contact areas ( 3 ),

- Providing an intermediate carrier ( 4 ) designed as a rewiring plate, which is made of a highly flexible plastic material and has electrical connecting conductors ( 17 ) embedded in it for contacting the contact connection surfaces ( 14 ) and the external contact surfaces ( 15 ) of the upper rewiring level ( 6 ) and the lower rewiring level ( 7 ) consists,

- Equipping the outer contact surfaces ( 15 ) of the lower rewiring level ( 7 ) of the intermediate carrier ( 4 ) with solder balls ( 18 ) and

17. The method according to claim 15 or 16 for producing an electronic component ( 21 ) according to any one of claims 1 to 14.