DE10142641A1

DE10142641A1 - Oberflächenwellenfilter

Info

Publication number: DE10142641A1
Application number: DE10142641A
Authority: DE
Inventors: Yuichi Takamine
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-08-31
Filing date: 2001-08-31
Publication date: 2002-05-02
Anticipated expiration: 2021-09-01
Also published as: US6556100B2; US20020044031A1; DE10142641B4; JP2002076838A; JP3454239B2

Abstract

Ein Oberflächenwellenfilter umfaßt ein Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators, das zumindest zwei Interdigitalwandler, die an einem dielektrischen Substrat entlang der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle angeordnet sind, und zumindest einen Oberflächenwellenresonator aufweist, der zwischen einen Eingangsanschluß und/oder einen Ausgangsanschluß und das Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators geschaltet ist. Bei diesem Oberflächenwellenfilter wird ein Durchlaßband gebildet, indem zumindest einer der Resonanzmodi des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators und die Induktivität des Oberflächenwellenfilters verwendet werden.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Oberflächen wellenfilter, das vorzugsweise als ein Bandpaßfilter z. B. in einem Kommunikationssystem verwendet wird, und insbeson dere auf ein Oberflächenwellenfilter, das einen Oberflä chenwellenresonator aufweist, der mit einem Oberflächenwel lenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators verbunden ist.

In den letzten Jahren haben in tragbaren Telefonsystemen mit einer zunehmenden Zahl von Teilnehmern und der Verbrei terung der Dienstleistungen Systeme, bei denen das Sende seitenfrequenzband und das Empfangsseitenfrequenzband des selben nahe beieinander liegen, zahlenmäßig stark zugenom men. Abhängig von dem System kann es unter Umständen not wendig sein, den Dämpfungswert in der unmittelbaren Umge bung des Durchlaßbandes desselben zu erhöhen, um eine ge genseitige Interferenz mit anderen Kommunikationssystemen zu vermeiden. So ist es bei dem Oberflächenwellenfilter, das weit verbreitet als ein Bandpaßfilter bei der HF-Stufe von tragbaren Telefonen verwendet wird, sehr wünschenswert, einen Dämpfungsbereich in der unmittelbaren Umgebung des Durchlaßbandes zu schaffen.

Andererseits gibt es in der letzten Zeit, um die Zahl von Komponenten zu reduzieren, verstärkt den Wunsch, daß zwei Oberflächenwellenfilterelemente in ein Paket kombiniert werden können, und daß die Eingangsanschlüsse und/oder die Ausgangsanschlüsse derselben gemeinsam sind, oder daß das Oberflächenwellenfilter mit einer Symmetrisch-zu- Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion, der sogenannten Balun- Funktion, ausgestattet ist. In jüngster Zeit werden deshalb Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekop pelten Resonators, die leicht anpaßbar sind, um eine Symme trisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlung zu erzielen, weit ver breitet als Bandpaßfilter bei der HF-Stufe von tragbaren Telefonen verwendet.

Die ungeprüfte japanische Patentanmeldung Nr. 05-267990 of fenbart ein longitudinal verbundenes Doppelmodus-SAW-Filter als ein Beispiel eines derartigen Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators.

Die ungeprüfte japanische Patentanmeldung Nr. 10-126212 of fenbart ein Filter, das eine Leiterschaltungskonfiguration aufweist, die ein Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators umfaßt.

Das Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal ge koppelten Resonators jedoch, das in der ungeprüften japani schen Patentanmeldung Nr. 05-267990 offenbart ist, weist dahingehend einen Nachteil auf, daß die Steilheit der Dämp fung-Frequenz-Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung des Durchlaßbandes zur höheren Frequenz hin nicht ausrei chend ist. Dies führt zu einem Problem, daß der Dämpfungs wert auf der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes, wobei der Dämpfungswert in einem PCS-System oder einem ähn lichen System benötigt wird, insbesondere in der unmittel baren Umgebung des Durchlaßbandes nicht gesichert werden kann.

Im Gegensatz dazu ist das Oberflächenwellenfilter, das in der ungeprüften japanischen Patentanmeldung Nr. 10-126212 offenbart ist, in der Lage, die Steilheit der Dämpfung- Frequenz-Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes zu erhöhen. Das Leiter-Typ-Oberflächenwellenfilter in der ungeprüften japanischen Patentanmeldung Nr. 10-126212 ist jedoch nicht in der Lage, eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch- Umwandlungsfunktion durchzuführen.

Dies bedeutet, daß, obwohl der Bedarf nach einem Oberflä chenwellenfilter, das bezüglich der Steilheit der Dämpfung- Frequenz-Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz eines Durchlaßbandes überlegen ist, und das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch- Umwandlungsfunktion aufweist, erkannt wurde, ein derartiges Oberflächenwellenfilter bisher nicht existiert.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Oberflä chenwellenfilter und eine Kommunikationsvorrichtung zu schaffen, bei denen die Steilheit der Dämpfung-Frequenz- Charakteristik im Vergleich zu den Vorrichtungen des Stands der Technik verbessert ist.

Diese Aufgabe wird durch ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1 oder 2 sowie eine Kommunikationsvorrichtung ge mäß Anspruch 12 gelöst.

Um die Probleme beim Stand der Technik zu überwinden und um schließlich dem lang bestehenden Bedarf nach einem Oberflä chenwellenfilter zu genügen, das in der Steilheit der Dämp fung-Frequenz-Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz eines Durchlaßbandes überle gen ist, und das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch- Umwandlungsfunktion aufweist, schaffen bevorzugte Ausfüh rungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ein Oberflächen wellenfilter, das eine überlegene Steilheit der Dämpfung- Frequenz-Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz eines Durchlaßbandes aufweist, und das in der Lage ist, ohne weiteres eines Symmetrisch- zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion durchzuführen.

Ein Oberflächenwellenfilter gemäß einem bevorzugten Ausfüh rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Ober flächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators, das zumindest zwei Interdigitalwandler, die auf einem dielektrischen Substrat entlang der Ausbreitungsrich tung einer Oberflächenwelle angeordnet sind, und zumindest einen Oberflächenwellenresonator aufweist, der zwischen ei nen Eingangsanschluß und/oder einen Ausgangsanschluß und das Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal ge koppelten Resonators geschaltet ist. Bei diesem Oberflä chenwellenfilter ist ein Durchlaßband gebildet, indem zu mindest einer der Resonanzmodi des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators und die Induktivität des Oberflächenwellenresonators verwendet wer den.

Bei einem Aspekt des Oberflächenwellenfilters gemäß ver schiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegen den Erfindung wird die Antiresonanzfrequenz des Oberflä chenwellenresonators vorzugsweise bei einer Frequenz posi tioniert, die niedriger als die bei dem Resonanzmodus, der an der Seite der höchsten Frequenz positioniert ist, unter den Resonanzmodi des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators ist.

Bei einem weiteren Aspekt des Oberflächenwellenfilters ge mäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ist die Resonanzfrequenz des Ober flächenwellenresonators vorzugsweise eine Frequenz, die hö her als die bei dem Resonanzmodus, der an der Seite der höchsten Frequenz positioniert ist, unter den Resonanzmodi ist, die das Durchlaßband des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators bilden.

Bei einem weiteren Aspekt des Oberflächenwellenfilters ge mäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung wird die resultierende Impedanz des Oberflächenwellenresonators und des Oberflächenwellenfil ters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators im wesentlichen an die Impedanz bei dem Resonanzmodus des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekop pelten Resonators angepaßt.

Bei einem weiteren Aspekt des Oberflächenwellenfilters ge mäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung beträgt das Stehwellenverhältnis ( = VSWR; VSWR = voltage standing wave ratio) bei der Frequenz an dem Dämpfungspol, der durch die resultierende Impedanz des Oberflächenwellenresonators und des Oberflächenwellen filters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators erzeugt wird, vorzugsweise zumindest ca. 3,5.

Bei einem weiteren Aspekt des Oberflächenwellenfilters ge mäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung wird der Oberflächenwellenresonator einer Wichtung durch eine Elektrodenfingerentnahme unterzo gen.

Bei einem weiteren Aspekt verschiedener bevorzugter Ausfüh rungsbeispiele der vorliegenden Erfindung weist der Ober flächenwellenresonator vorzugsweise einen kleineren elek tromechanischen Kopplungskoeffizienten auf als ein Oberflä chenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Re sonators.

Bei einem weiteren Aspekt des Oberflächenwellenfilters ge mäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung umfaßt der Oberflächenwellenresona tor vorzugsweise ein piezoelektrisches Substrat, das einen kleineren elektromechanischen Kopplungskoeffizienten als das Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal ge koppelten Resonators aufweist.

Bei einem weiteren Aspekt des Oberflächenwellenfilters ge mäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ist zumindest ein Induktivitätsele ment vorzugsweise parallel zu dem Eingangs- und/oder Aus gangsanschluß geschaltet, mit dem der Oberflächenwellenre sonator in Serie geschaltet ist.

Bei einem weiteren Aspekt des Oberflächenwellenfilters ge mäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung werden zumindest zwei Oberflächen wellenfilterelemente geschaffen. Zumindest entweder die Eingangsanschlußseite oder die Ausgangsanschlußseite der zumindest zwei Oberflächenwellenfilterelemente ist gemein sam, wobei zumindest eines der beiden Oberflächenwellenfil terelemente aus einem Oberflächenwellenfilter gemäß anderen bevorzugten Ausführungsbeispielen der oben beschriebenen vorliegenden Erfindung gebildet ist.

Bei einem weiteren Aspekt des Oberflächenwellenfilters ge mäß verschiedenen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung wird eine Symmetrisch-zu- Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion geschaffen.

Eine Kommunikationsvorrichtung gemäß einem weiteren bevor zugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung um faßt ein Oberflächenwellenfilter gemäß anderen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung, die oben beschrieben sind.

Die obigen und weitere Elemente, Merkmale, Charakteristika und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der fol genden detaillierten Beschreibung von bevorzugten Ausfüh rungsbeispielen der Erfindung gemeinsam mit den beigefügten Zeichnungen deutlich. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Draufsicht, die die Elektroden struktur eines. Oberflächenwellenfilters gemäß ei nem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 2 ein Diagramm, das die Dämpfung-Frequenz- Charakteristik des Oberflächenwellenfilters gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel und eines herkömmlichen Beispiels zeigt;

Fig. 3 eine schematische Draufsicht, die die Elektroden struktur eines herkömmlichen Oberflächenwellen filters zeigt, das zum Vergleich mit bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung vorbereitet wurde;

Fig. 4 ein Diagramm, das die Dämpfung-Frequenz- Charakteristik des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators zeigt, das in dem ersten bevorzugten Ausführungs beispiel enthalten ist;

Fig. 5 ein Diagramm, das die Dämpfung-Frequenz- Charakteristik des Oberflächenwellenresonators zeigt, der in dem ersten bevorzugten Ausführungs beispiel enthalten ist;

Fig. 6 ein Diagramm, das die Dämpfung-Frequenz- Charakteristik des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators zeigt, das in dem Oberflächenwellenfilter gemäß dem herkömmlichen Beispiel enthalten ist;

Fig. 7 ein Diagramm, das die Dämpfung-Frequenz- Charakteristik des Oberflächenwellenresonators zeigt, der in dem Oberflächenwellenfilter gemäß dem herkömmlichen Beispiel enthalten ist;

Fig. 8A und 8B Ansichten, die Resonanzmodi des Oberflächenwel- len-filters vom Typ eines longitudinal gekoppel ten Resonators erklären, das drei IDT aufweist, wobei Fig. 8A ein Diagramm zum Darstellen der Dämpfung-Frequenz-Charakteristik des Filters ist, und wobei Fig. 8B eine schematische Ansicht ist, die die drei Resonanzmodi desselben zeigt;

Fig. 9A bis 9D jeweils Diagramme, die das Prinzip von bevorzug ten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfin dung unter Verwendung der Reflexionscharakteri stik S22 erklären;

Fig. 10 ein Diagramm, das das Verhältnis zwischen dem Dämpfungswert (in Fig. 2 gezeigt) an dem Dämp fungspol P und dem VSWR zeigt;

Fig. 11 eine schematische Draufsicht, die ein Oberflä chenwellenfilter gemäß einer Modifizierung des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels der vor liegenden Erfindung erklärt;

Fig. 12 ein Diagramm, das die Dämpfung-Frequenz- Charakteristik der Modifizierung, die in Fig. 11 gezeigt ist, zeigt;

Fig. 13 eine schematische Draufsicht, die die Elektroden struktur eines Oberflächenwellenfilters gemäß ei nem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 14 eine schematische Draufsicht, die ein Oberflä chenwellenfilter gemäß einer Modifizierung des zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiels erklärt;

Fig. 15 ein schematisches Blockdiagramm, das ein Oberflä chenwellenfilter zeigt, das zwei Oberflächenwel lenfilterelemente aufweist;

Fig. 16 ein schematisches Blockdiagramm, das ein Oberflä chenwellenfilter zeigt, das zwei Oberflächenwel lenfilterelemente aufweist;

Fig. 17 eine schematische Draufsicht, die die Elektroden struktur eines Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators gemäß einem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 18 ein Diagramm, das die Dämpfung-Frequenz- Charakteristik des Oberflächenwellenfilters gemäß dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 19 eine schematische Draufsicht, die die Elektroden struktur eines Oberflächenwellenfilters gemäß ei ner Modifizierung des dritten bevorzugten Ausfüh rungsbeispiels der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 20 ein schematisches Blockdiagramm, das eine Kommu nikationsvorrichtung erklärt, die ein Oberflä chenwellenfilter gemäß anderen bevorzugten Aus führungsbeispielen der vorliegenden Erfindung um faßt; und

Fig. 21 ein schematisches Blockdiagramm, das ein weiteres Beispiel einer Kommunikationsvorrichtung erklärt, die ein Oberflächenwellenfilter gemäß anderen be vorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung umfaßt.

Fig. 1 ist eine schematische Draufsicht, die die Elektro denstruktur eines Oberflächenwellenfilters gemäß einem er sten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er findung zeigt. Das Oberflächenwellenfilter gemäß diesem be vorzugten Ausführungsbeispiel und nachfolgende bevorzugte Ausführungsbeispiele sind Beispiele, die auf Sendefilter zur Verwendung bei PCS-Systemen angewendet werden.

Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist eine darge stellte Elektrodenstruktur, die aus Al gebildet ist, vor zugsweise auf einem Substrat mit 40 ± 5°, Y-Schnitt, X- Ausbreitung und aus LiTaO₃ gebildet. Hierin sind ein Ober flächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 101 und ein Oberflächenwellenresonator 102, der mit demselben verbunden ist, mit dieser Elektrodenstruktur aufgebaut.

Bei dem Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 101 sind ein erster bis dritter IDT 103 bis 105 entlang der Ausbreitungsrichtung der akusti schen Oberflächenwelle angeordnet. Reflektoren 106 und 107 sind vorzugsweise außerhalb der IDT 103 bzw. 105 ange bracht. Ein Ende jedes IDT 103 und 105 ist mit einem Ein gangsanschluß 119 verbunden. Ein Ende des IDT 104 ist mit einem Ende des Oberflächenwellenresonators 102 verbunden. Das andere Ende jedes IDT 103 und 105 ist mit dem Massepo tential verbunden.

In Fig. 1 sind auch Gittertypreflektoren 117a und 117b, die schematisch dargestellt sind, an gegenüberliegenden Enden des IDT 116 in dem Oberflächenwellenresonator 102 ange bracht.

Der Endabschnitt des Oberflächenwellenresonators 102 gegen über der Seite, die mit dem IDT 104 verbunden ist, ist mit einem Ausgangsanschluß 120 verbunden. Ein Induktivitätsele ment 118 ist zwischen dem Verbindungspunkt 121, der sich zwischen dem Endabschnitt des Oberflächenwellenresonators 102 und dem Ausgangsanschluß 120 befindet, und dem Massepo tential eingefügt.

Dieses Induktivitätselement 118 ist vorzugsweise derart aufgebaut, daß es bei diesem bevorzugten Ausführungsbei spiel einen Wert von ca. 8,2 nH aufweist.

Die IDT 103 bis 105 sind mit Schmale-Teilung- Elektrodenfingerabschnitten ausgestattet, wobei jeder der selben eine schmalere Elektrodenfingerteilung als der ver bleibende Abschnitt aufweist. Wie aus Fig. 1 ersichtlich ist, befinden sich bei den IDT 103 bis 105 Schmale-Teilung- Fingerabschnitte 103a, 104a, 104b und 105a jeweils an den Seiten, die zueinander angrenzend an die benachbarten IDT sind. Anders ausgedrückt, sind zwischen zueinander angren zenden IDT Schmale-Teilung-Elektrodenfingerabschnitte an den zueinander angrenzenden IDT-Seite-Endabschnitten vorge sehen.

Insbesondere ist, unter Annahme des IDT 103 als ein Bei spiel, die Teilung der Elektrodenfinger, die den Schmale- Teilung-Elektrodenfingerabschnitt 103a bilden, schmaler als die des verbleibenden Elektrodenfingerabschnitts.

In Fig. 1 sind weniger Elektrodenfinger gezeigt als tat sächlich vorhanden sind, um die Zeichnung zu vereinfachen.

Im folgenden werden spezifische Entwürfe des Oberflächen wellenfilters gemäß diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel beschrieben. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Schmale-Teilung-Elektrodenfingerabschnitte 103a bis 105a der jeweiligen IDT 103 bis 105 vorzugsweise im we sentlichen alle identisch. Wenn die Wellenlänge der akusti schen Oberflächenwelle, die durch die Teilung dieser Schma le-Teilung-Elektrodenfingerabschnitte bestimmt ist, λI2 ist, und die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle, die durch die Teilung der anderen Elektrodenfingerabschnit te bestimmt ist, λI1 ist, ist der Entwurf des Oberflächen wellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Reso nators 101 vorzugsweise wie folgt:
Kreuzungsbreite W = 70,4 λI1;
Zahl von Elektrodenfingern jedes IDT 103 und 105: Zahl von Elektrodenfingern in einem Schmale-Teilung- Elektrodenfingerabschnitt = 4 und die in dem verbleibenden Abschnitt = 35;
Zahl von Elektrodenfingern des IDT 104: Zahl von Elektro denfingern in dem Schmale-Teilung-Elektrodenfingerabschnitt 104a = 4, Zahl von Elektrodenfingern in dem Schmale- Teilung-Elektrodenfingerabschnitt 104b = 4 und Zahl von Elektrodenfingern in dem verbleibenden Elektrodenfingerab schnitt = 55;
λI1 = 2,13 µm, λI2 = 1,82 µm;
Wellenlänge jedes Reflektors 106 und 107, λR = 2,14 µm;
Zahl von Elektrodenfingern in jedem Reflektor = 70;
Abstand zwischen den Mitten von Elektrodenfingern zwischen einem Schmale-Teilung-Elektrodenfingerabschnitt und dem verbleibenden Elektrodenfingerabschnitt (z. B. die Abstände zwischen den Mitten der Abschnitte, die in Fig. 1 durch die Bezugszeichen 110, 112, 113 und 115 angezeigt sind) = 0,25 λI1 + 0,25 λI2;
Abstand zwischen den Mitten von Elektrodenfingern zwischen zwei angrenzenden IDT (z. B. die Abstände zwischen den Mit ten der Abschnitte, die in Fig. 1 durch die Bezugszeichen 111 und 114 bezeichnet sind) = 0,50 λI2;
IDT-zu-Reflektor-Abstand = 0,54 λR;
Nutzverhältnis jedes IDT 103 bis 105 = 0,60;
Nutzverhältnis jedes Reflektors = 0,60.
Hier bezieht sich "Nutzverhältnis" ( = duty) auf das Ver hältnis der Breite von Elektrodenfingern bezüglich (Breite von Elektrodenfingern + Breite von Spalten zwischen Elek trodenfingern).
Filmdicke der Elektrode = 0,08 λI1.

Als nächstes ist der Entwurf des Oberflächenwellenresona tors 102 vorzugsweise wie folgt:
Kreuzungsbreite W = 34,1 λ.

Hier bezeichnet λ die Wellenlänge der akustischen Oberflä chenwelle, die durch die Elektrodenfingerteilung des Ober flächenwellenresonators bestimmt ist.

Zahl von Elektrodenfingern in dem IDT 116 = 301;
A = 2,05 µm;
Zahl von Elektrodenfingern in jedem Reflektor = 30;
IDT-zu-Reflektor-Abstand = 0,50 λ;
Nutzverhältnis des IDT und jedes Reflektors = 0,60;
Filmdicke der Elektrode = 0,083 λ.

Bei dem Oberflächenwellenresonator 102 ist der IDT 116 durch eine Elektrodenfingerentnahme gewichtet, um den Ab stand zwischen der Resonanzfrequenz und der Antiresonanz frequenz zu reduzieren.

Der IDT 116 weist Kammelektroden 116a und 116b auf. Indem das Vorzeichen eines Elektrodenfingers auf der Seite der Kammelektrode 116a als "+" ausgedrückt wird, und indem aus gedrückt wird, daß das Vorzeichen eines Elektrodenfingers an der Kammelektrode 116b "-" ist, wird ein Zustand der Wichtung durch eine Elektrodenfingerentnahme ausgedrückt. Hier soll die Anordnung von benachbarten zwei Elektroden fingern, bei der ein "+"-Elektrodenfinger und ein "-"- Elektrodenfinger aufeinanderfolgend entlang der Richtung von der linken Seite zu der rechten Seite in Fig. 1 ange ordnet sind, als "+1" ausgedrückt sein, wobei die Anord nung, bei der ein "-"-Elektrodenfinger und ein "+"- Elektrodenfinger nacheinander angeordnet sind, als "-1" an geordnet sein soll, und wobei die Anordnung, bei der ein "+"-Elektrodenfinger an dem nächstfolgenden Platz eines "+"-Elektrodenfingers angeordnet ist, oder bei der ein "-"- Elektrodenfinger an dem nächstfolgenden Platz eines "-"- Elektrodenfingers angeordnet ist, als "0" ausgedrückt sein soll. Dann wird der IDT 116 einer Wichtung durch eine Elek trodenfingerentnahme unterzogen, derart, daß die Anordnung der Elektrodenfinger als "1, 0, 0, -1, 0, 0, 1, 0, 0, -1, . . . -1, 0, 0, 1, 0, 0, -1, 0, 0, 1" ausgedrückt wird. Un terdessen ist in Fig. 1 der IDT 116 derart dargestellt, daß er eine kleinere Zahl von Elektrodenfingern aufweist, als dies tatsächlich der Fall ist, um die Zeichnung zu verein fachen.

Die Dämpfung-Frequenz-Charakteristik des Oberflächenwellen filters 100 gemäß diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist in Fig. 2 durch eine durchgezogene Linie dargestellt. Zum Vergleich ist die Dämpfung-Frequenz-Charakteristik des herkömmlichen Oberflächenwellenfilters, das in Fig. 3 ge zeigt ist, in Fig. 2 durch eine unterbrochene Linie darge stellt. In Fig. 2 ist der wesentliche Abschnitt der Dämp fung-Frequenz-Charakteristik zusätzlich durch eine vergrö ßerte Skala auf der rechten Seite der vertikalen Achse dar gestellt.

Wie in dem Fall des Oberflächenwellenfilters 100 gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel weist das Oberflä chenwellenfilter 200 eine Konfiguration auf, bei der ein Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekop pelten Resonators 201 und ein Oberflächenwellenresonator 202 vorzugsweise an einem Substrat mit 40 ± 5°, Y-Schnitt, X-Ausbreitung und aus LiTaO₃ durch eine Al- Elektrodenstruktur angeordnet. Außerdem sind bei dem Ober flächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 201, wie bei dem Oberflächenwellenfilter 100, IDT 203 bis 205 aufeinanderfolgend entlang der Ausbrei tungsrichtung der akustischen Oberflächenwelle angeordnet, wobei Schmale-Teilung-Elektrodenfingerabschnitte 203a, 204a, 204b und 205a jeweils in den IDT 203 bis 205 an den angrenzenden IDT-Seite-Endabschnitten vorgesehen sind. Der detaillierte Entwurf dieses Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 201 wird im folgenden beschrieben. Außerdem ist die Wellenlänge, die durch die Teilung der Schmale-Teilung- Elektrodenfingerabschnitte bestimmt wird, λI2, wobei die, die durch die Teilung der anderen Elektrodenfingerabschnit te bestimmt wird, λI1 ist.
Kreuzungsbreite W = 66,0 λI1;
Zahl von Elektrodenfingern jedes IDT 203 und 205: Zahl von Elektrodenfingern in jedem Schmale-Teilung- Elektrodenfingerabschnitt 203a und 205a = 4 und die in je dem verbleibenden Abschnitt desselben = 27;
Zahl von Elektrodenfingern des IDT 204: Zahl von Elektro denfingern in dem Schmale-Teilung-Elektrodenfingerabschnitt 204a = 4, Zahl von Elektrodenfingern in dem Schmale- Teilung-Elektrodenfingerabschnitt 204b = 4 und Zahl von Elektrodenfingern in dem verbleibenden Elektrodenfingerab schnitt desselben = 33;
λI1 = 2,12 µm, λI2 = 1,94 µm;
Wellenlänge jedes Reflektors 206 und 207, λR = 2,14 µm;
Zahl von Elektrodenfingern in jedem Reflektor 206 und 207 = 60;
Abstand zwischen den Mitten von Elektrodenfingern an dem Abschnitt, der sandwichartig durch den Elektrodenfinger, der eine Wellenlänge von λI1 aufweist, sowie den Elektro denfinger umgeben ist, der eine Wellenlänge von λI2 auf weist (z. B. die Abstände zwischen den Mitten der Abschnit te, die in Fig. 3 durch die Bezugszeichen 210, 212, 213 und 215 angezeigt sind) = 0,25 λI1 ± 0,25 λI2;
IDT-zu-IDT-Abstand (die Abstände zwischen den Mitten der Abschnitte, die in Fig. 3 durch die Bezugszeichen 211 und 214 bezeichnet sind) = 0,50 λI2;
IDT-zu-Reflektor-Abstand = 0,50 λR;
Nutzverhältnis jedes IDT und jedes Reflektors = 0,60;
Filmdicke des Elektrodenfingers = 0,080 λI1.

Als nächstes ist der bevorzugte Entwurf des Oberflächenwel lenresonators 202 vorzugsweise wie folgt:
Kreuzungsbreite W = 33,2 λ;
Zahl von Elektrodenfingern in IDT = 341;
Wellenlänge von IDT und jedes Reflektors, λ = 2,11 µm;
Zahl von Elektrodenfingern in jedem Reflektor = 30;
IDT-zu-Reflektor-Abstand = 0,50 λ;
Nutzverhältnis jedes IDT und jedes Reflektors = 0,60;
Filmdicke des Elektrodenfingers = 0,080 λ.

Das Oberflächenwellenfilter 200, das in Fig. 3 dargestellt ist, ist z. B. gemäß der ungeprüften japanischen Patentan meldung Nr. 07-66679 aufgebaut.

Wie aus Fig. 2 ersichtlich ist, weist das Oberflächenwel lenfilter 100 gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbei spiel eine größere Steilheit der Dämpfung-Frequenz- Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes auf als das oben be schriebene herkömmliche Oberflächenwellenfilter 200. Wenn z. B. die Frequenzbreiten, die für die Einfügungsverluste benötigt werden, um sich von der Position von ca. 4,5 dB zu der Position von ca. 10 dB auszubreiten, und zwar jeweils von dem Durchgangspegel, zwischen dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel und dem herkömmlichen Beispiel vergli chen werden, beträgt die Frequenzbreite für das erste be vorzugte Ausführungsbeispiel ca. 3,4 MHz im Gegensatz zu 5,6 MHz für das herkömmliche Beispiel. Dies bedeutet, daß das erste bevorzugte Ausführungsbeispiel eine Frequenzbrei te aufweist, die um ca. 2,2 MHz niedriger als die des her kömmlichen Beispiels ist.

Im folgenden werden die Prinzipien der vorliegenden Erfin dung auf der Basis dieses bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung beschrieben. Fig. 4 zeigt die Dämpfung-Frequenz-Charakteristik des Oberflächenwellenfil ters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 101, das bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel verwen det wird, wobei Fig. 5 die des Oberflächenwellenresonators 102 zeigt. Andererseits zeigt Fig. 6 die Dämpfung-Frequenz- Charakteristik des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 201, das bei dem oben beschriebenen herkömmlichen Beispiel verwendet wird, wobei Fig. 7 die des Oberflächenwellenresonators 202 darstellt.

Die Markierungen "x" in den Fig. 4 und 5 zeigen jeweils die Positionen der Resonanzfrequenz und der Antiresonanzfre quenz des Oberflächenwellenresonators 102. Hier zeigt die Markierung "x" an der Seite der niedrigeren Frequenz die Position der Resonanzfrequenz an, während die an der Seite der höheren Frequenz die Position der Antiresonanzfrequenz anzeigt. Andererseits zeigen die Markierungen "x" in den Fig. 6 und 7 jeweils die Positionen der Resonanzfrequenz und der Antiresonanzfrequenz des Oberflächenwellenresona tors 202 an. Außerdem zeigt die Markierung "x" an der Seite der niedrigeren Frequenz die Position der Resonanzfrequenz an, die an der Seite der höheren Frequenz jedoch die Posi tion der Antiresonanzfrequenz.

Wie in den Fig. 8A und 8B gezeigt ist, ist bei einem Ober flächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators, das drei IDT aufweist, ein Durchlaßband vor zugsweise unter Verwendung von drei Modi gebildet: einem Modus nullter Ordnung (der Resonanzmodus, der durch den Pfeil B angezeigt ist), einem Modus zweiter Ordnung (der Resonanzmodus, der durch den Pfeil A angezeigt ist) und ei nem Modus, der die Intensitätsspitzenverteilung einer aku stischen Oberflächenwelle an einem IDT-zu-IDT-Abstand- Abschnitt (der Resonanzmodus, der durch den Pfeil C ange zeigt ist) aufweist.

Die Steilheit der Dämpfung-Frequenz-Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes ist durch den Resonanzmodus, der durch den Pfeil C angezeigt ist, unter den oben beschriebenen drei Resonanzmodi bestimmt. Eine ausreichende Steilheit der Dämpfung-Frequenz-Charakteristik kann jedoch in der unmit telbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durch laßbandes nicht lediglich durch die Steilheit der Dämpfung- Frequenz-Charakteristik basierend auf dem oben beschriebe nen Resonanzmodus erzielt werden, der durch den Pfeil C an gezeigt wird, erzielt werden.

Folglich wurde die Steilheit der Dämpfung-Frequenz- Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes bisher realisiert, in dem die Durchlaßbandbreite des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators entworfen wurde, um größer zu sein als die einer benötigten Bandbrei te, indem die Antiresonanzfrequenz des Oberflächenwellenre sonators, der mit dem Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators verbunden ist, an die Frequenz an der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßban des angepaßt wurde und indem die Steilheit der Dämpfung- Frequenz-Charakteristik verwendet wurde.

Im Gegensatz dazu ist bei dem ersten bevorzugten Ausfüh rungsbeispiel, wie aus Fig. 4 ersichtlich ist, die Durch laßbandbreite des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 101 schmaler als die Durchlaßbandbreite (in Fig. 2 gezeigt) in dem Fall, in dem der Oberflächenwellenresonator in Serie geschaltet ist. Dies bedeutet, daß im Gegensatz zu dem oben beschriebenen herkömmlichen Beispiel das Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 101 durch die Se rienschaltung des Oberflächenwellenresonators 102 mit dem Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekop pelten Resonators 101 die Durchlaßbandbreite breiter wird.

Dies wird unter Verwendung der Reflexionscharakteristik be schrieben, d. h. unter Verwendung der Reflexionscharakteri stik auf der S22-Seite, mit der der Oberflächenwellenreso nator in Serie geschaltet ist.

Fig. 9A zeigt die Reflexionscharakteristik des Oberflächen wellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Reso nators 101, wobei Fig. 9B die Reflexionscharakteristik des Oberflächenwellenresonators 102 zeigt. Die Reflexionscha rakteristik des Oberflächenwellenfilters gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die zusammengesetzte Charakteristik dieser beiden Reflexionscharakteristika, wie dies in Fig. 9C gezeigt ist.

In Fig. 9 bezeichnet die Markierung, die durch den Pfeil X gezeigt ist, die Resonanzfrequenz ( = 1.909,5 MHz) des Ober flächenwellenresonators 102, wobei die Markierung, die durch den Pfeil Y gezeigt ist, die Antiresonanzfrequenz ( = 1.925 MHz) desselben anzeigt.

In dem Frequenzbereich zwischen der Resonanzfrequenz und der Antiresonanzfrequenz des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 101 ist die Impedanz kapazitiv (d. h. der Bereich in der unteren Hälfte in dem Smith-Diagramm). Im Gegensatz dazu ist in dem Fre quenzbereich zwischen der Resonanzfrequenz und der Antire sonanzfrequenz des Oberflächenwellenresonators 102 die Im pedanz induktiv (d. h. der Bereich in der oberen Hälfte in dem Smith-Diagramm). Deshalb wird dieser Frequenzbereich des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal ge koppelten Resonators 101 durch den induktiven Bereich gezo gen. Als ein Ergebnis tritt, wie dies in Fig. 9C gezeigt ist, ein Resonanzmodus Z unter dem Einfluß der Induktivität des Oberflächenwellenresonators auf. Durch ein wesentliches Anpassen der Impedanz des Resonanzmodus Z an die Impedanzen der anderen Resonanzmodi des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 101 wird, wie dies dargestellt ist, die Durchlaßbandbreite stark verbrei tert. Es wird dennoch beachtet, daß der Resonanzmodus Z sich von dem Resonanzmodus unterscheidet, der durch die In tensitätsverteilung der akustischen Oberflächenwelle er zeugt wird, und daß dieser aufgrund einer LC-Resonanz auf tritt. Der Resonanzmodus Z wird erzeugt, indem die Reso nanzfrequenz des Oberflächenwellenresonators 102 höher als die Frequenz des Resonanzmodus gemacht wird (der Modus, der in Fig. 9C durch den Pfeil W angezeigt ist, der sich an der Seite der höchsten Frequenz der Resonanzmodi befindet, die die Durchlaßbänder des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 101 bilden.

Dies bedeutet, daß das Oberflächenwellenfilter vom Typ ei nes longitudinal gekoppelten Resonators 101 eine kapazitive Impedanz bei einem Freguenzbereich aufweist, und daß das Oberflächenwellenelement eine induktive Impedanz an dem Frequenzbereich aufweist, derart, daß eine neue Resonanz durch eine LC-Resonanz erzeugt wird.

Durch Bilden eines Durchlaßbandes durch das oben beschrie bene Verfahren wird die Steilheit der Frequenzcharakteri stik des Oberflächenwellenresonators als eine Steilheit der Frequenzcharakteristik des Filters, wie diese im wesentli chen ist, verwendet. Auch bei dem oben beschriebenen her kömmlichen Beispiel wird die Steilheit der Frequenzcharak teristik in dem Gesamtfilter verbessert, wobei die Steil heit der Frequenzcharakteristik des Oberflächenwellenfil ters verwendet wird, wobei die Steilheit der Frequenzcha rakteristik des Oberflächenwellenresonators jedoch nicht so, wie diese ist, verwendet werden konnte, da die Steil heit der Frequenzcharakteristik des Resonanzmodus bei der Seite der höchsten Frequenz auch ihren Einfluß ausübt.

Im Gegensatz dazu ist, wie dies in dem beschriebenen ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung der Fall ist, der unnötige Resonanzmodus an der Seite der höchsten Frequenz außerhalb des Durchlaßbandes angebracht, wie dies in Fig. 4C durch den Pfeil C angezeigt ist. So ist der Einfluß des Resonanzmodus C, der bei dem herkömmlichen Beispiel einen Faktor dargestellt hat, der die Steilheit der Filtercharakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes verschlech tert, bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel nicht vorhan den, derart, daß die Steilheit der Filtercharakteristik des Oberflächenwellenresonators so verwendet werden kann, wie sie ist, um die Steilheit der Filtercharakteristik des Fil ters zu erhöhen. Dies ermöglicht es, daß die Steilheit der Filtercharakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Sei te der höheren Frequenz des Durchlaßbandes des Filters so gar noch weiter verbessert wird.

Notwendige Bedingungen zum Erzielen eines ausreichenden Pe gels des Dämpfungswerts in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes bei verschie denen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung wurden untersucht. Bei bevorzugten Ausführungs beispielen der vorliegenden Erfindung wird der Dämpfungs wert in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes durch den Dämpfungswert an dem Dämpfungspol bestimmt (d. h. der Dämpfungspol, der in Fig. 2 durch den Pfeil P angezeigt wird), der durch die resultie rende Impedanz des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators und den Oberflächenwel lenresonator erzeugt wird. Der Dämpfungswert an diesem Dämpfungspol P wird durch die Impedanz an dem Dämpfungspol P bestimmt. Anders ausgedrückt wird der Dämpfungswert an diesem Dämpfungspol P durch die Menge bestimmt, um die die Impedanz an dem Dämpfungspol von der Anpassungsbedingung abweicht, oder er wird durch den Wert des VSWR bestimmt. Folglich wurde der VSWR-Wert an dem Dämpfungspol P bezüg lich des Dämpfungswerts an dem Dämpfungspol P untersucht, indem die Kapazität des Oberflächenwellenresonators 102 des Oberflächenwellenfilters gemäß dem ersten bevorzugten Aus führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung variiert wurde. Fig. 10 zeigt die Ergebnisse.

Das Oberflächenwellenfilter 100 benötigt zur Verwendung z. B. beim PCS-Empfang, der in dem ersten bevorzugten Aus führungsbeispiel enthalten ist, zumindest ca. 8 dB als ei nen Dämpfungswert in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes, wobei andere Sy steme auch im wesentlichen den gleichen Dämpfungspegel be nötigen. Wie aus Fig. 10 ersichtlich ist, beträgt das VSWR an dem Dämpfungspol, wenn der Dämpfungswert an dem Dämp fungspol zumindest ca. 8 dB beträgt, ca. 3,5. Dies zeigt, daß der VSWR-Wert von ca. 3,5 oder mehr es ermöglicht, daß eine ausreichende Dämpfung geschaffen wird.

Wie in den Fig. 8A und 8B gezeigt ist, wird bei dem vorlie genden bevorzugten Ausführungsbeispiel die Steilheit der Filtercharakteristik durch ein Anordnen einer Mehrzahl von Resonanzmodi erhöht. Um so eine Mehrzahl von Resonanzmodi anzuordnen, können verschiedene Verfahren verwendet werden. Bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel wird ein Verfahren, bei dem die Teilung des Schmale-Teilung- Fingerabschnitts angepaßt ist, verwendet. Wie dies aus dem Vergleich mit dem herkömmlichen Beispiel offensichtlich ist, ist bei dem Oberflächenwellenfilter gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel das Verhältnis der Elektro denfingerteilung in dem Schmale-Teilung- Elektrodenfingerabschnitt bezüglich der Elektrodenfinger teilung in dem Elektrodenfingerabschnitt, der nicht der Schmale-Teilung-Elektrodenfingerabschnitt ist, in dem Ober flächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 101 vorzugsweise klein. Insbesondere beträgt dieses Verhältnis für das erste bevorzugte Ausführungsbei spiel ca. 0,854 im Gegensatz zu ca. 0,915 für das herkömm liche Beispiel. Ein Einstellen dieses Verhältnisses auf ca. 0,90 oder weniger ermöglicht eine Resonanzmodusanordnung, die wirksam ist, um die Steilheit in der Filtercharakteri stik erhöhen zu können.

Ferner kann eine wirksame Resonanzmodusanordnung auch durch das Verfahren implementiert werden, bei dem die Mitte-zu- Mitte-Abstände der Elektrodenfinger 110 bis 115, die in Fig. 1 gezeigt sind, eingestellt werden. Ferner kann bei einem Oberflächenwellenfilter ohne Schmale-Teilung- Elektrodenfinger, z. B. bei dem Oberflächenwellenfilter, das in der ungeprüften japanischen Patentanmeldung Nr. 05-267990 offenbart ist, wenn die Wellenlänge einer akusti schen Oberflächenwelle λI ist, die oben beschriebene wirk same Resonanzmodusanordnung realisiert werden, indem der IDT-zu-IDT-Abstand auf (0,28 + 0,5 n) λI bis (0,40 + 0,5 n) λI eingestellt wird ("n" ist hier Null oder eine Ganzzahl), obwohl der IDT-zu-IDT-Abstand üblicherweise auf ca. (0,25 + 0,5 n) λI eingestellt wird.

Bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Er findung ist es wünschenswert, daß der Abstand zwischen der Resonanzfrequenz und der Antiresonanzfrequenz des Oberflä chenwellenresonators, der in Serie mit dem Oberflächenwel lenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators geschaltet ist, schmal ist. Die Steilheit der Filtercharak teristik des Oberflächenwellenresonators wird durch den Ab stand zwischen diesen Frequenzen bestimmt. Deshalb hängt die Steilheit der Frequenzcharakteristik in der unmittelba ren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaß bandes des gesamten Oberflächenwellenfilters auch von dem oben beschriebenen Frequenzabstand ab. Bei dem ersten be vorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird der Frequenzabstand reduziert, indem eine Wichtung durch eine Elektrodenfingerentnahme für den Oberflächenwel lenresonator 102 durchgeführt wird. Da die Impedanz des Oberflächenwellenresonators 102 durch die Wichtung durch die Elektrodenfingerentnahme erhöht wird, wird die Impedanz bei dem Durchlaßband, wie dies in Fig. 9C gezeigt ist, ka pazitiv. Um dies zu korrigieren, ist bei dem ersten bevor zugten Ausführungsbeispiel ein Induktivitätselement 118 parallel geschaltet, wodurch eine Impedanzanpassung erzielt wird (dies ermöglicht die Realisierung der Reflexionscha rakteristik, die in Fig. 9D gezeigt ist).

Das Verfahren zum Erzielen einer Impedanzanpassung ist nicht auf das Verfahren beschränkt, bei dem das oben be schriebene Induktivitätselement 118 eingesetzt wird, wobei eine Impedanzanpassung z. B. unter Verwendung einer anderen Induktivität oder einer Kombination einer Induktivität und einer Kapazität erzielt werden kann.

Bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Steilheit der Dämpfung-Frequenz-Charakteristik in der un mittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes verbessert, wobei der Dämpfungswert in dem Frequenzbereich leicht neben der oben beschriebenen Fre quenz in Richtung der Seite der höheren Frequenz jedoch we niger ausreichend ist als der des herkömmlichen Beispiels. Um dies zu verbessern, ist es deshalb vorzuziehen, daß Oberflächenwellenresonatoren 301 und 302 in Serie zwischen den Eingangsanschluß 119 und das Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 101, wie dies in Fig. 11 dargestellt ist, geschaltet sind. Fig. 12 zeigt die Frequenzcharakteristik der Modifizierung, die in Fig. 11 dargestellt ist. Die detaillierten Entwürfe der Oberflächenwellenresonatoren 301 und 302 sind unten in Ta belle 1 gezeigt.

Tabelle 1

Außerdem kann ohne ein Hinzufügen der Oberflächenwellenre sonatoren 301 und 302 der Dämpfungswert in dem Frequenzbe reich leicht neben der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes in Richtung der Seite der höheren Frequenz erhöht werden, indem eine Wichtung durch eine Elektroden fingerentnahme für die IDT 103 bis 105 des Oberflächenwel lenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resona tors 101 durchgeführt wird.

Bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorlie genden Erfindung wurde der Frequenzabstand zwischen der Re sonanzfrequenz und der Antiresonanzfrequenz des Oberflä chenwellenresonators 102, der in Serie mit dem Oberflächen wellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resona tors geschaltet ist, durch die Wichtung durch eine Elektro denfingerentnahme reduziert. Andererseits wird bei einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung der oben beschriebene Frequenzabstand durch ein Vermindern des elektromechanischen Kopplungskoeffizienten des Oberflächenwellenresonators anstelle einer Wichtung durch eine Elektrodenfingerentnahme reduziert. Fig. 13 ist eine schematische Draufsicht, die die Elektrodenstruktur eines Oberflächenwellenfilters gemäß dem zweiten bevorzug ten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.

Bei dem Oberflächenwellenfilter gemäß dem zweiten bevorzug ten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist ein Oberflächenwellenresonator 401 in Serie mit einem Oberflä chenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Re sonators 101 geschaltet. Das Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 101 ist vor zugsweise auf eine ähnliche Weise wie bei dem ersten bevor zugten Ausführungsbeispiel aufgebaut. Über den Oberflächen wellenresonator 401 sind SiO₂-Filme laminiert, wie durch die Schraffierung angezeigt ist. Bei dem zweiten bevorzug ten Ausführungsbeispiel sind auf dem piezoelektrischen Sub strat die SiO₂-Filme 401a vorzugsweise nur an dem Abschnitt laminiert, an dem sich der Oberflächenwellenresonator 401 befindet. Durch diese SiO₂-Filme 401a wird der elektrome chanische Kopplungskoeffizient des Oberflächenwellenresona tors 401 reduziert, wodurch der Frequenzabstand zwischen der Resonanzfrequenz und der Antiresonanzfrequenz reduziert wird.

Bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorlie genden Erfindung wird der elektromechanische Kopplungs koeffizient des Oberflächenwellenresonators 401 reduziert, indem die SiO₂-Filme 401a über den Oberflächenwellenresona tor 401 laminiert werden. Anstelle der SiO₂-Filme können jedoch dielektrische Filme oder isolierende Filme, die aus Aluminiumoxid, Magnesiumoxid, Tantaloxid, Titanoxid, Nio boxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxidnitrid oder einem ande ren geeigneten Material bestehen, als laminierte Filme ver wendet werden.

Ferner kann, um nur den elektromechanischen Kopplungs koeffizienten des Oberflächenwellenresonators zu reduzie ren, ein Verfahren zum Reduzieren der Filmdicke der Elek troden, die in dem Oberflächenwellenresonator den IDT und die Reflektoren bilden, verwendet werden.

Außerdem kann, wie in der illustrierten Modifizierung in Fig. 14, ein Oberflächenwellenresonator 501 an einem piezo elektrischen Substrat 500a, das nicht das piezoelektrische Substrat 100 ist, vorgesehen sein, auf dem das Oberflächen wellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resona tors 101 angebracht ist. In diesem Fall kann, wie bei dem piezoelektrischen Substrat 500a, z. B. ein piezoelektrisches Substrat verwendet werden, das einen kleineren elektrome chanischen Kopplungskoeffizienten aufweist als das Substrat mit 40 ± 5°, Y-Schnitt, X-Ausbreitung und aus LiTaO₃, wie z. B. ein Quarzsubstrat, ein Substrat mit 45°, X-Schnitt, Z- Ausbreitung und aus Li₂B₄C₇, ein Substrat mit X-Schnitt, 112°, -Ausbreitung und aus LiTaO₃ oder ein Langasitsub strat.

Fig. 15 ist ein Schaltungsdiagramm, das ein drittes bevor zugtes Ausführungsbeispiel gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt.

Das Oberflächenwellenfilter gemäß bevorzugten Ausführungs beispielen der vorliegenden Erfindung erfordert oft ein Im pedanzanpassungselement, wie z. B. ein Induktivitätselement. Wenn ein Anpassungselement außerhalb eines Pakets angeord net ist, wird der Befestigungsbereich groß. Außerdem ist, wie bei dem in Fig. 15 illustrierten Schaltungsaufbau, in der Konfiguration, bei der entweder die Eingangsanschluß seite oder die Ausgangsanschlußseite des Oberflächenwellen filters 601 und 602 gemeinsam ist, ein externes Induktivi tätselement 603 oft geschaltet, um eine Impedanzanpassung an der Seite zu erzielen, die gemeinsam verbunden ist. Ähn lich werden, wie in dem in Fig. 16 illustrierten Beispiel, in der Konfiguration, bei der sowohl die Eingangsanschluß seite als auch die Ausgangsanschlußseite der Oberflächen wellenfilter 601 und 602 gemeinsam sind, Induktivitätsele mente 603 und 604 oft eingefügt, um Impedanzanpassungen auf sowohl der Eingangsanschlußseite als auch der Ausgangsan schlußseite zu erzielen.

So wurde früher beim gemeinsamen Verbinden der Anschlüsse einer Seite von zwei Oberflächenwellenfiltern eine externe Induktivität zur Impedanzanpassung eingesetzt. Bei den Oberflächenwellenfiltern, die in den Fig. 15 und 16 gezeigt sind, können durch die Verwendung des Oberflächenwellenfil ters gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegen den Erfindung als ein Oberflächenwellenfilter 601 oder 602 die vorteilhaften Effekte der vorliegenden Erfindung ohne die Hinzufügung eines Impedanzanpassungselements erzielt werden.

Fig. 17 ist eine schematische Draufsicht zur Erklärung ei nes Oberflächenwellenfilters gemäß einem dritten bevorzug ten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel sind ein erster Oberflächenwellenfilterabschnitt, der ein Oberflächenwel lenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 701 und Oberflächenwellenresonatoren 703, 705 und 707 um faßt, und ein zweiter Oberflächenwellenfilterabschnitt, der ein Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal ge koppelten Resonators 702 und Oberflächenwellenresonatoren 704, 706 und 708 umfaßt, parallel zueinander geschaltet. Wie in dem Fall des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels sind der erste und der zweite Oberflächenwellenfilterab schnitt die Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitu dinal gekoppelten Resonators 701 und 702 und die Oberflä chenwellenresonatoren 707 und 708 jeweils in Serie mit den selben geschaltet. Außerdem sind wie in dem Fall der Modi fizierung, die in Fig. 11 gezeigt ist, die Oberflächenwel lenresonatoren 703 und 705 sowie 704 und 706 zwischen einen Eingangsanschluß 710 und die Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 701 bzw. 702 geschaltet. Das dritte bevorzugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist deshalb eine Konfiguration auf, so daß zwei der Oberflächenwellenfilter gemäß der Mo difizierung, die in Fig. 11 gezeigt ist, parallel zueinan der geschaltet sind.

Hierin ist eine Induktivität 713 zwischen Ausgangsanschlüs se 711 und 712 geschaltet.

So wird bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor liegenden Erfindung durch das Schalten von zwei der Ober flächenwellenfilter gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung parallel zueinander ein Oberflä chenwellenfilter, dessen Eingangsimpedanz ca. 50 Ω beträgt und dessen Ausgangsimpedanz ca. 200 Ω beträgt, und das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist, geschaffen.

Die Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal ge koppelten Resonators 701 und 702 und die Oberflächenwellen resonatoren 703 bis 708 sind alle ähnlich wie die Oberflä chenwellenfiltern entworfen, die in den Fig. 1 und 11 ge zeigt sind, mit der Ausnahme, daß die Kreuzungsbreite der Elektrodenfinger in allen oben beschriebenen Oberflächen wellenfiltern vom Typ eines longitudinal gekoppelten Reso nators 701 und 702 und den Oberflächenwellenresonatoren 703 bis 708 die Hälfte von der bei den Oberflächenwellenfiltern beträgt, die in Fig. 1 und Fig. 11 gezeigt sind, und daß der IDT 709 des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines lon gitudinal gekoppelten Resonators 702 bezüglich der IDT der Oberflächenwellenfilter, die in den Fig. 1 und 11 gezeigt sind, invertiert ist. Der Zweck der Invertierung der Pola rität des mittleren IDT 709 des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 702 be steht darin, die Phase der Ausgangssignale des Oberflächen wellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Reso nators 702 um 180° bezüglich der Phase von Ausgangssignalen des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal ge koppelten Resonators 701 zu verändern.

Das Verfahren zum Verschieben der Phase um 180° ist nicht auf dieses Verfahren beschränkt.

Bei diesem Entwurfsbeispiel ist das Induktivitätselement 713, das zwischen die Ausgangsanschlüsse 711 und 712 ge schaltet ist, die symmetrische Ausgangsanschlüsse sind, vorzugsweise auf einen Wert von ca. 15 nH eingestellt.

Fig. 18 zeigt die Frequenzcharakteristik des Oberflächen wellenfilters gemäß dem dritten bevorzugten Ausführungsbei spiel der vorliegenden Erfindung. Wie aus Fig. 18 ersicht lich ist, kann eine Steilheit der Dämpfung-Frequenz- Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes, die im wesentlichen gleich der ist, die bei dem ersten bevorzugten Ausführungs beispiel erzielt wird, realisiert werden. Dies zeigt, daß gemäß dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor liegenden Erfindung ein Oberflächenwellenfilter geschaffen wird, das es ermöglicht, daß die Steilheit der Dämpfung- Frequenz-Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes verbessert wird, und das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch- Umwandlungsfunktion aufweist.

Bei dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel wurde eine Beschreibung eines Oberflächenwellenfilters gegeben, dessen Eingangsimpedanz und dessen Ausgangsimpedanz unterschied lich sind, und das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch- Umwandlungsfunktion aufweist. Alternativ kann jedoch ein Oberflächenwellenfilter erzielt werden, dessen Eingangsim pedanz und dessen Ausgangsimpedanz im wesentlichen gleich sind, und das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch- Umwandlungsfunktion aufweist. Bei einer Modifizierung, die in Fig. 19 gezeigt ist, wird z. B. ein Oberflächenwellenre sonator 802 in Serie mit einem Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 801 geschal tet. Hierin sind beide Enden des mittleren IDT 804 des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekop pelten Resonators 801 zum Entnehmen von symmetrischen Aus gangssignalen mit symmetrischen Anschlüssen 811 und 812 verbunden. Ein Ende jedes IDT 803 und 805 ist mit dem Ober flächenwellenresonator 802 verbunden. Der Endabschnitt des Oberflächenwellenresonators 802 gegenüber der Seite, mit der die IDT 803 und 805 verbunden sind, ist mit einem un symmetrischen Eingangsanschluß 813 verbunden. Ein Indukti vitätselement 815 ist zwischen dem Verbindungspunkt 814, der sich zwischen dem unsymmetrischen Eingangsanschluß 813 und dem Oberflächenwellenresonator 802 befindet, und dem Massepotential eingesetzt. Hierin bezeichnen die Bezugszei chen 806 und 807 jeweils Reflektoren.

Durch ein derartiges Verbinden beider Enden des IDT 804 mit den symmetrischen Ausgangsanschlüssen 811 und 812 wird ein Oberflächenwellenfilter geschaffen, dessen Eingangsimpedanz und dessen Ausgangsimpedanz im wesentlichen gleich sind, und das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch- Umwandlungsfunktion aufweist. In diesem Fall wird außerdem durch ein Entwerfen des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators 801, des Oberflä chenwellenresonators 802 und des Induktivitätselements 815 gemäß den oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsbei spielen die Steilheit der Dämpfung-Frequenz-Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Fre quenz des Durchlaßbandes wirksam verbessert.

Bei den oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispie len wurde ein Substrat mit 40 ± 5°, Y-Schnitt, X- Ausbreitung und aus LiTaO₃ als ein piezoelektrisches Sub strat verwendet, wobei bei der vorliegenden Erfindung das piezoelektrische Substrat nicht auf das oben beschriebene LiTaO₃-Substrat beschränkt ist. Alternativ können bei der vorliegenden Erfindung verschiedene Substrate, die eine Piezoelektrizität aufweisen, verwendet werden, wie z. B. ein Substrat mit 64 bis 72°, Y-Schnitt, X-Ausbreitung und aus LiNbO₃, ein Substrat mit Y-Schnitt, X-Ausbreitung und aus LiNbO₃ sowie weitere geeignete Substrate.

Bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel wurde ein Durchlaßband unter Verwendung der Resonanzmodi A und B, die in den Fig. 8A und 8B gezeigt sind, und des Resonanzmodus durch die Induktivität des Oberflächenwellenresonators 102 gebildet. Wenn jedoch ein schmales Durchlaßband ausreichend ist, kann ein Durchlaßband aus zwei Resonanzmodi gebildet sein: dem Resonanzmodus B und dem Resonanzmodus, der durch die Induktivität des Oberflächenwellenresonators 102 er zeugt wird, und zwar durch ein Anpassen der Entwurfsparame ter und außerdem durch ein Anbringen des Resonanzmodus A außerhalb des Durchlaßbandes.

Ferner kann, wenn ein breiteres Durchlaßband als das des herkömmlichen Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longi tudinal gekoppelten Resonators benötigt wird, ein Durchlaß band aus vier Resonanzmodi gebildet sein: den drei Reso nanzmodi A bis C, die in den Fig. 8A und 8B gezeigt sind, und dem Resonanzmodus, der durch die Induktivität des Ober flächenwellenresonators 102 erzeugt wird.

Bei den oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispie len wurden Beispiele gezeigt, die jeweils ein Oberflächen wellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resona tors verwenden, das drei IDT aufweist, wobei statt dessen bei der vorliegenden Erfindung ein Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators verwendet werden kann, das zwei oder zumindest vier IDT aufweist.

Die Fig. 20 und 21 sind jeweils schematische Blockdiagram me, die eine Kommunikationsvorrichtung 160 darstellen, die ein Oberflächenwellenfilter gemäß bevorzugten Ausführungs beispielen der vorliegenden Erfindung verwendet.

In Fig. 20 ist ein Duplexer 162 mit einer Antenne 161 ver bunden. Ein Oberflächenwellenfilter 164 und ein Verstärker 165 sind zwischen den Duplexer 162 und einen Empfangssei tenmischer 163 geschaltet. Außerdem sind ein Verstärker 167 und ein Oberflächenwellenfilter 168 zwischen den Duplexer 162 und einen Sendeseitenmischer 166 geschaltet. Wenn der Verstärker 165 auf symmetrische Signale einstellbar ist, kann ein Oberflächenwellenfilter, das gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist, geeigneterweise als das oben erwähnte Oberflächenwel lenfilter 164 verwendet werden.

Außerdem kann, wie in Fig. 21 gezeigt ist, wenn der Ver stärker 165A, der an der Empfangsseite verwendet wird, auf unsymmetrische Signale einstellbar ist, ein Oberflächenwel lenfilter, das gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist, geeigneterweise auch als ein Oberflächenwellenfilter 164A verwendet werden.

Wie aus der vorhergehenden Beschreibung ersichtlich ist, wird bei dem Oberflächenwellenfilter gemäß bevorzugten Aus führungsbeispielen der vorliegenden Erfindung bei der Kon figuration, die ein Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators und einen Oberflächen wellenresonator umfaßt, der in Serie mit demselben geschal tet ist, ein Durchlaßband gebildet, indem zumindest einer der Resonanzmodi des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators und die Induktivität des Oberflächenwellenresonators verwendet werden. Deshalb kann die Steilheit der Filtercharakteristik des Oberflä chenwellenresonators als eine Steilheit der Filtercharakte ristik des Oberflächenwellenresonators, wie diese ist, ver wendet werden. So wird durch die Verwendung eines Oberflä chenwellenresonators, der zwischen der Resonanzfrequenz und der Antiresonanzfrequenz einen schmaleren Frequenzabstand aufweist, die Steilheit der Filtercharakteristik in der un mittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes wirksam erhöht.

Wenn die Antiresonanzfrequenz des Oberflächenwellenresona tors bei einer niedrigeren Frequenz positioniert wird als die Frequenz bei dem Resonanzmodus, der sich auf der Seite der höchsten Frequenz befindet, der Resonanzmodi des Ober flächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators, wird die Steilheit der Dämpfung-Frequenz- Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes sogar noch wirksamer verbessert.

Wenn die Resonanzfrequenz des Oberflächenwellenresonators bei einer höheren Frequenz positioniert wird als die Fre quenz bei dem Resonanzmodus, der sich an der Seite der höchsten Frequenz befindet, der Resonanzmodi, die das Durchlaßband des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators bilden, tritt der Reso nanzmodus auf, der durch den Einfluß der Induktivität des Oberflächenwellenresonators erzeugt wird. Durch ein wesent liches Anpassen der Impedanz des oben beschriebenen Reso nanzmodus an die des anderen Resonanzmodus des Oberflächen wellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Reso nators kann das Durchlaßband verbreitert werden.

Wenn die resultierende Impedanz des Oberflächenwellenreso nators und des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines lon gitudinal gekoppelten Resonators im wesentlichen an die Im pedanz bei dem Resonanzmodus des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators angepaßt ist, wird die Verbreiterung des Durchlaßbandes erzielt.

Wenn der VSWR-Wert bei der Frequenz an dem Dämpfungspol, der durch die resultierende Impedanz des Oberflächenwellen resonators und des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators erzeugt wird, nicht kleiner als ca. 3,5 ist, kann der Dämpfungswert in der un mittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes ausreichend werden. Bei der Konfiguration, bei der der Oberflächenwellenresonator einer Wichtung durch eine Elektrodenfingerentnahme unterzogen werden soll, kann die Steilheit der Dämpfung-Frequenz-Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes zuverlässig verbessert werden, indem die Wichtung durch eine Elektrodenfingerentnahme durchgeführt wird, um so den Frequenzabstand zwischen der Resonanzfre quenz und der Antiresonanzfrequenz des Oberflächenwellenre sonators zu reduzieren.

Wenn der Oberflächenwellenresonator einen kleineren elek tromechanischen Kopplungskoeffizienten als das Oberflächen wellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resona tors aufweist, kann der Frequenzabstand zwischen der Reso nanzfrequenz und der Antiresonanzfrequenz des Oberflächen wellenresonators reduziert werden, wodurch die Steilheit der Dämpfung-Frequenz-Charakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes wirksam erhöht wird. In diesem Fall kann der Oberflächen wellenresonator unter Verwendung eines piezoelektrischen Substrats, das einen kleineren elektromechanischen Kopp lungskoeffizienten als das Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators aufweist, gebil det werden.

Wenn zumindest ein Induktivitätselement geschaffen wird, das parallel zu dem Eingangs- und/oder Ausgangsanschluß ge schaltet ist, mit dem der Oberflächenwellenresonator in Se rie geschaltet ist, kann die Filtercharakteristik in dem Durchlaßband verbessert werden.

Wenn das Oberflächenwellenfilter zumindest zwei Oberflä chenwellenfilterelemente aufweist, wenn zumindest entweder die Eingangsanschlußseite oder die Ausgangsanschlußseite der zwei Oberflächenwellenfilterelemente gemeinsam ist, und wenn zumindest eines der beiden Oberflächenwellenfilterele mente aus einem Oberflächenwellenfilter gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung besteht, verdoppelt sich dieser Oberflächenwellenresonator als das oben beschriebene Induktivitätselement, so daß die Verein fachung der Struktur des Oberflächenwellenfilters erzielt werden kann.

Das Oberflächenwellenfilter gemäß bevorzugten Ausführungs beispielen der vorliegenden Erfindung kann konfiguriert sein, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch- Umwandlungsfunktion aufzuweisen. In diesem Fall kann ein Oberflächenwellenfilter, das eine Symmetrisch-zu- Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist, und bei dem die Steilheit der Filtercharakteristik in der unmittelbaren Um gebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung verbessert wird, geschaffen werden.

Da die Kommunikationsvorrichtung gemäß bevorzugten Ausfüh rungsbeispielen der vorliegenden Erfindung unter Verwendung eines Oberflächenwellenfilters gemäß anderen bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung konfigu riert ist, wird die Steilheit der Filtercharakteristik in der unmittelbaren Umgebung der Seite der höheren Frequenz des Durchlaßbandes bei dem Oberflächenwellenfilter erhöht, wodurch eine Kommunikationsvorrichtung mit einer überlege nen Selektivität geschaffen werden kann.

Claims

1. Oberflächenwellenfilter mit folgenden Merkmalen:
einem Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudi nal gekoppelten Resonators (101; 701, 703; 801), das ein dielektrisches Substrat und zumindest zwei Inter digitalwandler (103-105; 803-805) aufweist; die an dem dielektrischen Substrat entlang der Ausbreitungs richtung einer akustischen Oberflächenwelle angeordnet sind, die in demselben erzeugt wird; und
zumindest einem Oberflächenwellenresonator (102; 401; 802), der zwischen zumindest entweder einen Eingangs anschluß (119; 318) oder einen Ausgangsanschluß (120; 811, 812) des Oberflächenwellenfilters und das Ober flächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekop pelten Resonators (101; 701, 703; 801) geschaltet ist;
wobei ein Durchlaßband erzeugt wird, indem zumindest einer der Resonanzmodi des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators (101; 701, 703; 801) und die Induktivität des zumin dest einen Oberflächenwellenresonators (102; 401; 802) verwendet werden.

2. Oberflächenwellenfilter mit folgenden Merkmalen:
zumindest zwei Oberflächenwellenfilterelementen (601, 602; 701, 702);
wobei zumindest entweder die Eingangsanschlußseite oder die Ausgangsanschlußseite der zumindest zwei Oberflächenwellenfilterelemente (601, 602; 701, 702) ein gemeinsamer Anschluß für jedes der zumindest zwei Oberflächenwellenfilterelemente (601, 602; 701, 702) ist; und
wobei zumindest eines der zwei Oberflächenwellenfil terelemente (601, 602; 701, 702) ein Oberflächenwel lenfilter mit folgenden Merkmalen aufweist:
einem Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitudi nal gekoppelten Resonators (101; 701, 703; 801), das ein dielektrisches Substrat und zumindest zwei Inter digitalwandler (103-105; 803-805) aufweist, die an dem dielektrischen Substrat entlang der Ausbreitungs richtung einer akustischen Oberflächenwelle angeordnet sind, die in demselben erzeugt wird; und
zumindest einem Oberflächenwellenresonator (102; 401; 802), der zwischen zumindest entweder einen Eingangs anschluß (119; 813) oder einen Ausgangsanschluß (120; 811, 812) des Oberflächenwellenfilters und das Ober flächenwellenfilter vom Typ eines longitudinal gekop pelten Resonators (101; 701, 703; 801) geschaltet ist;
wobei ein Durchlaßband erzeugt wird, indem zumindest einer der Resonanzmodi des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators (101; 701, 703; 801) und die Induktivität des zumin dest einen Oberflächenwellenresonators (102; 401; 802) verwendet werden.

3. Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem die Antiresonanzfrequenz des zumindest einen Ober flächenwellenresonators (102; 401; 802) auf eine Fre quenz eingestellt ist, die niedriger als die des Reso nanzmodus, der an der Seite der höchsten Frequenz po sitioniert ist, unter den Resonanzmodi des Oberflä chenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppel ten Resonators (101; 701, 703; 801) ist.

4. Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem die Resonanzfrequenz des zumindest einen Oberflä chenwellenresonators (102; 401; 802) auf eine Frequenz eingestellt ist, die höher als die des Resonanzmodus, der an der Seite der höchsten Frequenz positioniert ist, unter den Resonanzmodi ist, die das Durchlaßband des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudi nal gekoppelten Resonators (101; 701, 703; 801) bil den.

5. Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem die resultierende Impedanz des zumindest einen Oberflächenwellenresonators (102; 401; 802) und des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators (101; 701, 703; 801) im wesent lichen an die Impedanz bei dem Resonanzmodus des Ober flächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekop pelten Resonators (101; 701, 703; 801) angepaßt ist.

6. Oberflächenwellenfilter gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der VSWR-Wert bei der Frequenz an dem Dämpfungspol, der durch die resultierende Impedanz des zumindest einen Oberflächenwellenresonators (102; 401; 802) und des Oberflächenwellenfilters vom Typ eines longitudinal gekoppelten Resonators (101; 701, 703; 801) erzeugt wird, größer oder gleich etwa 3,5 ist.

7. Oberflächenwellenfilter gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der zumindest eine Oberflächenwellenre sonator (102; 401; 802) einer Wichtung durch eine Elektrodenfingerentnahme unterzogen wird.

8. Oberflächenwellenfilter gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem der zumindest eine Oberflächenwellenre sonator (102; 401; 802) einen kleineren elektromecha nischen Kopplungskoeffizienten als das Oberflächenwel lenfilter vom Typ eines longitudinal gekoppelten Reso nators (101; 701, 703; 801) aufweist.

9. Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 8, bei dem der zumindest eine Oberflächenwellenresonator (102; 401; 802) ein piezoelektrisches Substrat umfaßt, das einen kleineren elektromechanischen Kopplungskoeffizienten als das Oberflächenwellenfilter vom Typ eines longitu dinal gekoppelten Resonators (101; 701, 703; 801) auf weist.

10. Oberflächenwellenfilter gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, das ferner folgendes Merkmal aufweist: zumindest ein Induktivitätselement (118; 815), das parallel zu zumindest entweder dem Eingangsanschluß (119; 813) oder dem Ausgangsanschluß (120; 811, 812) geschaltet ist, mit dem der Oberflächenwellenresonator (102; 401; 802) in Serie geschaltet ist.

11. Oberflächenwellenfilter gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, das ferner eine Einrichtung zum Durchführen einer Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist.

12. Kommunikationsvorrichtung (160), die ein Oberflächen wellenfilter (164, 168; 164A) gemäß einem der vorher gehenden Ansprüche aufweist.